JP7061278B2 - Lead frames and semiconductor devices - Google Patents

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Description

本発明は、リードフレームおよび半導体装置に関する。 The present invention relates to lead frames and semiconductor devices.

従来、半導体装置用のリードフレームとして、例えば特許文献１に記載されたものが知られている。このようなリードフレームは、ダイパッドと、ダイパッドの周囲に設けられたリード部とを有している。ダイパッドには半導体素子が搭載され、半導体素子は、ダイボンディングペースト等の接着剤によってダイパッドに接着されている。 Conventionally, as a lead frame for a semiconductor device, for example, the one described in Patent Document 1 is known. Such a lead frame has a die pad and a lead portion provided around the die pad. A semiconductor element is mounted on the die pad, and the semiconductor element is adhered to the die pad with an adhesive such as a die bonding paste.

特開２００１－３２６３１６号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2001-326316

一般にリードフレームを作製する際には、銅系の金属材料により形成される金属基板が用いられる。このような銅系の金属材料は、柔らかく延性に優れているため、ダイシング時に金属材料がダイシングの方向に沿って部分的に延びる、いわゆるスミアリングや、バリが発生する可能性がある。リードフレームにスミアリングやバリが発生した場合、スミアリングやバリにより、リード部同士が短絡してしまうおそれがある。また、半導体装置を製造する際、リード部同士の間を流れる封止樹脂の液流が阻害され、封止樹脂が十分に充填できないおそれもある。 Generally, when manufacturing a lead frame, a metal substrate formed of a copper-based metal material is used. Since such a copper-based metal material is soft and has excellent ductility, so-called smearing or burrs may occur in which the metal material partially extends along the dicing direction during dicing. If smearing or burrs occur on the lead frame, the lead portions may be short-circuited due to smearing or burrs. Further, when manufacturing a semiconductor device, the liquid flow of the sealing resin flowing between the lead portions may be obstructed, and the sealing resin may not be sufficiently filled.

本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、ダイシング時にスミアリングの発生を抑制し、スミアリングによりリード部同士が短絡してしまうことを抑制することが可能な、リードフレームおよび半導体装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in consideration of such a point, and is capable of suppressing the occurrence of smearing during dicing and suppressing short-circuiting of lead portions due to smearing, a lead frame and a lead frame. It is an object of the present invention to provide a semiconductor device.

本発明は、リードフレームにおいて、半導体素子が搭載されるダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に設けられた、複数のリード部と、前記複数のリード部が連結されたコネクティングバーと、前記ダイパッドと前記コネクティングバーとを連結するタイバーとを備え、前記コネクティングバーおよび前記タイバーは、それぞれ裏面側から薄肉化され、前記コネクティングバーの厚みは、前記タイバーの厚みよりも薄い、リードフレームである。 In the present invention, in a lead frame, a die pad on which a semiconductor element is mounted, a plurality of lead portions provided around the die pad, a connecting bar in which the plurality of lead portions are connected, and the die pad and the connecting portion. The connecting bar and the tie bar are each thinned from the back surface side, and the thickness of the connecting bar is thinner than the thickness of the tie bar, which is a lead frame.

本発明は、リードフレームにおいて、半導体素子が搭載されるダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に設けられた、複数のリード部と、前記複数のリード部が連結されたコネクティングバーと、前記ダイパッドから延在するタイバーと、前記タイバーと前記コネクティングバーとを連結する連結部材とを備え、前記連結部材の幅は、前記タイバーの幅よりも広い、リードフレームである。 In the present invention, in a lead frame, a die pad on which a semiconductor element is mounted, a plurality of lead portions provided around the die pad, a connecting bar to which the plurality of lead portions are connected, and a connecting bar extending from the die pad. The tie bar is provided with a connecting member for connecting the tie bar and the connecting bar, and the width of the connecting member is wider than the width of the tie bar, which is a lead frame.

本発明は、前記コネクティングバーおよび前記タイバーは、それぞれ裏面側から薄肉化され、前記コネクティングバーの厚みは、前記タイバーの厚みよりも薄い、リードフレームである。 The present invention is a lead frame in which the connecting bar and the tie bar are each thinned from the back surface side, and the thickness of the connecting bar is thinner than the thickness of the tie bar.

本発明は、前記連結部材は、裏面側から薄肉化されている、リードフレームである。 The present invention is a lead frame in which the connecting member is thinned from the back surface side.

本発明は、前記連結部材の幅は、１５０μｍ以上３５０μｍ以下であり、前記タイバーの幅は、１００μｍ以上２５０μｍ以下である、リードフレームである。 The present invention is a lead frame in which the width of the connecting member is 150 μm or more and 350 μm or less, and the width of the tie bar is 100 μm or more and 250 μm or less.

本発明は、前記コネクティングバーの厚みは、６０μｍ以上１２０μｍ以下であり、前記タイバーの厚みは、７０μｍ以上１３０μｍ以下である、リードフレームである。 The present invention is a lead frame in which the thickness of the connecting bar is 60 μm or more and 120 μm or less, and the thickness of the tie bar is 70 μm or more and 130 μm or less.

本発明は、半導体装置において、ダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に設けられた、複数のリード部と、前記ダイパッドから延在するタイバーと、前記タイバーに連結された連結部材と、前記ダイパッド上に搭載された半導体素子と、前記半導体素子と前記リード部とを電気的に接続する接続部材と、前記ダイパッドと、前記リード部と、前記タイバーと、前記連結部材と、前記半導体素子と、前記接続部材とを封止する封止樹脂とを備え、前記連結部材の幅は、前記タイバーの幅よりも広い、半導体装置である。 INDUSTRIAL APPLICABILITY In a semiconductor device, the present invention mounts a die pad, a plurality of lead portions provided around the die pad, a tie bar extending from the die pad, a connecting member connected to the tie bar, and the die pad. The semiconductor element, the connecting member that electrically connects the semiconductor element and the lead portion, the die pad, the lead portion, the tie bar, the connecting member, the semiconductor element, and the connecting member. A semiconductor device comprising a sealing resin for sealing and the width of the connecting member is wider than the width of the tie bar.

本発明は、前記連結部材の幅は、１５０μｍ以上３５０μｍ以下であり、前記タイバーの幅は、１００μｍ以上２５０μｍ以下である、半導体装置である。 The present invention is a semiconductor device in which the width of the connecting member is 150 μm or more and 350 μm or less, and the width of the tie bar is 100 μm or more and 250 μm or less.

本発明によれば、ダイシング時にスミアリングの発生を抑制し、スミアリングによりリード部同士が短絡してしまうことを抑制することができる。 According to the present invention, it is possible to suppress the occurrence of smearing during dicing and to prevent the lead portions from being short-circuited due to smearing.

