JP6738676B2 - Lead frame - Google Patents
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開示の実施形態は、リードフレームに関する。 The disclosed embodiments relate to lead frames.
従来、一括樹脂封止(MAP:Molded Array Package)タイプのリードフレームにおいて、基端部がコネクティングバーに接続されたリードのうち隣接する2以上のリードの先端部同士を連結して電気的に接続する連結部を設ける技術が知られている(例えば、特許文献1参照)。 Conventionally, in a resin-molded (MAP: Molded Array Package) type lead frame, the tip ends of two or more adjacent leads whose base ends are connected to the connecting bar are electrically connected to each other. There is known a technique of providing a connecting portion for connecting (see, for example, Patent Document 1).
しかしながら、ダイパッドに搭載する半導体チップのチップサイズが大きくなるに伴い、ダイパッドのサイズも大きくなってきており、そのため、コネクティングバーと連結部との間隔が狭くなってきている。エッチング加工の精度に限界があることから、コネクティングバーと連結部との間隔が狭すぎると、連結部の一部も溶けてしまい、連結部を所望の大きさにすることが難しい恐れがある。 However, as the chip size of the semiconductor chip mounted on the die pad is increased, the size of the die pad is also increased, and therefore the distance between the connecting bar and the connecting portion is narrowed. Since the accuracy of the etching process is limited, if the distance between the connecting bar and the connecting portion is too small, a part of the connecting portion will also melt, and it may be difficult to make the connecting portion into a desired size.
実施形態の一態様は、上記に鑑みてなされたものであって、リードの先端部同士を連結して電気的に接続する連結部を精度よく形成することができるリードフレームを提供することを目的とする。 One aspect of the embodiment is made in view of the above, and an object of the present invention is to provide a lead frame capable of accurately forming a connecting portion that connects tip ends of leads to electrically connect them. And
実施形態の一態様に係るリードフレームは、複数の単位リードフレームと、コネクティングバーと、を備える。前記単位リードフレームは、ダイパッド、複数のリード、および、隣接する前記リードの先端部同士を連結する連結部を有し、マトリックス状に並べられる。前記コネクティングバーは、前記単位リードフレーム同士を連結する。また、前記コネクティングバーは、前記リードの基端部を支持するリード支持バーを含む。そして、前記リード支持バーは、前記連結部と対向する領域が、当該連結部から離れる向きに切り欠かれている。 A lead frame according to an aspect of the embodiment includes a plurality of unit lead frames and a connecting bar. The unit lead frame has a die pad, a plurality of leads, and a connecting portion that connects the tip portions of the adjacent leads, and is arranged in a matrix. The connecting bar connects the unit lead frames. Further, the connecting bar includes a lead support bar that supports a base end portion of the lead. The lead support bar has a region facing the connecting portion, which is cut away in a direction away from the connecting portion.
実施形態の一態様によれば、リードの先端部同士を連結して電気的に接続する連結部を精度よく形成することができるリードフレームを提供することができる。 According to one aspect of the embodiment, it is possible to provide a lead frame capable of accurately forming the connecting portion that connects the tip portions of the leads to each other to electrically connect the lead portions.
以下、添付図面を参照して、本願の開示するリードフレームの実施形態について説明する。なお、以下に示す各実施形態によりこの発明が限定されるものではない。 An embodiment of a lead frame disclosed in the present application will be described below with reference to the accompanying drawings. The present invention is not limited to the embodiments described below.
まず、図1を参照して実施形態に係るリードフレームの概略を説明する。図1に示すリードフレーム1は、SON(Small Outline Non-leaded package)タイプの半導体装置の製造に用いられるMAPタイプのリードフレームである。 First, the outline of the lead frame according to the embodiment will be described with reference to FIG. A lead frame 1 shown in FIG. 1 is a MAP type lead frame used for manufacturing a SON (Small Outline Non-leaded package) type semiconductor device.
