JP2018191012A - Lead frame and method of manufacturing lead frame - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体装置用のリードフレームおよびこのようなリードフレームの製造方法に関する。 The present invention relates to a lead frame for a semiconductor device and a method for manufacturing such a lead frame.
従来より、薄型の半導体装置（半導体パッケージ）として、例えばＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded package）タイプのものや、ＳＯＮ（Small Outline Non-leaded Package）タイプのもの等が知られている。 Conventionally, as a thin semiconductor device (semiconductor package), for example, a QFN (Quad Flat Non-leaded package) type, a SON (Small Outline Non-leaded Package) type, and the like are known.
このうちＱＦＮタイプの半導体装置の製造方法としては、コストダウンの観点から、個別モールドタイプから一括モールドタイプ（ＭＡＰ型ＱＦＮタイプ）へと移行してきている。 Among these, the manufacturing method of the QFN type semiconductor device has shifted from an individual mold type to a batch mold type (MAP type QFN type) from the viewpoint of cost reduction.
ＭＡＰ型ＱＦＮタイプの半導体装置は、その製造工程において、パッケージを単体に切り離すソーイング加工を行うが、このときにメタルバリが発生することが問題となっている。メタルバリが発生した場合、切断後の半導体装置において、互いに隣接するリード部同士が短絡してしまうおそれがある。このため、ソーイング加工（ダイシング加工とも言う）時に生じるバリを少なくすることが求められており、例えば、コネクティングバー（グリッドリード、またはタイバーとも言う）にハーフエッチング加工を施す技術が存在する（特許文献１参照）。 The MAP type QFN type semiconductor device performs a sawing process for separating the package into a single piece in the manufacturing process, and at this time, the problem is that metal burrs are generated. When a metal burr | flash generate | occur | produces, there exists a possibility that the mutually adjacent lead part may short-circuit in the semiconductor device after a cutting | disconnection. For this reason, it is required to reduce burrs generated during sawing (also referred to as dicing). For example, there is a technique of performing half-etching on a connecting bar (also referred to as grid lead or tie bar) (Patent Document). 1).
ところで近年、ＱＦＮタイプの半導体装置の多ピン化が進んでおり、このため、従来のものよりも大型のパッケージが用いられてきている。しかしながら、上述した従来のＱＦＮタイプの半導体装置においては、コネクティングバーにハーフエッチング加工を施したことにより、コネクティングバーの強度が不足してしまう。このため、とりわけリード部周囲でコネクティングバーに変形が生じるおそれがある。 By the way, in recent years, the number of pins of a QFN type semiconductor device is increasing, and for this reason, a package larger than the conventional one has been used. However, in the conventional QFN type semiconductor device described above, the strength of the connecting bar is insufficient due to the half-etching process performed on the connecting bar. For this reason, there is a possibility that the connecting bar may be deformed particularly around the lead portion.
本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、ソーイング加工時におけるバリの発生を抑えつつ、コネクティングバーの変形を防止することが可能なリードフレームおよびその製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in consideration of such points, and provides a lead frame capable of preventing the deformation of a connecting bar while suppressing the occurrence of burrs during sawing and a method for manufacturing the same. Objective.
本発明は、半導体装置用のリードフレームにおいて、それぞれ半導体素子を載置するダイパッドと、ダイパッドの周囲に設けられた複数のリード部とを含む、複数のリードフレーム要素を備え、隣接するリードフレーム要素間において、対応する一対のリード部がコネクティングバーを介して連結され、コネクティングバーは、リード部の長手方向に対して直交して延び、かつ対応する一対のリード部間に位置する複数のリード連結部と、リード連結部間に位置する複数の補強部とを有し、コネクティングバーの補強部は、リード部と同一厚みとなる台形断面を有することを特徴とするリードフレームである。 The present invention relates to a lead frame for a semiconductor device, comprising a plurality of lead frame elements each including a die pad on which a semiconductor element is placed and a plurality of lead portions provided around the die pad. A pair of corresponding lead portions are connected via a connecting bar, and the connecting bar extends perpendicular to the longitudinal direction of the lead portion and is connected to a plurality of leads located between the corresponding pair of lead portions. And a plurality of reinforcing portions located between the lead connecting portions, and the reinforcing portion of the connecting bar has a trapezoidal cross section having the same thickness as the lead portion.
本発明は、コネクティングバーの裏面側の幅方向両端に、それぞれコネクティングバーの長手方向に沿って直線状のハーフエッチング部が形成され、コネクティングバーの補強部は、下底が上底より短い台形断面を有することを特徴とするリードフレームである。 In the present invention, straight half-etched portions are formed along the longitudinal direction of the connecting bar at both ends in the width direction on the back side of the connecting bar, respectively, and the reinforcing portion of the connecting bar has a trapezoidal cross section whose lower base is shorter than the upper base It is a lead frame characterized by having.
本発明は、コネクティングバーの補強部の台形断面は、その下底の長さが上底の長さの０．０５倍〜０．５倍となることを特徴とするリードフレームである。 The present invention is the lead frame characterized in that the trapezoidal cross section of the reinforcing portion of the connecting bar has a lower base length 0.05 to 0.5 times the upper base length.
本発明は、コネクティングバーの表面側の幅方向両端に、それぞれコネクティングバーの長手方向に沿って直線状のハーフエッチング部が形成され、コネクティングバーの補強部は、上底が下底より短い台形断面を有することを特徴とするリードフレームである。 In the present invention, straight half-etched portions are formed along the longitudinal direction of the connecting bar at both ends in the width direction on the surface side of the connecting bar, respectively, and the reinforcing portion of the connecting bar has a trapezoidal cross section whose upper base is shorter than the lower base It is a lead frame characterized by having.
本発明は、コネクティングバーのリード連結部のうち少なくとも一部は、リード部と同一厚みとなる矩形断面を有し、コネクティングバーの補強部は、上底が下底より短い台形断面を有することを特徴とするリードフレームである。 According to the present invention, at least a part of the lead connecting portion of the connecting bar has a rectangular cross section having the same thickness as the lead portion, and the reinforcing portion of the connecting bar has a trapezoidal cross section whose upper base is shorter than the lower base. This is a featured lead frame.
本発明は、リード部は、コネクティングバーに連結される基端部と、ダイパッド側に位置する先端部とを有し、リード部の基端部は、先端部からコネクティングバー側に向けてその幅が徐々に狭くなることを特徴とするリードフレームである。 In the present invention, the lead portion has a proximal end portion connected to the connecting bar and a distal end portion located on the die pad side, and the proximal end portion of the lead portion has a width from the distal end portion toward the connecting bar side. Is a lead frame characterized by gradually narrowing.
本発明は、コネクティングバーの補強部の台形断面は、その上底の長さが下底の長さの０．０５倍〜０．５倍となることを特徴とするリードフレームである。 The present invention is the lead frame characterized in that the length of the upper base of the trapezoidal cross section of the reinforcing portion of the connecting bar is 0.05 to 0.5 times the length of the lower base.
