JP6610087B2 - Lead frame and manufacturing method thereof - Google Patents

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Description

本発明は、半導体装置用のリードフレームおよびこのようなリードフレームの製造方法に関する。   The present invention relates to a lead frame for a semiconductor device and a method for manufacturing such a lead frame.

従来より、薄型の半導体装置（半導体パッケージ）として、例えばＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded package）タイプのものや、ＳＯＮ（Small Outline Non-leaded Package）タイプのもの等が知られている。   Conventionally, as a thin semiconductor device (semiconductor package), for example, a QFN (Quad Flat Non-leaded package) type, a SON (Small Outline Non-leaded Package) type, and the like are known.

このうちＱＦＮタイプの半導体装置の製造方法としては、コストダウンの観点から、個別モールドタイプから一括モールドタイプ（ＭＡＰ型ＱＦＮタイプ）へと移行してきている。   Among these, the manufacturing method of the QFN type semiconductor device has shifted from an individual mold type to a batch mold type (MAP type QFN type) from the viewpoint of cost reduction.

ＭＡＰ型ＱＦＮタイプの半導体装置の製造工程において、フォトリソグラフィーによってパターニングされた金属基板に対して、エッチング加工を行うことでリードフレームを得ることが行われている。この際、各半導体パターンを区画している、コネクティングバー（グリッドリード、またはタイバーともいう）をより細くすることによって、リードフレーム内の各半導体パターンの面付け効率を上げることができるが、一方で、リードフレームの強度が維持できず、リードフレームがエッチング後、変形してしまうことが問題となっていた。また、パッケージを単体に切り離すソーイング加工を行うが、このときにメタルバリが発生することが問題となっている。メタルバリが発生した場合、切断後の半導体装置において、互いに隣接するリード部同士が短絡してしまうおそれがある。このため、ソーイング加工（ダイシング加工とも言う）時に生じるバリを少なくすることが求められており、例えば、コネクティングバー（グリッドリード、またはタイバーともいう）にハーフエッチング加工を施す技術が存在する（特許文献１参照）。   In a manufacturing process of a MAP type QFN type semiconductor device, a lead frame is obtained by performing etching on a metal substrate patterned by photolithography. At this time, by narrowing the connecting bar (also referred to as grid lead or tie bar) that partitions each semiconductor pattern, the imposition efficiency of each semiconductor pattern in the lead frame can be increased. However, the strength of the lead frame could not be maintained, and the lead frame was deformed after etching. In addition, a sawing process for separating the package into a single piece is performed, but at this time, metal burrs are a problem. When a metal burr | flash generate | occur | produces, there exists a possibility that the mutually adjacent lead part may short-circuit in the semiconductor device after a cutting | disconnection. For this reason, it is required to reduce burrs generated during sawing (also referred to as dicing). For example, there is a technique for performing half-etching on a connecting bar (also referred to as grid lead or tie bar) (Patent Document). 1).

特開２００１−３２０００７号公報JP 2001-320007 A

ところで近年、ＱＦＮタイプの半導体装置の多ピン化が進んでおり、このため、従来のものよりも大型のパッケージが用いられてきている。しかしながら、上述した従来のＱＦＮタイプの半導体装置においては、コネクティングバーにハーフエッチング加工を施したことにより、コネクティングバーの強度が不足してしまう。このため、とりわけリード部周囲でコネクティングバーに変形が生じるおそれがある。   By the way, in recent years, the number of pins of a QFN type semiconductor device is increasing, and for this reason, a package larger than the conventional one has been used. However, in the conventional QFN type semiconductor device described above, the strength of the connecting bar is insufficient due to the half-etching process performed on the connecting bar. For this reason, there is a possibility that the connecting bar may be deformed particularly around the lead portion.

本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、ソーイング加工時におけるバリの発生を抑えつつ、コネクティングバーの変形を防止することが可能なリードフレームおよびその製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in consideration of such points, and provides a lead frame capable of preventing the deformation of a connecting bar while suppressing the occurrence of burrs during sawing and a method for manufacturing the same. Objective.

本発明は、半導体装置用のリードフレームにおいて、それぞれ半導体素子を載置するダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に設けられた複数のリード部とを含む、複数のリードフレーム要素を備え、隣接する前記リードフレーム要素間において、対応する一対の前記リード部がコネクティングバーを介して連結され、前記コネクティングバーは、前記コネクティングバーの長手方向に沿って前記コネクティングバーの一方の面側から薄肉化された薄肉部を有し、前記薄肉部に、前記コネクティングバーの長手方向に沿って延びる突起部が形成されていることを特徴とするリードフレームである。   The present invention provides a lead frame for a semiconductor device, comprising a plurality of lead frame elements each including a die pad on which a semiconductor element is placed and a plurality of lead portions provided around the die pad, and the adjacent leads. A pair of corresponding lead portions are connected between the frame elements via connecting bars, and the connecting bars are thinned from one side of the connecting bar along the longitudinal direction of the connecting bars. The lead frame is characterized in that a protrusion that extends along the longitudinal direction of the connecting bar is formed on the thin portion.

本発明は、前記コネクティングバーの長手方向に沿って、複数の突起部が形成されていることを特徴とするリードフレームである。   The present invention is the lead frame characterized in that a plurality of protrusions are formed along the longitudinal direction of the connecting bar.

本発明は、前記突起部の頂部は、前記コネクティングバーの前記一方の面よりも他方の面側に引っ込んでいることを特徴とするリードフレームである。   The lead frame according to the present invention is characterized in that a top portion of the protruding portion is retracted to the other surface side of the one surface of the connecting bar.

本発明は、前記頂部は、前記リードフレームの厚みの２．５％〜５０％だけ前記コネクティングバーの前記一方の面から引っ込んでいることを特徴とするリードフレームである。   The lead frame according to the present invention is characterized in that the top portion is recessed from the one surface of the connecting bar by 2.5% to 50% of the thickness of the lead frame.

本発明は、前記一方の面は、前記半導体素子を搭載する面側に位置することを特徴とするリードフレームである。   The present invention is the lead frame, wherein the one surface is positioned on a surface side on which the semiconductor element is mounted.

本発明は、前記突起部は、前記コネクティングバーの幅方向中央部以外に設けられていることを特徴とするリードフレームである。   The present invention is the lead frame, wherein the protrusion is provided at a portion other than the central portion in the width direction of the connecting bar.

本発明は、前記コネクティングバーは、交差部において当該コネクティングバーに直交する方向に延びる他のコネクティングバーに連結され、当該コネクティングバーの前記突起部のうち少なくとも１つは、前記交差部で前記他のコネクティングバーの突起部に連結されていることを特徴とするリードフレームである。   In the present invention, the connecting bar is connected to another connecting bar extending in a direction orthogonal to the connecting bar at the intersection, and at least one of the protrusions of the connecting bar is the other at the intersection. A lead frame connected to a protrusion of a connecting bar.

本発明は、前記コネクティングバーは、前記コネクティングバーの長手方向に終端する終端部を有し、前記終端部は、当該コネクティングバーに直交する方向に延びる他のコネクティングバーから離間していることを特徴とするリードフレームである。   The present invention is characterized in that the connecting bar has a terminal portion that terminates in the longitudinal direction of the connecting bar, and the terminal portion is separated from another connecting bar that extends in a direction orthogonal to the connecting bar. The lead frame.

本発明は、リードフレームの製造方法において、金属基板を準備する工程と、前記金属基板に、エッチング用レジスト層を形成する工程と、前記エッチング用レジスト層を耐腐蝕膜として前記金属基板にエッチングを施すことにより、前記金属基板に、それぞれ半導体素子を載置するダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に設けられた複数のリード部とを含む、複数のリードフレーム要素を形成する工程と、前記金属基板から、前記エッチング用レジスト層を除去する工程とを備え、前記複数のリードフレーム要素を形成する工程において、隣接する前記リードフレーム要素間に、対応する一対の前記リード部を連結するコネクティングバーが形成され、前記コネクティングバーに、前記コネクティングバーの長手方向に沿って前記コネクティングバーの一方の面側から薄肉化された薄肉部が形成され、前記薄肉部に、前記コネクティングバーの長手方向に沿って延びる複数の突起部が形成されることを特徴とするリードフレームの製造方法である。   The present invention relates to a method of manufacturing a lead frame, the step of preparing a metal substrate, the step of forming an etching resist layer on the metal substrate, and etching the metal substrate using the etching resist layer as a corrosion-resistant film. Forming a plurality of lead frame elements including a die pad for mounting a semiconductor element on each of the metal substrates and a plurality of lead portions provided around the die pad; And a step of removing the resist layer for etching, and in the step of forming the plurality of lead frame elements, a connecting bar for connecting the corresponding pair of lead portions is formed between the adjacent lead frame elements. The connecting bar along the longitudinal direction of the connecting bar. A thinned thin portion is formed from one side of the connecting bar, and a plurality of protrusions extending along the longitudinal direction of the connecting bar are formed on the thin portion. It is.