なお、実施形態ではSONタイプの半導体装置の製造に用いられるリードフレームについて示すが、その他のタイプ、例えばQFN(Quad Flat Non-leaded package)タイプの半導体装置の製造に用いられるリードフレームに適用するようにしてもよい。 Although the embodiment shows a lead frame used for manufacturing a SON type semiconductor device, it is applicable to a lead frame used for manufacturing another type of semiconductor device, for example, a QFN (Quad Flat Non-leaded package) type semiconductor device. You may
リードフレーム1は、平面視で矩形状の枠体16を有しており、かかる枠体16内に複数の単位リードフレーム10がマトリックス状に並べられている。そして、単位リードフレーム10の周囲には、両端部がそれぞれ枠体16に支持された複数のコネクティングバー15が格子状に配置されている。
The lead frame 1 has a
単位リードフレーム10は、ダイパッド11と、複数のリード12と、連結部13と、サポートバー14とを有する。また、複数のコネクティングバー15は、複数のリード12の基端部12bを支持するリード支持バー15aを有する。かかる複数のリード支持バー15aは、リードフレーム1の短手方向に配列されるが、リードフレーム1の長手方向に配列される構成であってもよい。
The
ダイパッド11は、平面視で矩形状に形成されており、単位リードフレーム10の中央部分に設けられている。かかるダイパッド11のおもて面側には、不図示の半導体チップが搭載可能である。
The
複数のリード12は、ダイパッド11とリード支持バー15aとの間に並んで配置されており、それぞれの先端部12aがリード支持バー15aからダイパッド11に向かって伸びている。かかるリード12は、ダイパッド11に配置される半導体チップの電極とボンディングワイヤ等で電気的に接続されることによって、半導体装置の外部端子として機能する。
The plurality of
連結部13は、隣接するリード12の先端部12aを連結して隣接するリード12同士を電気的に接続する。連結部13は、リード12と同様に、ダイパッド11に配置される半導体チップの電極とボンディングワイヤ等で電気的に接続される領域として用いることができる。
The connecting
かかる連結部13とリード支持バー15aとの間隔が狭すぎると、エッチング加工の精度の関係などから、連結部13の一部も溶けてしまい、連結部13を所望の大きさにすることが難しい恐れがある。
If the distance between the connecting
そこで、実施形態に係るリードフレーム1のリード支持バー15aは、連結部13に対向する第1領域15cが、かかる連結部13から離れる向きに切り欠かれている。換言すると、リード支持バー15aは、連結部13に対向する第1領域15cが、かかる連結部13から離れる向きに凹んでいる。さらに換言すると、リード支持バー15aは、連結部13に対向する第1領域15cが、かかる連結部13側の少なくとも一部に非形成部分を有している。
Therefore, in the
これにより、連結部13とリード支持バー15aとの間隔を、エッチング加工の精度上問題が起こらない程度の間隔にすることができることから、連結部13を例えばボンディングワイヤを接合可能な大きさに精度よく形成することができる。したがって、連結部13へのボンディングワイヤの未接合を抑制することができる。
As a result, the distance between the connecting
ここで、連結部13と、かかる連結部13から離れる向きに切り欠かれたリード支持バー15aとの間隔は、例えば、リードフレーム1における最も厚い部位の厚さの90%以上にすることが好ましい。これにより、エッチング加工の際、連結部13の一部が溶けること(いわゆる、オーバーエッチング)を防止して、連結部13におけるボンディングワイヤの接合領域を確保することができる。なお、ここで述べる「間隔」とは、連結部13におけるリード支持バー15a側の端面と、かかるリード支持バー15aにおける連結部13側の端面との間隔である。
Here, the distance between the connecting
なお、図1に示すリードフレーム1では、連結部13がリード支持バー15aと略平行に延伸して形成され、連結部13との距離が略一定距離になるように連結部13と対向するリード支持バー15aの第1領域15cの一部が切り欠かれているが、かかる例に限定されない。
In the lead frame 1 shown in FIG. 1, the connecting
例えば、リード支持バー15aの延伸方向における第1領域15cの中央部(以下、第1領域15cの中央部と記載する)が他の部分より連結部13から離れる向きに切り欠かれたくさび形状や円弧形状等であってもよい。
