JP5884506B2 - Lead frame for manufacturing semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device - Google Patents

Lead frame for manufacturing semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device Download PDF

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Description

本発明は、半導体装置を製造するために用いられるリードフレーム及び当該リードフレームを用いた半導体装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a lead frame used for manufacturing a semiconductor device and a method for manufacturing a semiconductor device using the lead frame.

近年、基板実装の高密度化に伴い、基板に実装される半導体装置の小型化・薄型化が要求されてきている。かかる要求に対応すべく、従来、リードフレームを用い、当該リードフレームの搭載面に搭載した半導体素子を封止樹脂にて封止するとともに、下面側にリードの一部分を露出させてなる、いわゆるＱＦＮ（Quad Flat Non-lead）タイプの半導体装置が種々提案されている。   2. Description of the Related Art In recent years, with the increase in density of board mounting, there has been a demand for downsizing and thinning of semiconductor devices mounted on a board. In order to meet such demands, a conventional lead frame is used, and a semiconductor element mounted on the mounting surface of the lead frame is sealed with a sealing resin, and a part of the lead is exposed on the lower surface side, so-called QFN. Various (Quad Flat Non-lead) type semiconductor devices have been proposed.

このようなＱＦＮタイプの半導体装置を製造するためのリードフレームの一例として、図９及び１０に示すような構成を有するリードフレーム１００が提案されている。かかるリードフレーム１００は、上面に半導体素子を搭載するダイパッド２００と、ダイパッド２００の各辺に先端部を対向させるようにして並設されている複数のリード３００と、一端部がダイパッド２００の四隅に連続し、ダイパッド２００を支持する吊りリード４００とを備える単位リードフレームが複数配列されてなり、各単位リードフレームの周囲を囲むようにして格子状に設けられた、複数のリード３００を支持するタイバー５００を有する。   As an example of a lead frame for manufacturing such a QFN type semiconductor device, a lead frame 100 having a configuration as shown in FIGS. 9 and 10 has been proposed. The lead frame 100 includes a die pad 200 on which a semiconductor element is mounted on the upper surface, a plurality of leads 300 arranged in parallel so that tip portions thereof face each side of the die pad 200, and one end portions at four corners of the die pad 200. A plurality of unit lead frames each having a continuous suspension lead 400 for supporting the die pad 200 are arranged, and a tie bar 500 for supporting the plurality of leads 300 is provided in a lattice shape so as to surround each unit lead frame. Have.

かかるリードフレーム１００において、吊りリード４００の他端部（タイバー５００の端部５００ａとの連続部）４２０は、二股に分岐した、いわゆるフィッシュテール形状をなしており、タイバー５００は、その両端部５００ａ，５００ａのそれぞれを吊りリード４００の二股に分岐する一の端部４２０ａ，４２０ａに連続させて、ダイパッド２００の一辺に沿って設けられている。そして、かかるリードフレーム１００は、吊りリード４００の一の端部４２０ａとの連続部５１０から、当該吊りリード４００の最近傍に位置するリード３００までのタイバー５００の距離Ｄ100が、複数のリード３００間におけるタイバー５００の距離Ｄ200よりも長くなるように構成されている（特許文献１参照）。 In the lead frame 100, the other end portion (continuous portion with the end portion 500a of the tie bar 500) 420 of the suspension lead 400 has a so-called fishtail shape that is bifurcated, and the tie bar 500 has both end portions 500a. , 500a are provided along one side of the die pad 200 so as to be continuous with one end portion 420a, 420a that branches into the bifurcated portion of the suspension lead 400. In the lead frame 100, the distance D 100 of the tie bar 500 from the continuous portion 510 with the one end portion 420 a of the suspension lead 400 to the lead 300 located closest to the suspension lead 400 is equal to the plurality of leads 300. and it is configured to be longer than the distance D 200 of tie bar 500 between (see Patent Document 1).

特許第３８７９４５２号公報Japanese Patent No. 3879452

上記リードフレーム１００において、タイバー５００は、その両端部５００ａ，５００ａのそれぞれを吊りリード４００の一の端部４２０ａ，４２０ａに連続させてダイパッド２００の一辺に沿って設けられているが、当該タイバー５００の長手方向（ダイパッド２００の一辺に略平行な方向）に対し略垂直な方向に突出するように、先端部をダイパッド２００の一辺に向けて複数のリード３００が連続しているため、当該リードフレーム１００の製造工程や当該リードフレーム１００を用いた半導体装置の製造工程におけるハンドリング時等にタイバー５００が揺動し、それによりタイバー５００が捩れるように、又はタイバー５００がリードフレーム１００の平面方向に対して略垂直な方向に撓むように、当該タイバー５００に対して応力がかかることがある。   In the lead frame 100, the tie bar 500 is provided along one side of the die pad 200 with both end portions 500a and 500a being continuous with the end portions 420a and 420a of the suspension lead 400. Since the plurality of leads 300 are continuous with the tip portion directed to one side of the die pad 200 so as to protrude in a direction substantially perpendicular to the longitudinal direction (direction substantially parallel to one side of the die pad 200), the lead frame The tie bar 500 swings at the time of handling in the manufacturing process of the semiconductor device 100 and the manufacturing process of the semiconductor device using the lead frame 100 so that the tie bar 500 is twisted, or the tie bar 500 is in the plane direction of the lead frame 100. Therefore, the tie bar 500 is bent so as to bend in a substantially vertical direction. Sometimes it takes.

このとき、上記リードフレーム１００においては、吊りリード４００の他端部４２０ａとタイバー５００の端部５００ａとの連続部５１０から、当該吊りリード４００の最近傍に位置するリード３００までにおけるタイバー５００の距離Ｄ100が、複数のリード３００間におけるタイバー５００の距離Ｄ200よりも長いため、タイバー５００の揺動等により、吊りリード４００の一の端部４２０ａとタイバー５００の端部５００ａとの連続部５１０に対し相対的に大きな応力がかかることになる。 At this time, in the lead frame 100, the distance of the tie bar 500 from the continuous portion 510 of the other end portion 420a of the suspension lead 400 and the end portion 500a of the tie bar 500 to the lead 300 located closest to the suspension lead 400. Since D 100 is longer than the distance D 200 of the tie bar 500 between the plurality of leads 300, a continuous portion 510 between one end portion 420 a of the suspension lead 400 and the end portion 500 a of the tie bar 500 due to the swinging of the tie bar 500 or the like. On the other hand, a relatively large stress is applied.

特に、上記リードフレーム１００においては、樹脂封止後のリードフレーム１００を半導体素子ごとに切断する際に用いられるダイシングブレードにかかる負荷を低減することを目的として、タイバー５００の下面側からハーフエッチング加工が施されている。そのため、当該タイバー５００の揺動等によりかかる応力に対する耐力が低く、上記連続部５１０近傍において、タイバー５００の捩れや撓み等の変形が生じやすいという問題がある。   In particular, the lead frame 100 is half-etched from the lower surface side of the tie bar 500 for the purpose of reducing the load applied to the dicing blade used when the lead frame 100 after resin sealing is cut for each semiconductor element. Is given. Therefore, there is a problem that the yield strength against the stress due to the swinging of the tie bar 500 is low, and the tie bar 500 is likely to be deformed such as torsion and deflection in the vicinity of the continuous portion 510.

このようにしてリードフレームや半導体装置の製造過程においてタイバー５００が変形してしまうと、半導体素子の端子と各リード３００との間におけるワイヤーの接続不良が生じたり、半導体装置を製造する際の樹脂封止が困難となったりすることがある。   If the tie bar 500 is deformed in the manufacturing process of the lead frame or the semiconductor device in this way, the connection failure of the wire between the terminal of the semiconductor element and each lead 300 occurs, or the resin used for manufacturing the semiconductor device. Sealing may be difficult.