図１は、本発明の一実施の形態によるリードフレームを示す平面図。FIG. 1 is a plan view showing a lead frame according to an embodiment of the present invention. 図２は、本発明の一実施の形態によるリードフレームを示す底面図。FIG. 2 is a bottom view showing a lead frame according to an embodiment of the present invention. 図３は、本発明の一実施の形態によるリードフレームを示す断面図（図１のIII－III線断面図）。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a lead frame according to an embodiment of the present invention (cross-sectional view taken along the line III-III of FIG. 1). 図４は、本発明の一実施の形態によるリードフレームを示す断面図（図１のIV－IV線断面図）。FIG. 4 is a cross-sectional view showing a lead frame according to an embodiment of the present invention (FIG. IV-IV cross-sectional view of FIG. 1). 図５は、本発明の一実施の形態によるリードフレームを示す部分拡大平面図。FIG. 5 is a partially enlarged plan view showing a lead frame according to an embodiment of the present invention. 図６は、本発明の一実施の形態による半導体装置を示す平面図。FIG. 6 is a plan view showing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention. 図７は、本発明の一実施の形態による半導体装置を示す断面図（図６のVII－VII線断面図）。FIG. 7 is a sectional view showing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention (FIG. 6 VII-VII sectional view). 図８（ａ）－（ｅ）は、本発明の一実施の形態によるリードフレームの製造方法を示す断面図。8 (a)-(e) are cross-sectional views showing a method of manufacturing a lead frame according to an embodiment of the present invention. 図９（ａ）－（ｃ）は、本発明の一実施の形態によるリードフレームの製造方法を示す断面図。9 (a)-(c) are cross-sectional views showing a method of manufacturing a lead frame according to an embodiment of the present invention. 図１０（ａ）－（ｅ）は、本発明の一実施の形態による半導体装置の製造方法を示す断面図。10 (a)-(e) are cross-sectional views showing a method of manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

以下、本発明の一実施の形態について、図１乃至図１０を参照して説明する。なお、以下の各図において、同一部分には同一の符号を付しており、一部詳細な説明を省略する場合がある。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 10. In each of the following figures, the same parts are designated by the same reference numerals, and some detailed description may be omitted.

リードフレームの構成
まず、図１乃至図５により、本実施の形態によるリードフレームの概略について説明する。図１乃至図５は、本実施の形態によるリードフレームを示す図である。 Configuration of Lead Frame First, the outline of the lead frame according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 5. 1 to 5 are diagrams showing lead frames according to the present embodiment.

図１乃至図３に示すように、リードフレーム１０は、１つ又は複数の単位リードフレーム１０ａを含んでいる。各単位リードフレーム１０ａは、半導体素子２１（後述）を搭載する平面矩形状のダイパッド１１と、ダイパッド１１周囲に設けられ、半導体素子２１と外部回路（図示せず）とを接続する複数の細長いリード部１２とを備えている。なお、単位リードフレーム１０ａは、それぞれ半導体装置２０（後述）に対応する領域であり、図１および図２において仮想線の内側に位置する領域である。また、図１および図２の仮想線は半導体装置２０の外周縁に対応している。 As shown in FIGS. 1 to 3, the lead frame 10 includes one or a plurality of unit lead frames 10a. Each unit lead frame 10a is provided around a planar rectangular die pad 11 on which the semiconductor element 21 (described later) is mounted, and a plurality of elongated leads that are provided around the die pad 11 and connect the semiconductor element 21 and an external circuit (not shown). It is provided with a unit 12. The unit lead frame 10a is a region corresponding to the semiconductor device 20 (described later), and is a region located inside the virtual line in FIGS. 1 and 2. Further, the virtual lines of FIGS. 1 and 2 correspond to the outer peripheral edge of the semiconductor device 20.

なお、本明細書中、「内側」とは、各単位リードフレーム１０ａにおいてダイパッド１１の中心方向を向く側をいい、「外側」とは、各単位リードフレーム１０ａにおいてダイパッド１１の中心から離れる側（コネクティングバー１３側）をいう。また、「表面」とは、半導体素子２１が搭載される側の面をいい、「裏面」とは、「表面」の反対側の面であって外部の図示しない実装基板に接続される側の面をいう。 In the present specification, "inside" means the side of each unit lead frame 10a facing the center direction of the die pad 11, and "outside" means the side of each unit lead frame 10a away from the center of the die pad 11. Refers to the connecting bar 13 side). Further, the "front surface" is the surface on the side on which the semiconductor element 21 is mounted, and the "back surface" is the surface on the opposite side of the "front surface" and is connected to an external mounting substrate (not shown). Refers to the surface.

複数の単位リードフレーム１０ａは、コネクティングバー（支持部材）１３を介して互いに連結されている。このコネクティングバー１３は、ダイパッド１１と、リード部１２とを支持するものであり、Ｘ方向およびＹ方向に沿ってそれぞれ延びている。ここで、Ｘ方向、Ｙ方向とは、リードフレーム１０の面内において、ダイパッド１１の各辺に平行な二方向であり、Ｘ方向とＹ方向とは互いに直交している。また、Ｚ方向は、Ｘ方向及びＹ方向の両方に対して垂直な方向である。 The plurality of unit lead frames 10a are connected to each other via a connecting bar (support member) 13. The connecting bar 13 supports the die pad 11 and the lead portion 12, and extends along the X direction and the Y direction, respectively. Here, the X direction and the Y direction are two directions parallel to each side of the die pad 11 in the plane of the lead frame 10, and the X direction and the Y direction are orthogonal to each other. Further, the Z direction is a direction perpendicular to both the X direction and the Y direction.

ダイパッド１１は、平面略正方形形状を有しており、その表面には、後述する半導体素子２１が搭載される。ダイパッド１１の平面形状は、正方形に限らず、長方形等の多角形としても良い。また、ダイパッド１１の四つのコーナー部にはそれぞれタイバー１４が連結されており、ダイパッド１１は、この４本のタイバー１４を介してコネクティングバー１３に連結支持されている。各タイバー１４は、その全域にわたりハーフエッチングにより裏面側から薄肉に形成されている。 The die pad 11 has a substantially square shape in a plane, and a semiconductor element 21 described later is mounted on the surface thereof. The planar shape of the die pad 11 is not limited to a square, but may be a polygon such as a rectangle. Further, a tie bar 14 is connected to each of the four corners of the die pad 11, and the die pad 11 is connected and supported by the connecting bar 13 via the four tie bars 14. Each tie bar 14 is formed thinly from the back surface side by half etching over the entire area.

ここでハーフエッチングとは、被エッチング材料をその厚み方向に途中までエッチングすることをいう。ハーフエッチング後の被エッチング材料の厚みは、ハーフエッチング前の被エッチング材料の厚みの例えば３０％以上７０％以下、好ましくは４０％以上６０％以下となる。なお、図２および図５において、ハーフエッチングされた領域を網掛けで示している。 Here, half-etching means etching the material to be etched halfway in the thickness direction thereof. The thickness of the material to be etched after half-etching is, for example, 30% or more and 70% or less, preferably 40% or more and 60% or less of the thickness of the material to be etched before half-etching. In addition, in FIG. 2 and FIG. 5, the half-etched region is shown by shading.