For example, a wedge shape in which the central portion of the
また、第1領域15cは、少なくとも一部がリード支持バー15aを分断するように切り欠かれていてもよい。例えば、図2に示すリードフレーム1Aでは、第1領域15cの両端部が連結部13から離れる向きに部分的に切り欠かれていると共に、第1領域15cの中央部に対応する領域がリード支持バー15aを分断するように全体的に切り欠かれた例を示している。
Further, the
これにより、少なくとも第1領域15cの中央部において、連結部13をリード支持バー15aに近づけることができる。したがって、その分連結部13の幅を広げることができる。例えば、連結部13の中央部を凸状に形成することによって、連結部13の一部の幅を広くすることができる。
Accordingly, the connecting
さらに、図3に示すリードフレーム1Bのように、第1領域15cの全体がリード支持バー15aを分断するように切り欠かれていてもよい。これにより、第1領域15c全体で、連結部13をリード支持バー15a側に近づけることができる。したがって、連結部13の幅を全体的に広げることができる。
Further, like the
また、連結部13とリード支持バー15aとの間隔をぎりぎりまで縮めることができることから、その分ダイパッド11のサイズを大きくすることができる。
Further, since the distance between the connecting
なお、リード支持バー15aが分断されていても、すべてのリード12は連結部13を介して支持されていることから、リード12がリードフレーム1A、1Bから脱落することはない。
Even if the
ここで、図1の説明に戻り、リードフレーム1の構成についてさらに詳細に説明する。以下においては、まず、リードフレーム1のエッチング加工について説明し、その後、リード支持バー15aの構成についてさらに説明する。
Here, returning to the description of FIG. 1, the configuration of the lead frame 1 will be described in more detail. In the following, first, the etching process of the lead frame 1 will be described, and then the configuration of the
実施形態に係るリードフレーム1は、銅や銅合金、鉄ニッケル合金等で構成される金属板に、エッチング加工等が施されて形成される。エッチング加工には、例えば、両面をエッチング加工して開口部を形成するフルエッチング加工と、裏面側をエッチング加工して厚さを薄くするハーフエッチング加工とがある。 The lead frame 1 according to the embodiment is formed by etching a metal plate made of copper, copper alloy, iron-nickel alloy, or the like. The etching process includes, for example, a full etching process in which both sides are etched to form an opening, and a half etching process in which the back side is etched to reduce the thickness.
以下、ハーフエッチング加工が施されている部位を「ハーフエッチング部」と呼称し、エッチング加工が施されておらず、エッチング加工前の金属板の板厚と同じ厚さの部位を「フルメタル部」と呼称する。そして、本願明細書の拡大平面図では、理解を容易にするため、「フルメタル部」および「ハーフエッチング部」のうち「ハーフエッチング部」にハッチングを施すこととする。 Hereinafter, the part that has been subjected to the half-etching process is referred to as the "half-etched part", and the part that has not been subjected to the etching process and has the same thickness as the metal plate before the etching process is the "full metal part". I call it. In the enlarged plan view of the specification of the present application, the “half-etched portion” of the “full metal portion” and the “half-etched portion” is hatched for easy understanding.