特に、近年のリードフレーム用基材の薄板化、半導体装置における多ピン化等により、タイバー５００の端部５００ａと吊りリード４００の他端部４２０ａとの連続部５１０近傍にかかる応力が相対的に増大することになるため、上記のような問題が顕著に現れることとなる。   In particular, the stress applied to the vicinity of the continuous portion 510 between the end portion 500a of the tie bar 500 and the other end portion 420a of the suspension lead 400 is relatively reduced due to the recent thinning of the lead frame base material and the increase in the number of pins in the semiconductor device. Because of the increase, the above-mentioned problem appears remarkably.

このような問題を解決するために、タイバー５００にハーフエッチング加工を施すことなく、タイバー５００の厚さをリードフレーム１００用基材の厚さと同一にすることで、タイバー５００の揺動等による応力に対する耐力を向上させることも考えられる。しかしながら、このような構成にすると樹脂封止後のリードフレーム１００を半導体素子ごとに切断する際に用いられるダイシングブレードにかかる負荷を増大させてしまうとともに、タイバー５００の距離Ｄ100が、距離Ｄ200よりも長いために、吊りリード４００の一の端部４２０ａとタイバー５００の端部５００ａとの連続部５１０近傍に対し相対的に大きな応力がかかることに変わりがない。 In order to solve such a problem, the thickness of the tie bar 500 is made equal to the thickness of the base material for the lead frame 100 without subjecting the tie bar 500 to half-etching. It is also conceivable to improve the proof stress. However, with such a configuration, the load applied to the dicing blade used when the lead frame 100 after resin sealing is cut for each semiconductor element increases, and the distance D 100 of the tie bar 500 becomes equal to the distance D 200. Therefore, a relatively large stress is applied to the vicinity of the continuous portion 510 between the end portion 420a of the suspension lead 400 and the end portion 500a of the tie bar 500.

上記のような課題に鑑みて、本発明は、吊りリードの他端部とタイバーの端部との連続部近傍におけるタイバーの変形等を抑制することのできる多面付リードフレーム及びその製造方法、並びに当該リードフレームを用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。   In view of the problems as described above, the present invention provides a multifaceted lead frame capable of suppressing deformation of a tie bar in the vicinity of a continuous portion between the other end portion of the suspension lead and the end portion of the tie bar, a manufacturing method thereof, and It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a semiconductor device using the lead frame.

上記課題を解決するために、本発明は、上面に半導体素子が搭載される半導体素子搭載部、前記半導体素子搭載部に一端部を連続させることにより当該半導体素子搭載部を支持する吊りリード、及び前記半導体素子搭載部の周囲に、先端部を対向させて並設されてなる複数のリードを含む単位リードフレームと、前記単位リードフレームの各辺に沿って設けられ、前記複数のリードを支持するタイバーとを備え、複数の前記単位リードフレームが、マトリックス状に配列されてなり、前記タイバーは、隣接する前記単位リードフレームの境界部に位置するようにして格子状に設けられてなり、前記タイバーの両端部は、それぞれ前記吊りリードの他端部に連続しており、隣接する前記単位リードフレームに含まれる前記複数のリードのそれぞれは、当該隣接する前記単位リードフレームの間に位置する前記タイバーを挟むようにして、前記タイバーの両側面のそれぞれに支持されており、前記吊りリードの他端部と前記タイバーの端部との連続部から当該吊りリードの最近傍に位置する前記リードまでの間における前記タイバーの厚さ方向の断面積が、前記タイバーに沿って並列する複数のリードのうちの隣接する前記リード間における前記タイバーの厚さ方向の断面積よりも大きく、前記吊りリードの他端部と前記タイバーの端部との連続部から当該吊りリードの最近傍に位置する前記リードまでの間における前記タイバーの平面視における短手方向の長さは、前記タイバーに沿って並列する複数のリードのうちの隣接する前記リード間における、前記リードを支持する前記タイバーの両側面の間の長さよりも大きいことを特徴とする多面付リードフレームを提供する（発明１）。
In order to solve the above problems, the present invention provides a semiconductor element mounting portion on which a semiconductor element is mounted on an upper surface, a suspension lead that supports the semiconductor element mounting portion by continuing one end portion to the semiconductor element mounting portion, and A unit lead frame including a plurality of leads arranged in parallel with the tip portion facing each other around the semiconductor element mounting portion, and provided along each side of the unit lead frame, and supports the plurality of leads. A plurality of the unit lead frames are arranged in a matrix, and the tie bars are provided in a lattice shape so as to be positioned at a boundary portion between the adjacent unit lead frames. both end portions of the is continuous to the other end of each of the suspension lead it of the plurality of leads included in the unit lead frames adjacent Is the adjacent so as to sandwich the tie bar located between the unit lead frame is supported by a respective opposite side surfaces of the tie bar, the continuous section between the edge portion of the other end portion of the suspension lead tie bar The cross-sectional area in the thickness direction of the tie bar between the lead and the lead located closest to the suspension lead is the thickness of the tie bar between the adjacent leads of the plurality of leads arranged in parallel along the tie bar. much larger than the cross-sectional area of the direction, short in the plan view of the tie bar between the continuous section between the edge portion of the other end portion of the suspension lead tie bar to the lead which is located closest to the suspension lead The length in the hand direction is the tie that supports the leads between the adjacent leads of the plurality of leads arranged in parallel along the tie bar. To provide a multi with lead frame being greater than the length between the both side surfaces of the chromatography (invention 1).

上記発明（発明１）によれば、吊りリード他端部とタイバー端部との連続部から当該吊りリード（当該連続部）最近傍のリードまでの間におけるタイバーの厚さ方向の断面積が、隣接するリード間のタイバーの厚さ方向の断面積よりも大きいことで、吊りリード他端部とタイバー端部との連続部近傍において、当該連続部近傍にかかる応力に対する耐力が向上されるため、当該連続部近傍におけるタイバーの変形を抑制することができる。   According to the above invention (Invention 1), the cross-sectional area in the thickness direction of the tie bar between the continuous portion of the other end of the suspension lead and the end of the tie bar to the lead closest to the suspension lead (the continuous portion) is By being larger than the cross-sectional area in the thickness direction of the tie bar between adjacent leads, in the vicinity of the continuous part between the other end of the suspension lead and the end of the tie bar, the resistance to stress applied to the vicinity of the continuous part is improved. The deformation of the tie bar in the vicinity of the continuous part can be suppressed.

上記発明（発明１）においては、前記吊りリードの他端部と前記タイバーの端部との連続部から当該吊りリードの最近傍に位置する前記リードまでの間における前記タイバーの厚さが、前記タイバーに沿って並列する複数のリードのうちの隣接する前記リード間における前記タイバーの厚さよりも厚いのが好ましい（発明２）。   In the said invention (invention 1), the thickness of the said tie bar between the continuous part of the other end part of the said suspension lead and the edge part of the said tie bar to the said lead located in the nearest vicinity of the said suspension lead is the said. It is preferable that the thickness of the tie bar between the adjacent leads among the plurality of leads arranged in parallel along the tie bar is larger (Invention 2).