本発明によれば、エッチング後のリードフレームの変形を防止することができる。また、ソーイング加工時におけるバリの発生を抑えつつ、コネクティングバーの変形を防止することができる。   According to the present invention, deformation of the lead frame after etching can be prevented. In addition, deformation of the connecting bar can be prevented while suppressing generation of burrs during sawing.

図１は、本発明の一実施の形態によるリードフレームを示す平面（表面）図。FIG. 1 is a plan (surface) view showing a lead frame according to an embodiment of the present invention. 図２は、本発明の一実施の形態によるリードフレームを示す底面（裏面）図。FIG. 2 is a bottom (rear) view showing a lead frame according to an embodiment of the present invention. 図３は、本発明の一実施の形態によるリードフレームを示す部分拡大底面図であって、図２のIII部拡大図。FIG. 3 is a partially enlarged bottom view showing the lead frame according to the embodiment of the present invention, and is an enlarged view of a portion III in FIG. 図４は、本発明の一実施の形態によるコネクティングングバーのリード連結部における垂直断面図であって、図１のIV−IV線断面図。FIG. 4 is a vertical cross-sectional view of the connecting portion of the connecting bar according to the embodiment of the present invention, taken along the line IV-IV in FIG. 図５は、本発明の一実施の形態によるコネクティングングバーのリード非連結部における垂直断面図であって、図１のＶ−Ｖ線断面図。FIG. 5 is a vertical cross-sectional view of the connecting portion of the connecting bar according to the embodiment of the present invention, taken along line VV in FIG. 1. 図６は、本発明の一実施の形態によるリードフレームを用いて作製された半導体装置を示す断面図。FIG. 6 is a cross-sectional view showing a semiconductor device manufactured using the lead frame according to one embodiment of the present invention. 図７（ａ）−（ｆ）は、本発明の一実施の形態によるリードフレームの製造方法を示す断面図であって、図１のVII−VII線断面に対応する図。FIGS. 7A to 7F are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing a lead frame according to an embodiment of the present invention, corresponding to a cross-section taken along line VII-VII in FIG. 図８（ａ）−（ｅ）は、半導体装置の製造方法を示す断面図。8A to 8E are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing a semiconductor device. 図９は、リードフレームの変形例（変形例１）を示す部分拡大平面図。FIG. 9 is a partially enlarged plan view showing a modified example (modified example 1) of the lead frame. 図１０は、リードフレームの変形例（変形例２）を示す断面図。FIG. 10 is a cross-sectional view showing a modified example (modified example 2) of the lead frame. 図１１は、リードフレームの変形例（変形例３）を示す断面図。FIG. 11 is a cross-sectional view showing a modified example (modified example 3) of the lead frame. 図１２は、リードフレームの変形例（変形例４）を示す断面図。FIG. 12 is a cross-sectional view showing a modification (Modification 4) of the lead frame. 図１３は、リードフレームの変形例（変形例５）を示す部分拡大平面図。FIG. 13 is a partially enlarged plan view showing a modified example (modified example 5) of the lead frame. 図１４（ａ）（ｂ）は、リードフレームの変形例（変形例５）を示す断面図であって、それぞれ図１３のXIVA−XIVA線断面図、XIVB−XIVB線断面図。14A and 14B are cross-sectional views showing a modified example (modified example 5) of the lead frame, respectively, taken along the lines XIVA-XIVA and XIVB-XIVB in FIG.

以下、本発明の一実施の形態について、図１乃至図８を参照して説明する。以下の各図において、同一部分には同一の符号を付しており、一部詳細な説明を省略する場合がある。また本明細書中、「表面」とは、半導体素子２１が搭載される側の面（すなわち図４の上方を向く面）のことをいい、「裏面」とは、半導体素子２１が搭載される側の面と反対側の面（すなわち図４の下方を向く面）のことをいう。   Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. In the following drawings, the same portions are denoted by the same reference numerals, and some detailed description may be omitted. In this specification, the “front surface” means a surface on which the semiconductor element 21 is mounted (that is, the surface facing upward in FIG. 4), and the “back surface” refers to the surface on which the semiconductor element 21 is mounted. This means the surface opposite to the side surface (that is, the surface facing downward in FIG. 4).

リードフレームの構成
まず、図１乃至図５により、本実施の形態によるリードフレームの概略について説明する。図１乃至図５は、本実施の形態によるリードフレームを示す図である。 Construction of the lead frame initially, to FIG. 1 to FIG. 5, the outline of the lead frame according to the present embodiment. 1 to 5 are views showing a lead frame according to the present embodiment.

図１乃至図５に示すリードフレーム１０は、半導体装置２０（後述）を作製するために用いられるものであり、縦横にマトリックス状に配置された複数のリードフレーム要素１４を備えている。   A lead frame 10 shown in FIGS. 1 to 5 is used for manufacturing a semiconductor device 20 (described later), and includes a plurality of lead frame elements 14 arranged in a matrix in the vertical and horizontal directions.

各リードフレーム要素１４は、それぞれ個々の半導体装置２０に対応する領域である。このリードフレーム要素１４は、半導体素子２１（後述）を載置するダイパッド１５と、ダイパッド１５の周囲に設けられた複数のリード部１６とを含んでいる。なお、図１および図２において、二点鎖線で囲まれた領域がそれぞれリードフレーム要素１４に対応する。   Each lead frame element 14 is an area corresponding to each semiconductor device 20. The lead frame element 14 includes a die pad 15 on which a semiconductor element 21 (described later) is placed, and a plurality of lead portions 16 provided around the die pad 15. In FIGS. 1 and 2, each area surrounded by a two-dot chain line corresponds to the lead frame element 14.

各ダイパッド１５は、後述する半導体素子２１を載置するためのものであり、平面正方形形状を有している。また、各リード部１６は、後述するようにボンディングワイヤ２２（後述）を介して半導体素子２１に接続されるものであり、ダイパッド１５との間に空間を介して配置されている。図１および図３に示すように、各リード部１６は、矩形形状を有するとともにボンディングワイヤ２２に接続される先端部１６ａと、先端部１６ａより幅の狭い基端部１６ｂとを有している。   Each die pad 15 is for mounting a semiconductor element 21 described later, and has a planar square shape. Each lead portion 16 is connected to the semiconductor element 21 via a bonding wire 22 (described later) as will be described later, and is disposed between the die pad 15 via a space. As shown in FIGS. 1 and 3, each lead portion 16 has a rectangular shape and has a distal end portion 16a connected to the bonding wire 22 and a proximal end portion 16b narrower than the distal end portion 16a. .

ボンディングワイヤ２２に接続される先端部１６ａには、ボンディングワイヤ２２との密着性を向上させるめっき部２５が設けられている。この場合、めっき部２５を構成するめっき種は、ボンディングワイヤ２２との密着性を確保できればその種類は問わないが、例えばＡｇやＡｕなどの単層めっきでもよいし、Ｎｉ／ＰｄやＮｉ／Ｐｄ／Ａｕがこの順に積層される複層めっきでもよい。   A plating portion 25 that improves the adhesion with the bonding wire 22 is provided at the tip end portion 16 a connected to the bonding wire 22. In this case, the type of plating constituting the plating part 25 is not limited as long as the adhesion to the bonding wire 22 can be secured, but for example, single-layer plating such as Ag or Au may be used, or Ni / Pd or Ni / Pd Multi-layer plating in which / Au is laminated in this order may also be used.

本実施の形態において、ダイパッド１５およびリード部１６にはハーフエッチング加工が施されておらず、加工前の金属基板と同等の厚みを有している。すなわちダイパッド１５の表面とリード部１６の表面とは互いに同一平面上に位置し、ダイパッド１５の裏面とリード部１６の裏面とは互いに同一平面上に位置している。ダイパッド１５およびリード部１６の厚みは、半導体装置２０の構成にもよるが、０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍ（０．０５ｍｍ以上０．５ｍｍ以下をいう。以下同様）とすることができる。しかしながら、これに限らず、ダイパッド１５および／またはリード部１６の一部が、ハーフエッチングにより薄肉化されていても良い。なお、本明細書中、ハーフエッチングとは、被エッチング材料をその厚み方向に途中までエッチングすることをいう。   In the present embodiment, the die pad 15 and the lead portion 16 are not subjected to half etching processing and have a thickness equivalent to that of the metal substrate before processing. That is, the surface of the die pad 15 and the surface of the lead portion 16 are located on the same plane, and the back surface of the die pad 15 and the back surface of the lead portion 16 are located on the same plane. Although the thickness of the die pad 15 and the lead part 16 is based also on the structure of the semiconductor device 20, it can be 0.05 mm-0.5 mm (it is 0.05 mm or more and 0.5 mm or less, and so on). However, the present invention is not limited thereto, and part of the die pad 15 and / or the lead portion 16 may be thinned by half etching. In this specification, half-etching refers to etching the material to be etched halfway in the thickness direction.

