JP6936963B2 - Lead frame - Google Patents

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Description

本発明は、リードフレームに関する。 The present invention relates to a lead frame.

近年、基板に実装される半導体装置の小型化および薄型化が要求されてきている。このような要求に対応すべく、従来、リードフレームを用い、その搭載面に搭載した半導体素子を封止樹脂によって封止するとともに、裏面側にリードの一部分を露出させて構成された、いわゆるＱＦＮ（Quad Flat Non-lead）タイプの半導体装置が種々提案されている。 In recent years, there has been a demand for miniaturization and thinning of semiconductor devices mounted on a substrate. In order to meet such demands, a so-called QFN is conventionally configured by using a lead frame, sealing a semiconductor element mounted on the mounting surface with a sealing resin, and exposing a part of the lead on the back surface side. Various (Quad Flat Non-lead) type semiconductor devices have been proposed.

しかしながら、従来一般的な構造からなるＱＦＮの場合、端子数が増加するにしたがってパッケージが大きくなるため、実装信頼性を確保することが難しくなるという課題があった。これに対して、多ピン化されたＱＦＮを実現するための技術として、外部端子を２列に配列したパッケージの開発が進められている（例えば特許文献１参照）。このようなパッケージは、ＤＲ−ＱＦＮ（Dual Row QFN）パッケージともよばれている。 However, in the case of a QFN having a conventional general structure, the package becomes larger as the number of terminals increases, so that there is a problem that it becomes difficult to secure mounting reliability. On the other hand, as a technique for realizing a multi-pin QFN, a package in which external terminals are arranged in two rows is being developed (see, for example, Patent Document 1). Such a package is also called a DR-QFN (Dual Row QFN) package.

特開２００６−１９７６７号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2006-19767

近年、上述したＱＦＮパッケージやＤＲ−ＱＦＮパッケージにおいては、リード部や、コネクティングバー等の支持部材が細くかつ薄く形成されている。このため、リード部や支持部材が封止樹脂から剥離しやすくなったり、リードフレームを個片化する際に、リード部にクラックやデラミ（剥離）が発生したりするおそれがある。 In recent years, in the above-mentioned QFN package and DR-QFN package, support members such as lead portions and connecting bars are formed thin and thin. For this reason, the lead portion and the support member may be easily peeled off from the sealing resin, and cracks and delamination (peeling) may occur in the lead portion when the lead frame is separated into individual pieces.

本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、支持部材と封止樹脂との密着強度を高めることが可能な、リードフレームを提供することを目的とする。 The present invention has been made in consideration of such a point, and an object of the present invention is to provide a lead frame capable of increasing the adhesion strength between the support member and the sealing resin.

本発明は、リードフレームであって、半導体素子が搭載されるダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に互いに間隔を空けて設けられた複数のリード部と、前記複数のリード部を支持する支持部材とを備え、前記支持部材のうち、互いに隣接するリード部間に位置する領域の裏面に、段部が形成されていることを特徴とするリードフレームである。 The present invention is a lead frame, in which a die pad on which a semiconductor element is mounted, a plurality of lead portions provided around the die pad at intervals from each other, and a support member for supporting the plurality of lead portions are provided. The lead frame is characterized in that a step portion is formed on the back surface of a region of the support members located between lead portions adjacent to each other.

本発明は、前記支持部材は、支持部材表面と、前記支持部材表面の反対側に位置する支持部材裏面とを有し、前記段部は、前記支持部材表面および前記支持部材裏面に対して略平行な天面を有することを特徴とするリードフレームである。 In the present invention, the support member has a support member surface and a support member back surface located on the opposite side of the support member surface, and the step portion is substantially relative to the support member surface and the support member back surface. It is a lead frame characterized by having parallel top surfaces.

本発明は、前記支持部材は、前記支持部材表面と前記支持部材裏面との間に位置する支持部材側面を有し、前記支持部材側面は、前記天面よりも前記支持部材表面側に位置する第１側面と、前記天面よりも前記支持部材裏面側に位置する第２側面とを有し、前記第１側面および前記第２側面が、それぞれ前記支持部材表面および前記支持部材裏面に対して傾斜していることを特徴とするリードフレームである。 In the present invention, the support member has a support member side surface located between the support member front surface and the support member back surface, and the support member side surface is located closer to the support member surface side than the top surface. It has a first side surface and a second side surface located on the back surface side of the support member with respect to the top surface, and the first side surface and the second side surface are relative to the front surface of the support member and the back surface of the support member, respectively. It is a lead frame characterized by being inclined.

本発明は、前記支持部材表面は、前記ダイパッドの表面と同一平面上にあり、前記支持部材裏面は、前記ダイパッドの裏面よりも表面側に位置することを特徴とするリードフレームである。 The present invention is a lead frame characterized in that the surface of the support member is coplanar with the surface of the die pad, and the back surface of the support member is located on the front surface side of the back surface of the die pad.

本発明は、前記段部の前記天面に、裏面側に突出する突起が形成されていることを特徴とするリードフレームである。 The present invention is a lead frame characterized in that a protrusion projecting to the back surface side is formed on the top surface of the step portion.

本発明は、前記段部の前記天面に、表面側に凹む凹部が形成されていることを特徴とするリードフレームである。 The present invention is a lead frame characterized in that a recess recessed on the surface side is formed on the top surface of the step portion.

本発明は、前記複数のリード部は、第１リード部と、前記第１リード部よりも短い第２リード部とを有し、前記第１リード部と前記第２リード部とが交互に配置され、前記段部は、互いに隣接する前記第１リード部と前記第２リード部との間の前記支持部材に形成されていることを特徴とするリードフレームである。 In the present invention, the plurality of lead portions have a first lead portion and a second lead portion shorter than the first lead portion, and the first lead portion and the second lead portion are alternately arranged. The step portion is a lead frame characterized in that it is formed on the support member between the first lead portion and the second lead portion adjacent to each other.

本発明によれば、支持部材と封止樹脂との密着強度を高めることができる。 According to the present invention, the adhesion strength between the support member and the sealing resin can be increased.

図１は、本発明の第１の実施の形態によるリードフレームの全体を示す平面図。FIG. 1 is a plan view showing the entire lead frame according to the first embodiment of the present invention. 図２は、本発明の第１の実施の形態によるリードフレームのうち各半導体装置に対応する領域を示す平面図。FIG. 2 is a plan view showing a region corresponding to each semiconductor device in the lead frame according to the first embodiment of the present invention. 図３は、本発明の第１の実施の形態によるリードフレームを示す断面図（図２のIII−III線断面図）。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a lead frame according to the first embodiment of the present invention (cross-sectional view taken along line III-III of FIG. 2). 図４は、本発明の第１の実施の形態によるリードフレームを示す断面図（図２のIV−IV線断面図）。FIG. 4 is a cross-sectional view showing a lead frame according to the first embodiment of the present invention (FIG. IV-IV cross-sectional view of FIG. 2). 図５は、本発明の第１の実施の形態によるリードフレームを用いて作製された半導体装置を示す平面図。FIG. 5 is a plan view showing a semiconductor device manufactured by using the lead frame according to the first embodiment of the present invention. 図６は、本発明の第１の実施の形態によるリードフレームを用いて作製された半導体装置を示す断面図（図５のVI−VI線断面図）。FIG. 6 is a cross-sectional view (VI-VI line cross-sectional view of FIG. 5) showing a semiconductor device manufactured by using the lead frame according to the first embodiment of the present invention. 図７（ａ）−（ｅ）は、本発明の第１の実施の形態によるリードフレームの製造方法を示す断面図。7 (a)-(e) are cross-sectional views showing a method of manufacturing a lead frame according to the first embodiment of the present invention. 図８（ａ）−（ｅ）は、本発明の第１の実施の形態によるリードフレームを用いて半導体装置を製造する方法を示す断面図。8 (a)-(e) are cross-sectional views showing a method of manufacturing a semiconductor device using a lead frame according to the first embodiment of the present invention. 図９は、本発明の第２の実施の形態によるリードフレームのうち各半導体装置に対応する領域を示す平面図。FIG. 9 is a plan view showing a region corresponding to each semiconductor device in the lead frame according to the second embodiment of the present invention. 図１０は、本発明の第２の実施の形態によるリードフレームを示す断面図（図９のＸ−Ｘ線断面図）。FIG. 10 is a cross-sectional view (X-ray cross-sectional view of FIG. 9) showing a lead frame according to a second embodiment of the present invention. 図１１は、本発明の第２の実施の形態によるリードフレームの変形例を示す断面図。FIG. 11 is a cross-sectional view showing a modified example of the lead frame according to the second embodiment of the present invention. 図１２は、本発明の第２の実施の形態によるリードフレームの変形例を示す断面図。FIG. 12 is a cross-sectional view showing a modified example of the lead frame according to the second embodiment of the present invention.