また、本発明は、上記発明（発明１，２）に係る多面付リードフレームを製造する方法であって、導電性基板の上面及び下面のそれぞれに、所定のパターン形状を有するレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、前記レジストパターンが形成された導電性基板に対してエッチング処理を施すエッチング工程とを含み、前記レジストパターン形成工程において、前記多面付リードフレームにおける隣接する前記単位リードフレームの間に位置する前記タイバーの短手方向の両側面のそれぞれに、当該タイバーを挟んで、当該隣接する各単位リードフレームの前記複数のリードのそれぞれが支持されるように、前記吊りリードの他端部と前記タイバーの端部との連続部から当該吊りリードの最近傍に位置する前記リードまでの間における前記タイバーの厚さ方向の断面積が、前記タイバーに沿って並列する複数のリードのうちの隣接する前記リード間における前記タイバーの厚さ方向の断面積よりも大きくなるように、かつ前記吊りリードの他端部と前記タイバーの端部との連続部から当該吊りリードの最近傍に位置する前記リードまでの間における前記タイバーの平面視における短手方向の長さが、前記タイバーに沿って並列する複数のリードのうちの隣接する前記リード間における、前記リードを支持する前記タイバーの両側面の間の長さよりも大きくなるように、前記レジストパターンを形成することを特徴とする多面付リードフレームの製造方法を提供する（発明３）。
The present invention is also a method for manufacturing a multi-faceted lead frame according to the above inventions (Inventions 1 and 2 ), wherein a resist pattern having a predetermined pattern shape is formed on each of an upper surface and a lower surface of a conductive substrate. A resist pattern forming step and an etching step of performing an etching process on the conductive substrate on which the resist pattern is formed, and in the resist pattern forming step, between the adjacent unit lead frames in the multi-faced lead frame The other end portion of the suspension lead is supported so that each of the plurality of leads of each of the adjacent unit lead frames is supported by sandwiching the tie bar with each of both side surfaces of the tie bar located in the short direction. From the continuous portion of the tie bar to the lead located closest to the suspension lead The thickness direction of the cross-sectional area of the tie bars, said to be greater than the cross-sectional area in the thickness direction of the tie bar between the leads adjacent of the plurality of leads to be parallel along the tie bars, and the suspension of The length in the short direction in plan view of the tie bar between the continuous portion of the other end portion of the lead and the end portion of the tie bar and the lead located closest to the suspension lead is along the tie bar. The multi-sided lead , wherein the resist pattern is formed so as to be larger than a length between both side faces of the tie bar supporting the lead between adjacent leads of the plurality of leads arranged in parallel . A method for manufacturing a frame is provided (Invention 3 ).

さらに、本発明は、上記発明（発明１，２）に係る多面付リードフレームにおける前記半導体素子搭載部の上面に半導体素子を固着する工程と、前記半導体素子の各端子と複数のリードのそれぞれとをワイヤーを介して接続するワイヤーボンディング工程と、前記半導体素子、前記半導体素子搭載部、前記複数のリード及び前記ワイヤーを封止樹脂にて封止する樹脂封止工程と、前記封止樹脂にて封止された前記半導体素子、前記半導体素子搭載部、前記複数のリード及び前記ワイヤーを含むリードフレームを、前記タイバーに沿って切断し、前記半導体素子ごとに個片化するダイシング工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する（発明４）。 Furthermore, the present invention provides a step of fixing a semiconductor element to the upper surface of the semiconductor element mounting portion in the multifaceted lead frame according to the above inventions (Inventions 1 and 2 ), each terminal of the semiconductor element, and each of the plurality of leads. A wire bonding step of connecting a wire through a wire, a resin sealing step of sealing the semiconductor element, the semiconductor element mounting portion, the plurality of leads and the wire with a sealing resin, and the sealing resin. A dicing step of cutting the lead frame including the sealed semiconductor element, the semiconductor element mounting portion, the plurality of leads, and the wires along the tie bar to separate each semiconductor element. A method of manufacturing a semiconductor device is provided (Invention 4 ).

本発明によれば、吊りリードの他端部とタイバーの端部との連続部近傍におけるタイバーの変形等を抑制することのできる多面付リードフレーム及びその製造方法、並びに当該リードフレームを用いた半導体装置の製造方法を提供することができる。   According to the present invention, a multifaceted lead frame capable of suppressing deformation of the tie bar in the vicinity of the continuous portion between the other end of the suspension lead and the end of the tie bar, a manufacturing method thereof, and a semiconductor using the lead frame An apparatus manufacturing method can be provided.

図１は、本発明の一実施形態に係るリードフレームを示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing a lead frame according to an embodiment of the present invention. 図２は、本発明の一実施形態におけるタイバーの構成を示す、図１におけるＡ部拡大平面図である。FIG. 2 is an enlarged plan view of a portion A in FIG. 1 showing the configuration of the tie bar in one embodiment of the present invention. 図３は、本発明の一実施形態におけるタイバーの構成を主に示す断面図であって、図３（ａ）は、図２におけるＩ−Ｉ線断面図であり、図３（ｂ）は、図２におけるＪ−Ｊ線断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view mainly showing a configuration of a tie bar in one embodiment of the present invention, FIG. 3 (a) is a cross-sectional view taken along the line II in FIG. 2, and FIG. It is the JJ sectional view taken on the line in FIG. 図４は、本発明の一実施形態におけるタイバーの構成を主に示す部分拡大斜視図である。FIG. 4 is a partially enlarged perspective view mainly showing a configuration of a tie bar in one embodiment of the present invention. 図５は、本発明の一実施形態に係るリードフレームの製造工程を示す断面図（図１におけるＢ−Ｃ−Ｄ−Ｅ−Ｆ−Ｇ線断面図）である。FIG. 5 is a cross-sectional view (a cross-sectional view taken along line B-C-D-E-F-G in FIG. 1) showing a manufacturing process of a lead frame according to an embodiment of the present invention. 図６は、本発明の一実施形態における半導体装置の製造工程を示す切断端面図（図１におけるＨ−Ｈ線切断端面図）である。FIG. 6 is a cut end view (HH cut end view in FIG. 1) showing the manufacturing process of the semiconductor device in one embodiment of the present invention. 図７は、本発明の他の実施形態（その１）におけるタイバーの構成を主に示す部分拡大平面図である。FIG. 7 is a partially enlarged plan view mainly showing a configuration of a tie bar in another embodiment (part 1) of the present invention. 図８は、本発明の他の実施形態（その２）におけるタイバーの構成を主に示す部分拡大斜視図である。FIG. 8 is a partially enlarged perspective view mainly showing a configuration of a tie bar in another embodiment (part 2) of the present invention. 図９は、従来のＱＦＮタイプの半導体装置を製造するために用いられるリードフレームの概略構成を示す平面図である。FIG. 9 is a plan view showing a schematic configuration of a lead frame used for manufacturing a conventional QFN type semiconductor device. 図１０は、従来のＱＦＮタイプの半導体装置を製造するために用いられるリードフレームにおけるタイバーの構成を主に示す、図９におけるＸ部拡大平面図である。FIG. 10 is an enlarged plan view of a portion X in FIG. 9 mainly showing a configuration of a tie bar in a lead frame used for manufacturing a conventional QFN type semiconductor device.

本発明の実施の形態を、図面を参照しながら説明する。
〔リードフレーム〕
図１は、本発明の一実施形態に係るリードフレームを示す平面図であり、図２は、本実施形態におけるタイバーの構成を示す、図１におけるＡ部拡大平面図であり、図３（ａ）は、図２におけるＩ−Ｉ線断面図であり、図３（ｂ）は、図２におけるＪ−Ｊ線断面図であり、図４は、本実施形態におけるタイバーの構成を主に示す部分拡大斜視図である。 Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
〔Lead frame〕
FIG. 1 is a plan view showing a lead frame according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an enlarged plan view of a portion A in FIG. 1 showing a configuration of a tie bar in the present embodiment. 2 is a cross-sectional view taken along the line II in FIG. 2, FIG. 3B is a cross-sectional view taken along the line JJ in FIG. 2, and FIG. 4 is a portion mainly showing the configuration of the tie bar in the present embodiment. It is an expansion perspective view.