リードフレーム要素１４の周囲には、複数のコネクティングバー１７が格子状に配置されている。各コネクティングバー１７の幅は、その表面側の幅と裏面側の幅のうち広い方で測定し、例えば０．１０ｍｍ〜０．３０ｍｍとすることができる。なお、コネクティングバー１７の幅は、計測するための照明を奥側からコネクティングバー１７に当て、その幅を手前側から計測する、透過計測法を用いて測定することができる。   Around the lead frame element 14, a plurality of connecting bars 17 are arranged in a lattice pattern. The width of each connecting bar 17 is measured on the wider side of the width on the front surface side and the width on the back surface side, and can be set to 0.10 mm to 0.30 mm, for example. The width of the connecting bar 17 can be measured by using a transmission measurement method in which illumination for measurement is applied to the connecting bar 17 from the back side and the width is measured from the front side.

コネクティングバー１７は、ダイパッド１５とリード部１６とを支持するものであり、それぞれＸ方向、又はＸ方向に垂直なＹ方向に沿って延びている。各コネクティングバーは、それぞれ交差部４２において、当該コネクティングバー１７に直交する方向に延びる他のコネクティングバー１７に連結されている。すなわち交差部４２において、Ｘ方向に延びるコネクティングバー１７と、Ｙ方向に延びるコネクティングバー１７とが交わっている。   The connecting bar 17 supports the die pad 15 and the lead part 16 and extends along the X direction or the Y direction perpendicular to the X direction. Each connecting bar is connected to another connecting bar 17 that extends in a direction orthogonal to the connecting bar 17 at each intersection 42. That is, at the intersection 42, the connecting bar 17 extending in the X direction and the connecting bar 17 extending in the Y direction intersect.

また、各リードフレーム要素１４において、ダイパッド１５は、ダイパッド１５の角部から延びる４本の吊りリード４３と、各吊りリード４３に連結された連結部材４４とを介して、コネクティングバー１７に連結されている。   In each lead frame element 14, the die pad 15 is connected to the connecting bar 17 through four suspension leads 43 extending from the corners of the die pad 15 and a connection member 44 connected to each suspension lead 43. ing.

さらに、隣接するリードフレーム要素１４間において、対応する一対のリード部１６がコネクティングバー１７を介して連結されている。各コネクティングバー１７は、隣接するリードフレーム要素１４間において、当該コネクティングバー１７に連結されたリード部１６の長手方向に対して直交して延びている。   Further, between the adjacent lead frame elements 14, a corresponding pair of lead portions 16 are connected via a connecting bar 17. Each connecting bar 17 extends perpendicularly to the longitudinal direction of the lead portion 16 connected to the connecting bar 17 between the adjacent lead frame elements 14.

本実施の形態において、図１および図３に示すように、各コネクティングバー１７は、複数のリード連結部１８と、リード連結部１８間に位置する複数のリード非連結部１９とを有している。   In this embodiment, as shown in FIG. 1 and FIG. 3, each connecting bar 17 has a plurality of lead connecting portions 18 and a plurality of lead non-connecting portions 19 located between the lead connecting portions 18. Yes.

このうち各リード連結部１８は、隣接するリードフレーム要素１４同士の間であって、対応する一対のリード部１６の間に位置している。例えば図３において、リード連結部１８は、上下に配置された一対のリード部１６間に配置されている。   Of these, each lead connecting portion 18 is located between the adjacent lead frame elements 14 and between the corresponding pair of lead portions 16. For example, in FIG. 3, the lead connecting portion 18 is arranged between a pair of lead portions 16 arranged vertically.

また、各リード非連結部１９は、隣接するリード連結部１８同士の間に位置している。
図１および図３に示すように、これらリード連結部１８およびリード非連結部１９は、コネクティングバー１７の長手方向に沿って、交互に配置されている。 Each lead non-connecting portion 19 is located between adjacent lead connecting portions 18.
As shown in FIGS. 1 and 3, the lead connecting portions 18 and the lead non-connecting portions 19 are alternately arranged along the longitudinal direction of the connecting bar 17.

ところで、本実施の形態において、各コネクティングバー１７は、コネクティングバー１７の表面（一方の面）１７ａ側からコネクティングバー１７の長手方向に沿って薄肉化された薄肉部５１を有している。本実施の形態において、薄肉部５１は、コネクティングバー１７の幅方向および長手方向全域にわたって形成されているが、これに限らず、コネクティングバー１７の幅方向の一部および／または長手方向の一部のみに形成されていても良い。一方、コネクティングバー１７の裏面１７ｂは、ハーフエッチングにより薄肉化されることなく、平坦面となっている。   By the way, in this Embodiment, each connecting bar 17 has the thin part 51 thinned along the longitudinal direction of the connecting bar 17 from the surface (one surface) 17a side of the connecting bar 17. As shown in FIG. In the present embodiment, the thin-walled portion 51 is formed over the entire width direction and the longitudinal direction of the connecting bar 17, but is not limited to this, and a part of the connecting bar 17 in the width direction and / or a part of the longitudinal direction. It may be formed only. On the other hand, the back surface 17b of the connecting bar 17 is a flat surface without being thinned by half etching.

薄肉部５１の表面には、複数の突起部５２が形成されている。各突起部５２は、それぞれコネクティングバー１７の長手方向に沿って稜線状に延びている。突起部５２は、それぞれ薄肉部５１からコネクティングバー１７の表面１７ａ側に向けて突出している。本実施の形態では、各コネクティングバー１７にそれぞれ２本ずつ突起部５２が形成されている。   A plurality of protrusions 52 are formed on the surface of the thin portion 51. Each protrusion 52 extends in the shape of a ridge along the longitudinal direction of the connecting bar 17. Each of the protrusions 52 protrudes from the thin portion 51 toward the surface 17a side of the connecting bar 17. In the present embodiment, two protrusions 52 are formed on each connecting bar 17.

図４および図５に示すように、一対の突起部５２は、各コネクティングバー１７の幅方向中央部Ｃに対して略対称に配置されている。各突起部５２は、それぞれ断面が幅を持たない鋭角的な頂部５２ａを有している。この頂部５２ａは、コネクティングバー１７の表面１７ａよりも裏面１７ｂ側に引っ込んでいる。すなわち頂部５２ａは、コネクティングバー１７の表面１７ａと同一平面上には位置していない。   As shown in FIGS. 4 and 5, the pair of protrusions 52 are arranged substantially symmetrically with respect to the center portion C in the width direction of each connecting bar 17. Each protrusion 52 has an acute apex 52a whose cross section has no width. The top portion 52 a is retracted to the back surface 17 b side from the front surface 17 a of the connecting bar 17. That is, the top 52 a is not located on the same plane as the surface 17 a of the connecting bar 17.

この場合、頂部５２ａは、リードフレーム１０の厚み（リードフレーム１０のうち薄肉化されていない部分（フルメタル部）の厚み）ｔの２．５％〜５０％だけコネクティングバー１７の表面１７ａから引っ込んでいることが好ましい。すなわち図４において、頂部５２ａが引っ込んでいる距離をｄとしたとき、０．０２５ｔ＜ｄ＜０．５０ｔとなっていることが好ましい。このように、頂部５２ａがコネクティングバー１７の表面１７ａよりも裏面１７ｂ側に引っ込んでいることにより、ソーイング加工時（図８（ｅ））にブレード３８に加わる負荷を低減し、切断性を向上させるとともに、ブレード３８の摩耗を抑えることができる。なお、頂部５２ａがリードフレーム１０の厚みｔの２．５％以上引っ込んでいる場合、頂部５２ａの高さがリードフレーム１０の表面の高さ位置と明確に異なるので、本願発明の効果が得られやすい。また、頂部５２ａがリードフレーム１０の厚みｔの５０％以下引っ込んでいる場合、コネクティングバー１７の厚みがリードフレーム１０の厚みの半分以上となるので、エッチング加工時の強度が維持され、リードフレーム１０の作成が困難になるおそれがない。   In this case, the top 52a is retracted from the surface 17a of the connecting bar 17 by 2.5% to 50% of the thickness t of the lead frame 10 (thickness of the portion of the lead frame 10 that is not thinned (full metal portion)) t. Preferably it is. That is, in FIG. 4, it is preferable that 0.025t <d <0.50t, where d is the distance that the top 52a is retracted. As described above, the top portion 52a is retracted to the back surface 17b side from the front surface 17a of the connecting bar 17, thereby reducing the load applied to the blade 38 during the sawing process (FIG. 8E) and improving the cutting performance. In addition, wear of the blade 38 can be suppressed. When the top portion 52a is retracted by 2.5% or more of the thickness t of the lead frame 10, the height of the top portion 52a is clearly different from the height position of the surface of the lead frame 10, so that the effect of the present invention can be obtained. Cheap. Further, when the top portion 52a is retracted by 50% or less of the thickness t of the lead frame 10, the thickness of the connecting bar 17 is more than half of the thickness of the lead frame 10, so that the strength during the etching process is maintained, and the lead frame 10 There is no risk of making it difficult.