本発明は、リードフレームを製造するリードフレームの製造方法において、金属基板を準備する工程と、金属基板の表裏に、それぞれエッチング用レジスト層を形成する工程と、エッチング用レジスト層を耐腐蝕膜として金属基板の表裏にエッチングを施すことにより、金属基板に、それぞれ半導体素子を載置するダイパッドと、ダイパッドの周囲に設けられた複数のリード部とを含む、複数のリードフレーム要素を形成する工程と、金属基板の表裏から、それぞれエッチング用レジスト層を除去する工程とを備え、複数のリードフレーム要素を形成する工程において、コネクティングバーの補強部に、リード部と同一厚みとなる台形断面が形成されることを特徴とするリードフレームの製造方法である。 The present invention relates to a lead frame manufacturing method for manufacturing a lead frame, a step of preparing a metal substrate, a step of forming an etching resist layer on each of the front and back surfaces of the metal substrate, and the etching resist layer as a corrosion resistant film. Etching the front and back surfaces of the metal substrate to form a plurality of lead frame elements on the metal substrate, each of which includes a die pad for mounting a semiconductor element and a plurality of lead portions provided around the die pad; Removing a resist layer for etching from the front and back surfaces of the metal substrate, and in the step of forming a plurality of lead frame elements, a trapezoidal cross section having the same thickness as the lead portion is formed in the reinforcing portion of the connecting bar. A method for manufacturing a lead frame.
本発明によれば、コネクティングバーの補強部は、リード部と同一厚みとなる台形断面を有するので、コネクティングバーの垂直断面の面積を小さくし、ソーイング加工（ダイシング加工とも言う）時にリード部に生じるバリの量を抑えることができる。また、コネクティングバーのうち、とりわけ変形が生じやすい箇所である補強部は、リード部と同一厚みとなる台形断面を有しているので、コネクティングバーの強度を高め、コネクティングバーの変形を防止することができる。 According to the present invention, since the reinforcing portion of the connecting bar has a trapezoidal cross section having the same thickness as the lead portion, the area of the vertical cross section of the connecting bar is reduced, and is generated in the lead portion during sawing (also called dicing). The amount of burrs can be reduced. In addition, the reinforcing part, which is a place where deformation easily occurs among the connecting bars, has a trapezoidal cross section that has the same thickness as the lead part, thus increasing the strength of the connecting bar and preventing the deformation of the connecting bar. Can do.
第１の実施の形態
以下、本発明の第１の実施の形態について、図１乃至図１０を参照して説明する。
First Embodiment Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
リードフレームの構成
まず、図１乃至図５により、本実施の形態によるリードフレームの概略について説明する。図１乃至図５は、本実施の形態によるリードフレームを示す図である。
Construction of the lead frame initially, to FIG. 1 to FIG. 5, the outline of the lead frame according to the present embodiment. 1 to 5 are views showing a lead frame according to the present embodiment.
図１乃至図５に示すリードフレーム１０は、半導体装置２０（後述）を作製するために用いられるものであり、縦横にマトリックス状に配置された複数のリードフレーム要素１４を備えている。 A lead frame 10 shown in FIGS. 1 to 5 is used for manufacturing a semiconductor device 20 (described later), and includes a plurality of lead frame elements 14 arranged in a matrix in the vertical and horizontal directions.
各リードフレーム要素１４は、それぞれ個々の半導体装置２０に対応する領域である。
このリードフレーム要素１４は、半導体素子２１を載置するダイパッド１５と、ダイパッド１５の周囲に設けられた複数のリード部１６とを含んでいる。なお、図１および図２において、二点鎖線で囲まれた領域がそれぞれリードフレーム要素１４に対応する。
Each lead frame element 14 is an area corresponding to each semiconductor device 20.
The lead frame element 14 includes a die pad 15 on which the semiconductor element 21 is placed and a plurality of lead portions 16 provided around the die pad 15. In FIGS. 1 and 2, each area surrounded by a two-dot chain line corresponds to the lead frame element 14.
各ダイパッド１５は、後述する半導体素子２１を載置するためのものであり、平面正方形形状を有している。また、各リード部１６は、後述するようにボンディングワイヤ２２を介して半導体素子２１に接続されるものであり、ダイパッド１５との間に空間を介して配置されている。また図１および図３に示すように、各リード部１６は、矩形形状を有するとともにボンディングワイヤ２２に接続される先端部１６ａと、先端部１６ａより幅の狭い基端部１６ｂとを有している。 Each die pad 15 is for mounting a semiconductor element 21 described later, and has a planar square shape. Each lead portion 16 is connected to the semiconductor element 21 via a bonding wire 22 as will be described later, and is disposed between the die pad 15 and a space. As shown in FIGS. 1 and 3, each lead portion 16 has a rectangular shape, a distal end portion 16 a connected to the bonding wire 22, and a proximal end portion 16 b narrower than the distal end portion 16 a. Yes.
なお、本実施の形態において、ダイパッド１５およびリード部１６にはハーフエッチング加工が施されておらず、加工前の金属基板と同等の厚みを有している。具体的には、ダイパッド１５およびリード部１６の厚みは、半導体装置２０の構成にもよるが、０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍとすることができる。 In the present embodiment, the die pad 15 and the lead portion 16 are not subjected to half etching processing, and have a thickness equivalent to that of the metal substrate before processing. Specifically, the thicknesses of the die pad 15 and the lead portion 16 can be 0.05 mm to 0.5 mm depending on the configuration of the semiconductor device 20.
一方、リードフレーム要素１４の周囲には、複数のコネクティングバー１７が格子状に配置されている。各コネクティングバー１７の幅は、その表面側の幅と裏面側の幅のうち広い方で測定し、例えば０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍとすることができる。 On the other hand, around the lead frame element 14, a plurality of connecting bars 17 are arranged in a lattice pattern. The width of each connecting bar 17 is measured on the wider side of the width on the front surface side and the width on the back surface side, and can be set to, for example, 0.05 mm to 0.5 mm.
また、各リードフレーム要素１４において、ダイパッド１５は、ダイパッド１５の角部から延びる４本の吊りリード４３と、各吊りリード４３に連結された連結部材４４とを介して、コネクティングバー１７に連結されている。 In each lead frame element 14, the die pad 15 is connected to the connecting bar 17 through four suspension leads 43 extending from the corners of the die pad 15 and a connection member 44 connected to each suspension lead 43. ing.
さらに、隣接するリードフレーム要素１４間において、対応する一対のリード部１６がコネクティングバー１７を介して連結されている。各コネクティングバー１７は、当該コネクティングバー１７に連結されたリード部１６の長手方向に対して直交して延びている。 Further, between the adjacent lead frame elements 14, a corresponding pair of lead portions 16 are connected via a connecting bar 17. Each connecting bar 17 extends perpendicularly to the longitudinal direction of the lead portion 16 connected to the connecting bar 17.
本実施の形態において、図２乃至図５に示すように、各コネクティングバー１７は、複数のリード連結部１８と、リード連結部１８間に位置する複数の補強部１９とを有している。 In the present embodiment, as shown in FIGS. 2 to 5, each connecting bar 17 has a plurality of lead connecting portions 18 and a plurality of reinforcing portions 19 positioned between the lead connecting portions 18.