各コネクティングバー１３は、細長い棒形状を有しており、その端部１３ａには、それぞれ正方形状の環状連結部（連結部材）１９が連結されている。環状連結部１９の内側には、平面正方形状の貫通開口１９ａが形成されている。また、環状連結部１９には、タイバー１４の外側端部が連結されている。すなわち、各環状連結部１９には、それぞれ４本のタイバー１４と、Ｘ方向に延びる２本のコネクティングバー１３と、Ｙ方向に延びる２本のコネクティングバー１３とが連結される。また、環状連結部１９は、その全域にわたりハーフエッチングにより裏面側から薄肉に形成されている。これにより、後述する半導体装置２０の製造工程において、後述する封止樹脂２３を形成する際に、樹脂が通過する流路を広く確保することができる。このため、各単位リードフレーム１０ａのコーナー部近傍の特定の箇所に応力が集中しにくくなり、封止樹脂２３を各単位リードフレーム１０ａの内側に確実に充填することができる。このような環状連結部１９の厚みは、製造する半導体装置２０の構成にもよるが、例えば、６０μｍ以上１２０μｍ以下とすることができる。 Each connecting bar 13 has an elongated rod shape, and a square annular connecting portion (connecting member) 19 is connected to each end portion 13a. A planar square-shaped through opening 19a is formed inside the annular connecting portion 19. Further, the outer end portion of the tie bar 14 is connected to the annular connecting portion 19. That is, four tie bars 14, two connecting bars 13 extending in the X direction, and two connecting bars 13 extending in the Y direction are connected to each annular connecting portion 19. Further, the annular connecting portion 19 is formed thinly from the back surface side by half etching over the entire area thereof. As a result, in the manufacturing process of the semiconductor device 20 described later, when forming the sealing resin 23 described later, it is possible to secure a wide flow path through which the resin passes. Therefore, stress is less likely to be concentrated at a specific location near the corner of each unit lead frame 10a, and the sealing resin 23 can be reliably filled inside each unit lead frame 10a. The thickness of such an annular connecting portion 19 may be, for example, 60 μm or more and 120 μm or less, although it depends on the configuration of the semiconductor device 20 to be manufactured.

コネクティングバー１３は、リード部１２が長手方向に沿って連結されるリード連結部４１と、互いに隣り合うリード連結部４１間、またはリード連結部４１と環状連結部１９との間に位置する中間部４３とを有している。なお、リード連結部４１とは、リード部１２の長手方向における両側縁の延長線と、コネクティングバー１３の長手方向における両側縁とによって取り囲まれた領域をいう。リード連結部４１および中間部４３は、それぞれ平面視矩形形状であり、その全域にわたり裏面側からハーフエッチングにより薄肉化されている（図３および図４参照）。 The connecting bar 13 is an intermediate portion located between the lead connecting portion 41 to which the lead portion 12 is connected along the longitudinal direction and the lead connecting portion 41 adjacent to each other, or between the lead connecting portion 41 and the annular connecting portion 19. It has 43 and. The lead connecting portion 41 refers to a region surrounded by extension lines of both side edges of the lead portion 12 in the longitudinal direction and both side edges of the connecting bar 13 in the longitudinal direction. The lead connecting portion 41 and the intermediate portion 43 each have a rectangular shape in a plan view, and are thinned by half etching from the back surface side over the entire area thereof (see FIGS. 3 and 4).

ダイパッド１１は、中央に位置するダイパッド厚肉部１１ａと、ダイパッド厚肉部１１ａの周縁全周にわたって形成されたダイパッド薄肉部１１ｂとを有している（図３参照）。このうちダイパッド厚肉部１１ａは、ハーフエッチングされておらず、加工前の金属基板（後述する金属基板３１）と同一の厚みを有している。具体的には、ダイパッド厚肉部１１ａの厚みは、半導体装置２０の構成にもよるが、８０μｍ以上２００μｍ以下とすることができる。一方、ダイパッド薄肉部１１ｂは、ハーフエッチングにより裏面側から薄肉に形成されている。このようにダイパッド薄肉部１１ｂを設けたことにより、ダイパッド１１が封止樹脂２３（後述）から離脱しにくくすることができる。 The die pad 11 has a die pad thick portion 11a located at the center and a die pad thin portion 11b formed over the entire periphery of the die pad thick portion 11a (see FIG. 3). Of these, the die pad thick portion 11a is not half-etched and has the same thickness as the metal substrate before processing (the metal substrate 31 described later). Specifically, the thickness of the die pad thick portion 11a can be 80 μm or more and 200 μm or less, although it depends on the configuration of the semiconductor device 20. On the other hand, the die pad thin-walled portion 11b is formed to be thin-walled from the back surface side by half etching. By providing the die pad thin portion 11b in this way, it is possible to prevent the die pad 11 from coming off from the sealing resin 23 (described later).

各リード部１２は、後述するようにボンディングワイヤ２２を介して半導体素子２１に接続されるものであり、ダイパッド１１との間に空間を介して配置されている。隣り合うリード部１２同士は、半導体装置２０（後述）の製造後に互いに電気的に絶縁される形状となっている。また、リード部１２は、半導体装置２０の製造後にダイパッド１１と電気的に絶縁される形状となっている。このリード部１２の裏面には、それぞれ外部の実装基板（図示せず）に電気的に接続される外部端子１７が形成されている。各外部端子１７は、半導体装置２０（後述）の製造後に、それぞれ半導体装置２０から外方に露出するようになっている。この場合、外部端子１７は、平面視で１列に配置されている。 Each lead portion 12 is connected to the semiconductor element 21 via a bonding wire 22 as described later, and is arranged between the lead portion 12 and the die pad 11 via a space. The adjacent lead portions 12 have a shape that is electrically insulated from each other after the semiconductor device 20 (described later) is manufactured. Further, the lead portion 12 has a shape that is electrically insulated from the die pad 11 after the semiconductor device 20 is manufactured. External terminals 17 electrically connected to external mounting boards (not shown) are formed on the back surface of the lead portion 12. Each external terminal 17 is exposed to the outside from the semiconductor device 20 after the semiconductor device 20 (described later) is manufactured. In this case, the external terminals 17 are arranged in a row in a plan view.

図１に示すように、リード部１２は、平面から見て略矩形形状を有しており、その基端部はコネクティングバー１３のリード連結部４１に連結されている。また、図１乃至図３に示すように、リード部１２の表面には内部端子１５が形成され、リード部１２の裏面には、上述した外部端子１７が形成されている。内部端子１５は、後述するようにボンディングワイヤ２２を介して半導体素子２１に電気的に接続される領域となっている。このため、内部端子１５上には、ボンディングワイヤ２２との密着性を向上させるめっき部が設けられていても良い。 As shown in FIG. 1, the lead portion 12 has a substantially rectangular shape when viewed from a plane, and its base end portion is connected to the lead connecting portion 41 of the connecting bar 13. Further, as shown in FIGS. 1 to 3, an internal terminal 15 is formed on the front surface of the lead portion 12, and the above-mentioned external terminal 17 is formed on the back surface of the lead portion 12. The internal terminal 15 is a region electrically connected to the semiconductor element 21 via the bonding wire 22 as described later. Therefore, a plated portion for improving the adhesion to the bonding wire 22 may be provided on the internal terminal 15.

図３に示すように、リード部１２は、ハーフエッチングされることなく、ダイパッド１１のダイパッド厚肉部１１ａ（加工前の金属基板３１）と同一の厚みを有している。なお、図１、図２および図４において、リード部１２の幅は、例えば６０μｍ以上１８０μｍ以下であり、互いに隣接するリード部１２間の距離は、例えば８５μｍ以上２００μｍ以下である。 As shown in FIG. 3, the lead portion 12 has the same thickness as the die pad thick portion 11a (metal substrate 31 before processing) of the die pad 11 without being half-etched. In FIGS. 1, 2 and 4, the width of the lead portion 12 is, for example, 60 μm or more and 180 μm or less, and the distance between the lead portions 12 adjacent to each other is, for example, 85 μm or more and 200 μm or less.