図１〜４に示すように、本実施形態に係るリードフレーム１は、半導体素子が搭載される上面（搭載面）を有する略方形状の半導体素子搭載部２、半導体素子搭載部２の四隅のそれぞれに一端部４１を連続させることにより半導体素子搭載部２を支持する吊りリード４、及び半導体素子搭載部２の周囲に、先端部を対向させて並設されてなる複数のリード３を含む単位リードフレームと、単位リードフレームの各辺に沿って設けられ、複数のリード３を支持するタイバー５とを備え、隣接する単位リードフレームにおける対向する各吊りリード４の他端部４２を相互に連続させることで、複数の単位リードフレームが、マトリックス状（複数行×複数列）に配列されて構成されている。   As shown in FIGS. 1 to 4, the lead frame 1 according to the present embodiment includes a substantially rectangular semiconductor element mounting portion 2 having an upper surface (mounting surface) on which a semiconductor element is mounted, and four corners of the semiconductor element mounting portion 2. A unit including a suspension lead 4 that supports the semiconductor element mounting portion 2 by connecting one end portion 41 to each other, and a plurality of leads 3 that are arranged in parallel around the semiconductor element mounting portion 2 with their tip portions facing each other. A lead frame and a tie bar 5 provided along each side of the unit lead frame and supporting the plurality of leads 3 are provided, and the other end portions 42 of the opposing suspension leads 4 in the adjacent unit lead frame are continuously connected to each other. By doing so, a plurality of unit lead frames are arranged in a matrix (a plurality of rows × a plurality of columns).

本実施形態において、半導体素子搭載部２は、その周縁に位置する肉薄部２１と、肉薄部２１に囲まれた肉厚部２２とを有する。肉薄部２１の厚さは、肉厚部２２の厚さよりも薄く、好ましくは肉厚部２２の厚さの略半分である（図４参照）。かかる肉薄部２１の厚さは、リードフレーム１を製造する際に用いられる基材の厚さにもよるが、通常５０〜１２０μｍ程度である。   In the present embodiment, the semiconductor element mounting portion 2 includes a thin portion 21 located on the periphery thereof and a thick portion 22 surrounded by the thin portion 21. The thickness of the thin part 21 is thinner than the thickness of the thick part 22, and is preferably approximately half the thickness of the thick part 22 (see FIG. 4). The thickness of the thin portion 21 is usually about 50 to 120 μm, although it depends on the thickness of the base material used when the lead frame 1 is manufactured.

リード３は、半導体素子搭載部２の各辺に沿ってそれぞれ並設されている。なお、本実施形態においては、半導体素子搭載部２の各辺に沿ってそれぞれ６個（一の単位リードフレームあたり２４個）のリード３が並設されているが、リード３の数は半導体素子搭載部２の上面に搭載される半導体素子の端子数等に応じて適宜変更することができる。   The leads 3 are juxtaposed along each side of the semiconductor element mounting portion 2. In the present embodiment, six leads 24 (24 per unit lead frame) are juxtaposed along each side of the semiconductor element mounting portion 2, but the number of leads 3 is the number of semiconductor elements. The number can be appropriately changed according to the number of terminals of the semiconductor element mounted on the upper surface of the mounting portion 2.

各リード３は、肉厚部３２と、当該肉厚部３２の先端部側（半導体素子搭載部２側）に位置する肉薄部３１とを有する（図２参照）。各リード３の肉薄部３１の厚さは、肉厚部３２の厚さよりも薄く、好ましくは肉厚部３２の厚さの略半分である（図４参照）。肉薄部３１の厚さは、リードフレーム１を製造する際に用いられる基材の厚さにもよるが、通常５０〜１２０μｍ程度である。リード３の肉厚部３２は、樹脂封止型半導体装置において下面側に露出し、外部端子としての役割を果たすこととなり、リード３の肉薄部３１は、樹脂封止型半導体装置において当該肉薄部３１の下方に封止樹脂が充填されることでリード３が抜け落ちるのを防止する役割を果たすこととなる。   Each lead 3 has a thick part 32 and a thin part 31 located on the tip side (semiconductor element mounting part 2 side) of the thick part 32 (see FIG. 2). The thickness of the thin portion 31 of each lead 3 is smaller than the thickness of the thick portion 32, and preferably is approximately half the thickness of the thick portion 32 (see FIG. 4). The thickness of the thin portion 31 is usually about 50 to 120 μm, although it depends on the thickness of the substrate used when the lead frame 1 is manufactured. The thick portion 32 of the lead 3 is exposed to the lower surface side in the resin-encapsulated semiconductor device and serves as an external terminal. The thin portion 31 of the lead 3 is the thin portion in the resin-encapsulated semiconductor device. Filling the sealing resin below 31 serves to prevent the lead 3 from falling off.

吊りリード４は、半導体素子搭載部２の四隅のそれぞれに一端部４１を連続させることで、半導体素子搭載部２を支持する。吊りリード４の他端部４２は、二股に分岐したフィッシュテール形状を有しており、二股に分岐してなる各端部４２ａ，４２ａにタイバー５の一の端部が連続している（図２参照）。なお、本実施形態に係るリードフレーム１において、各吊りリード４の他端部４２における二股に分岐してなる各端部４２ａは、隣接する単位リードフレームにおける対向する吊りリード４の各端部４２ａと相互に連続している（図１，図４参照）。   The suspension lead 4 supports the semiconductor element mounting portion 2 by connecting one end portion 41 to each of the four corners of the semiconductor element mounting portion 2. The other end portion 42 of the suspension lead 4 has a fishtail shape branched into two branches, and one end portion of the tie bar 5 is continuous with each of the end portions 42a and 42a branched into two branches (see FIG. 2). Note that, in the lead frame 1 according to the present embodiment, each end portion 42a that is bifurcated at the other end portion 42 of each suspension lead 4 is each end portion 42a of the opposing suspension lead 4 in the adjacent unit lead frame. Are continuous with each other (see FIGS. 1 and 4).

吊りリード４の厚さは、半導体素子搭載部２の肉薄部２１（リード３の肉薄部３１）と略同一の厚さである。半導体装置の多ピン化等に伴い、吊りリード４とその最近傍に位置するリード３との間隔が狭くなるが、吊りリード４の厚さが肉厚部２２（肉厚部３２）と略同一の厚さであると、樹脂封止型半導体装置において吊りリード４が下面側から露出し、当該半導体装置をはんだ付け等により配線基板等に搭載する際に、吊りリード４とその最近傍に位置する外部端子（半導体装置の下面側に露出するリード３の肉厚部３２）とが電気的に接続されてしまうおそれがある。しかしながら、吊りリード４の厚さが、肉薄部２１（肉薄部３１）と略同一の厚さであることで、当該リードフレーム１を用いて製造される樹脂封止型半導体装置において、吊りリード４の下面側に封止樹脂が充填され、当該半導体装置の下面側に吊りリード４が露出しない。そのため、当該半導体装置を配線基板等に搭載するにあたり、配線基板等における接続箇所（端子）と外部端子とをはんだ等により接続するときに、吊りリード４とその最近傍に位置する外部端子（リード３）とが電気的に接続されてしまうのを防止することができる。   The thickness of the suspension lead 4 is substantially the same as that of the thin portion 21 of the semiconductor element mounting portion 2 (the thin portion 31 of the lead 3). As the number of pins of the semiconductor device increases, the distance between the suspension lead 4 and the lead 3 located in the vicinity thereof becomes narrower, but the thickness of the suspension lead 4 is substantially the same as the thick portion 22 (thick portion 32). In the resin-encapsulated semiconductor device, the suspending lead 4 is exposed from the lower surface side, and when the semiconductor device is mounted on a wiring board or the like by soldering or the like, the suspending lead 4 and its nearest position are located. There is a risk that the external terminal (the thick portion 32 of the lead 3 exposed on the lower surface side of the semiconductor device) is electrically connected. However, since the thickness of the suspension lead 4 is substantially the same as that of the thin portion 21 (thin portion 31), in the resin-encapsulated semiconductor device manufactured using the lead frame 1, the suspension lead 4 The lower surface of the semiconductor device is filled with sealing resin, and the suspension leads 4 are not exposed on the lower surface of the semiconductor device. For this reason, when mounting the semiconductor device on a wiring board or the like, when connecting a connection location (terminal) on the wiring board or the like and an external terminal by soldering or the like, the suspension lead 4 and an external terminal (lead 3) can be prevented from being electrically connected to each other.