このうち各リード連結部１８は、隣接するリードフレーム要素１４同士の間であって、対応する一対のリード部１６の間に位置している。例えば図３において、リード連結部１８は、上下に配置された一対のリード部１６間に配置されている。 Of these, each lead connecting portion 18 is located between the adjacent lead frame elements 14 and between the corresponding pair of lead portions 16. For example, in FIG. 3, the lead connecting portion 18 is arranged between a pair of lead portions 16 arranged vertically.
また、各補強部１９は、隣接するリード連結部１８同士の間に位置している。図２および図３に示すように、これらリード連結部１８および補強部１９は、コネクティングバー１７の長手方向に沿って、交互に配置されている。 Further, each reinforcing portion 19 is located between adjacent lead connecting portions 18. As shown in FIGS. 2 and 3, the lead connecting portions 18 and the reinforcing portions 19 are alternately arranged along the longitudinal direction of the connecting bar 17.
本実施の形態において、コネクティングバー１７の補強部１９は、リード部１６と同一厚みとなる台形断面を有している。この場合、コネクティングバー１７の補強部１９は、コネクティングバー１７の全長に渡ってリード部１６と同一厚みとなる台形断面をもっている。図５に示すように、コネクティングバー１７の補強部１９は、下底（裏面側）が上底（表面側）より短い台形断面を有している。 In the present embodiment, the reinforcing portion 19 of the connecting bar 17 has a trapezoidal cross section having the same thickness as the lead portion 16. In this case, the reinforcing portion 19 of the connecting bar 17 has a trapezoidal cross section having the same thickness as the lead portion 16 over the entire length of the connecting bar 17. As shown in FIG. 5, the reinforcing portion 19 of the connecting bar 17 has a trapezoidal cross section in which the lower base (back side) is shorter than the upper base (front side).
図２および図３に示すように、各コネクティングバー１７の裏面側の幅方向両端に、それぞれコネクティングバー１７の長手方向に沿って２本の直線状のハーフエッチング部２９が形成されている。この２本のハーフエッチング部２９を設けたことにより、補強部１９の断面形状が台形となっている（図５）。また、リード連結部１８の断面において、裏面側に、それぞれハーフエッチング部２９に対応する２つの凹部が形成されている（図４）。このように、コネクティングバー１７は、全長に渡って表面側の幅が裏面側の幅より広くなっている。 As shown in FIGS. 2 and 3, two straight half-etched portions 29 are formed along the longitudinal direction of the connecting bar 17 at both ends in the width direction on the back surface side of each connecting bar 17. By providing these two half-etched portions 29, the cross-sectional shape of the reinforcing portion 19 is trapezoidal (FIG. 5). Further, in the cross section of the lead connecting portion 18, two concave portions corresponding to the half-etched portions 29 are formed on the back surface side (FIG. 4). Thus, the connecting bar 17 has a width on the front side that is wider than a width on the back side over the entire length.
リード連結部１８および補強部１９の厚みｔ（図４および図５）は上述したリード部１６の厚みと同様であり、例えば０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍとすることができる。 The thickness t (FIGS. 4 and 5) of the lead connecting portion 18 and the reinforcing portion 19 is the same as the thickness of the lead portion 16 described above, and can be, for example, 0.05 mm to 0.5 mm.
また、図５に示すように、補強部１９の台形断面は、その下底の長さＬ２が上底の長さＬ１の０．０５倍〜０．５倍となる（すなわち０．０５≦Ｌ２／Ｌ１≦０．５となる）ことが好ましい。下底の長さＬ２が長ければコネクティングバー１７の強度が向上し、変形を防止できる。一方、下底の長さＬ２が短ければリードフレーム１０を個片に切断するソーイング加工時の切断のしやすさが向上し、バリの防止、切断速度の向上が図れる。Ｌ１とＬ２の比を前記の範囲とすることで、これらの２つの利点をバランス良く得ることができる。 Further, as shown in FIG. 5, a trapezoidal cross-section of the reinforcing portion 19 has a length L 2 of the lower base of 0.05 times to 0.5 times the length L 1 of the upper base (i.e. 0.05 ≦ L 2 / L 1 ≦ 0.5) is preferable. The longer the length L 2 of the lower base to improve strength of the connecting bar 17 can be prevented from deformation. On the other hand, improved ease of sawing work when cutting for cutting the lead frame 10 is shorter in length L 2 of the lower base into pieces, prevention of burrs, improvement in cutting speed attained. By setting the ratio of L 1 and L 2 within the above range, these two advantages can be obtained in a well-balanced manner.
なお、図２および図３の底面（裏面）図において、ハーフエッチング加工が施された箇所（ハーフエッチング部２９）を斜線で示している。他方、図１の平面（表面）図に示すように、リードフレーム１０表面側にはハーフエッチング加工は施されておらず、ダイパッド１５の表面とリード部１６の表面は、互いに同一平面上に位置している。 In addition, in the bottom (rear surface) diagrams of FIGS. 2 and 3, the portion (half-etched portion 29) where the half-etching process has been performed is indicated by hatching. On the other hand, as shown in the plan (surface) view of FIG. 1, the surface side of the lead frame 10 is not half-etched, and the surface of the die pad 15 and the surface of the lead portion 16 are located on the same plane. doing.
このようなリードフレーム１０は、１枚の金属基板をエッチング加工することにより形成されたものである。リードフレーム１０の材料としては、例えば銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４２％のＦｅ合金）等を挙げることができる。 Such a lead frame 10 is formed by etching one metal substrate. Examples of the material of the lead frame 10 include copper, a copper alloy, 42 alloy (Ni 42% Fe alloy), and the like.
なお、リードフレーム１０をウェットエッチングで加工した場合、リードフレーム１０の表面と裏面は平面であるが、側面は正確には表面と裏面の中間位置に稜線状の凸部を持った、金属側にえぐれた形状となる。したがって、図２１に示すように、補強部１９を有するコネクティングバー１７の垂直断面は、上下の面が直線で現わされ、左右の側面はそれぞれ、各々金属側に凹の２本の弧の組み合わせで表現された断面図形となる。またコネクティングバー１７の側面には、表面と裏面の中間位置に、稜線状の凸部１７ａが形成される。このような断面図形についても表面側の幅と裏面側の幅が同一ではなく大小関係を有する場合に、台形断面という。又、表面側の幅と裏面側の幅が等しい場合を矩形断面という。 When the lead frame 10 is processed by wet etching, the front and back surfaces of the lead frame 10 are flat, but the side surface is precisely on the metal side with a ridge-line-shaped convex portion at an intermediate position between the front and back surfaces. It becomes a grim shape. Accordingly, as shown in FIG. 21, the vertical cross section of the connecting bar 17 having the reinforcing portion 19 has upper and lower surfaces appearing as straight lines, and the left and right side surfaces are each a combination of two arcs recessed on the metal side. It becomes a cross-sectional figure expressed by. Further, on the side surface of the connecting bar 17, a ridge-line-shaped convex portion 17a is formed at an intermediate position between the front surface and the back surface. Such a cross-sectional figure is also referred to as a trapezoidal cross section when the width on the front side and the width on the back side are not the same and have a magnitude relationship. A case where the width on the front side and the width on the back side are equal is called a rectangular cross section.