なお、リードフレーム１０の厚みｔ（図４および図５）は、例えば０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍとすることができる。   In addition, the thickness t (FIGS. 4 and 5) of the lead frame 10 can be set to, for example, 0.05 mm to 0.5 mm.

図４に示すように、リード連結部１８において、各コネクティングバー１７は、一対の突起部５２と、一対の突起部５２間に形成された中央溝５３と、各突起部５２とリード部１６との間に形成された側方溝５４とを有している。このうち中央溝５３および側方溝５４は、それぞれコネクティングバー１７の裏面１７ｂ方向に向けて湾曲するように凹んでいる。各突起部５２の高さｈは、中央溝５３の底面を基準とした場合に、５μｍ〜１５μｍとすることが好ましい。   As shown in FIG. 4, in the lead connecting portion 18, each connecting bar 17 includes a pair of projecting portions 52, a central groove 53 formed between the pair of projecting portions 52, each projecting portion 52, and the lead portion 16. And side grooves 54 formed between the two. Of these, the central groove 53 and the side grooves 54 are each recessed so as to bend toward the back surface 17b of the connecting bar 17. The height h of each protrusion 52 is preferably 5 μm to 15 μm when the bottom surface of the central groove 53 is used as a reference.

また、コネクティングバー１７の幅方向中央部Ｃには中央溝５３が設けられており、突起部５２は、幅方向中央部Ｃには設けられていない。このため、ソーイング加工時（図８（ｅ））に、ブレード３８が最初に中央溝５３に当接する。これにより、ブレード３８が最初に突起部５２に当接する場合と比較して、ブレード３８の摩耗を抑えることができる。   Further, a central groove 53 is provided in the center portion C in the width direction of the connecting bar 17, and the protrusion 52 is not provided in the center portion C in the width direction. For this reason, the blade 38 first contacts the central groove 53 during the sawing process (FIG. 8E). Thereby, compared with the case where the braid | blade 38 contact | abuts to the projection part 52 initially, abrasion of the braid | blade 38 can be suppressed.

図５に示すように、リード非連結部１９において、各コネクティングバー１７は、一対の突起部５２と、一対の突起部５２間に形成された中央溝５３と、各突起部５２の側方に形成された側方面５５とを有している。このうち中央溝５３は、コネクティングバー１７の裏面１７ｂ方向に湾曲するように凹んでいる。一方、各側方面５５は、各突起部５２からコネクティングバー１７の裏面１７ｂ側に向けてなだらかに傾斜している。このように、とりわけリード非連結部１９において、実質板厚の厚い部分が頂部５２ａの裾野の領域に形成されることにより、コネクティングバー１７の強度を向上させることができる。   As shown in FIG. 5, in the lead non-connecting portion 19, each connecting bar 17 includes a pair of projecting portions 52, a central groove 53 formed between the pair of projecting portions 52, and a side of each projecting portion 52. And a side surface 55 formed. Of these, the central groove 53 is recessed so as to curve in the direction of the back surface 17 b of the connecting bar 17. On the other hand, each side surface 55 is gently inclined from each protrusion 52 toward the back surface 17b side of the connecting bar 17. As described above, in particular, in the lead non-connecting portion 19, the strength of the connecting bar 17 can be improved by forming the substantially thick portion in the bottom region of the top portion 52 a.

再度図１を参照すると、コネクティングバー１７の突起部５２のうち少なくとも１つは、交差部４２において他のコネクティングバー１７の突起部５２に連結されている。例えば、Ｙ方向に延びるコネクティングバー１７の一対の突起部５２のうち一方の突起部５２は、交差部４２からＸ方向プラス側に延びる他のコネクティングバー１７の突起部５２に連結されている。また、当該一対の突起部５２のうち他方の突起部５２は、交差部４２からＸ方向マイナス側に延びる他のコネクティングバー１７の突起部５２に連結されている。これにより、交差部４２で直交するコネクティングバー１７同士の強度を高め、コネクティングバー１７同士が互いに対して変形する不具合を防止することができる。   Referring again to FIG. 1, at least one of the protrusions 52 of the connecting bar 17 is connected to the protrusions 52 of the other connecting bars 17 at the intersection 42. For example, one protrusion 52 of the pair of protrusions 52 of the connecting bar 17 extending in the Y direction is connected to the protrusion 52 of the other connecting bar 17 extending from the intersection 42 to the X direction plus side. The other protrusion 52 of the pair of protrusions 52 is connected to the protrusion 52 of the other connecting bar 17 extending from the intersecting portion 42 to the X direction minus side. Thereby, the intensity | strength of the connecting bars 17 orthogonal at the cross | intersection part 42 can be raised, and the malfunction that the connecting bars 17 deform | transform with respect to each other can be prevented.

このようなリードフレーム１０は、後述するように金属基板３１をエッチング加工することにより形成されたものである。リードフレーム１０（金属基板３１）の材料としては、例えば銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４２％のＦｅ合金）等を挙げることができる。とりわけ、リードフレーム１０のうちコネクティングバー１７等の細い部分の変形を防止するため、リードフレーム１０（金属基板３１）の材料として、例えば引張強度が７５０ＭＰａ〜１１００ＭＰａの高強度材を用いることが好ましい。   Such a lead frame 10 is formed by etching a metal substrate 31 as will be described later. Examples of the material of the lead frame 10 (metal substrate 31) include copper, copper alloy, 42 alloy (Ni 42% Fe alloy), and the like. In particular, in order to prevent deformation of thin portions such as the connecting bar 17 in the lead frame 10, it is preferable to use a high strength material having a tensile strength of 750 MPa to 1100 MPa, for example, as the material of the lead frame 10 (metal substrate 31).

半導体装置の構成
次に、図６により、本実施の形態によるリードフレームを用いて作製された半導体装置について説明する。図６は、半導体装置を示す断面図である。 Structure of a semiconductor device Next, Fig. 6, for manufacturing semiconductor device will be described with reference to a lead frame according to the present embodiment. FIG. 6 is a cross-sectional view showing the semiconductor device.

図６に示す半導体装置２０は、ダイパッド１５およびリード部１６と、ダイパッド１５上に載置された半導体素子２１と、リード部１６と半導体素子２１の電極２１ａとを電気的に接続するボンディングワイヤ（導電部）２２とを備えている。   A semiconductor device 20 shown in FIG. 6 includes a die pad 15 and a lead portion 16, a semiconductor element 21 placed on the die pad 15, and a bonding wire (electrical connection between the lead portion 16 and the electrode 21a of the semiconductor element 21). Conductive portion) 22.

また、ダイパッド１５、リード部１６、半導体素子２１、およびボンディングワイヤ２２は、封止樹脂部２４によって封止されている。   The die pad 15, the lead part 16, the semiconductor element 21, and the bonding wire 22 are sealed with a sealing resin part 24.

ダイパッド１５およびリード部１６は、上述したリードフレーム１０（図１乃至図５）のリードフレーム要素１４内に含まれるものと同様であり、その構成については既に説明したので、ここでは詳細な説明は省略する。   The die pad 15 and the lead portion 16 are the same as those included in the lead frame element 14 of the lead frame 10 (FIGS. 1 to 5) described above, and the configuration thereof has already been described. Omitted.

半導体素子２１としては、従来一般に用いられている各種半導体素子を使用することが可能であり、特に限定されないが、例えば集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード等を用いることができる。   As the semiconductor element 21, various semiconductor elements generally used in the past can be used, and are not particularly limited. For example, an integrated circuit, a large-scale integrated circuit, a transistor, a thyristor, a diode, or the like can be used.

また、半導体素子２１は、例えばダイボンディングペースト等の固着材２６により、ダイパッド１５上に固定されている。なお、固着材２６がダイボンディングペーストからなる場合、例えばエポキシ樹脂やシリコーン樹脂からなるものを選択することが可能である。   Further, the semiconductor element 21 is fixed on the die pad 15 by a fixing material 26 such as a die bonding paste. When the fixing material 26 is made of a die bonding paste, it is possible to select, for example, an epoxy resin or a silicone resin.