（第１の実施の形態）
以下、本発明の第１の実施の形態について、図１乃至図８を参照して説明する。なお、以下の各図において、同一部分には同一の符号を付しており、一部詳細な説明を省略する場合がある。 (First Embodiment)
Hereinafter, the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 8. In each of the following figures, the same parts are designated by the same reference numerals, and some detailed description may be omitted.

リードフレームの構成
まず、図１乃至図４により、本実施の形態によるリードフレームの概略について説明する。図１乃至図４は、本実施の形態によるリードフレームを示す図である。 Configuration of Lead Frame First, the outline of the lead frame according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 4. 1 to 4 are diagrams showing lead frames according to the present embodiment.

図１に示すように、リードフレーム１０は、縦横にマトリックス状に配置された複数の単位リードフレーム１０ａを備えている。各単位リードフレーム１０ａは、それぞれ半導体装置２０（後述）に対応する領域である。各単位リードフレーム１０ａの間には、支持部材１３が介在され、支持部材１３によって各単位リードフレーム１０ａが互いに連結されている。 As shown in FIG. 1, the lead frame 10 includes a plurality of unit lead frames 10a arranged in a matrix in the vertical and horizontal directions. Each unit lead frame 10a is a region corresponding to the semiconductor device 20 (described later). A support member 13 is interposed between the unit lead frames 10a, and the unit lead frames 10a are connected to each other by the support member 13.

図２および図３に示すように、リードフレーム１０は、平面矩形状のダイパッド１１と、ダイパッド１１の周囲に設けられた複数の第１リード部１２Ａおよび複数の第２リード部１２Ｂとを備えている。なお図２において、二点鎖線で囲まれた領域が単位リードフレーム１０ａに対応する。単位リードフレーム１０ａには、それぞれ１つのダイパッド１１と、当該ダイパッド１１を取り囲む複数の第１リード部１２Ａおよび複数の第２リード部１２Ｂとが配置されている。 As shown in FIGS. 2 and 3, the lead frame 10 includes a flat rectangular die pad 11, a plurality of first lead portions 12A and a plurality of second lead portions 12B provided around the die pad 11. There is. In FIG. 2, the region surrounded by the alternate long and short dash line corresponds to the unit lead frame 10a. A die pad 11 and a plurality of first lead portions 12A and a plurality of second lead portions 12B surrounding the die pad 11 are arranged on the unit lead frame 10a, respectively.

ダイパッド１１は、平面略矩形形状を有しており、その表面には、後述する半導体素子２１が搭載される。また、ダイパッド１１の四隅には吊りリード１４が連結されており、ダイパッド１１は、この４本の吊りリード１４を介して支持部材１３に連結支持されている。一方、複数の第１リード部１２Ａおよび複数の第２リード部１２Ｂは、支持部材１３に直接連結されることによって支持されている。なお、本明細書中、「表面」とは、半導体素子２１が搭載される側の面をいい、「裏面」とは、外部の図示しない実装基板に接続される側の面をいう。 The die pad 11 has a substantially rectangular shape in a plane, and a semiconductor element 21 described later is mounted on the surface thereof. Further, hanging leads 14 are connected to the four corners of the die pad 11, and the die pad 11 is connected and supported by the support member 13 via the four hanging leads 14. On the other hand, the plurality of first lead portions 12A and the plurality of second lead portions 12B are supported by being directly connected to the support member 13. In the present specification, the “front surface” refers to the surface on the side on which the semiconductor element 21 is mounted, and the “back surface” refers to the surface on the side connected to an external mounting substrate (not shown).

本実施の形態において、少なくともダイパッド１１の中央部分にはハーフエッチング加工が施されておらず、リードフレーム１０の加工前の素材（金属基板）と同等の厚みを有している。具体的には、ダイパッド１１の中央部分の厚みは、半導体装置２０の構成にもよるが、０．０５ｍｍ以上０．５ｍｍ以下とすることができる。 In the present embodiment, at least the central portion of the die pad 11 is not half-etched, and has the same thickness as the material (metal substrate) before processing of the lead frame 10. Specifically, the thickness of the central portion of the die pad 11 can be 0.05 mm or more and 0.5 mm or less, although it depends on the configuration of the semiconductor device 20.

各第１リード部１２Ａおよび各第２リード部１２Ｂは、後述するようにボンディングワイヤ２２を介して半導体素子２１に接続されるものであり、ダイパッド１１との間に空間を介して配置されている。各第１リード部１２Ａおよび各第２リード部１２Ｂは、それぞれ支持部材１３からＸ方向又はＹ方向のいずれかに沿って延び出しており、各第１リード部１２Ａは、各第２リード部１２Ｂよりも長く構成されている。ここで、Ｘ方向、Ｙ方向とは、リードフレーム１０の面内において、ダイパッド１１の各辺に平行な二方向であり、Ｘ方向とＹ方向とは互いに直交している。また、Ｚ方向は、Ｘ方向及びＹ方向の両方に対して垂直な方向である。 Each of the first lead portions 12A and each second lead portion 12B is connected to the semiconductor element 21 via a bonding wire 22 as described later, and is arranged between the first lead portion 12A and the die pad 11 via a space. .. Each of the first lead portions 12A and each second lead portion 12B extends from the support member 13 along either the X direction or the Y direction, and each of the first lead portions 12A extends from each of the second lead portions 12B. It is configured longer than. Here, the X direction and the Y direction are two directions parallel to each side of the die pad 11 in the plane of the lead frame 10, and the X direction and the Y direction are orthogonal to each other. Further, the Z direction is a direction perpendicular to both the X direction and the Y direction.

各第１リード部１２Ａと各第２リード部１２Ｂとは、ダイパッド１１の周囲において、互いに間隔を空けて交互に配置されている。隣接する第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂ同士は、半導体装置２０（後述）の製造後に互いに電気的に絶縁される形状となっている。また、第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂは、半導体装置２０の製造後にダイパッド１１と電気的に絶縁される形状となっている。この第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂの裏面には、それぞれ外部の実装基板（図示せず）に電気的に接続される外部端子１７Ａ、１７Ｂが形成されている。各外部端子１７Ａ、１７Ｂは、半導体装置２０（後述）の製造後に、それぞれ半導体装置２０から外方に露出するようになっている。 The first lead portions 12A and the second lead portions 12B are alternately arranged around the die pad 11 at intervals from each other. The adjacent first lead portions 12A and second lead portions 12B have a shape that is electrically insulated from each other after the semiconductor device 20 (described later) is manufactured. Further, the first lead portion 12A and the second lead portion 12B have a shape that is electrically insulated from the die pad 11 after the semiconductor device 20 is manufactured. External terminals 17A and 17B electrically connected to an external mounting board (not shown) are formed on the back surfaces of the first lead portion 12A and the second lead portion 12B, respectively. Each of the external terminals 17A and 17B is exposed to the outside from the semiconductor device 20 after the semiconductor device 20 (described later) is manufactured.