半導体装置の構成
次に、図６により、本実施の形態によるリードフレームを用いて作製された半導体装置について説明する。図６は、半導体装置を示す断面図である。
Structure of a semiconductor device Next, Fig. 6, for manufacturing semiconductor device will be described with reference to a lead frame according to the present embodiment. FIG. 6 is a cross-sectional view showing the semiconductor device.
図６に示す半導体装置２０は、ダイパッド１５およびリード部１６と、ダイパッド１５上に載置された半導体素子２１と、リード部１６と半導体素子２１の端子部２１ａとを電気的に接続するボンディングワイヤ（導電部）２２とを備えている。 The semiconductor device 20 shown in FIG. 6 includes a die pad 15 and a lead portion 16, a semiconductor element 21 placed on the die pad 15, and a bonding wire that electrically connects the lead portion 16 and the terminal portion 21a of the semiconductor element 21. (Conductive portion) 22.
また、ダイパッド１５、リード部１６、半導体素子２１、およびボンディングワイヤ２２は、封止樹脂部２４によって封止されている。 The die pad 15, the lead part 16, the semiconductor element 21, and the bonding wire 22 are sealed with a sealing resin part 24.
ダイパッド１５およびリード部１６は、上述したリードフレーム１０（図１乃至図５）に含まれるものと同様であり、その構成については既に説明したので、ここでは詳細な説明は省略する。 The die pad 15 and the lead portion 16 are the same as those included in the above-described lead frame 10 (FIGS. 1 to 5), and the configuration thereof has already been described, so detailed description thereof will be omitted here.
半導体素子２１としては、特に限定されないが、例えば集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード等を用いることができる。 Although it does not specifically limit as the semiconductor element 21, For example, an integrated circuit, a large-scale integrated circuit, a transistor, a thyristor, a diode etc. can be used.
また、半導体素子２１は、例えばダイボンディングペースト等の固着材２６により、ダイパッド１５上に固定されている。なお、固着材２６がダイボンディングペーストからなる場合、例えばエポキシ樹脂やシリコーン樹脂からなるものを選択することが可能である。 Further, the semiconductor element 21 is fixed on the die pad 15 by a fixing material 26 such as a die bonding paste. When the fixing material 26 is made of a die bonding paste, it is possible to select, for example, an epoxy resin or a silicone resin.
各ボンディングワイヤ２２は、例えば金等の導電性の良い材料からなり、その一端が半導体素子２１の各端子部２１ａに接続されるとともに、その他端が各リード部１６に接続されている。 Each bonding wire 22 is made of a material having good conductivity such as gold, and one end thereof is connected to each terminal portion 21 a of the semiconductor element 21 and the other end is connected to each lead portion 16.
また、封止樹脂部２４としては、例えばエポキシ樹脂やシリコーン樹脂等を用いることが可能である。 Moreover, as the sealing resin part 24, it is possible to use an epoxy resin, a silicone resin, etc., for example.
リードフレームの製造方法
次に、図１乃至図５に示すリードフレーム１０の製造方法について、図７（ａ）−（ｅ）を用いて説明する。図７（ａ）−（ｅ）は、本実施の形態によるリードフレームの製造方法を示す断面図であって、図１のVII−VII線断面図に対応する図である。
Manufacturing Method of Lead Frame Next, a manufacturing method of the lead frame 10 shown in FIGS. 1 to 5 will be described with reference to FIGS. 7A to 7E are cross-sectional views illustrating the lead frame manufacturing method according to the present embodiment and correspond to the cross-sectional view taken along the line VII-VII in FIG.
まず図７（ａ）に示すように、平板状の金属基板３１を準備する。この金属基板３１としては、上述のように銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４２％のＦｅ合金）等からなる金属基板を使用することができる。なお金属基板３１は、その両面に対して脱脂等を行い洗浄処理を施したものを使用することが好ましい。 First, as shown in FIG. 7A, a flat metal substrate 31 is prepared. As the metal substrate 31, a metal substrate made of copper, copper alloy, 42 alloy (Ni 42% Fe alloy) or the like can be used as described above. In addition, it is preferable to use what the metal substrate 31 performed the degreasing | defatting etc. to the both surfaces, and performed the washing process.
次に、金属基板３１の表裏全体にそれぞれ感光性レジスト３２ａ、３３ａを塗布し、これを乾燥する（図７（ｂ））。なお感光性レジスト３２ａ、３３ａとしては、従来公知のものを使用することができる。 Next, photosensitive resists 32a and 33a are applied to the entire front and back surfaces of the metal substrate 31, respectively, and dried (FIG. 7B). As the photosensitive resists 32a and 33a, conventionally known resists can be used.
続いて、この金属基板３１に対してフォトマスクを介して露光し、現像することにより、所望の開口部３２ｂ、３３ｂを有するエッチング用レジスト層３２、３３を形成する（図７（ｃ））。 Subsequently, the metal substrate 31 is exposed through a photomask and developed to form etching resist layers 32 and 33 having desired openings 32b and 33b (FIG. 7C).
具体的には、金属基板３１の表面側において、貫通エッチングを行う部分に対応する箇所に開口部３２ｂが形成される。他方、金属基板３１の裏面側において、貫通エッチングを行う部分に加え、ハーフエッチング加工を行う部分（ハーフエッチング部２９、図２および図３の斜線部分）に対応する箇所に開口部３３ｂが形成される。 Specifically, on the surface side of the metal substrate 31, an opening 32b is formed at a location corresponding to a portion where through etching is performed. On the other hand, on the back side of the metal substrate 31, an opening 33 b is formed at a location corresponding to a portion to be half-etched (half-etched portion 29, a hatched portion in FIGS. 2 and 3) in addition to a portion to be subjected to through etching. The
次に、エッチング用レジスト層３２、３３を耐腐蝕膜として金属基板３１に腐蝕液でエッチングを施す（図７（ｄ））。腐蝕液は、使用する金属基板３１の材質に応じて適宜選択することができる。例えば、金属基板３１として銅を用いる場合、通常、塩化第二鉄水溶液を使用し、これは金属基板３１の両面からスプレーエッチングにて行うことができる。 Next, the etching resist layers 32 and 33 are used as an anticorrosion film, and the metal substrate 31 is etched with an etching solution (FIG. 7D). Corrosion liquid can be suitably selected according to the material of the metal substrate 31 to be used. For example, when copper is used as the metal substrate 31, an aqueous ferric chloride solution is usually used, and this can be performed by spray etching from both surfaces of the metal substrate 31.
これにより金属基板３１に、それぞれ半導体素子２１を載置するダイパッド１５と、ダイパッド１５の周囲に設けられた複数のリード部１６とを含む、複数のリードフレーム要素１４が形成される。 Thereby, a plurality of lead frame elements 14 including the die pad 15 on which the semiconductor element 21 is placed and the plurality of lead portions 16 provided around the die pad 15 are formed on the metal substrate 31.