次に、図４および図５を参照して、コネクティングバー１３及びタイバー１４の構成について更に説明する。図４は、コネクティングバー１３の長手方向に垂直な方向の断面図である。 Next, the configurations of the connecting bar 13 and the tie bar 14 will be further described with reference to FIGS. 4 and 5. FIG. 4 is a cross-sectional view of the connecting bar 13 in a direction perpendicular to the longitudinal direction.

コネクティングバー１３及びタイバー１４は、上述したように、裏面側からハーフエッチングにより薄肉化されている。図４に示すように、コネクティングバー１３の厚みｔ１は、タイバー１４の厚みｔ２よりも薄くなっている。コネクティングバー１３の厚みｔ１は、製造する半導体装置２０の構成にもよるが、６０μｍ以上１２０μｍ以下とすることができ、タイバー１４の厚みｔ２は、７０μｍ以上１３０μｍ以下とすることができる。 As described above, the connecting bar 13 and the tie bar 14 are thinned by half etching from the back surface side. As shown in FIG. 4, the thickness t1 of the connecting bar 13 is thinner than the thickness t2 of the tie bar 14. The thickness t1 of the connecting bar 13 can be 60 μm or more and 120 μm or less, and the thickness t2 of the tie bar 14 can be 70 μm or more and 130 μm or less, although it depends on the configuration of the semiconductor device 20 to be manufactured.

ところで、一般にリードフレーム１０を各半導体装置２０毎に分離する際、リードフレーム１０とブレード（図示せず）との摩擦により、リードフレーム１０が単位リードフレーム１０ａ毎に振動する。単位リードフレーム１０ａに振動が発生すると、全体としてリードフレーム１０が振動する。これにより、リードフレーム１０のリード部１２とブレードとの間の摩擦が増大し、リード部１２にスミアリングが発生する可能性がある。リード部１２にスミアリングが発生した場合、スミアリングにより、リード部１２同士が短絡してしまうおそれがある。ここで本明細書中、スミアリングとは、リードフレーム１０を各半導体装置２０毎に分離するブレードとの摩擦により、リード部１２を構成する金属材料が、ダイシングの方向に沿って部分的に延びたもの（バリ）をいう。 By the way, generally, when the lead frame 10 is separated for each semiconductor device 20, the lead frame 10 vibrates for each unit lead frame 10a due to friction between the lead frame 10 and a blade (not shown). When vibration is generated in the unit lead frame 10a, the lead frame 10 vibrates as a whole. As a result, the friction between the lead portion 12 of the lead frame 10 and the blade increases, and smearing may occur in the lead portion 12. When smearing occurs in the lead portions 12, the lead portions 12 may be short-circuited due to the smearing. Here, in the present specification, smearing means that the metal material constituting the lead portion 12 partially extends along the dicing direction due to friction with a blade that separates the lead frame 10 for each semiconductor device 20. It means a thing (Bali).

これに対して、本実施の形態においては、コネクティングバー１３の厚みｔ１が、タイバー１４の厚みｔ２よりも薄くなっている。これにより、コネクティングバー１３がブレードと接触する面積を小さくすることができ、ダイシング時に振動が発生することを抑制できる。このため、リードフレーム１０が単位リードフレーム１０ａ毎に振動することを抑制することができ、全体としてリードフレーム１０が振動することを抑制することができる。この結果、ダイシング時に、リード部１２とブレードとの間の摩擦を低減することができ、スミアリングの発生を抑制することができる。なお、このようなコネクティングバー１３の厚みｔ１およびタイバー１４の厚みｔ２は、後述するように、エッチング用レジスト層３２、３３の形状およびエッチング条件を適宜調整することにより、得ることができる。また、図示はしないが、コネクティングバー１３のうち、リード連結部４１の厚みと中間部４３の厚みとが異なっていても良い。この場合、例えば、リード連結部４１の厚みは、製造する半導体装置２０の構成にもよるが、７０μｍ以上１３０μｍ以下とすることができ、中間部４３の厚みは、６０μｍ以上１２０μｍ以下とすることができる。 On the other hand, in the present embodiment, the thickness t1 of the connecting bar 13 is thinner than the thickness t2 of the tie bar 14. As a result, the area where the connecting bar 13 comes into contact with the blade can be reduced, and vibration can be suppressed during dicing. Therefore, it is possible to suppress the vibration of the lead frame 10 for each unit lead frame 10a, and it is possible to suppress the vibration of the lead frame 10 as a whole. As a result, friction between the lead portion 12 and the blade can be reduced during dicing, and the occurrence of smearing can be suppressed. The thickness t1 of the connecting bar 13 and the thickness t2 of the tie bar 14 can be obtained by appropriately adjusting the shapes and etching conditions of the etching resist layers 32 and 33, as will be described later. Further, although not shown, the thickness of the lead connecting portion 41 and the thickness of the intermediate portion 43 of the connecting bar 13 may be different. In this case, for example, the thickness of the lead connecting portion 41 may be 70 μm or more and 130 μm or less, and the thickness of the intermediate portion 43 may be 60 μm or more and 120 μm or less, although it depends on the configuration of the semiconductor device 20 to be manufactured. can.

また、図５に示すように、環状連結部１９の幅Ｗ１は、タイバー１４の幅Ｗ２よりも広くなっている。これにより、環状連結部１９が、ダイシング時にコネクティングバー１３に発生する振動を吸収することができる。このため、ダイシング時に発生する振動がコネクティングバー１３からタイバー１４に伝わることを抑制することができる。この結果、ダイシング時にリードフレーム１０が振動することにより発生するスミアリングを抑制することができる。このような環状連結部１９の幅Ｗ１は、製造する半導体装置２０の構成にもよるが、１５０μｍ以上３５０μｍ以下とすることができ、タイバー１４の幅Ｗ２は、１００μｍ以上２５０μｍ以下とすることができる。なお、本明細書中、環状連結部１９の幅Ｗ１とは、環状連結部１９のうち、Ｘ方向に延びる部分においては、当該部分のＹ方向の長さをいい、環状連結部１９のうち、Ｙ方向に延びる部分においては、当該部分のＸ方向の長さをいう。 Further, as shown in FIG. 5, the width W1 of the annular connecting portion 19 is wider than the width W2 of the tie bar 14. As a result, the annular connecting portion 19 can absorb the vibration generated in the connecting bar 13 during dicing. Therefore, it is possible to suppress the vibration generated during dicing from being transmitted from the connecting bar 13 to the tie bar 14. As a result, smearing generated by the vibration of the lead frame 10 during dicing can be suppressed. The width W1 of the annular connecting portion 19 can be 150 μm or more and 350 μm or less, and the width W2 of the tie bar 14 can be 100 μm or more and 250 μm or less, although it depends on the configuration of the semiconductor device 20 to be manufactured. .. In the present specification, the width W1 of the annular connecting portion 19 means the length of the annular connecting portion 19 extending in the X direction in the Y direction, and is the length of the annular connecting portion 19 in the Y direction. The portion extending in the Y direction means the length of the portion in the X direction.

以上説明したリードフレーム１０は、全体として銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４２％のＦｅ合金）等の金属から構成されている。また、リードフレーム１０の厚みは、製造する半導体装置２０の構成にもよるが、８０μｍ以上２００μｍ以下とすることができる。 The lead frame 10 described above is composed of a metal such as copper, a copper alloy, and a 42 alloy (Ni 42% Fe alloy) as a whole. The thickness of the lead frame 10 can be 80 μm or more and 200 μm or less, although it depends on the configuration of the semiconductor device 20 to be manufactured.