図1に示すように、リード支持バー15aを含めてコネクティングバー15は、すべてハーフエッチング部で構成されている。リード12は、先端部12aの周縁部がハーフエッチング部で構成されており、それ以外がフルメタル部で構成されている。連結部13は、すべてハーフエッチング部で構成されている。
As shown in FIG. 1, the connecting
したがって、リード12に設けられているフルメタル部により、連結部13と、連結部13に対向するリード支持バー15aとが連結されている。そのため、連結部13とリード支持バー15aとが強固に連結され、第1領域15cが切り欠かれることにより低下するリード支持バー15aの強度を連結部13によって向上させることができる。これにより、リードフレーム1の短手方向の変形を抑制することができる。
Therefore, the connecting
また、図2および図3に示すリード支持バー15aのように第1領域15cを分断するように切り欠かれている場合、連結部13の幅をリード支持バー15aの幅と同一またはそれ以上に広くすることで、リード支持バー15aの強度を向上させることができる。
When the
また、リード支持バー15aはリードフレーム1の短手方向に配列されているが、リード支持バー15aをリードフレーム1の長手方向に配列するとともに、サポートバー14を介してダイパッド11を支持するダイパッド支持バー15bを短手方向に配列してもよい。
Further, although the
このように、いずれの領域も切り欠かれていないダイパッド支持バー15bを短手方向に配列することにより、リードフレーム1の短手方向の強度を長手方向の強度よりも向上させることができる。 As described above, by arranging the die pad support bars 15b not cut out in any of the regions in the short-side direction, the strength in the short-side direction of the lead frame 1 can be improved more than the strength in the long-side direction.
なお、第1領域15cが切り欠かれたリード支持バー15aが配列されることによるリードフレーム1の長手方向の強度低下については、例えば、リードフレーム1の短手方向における両端部を支持することで、リードフレーム1の搬送時における長手方向の変形(例えば撓み)を抑制することができる。
Regarding the reduction in strength in the longitudinal direction of the lead frame 1 due to the arrangement of the
さらに、実施形態では、SONタイプの半導体装置の製造に用いられるリードフレーム1について示していることから、リード支持バー15aは、リードフレーム1の短手方向(または長手方向)にのみ配列されている。
Further, in the embodiment, since the lead frame 1 used for manufacturing the SON type semiconductor device is shown, the
しかしながら、例えばQFNタイプ等の半導体装置の製造に用いられるリードフレームの場合は、リード支持バー15aは、リードフレームの長手方向および短手方向のいずれにも配列される。
However, in the case of a lead frame used for manufacturing a QFN type semiconductor device, for example, the
続いて、リード支持バー15a自体の強度を向上させる各種手段を、図4〜図8に示す。かかる手段としては、例えば、リード支持バー15aの少なくとも一部をフルメタル部で構成すればよい。図4に示すリードフレーム1Cは、リード支持バー15aにおけるダイパッド11と対向する領域、且つ、連結部13と対向しない領域である第2領域15dが、フルメタル部で構成されている。
Subsequently, various means for improving the strength of the
これにより、リード支持バー15aの全体の強度を、ハーフエッチング部よりも強度の高いフルメタル部を用いて向上させることができる。したがって、リードフレーム1Cの短手方向の変形を抑制することができる。
As a result, the strength of the entire
さらに、図5を参照して、フルメタル部で構成されている第2領域15dと、その変形例について説明する。なお、図5(b)および図5(c)においては、理解を容易にするため、図5(a)に示した断面の輪郭に対応する部分を破線で示す。
Further, with reference to FIG. 5, the
図5(a)に示すように、第2領域15dは、断面視で矩形状であり、すべてフルメタル部で構成されている。かかる構造により、所定の板厚を有する金属板からリードフレーム1C(図4参照)を形成するとともに、幅W1を所定の値にする場合において、第2領域15dの断面積を最大化することができる。したがって、第2領域15dの強度を最大化することができる。
As shown in FIG. 5A, the