第１リード部１２Ａの外部端子１７Ａ及び第２リード部１２Ｂの外部端子１７Ｂは、隣り合う第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂ間で内側および外側に位置するよう、平面から見て交互に千鳥状に配置されている。またダイパッド１１の周囲において、相対的に長い第１リード部１２Ａと、相対的に短い第２リード部１２Ｂとが、全周にわたり交互に配置されている。これにより、第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂの外部端子１７Ａ、１７Ｂが、隣接する第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂに短絡する不具合が防止される。 The external terminals 17A of the first lead portion 12A and the external terminals 17B of the second lead portion 12B are alternately located inside and outside between the adjacent first lead portion 12A and the second lead portion 12B when viewed from a plane. They are arranged in a staggered pattern. Further, around the die pad 11, relatively long first lead portions 12A and relatively short second lead portions 12B are alternately arranged over the entire circumference. As a result, it is possible to prevent a problem that the external terminals 17A and 17B of the first lead portion 12A and the second lead portion 12B are short-circuited to the adjacent first lead portion 12A and the second lead portion 12B.

次に、図２乃至図４を参照して、第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂの構成について更に説明する。 Next, the configurations of the first lead portion 12A and the second lead portion 12B will be further described with reference to FIGS. 2 to 4.

図２および図３に示すように、第１リード部１２Ａは、接続リード５２と、接続リード５２よりも広い幅を有する端子部５３とを有している。端子部５３の表面には内部端子１５Ａが形成されている。この内部端子１５Ａは、後述するようにボンディングワイヤ２２を介して半導体素子２１に電気的に接続される領域となっている。内部端子１５Ａ上には、ボンディングワイヤ２２との密着性を向上させるめっき部が設けられていても良い。また、端子部５３の裏面には上述した外部端子１７Ａが形成されている。 As shown in FIGS. 2 and 3, the first lead portion 12A has a connection lead 52 and a terminal portion 53 having a width wider than that of the connection lead 52. An internal terminal 15A is formed on the surface of the terminal portion 53. The internal terminal 15A is a region electrically connected to the semiconductor element 21 via a bonding wire 22 as described later. A plated portion for improving the adhesion with the bonding wire 22 may be provided on the internal terminal 15A. Further, the above-mentioned external terminal 17A is formed on the back surface of the terminal portion 53.

接続リード５２は、端子部５３よりも外側（支持部材１３側）に位置しており、その外端部は支持部材１３に連結されている。接続リード５２は、当該接続リード５２が連結される支持部材１３に対して垂直に延びている。 The connection lead 52 is located on the outer side (support member 13 side) of the terminal portion 53, and its outer end portion is connected to the support member 13. The connection lead 52 extends perpendicular to the support member 13 to which the connection lead 52 is connected.

図３に示すように、第１リード部１２Ａの接続リード５２は、それぞれ裏面側からハーフエッチングされることにより薄肉に形成されている。他方、端子部５３は、ハーフエッチングされることなく、ダイパッド１１および支持部材１３と同一の厚みを有している。このように、接続リード５２の厚さが端子部５３の厚さよりも薄いことにより、幅の狭い第１リード部１２Ａを精度良く形成することができ、小型でピン数の多い半導体装置２０を得ることができる。なお、ハーフエッチングとは、被エッチング材料をその厚み方向に途中までエッチングすることをいう。 As shown in FIG. 3, the connection leads 52 of the first lead portion 12A are each formed to be thin by half-etching from the back surface side. On the other hand, the terminal portion 53 has the same thickness as the die pad 11 and the support member 13 without being half-etched. As described above, since the thickness of the connection lead 52 is thinner than the thickness of the terminal portion 53, the narrow first lead portion 12A can be formed with high accuracy, and a small semiconductor device 20 having a large number of pins can be obtained. be able to. In addition, half etching means etching the material to be etched halfway in the thickness direction thereof.

図２および図３に示すように、第２リード部１２Ｂは、端子部６３を有している。この端子部６３の外側端部は支持部材１３に連結されており、端子部６３は支持部材１３に対して垂直に延びている。端子部６３の表面には内部端子１５Ｂが形成されている。この内部端子１５Ｂは、後述するようにボンディングワイヤ２２を介して半導体素子２１に電気的に接続される領域となっている。内部端子１５Ｂは、平面視で長方形と半円とを合わせた形状を有している。内部端子１５Ｂ上には、ボンディングワイヤ２２との密着性を向上させるめっき部が設けられていても良い。また、端子部６３の裏面には上述した外部端子１７Ｂが形成されている。 As shown in FIGS. 2 and 3, the second lead portion 12B has a terminal portion 63. The outer end of the terminal portion 63 is connected to the support member 13, and the terminal portion 63 extends perpendicular to the support member 13. An internal terminal 15B is formed on the surface of the terminal portion 63. The internal terminal 15B is a region electrically connected to the semiconductor element 21 via a bonding wire 22 as described later. The internal terminal 15B has a shape in which a rectangle and a semicircle are combined in a plan view. A plated portion for improving the adhesion with the bonding wire 22 may be provided on the internal terminal 15B. Further, the above-mentioned external terminal 17B is formed on the back surface of the terminal portion 63.

次に、図４を参照して、支持部材１３の断面形状について説明する。図４は、支持部材１３の長手方向に対して垂直な断面であって、互いに隣接する第１リード部１２Ａと第２リード部１２Ｂとの間における断面を示している。 Next, the cross-sectional shape of the support member 13 will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a cross section perpendicular to the longitudinal direction of the support member 13, and shows a cross section between the first lead portion 12A and the second lead portion 12B adjacent to each other.

図４に示すように、支持部材１３は、支持部材表面６５と、支持部材裏面６６と、支持部材表面６５と支持部材裏面６６との間に位置する支持部材側面６７とを有している。この場合、支持部材１３は素材（金属基板３１）と同一の厚みｔＢを有している。支持部材表面６５および支持部材裏面６６は、それぞれ未加工の素材面（金属基板３１の表面および裏面）からなる。また、支持部材表面６５および支持部材裏面６６は、それぞれダイパッド１１の表面および裏面と同一平面上に位置している。 As shown in FIG. 4, the support member 13 has a support member front surface 65, a support member back surface 66, and a support member side surface 67 located between the support member front surface 65 and the support member back surface 66. In this case, the supporting member 13 has the same thickness t B and material (metal substrate 31). The support member front surface 65 and the support member back surface 66 are each composed of an unprocessed material surface (front surface and back surface of the metal substrate 31). Further, the support member front surface 65 and the support member back surface 66 are located on the same plane as the front surface and the back surface of the die pad 11, respectively.

図４に示すように、支持部材１３のうち、互いに隣接する第１リード部１２Ａと第２リード部１２Ｂとの間に位置する領域の裏面に、段部７５が形成されている。段部７５は、支持部材裏面６６側からハーフエッチングされることにより形成されたものである。段部７５は、第１リード部１２Ａと第２リード部１２Ｂとの間において、支持部材１３の長手方向全域にわたって形成されている。また段部７５は、第１リード部１２Ａと第２リード部１２Ｂとの間となる全ての箇所に設けられている。これにより、支持部材１３の長手方向全体にわたって支持部材１３と封止樹脂２３とを強固に密着させることができる。 As shown in FIG. 4, a step portion 75 is formed on the back surface of a region of the support member 13 located between the first lead portion 12A and the second lead portion 12B adjacent to each other. The step portion 75 is formed by half-etching from the back surface 66 side of the support member. The step portion 75 is formed between the first lead portion 12A and the second lead portion 12B over the entire length direction of the support member 13. Further, the step portion 75 is provided at all locations between the first lead portion 12A and the second lead portion 12B. As a result, the support member 13 and the sealing resin 23 can be firmly adhered to each other over the entire longitudinal direction of the support member 13.

このように、支持部材１３のうち第１リード部１２Ａと第２リード部１２Ｂとの間に段部７５が形成されているので、段部７５を裏面側から覆うように封止樹脂２３（後述）が充填される。これにより、段部７５がアンカーとしての効果を発揮し、支持部材１３と封止樹脂２３とを強固に密着させることができる。 As described above, since the step portion 75 is formed between the first lead portion 12A and the second lead portion 12B of the support member 13, the sealing resin 23 (described later) covers the step portion 75 from the back surface side. ) Is filled. As a result, the step portion 75 exerts an effect as an anchor, and the support member 13 and the sealing resin 23 can be firmly adhered to each other.