タイバー５は、隣接する単位リードフレームの境界部に位置するようにして格子状に設けられており、タイバー５の両端部，はそれぞれ、吊りリード４におけるフィッシュテール形状を有する一の端部４２ａに連続している。   The tie bars 5 are provided in a lattice shape so as to be positioned at the boundary between adjacent unit lead frames, and both end portions of the tie bars 5 are respectively connected to one end portion 42 a having a fishtail shape in the suspension lead 4. It is continuous.

タイバー５は、吊りリード４の一の端部４２ａとタイバー５の端部との連続部５１から当該吊りリード４（当該連続部５１）の最近傍に位置するリード３までの間におけるタイバー５の厚さ方向の断面積が、タイバー５に沿って並列する複数のリード３間におけるタイバー５の厚さ方向の断面積よりも大きくなるように、好ましくは前者の断面積が後者の断面積の２倍程度になるように構成されている。   The tie bar 5 includes a tie bar 5 between a continuous part 51 between one end 42a of the suspension lead 4 and the end of the tie bar 5 and a lead 3 located closest to the suspension lead 4 (the continuous part 51). The former cross-sectional area is preferably 2 of the latter cross-sectional area so that the cross-sectional area in the thickness direction is larger than the cross-sectional area in the thickness direction of the tie bar 5 between the plurality of leads 3 arranged in parallel along the tie bar 5. It is configured to be about double.

具体的には、図３（ａ）及び（ｂ）に示すように、吊りリード４の一の端部４２ａとタイバー５の端部との連続部５１から当該吊りリード４（当該連続部５１）の最近傍に位置するリード３までの間におけるタイバー５の幅Ｗ1と、複数のリード３間におけるタイバー５の幅Ｗ2とは同一であって、前者のタイバー５の厚さＴ1は、後者のタイバー５の厚さＴ2よりも厚く、好適には約２倍程度に構成されている。なお、前者のタイバー５の長手方向長さＤ1は、後者のタイバー５の長手方向長さＤ2よりも長く構成されている（図２参照）。 Specifically, as shown in FIGS. 3A and 3B, the suspension lead 4 (the continuous portion 51) from the continuous portion 51 of one end 42 a of the suspension lead 4 and the end of the tie bar 5. The width W 1 of the tie bar 5 up to the lead 3 located closest to the lead 3 and the width W 2 of the tie bar 5 between the plurality of leads 3 are the same, and the thickness T 1 of the former tie bar 5 is: It is thicker than the thickness T 2 of the latter tie bar 5 and is preferably about twice as large. The length D 1 in the longitudinal direction of the former tie bar 5 is configured to be longer than the length D 2 in the longitudinal direction of the latter tie bar 5 (see FIG. 2).

上述したような構成を有する本実施形態に係るリードフレーム１においては、当該リードフレーム１やそれを用いた半導体装置の製造過程におけるハンドリング時等に複数のリード３を支持するタイバー５が揺動することがあり、その際に吊りリード４の一の端部４２ａとタイバー５の端部との連続部５１近傍に相対的に大きな応力がかかることとなる。しかしならが、本実施形態に係るリードフレーム１によれば、当該連続部５１から吊りリード４（当該連続部５１）の最近傍に位置するリード３までの間におけるタイバー５の厚さＴ1が、各リード３間におけるタイバー５の厚さＴ2よりも厚くなるように構成されていることで、前者のタイバー５の断面積を後者のタイバー５の断面積よりも大きくすることができるため、吊りリード４の一の端部４２ａとタイバー５の一の端部との連続部５１近傍において、当該連続部５１近傍にかかる応力に対する耐力が向上され、それによりタイバー５の変形を抑制することができる。 In the lead frame 1 according to the present embodiment having the above-described configuration, the tie bar 5 that supports the plurality of leads 3 swings during handling in the manufacturing process of the lead frame 1 and a semiconductor device using the lead frame 1. In this case, a relatively large stress is applied in the vicinity of the continuous portion 51 between the one end portion 42 a of the suspension lead 4 and the end portion of the tie bar 5. However, according to the lead frame 1 according to the present embodiment, the thickness T 1 of the tie bar 5 between the continuous portion 51 and the lead 3 positioned closest to the suspended lead 4 (the continuous portion 51) is the same. The cross-sectional area of the former tie bar 5 can be made larger than the cross-sectional area of the latter tie bar 5 by being configured to be thicker than the thickness T 2 of the tie bar 5 between the leads 3. In the vicinity of the continuous portion 51 between one end portion 42 a of the suspension lead 4 and one end portion of the tie bar 5, the resistance to stress applied in the vicinity of the continuous portion 51 is improved, thereby suppressing deformation of the tie bar 5. it can.

〔リードフレームの製造方法〕
上述した本実施形態に係るリードフレーム１の製造方法について説明する。
図５（ａ）〜（ｄ）は、本実施形態に係るリードフレーム１の製造工程を示す断面図（図１におけるＢ−Ｃ−Ｄ−Ｅ−Ｆ−Ｇ線断面図）である。 [Lead frame manufacturing method]
A method for manufacturing the lead frame 1 according to the above-described embodiment will be described.
5A to 5D are cross-sectional views (cross-sectional view taken along line B-C-D-E-F-G in FIG. 1) showing the manufacturing process of the lead frame 1 according to the present embodiment.

まず、導電性基板６０として、銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４１％のＦｅ合金）等の金属基板（厚み１００〜２５０μｍ）を用意する（図５（ａ）参照）。なお、導電性基板６０は、その両面（上面及び下面）に脱脂処理、洗浄処理等を施したものを用いるのが好ましい。   First, as the conductive substrate 60, a metal substrate (thickness: 100 to 250 μm) such as copper, copper alloy, 42 alloy (Ni 41% Fe alloy) is prepared (see FIG. 5A). In addition, it is preferable to use what the conductive substrate 60 gave the degreasing process, the washing process, etc. to the both surfaces (upper surface and lower surface).