各ボンディングワイヤ２２は、例えば金、銅等の導電性の良い材料からなっている。各ボンディングワイヤ２２は、それぞれその一端が半導体素子２１の電極２１ａに接続されるとともに、その他端が各リード部１６にそれぞれ接続されている。なお、リード部１６には、ボンディングワイヤ２２と密着性を向上させるめっき部２５が設けられている。   Each bonding wire 22 is made of a material having good conductivity such as gold or copper. Each bonding wire 22 has one end connected to the electrode 21 a of the semiconductor element 21 and the other end connected to each lead portion 16. The lead portion 16 is provided with a plating portion 25 that improves the adhesion with the bonding wire 22.

また、封止樹脂部２４としては、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂、あるいはＰＰＳ樹脂等の熱可塑性樹脂を用いることができる。封止樹脂部２４全体の厚みは、３００μｍ〜２７００μｍ程度とすることができる。また、封止樹脂部２４の一辺（半導体装置２０の一辺）は、例えば８ｍｍ〜１６ｍｍすることができる。   Further, as the sealing resin portion 24, a thermosetting resin such as a silicone resin or an epoxy resin, or a thermoplastic resin such as a PPS resin can be used. The total thickness of the sealing resin portion 24 can be about 300 μm to 2700 μm. Moreover, one side (one side of the semiconductor device 20) of the sealing resin part 24 can be 8 mm to 16 mm, for example.

リードフレームの製造方法
次に、図１乃至図５に示すリードフレーム１０の製造方法について、図７（ａ）−（ｆ）を用いて説明する。図７（ａ）−（ｆ）は、本実施の形態によるリードフレームの製造方法を示す断面図であって、図１のVII−VII線断面図に対応する図である。 Manufacturing Method of Lead Frame Next, a manufacturing method of the lead frame 10 shown in FIGS. 1 to 5 will be described with reference to FIGS. 7A to 7F are cross-sectional views illustrating the lead frame manufacturing method according to the present embodiment and correspond to the cross-sectional view taken along the line VII-VII in FIG.

まず図７（ａ）に示すように、平板状の金属基板３１を準備する。この金属基板３１としては、上述のように銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４２％のＦｅ合金）等からなる基板を使用することができる。なお金属基板３１は、その両面に対して脱脂等を行い、洗浄処理を施したものを使用することが好ましい。   First, as shown in FIG. 7A, a flat metal substrate 31 is prepared. As the metal substrate 31, a substrate made of copper, copper alloy, 42 alloy (Ni 42% Fe alloy) or the like can be used as described above. In addition, it is preferable to use what the metal substrate 31 performed the degreasing | defatting etc. to the both surfaces, and performed the washing process.

次に、金属基板３１の表裏全体にそれぞれ感光性レジスト３２ａ、３３ａを塗布し、これを乾燥する（図７（ｂ））。なお感光性レジスト３２ａ、３３ａとしては、従来公知のものを使用することができる。   Next, photosensitive resists 32a and 33a are applied to the entire front and back surfaces of the metal substrate 31, respectively, and dried (FIG. 7B). As the photosensitive resists 32a and 33a, conventionally known resists can be used.

続いて、この金属基板３１に対してフォトマスクを介して露光し、現像することにより、所望の開口部３２ｂ、３３ｂを有するエッチング用レジスト層３２、３３を形成する（図７（ｃ））。   Subsequently, the metal substrate 31 is exposed through a photomask and developed to form etching resist layers 32 and 33 having desired openings 32b and 33b (FIG. 7C).

具体的には、金属基板３１の表面側において、貫通エッチングを行う部分に対応する部分、およびハーフエッチング加工を行う部分に開口部３２ｂが形成される。他方、金属基板３１の裏面側において、貫通エッチングを行う部分に開口部３３ｂが形成される。また、コネクティングバー１７の突起部５２に対応する位置に、コネクティングバー１７の長手方向に沿って部分レジスト３２ｃを設けておく。   Specifically, on the surface side of the metal substrate 31, an opening 32b is formed in a portion corresponding to a portion where through etching is performed and a portion where half etching is performed. On the other hand, on the back side of the metal substrate 31, an opening 33b is formed in a portion where through etching is performed. In addition, a partial resist 32 c is provided along the longitudinal direction of the connecting bar 17 at a position corresponding to the protrusion 52 of the connecting bar 17.

次に、エッチング用レジスト層３２、３３を耐腐蝕膜として金属基板３１に腐蝕液でエッチングを施す（図７（ｄ））。腐蝕液は、使用する金属基板３１の材質に応じて適宜選択することができる。例えば、金属基板３１として銅を用いる場合、通常、塩化第二鉄水溶液を使用し、これは金属基板３１の両面からスプレーエッチングにて行うことができる。   Next, the etching resist layers 32 and 33 are used as an anticorrosion film, and the metal substrate 31 is etched with an etching solution (FIG. 7D). Corrosion liquid can be suitably selected according to the material of the metal substrate 31 to be used. For example, when copper is used as the metal substrate 31, an aqueous ferric chloride solution is usually used, and this can be performed by spray etching from both surfaces of the metal substrate 31.

これにより金属基板３１に、それぞれ半導体素子２１を載置するダイパッド１５と、ダイパッド１５の周囲に設けられた複数のリード部１６とを含む、複数のリードフレーム要素１４が形成される。   Thereby, a plurality of lead frame elements 14 including the die pad 15 on which the semiconductor element 21 is placed and the plurality of lead portions 16 provided around the die pad 15 are formed on the metal substrate 31.

またこのとき、隣接するリードフレーム要素１４同士の間に、複数のリード連結部１８と複数のリード非連結部１９とを有するコネクティングバー１７が形成される。この際、コネクティングバー１７に、コネクティングバー１７の長手方向に沿って薄肉部５１が形成される。   At this time, a connecting bar 17 having a plurality of lead connecting portions 18 and a plurality of lead non-connecting portions 19 is formed between adjacent lead frame elements 14. At this time, a thin portion 51 is formed on the connecting bar 17 along the longitudinal direction of the connecting bar 17.

さらに、上述したように、コネクティングバー１７の表面１７ａ側には、予め部分レジスト３２ｃが設けられている。これにより、金属基板３１に対して腐蝕液でエッチングを行った際、部分レジスト３２ｃの両側から腐蝕液が回り込んで、薄肉部５１に突起部５２が形成される（図７（ｄ））。なお、部分レジスト３２ｃは、金属基板３１が浸食されるのに伴って、エッチングの途中で除去される。このようにして、薄肉部５１の表面に、コネクティングバー１７の長手方向に沿って延びる複数の突起部５２が形成される。   Further, as described above, the partial resist 32 c is provided in advance on the surface 17 a side of the connecting bar 17. As a result, when etching is performed on the metal substrate 31 with the corrosive liquid, the corrosive liquid flows from both sides of the partial resist 32c to form the protrusions 52 in the thin portion 51 (FIG. 7D). The partial resist 32c is removed during the etching as the metal substrate 31 is eroded. In this way, a plurality of protrusions 52 extending along the longitudinal direction of the connecting bar 17 are formed on the surface of the thin portion 51.

次いで、エッチング用レジスト層３２、３３を剥離して除去する（図７（ｅ））。なお、本実施の形態においては、金属基板３１の両面側からスプレーエッチングを行う場合を例にとって説明したが、これに限られるものではない。例えば、金属基板３１の片面ずつ２段階のスプレーエッチングを行っても良い。   Next, the etching resist layers 32 and 33 are peeled off and removed (FIG. 7E). In the present embodiment, the case where spray etching is performed from both sides of the metal substrate 31 has been described as an example. However, the present invention is not limited to this. For example, two stages of spray etching may be performed for each side of the metal substrate 31.

次に、ボンディングワイヤ２２とリード部１６との密着性を向上させるため、リード部１６にメッキ処理を施し、めっき部２５を形成する（図７（ｆ））。この場合、選択されるメッキ種は、ボンディングワイヤ２２との密着性を確保できればその種類は問わないが、たとえばＡｇやＡｕなどの単層めっきでもよいし、Ｎｉ／ＰｄやＮｉ／Ｐｄ／Ａｕがこの順に積層される複層めっきでもよい。また、めっき部２５は、リード部１６のうちボンディングワイヤ２２との接続部のみに施してもよいし、リードフレーム１０の全面に施してもよい。   Next, in order to improve the adhesion between the bonding wire 22 and the lead portion 16, the lead portion 16 is plated to form a plated portion 25 (FIG. 7 (f)). In this case, the type of plating selected is not limited as long as the adhesion to the bonding wire 22 can be ensured. For example, single-layer plating such as Ag or Au may be used, or Ni / Pd or Ni / Pd / Au may be used. Multi-layer plating laminated in this order may be used. Further, the plating part 25 may be provided only on the connection part of the lead part 16 with the bonding wire 22 or on the entire surface of the lead frame 10.