また段部７５は、支持部材表面６５および支持部材裏面６６に対して略平行な天面７６を有している。天面７６は、支持部材表面６５と支持部材裏面６６との間に位置している。天面７６は、支持部材表面６５と支持部材裏面６６との中間位置にあっても良く、あるいは中間位置よりも支持部材表面６５側又は支持部材裏面６６側に位置していても良い。天面７６と支持部材表面６５との距離ｔＡは、例えば支持部材１３の厚み（金属基板３１の厚み）ｔＢの４０％以上６０％以下とすることが好ましい。天面７６の幅ｗＡ（支持部材１３の長手方向に垂直な長さ）は、例えば２０μｍ以上１００μｍ以下であっても良い。 Further, the step portion 75 has a top surface 76 substantially parallel to the support member front surface 65 and the support member back surface 66. The top surface 76 is located between the support member front surface 65 and the support member back surface 66. The top surface 76 may be located at an intermediate position between the support member front surface 65 and the support member back surface 66, or may be located on the support member front surface 65 side or the support member back surface 66 side from the intermediate position. The distance t A between the top surface 76 and the surface 65 of the support member is preferably 40% or more and 60% or less of the thickness t B of the support member 13 (thickness of the metal substrate 31), for example. The width w A of the top surface 76 (the length perpendicular to the longitudinal direction of the support member 13) may be, for example, 20 μm or more and 100 μm or less.

支持部材表面６５および支持部材裏面６６は、それぞれ支持部材１３の長手方向に略直線状に平行に延びる内側縁部６５ａ、６６ａを有している。支持部材表面６５の内側縁部６５ａは、支持部材裏面６６の内側縁部６６ａよりも内側（ダイパッド１１側）に位置している。したがって支持部材１３の幅（支持部材１３の長手方向に垂直な長さ）は、裏面側よりも表面側が太くなっている。支持部材表面６５の内側縁部６５ａと支持部材裏面６６の内側縁部６６ａとの間の幅ｗＢ（支持部材１３の長手方向に垂直な長さ）は、例えば４０μｍ以上１２０μｍ以下であっても良い。上述した天面７６の幅ｗＡは、支持部材表面６５と支持部材裏面６６との間の幅ｗＢの例えば５％以上７０％以下とすることが好ましい。 The support member front surface 65 and the support member back surface 66 have inner edge portions 65a and 66a extending in parallel with each other in the longitudinal direction of the support member 13, respectively. The inner edge portion 65a of the support member front surface 65 is located inside (die pad 11 side) of the inner edge portion 66a of the support member back surface 66. Therefore, the width of the support member 13 (the length perpendicular to the longitudinal direction of the support member 13) is thicker on the front surface side than on the back surface side. Even if the width w B (the length perpendicular to the longitudinal direction of the support member 13) between the inner edge portion 65a of the support member front surface 65 and the inner edge portion 66a of the support member back surface 66 is, for example, 40 μm or more and 120 μm or less. good. The width w A of the top surface 76 described above is preferably 5% or more and 70% or less of the width w B between the front surface 65 of the support member and the back surface 66 of the support member.

支持部材側面６７は、天面７６よりも支持部材表面６５側に位置する第１側面６８と、天面７６よりも支持部材裏面６６側に位置する第２側面６９とを有している。各第１側面６８は、天面７６から支持部材表面６５まで延び、各第２側面６９は、天面７６から支持部材裏面６６まで延びている。第１側面６８および第２側面６９は、それぞれ支持部材表面６５および支持部材裏面６６に対して傾斜して延びている。これにより、支持部材１３と封止樹脂２３との接触面積を増加し、支持部材１３が封止樹脂２３から剥離しにくいようになっている。 The support member side surface 67 has a first side surface 68 located on the support member surface 65 side of the top surface 76, and a second side surface 69 located on the support member back surface 66 side of the top surface 76. Each first side surface 68 extends from the top surface 76 to the support member surface 65, and each second side surface 69 extends from the top surface 76 to the support member back surface 66. The first side surface 68 and the second side surface 69 extend at an angle with respect to the support member front surface 65 and the support member back surface 66, respectively. As a result, the contact area between the support member 13 and the sealing resin 23 is increased, and the support member 13 is less likely to be peeled off from the sealing resin 23.

また第１側面６８は、一対の湾曲部６８ａ、６８ｂと、一対の湾曲部６８ａ、６８ｂの間に位置するとともに断面略直線状の中間部６８ｃとを有している。このうち湾曲部６８ａは支持部材表面６５に連続して形成され、湾曲部６８ｂは天面７６に連続して形成されている。さらに第２側面６９は、一対の湾曲部６９ａ、６９ｂと、一対の湾曲部６９ａ、６９ｂの間に位置するとともに断面略直線状の中間部６９ｃとを有している。このうち湾曲部６９ａは天面７６に連続して形成され、湾曲部６９ｂは支持部材裏面６６に連続して形成されている。このように第１側面６８及び第２側面６９の形状に凹凸が設けられていることにより、支持部材１３と封止樹脂２３との接触面積を増加し、支持部材１３と封止樹脂２３とを強固に密着させることができる。 Further, the first side surface 68 has an intermediate portion 68c located between the pair of curved portions 68a and 68b and the pair of curved portions 68a and 68b and having a substantially linear cross section. Of these, the curved portion 68a is continuously formed on the surface 65 of the support member, and the curved portion 68b is continuously formed on the top surface 76. Further, the second side surface 69 has an intermediate portion 69c located between the pair of curved portions 69a and 69b and the pair of curved portions 69a and 69b and having a substantially linear cross section. Of these, the curved portion 69a is continuously formed on the top surface 76, and the curved portion 69b is continuously formed on the back surface 66 of the support member. By providing irregularities in the shapes of the first side surface 68 and the second side surface 69 in this way, the contact area between the support member 13 and the sealing resin 23 is increased, and the support member 13 and the sealing resin 23 are separated from each other. Can be firmly adhered.

以上説明したリードフレーム１０は、全体として銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４２％のＦｅ合金）等の金属から構成されている。また、リードフレーム１０の厚みは、製造する半導体装置２０の構成にもよるが、５０μｍ以上５００μｍ以下、好ましくは８０μｍ以上２００μｍ以下とすることができる。 The lead frame 10 described above is composed of a metal such as copper, a copper alloy, and a 42 alloy (Ni 42% Fe alloy) as a whole. The thickness of the lead frame 10 can be 50 μm or more and 500 μm or less, preferably 80 μm or more and 200 μm or less, although it depends on the configuration of the semiconductor device 20 to be manufactured.

なお、本実施の形態において、第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂは、ダイパッド１１の４辺全てに沿って配置されているが（図１参照）、これに限られるものではなく、例えばダイパッド１１の対向する２辺のみに沿って配置されていても良い。 In the present embodiment, the first lead portion 12A and the second lead portion 12B are arranged along all four sides of the die pad 11 (see FIG. 1), but the present invention is not limited to this, for example. It may be arranged along only two opposing sides of the die pad 11.

半導体装置の構成
次に、図５および図６により、本実施の形態によるリードフレーム１０を用いて作製される半導体装置について説明する。図５および図６は、半導体装置（ＤＲ−ＱＦＮ（Dual Row QFN）タイプ）を示す図である。 Configuration of Semiconductor Device Next, a semiconductor device manufactured by using the lead frame 10 according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 5 and 6. 5 and 6 are diagrams showing a semiconductor device (DR-QFN (Dual Row QFN) type).

図５および図６に示すように、半導体装置（半導体パッケージ）２０は、ダイパッド１１と、ダイパッド１１の周囲に配置された複数の第１リード部１２Ａ及び複数の第２リード部１２Ｂと、ダイパッド１１上に搭載された半導体素子２１と、第１リード部１２Ａ又は第２リード部１２Ｂと半導体素子２１とを電気的に接続する複数のボンディングワイヤ（接続部材）２２とを備えている。また、ダイパッド１１、第１リード部１２Ａ、第２リード部１２Ｂ、半導体素子２１およびボンディングワイヤ２２は、封止樹脂２３によって樹脂封止されている。 As shown in FIGS. 5 and 6, the semiconductor device (semiconductor package) 20 includes a die pad 11, a plurality of first lead portions 12A and a plurality of second lead portions 12B arranged around the die pad 11, and a die pad 11. The semiconductor element 21 mounted above and a plurality of bonding wires (connecting members) 22 for electrically connecting the first lead portion 12A or the second lead portion 12B and the semiconductor element 21 are provided. Further, the die pad 11, the first lead portion 12A, the second lead portion 12B, the semiconductor element 21, and the bonding wire 22 are resin-sealed with the sealing resin 23.