次に、導電性基板６０の上面及び下面に感光性レジストを塗布し、乾燥させ、所望のフォトマスクを介して露光した後に現像してレジストパターン７１，７２を形成する（図５（ｂ）参照）。感光性レジストとしては、従来公知のものを用いることができる。図５（ｂ）において、レジストパターン７１ａはリードフレーム１における半導体素子搭載部２の上面に相当する位置に、レジストパターン７１ｂはリードフレーム１における各リード３の上面（肉厚部３２及び肉薄部３１の上面）に相当する位置に、レジストパターン７１ｃはタイバー５の上面に相当する位置に、レジストパターン７１ｄは吊りリード４の上面に相当する位置に形成されるものである。また、レジストパターン７２ａは半導体素子搭載部２の肉厚部２２の下面に相当する位置に、レジストパターン７２ｂは吊りリード４の一の端部４２ａとタイバー５の端部との連続部５１から吊りリード４の最近傍に位置するリード３までの間におけるタイバー５の下面に相当する位置に、レジストパターン７２ｃはリード３の肉厚部３２の下面に相当する位置に形成されるものである。   Next, a photosensitive resist is applied to the upper and lower surfaces of the conductive substrate 60, dried, exposed through a desired photomask, and developed to form resist patterns 71 and 72 (see FIG. 5B). ). A conventionally well-known thing can be used as a photosensitive resist. 5B, the resist pattern 71a is at a position corresponding to the upper surface of the semiconductor element mounting portion 2 in the lead frame 1, and the resist pattern 71b is the upper surface (thick portion 32 and thin portion 31) of each lead 3 in the lead frame 1. The resist pattern 71 c is formed at a position corresponding to the upper surface of the tie bar 5, and the resist pattern 71 d is formed at a position corresponding to the upper surface of the suspension lead 4. The resist pattern 72 a is suspended from a continuous portion 51 between one end 42 a of the suspension lead 4 and the end of the tie bar 5 at a position corresponding to the lower surface of the thick portion 22 of the semiconductor element mounting portion 2. The resist pattern 72 c is formed at a position corresponding to the lower surface of the thick portion 32 of the lead 3 at a position corresponding to the lower surface of the tie bar 5 up to the lead 3 positioned closest to the lead 4.

続いて、レジストパターン７１，７２をマスクとして、エッチング液を用いて導電性基板６０にエッチング処理を施す（図５（ｃ）参照）。エッチング処理に用いるエッチング液は、導電性基板６０の材質に応じて適宜選択され得るものであり、例えば、導電性基板６０として銅基板を用いる場合、一般に塩化第二鉄水溶液をエッチング液として用い、導電性基板６０の両面（上面及び下面）からエッチング処理を施す。   Subsequently, using the resist patterns 71 and 72 as a mask, the conductive substrate 60 is etched using an etching solution (see FIG. 5C). The etching solution used for the etching process can be appropriately selected according to the material of the conductive substrate 60. For example, when a copper substrate is used as the conductive substrate 60, a ferric chloride aqueous solution is generally used as the etching solution. Etching is performed from both surfaces (upper surface and lower surface) of the conductive substrate 60.

このとき、導電性基板６０において、リードフレーム１における半導体素子搭載部２の周縁に位置する肉薄部２１の下面に相当する位置、リード３の肉薄部３１の下面に相当する位置、吊りリード４の下面に相当する位置、及び各リード３間に位置するタイバー５の下面に相当する位置には、レジストパターンが形成されていないため、これらの部分は下面側から切り欠かれた状態、すなわちハーフエッチングされることになる。   At this time, in the conductive substrate 60, a position corresponding to the lower surface of the thin portion 21 located on the periphery of the semiconductor element mounting portion 2 in the lead frame 1, a position corresponding to the lower surface of the thin portion 31 of the lead 3, Since a resist pattern is not formed at a position corresponding to the lower surface and a position corresponding to the lower surface of the tie bar 5 positioned between the leads 3, these portions are notched from the lower surface side, that is, half-etched. Will be.

最後に、導電性基板６０の両面（上面及び下面）に残存するレジストパターン７１，７２を剥離して除去する（図５（ｄ）参照）。これにより、本実施形態に係るリードフレーム１を製造することができる。   Finally, the resist patterns 71 and 72 remaining on both surfaces (upper surface and lower surface) of the conductive substrate 60 are peeled and removed (see FIG. 5D). Thereby, the lead frame 1 according to the present embodiment can be manufactured.

〔半導体装置の製造方法〕
本発明の一実施形態における半導体装置の製造方法について説明する。
図６（ａ）〜（ｄ）は、本発明の一実施形態における半導体装置の製造工程を示す切断端面図（図１におけるＨ−Ｈ線切断端面図）である。 [Method of Manufacturing Semiconductor Device]
A method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention will be described.
6A to 6D are cut end views (HH cut end view in FIG. 1) showing the manufacturing process of the semiconductor device according to the embodiment of the present invention.

まず、図５（ａ）〜（ｄ）に示す工程により作製されたリードフレーム１を準備し、当該リードフレーム１の半導体素子搭載部２の上面に、ダイボンド材（図示せず）等により半導体素子１１を固着する（図６（ａ）参照）。   First, a lead frame 1 manufactured by the steps shown in FIGS. 5A to 5D is prepared, and a semiconductor element is formed on the upper surface of the semiconductor element mounting portion 2 of the lead frame 1 with a die bond material (not shown) or the like. 11 is fixed (see FIG. 6A).

次に、半導体素子搭載部２に半導体素子１１が搭載されたリードフレーム１を、ワイヤーボンディング装置のステージ上に載置し、当該ワイヤーボンディング装置を用いて、半導体素子１１の端子１１ａとリード３又は半導体素子搭載部２の肉薄部２１とをワイヤー１２により接続する（図６（ｂ）参照）。このとき、本実施形態に係るリードフレーム１において、吊りリード４の一の端部４２ａとタイバー５の端部との連続部５１から吊りリード４の最近傍に位置するリード３までの間におけるタイバー５の厚さＴ1が、各リード３間におけるタイバー５の厚さＴ2よりも厚く構成されていることで（図３（ａ）及び（ｂ）、並びに図４参照）、前者のタイバー５の断面積が後者のタイバー５の断面積よりも大きくなるため、連続部５１近傍にかかる応力に対する耐力が向上され、それによりタイバー５の変形が抑制され得る。その結果として、ワイヤー１２とリード３との接続不良が生じるのを抑制することができ、製造される半導体装置１０におけるワイヤー１２の接続信頼性を向上させることができる。 Next, the lead frame 1 on which the semiconductor element 11 is mounted on the semiconductor element mounting portion 2 is placed on the stage of the wire bonding apparatus, and the terminal 11a of the semiconductor element 11 and the lead 3 or The thin portion 21 of the semiconductor element mounting portion 2 is connected by the wire 12 (see FIG. 6B). At this time, in the lead frame 1 according to the present embodiment, the tie bar between the continuous portion 51 of one end portion 42a of the suspension lead 4 and the end portion of the tie bar 5 to the lead 3 located closest to the suspension lead 4 is obtained. the thickness T 1 of the 5, by being configured thicker than the thickness T 2 of the tie bar 5 between each lead 3 (FIG. 3 (a) and (b), and see FIG. 4), the former tie bars 5 Is larger than the cross-sectional area of the latter tie bar 5, the proof stress against the stress in the vicinity of the continuous portion 51 is improved, whereby deformation of the tie bar 5 can be suppressed. As a result, it is possible to suppress a connection failure between the wire 12 and the lead 3 and improve the connection reliability of the wire 12 in the manufactured semiconductor device 10.

このようにして、半導体素子１１におけるすべての接続すべき端子１１ａと各リード３又は半導体素子搭載部２の肉薄部２１とをワイヤー１２により接続した後、当該リードフレーム１を成形金型内に収容し、半導体素子搭載部２の肉厚部２２及び各リード３の肉厚部３２の下面を外部に露出させるようにして、半導体素子１１、半導体素子搭載部２、リード３、吊りリード４及びワイヤー１２を封止樹脂１３により封止する（図６（ｃ）参照）。   In this way, after all the terminals 11a to be connected in the semiconductor element 11 and each lead 3 or the thin part 21 of the semiconductor element mounting portion 2 are connected by the wire 12, the lead frame 1 is accommodated in the molding die. The semiconductor element 11, the semiconductor element mounting portion 2, the lead 3, the suspension lead 4, and the wire are exposed so that the lower surface of the thick portion 22 of the semiconductor element mounting portion 2 and the thick portion 32 of each lead 3 are exposed to the outside. 12 is sealed with a sealing resin 13 (see FIG. 6C).