なお、本実施の形態において、リード部１２は、ダイパッド１１の４辺全てに沿って配置されているが、これに限られるものではなく、例えばダイパッド１１の対向する２辺のみに沿って配置されていても良い。 In the present embodiment, the lead portion 12 is arranged along all four sides of the die pad 11, but is not limited to this, and is arranged, for example, along only two opposing sides of the die pad 11. You may be.

また、本実施の形態では、外部端子１７が、平面視で１列に配置されている場合を例にとって説明したが、これに限らず、リード部１２が長リード部と短リード部とを含み、長リード部の第１外部端子と短リード部の第２外部端子とが千鳥状に２列に配置されていても良く、外部端子が３列以上に配置されていても良い。 Further, in the present embodiment, the case where the external terminals 17 are arranged in one row in a plan view has been described as an example, but the present invention is not limited to this, and the lead portion 12 includes a long lead portion and a short lead portion. The first external terminal of the long lead portion and the second external terminal of the short lead portion may be arranged in two rows in a staggered manner, or the external terminals may be arranged in three or more rows.

半導体装置の構成
次に、図６および図７により、本実施の形態による半導体装置について説明する。図６および図７は、本実施の形態による半導体装置を示す図である。 Configuration of Semiconductor Device Next, the semiconductor device according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 6 and 7. 6 and 7 are diagrams showing a semiconductor device according to the present embodiment.

図６および図７に示すように、半導体装置（半導体パッケージ）２０は、ダイパッド１１と、ダイパッド１１の周囲に配置された複数のリード部１２と、ダイパッド１１上に搭載された半導体素子２１と、リード部１２と半導体素子２１とを電気的に接続する複数のボンディングワイヤ（接続部材）２２とを備えている。また、ダイパッド１１、リード部１２、半導体素子２１およびボンディングワイヤ２２は、封止樹脂２３によって樹脂封止されている。 As shown in FIGS. 6 and 7, the semiconductor device (semiconductor package) 20 includes a die pad 11, a plurality of lead portions 12 arranged around the die pad 11, and a semiconductor element 21 mounted on the die pad 11. A plurality of bonding wires (connecting members) 22 for electrically connecting the lead portion 12 and the semiconductor element 21 are provided. Further, the die pad 11, the lead portion 12, the semiconductor element 21, and the bonding wire 22 are resin-sealed with the sealing resin 23.

ダイパッド１１、リード部１２は、上述したリードフレーム１０から作製されたものである。このほか、ダイパッド１１、リード部１２の構成は、半導体装置２０に含まれない領域を除き、上述した図１乃至図５に示すものと同様であるため、ここでは詳細な説明を省略する。 The die pad 11 and the lead portion 12 are manufactured from the lead frame 10 described above. In addition, since the configurations of the die pad 11 and the lead portion 12 are the same as those shown in FIGS. 1 to 5 described above except for the region not included in the semiconductor device 20, detailed description thereof will be omitted here.

半導体素子２１としては、従来一般に用いられている各種半導体素子を使用することが可能であり、特に限定されないが、例えば集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード等を用いることができる。この半導体素子２１は、各々ボンディングワイヤ２２が取り付けられる複数の電極２１ａを有している。また、半導体素子２１は、例えばダイボンディングペースト等の接着剤２４により、ダイパッド１１の表面に固定されている。 As the semiconductor element 21, various semiconductor elements generally used in the past can be used, and the semiconductor element 21 is not particularly limited, and for example, an integrated circuit, a large-scale integrated circuit, a transistor, a thyristor, a diode, or the like can be used. The semiconductor element 21 has a plurality of electrodes 21a to which the bonding wires 22 are attached. Further, the semiconductor element 21 is fixed to the surface of the die pad 11 with an adhesive 24 such as a die bonding paste.

各ボンディングワイヤ２２は、例えば金、銅等の導電性の良い材料からなっている。各ボンディングワイヤ２２は、それぞれその一端が半導体素子２１の電極２１ａに接続されるとともに、その他端が各リード部１２の内部端子１５にそれぞれ接続されている。なお、内部端子１５には、ボンディングワイヤ２２と密着性を向上させるめっき部が設けられていても良い。 Each bonding wire 22 is made of a highly conductive material such as gold or copper. One end of each bonding wire 22 is connected to the electrode 21a of the semiconductor element 21, and the other end is connected to the internal terminal 15 of each lead portion 12. The internal terminal 15 may be provided with a plated portion that improves the adhesion to the bonding wire 22.

封止樹脂２３としては、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂、あるいはＰＰＳ樹脂等の熱可塑性樹脂を用いることができる。封止樹脂２３全体の厚みは、３００μｍ以上１２００μｍ以下程度とすることができる。また、封止樹脂２３の一辺（半導体装置２０の一辺）は、例えば６ｍｍ以上１６ｍｍ以下することができる。なお、図６において、封止樹脂２３のうち、ダイパッド１１、リード部１２よりも表面側に位置する部分の表示を省略している。 As the sealing resin 23, a thermosetting resin such as a silicone resin or an epoxy resin, or a thermoplastic resin such as a PPS resin can be used. The thickness of the entire sealing resin 23 can be about 300 μm or more and 1200 μm or less. Further, one side of the sealing resin 23 (one side of the semiconductor device 20) can be, for example, 6 mm or more and 16 mm or less. In FIG. 6, the display of the portion of the sealing resin 23 located on the surface side of the die pad 11 and the lead portion 12 is omitted.

リードフレームの製造方法
次に、図１乃至図５に示すリードフレーム１０の製造方法について、図８（ａ）－（ｅ）及び図９（ａ）－（ｃ）を用いて説明する。なお、図８（ａ）－（ｅ）は、リードフレーム１０の製造方法を示す断面図（図３に対応する図）であり、図９（ａ）－（ｃ）は、リードフレーム１０の製造方法を示す断面図（図４に対応する図）である。 Method for Manufacturing Lead Frame Next, a method for manufacturing the lead frame 10 shown in FIGS. 1 to 5 will be described with reference to FIGS. 8 (a)-(e) and 9 (a)-(c). 8 (a)-(e) are cross-sectional views (a diagram corresponding to FIG. 3) showing a method of manufacturing the lead frame 10, and FIGS. 9 (a)-(c) show the manufacturing of the lead frame 10. It is sectional drawing (the figure corresponding to FIG. 4) which shows the method.

まず図８（ａ）に示すように、平板状の金属基板３１を準備する。この金属基板３１としては、銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４２％のＦｅ合金）等の金属からなる基板を使用することができる。なお金属基板３１は、その両面に対して脱脂等を行い、洗浄処理を施したものを使用することが好ましい。 First, as shown in FIG. 8A, a flat plate-shaped metal substrate 31 is prepared. As the metal substrate 31, a substrate made of a metal such as copper, a copper alloy, or a 42 alloy (Ni 42% Fe alloy) can be used. It is preferable to use a metal substrate 31 that has been degreased and cleaned on both sides thereof.

次に、金属基板３１の表裏全体にそれぞれ感光性レジスト３２ａ、３３ａを塗布し、これを乾燥する（図８（ｂ））。なお感光性レジスト３２ａ、３３ａとしては、従来公知のものを使用することができる。 Next, the photosensitive resists 32a and 33a are applied to the entire front and back of the metal substrate 31, respectively, and dried (FIG. 8 (b)). As the photosensitive resists 32a and 33a, conventionally known ones can be used.