このうちダイパッド１１、第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂは、上述したリードフレーム１０から作製されたものである。このダイパッド１１、第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂの構成は、半導体装置２０に含まれない領域を除き、上述した図１乃至図４に示すものと同様であるため、ここでは詳細な説明を省略する。なお、支持部材１３は、半導体装置２０には含まれない。 Of these, the die pad 11, the first lead portion 12A, and the second lead portion 12B are manufactured from the lead frame 10 described above. The configurations of the die pad 11, the first lead portion 12A, and the second lead portion 12B are the same as those shown in FIGS. 1 to 4 described above except for the region not included in the semiconductor device 20, and thus are detailed here. The explanation is omitted. The support member 13 is not included in the semiconductor device 20.

また、半導体素子２１としては、従来一般に用いられている各種半導体素子を使用することが可能であり、特に限定されないが、例えば集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード等を用いることができる。この半導体素子２１は、各々ボンディングワイヤ２２が取り付けられる複数の電極２１ａを有している。また、半導体素子２１は、例えばダイボンディングペースト等の接着剤２４により、ダイパッド１１の表面に固定されている。 Further, as the semiconductor element 21, various semiconductor elements generally used in the past can be used, and the present invention is not particularly limited, but for example, an integrated circuit, a large-scale integrated circuit, a transistor, a thyristor, a diode, or the like can be used. can. Each of the semiconductor elements 21 has a plurality of electrodes 21a to which the bonding wires 22 are attached. Further, the semiconductor element 21 is fixed to the surface of the die pad 11 with an adhesive 24 such as a die bonding paste.

各ボンディングワイヤ２２は、例えば金、銅等の導電性の良い材料からなっている。各ボンディングワイヤ２２は、それぞれその一端が半導体素子２１の電極２１ａに接続されるとともに、その他端が各第１リード部１２Ａの内部端子１５Ａ又は第２リード部１２Ｂの内部端子１５Ｂにそれぞれ接続されている。なお、内部端子１５Ａ、１５Ｂには、ボンディングワイヤ２２と密着性を向上させるめっき部が設けられていても良い。 Each bonding wire 22 is made of a highly conductive material such as gold or copper. One end of each bonding wire 22 is connected to the electrode 21a of the semiconductor element 21, and the other end is connected to the internal terminal 15A of each first lead portion 12A or the internal terminal 15B of the second lead portion 12B, respectively. There is. The internal terminals 15A and 15B may be provided with a plated portion for improving the adhesion with the bonding wire 22.

封止樹脂２３としては、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂、あるいはＰＰＳ樹脂等の熱可塑性樹脂を用いることができる。封止樹脂２３全体の厚みは、３００μｍ以上１２００μｍ以下程度とすることができる。また、封止樹脂２３の一辺（半導体装置２０の一辺）は、例えば８ｍｍ以上１６ｍｍ以下することができる。なお、図５において、封止樹脂２３のうち、ダイパッド１１、第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂよりも表面側に位置する部分の表示を省略している。 As the sealing resin 23, a thermosetting resin such as a silicone resin or an epoxy resin, or a thermoplastic resin such as a PPS resin can be used. The thickness of the entire sealing resin 23 can be about 300 μm or more and 1200 μm or less. Further, one side of the sealing resin 23 (one side of the semiconductor device 20) can be, for example, 8 mm or more and 16 mm or less. In FIG. 5, the display of the portion of the sealing resin 23 located on the surface side of the die pad 11, the first lead portion 12A, and the second lead portion 12B is omitted.

リードフレームの製造方法
次に、図１乃至図４に示すリードフレーム１０の製造方法について、図７（ａ）−（ｅ）を用いて説明する。なお、図７（ａ）−（ｅ）は、リードフレーム１０の製造方法を示す断面図（図３に対応する図）である。 Method for Manufacturing Lead Frame Next, the method for manufacturing the lead frame 10 shown in FIGS. 1 to 4 will be described with reference to FIGS. 7 (a) and 7 (e). 7 (a)-(e) are cross-sectional views (corresponding to FIG. 3) showing a method of manufacturing the lead frame 10.

まず図７（ａ）に示すように、平板状の金属基板３１を準備する。この金属基板３１としては、銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４２％のＦｅ合金）等の金属からなる基板を使用することができる。なお金属基板３１は、その両面に対して脱脂等を行い、洗浄処理を施したものを使用することが好ましい。 First, as shown in FIG. 7A, a flat metal substrate 31 is prepared. As the metal substrate 31, a substrate made of a metal such as copper, a copper alloy, or a 42 alloy (Ni 42% Fe alloy) can be used. It is preferable to use a metal substrate 31 which has been subjected to a cleaning treatment by degreasing or the like on both sides thereof.

次に、金属基板３１の表裏全体にそれぞれ感光性レジスト３２ａ、３３ａを塗布し、これを乾燥する（図７（ｂ））。なお感光性レジスト３２ａ、３３ａとしては、従来公知のものを使用することができる。 Next, photosensitive resists 32a and 33a are applied to the entire front and back surfaces of the metal substrate 31, and the resists 32a and 33a are dried (FIG. 7 (b)). As the photosensitive resists 32a and 33a, conventionally known ones can be used.

続いて、この金属基板３１に対してフォトマスクを介して露光し、現像することにより、所望の開口部３２ｂ、３３ｂを有するエッチング用レジスト層３２、３３を形成する（図７（ｃ））。 Subsequently, the metal substrate 31 is exposed to a photomask and developed to form etching resist layers 32 and 33 having desired openings 32b and 33b (FIG. 7 (c)).

次に、エッチング用レジスト層３２、３３を耐腐蝕膜として金属基板３１に腐蝕液でエッチングを施す（図７（ｄ））。これにより、ダイパッド１１、第１リード部１２Ａ、第２リード部１２Ｂ及び支持部材１３の外形が形成される。このとき、エッチング用レジスト層３２、３３の形状を適宜調整することにより、支持部材１３の裏面側に段部７５が形成される。なお、腐蝕液は、使用する金属基板３１の材質に応じて適宜選択することができ、例えば、金属基板３１として銅を用いる場合、通常、塩化第二鉄水溶液を使用し、金属基板３１の両面からスプレーエッチングを行うことができる。 Next, the metal substrate 31 is etched with a corrosive liquid using the resist layers 32 and 33 for etching as corrosion resistant films (FIG. 7 (d)). As a result, the outer shapes of the die pad 11, the first lead portion 12A, the second lead portion 12B, and the support member 13 are formed. At this time, by appropriately adjusting the shapes of the etching resist layers 32 and 33, the step portion 75 is formed on the back surface side of the support member 13. The corrosion liquid can be appropriately selected according to the material of the metal substrate 31 to be used. For example, when copper is used as the metal substrate 31, an aqueous ferric chloride solution is usually used and both sides of the metal substrate 31 are used. Can be spray etched from.

その後、エッチング用レジスト層３２、３３を剥離して除去することにより、図１乃至図４に示すリードフレーム１０が得られる。（図７（ｅ））。 Then, by peeling off and removing the etching resist layers 32 and 33, the lead frame 10 shown in FIGS. 1 to 4 can be obtained. (Fig. 7 (e)).