一方で、第2領域15dの構成は、図5(a)に示す構成に限定されない。例えば、図5(b)に示すように、側部の裏面側にハーフエッチング加工されたエッチング部17aを形成することとしてもよい。また、図5(c)に示すように、側面が上に向かって末広がり形状を有するようにエッチング加工されたエッチング部17bを形成することとしてもよい。
On the other hand, the configuration of the
なお、エッチング部17a、17bは、リード12や連結部13などに設けられているハーフエッチング部と同一のエッチング工程で形成することができる。
The
ここで、いずれの変形例も断面が逆台形状であり、中央部分がフルメタル部で構成されている。したがって、かかるフルメタル部により第2領域15dの強度を確保することができる。
Here, in each of the modified examples, the cross section has an inverted trapezoidal shape, and the central portion is composed of a full metal portion. Therefore, the strength of the
さらに、いずれの変形例も側部がエッチングされていることから、半導体装置の製造工程において、一括樹脂封止後にコネクティングバー15に沿って行われるダイシングの際に切除される金属部分の断面積が小さい。したがって、ダイシングの際の回転刃物の摩耗を抑制することができる。
Further, in each of the modified examples, the side portions are etched, so that in the manufacturing process of the semiconductor device, the cross-sectional area of the metal portion cut off at the time of dicing performed along the connecting
すなわち、いずれの変形例も、第2領域15dの強度と回転刃物の長寿命化とを両立することができる。
That is, in any of the modified examples, the strength of the
リード支持バー15aの次の強度向上手段として、図6に示すリードフレーム1Dは、リード支持バー15aのうち第1領域15cがフルメタル部で構成されている。
As a next strength improving means for the
これにより、切り欠かれて強度が幾分低下する第1領域15cの強度を、フルメタル部を用いることにより直接的に向上させることができることから、リードフレーム1Dの短手方向の変形を効果的に抑制することができる。
This makes it possible to directly improve the strength of the
次の手段として、図7に示すリードフレーム1Eは、第1領域15cのうち切り欠かれている連結部13側とは反対側が、かかる連結部13から離れる向きに突出している。すなわち、図1に示したリードフレーム1と比較した場合、第1領域15cにおけるリード支持バー15aの幅が広がっている。
As a next means, in the
これにより、幾分低下する第1領域15cの強度を直接的に向上させることができることから、リードフレーム1Eの短手方向の変形を効果的に抑制することができる。
As a result, the strength of the
なお、上述のように第1領域15cにおけるリード支持バー15aの幅を広げた場合、上述のダイシングの際に切除される部分であるダイシングラインDLから、第1領域15cがはみ出ないように配置すればよい。これにより、かかるはみ出した部分により、ダイシングの際に切断面にバリが発生することを抑制することができる。
When the width of the
なお、リードフレーム1Eの第1領域15cにおけるリード支持バー15aの幅は、第2領域15dより狭くてもよく、同じ幅でもよく、広くてもよい。第1領域15cにおけるリード支持バー15aの幅は、ダイシングラインDLからはみ出ない程度の幅であればよい。
The width of the
次の手段として、図8に示すリードフレーム1Fは、第1領域15cの全体がリード支持バー15aを分断するように切り欠かれている場合に、切り欠かれた第1領域15cに隣接するリード支持バー15aがフルメタル部で構成されている。換言すると、リード支持バー15aのうち、連結部13に接続されたリード12の基端部12bを支持する部位がフルメタル部で構成されている。
As a next means, in the
これにより、リード支持バー15aのうち、全体が切り欠かれた第1領域15cに隣接するため強度が幾分低下する部位の強度を、フルメタル部を用いて直接的に向上させることができる。したがって、リードフレーム1Fの短手方向の変形を抑制することができる。
This makes it possible to directly improve the strength of the portion of the
続いて、実施形態のさらなる変形例について、図9および図10を参照して説明する。図9に示すリードフレーム1Gは、第1領域15cが、切り欠かれている連結部13側とは反対側も連結部13に近づく向きに切り欠かれている。すなわち、図1に示したリードフレーム1と比較した場合、第1領域15cにおけるリード支持バー15aの幅が狭くなっている。
Next, a further modified example of the embodiment will be described with reference to FIGS. 9 and 10. In the