続いて、この金属基板３１に対してフォトマスクを介して露光し、現像することにより、所望の開口部３２ｂ、３３ｂを有するエッチング用レジスト層３２、３３を形成する（図８（ｃ））。 Subsequently, the metal substrate 31 is exposed to the metal substrate 31 via a photomask and developed to form etching resist layers 32 and 33 having desired openings 32b and 33b (FIG. 8 (c)).

次に、エッチング用レジスト層３２、３３を耐腐蝕膜として金属基板３１に腐蝕液でエッチングを施す（図８（ｄ））。これにより、ダイパッド１１、リード部１２の外形が形成される。なお、腐蝕液は、使用する金属基板３１の材質に応じて適宜選択することができ、例えば、金属基板３１として銅を用いる場合、通常、塩化第二鉄水溶液を使用し、金属基板３１の両面からスプレーエッチングを行うことができる。 Next, the metal substrate 31 is etched with a corrosion solution using the etching resist layers 32 and 33 as corrosion resistant films (FIG. 8 (d)). As a result, the outer shapes of the die pad 11 and the lead portion 12 are formed. The corrosion liquid can be appropriately selected according to the material of the metal substrate 31 to be used. For example, when copper is used as the metal substrate 31, a ferric chloride aqueous solution is usually used and both sides of the metal substrate 31 are used. Can be spray etched from.

その後、エッチング用レジスト層３２、３３を剥離して除去することにより、図１乃至図５に示すリードフレーム１０が得られる。（図８（ｅ））。 Then, by peeling off and removing the etching resist layers 32 and 33, the lead frame 10 shown in FIGS. 1 to 5 can be obtained. (FIG. 8 (e)).

ところで、リードフレーム１０を作製する際、コネクティングバー１３及びタイバー１４は、上述したように、裏面側からハーフエッチングにより薄肉化される。コネクティングバー１３及びタイバー１４を裏面側から薄肉化する場合、図８（ａ）－（ｃ）を用いて説明したように、感光性レジスト３２ａ、３３ａを塗布し、乾燥させた後に金属基板３１に対して、フォトマスクを介して露光し、現像することにより、エッチング用レジスト層３２、３３に所望の開口部３２ｂ、３３ｂを形成する（図９（ａ））。この際、例えば、コネクティングバー１３およびタイバー１４に対応する部分に、開口部３３ｂまたは島状の感光性レジスト３３ａを複数点在させる。このとき、例えば、コネクティングバー１３に対応する部分における開口部３３ｂまたは島状の感光性レジスト３３ａの面積と、タイバー１４に対応する部分における開口部３３ｂまたは島状の感光性レジスト３３ａの面積とを適宜調整することにより、コネクティングバー１３の厚みｔ１をタイバー１４の厚みｔ２よりも薄くすることができる。 By the way, when the lead frame 10 is manufactured, the connecting bar 13 and the tie bar 14 are thinned by half etching from the back surface side as described above. When the connecting bar 13 and the tie bar 14 are thinned from the back surface side, as described with reference to FIGS. 8A to 8C, the photosensitive resists 32a and 33a are applied, dried, and then applied to the metal substrate 31. On the other hand, by exposing and developing through a photomask, desired openings 32b and 33b are formed in the etching resist layers 32 and 33 (FIG. 9A). At this time, for example, a plurality of openings 33b or island-shaped photosensitive resists 33a are interspersed in the portions corresponding to the connecting bar 13 and the tie bar 14. At this time, for example, the area of the opening 33b or the island-shaped photosensitive resist 33a in the portion corresponding to the connecting bar 13 and the area of the opening 33b or the island-shaped photosensitive resist 33a in the portion corresponding to the tie bar 14 are set. By making appropriate adjustments, the thickness t1 of the connecting bar 13 can be made thinner than the thickness t2 of the tie bar 14.

次に、図８（ｄ）を用いて説明したように、エッチング用レジスト層３２、３３を耐腐蝕膜として金属基板３１に腐蝕液でエッチングを施す。これにより、コネクティングバー１３及びタイバー１４の外形が形成される（図９（ｂ））。 Next, as described with reference to FIG. 8D, the metal substrate 31 is etched with a corrosion liquid using the etching resist layers 32 and 33 as corrosion resistant films. As a result, the outer shapes of the connecting bar 13 and the tie bar 14 are formed (FIG. 9 (b)).

その後、図８（ｅ）を用いて説明したように、エッチング用レジスト層３２、３３を剥離して除去する（図９（ｃ））。 Then, as described with reference to FIG. 8 (e), the etching resist layers 32 and 33 are peeled off and removed (FIG. 9 (c)).

なお、上記においては、金属基板３１の両面側からスプレーエッチングを行う場合を例にとって説明したが、これに限られるものではない。例えば、金属基板３１の片面ずつ２段階のスプレーエッチングを行っても良い。具体的には、まず金属基板３１の表面側の全体に第１エッチング用レジスト層を設けるとともに、裏面側に所定のパターンをもつ第２エッチング用レジスト層を形成し、金属基板３１の裏面側のみエッチングを施す。次に、第１及び第２エッチング用レジスト層を除去するとともに、金属基板３１の裏面側に耐エッチング性のある樹脂からなる封止層を設ける。続いて、金属基板３１の表面側に所定のパターンをもつ第３エッチング用レジスト層を形成し、この状態で金属基板３１の表面側のみエッチングを施す。その後、裏面側の封止層を剥離することにより、リードフレーム１０の外形が形成される。このように金属基板３１の片面ずつスプレーエッチングを行うことにより、リード部１２の変形を回避しやすいという効果が得られる。 In the above description, the case where spray etching is performed from both sides of the metal substrate 31 has been described as an example, but the present invention is not limited to this. For example, two-step spray etching may be performed on each side of the metal substrate 31. Specifically, first, a first etching resist layer is provided on the entire front surface side of the metal substrate 31, and a second etching resist layer having a predetermined pattern is formed on the back surface side, and only the back surface side of the metal substrate 31 is formed. Etching is applied. Next, the first and second etching resist layers are removed, and a sealing layer made of an etching-resistant resin is provided on the back surface side of the metal substrate 31. Subsequently, a third etching resist layer having a predetermined pattern is formed on the surface side of the metal substrate 31, and in this state, only the surface side of the metal substrate 31 is etched. After that, the outer shape of the lead frame 10 is formed by peeling off the sealing layer on the back surface side. By performing spray etching on each side of the metal substrate 31 in this way, it is possible to obtain an effect that it is easy to avoid deformation of the lead portion 12.

半導体装置の製造方法
次に、図６および図７に示す半導体装置２０の製造方法について、図１０（ａ）－（ｅ）を用いて説明する。 Manufacturing Method of Semiconductor Device Next, the manufacturing method of the semiconductor device 20 shown in FIGS. 6 and 7 will be described with reference to FIGS. 10 (a) and 10 (e).

まず、例えば図８（ａ）－（ｅ）および図９（ａ）－（ｃ）に示す方法により、リードフレーム１０を作製する（図１０（ａ））。 First, the lead frame 10 is manufactured, for example, by the methods shown in FIGS. 8 (a)-(e) and 9 (a)-(c) (FIG. 10 (a)).