このようにして、図１乃至図５に示すリードフレーム１０が得られる。   In this way, the lead frame 10 shown in FIGS. 1 to 5 is obtained.

半導体装置の製造方法
次に、図６に示す半導体装置２０の製造方法について、図８（ａ）−（ｆ）により説明する。図８（ａ）−（ｆ）は、本実施の形態による半導体装置の製造方法を示す断面図である。 Manufacturing Method of Semiconductor Device Next, a manufacturing method of the semiconductor device 20 shown in FIG. 6 will be described with reference to FIGS. 8A to 8F are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment.

まず、例えば上述した工程により（図７（ａ）−（ｆ））、ダイパッド１５と、ダイパッド１５の周囲に設けられた複数のリード部１６とを備えたリードフレーム１０を作製する（図８（ａ））。   First, for example, the lead frame 10 including the die pad 15 and the plurality of lead portions 16 provided around the die pad 15 is manufactured by the above-described steps (FIGS. 7A to 7F) (FIG. 8A). a)).

次に、リードフレーム１０のダイパッド１５上に、半導体素子２１を搭載する。この場合、例えばダイボンディングペースト又は半田等の固着材２６を用いて、半導体素子２１をダイパッド１５上に載置して固定する（ダイアタッチ工程）（図８（ｂ））。   Next, the semiconductor element 21 is mounted on the die pad 15 of the lead frame 10. In this case, the semiconductor element 21 is placed and fixed on the die pad 15 using a bonding material 26 such as die bonding paste or solder (die attachment step) (FIG. 8B).

次いで、半導体素子２１の電極２１ａと、リードフレーム１０の各リード部１６とを、それぞれボンディングワイヤ２２によって互いに電気的に接続する（ワイヤボンディング工程）（図８（ｃ））。   Next, the electrodes 21a of the semiconductor element 21 and the lead portions 16 of the lead frame 10 are electrically connected to each other by bonding wires 22 (wire bonding step) (FIG. 8C).

その後、リードフレーム１０に対して熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂を射出成形またはトランスファ成形することにより、封止樹脂部２４を形成する（図８（ｄ））。このようにして、封止樹脂部２４を用いてダイパッド１５、リード部１６、半導体素子２１、およびボンディングワイヤ２２を封止する。   Thereafter, a sealing resin portion 24 is formed by injection molding or transfer molding of a thermosetting resin or a thermoplastic resin to the lead frame 10 (FIG. 8D). In this way, the die pad 15, the lead part 16, the semiconductor element 21, and the bonding wire 22 are sealed using the sealing resin part 24.

次に、各リードフレーム要素１４間のコネクティングバー１７をソーイングすることにより、リードフレーム１０を各リードフレーム要素１４毎に分離する（図８（ｅ））。   Next, the lead frame 10 is separated for each lead frame element 14 by sawing the connecting bar 17 between the lead frame elements 14 (FIG. 8E).

このとき、まずリードフレーム１０をテープ３７上に載置して固定する。その後、例えばダイヤモンド砥石等からなるブレード３８をコネクティングバー１７の長手方向に沿って移動することにより、各リードフレーム要素１４間のコネクティングバー１７および封止樹脂部２４が切断される。本実施の形態において、コネクティングバー１７の幅方向中央部Ｃには中央溝５３が設けられており、突起部５２は、幅方向中央部Ｃには設けられていない。このため、コネクティングバー１７を切断する際、ブレード３８は、最初に突起部５２間に位置する中央溝５３に当接する。これにより、ブレード３８が最初に突起部５２に当接する場合と比較して、ブレード３８による力が一箇所に集中することなく、ブレード３８の摩耗を軽減することができる。   At this time, the lead frame 10 is first placed and fixed on the tape 37. Thereafter, the connecting bar 17 and the sealing resin portion 24 between the lead frame elements 14 are cut by moving a blade 38 made of, for example, a diamond grindstone along the longitudinal direction of the connecting bar 17. In the present embodiment, a central groove 53 is provided in the center portion C in the width direction of the connecting bar 17, and the protrusion 52 is not provided in the center portion C in the width direction. For this reason, when cutting the connecting bar 17, the blade 38 first comes into contact with the central groove 53 positioned between the protrusions 52. Thereby, compared with the case where the braid | blade 38 contact | abuts to the projection part 52 initially, the abrasion of the braid | blade 38 can be reduced, without the force by the braid | blade 38 concentrating on one place.

このようにして、図２に示す半導体装置２０を得ることができる（図８（ｆ））。   In this way, the semiconductor device 20 shown in FIG. 2 can be obtained (FIG. 8F).

本実施の形態の作用効果
本実施の形態によれば、コネクティングバー１７の薄肉部５１に、コネクティングバー１７の長手方向に沿って延びる複数の突起部５２が形成されている。すなわち、コネクティングバー１７の一部の板厚を、加工前の金属基板３１に近い厚みまで残すことにより、コネクティングバー１７の強度を維持している。これにより、例えばエッチング工程（図７（ｄ））の後、あるいはめっき処理工程（図７（ｆ））の後に、コネクティングバー１７が変形してしまう不具合を防止することができる。とりわけ、本実施の形態において、各コネクティングバー１７にそれぞれ２本ずつ突起部５２が形成されていることにより、突起部５２をブレード３８が当接する位置から外すことができる。また、コネクティングバー１７の断面積を増やすことができる。特に、上述したように、突起部５２の頂部５２ａをリードフレーム１０の表面よりも低くした場合にも、その分の断面積の損失を補うことができる。 Effects According to this embodiment of the present embodiment, the thin portion 51 of the connecting bar 17, a plurality of projections 52 extending along the longitudinal direction of the connecting bar 17 is formed. That is, the strength of the connecting bar 17 is maintained by leaving a part of the thickness of the connecting bar 17 to a thickness close to the metal substrate 31 before processing. Thereby, for example, after the etching process (FIG. 7D) or after the plating process (FIG. 7F), it is possible to prevent the connecting bar 17 from being deformed. In particular, in the present embodiment, two protrusions 52 are formed on each connecting bar 17 so that the protrusions 52 can be removed from the position where the blade 38 abuts. Moreover, the cross-sectional area of the connecting bar 17 can be increased. In particular, as described above, even when the top 52a of the protrusion 52 is made lower than the surface of the lead frame 10, it is possible to compensate for the loss of the cross-sectional area.

一方、比較例として、コネクティングバー１７の幅を広くすることも考えられる。しかしながら、この場合、ソーイングするためのブレード３８の幅を広くする必要が生じ、製造コストが上昇したり、ブレード３８の消耗につながったりするおそれがある。本実施の形態においては、コネクティングバー１７の薄肉部５１上に突起部５２を形成し、コネクティングバー１７の厚みが厚い部分を多く残すことにより、コネクティングバー１７の幅を広くしなくても、その変形を抑制することができる。   On the other hand, as a comparative example, it is conceivable to increase the width of the connecting bar 17. However, in this case, it is necessary to increase the width of the blade 38 for sawing, which may increase the manufacturing cost or cause the blade 38 to be consumed. In the present embodiment, the protrusion 52 is formed on the thin portion 51 of the connecting bar 17, and a large portion of the connecting bar 17 is left, so that the width of the connecting bar 17 is not increased. Deformation can be suppressed.

また本実施の形態によれば、各コネクティングバー１７に、それぞれコネクティングバー１７の長手方向に沿って薄肉化された薄肉部５１が形成されている。このことにより、コネクティングバー１７の全長に渡ってその垂直断面の面積を減少させ、ソーイング加工時にリード部１６の周囲に生じるバリの量を減少させることができる。   Moreover, according to this Embodiment, the thin part 51 thinned along the longitudinal direction of the connecting bar 17 is formed in each connecting bar 17, respectively. As a result, the area of the vertical cross section of the connecting bar 17 can be reduced over the entire length, and the amount of burrs generated around the lead portion 16 during sawing can be reduced.

とりわけ、多ピン化により半導体装置２０のパッケージサイズを大型化した場合（例えば５ｍｍ□以上とした場合）、これに伴いコネクティングバー１７の長さも長くなるため、上述したコネクティングバー１７の変形防止という効果を顕著に得ることができる。このように、本実施の形態によれば、ソーイング加工時におけるバリの発生を抑えつつ、コネクティングバー１７の変形を防止することが可能となる。   In particular, when the package size of the semiconductor device 20 is increased by increasing the number of pins (for example, when the size of the semiconductor device 20 is 5 mm □ or more), the length of the connecting bar 17 is increased accordingly, so that the above-described deformation of the connecting bar 17 can be prevented. Can be obtained remarkably. Thus, according to the present embodiment, it is possible to prevent deformation of the connecting bar 17 while suppressing the occurrence of burrs during sawing.