これにより、第1領域15cの金属部分の断面積を小さくすることができることから、ダイシングの際の回転刃物の摩耗を抑制することができる。したがって、回転刃物の寿命を長くすることができる。
As a result, the cross-sectional area of the metal portion of the
図10に示すリードフレーム1Hは、1つのリード12の先端部12aから、かかるリード12の両側に隣接するリード12の先端部12aに、それぞれ連結部13が連結されている。すなわち、並んで配置されている3つのリード12の先端部12aが、2つの連結部13により一体的に連結されている。
In the
これにより、一体的に連結されている広い面積のリード12の先端部12aおよび連結部13に、数多くのボンディングワイヤを接続することができる。
As a result, a large number of bonding wires can be connected to the
なお、図10では、3つのリード12を一体的に連結する例について示しているが、一体的に連結することができるリード12は3つに限定されない。例えば、リードフレーム1Hは、4つやそれ以上のリード12が一体的に連結されることとしてもよい。
Although FIG. 10 shows an example in which three leads 12 are integrally connected, the number of
最後に、実施形態の上述以外の特徴について説明する。リードフレーム1等は、第1領域15cにおけるリード支持バー15aの幅が、第2領域15dにおけるリード支持バー15aの幅より狭くなっている。これにより、リード支持バー15a全体を、延伸方向に沿って延びる所定の領域の範囲内に保持することができる。
Finally, features of the embodiment other than the above will be described. In the lead frame 1 and the like, the width of the
これにより、コネクティングバー15の延伸方向に沿ってダイシングする際に、リード支持バー15aがダイシングラインDL(図7参照)からはみ出ることを防止することができる。したがって、かかるはみ出した部分により、ダイシングの際に切断面にバリが発生することを抑制することができる。
This can prevent the
また、リードフレーム1等は、連結部13がハーフエッチング部で構成されているとともに、連結部13とリード支持バー15aとの間に所定の間隔が設けられている。ここで、かかる間隔からエッチングされた連結部13の裏側にかけて、半導体装置の製造工程における一括樹脂封止の際に封止樹脂が流れ込むことにより、連結部13は半導体装置の封止樹脂から露出することなく完全に封止することができる。
Further, in the lead frame 1 and the like, the connecting
ここで、もし連結部13が封止樹脂から露出していた場合には、かかる露出部分と封止樹脂との界面から水分等が半導体装置の内部に侵入して、半導体装置の信頼性に悪影響を与える恐れがある。しかしながら、上述の構成により、水分等が半導体装置の内部に侵入することを防止することができることから、信頼性の高い半導体装置が実現できる。
Here, if the connecting
また、リードフレーム1等は、連結部13を用いて隣接するリード12同士が電気的に接続されている。すなわち、隣接するリード12同士を電気的に接続するために、ボンディングワイヤを用いる必要がなくなることから、かかるボンディングワイヤをリード12に接合するための領域も不要となる。
Further, in the lead frame 1 and the like, the
これにより、リード12において、半導体チップの電極との間を接続するためのボンディングワイヤの接合領域を十分に確保することができる。したがって、リード12と半導体チップとの間を接続するボンディングワイヤの未接合を抑制することができる。
As a result, in the
さらに、リードフレーム1等は、ボンディングワイヤよりも断面積の大きい連結部13を用いて隣接するリード12同士が接続されている。したがって、ボンディングワイヤを用いる場合と比較して、高い導電性で隣接するリード12同士を電気的に接続することができる。
Further, in the lead frame 1 and the like, adjacent leads 12 are connected to each other using a connecting
また、リードフレーム1等は、1つのリード支持バー15aの両側に配列されているリード12のそれぞれに連結部13が設けられている。また、かかる一対の連結部13は、隣接するリード12の間隔だけ延伸方向にずれて配置されている。
Further, in the lead frame 1 and the like, a connecting
以上、本発明の各実施形態について説明したが、本発明は上述の各実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて種々の変更が可能である。 Although the respective embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made without departing from the spirit thereof.