次に、リードフレーム１０のダイパッド１１上に、半導体素子２１を搭載する。この場合、例えばダイボンディングペースト等の接着剤２４を用いて、半導体素子２１をダイパッド１１上に載置して固定する（ダイアタッチ工程）（図１０（ｂ））。 Next, the semiconductor element 21 is mounted on the die pad 11 of the lead frame 10. In this case, the semiconductor element 21 is placed and fixed on the die pad 11 by using an adhesive 24 such as a die bonding paste (diaattachment step) (FIG. 10 (b)).

次に、半導体素子２１の各電極２１ａと、各リード部１２の内部端子１５とを、それぞれボンディングワイヤ（接続部材）２２によって互いに電気的に接続する（ワイヤボンディング工程）（図１０（ｃ））。 Next, each electrode 21a of the semiconductor element 21 and the internal terminal 15 of each lead portion 12 are electrically connected to each other by a bonding wire (connecting member) 22 (wire bonding step) (FIG. 10 (c)). ..

次に、リードフレーム１０に対して熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂を射出成形またはトランスファ成形することにより、封止樹脂２３を形成する（樹脂封止工程）（図１０（ｄ））。このようにして、ダイパッド１１、リード部１２、半導体素子２１およびボンディングワイヤ２２を封止する。 Next, the sealing resin 23 is formed by injection molding or transfer molding of a thermosetting resin or a thermoplastic resin with respect to the lead frame 10 (resin sealing step) (FIG. 10 (d)). In this way, the die pad 11, the lead portion 12, the semiconductor element 21, and the bonding wire 22 are sealed.

この間、コネクティングバー１３側から各単位リードフレーム１０ａの内側に向けて、樹脂が回り込む。本実施の形態において、環状連結部１９、タイバー１４及びコネクティングバー１３の端部１３ａは、それぞれ裏面側から薄肉化されている。このため、樹脂が通過する流路が広く確保され、溶融した樹脂は、各単位リードフレーム１０ａのコーナー部の周囲をスムーズに流れる。これにより、各単位リードフレーム１０ａのコーナー部近傍の特定の箇所に応力が集中しにくくなり、封止樹脂２３を各単位リードフレーム１０ａの内側に確実に充填することができる。また、封止樹脂２３の圧力によって、リード部１２が変形するおそれも少ない。 During this time, the resin wraps around from the connecting bar 13 side toward the inside of each unit lead frame 10a. In the present embodiment, the annular connecting portion 19, the tie bar 14, and the end portion 13a of the connecting bar 13 are each thinned from the back surface side. Therefore, a wide flow path through which the resin passes is secured, and the melted resin smoothly flows around the corner portion of each unit lead frame 10a. As a result, stress is less likely to be concentrated at a specific location near the corner of each unit lead frame 10a, and the sealing resin 23 can be reliably filled inside each unit lead frame 10a. Further, there is little possibility that the lead portion 12 is deformed by the pressure of the sealing resin 23.

次に、各半導体素子２１間の封止樹脂２３をダイシングすることにより、リードフレーム１０を各半導体装置２０毎に分離する。この際、例えばダイヤモンド砥石からなるブレード（図示せず）を回転させながら、各半導体装置２０間のリードフレーム１０および封止樹脂２３を切断しても良い。 Next, the lead frame 10 is separated for each semiconductor device 20 by dicing the sealing resin 23 between the semiconductor elements 21. At this time, the lead frame 10 and the sealing resin 23 between the semiconductor devices 20 may be cut while rotating a blade (not shown) made of, for example, a diamond grindstone.

この場合、コネクティングバー１３の厚みｔ１が、タイバー１４の厚みｔ２よりも薄くなっている。このように、ダイシング時にブレードと接触するコネクティングバー１３の厚みｔ１をタイバー１４の厚みｔ２よりも薄くすることにより、コネクティングバー１３がブレードと接触する面積を小さくすることができる。これにより、ダイシング時に振動が発生することを抑制でき、リードフレーム１０が単位リードフレーム１０ａ毎に振動することを抑制することができる。このため、全体としてリードフレーム１０が振動することを抑制することができる。この結果、ダイシング時に、リード部１２とブレードとの間の摩擦を低減することができ、スミアリングの発生を抑制することができる。 In this case, the thickness t1 of the connecting bar 13 is thinner than the thickness t2 of the tie bar 14. In this way, by making the thickness t1 of the connecting bar 13 that comes into contact with the blade during dicing thinner than the thickness t2 of the tie bar 14, the area in which the connecting bar 13 comes into contact with the blade can be reduced. As a result, it is possible to suppress the generation of vibration during dicing, and it is possible to suppress the vibration of the lead frame 10 for each unit lead frame 10a. Therefore, it is possible to suppress the vibration of the lead frame 10 as a whole. As a result, friction between the lead portion 12 and the blade can be reduced during dicing, and the occurrence of smearing can be suppressed.

また、この場合、環状連結部１９の幅Ｗ１が、タイバー１４の幅Ｗ２よりも広くなっている。このように、コネクティングバー１３とタイバー１４とを連結する環状連結部１９の幅Ｗ１をタイバー１４の幅Ｗ２よりも広くすることにより、環状連結部１９が、ダイシング時にコネクティングバー１３に発生するダイシングの振動を吸収することができる。これにより、ダイシング時に発生する振動がコネクティングバー１３からタイバー１４に伝わることを抑制することができる。このため、ダイシング時にリードフレーム１０が振動することにより発生するスミアリングを抑制することができる。 Further, in this case, the width W1 of the annular connecting portion 19 is wider than the width W2 of the tie bar 14. In this way, by making the width W1 of the annular connecting portion 19 connecting the connecting bar 13 and the tie bar 14 wider than the width W2 of the tie bar 14, the annular connecting portion 19 causes the dicing generated in the connecting bar 13 during dicing. It can absorb vibration. As a result, it is possible to suppress the vibration generated during dicing from being transmitted from the connecting bar 13 to the tie bar 14. Therefore, it is possible to suppress the smearing generated by the vibration of the lead frame 10 during dicing.

このようにして、図６および図７に示す半導体装置２０が得られる（図１０（ｅ））。 In this way, the semiconductor device 20 shown in FIGS. 6 and 7 is obtained (FIG. 10 (e)).

以上説明したように、本実施の形態によれば、コネクティングバー１３およびタイバー１４は、それぞれ裏面側から薄肉化され、コネクティングバー１３の厚みｔ１が、タイバー１４の厚みｔ２よりも薄くなっている。これにより、ダイシング時にコネクティングバー１３がブレードと接触する面積を小さくすることができる。これにより、ダイシング時に振動が発生することを抑制でき、リードフレーム１０が振動することを抑制することができる。このため、ダイシング時に、リード部１２とブレードとの間の摩擦を低減することができ、スミアリングの発生を抑制することができる。このため、リードフレーム１０が振動することを抑制することができる。この結果、ダイシング時に、リード部１２とブレードとの間の摩擦が増大することを抑制することができ、スミアリングの発生を抑制することができる。なお、このようにコネクティングバー１３の厚みｔ１とタイバー１４の厚みｔ２との違いにより、スミアリングの発生を抑制することができることは、後述する実施例によって説明する。 As described above, according to the present embodiment, the connecting bar 13 and the tie bar 14 are each thinned from the back surface side, and the thickness t1 of the connecting bar 13 is thinner than the thickness t2 of the tie bar 14. As a result, the area in which the connecting bar 13 contacts the blade during dicing can be reduced. As a result, it is possible to suppress the generation of vibration during dicing, and it is possible to suppress the vibration of the lead frame 10. Therefore, during dicing, the friction between the lead portion 12 and the blade can be reduced, and the occurrence of smearing can be suppressed. Therefore, it is possible to suppress the vibration of the lead frame 10. As a result, it is possible to suppress an increase in friction between the lead portion 12 and the blade during dicing, and it is possible to suppress the occurrence of smearing. It should be noted that the occurrence of smearing can be suppressed by the difference between the thickness t1 of the connecting bar 13 and the thickness t2 of the tie bar 14 in this way, which will be described in the examples described later.