またこのとき、隣接するリードフレーム要素１４同士の間に、複数のリード連結部１８と複数の補強部１９とを有するコネクティングバー１７が形成される。この際、底面（裏面）側から各コネクティングバー１７の長手方向に沿って、２本の平行線状のハーフエッチング部２９が形成される。この２本のハーフエッチング部２９により、補強部１９の断面形状が台形となり、かつリード連結部１８の断面において、その裏面側に各ハーフエッチング部２９に対応する２つの凹部が形成される。 At this time, a connecting bar 17 having a plurality of lead connecting portions 18 and a plurality of reinforcing portions 19 is formed between adjacent lead frame elements 14. At this time, two parallel-line half-etched portions 29 are formed along the longitudinal direction of each connecting bar 17 from the bottom surface (back surface) side. By the two half-etched portions 29, the cross-sectional shape of the reinforcing portion 19 becomes a trapezoid, and in the cross-section of the lead connecting portion 18, two concave portions corresponding to the half-etched portions 29 are formed on the back surface side.
次いで、エッチング用レジスト層３２、３３を剥離して除去する。このようにして、図１乃至図５に示すリードフレーム１０が得られる（図７（ｅ））。 Next, the etching resist layers 32 and 33 are peeled and removed. In this way, the lead frame 10 shown in FIGS. 1 to 5 is obtained (FIG. 7E).
半導体装置の製造方法
次に、図６に示す半導体装置２０の製造方法について、図８（ａ）−（ｆ）により説明する。図８（ａ）−（ｆ）は、本実施の形態による半導体装置の製造方法を示す断面図である。
Manufacturing Method of Semiconductor Device Next, a manufacturing method of the semiconductor device 20 shown in FIG. 6 will be described with reference to FIGS. 8A to 8F are cross-sectional views illustrating a method for manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment.
まず、上述した工程により（図７（ａ）−（ｅ））、ダイパッド１５と、ダイパッド１５の周囲に設けられた複数のリード部１６とを備えたリードフレーム１０を作製する（図８（ａ））。 First, the lead frame 10 including the die pad 15 and a plurality of lead portions 16 provided around the die pad 15 is manufactured by the above-described steps (FIGS. 7A to 7E) (FIG. 8A). )).
次に、リードフレーム１０のダイパッド１５上に、半導体素子２１を搭載する。この場合、例えばダイボンディングペースト等の固着材２６を用いて、半導体素子２１をダイパッド１５上に載置して固定する（ダイアタッチ工程）（図８（ｂ））。 Next, the semiconductor element 21 is mounted on the die pad 15 of the lead frame 10. In this case, the semiconductor element 21 is placed and fixed on the die pad 15 using a fixing material 26 such as a die bonding paste (die attachment step) (FIG. 8B).
次いで、半導体素子２１の端子部２１ａと、リードフレーム１０の各リード部１６とを、それぞれボンディングワイヤ２２によって電気的に接続する（ワイヤボンディング工程）（図８（ｃ））。 Next, the terminal portions 21a of the semiconductor element 21 and the lead portions 16 of the lead frame 10 are electrically connected by bonding wires 22 (wire bonding step) (FIG. 8C).
その後、封止樹脂部２４によりダイパッド１５、リード部１６、半導体素子２１、およびボンディングワイヤ２２とを封止する（図８（ｄ））。 Thereafter, the die pad 15, the lead part 16, the semiconductor element 21, and the bonding wire 22 are sealed with the sealing resin part 24 (FIG. 8D).
次に、各リードフレーム要素１４間のコネクティングバー１７をソーイングすることにより、リードフレーム１０を各リードフレーム要素１４毎に分離する（図８（ｅ））。 Next, the lead frame 10 is separated for each lead frame element 14 by sawing the connecting bar 17 between the lead frame elements 14 (FIG. 8E).
このとき、まずリードフレーム１０をテープ３７上に載置して固定する。その後、例えばダイヤモンド砥石等からなるブレード３８をコネクティングバー１７の長手方向に沿って移動することにより、各リードフレーム要素１４間のコネクティングバー１７および封止樹脂部２４が切断される。なお、切断をスムーズに行うため、ブレード３８の幅はコネクティングバー１７の幅より太くすることが好ましい。 At this time, the lead frame 10 is first placed and fixed on the tape 37. Thereafter, the connecting bar 17 and the sealing resin portion 24 between the lead frame elements 14 are cut by moving a blade 38 made of, for example, a diamond grindstone along the longitudinal direction of the connecting bar 17. In order to cut smoothly, it is preferable that the width of the blade 38 is larger than the width of the connecting bar 17.
このようにして、図２に示す半導体装置２０を得ることができる（図８（ｆ））。 In this way, the semiconductor device 20 shown in FIG. 2 can be obtained (FIG. 8F).
本実施の形態の作用効果
本実施の形態によれば、コネクティングバー１７のうち、とりわけ応力変形が生じやすい箇所である補強部１９は、ハーフエッチングによりリード部１６と同一厚みとなる台形断面を有している。応力変形が生じやすい補強部１９の強度を高めたことにより、コネクティングバー１７の全体の強度が高められ、リードフレーム１０を作製する際（図７（ｄ）−（ｅ））、あるいは作製後のリードフレーム１０を保管乃至搬送する際、コネクティングバー１７がＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向のいずれにも変形しないようになっている。
Effects of this Embodiment According to this embodiment, the reinforcing portion 19 that is particularly susceptible to stress deformation in the connecting bar 17 has a trapezoidal cross section that has the same thickness as the lead portion 16 by half etching. doing. By increasing the strength of the reinforcing portion 19 where stress deformation is likely to occur, the overall strength of the connecting bar 17 is increased, and the lead frame 10 is manufactured (FIGS. 7D to 7E) or after the manufacturing. When the lead frame 10 is stored or transported, the connecting bar 17 is not deformed in any of the X direction, the Y direction, and the Z direction.
また、補強部１９の断面形状を台形断面としたことにより、リード部１６周囲の金属の量を減らすことができ、ソーイング加工時（図８（ｅ））のストレスを減少させ切断性が向上するとともに、ソーイング加工時にリード部１６の周囲に生じるバリの量を抑えることができる。これにより、半導体装置２０において、互いに隣接するリード部１６同士がバリによって短絡することを防止することができる。 Further, since the cross-sectional shape of the reinforcing portion 19 is a trapezoidal cross-section, the amount of metal around the lead portion 16 can be reduced, the stress during sawing (FIG. 8 (e)) is reduced, and the cutting performance is improved. At the same time, the amount of burrs generated around the lead portion 16 during sawing can be suppressed. Thereby, in the semiconductor device 20, it can prevent that the mutually adjacent lead parts 16 are short-circuited by a burr | flash.