以上のように、実施形態に係るリードフレーム1(1A〜1H)は、複数の単位リードフレーム10と、コネクティングバー15と、を備える。単位リードフレーム10は、ダイパッド11、複数のリード12、および、隣接するリード12の先端部12a同士を連結する連結部13を有し、マトリックス状に並べられている。コネクティングバー15は、単位リードフレーム10同士を連結している。また、コネクティングバー15は、リード12の基端部12bを支持するリード支持バー15aを含んでいる。そして、リード支持バー15aは、連結部13と対向する領域(第1領域15c)が、かかる連結部13から離れる向きに切り欠かれている。これにより、リード12の先端部12a同士を連結して電気的に接続する連結部13を精度よく形成することができる。
As described above, the lead frame 1 (1A to 1H) according to the embodiment includes the plurality of unit lead frames 10 and the connecting
また、実施形態に係るリードフレーム1C(1D)において、リード支持バー15aは、少なくとも一部がリードフレーム1C(1D)における最も厚い部位(フルメタル部)と同じ厚さである。これにより、リードフレーム1C(1D)の変形を抑制することができる。
In the
また、実施形態に係るリードフレーム1Dにおいて、連結部13に対向する領域(第1領域15c)は、リードフレーム1Dにおける最も厚い部位(フルメタル部)と同じ厚さである。これにより、リードフレーム1Dの変形を効果的に抑制することができる。
Further, in the
また、実施形態に係るリードフレーム1(1C、1D、1G、1H)において、連結部13に対向する領域(第1領域15c)は、リード支持バー15aにおけるダイパッド11と対向し、且つ、連結部13と対向しない領域(第2領域15d)よりも幅が狭い。これにより、コネクティングバー15の延伸方向に沿ってダイシングする際に、リード支持バー15aにより切断面にバリが発生することを抑制することができる。
Further, in the lead frame 1 (1C, 1D, 1G, 1H) according to the embodiment, a region (
また、実施形態に係るリードフレーム1A(1B)において、連結部13に対向する領域(第1領域15c)は、少なくとも一部がリード支持バー15aを分断するように切り欠かれている。これにより、連結部13の幅を広げることができる。
Further, in the
さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。 Further effects and modifications can be easily derived by those skilled in the art. Therefore, the broader aspects of the present invention are not limited to the specific details and representative embodiments shown and described above. Accordingly, various modifications may be made without departing from the spirit or scope of the general inventive concept as defined by the appended claims and their equivalents.
1、1A〜1H リードフレーム
10 単位リードフレーム
11 ダイパッド
12 リード
12a 先端部
12b 基端部
13 連結部
14 サポートバー
15 コネクティングバー
15a リード支持バー
15b ダイパッド支持バー
15c 第1領域
15d 第2領域
16 枠体
1, 1A to
Claims (5)
前記単位リードフレーム同士を連結するコネクティングバーと
を備え、
前記コネクティングバーは、
前記リードの基端部を支持するリード支持バーを含み、
前記リード支持バーは、
前記連結部と対向する領域が、当該連結部から離れる向きに切り欠かれていること
を特徴とするリードフレーム。 A die pad, a plurality of leads, and a plurality of unit lead frames arranged in a matrix, having a connecting portion that connects the tip portions of the adjacent leads to each other;
A connecting bar connecting the unit lead frames to each other,
The connecting bar is
A lead support bar supporting the proximal end of the lead,
The lead support bar is
A lead frame, wherein a region facing the connecting portion is cut away in a direction away from the connecting portion.
少なくとも一部が前記リードフレームにおける最も厚い部位と同じ厚さであること
を特徴とする請求項1に記載のリードフレーム。 The lead support bar is
The lead frame according to claim 1, wherein at least a part of the lead frame has the same thickness as the thickest part of the lead frame.
前記リードフレームにおける最も厚い部位と同じ厚さであること
を特徴とする請求項2に記載のリードフレーム。 The region facing the connecting portion,
The lead frame according to claim 2, wherein the lead frame has the same thickness as the thickest part of the lead frame.
前記リード支持バーにおける前記ダイパッドと対向し、且つ、前記連結部と対向しない部位よりも幅が狭いこと
を特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載のリードフレーム。 The region facing the connecting portion,
The lead frame according to claim 1, wherein a width of the lead support bar is narrower than a portion of the lead support bar that faces the die pad and does not face the connecting portion.
少なくとも一部が前記リード支持バーを分断するように切り欠かれていること
を特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載のリードフレーム。 The region facing the connecting portion,
At least one part is notched so that the said lead support bar may be divided, The lead frame as described in any one of Claims 1-4 characterized by the above-mentioned.
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