続いて、封止樹脂１３により封止されたリードフレーム１を成形金型から取り出し、リード３の肉厚部３２と吊りリード４とを切断し、半導体装置１０ごとに分離する。具体的には、半導体素子１１ごとにタイバー５に沿ってダイシングすることにより、各リード３の肉厚部３２及び各吊りリード４を切断し、タイバー５を除去する。このようにして、半導体素子搭載部２と、半導体素子搭載部２の上面に搭載された半導体素子１１と、半導体素子搭載部２と電気的に独立するようにして当該半導体素子搭載部２の周囲に設けられてなる複数の外部端子３０と、半導体素子１１の各端子１１ａと半導体素子搭載部２又は各外部端子３０とを電気的に接続するワイヤー１２と、外部端子３０の下面及び先端部に対向する側面を外部に露出させるようにして、半導体素子搭載部２、各外部端子３０、吊りリード（図６（ｄ）において図示せず）、半導体素子１１及びワイヤー１２を封止する封止樹脂１３とを備える半導体装置１０を得ることができる（図６（ｄ）参照）。   Subsequently, the lead frame 1 sealed with the sealing resin 13 is taken out from the molding die, the thick portion 32 of the lead 3 and the suspension lead 4 are cut, and separated for each semiconductor device 10. Specifically, dicing along the tie bar 5 for each semiconductor element 11 cuts the thick portions 32 of the leads 3 and the suspension leads 4 and removes the tie bars 5. In this manner, the semiconductor element mounting portion 2, the semiconductor element 11 mounted on the upper surface of the semiconductor element mounting portion 2, and the periphery of the semiconductor element mounting portion 2 so as to be electrically independent of the semiconductor element mounting portion 2. A plurality of external terminals 30, wires 12 for electrically connecting the respective terminals 11 a of the semiconductor element 11 to the semiconductor element mounting portion 2 or the respective external terminals 30, and the lower surface and the distal end portion of the external terminal 30. Sealing resin for sealing the semiconductor element mounting portion 2, the external terminals 30, the suspension leads (not shown in FIG. 6D), the semiconductor element 11, and the wires 12 so that the opposing side surfaces are exposed to the outside. 13 can be obtained (see FIG. 6D).

以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。   The embodiment described above is described for facilitating understanding of the present invention, and is not described for limiting the present invention. Therefore, each element disclosed in the above embodiment is intended to include all design changes and equivalents belonging to the technical scope of the present invention.

上記実施形態においては、吊りリード４の一の端部４２ａとタイバー５の端部５ａとの連続部５１から吊りリード４の最近傍に位置するリード３までの間におけるタイバー５の厚さＴ1が、各リード３間に位置するタイバー５の厚さＴ2よりも厚く、それらの幅Ｗ1，Ｗ2は略同一に構成されているが、本発明は、吊りリード４の一の端部４２ａとタイバー５の端部５ａとの連続部５１から吊りリード４の最近傍に位置するリード３までの間におけるタイバー５が、連続部５１近傍にかかる応力に対する耐力を向上させ得る構成を有する限り、このような態様に制限されるものではない。例えば、図７に示すように、連続部５１から吊りリード４の最近傍に位置するリード３までの間のタイバー５の幅ＷT1が、各リード３間に位置するタイバー５の幅ＷT2よりも大きく構成されていてもよい。このような構成とすることで、特にタイバー５の連続部５１近傍において捩れによる応力に対する耐力を向上させることができ、当該タイバー５の連続部５１近傍における変形を抑制することができる。 In the above embodiment, the thickness T 1 of the tie bar 5 from the continuous portion 51 between the one end portion 42a of the suspension lead 4 and the end portion 5a of the tie bar 5 to the lead 3 located closest to the suspension lead 4 is obtained. However, the tie bar 5 located between the leads 3 is thicker than the thickness T 2 and the widths W 1 and W 2 are substantially the same. As long as the tie bar 5 between the continuous portion 51 between the end 42a and the end portion 5a of the tie bar 5 and the lead 3 positioned closest to the suspension lead 4 has a configuration capable of improving the resistance to stress applied in the vicinity of the continuous portion 51. However, the present invention is not limited to such an embodiment. For example, as shown in FIG. 7, the width W T1 of the tie bar 5 from the continuous portion 51 to the lead 3 positioned closest to the suspension lead 4 is greater than the width W T2 of the tie bar 5 positioned between the leads 3. May be configured larger. By adopting such a configuration, it is possible to improve the yield strength against the stress due to torsion particularly in the vicinity of the continuous portion 51 of the tie bar 5 and to suppress deformation in the vicinity of the continuous portion 51 of the tie bar 5.

上記実施形態においては、タイバー５の端部５ａが吊りリード４の二股に分岐した一の端部４２ａの側面に連続するように構成されているが（図４参照）、本発明はこのような態様に限定されるものではなく、例えば、図８に示すように、タイバー５の長手方向における側面に吊りリード４の二股に分岐した一の端部４２ａが連続するように構成されていてもよい。上記実施形態においては、吊りリード４の一の端部４２ａから吊りリード４の最近傍に位置するリード３までの間におけるタイバー５の厚さＴ1が吊りリード４の端部４２ａの厚さよりも大きい（タイバー５の厚さＴ1が端部４２ａの厚さの略２倍である）ことで（図４参照）、肉厚のタイバー５と肉薄の端部４２ａとの境界部分に揺動等による応力が集中してしまうおそれがある。しかしながら、図８に示すような構成とすることで、タイバー５の揺動等による応力に対する耐力をさらに向上させることができ、タイバー５の連続部５１近傍における変形をより抑制することができる。 In the above embodiment, the end portion 5a of the tie bar 5 is configured to be continuous with the side surface of the one end portion 42a branched into the bifurcated portion of the suspension lead 4 (see FIG. 4). For example, as shown in FIG. 8, one end portion 42 a branched into two forks of the suspension lead 4 may be continuous with the side surface in the longitudinal direction of the tie bar 5. . In the above embodiment, the thickness T 1 of the tie bar 5 from one end 42 a of the suspension lead 4 to the lead 3 positioned closest to the suspension lead 4 is larger than the thickness of the end 42 a of the suspension lead 4. Since it is large (the thickness T 1 of the tie bar 5 is approximately twice the thickness of the end portion 42a) (see FIG. 4), it swings at the boundary between the thick tie bar 5 and the thin end portion 42a. There is a risk of stress concentration due to. However, by adopting the configuration as shown in FIG. 8, it is possible to further improve the yield strength against stress due to the swinging of the tie bar 5 and to further suppress deformation in the vicinity of the continuous portion 51 of the tie bar 5.

本発明は、ＱＦＮタイプ等のような樹脂封止型半導体装置を製造するためのリードフレームであって、多面付リードフレームとして有用である。   The present invention is a lead frame for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device such as a QFN type and is useful as a multi-sided lead frame.