また本実施の形態によれば、各コネクティングバー１７の裏面側の幅方向両端に、それぞれコネクティングバー１７の長手方向に沿って２本の直線状のハーフエッチング部２９が形成されている。このことにより、コネクティングバー１７の全長に渡ってその垂直断面の面積を減少させ、ソーイング加工時にリード部１６の周囲に生じるバリの量を減少させることができる。 Further, according to the present embodiment, two linear half-etched portions 29 are formed along the longitudinal direction of the connecting bar 17 at both ends in the width direction on the back side of each connecting bar 17. As a result, the area of the vertical cross section of the connecting bar 17 can be reduced over the entire length, and the amount of burrs generated around the lead portion 16 during sawing can be reduced.
とりわけ、多ピン化により半導体装置２０のパッケージサイズを大型化した場合（例えば５ｍｍ□以上とした場合）に、上述したコネクティングバー１７の変形防止およびリード部１６の短絡防止という効果を顕著に得ることができる。 In particular, when the package size of the semiconductor device 20 is increased by increasing the number of pins (for example, 5 mm □ or more), the above-described effects of preventing the deformation of the connecting bar 17 and preventing the short-circuit of the lead portion 16 are obtained. Can do.
このように本実施の形態によれば、ソーイング加工時におけるバリの発生を抑えつつ、コネクティングバー１７の変形を防止することが可能となる。 Thus, according to the present embodiment, it is possible to prevent deformation of the connecting bar 17 while suppressing the occurrence of burrs during the sawing process.
変形例
次に、図９および図１０により、本実施の形態によるリードフレームの変形例について説明する。図９および図１０において、図１乃至図８に示す実施の形態と同一部分には同一の符号を付して、詳細な説明は省略する。
Modification Next, FIGS. 9 and 10, a description will be given of a variation of the lead frame according to the present embodiment. 9 and 10, the same parts as those in the embodiment shown in FIGS. 1 to 8 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
図９および図１０は、本実施の形態の一変形例によるリードフレーム１０Ａおよび半導体装置２０Ａを示している。図９は、リードフレーム１０Ａを示す垂直断面図であり、図１０は、リードフレーム１０Ａを用いて作製された半導体装置２０Ａを示す垂直断面図である。 9 and 10 show a lead frame 10A and a semiconductor device 20A according to a modification of the present embodiment. FIG. 9 is a vertical cross-sectional view showing the lead frame 10A, and FIG. 10 is a vertical cross-sectional view showing a semiconductor device 20A manufactured using the lead frame 10A.
図９および図１０において、図１乃至図８に示す実施の形態と異なり、ダイパッド１５の裏面がハーフエッチングにより薄肉化されている。また、リード部１６の先端部１６ａの裏面も、ハーフエッチングにより薄肉化されている。 9 and 10, unlike the embodiment shown in FIGS. 1 to 8, the back surface of the die pad 15 is thinned by half etching. Further, the back surface of the tip portion 16a of the lead portion 16 is also thinned by half etching.
この場合、図１０に示すように、半導体装置２０Ａにおいて、ダイパッド１５の裏面は外方に露出しておらず、封止樹脂部２４によって覆われている。このほかの構成は、図１乃至図８に示す実施の形態と略同様である。 In this case, as shown in FIG. 10, in the semiconductor device 20 </ b> A, the back surface of the die pad 15 is not exposed to the outside and is covered with the sealing resin portion 24. Other configurations are substantially the same as those of the embodiment shown in FIGS.
第２の実施の形態
次に、本発明の第２の実施の形態について図１１乃至図１５を参照して説明する。図１１乃至図１５は、本発明の第２の実施の形態を示す図である。図１１乃至図１５に示す第２の実施の形態は、コネクティングバーの補強部が、上底が下底より短い台形断面を有する点が異なるものであり、他の構成は上述した第１の実施の形態と略同一である。図１１乃至図１５において、図１乃至図１０に示す第１の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
Second Embodiment Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 11 to 15 are views showing a second embodiment of the present invention. The second embodiment shown in FIGS. 11 to 15 is different in that the reinforcing portion of the connecting bar has a trapezoidal cross section in which the upper base is shorter than the lower base, and the other configuration is the first embodiment described above. The form is substantially the same. 11 to 15, the same parts as those of the first embodiment shown in FIGS. 1 to 10 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
図１１乃至図１５に示すリードフレーム１０Ｂにおいて、コネクティングバー１７は、対応する一対のリード部１６間に位置する複数のリード連結部７１と、リード連結部７１間に位置する複数の補強部７２とを有している。 In the lead frame 10B shown in FIGS. 11 to 15, the connecting bar 17 includes a plurality of lead connecting portions 71 positioned between a pair of corresponding lead portions 16 and a plurality of reinforcing portions 72 positioned between the lead connecting portions 71. have.
このうち補強部７２は、リード部１６と同一厚みとなる台形断面を有している。この場合、図１４および図１５に示すように、コネクティングバー１７の補強部７２は、コネクティングバー１７の全長に渡ってリード部１６と同一厚みとなる台形断面をもち、その台形断面は、上底（表面側）が下底（裏面側）より短くなっている。 Of these, the reinforcing portion 72 has a trapezoidal cross section having the same thickness as the lead portion 16. In this case, as shown in FIGS. 14 and 15, the reinforcing portion 72 of the connecting bar 17 has a trapezoidal cross section having the same thickness as the lead portion 16 over the entire length of the connecting bar 17. (Front side) is shorter than the bottom (back side).
図１１および図１３に示すように、各コネクティングバー１７の表面側の幅方向両端に、それぞれコネクティングバー１７の長手方向に沿って２本の直線状のハーフエッチング部７３が形成されている。この２本のハーフエッチング部７３を設けたことにより、補強部７２の断面形状が台形となっている（図１５）。また、リード連結部７１の断面において、表面側に、それぞれハーフエッチング部７３に対応する２つの凹部が形成されている（図１４）。このように、コネクティングバー１７は、全長に渡って裏面側の幅が表面側の幅より広くなっている。 As shown in FIGS. 11 and 13, two linear half-etched portions 73 are formed along the longitudinal direction of the connecting bar 17 at both ends in the width direction on the surface side of each connecting bar 17. By providing these two half-etched portions 73, the cross-sectional shape of the reinforcing portion 72 is trapezoidal (FIG. 15). Further, in the cross section of the lead connecting portion 71, two concave portions respectively corresponding to the half-etched portions 73 are formed on the surface side (FIG. 14). In this way, the connecting bar 17 has a width on the back side that is wider than a width on the front side over the entire length.
なお、図１５に示すように、コネクティングバー１７の補強部７２の台形断面は、その上底の長さＬ３が下底の長さＬ４の０．０５倍〜０．５倍となる（すなわち０．０５≦Ｌ３／Ｌ４≦０．５となる）ことが好ましい。 As shown in FIG. 15, in the trapezoidal cross section of the reinforcing portion 72 of the connecting bar 17, the upper base length L 3 is 0.05 to 0.5 times the lower base length L 4 ( That is, 0.05 ≦ L 3 / L 4 ≦ 0.5) is preferable.
リード連結部７１および補強部７２の厚みｔ（図１４および図１５）は上述したリード部１６の厚みと同様、例えば０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍとすることができる。 The thickness t (FIGS. 14 and 15) of the lead connecting portion 71 and the reinforcing portion 72 can be set to, for example, 0.05 mm to 0.5 mm, similarly to the thickness of the lead portion 16 described above.