なお、上記においては、金属基板３１の両面側からスプレーエッチングを行う場合を例にとって説明したが、これに限られるものではない。例えば、金属基板３１の片面ずつ２段階のスプレーエッチングを行っても良い。具体的には、まず金属基板３１の表面側の全体に第１エッチング用レジスト層を設けるとともに、裏面側に所定のパターンをもつ第２エッチング用レジスト層を形成し、金属基板３１の裏面側のみエッチングを施す。次に、第１及び第２エッチング用レジスト層を除去するとともに、金属基板３１の裏面側に耐エッチング性のある樹脂からなる封止層を設ける。続いて、金属基板３１の表面側に所定のパターンをもつ第３エッチング用レジスト層を形成し、この状態で金属基板３１の表面側のみエッチングを施す。その後、裏面側の封止層を剥離することにより、リードフレーム１０の外形が形成される。このように金属基板３１の片面ずつスプレーエッチングを行うことにより、第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂの変形を回避しやすいという効果が得られる。 In the above description, the case where spray etching is performed from both sides of the metal substrate 31 has been described as an example, but the present invention is not limited to this. For example, two-step spray etching may be performed on each side of the metal substrate 31. Specifically, first, a first etching resist layer is provided on the entire front surface side of the metal substrate 31, and a second etching resist layer having a predetermined pattern is formed on the back surface side, and only the back surface side of the metal substrate 31 is formed. Etching is applied. Next, the first and second etching resist layers are removed, and a sealing layer made of an etching-resistant resin is provided on the back surface side of the metal substrate 31. Subsequently, a third etching resist layer having a predetermined pattern is formed on the surface side of the metal substrate 31, and in this state, only the surface side of the metal substrate 31 is etched. After that, the outer shape of the lead frame 10 is formed by peeling off the sealing layer on the back surface side. By performing spray etching on each side of the metal substrate 31 in this way, it is possible to easily avoid deformation of the first lead portion 12A and the second lead portion 12B.

半導体装置の製造方法
次に、図５および図６に示す半導体装置２０の製造方法について、図８（ａ）−（ｅ）を用いて説明する。 Manufacturing Method of Semiconductor Device Next, the manufacturing method of the semiconductor device 20 shown in FIGS. 5 and 6 will be described with reference to FIGS. 8A and 8E.

まず上述した、図７（ａ）−（ｅ）に示す方法により、リードフレーム１０を作製する（図８（ａ））。 First, the lead frame 10 is manufactured by the method shown in FIGS. 7 (a)-(e) described above (FIG. 8 (a)).

次に、リードフレーム１０のダイパッド１１上に、半導体素子２１を搭載する。この場合、例えばダイボンディングペースト等の接着剤２４を用いて、半導体素子２１をダイパッド１１上に載置して固定する（ダイアタッチ工程）（図８（ｂ））。 Next, the semiconductor element 21 is mounted on the die pad 11 of the lead frame 10. In this case, the semiconductor element 21 is placed and fixed on the die pad 11 by using an adhesive 24 such as a die bonding paste (diaattachment step) (FIG. 8 (b)).

次に、半導体素子２１の各電極２１ａと、各第１リード部１２Ａの内部端子１５Ａ及び第２リード部１２Ｂの内部端子１５Ｂとを、それぞれボンディングワイヤ（接続部材）２２によって互いに電気的に接続する（ワイヤボンディング工程）（図８（ｃ））。 Next, each electrode 21a of the semiconductor element 21 and the internal terminal 15A of each first lead portion 12A and the internal terminal 15B of the second lead portion 12B are electrically connected to each other by a bonding wire (connecting member) 22, respectively. (Wire bonding step) (FIG. 8 (c)).

このとき、リードフレーム１０をワイヤボンディング装置のヒートブロック３６上に載置する。次いで、ヒートブロック３６により第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂを裏面側から加熱する。これとともに、ワイヤボンディング装置のキャピラリー（図示せず）を介して超音波を印加しながら、半導体素子２１の各電極２１ａと各第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂとをボンディングワイヤ２２を用いて電気的に接続する。 At this time, the lead frame 10 is placed on the heat block 36 of the wire bonding apparatus. Next, the heat block 36 heats the first lead portion 12A and the second lead portion 12B from the back surface side. At the same time, while applying ultrasonic waves through the capillary (not shown) of the wire bonding apparatus, each electrode 21a of the semiconductor element 21 and each of the first lead portions 12A and the second lead portion 12B are bonded to each other by using the bonding wire 22. And electrically connect.

次に、リードフレーム１０に対して熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂を射出成形またはトランスファ成形することにより、封止樹脂２３を形成する（図８（ｄ））。このようにして、リードフレーム１０、半導体素子２１、第１リード部１２Ａ、第２リード部１２Ｂおよびボンディングワイヤ２２を封止する。 Next, the sealing resin 23 is formed by injection molding or transfer molding a thermosetting resin or a thermoplastic resin on the lead frame 10 (FIG. 8 (d)). In this way, the lead frame 10, the semiconductor element 21, the first lead portion 12A, the second lead portion 12B, and the bonding wire 22 are sealed.

次に、各半導体素子２１間の封止樹脂２３をダイシングすることにより、リードフレーム１０を各半導体装置２０毎に分離する。この際、例えばダイヤモンド砥石からなるブレード（図示せず）を回転させながら、各半導体装置２０間のリードフレーム１０および封止樹脂２３を切断しても良い。このように、リードフレーム１０および封止樹脂２３を切断することにより、半導体装置２０が個片化され、支持部材１３は各半導体装置２０から分離されかつ除去される。 Next, the lead frame 10 is separated for each semiconductor device 20 by dicing the sealing resin 23 between the semiconductor elements 21. At this time, the lead frame 10 and the sealing resin 23 between the semiconductor devices 20 may be cut while rotating a blade (not shown) made of, for example, a diamond grindstone. By cutting the lead frame 10 and the sealing resin 23 in this way, the semiconductor device 20 is fragmented, and the support member 13 is separated and removed from each semiconductor device 20.

このようにして、図５および図６に示す半導体装置２０が得られる（図８（ｅ））。 In this way, the semiconductor device 20 shown in FIGS. 5 and 6 is obtained (FIG. 8 (e)).

ところで、ブレードを用いてリードフレーム１０および封止樹脂２３を切断して半導体装置２０を個片化することにより、第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂもそれぞれ切断される。しかしながら、仮に、支持部材１３と封止樹脂２３との密着性が不十分であると、リードフレーム１０および封止樹脂２３が切断された際、第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂや支持部材１３にクラックや剥離（デラミ）が発生してしまうおそれがある。これに対して本実施の形態によれば、支持部材１３のうち、互いに隣接する第１リード部１２Ａと第２リード部１２Ｂとの間に位置する領域の裏面に、段部７５が形成されている。これにより、段部７５がアンカーとしての機能を発揮するので、支持部材１３のうち第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂに隣接する箇所と封止樹脂２３との密着性を高めることができる。このため、支持部材１３と封止樹脂２３とが強固に接着し、半導体装置２０を個片化する際に第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂや支持部材１３にクラックや剥離が生じる不具合を防止することができる。 By the way, by cutting the lead frame 10 and the sealing resin 23 with a blade to separate the semiconductor device 20, the first lead portion 12A and the second lead portion 12B are also cut, respectively. However, if the adhesion between the support member 13 and the sealing resin 23 is insufficient, when the lead frame 10 and the sealing resin 23 are cut, the first lead portion 12A and the second lead portion 12B and the support There is a risk that cracks or peeling (delamination) may occur in the member 13. On the other hand, according to the present embodiment, the step portion 75 is formed on the back surface of the region of the support member 13 located between the first lead portion 12A and the second lead portion 12B adjacent to each other. There is. As a result, since the step portion 75 functions as an anchor, it is possible to improve the adhesion between the portion of the support member 13 adjacent to the first lead portion 12A and the second lead portion 12B and the sealing resin 23. .. Therefore, the support member 13 and the sealing resin 23 are firmly adhered to each other, and when the semiconductor device 20 is separated into individual pieces, the first lead portion 12A, the second lead portion 12B, and the support member 13 are cracked or peeled off. Can be prevented.

また、本実施の形態によれば、段部７５は、支持部材表面６５および支持部材裏面６６に対して略平行な天面７６を有する。これにより、封止樹脂２３が天面７６を覆うように充填されるので、支持部材１３と封止樹脂２３とを強固に密着させることができる。 Further, according to the present embodiment, the step portion 75 has a top surface 76 substantially parallel to the support member front surface 65 and the support member back surface 66. As a result, the sealing resin 23 is filled so as to cover the top surface 76, so that the support member 13 and the sealing resin 23 can be firmly adhered to each other.