さらに本実施の形態によれば、突起部５２がコネクティングバー１７の表面側に設けられている。このため、ダイシングによりコネクティングバー１７を切断する際、ブレード３８（図８（ｅ））は、まず突起部５２に当接し、その後徐々に広い面積で金属部分に接触するように厚み方向に進入する。これにより、ブレード３８による切断の負荷を最小限に抑えることができる。   Furthermore, according to the present embodiment, the protrusion 52 is provided on the surface side of the connecting bar 17. For this reason, when cutting the connecting bar 17 by dicing, the blade 38 (FIG. 8E) first comes into contact with the protrusion 52 and then gradually enters the thickness direction so as to come into contact with the metal portion over a wide area. . Thereby, the load of cutting by the blade 38 can be minimized.

本実施の形態においては、突起部５２は稜線状に形成されており、コネクティングバーの幅方向に沿って幅を有していない。そのため、ブレード３８（図８（ｅ））が初めに当接する際のブレード３８とコネクティングバーの接触面積を小さくすることができる。これにより、ブレード３８による切断の負荷を最小限に抑えることができる。   In the present embodiment, the protrusion 52 is formed in a ridgeline shape and does not have a width along the width direction of the connecting bar. Therefore, the contact area between the blade 38 and the connecting bar when the blade 38 (FIG. 8E) first contacts can be reduced. Thereby, the load of cutting by the blade 38 can be minimized.

変形例
次に、図９乃至図１４により、本実施の形態によるリードフレームの変形例について説明する。図９および図１４において、図１乃至図８に示す実施の形態と同一部分には同一の符号を付して、詳細な説明は省略する。 Modified Example Next, a modified example of the lead frame according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 9 and 14, the same parts as those in the embodiment shown in FIGS. 1 to 8 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

変形例１
図９は、本実施の形態の変形例（変形例１）を示す部分拡大平面図である。図９において、図１乃至図８に示す実施の形態と異なり、コネクティングバー１７は、その長手方向に終端する終端部１７ｃを有している。この場合、コネクティングバー１７の終端部１７ｃは、それぞれ連結部材４４に連結されている。また終端部１７ｃは、当該コネクティングバー１７に直交する方向に延びる他のコネクティングバー１７から離間して配置されている。すなわち連結部材４４によって囲まれた開口領域４５が形成されており、Ｘ方向およびＹ方向に延びる合計４本のコネクティングバー１７の終端部１７ｃが、開口領域４５周縁に配置されている。これにより、コネクティングバー１７の終端部１７ｃの周囲に存在する金属量を減らし、ソーイング時におけるブレード３８の消耗を抑えることができる。 Modification 1
FIG. 9 is a partially enlarged plan view showing a modification (Modification 1) of the present embodiment. In FIG. 9, unlike the embodiment shown in FIGS. 1 to 8, the connecting bar 17 has a terminal portion 17 c that terminates in the longitudinal direction. In this case, the end portions 17c of the connecting bar 17 are connected to the connecting members 44, respectively. Further, the terminal end portion 17 c is arranged away from the other connecting bar 17 extending in a direction orthogonal to the connecting bar 17. That is, the opening region 45 surrounded by the connecting member 44 is formed, and the terminal portions 17c of the total four connecting bars 17 extending in the X direction and the Y direction are arranged on the periphery of the opening region 45. Thereby, the amount of metal existing around the end portion 17c of the connecting bar 17 can be reduced, and the wear of the blade 38 during sawing can be suppressed.

変形例２
図１０は、本実施の形態の変形例（変形例２）を示す断面図（図４に対応する図）である。図１０において、図１乃至図８に示す実施の形態と異なり、薄肉部５１は、コネクティングバー１７の裏面１７ｂに形成されている。この場合、ソーイング時に発生するバリが、半導体装置２０の裏面側に突出することを抑えることができる。 Modification 2
FIG. 10 is a cross-sectional view (a diagram corresponding to FIG. 4) showing a modification (Modification 2) of the present embodiment. In FIG. 10, unlike the embodiment shown in FIGS. 1 to 8, the thin portion 51 is formed on the back surface 17 b of the connecting bar 17. In this case, it is possible to suppress burrs generated during sawing from protruding to the back side of the semiconductor device 20.

変形例３
図１１は、本実施の形態の変形例（変形例３）を示す断面図（図４に対応する図）である。図１１において、図１乃至図８に示す実施の形態と異なり、コネクティングバー１７に４本の突起部５２が形成されている。なお、各コネクティングバー１７に形成される突起部５２の本数は、３本あるいは５本以上としても良い。 Modification 3
FIG. 11 is a cross-sectional view (a diagram corresponding to FIG. 4) showing a modification (Modification 3) of the present embodiment. In FIG. 11, unlike the embodiment shown in FIGS. 1 to 8, four protrusions 52 are formed on the connecting bar 17. The number of the protrusions 52 formed on each connecting bar 17 may be three or five or more.

変形例４
図１２は、本実施の形態の変形例（変形例４）を示す断面図（図４に対応する図）である。図１２において、図１乃至図８に示す実施の形態と異なり、コネクティングバー１７に１本の突起部５２が形成されている。この場合、ソーイング加工時に、ブレード３８の面方向内側部分のみがリードフレーム１０と当接するため、ブレード３８の摩耗を低減することができる。 Modification 4
FIG. 12 is a cross-sectional view (a diagram corresponding to FIG. 4) showing a modification (Modification 4) of the present embodiment. In FIG. 12, unlike the embodiment shown in FIGS. 1 to 8, one protrusion 52 is formed on the connecting bar 17. In this case, since only the inner portion in the surface direction of the blade 38 contacts the lead frame 10 during the sawing process, the wear of the blade 38 can be reduced.

変形例５
図１３および図１４（ａ）（ｂ）は、本実施の形態の変形例（変形例５）を示す図である。本変形例において、各コネクティングバー１７には、１本の突起部５２が形成されている。図１３に示すように、コネクティングバー１７のうち、互いに隣接するリード部１６同士の間には端子間領域Ｒａが形成され、コネクティングバー１７のうち、交差部４２と、交差部４２に最も近いリード部１６との間には端子外領域Ｒｂが形成されている。 Modification 5
FIG. 13 and FIGS. 14A and 14B are diagrams showing a modified example (modified example 5) of the present embodiment. In this modification, each connecting bar 17 is formed with one protrusion 52. As shown in FIG. 13, an inter-terminal region Ra is formed between adjacent lead portions 16 in the connecting bar 17, and the crossing portion 42 and the lead closest to the crossing portion 42 in the connecting bar 17. An outside-terminal region Rb is formed between the portions 16.

この場合、コネクティングバー１７は、長さ方向に沿って異なる幅を有している。具体的には、コネクティングバー１７の幅は、端子間領域Ｒａ（幅ｗａ）よりも、端子外領域Ｒｂ（幅ｗｂ）の方が広くなっている（ｗｂ＞ｗａ）。これにより、コネクティングバー１７のうち、リード部１６が連結されておらず、変形が生じやすい箇所である端子外領域Ｒｂを強化することができる。なお、コネクティングバー１７は、長さ方向中央部側から交差部４２に近づくにつれて、徐々に太くなるように形成されていても良い。また、上記に限らず、端子外領域Ｒｂの幅ｗｂは、端子間領域Ｒａの幅ｗａの８０％〜１２０％としてもよい（０．８０ｗａ≦ｗｂ≦１．２０ｗａ）。 In this case, the connecting bar 17 has different widths along the length direction. Specifically, the connecting bar 17 is wider in the outside-terminal region Rb (width w b ) than in the inter-terminal region Ra (width w a ) (w b > w a ). Thereby, the lead part 16 is not connected among the connecting bars 17, and the outside-terminal region Rb, which is a place where deformation easily occurs, can be strengthened. In addition, the connecting bar 17 may be formed so that it may become thick gradually as it approaches the cross | intersection part 42 from the length direction center part side. The width w b of the outside-terminal region Rb is not limited to the above, and may be 80% to 120% of the width w a of the inter-terminal region Ra (0.80w a ≦ w b ≦ 1.20 w a ).