なお、図１１および図１３の平面（表面）図において、ハーフエッチング加工が施された箇所（ハーフエッチング部７３）を斜線で示している。他方、図１４の底面（裏面）図に示すように、リードフレーム１０Ｂの裏面側にはハーフエッチング加工は施されておらず、ダイパッド１５の裏面とリード部１６の裏面は、互いに同一平面上に位置している。 Note that, in the plan (surface) views of FIGS. 11 and 13, the half-etched portion (half-etched portion 73) is indicated by hatching. On the other hand, as shown in the bottom (back) view of FIG. 14, the back side of the lead frame 10B is not half-etched, and the back surface of the die pad 15 and the back surface of the lead part 16 are on the same plane. positioned.
本実施の形態においても、図１乃至図１０に示す第１の実施の形態と同様、ソーイング加工時におけるバリの発生を抑えつつ、コネクティングバー１７の変形を防止することができる。 Also in the present embodiment, as in the first embodiment shown in FIGS. 1 to 10, the deformation of the connecting bar 17 can be prevented while suppressing the generation of burrs during the sawing process.
第３の実施の形態
次に、本発明の第３の実施の形態について図１６乃至図２０を参照して説明する。図１６乃至図２０は、本発明の第３の実施の形態を示す図である。図１６乃至図２０に示す第３の実施の形態は、コネクティングバーのリード連結部の一部は、リード部と同一厚みとなる矩形断面を有しており、コネクティングバーの補強部は、上底が下底より短い台形断面を有している点が異なるものであり、他の構成は上述した第１の実施の形態と略同一である。図１６乃至図２０において、図１乃至図１０に示す第１の実施の形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
Third Embodiment Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 16 to 20 are diagrams showing a third embodiment of the present invention. In the third embodiment shown in FIG. 16 to FIG. 20, a part of the lead connecting part of the connecting bar has a rectangular cross section having the same thickness as the lead part, and the reinforcing part of the connecting bar is the upper bottom. Is different from the first embodiment in that it has a trapezoidal cross section shorter than the lower base. 16 to 20, the same parts as those of the first embodiment shown in FIGS. 1 to 10 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
図１６乃至図２０に示すリードフレーム１０Ｃにおいて、コネクティングバー１７は、対応する一対のリード部１６間に位置する複数のリード連結部８１と、リード連結部８１間に位置する複数の補強部８２とを有している。 In the lead frame 10 </ b> C shown in FIGS. 16 to 20, the connecting bar 17 includes a plurality of lead connecting portions 81 positioned between a pair of corresponding lead portions 16, and a plurality of reinforcing portions 82 positioned between the lead connecting portions 81. have.
このうち補強部８２は、リード部１６と同一厚みとなる台形断面を有している。図２０に示すように、補強部８２は、上底（表面側）が下底（裏面側）より短い台形断面を有している。 Among these, the reinforcing portion 82 has a trapezoidal cross section having the same thickness as the lead portion 16. As shown in FIG. 20, the reinforcing portion 82 has a trapezoidal cross section in which the upper base (front side) is shorter than the lower base (back side).
また、リード連結部８１は、その中央部８１ａにおいて、リード部１６と同一厚みとなる矩形断面を有している（図１９）。他方、リード連結部８１のうち両端部８１ｂは、リード部１６と同一厚みとなる台形断面を有している。なお、リード連結部８１のうちリード部１６と同一厚みとなる矩形断面を有する部分は、中央部８１ａに限らず、中央部８１ａ以外の部分であっても良い。 Further, the lead connecting portion 81 has a rectangular cross section having the same thickness as the lead portion 16 at the central portion 81a (FIG. 19). On the other hand, both end portions 81 b of the lead connecting portion 81 have a trapezoidal cross section having the same thickness as the lead portion 16. The portion having a rectangular cross section having the same thickness as the lead portion 16 in the lead connecting portion 81 is not limited to the central portion 81a, and may be a portion other than the central portion 81a.
本実施の形態において、図１６および図１８に示すように、各コネクティングバー１７の表面側の幅方向両端に、それぞれコネクティングバー１７の長手方向に沿ってハーフエッチング部８３が形成されている。ハーフエッチング部８３は、リード連結部８１の中央部８１ａを除き、直線状に延在している。すなわちコネクティングバー１７は、リード連結部８１の中央部８１ａを除き、全長に渡って表面側の幅が裏面側の幅より狭くなっている。他方、リード連結部８１の中央部８１ａにおいて、コネクティングバー１７の幅は、表面側と裏面側とで同一となっている（図１９）。このように、ハーフエッチング部８３を設けたことにより、補強部８２の断面形状が台形となっている（図２０） In the present embodiment, as shown in FIGS. 16 and 18, half-etched portions 83 are formed along the longitudinal direction of the connecting bar 17 at both ends in the width direction on the surface side of each connecting bar 17. The half-etched portion 83 extends linearly except for the central portion 81 a of the lead connecting portion 81. That is, the connecting bar 17 has a width on the front surface side that is narrower than a width on the back surface side over the entire length except for the central portion 81a of the lead connecting portion 81. On the other hand, in the central portion 81a of the lead connecting portion 81, the width of the connecting bar 17 is the same on the front surface side and the back surface side (FIG. 19). Thus, by providing the half etching part 83, the cross-sectional shape of the reinforcement part 82 becomes trapezoid (FIG. 20).
また図１８に示すように、リード部１６のうち、コネクティングバー１７に連結される部分である基端部１６ｂは、平面略三角形状となっている。すなわち基端部１６ｂは、ダイパッド１５側に位置する先端部１６ａからコネクティングバー１７側に向けて、その幅が徐々に狭くなっている。 As shown in FIG. 18, the base end portion 16 b that is a portion connected to the connecting bar 17 in the lead portion 16 has a substantially triangular plane shape. That is, the width of the base end portion 16b is gradually narrowed from the tip end portion 16a located on the die pad 15 side toward the connecting bar 17 side.
なお、リード連結部８１および補強部８２の厚みｔ（図１９および図２０）は上述したリード部１６の厚みと同様、例えば０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍとすることができる。 In addition, the thickness t (FIGS. 19 and 20) of the lead connecting portion 81 and the reinforcing portion 82 can be set to, for example, 0.05 mm to 0.5 mm, similarly to the thickness of the lead portion 16 described above.
また、図２０に示すように、補強部８２の台形断面は、その上底の長さＬ５が下底の長さＬ６の０．０５倍〜０．５倍となる（すなわち０．０５≦Ｌ５／Ｌ６≦０．５となる）ことが好ましい。 Further, as shown in FIG. 20, the trapezoid cross-section of the reinforcing portion 82 has a length L 5 of the upper base of 0.05 times to 0.5 times the length L 6 of the lower base (i.e. 0.05 ≦ L 5 / L 6 ≦ 0.5) is preferable.