さらに、本実施の形態によれば、支持部材側面６７の第１側面６８および第２側面６９が、それぞれ支持部材表面６５および支持部材裏面６６に対して傾斜しているので、支持部材側面６７の表面積を増大し、支持部材１３と封止樹脂２３とをより密着させやすくすることができる。 Further, according to the present embodiment, since the first side surface 68 and the second side surface 69 of the support member side surface 67 are inclined with respect to the support member surface 65 and the support member back surface 66, respectively, the support member side surface 67 The surface area can be increased, and the support member 13 and the sealing resin 23 can be more easily brought into close contact with each other.

さらに、本実施の形態によれば、段部７５は、第１リード部１２Ａと第２リード部１２Ｂとの間の支持部材１３に形成されているので、第１リード部１２Ａと第２リード部１２Ｂとの間において、支持部材１３と封止樹脂２３とを強固に密着させることができる。 Further, according to the present embodiment, since the step portion 75 is formed on the support member 13 between the first lead portion 12A and the second lead portion 12B, the first lead portion 12A and the second lead portion 12A and the second lead portion 12B are formed. The support member 13 and the sealing resin 23 can be firmly adhered to each other between the 12B and the 12B.

（第２の実施の形態）
次に、図９および図１０を参照して本発明の第２の実施の形態について説明する。図９および図１０は本発明の第２の実施の形態を示す図である。図９および図１０に示す第２の実施の形態は、支持部材１３が薄肉化されている点が異なるものであり、他の構成は上述した第１の実施の形態と略同一である。図９および図１０において、第１の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。 (Second Embodiment)
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 9 and 10. 9 and 10 are views showing a second embodiment of the present invention. The second embodiment shown in FIGS. 9 and 10 is different in that the support member 13 is thinned, and the other configurations are substantially the same as those of the first embodiment described above. In FIGS. 9 and 10, the same parts as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

図９に示すように、本実施の形態によるリードフレーム１０Ａにおいて、支持部材１３はコネクティングバーからなり、第１の実施の形態の場合よりも幅が細く形成されている。支持部材１３の幅ｗｃは、例えば１００ｍｍ以上４００ｍｍ以下である。 As shown in FIG. 9, in the lead frame 10A according to the present embodiment, the support member 13 is formed of a connecting bar and is formed to be narrower than that of the first embodiment. The width w c of the support member 13 is, for example, 100 mm or more and 400 mm or less.

次に、図１０を参照して、支持部材１３の断面形状について説明する。図１０は、支持部材１３の長手方向に対して垂直な断面であって、互いに隣接する第１リード部１２Ａと第２リード部１２Ｂとの間における断面を示している。 Next, the cross-sectional shape of the support member 13 will be described with reference to FIG. FIG. 10 is a cross section perpendicular to the longitudinal direction of the support member 13, and shows a cross section between the first lead portion 12A and the second lead portion 12B adjacent to each other.

図１０に示すように、支持部材１３は、支持部材表面６５と、支持部材裏面６６と、支持部材表面６５と支持部材裏面６６との間に位置する支持部材側面６７とを有している。この場合、支持部材１３は、裏面側からハーフエッチングにより薄肉に形成されている。支持部材１３は素材（金属基板３１）の厚みｔＢよりも薄い厚みｔｃを有している。この厚みｔｃは、支持部材１３の長手方向に沿って略均一となっている。厚みｔｃは、具体的には例えば３０μｍ以上１０５μｍ以下であっても良い。 As shown in FIG. 10, the support member 13 has a support member front surface 65, a support member back surface 66, and a support member side surface 67 located between the support member front surface 65 and the support member back surface 66. In this case, the support member 13 is formed to be thin by half etching from the back surface side. The support member 13 has a thickness t c thinner than the thickness t B of the material (metal substrate 31). The thickness t c is substantially uniform along the longitudinal direction of the support member 13. Specifically, the thickness t c may be, for example, 30 μm or more and 105 μm or less.

支持部材１３の支持部材表面６５は、未加工の素材面（金属基板３１の表面）からなる。また、支持部材表面６５は、それぞれダイパッド１１の表面と同一平面上に位置している。一方、支持部材裏面６６は、ハーフエッチングされることにより形成された面であり、平坦面となっている。支持部材裏面６６は、ダイパッド１１の裏面よりも表面側（Ｚ方向プラス側）に位置している。なお、図１０の仮想線は、ダイパッド１１の裏面（金属基板３１の裏面）が存在する平面を示している（図１１及び図１２においても同様）。 The support member surface 65 of the support member 13 is made of an unprocessed material surface (surface of the metal substrate 31). Further, the support member surface 65 is located on the same plane as the surface of the die pad 11. On the other hand, the back surface 66 of the support member is a surface formed by half-etching and is a flat surface. The back surface 66 of the support member is located on the front surface side (plus side in the Z direction) of the back surface of the die pad 11. The virtual line in FIG. 10 indicates a plane on which the back surface of the die pad 11 (the back surface of the metal substrate 31) exists (the same applies to FIGS. 11 and 12).

支持部材１３のうち、互いに隣接する第１リード部１２Ａと第２リード部１２Ｂとの間に位置する領域の裏面に、段部７５が形成されている。これにより、段部７５がアンカーとしての効果を発揮し、支持部材１３と封止樹脂２３とを強固に密着させることができる。 A step portion 75 is formed on the back surface of a region of the support member 13 located between the first lead portion 12A and the second lead portion 12B adjacent to each other. As a result, the step portion 75 exerts an effect as an anchor, and the support member 13 and the sealing resin 23 can be firmly adhered to each other.

また段部７５は、支持部材表面６５および支持部材裏面６６に対して略平行な天面７６を有している。天面７６と支持部材表面６５との距離ｔｄは、支持部材１３の厚み（金属基板３１の厚み）ｔｃの例えば２０％以上３０％以下とすることが好ましい。天面７６の幅ｗｄ（支持部材１３の長手方向に垂直な長さ）は、例えば２０μｍ以上１００μｍ以下であっても良い。 Further, the step portion 75 has a top surface 76 substantially parallel to the support member front surface 65 and the support member back surface 66. The distance t d between the top surface 76 and the surface 65 of the support member is preferably 20% or more and 30% or less of the thickness t c of the support member 13 (thickness of the metal substrate 31). The width dd of the top surface 76 (the length perpendicular to the longitudinal direction of the support member 13) may be, for example, 20 μm or more and 100 μm or less.

支持部材表面６５および支持部材裏面６６は、それぞれ支持部材１３の長手方向に略直線状に平行に延びる内側縁部６５ａ、６６ａを有している。支持部材表面６５の内側縁部６５ａは、支持部材裏面６６の内側縁部６６ａよりも内側（ダイパッド１１側）に位置している。したがって支持部材１３の幅（支持部材１３の長手方向に垂直な長さ）は、裏面側よりも表面側が太くなっている。支持部材表面６５の内側縁部６５ａと支持部材裏面６６の内側縁部６６ａとの間の幅ｗｅ（支持部材１３の長手方向に垂直な長さ）は、例えば４０μｍ以上１２０μｍ以下であっても良い。上述した天面７６の幅ｗｄは、支持部材表面６５と支持部材裏面６６との間の幅ｗｅの、例えば５％以上７０％以下とすることが好ましい。 The support member front surface 65 and the support member back surface 66 have inner edge portions 65a and 66a extending in parallel with each other in the longitudinal direction of the support member 13, respectively. The inner edge portion 65a of the support member front surface 65 is located inside (die pad 11 side) of the inner edge portion 66a of the support member back surface 66. Therefore, the width of the support member 13 (the length perpendicular to the longitudinal direction of the support member 13) is thicker on the front surface side than on the back surface side. Width w e between the inner edge 65a of the support member surface 65 and inner edge 66a of the support member back surface 66 (perpendicular to the longitudinal direction length of the support member 13), even for example 40μm or 120μm or less good. Width w d of the above-mentioned top surface 76, the width w e between the surface of the supporting member 65 and the supporting member back surface 66, it is preferable, for example, 5% to 70%.