また、本実施の形態によれば、環状連結部１９の幅Ｗ１は、タイバー１４の幅Ｗ２よりも広くなっている。これにより、環状連結部１９が、ダイシング時にコネクティングバー１３に発生する振動を吸収することができる。このため、ダイシング時に発生する振動がコネクティングバー１３からタイバー１４に伝わることを抑制することができる。この結果、ダイシング時にリードフレーム１０が振動することにより発生するスミアリングを抑制することができる。 Further, according to the present embodiment, the width W1 of the annular connecting portion 19 is wider than the width W2 of the tie bar 14. As a result, the annular connecting portion 19 can absorb the vibration generated in the connecting bar 13 during dicing. Therefore, it is possible to suppress the vibration generated during dicing from being transmitted from the connecting bar 13 to the tie bar 14. As a result, smearing generated by the vibration of the lead frame 10 during dicing can be suppressed.

次に、上述した本実施の形態の作用について、具体的に説明する。 Next, the operation of the above-described embodiment will be specifically described.

（実施例）
図８（ａ）－（ｅ）及び図９（ａ）－（ｃ）に示す方法により、本実施の形態によるリードフレーム１０を作製した。次に、図１０（ａ）－（ｅ）に示す方法により、本実施の形態による半導体装置２０（実施例）を作製した。その後、得られた半導体装置２０において、互いに隣接するリード部１２同士が短絡しているか否かを確認した。この場合、リードフレーム１０において、コネクティングバー１３のリード連結部４１の厚みは１０５μｍであり、中間部４３の厚みは１００μｍであった。また、リードフレーム１０および半導体装置２０において、タイバー１４の厚みは１１５μｍであり、環状連結部１９の厚みは１１５μｍであった。この結果を表１に示す。 (Example)
The lead frame 10 according to the present embodiment was produced by the methods shown in FIGS. 8 (a)-(e) and 9 (a)-(c). Next, the semiconductor device 20 (Example) according to the present embodiment was manufactured by the method shown in FIGS. 10 (a) to 10 (e). After that, in the obtained semiconductor device 20, it was confirmed whether or not the lead portions 12 adjacent to each other were short-circuited. In this case, in the lead frame 10, the thickness of the lead connecting portion 41 of the connecting bar 13 was 105 μm, and the thickness of the intermediate portion 43 was 100 μm. Further, in the lead frame 10 and the semiconductor device 20, the thickness of the tie bar 14 was 115 μm, and the thickness of the annular connecting portion 19 was 115 μm. The results are shown in Table 1.

（比較例）
タイバーの厚みが９０μｍであり、環状連結部の厚みが９０μｍであること、以外は、実施例と同様にして、得られた半導体装置において、互いに隣接するリード部同士が短絡しているか否かを調査した。この結果を表１に示す。 (Comparative example)
In the same manner as in the embodiment, it is determined whether or not the lead portions adjacent to each other are short-circuited in the obtained semiconductor device, except that the thickness of the tie bar is 90 μm and the thickness of the annular connecting portion is 90 μm. investigated. The results are shown in Table 1.

Figure 0007061278000001
Figure 0007061278000001

この結果、コネクティングバーの厚みがタイバーの厚みよりも厚くなっている比較例においては、ダイシングによりリード部にスミアリングが発生し、互いに隣接するリード部同士が短絡していた。これに対してコネクティングバー１３の厚みｔ１がタイバー１４の厚みｔ２よりも薄くなっている実施例においては、リード部１２に、ダイシングによるスミアリングが発生することを抑制することができ、互いに隣接するリード部同士が短絡していなかった。 As a result, in the comparative example in which the thickness of the connecting bar is thicker than the thickness of the tie bar, smearing occurs in the lead portions due to dicing, and the lead portions adjacent to each other are short-circuited. On the other hand, in the embodiment in which the thickness t1 of the connecting bar 13 is thinner than the thickness t2 of the tie bar 14, it is possible to suppress the occurrence of smearing due to dicing in the lead portion 12, and the lead portions 12 are adjacent to each other. The leads were not short-circuited.

このように、本実施の形態によれば、リードフレーム１０を各半導体装置２０毎に分離する際に、リード部１２にスミアリングが発生することを抑制することができる。これにより、互いに隣接するリード部１２間の距離が短くなることを抑制することができ、互いに隣接するリード部１２が短絡する不具合を抑制できる。 As described above, according to the present embodiment, it is possible to suppress the occurrence of smearing in the lead portion 12 when the lead frame 10 is separated for each semiconductor device 20. As a result, it is possible to prevent the distance between the lead portions 12 adjacent to each other from becoming short, and it is possible to suppress the problem that the lead portions 12 adjacent to each other are short-circuited.

上記実施の形態に開示されている複数の構成要素を必要に応じて適宜組合せることも可能である。あるいは、上記実施の形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。 It is also possible to appropriately combine the plurality of components disclosed in the above-described embodiment as necessary. Alternatively, some components may be deleted from all the components shown in the above embodiment.

１０ リードフレーム
１１ ダイパッド
１２ リード部
１３ コネクティングバー
１４ タイバー
１９ 環状連結部
２０ 半導体装置
２１ 半導体素子
２２ ボンディングワイヤ
２３ 封止樹脂 10 Lead frame 11 Die pad 12 Lead part 13 Connecting bar 14 Tie bar 19 Circular connection part 20 Semiconductor device 21 Semiconductor element 22 Bonding wire 23 Encapsulating resin

Claims (2)

樹脂封止前のリードフレームにおいて、
半導体素子が搭載されるダイパッドと、
前記ダイパッドの周囲に設けられた、複数のリード部と、
前記複数のリード部が連結されたコネクティングバーと、
前記ダイパッドと前記コネクティングバーとを連結するタイバーとを備え、
前記コネクティングバーおよび前記タイバーは、それぞれ裏面側から薄肉化され、
前記コネクティングバーの厚みは、前記タイバーの厚みよりも薄い、リードフレーム。 In the lead frame before resin sealing
Die pads on which semiconductor elements are mounted and
A plurality of lead portions provided around the die pad and
The connecting bar to which the plurality of lead portions are connected and
A tie bar for connecting the die pad and the connecting bar is provided.
The connecting bar and the tie bar are each thinned from the back surface side.
A lead frame having a thickness of the connecting bar thinner than the thickness of the tie bar. 前記コネクティングバーの厚みは、６０μｍ以上１２０μｍ以下であり、前記タイバーの厚みは、７０μｍ以上１３０μｍ以下である、請求項１に記載のリードフレーム。 The lead frame according to claim 1 , wherein the thickness of the connecting bar is 60 μm or more and 120 μm or less, and the thickness of the tie bar is 70 μm or more and 130 μm or less.
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