また、突起部５２の頂部５２ａは、長さ方向に沿って異なる高さを有している。具体的には、図１４（ａ）（ｂ）に示すように、コネクティングバー１７の裏面１７ｂから測定した突起部５２の頂部５２ａの高さは、端子間領域Ｒａ（高さｈａ）よりも、端子外領域Ｒｂ（高さｈｂ）の方が高くなっている（ｈａ＜ｈｂ）。これにより、コネクティングバー１７のうち、変形が生じやすい箇所である端子外領域Ｒｂを強化することができ、コネクティングバー１７の変形を防止することができる。なお、突起部５２の頂部５２ａは、長さ方向中央部側から交差部４２に近づくにつれて、徐々に高さが高くなるように形成されていても良い。 Moreover, the top part 52a of the projection part 52 has different heights along the length direction. Specifically, as shown in FIG. 14 (a) (b), the height of the top portion 52a of the protrusion 52 measured from the back surface 17b of the connecting bar 17, than the inter-terminal region Ra (the height h a) The outer terminal area Rb (height h b ) is higher (h a <h b ). Thereby, out-of-terminal area | region Rb which is a location which a deformation | transformation tends to produce among the connecting bars 17 can be strengthened, and a deformation | transformation of the connecting bar 17 can be prevented. In addition, the top part 52a of the protrusion part 52 may be formed so that the height gradually increases as it approaches the intersecting part 42 from the central part in the length direction.

また、本実施の形態において、突起部５２の頂部５２ａの高さは、リード連結部１８よりも、リード非連結部１９の方が高くなっていることが好ましい。これにより、リード部１６が連結されておらず、変形が生じやすい箇所であるリード連結部１８における強度を向上させることができ、コネクティングバー１７の変形を防止することができる。   In the present embodiment, the height of the top portion 52 a of the protrusion 52 is preferably higher in the lead unconnected portion 19 than in the lead connecting portion 18. As a result, the lead portion 16 is not connected, and the strength of the lead connecting portion 18 that is likely to be deformed can be improved, and deformation of the connecting bar 17 can be prevented.

なお、図１３および図１４（ａ）（ｂ）において、各コネクティングバー１７に形成される突起部５２は２本以上であっても良い。また、図１３および図１４（ａ）（ｂ）に示すコネクティングバー１７を、図１乃至図１２に示す各リードフレーム１０に適用しても良い。   In FIGS. 13 and 14 (a) and 14 (b), two or more protrusions 52 may be formed on each connecting bar 17. Further, the connecting bar 17 shown in FIGS. 13 and 14A and 14B may be applied to each lead frame 10 shown in FIGS.

図９乃至図１４に示す各変形例においても、図１乃至図８に示す実施の形態と同様、ソーイング加工時におけるバリの発生を抑えつつ、コネクティングバー１７の変形を防止することができる。   In each of the modified examples shown in FIGS. 9 to 14, as in the embodiment shown in FIGS. 1 to 8, the deformation of the connecting bar 17 can be prevented while suppressing the generation of burrs during the sawing process.

１０ リードフレーム
１４ リードフレーム要素
１５ ダイパッド
１６ リード部
１７ コネクティングバー
１８ リード連結部
１９ リード非連結部
２０ 半導体装置
２１ 半導体素子
２２ ボンディングワイヤ（導電部）
２４ 封止樹脂部
５１ 薄肉部
５２ 突起部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Lead frame 14 Lead frame element 15 Die pad 16 Lead part 17 Connecting bar 18 Lead connection part 19 Lead non-connection part 20 Semiconductor device 21 Semiconductor element 22 Bonding wire (conductive part)
24 Sealing resin part 51 Thin part 52 Protrusion part

Claims (9)

半導体装置用のリードフレームにおいて、
それぞれ半導体素子を載置するダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に設けられた複数のリード部とを含む、複数のリードフレーム要素を備え、
隣接する前記リードフレーム要素間において、対応する一対の前記リード部がコネクティングバーを介して連結され、
前記コネクティングバーは、前記コネクティングバーの長手方向に沿って前記コネクティングバーの一方の面側から薄肉化された薄肉部を有し、
前記薄肉部に、前記コネクティングバーの長手方向に沿って延びる突起部が形成され、
前記突起部は稜線状に形成されており、前記突起部の頂部は前記コネクティングバーの幅方向に沿って幅を有していないことを特徴とするリードフレーム。 In lead frames for semiconductor devices,
A plurality of lead frame elements, each including a die pad for mounting a semiconductor element and a plurality of lead portions provided around the die pad;
A pair of corresponding lead portions are connected via connecting bars between the adjacent lead frame elements,
The connecting bar has a thinned portion that is thinned from one side of the connecting bar along the longitudinal direction of the connecting bar;
The thin portion is formed with a protrusion extending along the longitudinal direction of the connecting bar ,
The lead frame according to claim 1, wherein the protrusion is formed in a ridge shape, and the top of the protrusion does not have a width along the width direction of the connecting bar . 前記コネクティングバーの長手方向に沿って、複数の突起部が形成されていることを特徴とする請求項１記載のリードフレーム。   The lead frame according to claim 1, wherein a plurality of protrusions are formed along a longitudinal direction of the connecting bar. 前記突起部の頂部は、前記コネクティングバーの前記一方の面よりも他方の面側に引っ込んでいることを特徴とする請求項１又は２記載のリードフレーム。   3. The lead frame according to claim 1, wherein a top portion of the protruding portion is recessed toward the other surface side than the one surface of the connecting bar. 前記頂部は、前記リードフレームの厚みの２．５％〜５０％だけ前記コネクティングバーの前記一方の面から引っ込んでいることを特徴とする請求項３記載のリードフレーム。   4. The lead frame according to claim 3, wherein the top portion is recessed from the one surface of the connecting bar by 2.5% to 50% of the thickness of the lead frame. 前記一方の面は、前記半導体素子を搭載する面側に位置することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項記載のリードフレーム。   5. The lead frame according to claim 1, wherein the one surface is located on a surface side on which the semiconductor element is mounted. 前記突起部は、前記コネクティングバーの幅方向中央部以外に設けられていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項記載のリードフレーム。   6. The lead frame according to claim 1, wherein the protrusion is provided at a portion other than a central portion in the width direction of the connecting bar. 前記コネクティングバーは、交差部において当該コネクティングバーに直交する方向に延びる他のコネクティングバーに連結され、当該コネクティングバーの前記突起部のうち少なくとも１つは、前記交差部で前記他のコネクティングバーの突起部に連結されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項記載のリードフレーム。   The connecting bar is connected to another connecting bar extending in a direction orthogonal to the connecting bar at the intersection, and at least one of the protrusions of the connecting bar is a protrusion of the other connecting bar at the intersection The lead frame according to claim 1, wherein the lead frame is connected to a portion. 前記コネクティングバーは、前記コネクティングバーの長手方向に終端する終端部を有し、前記終端部は、当該コネクティングバーに直交する方向に延びる他のコネクティングバーから離間していることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項記載のリードフレーム。   The connecting bar has an end portion that terminates in a longitudinal direction of the connecting bar, and the end portion is spaced apart from another connecting bar that extends in a direction orthogonal to the connecting bar. The lead frame as described in any one of 1 to 6. リードフレームの製造方法において、
金属基板を準備する工程と、
前記金属基板に、エッチング用レジスト層を形成する工程と、
前記エッチング用レジスト層を耐腐蝕膜として前記金属基板にエッチングを施すことにより、前記金属基板に、それぞれ半導体素子を載置するダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に設けられた複数のリード部とを含む、複数のリードフレーム要素を形成する工程と、
前記金属基板から、前記エッチング用レジスト層を除去する工程とを備え、
前記複数のリードフレーム要素を形成する工程において、隣接する前記リードフレーム要素間に、対応する一対の前記リード部を連結するコネクティングバーが形成され、前記コネクティングバーに、前記コネクティングバーの長手方向に沿って前記コネクティングバーの一方の面側から薄肉化された薄肉部が形成され、前記薄肉部に、前記コネクティングバーの長手方向に沿って延びる突起部が形成され、
前記突起部は稜線状に形成されており、前記突起部の頂部は前記コネクティングバーの幅方向に沿って幅を有していないことを特徴とするリードフレームの製造方法。 In the lead frame manufacturing method,
Preparing a metal substrate;
Forming an etching resist layer on the metal substrate;
Etching the metal substrate with the etching resist layer as an anti-corrosion film includes a die pad for mounting a semiconductor element on the metal substrate, and a plurality of lead portions provided around the die pad. Forming a plurality of lead frame elements;
Removing the etching resist layer from the metal substrate,
In the step of forming the plurality of lead frame elements, a connecting bar for connecting the corresponding pair of lead portions is formed between the adjacent lead frame elements, and the connecting bar is provided along the longitudinal direction of the connecting bar. A thinned portion is formed from one surface side of the connecting bar, and a protrusion extending along the longitudinal direction of the connecting bar is formed on the thinned portion ,
The method of manufacturing a lead frame , wherein the protrusion is formed in a ridge shape, and the top of the protrusion does not have a width along the width direction of the connecting bar .
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