１…リードフレーム
２…半導体素子搭載部
２１…肉薄部
２２…肉厚部
３…リード
３１…肉薄部
３２…肉厚部
４…吊りリード
４２…他端部
４２ａ…端部
５…タイバー
…端部
５１…連続部
１０…半導体装置
１１…半導体素子
１１ａ…端子
１２…ワイヤー
１３…封止樹脂
３０…外部端子 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Lead frame 2 ... Semiconductor element mounting part 21 ... Thin part 22 ... Thick part 3 ... Lead 31 ... Thin part 32 ... Thick part 4 ... Hanging lead 42 ... Other end part 42a ... End part 5 ... Tie bar ... End part DESCRIPTION OF SYMBOLS 51 ... Continuous part 10 ... Semiconductor device 11 ... Semiconductor element 11a ... Terminal 12 ... Wire 13 ... Sealing resin 30 ... External terminal

Claims (4)

上面に半導体素子が搭載される半導体素子搭載部、前記半導体素子搭載部に一端部を連続させることにより当該半導体素子搭載部を支持する吊りリード、及び前記半導体素子搭載部の周囲に、先端部を対向させて並設されてなる複数のリードを含む単位リードフレームと、
前記単位リードフレームの各辺に沿って設けられ、前記複数のリードを支持するタイバーと
を備え、
複数の前記単位リードフレームが、マトリックス状に配列されてなり、
前記タイバーは、隣接する前記単位リードフレームの境界部に位置するようにして格子状に設けられてなり、
前記タイバーの両端部は、それぞれ前記吊りリードの他端部に連続しており、
隣接する前記単位リードフレームに含まれる前記複数のリードのそれぞれは、当該隣接する前記単位リードフレームの間に位置する前記タイバーを挟むようにして、前記タイバーの両側面のそれぞれに支持されており、
前記吊りリードの他端部と前記タイバーの端部との連続部から当該吊りリードの最近傍に位置する前記リードまでの間における前記タイバーの厚さ方向の断面積が、前記タイバーに沿って並列する複数のリードのうちの隣接する前記リード間における前記タイバーの厚さ方向の断面積よりも大きく、
前記吊りリードの他端部と前記タイバーの端部との連続部から当該吊りリードの最近傍に位置する前記リードまでの間における前記タイバーの平面視における短手方向の長さは、前記タイバーに沿って並列する複数のリードのうちの隣接する前記リード間における、前記リードを支持する前記タイバーの両側面の間の長さよりも大きいことを特徴とする多面付リードフレーム。 A semiconductor element mounting portion on which a semiconductor element is mounted on an upper surface, a suspension lead that supports the semiconductor element mounting portion by continuing one end to the semiconductor element mounting portion, and a tip portion around the semiconductor element mounting portion A unit lead frame including a plurality of leads arranged in parallel to face each other;
A tie bar provided along each side of the unit lead frame and supporting the plurality of leads;
A plurality of the unit lead frames are arranged in a matrix,
The tie bars are provided in a lattice shape so as to be located at the boundary between adjacent unit lead frames,
Both end portions of the tie bar are respectively connected to the other end portions of the suspension leads,
Each of the plurality of leads included in the adjacent unit lead frame is supported on each of both side surfaces of the tie bar so as to sandwich the tie bar located between the adjacent unit lead frames.
The cross-sectional area of the tie bar in the thickness direction from the continuous portion of the other end of the suspension lead and the end of the tie bar to the lead located closest to the suspension lead is aligned along the tie bar. larger than the cross-sectional area in the thickness direction of the tie bar between the leads adjacent one of the plurality of leads rather,
The length in the short direction in plan view of the tie bar from the continuous part of the other end of the suspension lead and the end of the tie bar to the lead located closest to the suspension lead is A multi-sided lead frame characterized in that it is larger than the length between both side faces of the tie bar supporting the leads, between the adjacent leads of the plurality of leads arranged in parallel . 前記吊りリードの他端部と前記タイバーの端部との連続部から当該吊りリードの最近傍に位置する前記リードまでの間における前記タイバーの厚さが、前記タイバーに沿って並列する複数のリードのうちの隣接する前記リード間における前記タイバーの厚さよりも厚いことを特徴とする請求項１に記載の多面付リードフレーム。   A plurality of leads in which the thickness of the tie bar between the continuous portion of the other end portion of the suspension lead and the end portion of the tie bar to the lead located closest to the suspension lead is aligned along the tie bar The multi-faced lead frame according to claim 1, wherein a thickness of the tie bar between adjacent leads is larger. 請求項１又は２に記載の多面付リードフレームを製造する方法であって、
導電性基板の上面及び下面のそれぞれに、所定のパターン形状を有するレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
前記レジストパターンが形成された導電性基板に対してエッチング処理を施すエッチング工程と
を含み、
前記レジストパターン形成工程において、前記多面付リードフレームにおける隣接する前記単位リードフレームの間に位置する前記タイバーの短手方向の両側面のそれぞれに、当該タイバーを挟んで、当該隣接する各単位リードフレームの前記複数のリードのそれぞれが支持されるように、前記吊りリードの他端部と前記タイバーの端部との連続部から当該吊りリードの最近傍に位置する前記リードまでの間における前記タイバーの厚さ方向の断面積が、前記タイバーに沿って並列する複数のリードのうちの隣接する前記リード間における前記タイバーの厚さ方向の断面積よりも大きくなるように、かつ前記吊りリードの他端部と前記タイバーの端部との連続部から当該吊りリードの最近傍に位置する前記リードまでの間における前記タイバーの平面視における短手方向の長さが、前記タイバーに沿って並列する複数のリードのうちの隣接する前記リード間における、前記リードを支持する前記タイバーの両側面の間の長さよりも大きくなるように、前記レジストパターンを形成することを特徴とする多面付リードフレームの製造方法。 A method for producing a multi-faceted lead frame according to claim 1 or 2 ,
A resist pattern forming step of forming a resist pattern having a predetermined pattern shape on each of the upper surface and the lower surface of the conductive substrate;
An etching step of performing an etching process on the conductive substrate on which the resist pattern is formed,
In the resist pattern forming step, each of the adjacent unit lead frames sandwiching the tie bar between both side surfaces of the tie bar located between the adjacent unit lead frames of the multi-sided lead frame in the short direction. So that each of the plurality of leads is supported from the continuous portion of the other end portion of the suspension lead and the end portion of the tie bar to the lead located closest to the suspension lead. The other end of the suspension lead is such that the cross-sectional area in the thickness direction is larger than the cross-sectional area in the thickness direction of the tie bar between adjacent leads among the plurality of leads arranged in parallel along the tie bar. The tie bar between the continuous part of the tie bar and the end of the tie bar and the lead located closest to the suspension lead The length in the short side direction in plan view is larger than the length between the two side surfaces of the tie bar supporting the lead between the adjacent leads of the plurality of leads arranged in parallel along the tie bar. Thus, the method for manufacturing a multi-faced lead frame , wherein the resist pattern is formed. 請求項１又は２に記載の多面付リードフレームにおける前記半導体素子搭載部の上面に半導体素子を固着する工程と、
前記半導体素子の各端子と複数のリードのそれぞれとをワイヤーを介して接続するワイヤーボンディング工程と、
前記半導体素子、前記半導体素子搭載部、前記複数のリード及び前記ワイヤーを封止樹脂にて封止する樹脂封止工程と、
前記封止樹脂にて封止された前記半導体素子、前記半導体素子搭載部、前記複数のリード及び前記ワイヤーを含むリードフレームを、前記タイバーに沿って切断し、前記半導体素子ごとに個片化するダイシング工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 A step of fixing the semiconductor element on the upper surface of the semiconductor element mounting portion of the polygon with the lead frame according to claim 1 or 2,
A wire bonding step of connecting each terminal of the semiconductor element and each of the plurality of leads via a wire;
A resin sealing step of sealing the semiconductor element, the semiconductor element mounting portion, the plurality of leads and the wire with a sealing resin;
A lead frame including the semiconductor element sealed with the sealing resin, the semiconductor element mounting portion, the plurality of leads, and the wire is cut along the tie bar and separated into pieces for each semiconductor element. A method for manufacturing a semiconductor device, comprising a dicing step.
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