図１１は、本実施の形態の変形例を示している。図１１に示すように、段部７５の天面７６に、裏面側（Ｚ方向マイナス側）に突出する突起７７が形成されている。突起７７の形成される位置は特に限定されるものではなく、天面７６の中間部（支持部材１３の長手方向に垂直な方向における中間部）であっても良く、天面７６の中間部よりも内側（ダイパッド１１側）あるいは外側（ダイパッド１１の反対側）であっても良い。このように、天面７６に突起７７が形成されていることにより、支持部材１３と封止樹脂２３とをより強固に密着させることができる。なお、図１乃至図４に示す第１の実施の形態においても、天面７６にこのような突起７７を形成しても良い。 FIG. 11 shows a modified example of the present embodiment. As shown in FIG. 11, a protrusion 77 projecting to the back surface side (minus side in the Z direction) is formed on the top surface 76 of the step portion 75. The position where the protrusion 77 is formed is not particularly limited, and may be an intermediate portion of the top surface 76 (an intermediate portion in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the support member 13) from the intermediate portion of the top surface 76. May be inside (on the side of the die pad 11) or outside (on the opposite side of the die pad 11). By forming the protrusion 77 on the top surface 76 in this way, the support member 13 and the sealing resin 23 can be more firmly adhered to each other. In the first embodiment shown in FIGS. 1 to 4, such a protrusion 77 may be formed on the top surface 76.

図１２は、本実施の形態の他の変形例を示している。図１２に示すように、段部７５の天面７６に、表面側（Ｚ方向プラス側）に凹む凹部７８が形成されている。この場合、凹部７８は、天面７６のうち第２側面６９側に連続する部分に形成されている。しかしながら、これに限らず、凹部７８は、天面７６の中間部（支持部材１３の長手方向に垂直な方向における中間部）に形成されても良く、天面７６の中間部よりも内側（ダイパッド１１側）あるいは外側（ダイパッド１１の反対側）に形成されても良い。このように、天面７６に凹部７８が形成されていることにより、支持部材１３と封止樹脂２３とをより強固に密着させることができる。なお、図１乃至図４に示す第１の実施の形態においても、天面７６にこのような凹部７８を形成しても良い。 FIG. 12 shows another modification of the present embodiment. As shown in FIG. 12, a recess 78 recessed on the surface side (plus side in the Z direction) is formed on the top surface 76 of the step portion 75. In this case, the recess 78 is formed in a portion of the top surface 76 that is continuous with the second side surface 69 side. However, the present invention is not limited to this, and the recess 78 may be formed in the intermediate portion of the top surface 76 (the intermediate portion in the direction perpendicular to the longitudinal direction of the support member 13), and is inside the intermediate portion of the top surface 76 (die pad). It may be formed on the 11 side) or the outside (opposite side of the die pad 11). By forming the recess 78 on the top surface 76 in this way, the support member 13 and the sealing resin 23 can be more firmly adhered to each other. In the first embodiment shown in FIGS. 1 to 4, such a recess 78 may be formed on the top surface 76.

なお、上記各実施の形態では、第１リード部１２Ａと第２リード部１２Ｂとが交互に配置されている場合を例にとって説明した。しかしながらこれに限らず、全てのリード部が共通する長さのリード部から構成されていても良い（ＱＦＮタイプ）。 In each of the above embodiments, the case where the first lead portion 12A and the second lead portion 12B are alternately arranged has been described as an example. However, the present invention is not limited to this, and all the lead portions may be composed of lead portions having a common length (QFN type).

さらに、上記各実施の形態では、第１リード部１２Ａの外部端子１７Ａと第２リード部１２Ｂの外部端子１７Ｂとが千鳥状に２列に配置されている場合を例にとって説明したが、これに限らず、外部端子が３列以上に配置されていても良い。 Further, in each of the above embodiments, the case where the external terminals 17A of the first lead portion 12A and the external terminals 17B of the second lead portion 12B are arranged in two rows in a staggered manner has been described as an example. Not limited to this, external terminals may be arranged in three or more rows.

１０ リードフレーム
１１ ダイパッド
１２Ａ 第１リード部
１２Ｂ 第２リード部
１５Ａ、１５Ｂ 内部端子
１７Ａ、１７Ｂ 外部端子
２０ 半導体装置
２１ 半導体素子
２２ ボンディングワイヤ（接続部材）
２３ 封止樹脂
５２ 接続リード
５３、６３ 端子部
６５ 支持部材表面
６６ 支持部材裏面
６７ 支持部材側面
６８ 第１側面
６９ 第２側面
７５ 段部
７６ 天面 10 Lead frame 11 Die pad 12A 1st lead part 12B 2nd lead part 15A, 15B Internal terminal 17A, 17B External terminal 20 Semiconductor device 21 Semiconductor element 22 Bonding wire (connecting member)
23 Encapsulating resin 52 Connection lead 53, 63 Terminal part 65 Support member front surface 66 Support member back surface 67 Support member side surface 68 First side surface 69 Second side surface 75 Steps 76 Top surface

Claims (3)

リードフレームであって、
半導体素子が搭載されるダイパッドと、
前記ダイパッドの周囲に互いに間隔を空けて設けられた複数のリード部と、
前記複数のリード部を支持する支持部材とを備え、
前記支持部材のうち、互いに隣接するリード部間に位置する領域の裏面に、段部が形成され、
前記支持部材は、支持部材表面と、前記支持部材表面の反対側に位置する支持部材裏面とを有し、前記段部は、前記支持部材表面および前記支持部材裏面に対して略平行な天面を有し、
前記段部の前記天面に、裏面側に突出する突起が形成されていることを特徴とするリードフレーム。 It ’s a lead frame,
Die pads on which semiconductor elements are mounted and
A plurality of lead portions provided around the die pad at intervals from each other,
A support member for supporting the plurality of lead portions is provided.
A step portion is formed on the back surface of a region of the support members located between the lead portions adjacent to each other.
The support member has a support member surface and a support member back surface located on the opposite side of the support member surface, and the step portion is a top surface substantially parallel to the support member surface and the support member back surface. Have,
A lead frame characterized in that a protrusion projecting to the back surface side is formed on the top surface of the step portion. リードフレームであって、
半導体素子が搭載されるダイパッドと、
前記ダイパッドの周囲に互いに間隔を空けて設けられた複数のリード部と、
前記複数のリード部を支持する支持部材とを備え、
前記支持部材のうち、互いに隣接するリード部間に位置する領域の裏面に、段部が形成され、
前記支持部材は、支持部材表面と、前記支持部材表面の反対側に位置する支持部材裏面とを有し、前記段部は、前記支持部材表面および前記支持部材裏面に対して略平行な天面を有し、
前記段部の前記天面に、表面側に凹む凹部が形成されていることを特徴とするリードフレーム。 It ’s a lead frame,
Die pads on which semiconductor elements are mounted and
A plurality of lead portions provided around the die pad at intervals from each other,
A support member for supporting the plurality of lead portions is provided.
A step portion is formed on the back surface of a region of the support members located between the lead portions adjacent to each other.
The support member has a support member surface and a support member back surface located on the opposite side of the support member surface, and the step portion is a top surface substantially parallel to the support member surface and the support member back surface. Have,
A lead frame characterized in that a recess recessed on the surface side is formed on the top surface of the step portion. 前記複数のリード部は、第１リード部と、前記第１リード部よりも短い第２リード部とを有し、前記第１リード部と前記第２リード部とが交互に配置され、前記段部は、互いに隣接する前記第１リード部と前記第２リード部との間の前記支持部材に形成されていることを特徴とする請求項１又は２記載のリードフレーム。 The plurality of lead portions have a first lead portion and a second lead portion shorter than the first lead portion, and the first lead portion and the second lead portion are alternately arranged in the step. The lead frame according to claim 1 or 2 , wherein the portion is formed on the support member between the first lead portion and the second lead portion adjacent to each other.
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