なお、図１６および図１８の平面（表面）図において、ハーフエッチング加工が施された箇所（ハーフエッチング部８３）を斜線で示している。他方、図１７の底面（裏面）図に示すように、リードフレーム１０Ｃの裏面側にはハーフエッチング加工は施されておらず、ダイパッド１５の裏面とリード部１６の裏面は、互いに同一平面上に位置している。 Note that, in the plan (surface) views of FIGS. 16 and 18, the half-etched portion (half-etched portion 83) is indicated by hatching. On the other hand, as shown in the bottom (back) view of FIG. 17, the back side of the lead frame 10C is not half-etched, and the back surface of the die pad 15 and the back surface of the lead part 16 are on the same plane. positioned.
本実施の形態においても、図１乃至図１０に示す第１の実施の形態と同様、ソーイング加工時におけるバリの発生を抑えつつ、コネクティングバー１７の変形を防止することができる。さらに、リード部１６の基端部１６ｂの幅がコネクティングバー１７側に向けて徐々に狭くなっていることにより、とりわけリード部１６の切断位置周囲の金属の量を減らすことができ、ソーイング加工時にリード部１６周囲に生じるバリの量を更に減らすことができる。 Also in the present embodiment, as in the first embodiment shown in FIGS. 1 to 10, the deformation of the connecting bar 17 can be prevented while suppressing the generation of burrs during the sawing process. Furthermore, since the width of the base end portion 16b of the lead portion 16 is gradually narrowed toward the connecting bar 17, the amount of metal around the cutting position of the lead portion 16 can be reduced, especially during sawing processing. The amount of burrs generated around the lead portion 16 can be further reduced.
なお、これら図１１乃至図２０に示す各リードフレームについても、図７（ａ）−（ｅ）に示す方法と略同様の方法を用いて作製することができる。 Each of the lead frames shown in FIGS. 11 to 20 can be manufactured using a method substantially similar to the method shown in FIGS.
上記実施の形態および変形例に開示されている複数の構成要素を必要に応じて適宜組み合わせることも可能である。例えば、図１１乃至図２０に示す各リードフレームおいて、図９に示すリードフレーム１０Ａと同様に、ダイパッド１５の裏面をハーフエッチングにより薄肉化しても良い。 It is also possible to appropriately combine a plurality of constituent elements disclosed in the embodiment and the modification examples as necessary. For example, in each lead frame shown in FIGS. 11 to 20, the back surface of the die pad 15 may be thinned by half-etching, like the lead frame 10A shown in FIG.
１０、１０Ａ〜１０Ｃ リードフレーム
１４ リードフレーム要素
１５ ダイパッド
１６ リード部
１７ コネクティングバー
１８、７１、８１ リード連結部
１９、７２、８２ 補強部
２０、２０Ａ 半導体装置
２１ 半導体素子
２２ ボンディングワイヤ（導電部）
２４ 封止樹脂部
２６ 固着材
２９、７３、８３ ハーフエッチング部
10, 10A to 10C Lead frame 14 Lead frame element 15 Die pad 16 Lead portion 17 Connecting bar 18, 71, 81 Lead connecting portion 19, 72, 82 Reinforcement portion 20, 20A Semiconductor device 21 Semiconductor element 22 Bonding wire (conductive portion)
24 Sealing resin part 26 Adhering material 29, 73, 83 Half etching part
Claims (5)
それぞれ半導体素子を載置するダイパッドと、ダイパッドの周囲に設けられた複数のリード部とを含む、複数のリードフレーム要素を備え、
隣接するリードフレーム要素間において、対応する一対のリード部がコネクティングバーを介して連結され、
コネクティングバーは、リード部の長手方向に対して直交して延び、かつ対応する一対のリード部間に位置する複数のリード連結部と、リード連結部間に位置する複数の補強部とを有し、
コネクティングバーの幅方向両端に、それぞれコネクティングバーの長手方向に沿って、表面と裏面とのうち一方の面側からエッチングが施された直線状の片面エッチング部が形成され、前記直線状の片面エッチング部の幅は、リード連結部と補強部との間で均一であることを特徴とするリードフレーム。 In lead frames for semiconductor devices,
A plurality of lead frame elements, each including a die pad for mounting a semiconductor element and a plurality of lead portions provided around the die pad,
A pair of corresponding leads are connected via connecting bars between adjacent lead frame elements,
The connecting bar has a plurality of lead connecting portions extending perpendicular to the longitudinal direction of the lead portions and positioned between a pair of corresponding lead portions, and a plurality of reinforcing portions positioned between the lead connecting portions. ,
A straight single-sided etched portion is formed on both ends of the connecting bar in the width direction along the longitudinal direction of the connecting bar and etched from one side of the front and back surfaces. The lead frame is characterized in that the width of the portion is uniform between the lead connecting portion and the reinforcing portion.
金属基板を準備する工程と、
金属基板の表裏に、それぞれエッチング用レジスト層を形成する工程と、
エッチング用レジスト層を耐腐蝕膜として金属基板の表裏にエッチングを施すことにより、金属基板に、それぞれ半導体素子を載置するダイパッドと、ダイパッドの周囲に設けられた複数のリード部とを含む、複数のリードフレーム要素を形成する工程と、
金属基板の表裏から、それぞれエッチング用レジスト層を除去する工程とを備え、
複数のリードフレーム要素を形成する工程において、コネクティングバーの幅方向両端に、それぞれコネクティングバーの長手方向に沿って、表面と裏面とのうち一方の面側からエッチングが施された直線状の片面エッチング部が形成され、前記直線状の片面エッチング部の幅は、リード連結部と補強部との間で均一であることを特徴とするリードフレームの製造方法。 In the manufacturing method of the lead frame which manufactures the lead frame as described in any one of Claims 1 thru | or 3,
Preparing a metal substrate;
Forming a resist layer for etching on the front and back of the metal substrate,
Etching is performed on the front and back of the metal substrate using the etching resist layer as a corrosion-resistant film, thereby including a die pad on which the semiconductor element is placed on the metal substrate, and a plurality of lead portions provided around the die pad. Forming a lead frame element of
And a step of removing the etching resist layer from the front and back of the metal substrate,
In the process of forming a plurality of lead frame elements, a linear single-sided etching is performed on both ends of the connecting bar in the width direction along the longitudinal direction of the connecting bar from the front side and the back side. And the width of the straight single-side etched portion is uniform between the lead connecting portion and the reinforcing portion.
リードフレームのダイパッド上に、半導体素子を搭載する工程と、
半導体素子とリードフレームのリード部とを、導電部によって電気的に接続する工程と、
封止樹脂部によりダイパッド、リード部、半導体素子および導電部を封止する工程と、
各リードフレーム要素間のコネクティングバーをソーイングすることにより、リードフレームを各リードフレーム要素毎に分離する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 Preparing a lead frame according to any one of claims 1 to 3,
Mounting a semiconductor element on the die pad of the lead frame;
Electrically connecting the semiconductor element and the lead portion of the lead frame by the conductive portion;
Sealing the die pad, lead part, semiconductor element and conductive part with the sealing resin part;
And a step of separating the lead frame into each lead frame element by sawing a connecting bar between the lead frame elements.
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