JP6607384B2 - 無電解めっきの前処理方法 - Google Patents
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Description
(1)高分子基材に対して、プラズマ処理又はUV処理を施す工程、及び
(2)前記高分子基材を、カチオン性ポリマーを含む溶液に浸漬する工程
を含む、無電解めっきの前処理方法。
項2.
さらに、(3)前記工程(2)の後、前記高分子基材をアニオン性ポリマーを含む溶液に浸漬する工程
を含む、上記項1に記載の方法。
項3.
前記工程(3)の後、前記工程(2)及び工程(3)を繰り返すことを特徴とする、上記項2に記載の方法。
項4.
最終工程が前記工程(2)であることを特徴とする、上記項3に記載の方法。
項5.
最終工程が前記工程(3)であることを特徴とする、上記項3に記載の方法。
項6.
前記高分子基材が、ポリエチレンテレフタレート又はポリエチレンナフタレートである、上記項1〜5のいずれかに記載の方法。
項7.
高分子基材に対して上記項1〜6のいずれかに記載の方法による前処理を施した後、
(4)前記高分子基材に対して無電解めっき用触媒を付与する工程、及び
(5)無電解めっきを行う工程
を含む、無電解めっき方法。
本発明の前処理方法は、(1)高分子基材に対して、プラズマ処理又はUV処理を施す工程、及び(2)当該高分子基材を、カチオン性ポリマーを含む溶液に浸漬する工程を含む。なお、以下において、上記(1)及び(2)の工程をそれぞれ、「工程(1)」及び「工程(2)」と記載する場合がある。
本発明の無電解めっき方法は、基材に対して上記した前処理方法による前処理を施した後、(4)当該基材に対して無電解めっき用触媒を付与する工程、及び(5)無電解めっきを行う工程を含む。なお、以下において、上記(4)及び(5)の工程をそれぞれ、「工程(4)」及び「工程(5)」と記載する場合がある。
ポリエチレンナフタレート(PEN)フィルム(25mm×50mm×250μm)を基材として用い、当該基材に対して真空プラズマ処理装置(魁半導体社製、ステージ寸法:100Φ、出力:45W、ガス圧:2Pa)により2分間プラズマ処理を行った。次いで、以下の方法により基材上にLbL層を形成した。
基材上に、(PDDA/PSSNa)4.0層を形成したこと以外は実施例1と同様にしてLbL層を形成し、無電解めっき用触媒としてカチオン性のパラジウム触媒(奥野製薬工業株式会社製、商品名:OPC−50 インデューサーM)を用い、触媒活性化液(奥野製薬工業株式会社製、商品名:OPC−150 クリスターRW)を用いて当該無電解めっき用触媒の活性化を行ったこと以外は実施例1と同様にして無電解めっき用触媒の付与及び活性化、並びに無電解銅めっき処理を行った。なお、(PDDA/PSSNa)4.0層とは、基材との接触面からPDDA層、PSSNa層、PDDA層、PSSNa層、PDDA層、PSSNa層、PDDA層、及びPSSNa層の順で積層されたLbL層を意味する。
ポリエチレンナフタレート(PEN)フィルム(25mm×50mm×250μm)を基材として用い、当該基材に対してオゾンレス低圧水銀灯によりUV照射(波長:254nm、照射エネルギー:29J/cm2)を20分間行った。次いで、上記実施例1と同様にして、基材上に(PDDA/PSSNa)3.5層を形成し、無電解めっき用触媒の付与及び活性化、並びに無電解銅めっき処理を行った。
基材としてポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム(25mm×50mm×250μm)を用いたこと以外は実施例1と同様にして、プラズマ処理、(PDDA/PSSNa)3.5層の形成、無電解めっき用触媒の付与及び活性化、並びに無電解銅めっき処理を行った。
プラズマ処理を行わなかったこと以外は実施例1と同様にして(PDDA/PSSNa)3.5層の形成、無電解めっき用触媒の付与及び活性化、並びに無電解銅めっき処理を行った。当該方法により形成された無電解銅めっき皮膜について、実施例1と同様にしてクロスカット試験を行った。その結果、剥離されずに基材上に残留した無電解銅めっき皮膜の面積割合は5%未満であった。
プラズマ処理に替えて、基材を60℃に加温した1N水酸化ナトリウム水溶液に30分浸漬したこと以外は実施例1と同様にして、無電解めっき用触媒の付与及び活性化、並びに無電解銅めっき処理を行った。当該方法により形成された無電解銅めっき皮膜について、実施例1と同様にしてクロスカット試験を行った。その結果、剥離されずに基材上に残留した無電解銅めっき皮膜の面積割合は5%未満であった。
プラズマ処理を行わなかったこと以外は実施例4と同様にして(PDDA/PSSNa)3.5層の形成、無電解めっき用触媒の付与及び活性化、並びに無電解銅めっき処理を行った。当該方法により形成された無電解銅めっき皮膜について、実施例1と同様にしてクロスカット試験を行った。その結果、剥離されずに基材上に残留した無電解銅めっき皮膜の面積割合は5%未満であった。
プラズマ処理に替えて、基材を60℃に加温した1N水酸化ナトリウム水溶液に30分浸漬したこと以外は実施例4と同様にして、無電解めっき用触媒の付与及び活性化、並びに無電解銅めっき処理を行った。当該方法により形成された無電解銅めっき皮膜について、実施例1と同様にしてクロスカット試験を行った。その結果、剥離されずに基材上に残留した無電解銅めっき皮膜の面積割合は5%未満であった。
(PDDA/PSSNa)3.5層の形成を行わなかったこと以外は実施例1と同様にして、プラズマ処理、無電解めっき用触媒の付与及び活性化、並びに無電解銅めっき処理を行った。その結果、PENフィルム上に無電解銅めっき皮膜の形成はほとんど観察されなかった。これは、プラズマ処理後、(PDDA/PSSNa)3.5層の形成を行わなかったことにより、無電解めっき用触媒がPENフィルム上に付与されなかったことが原因であるものと考えられる。
(PDDA/PSSNa)3.5層の形成を行わなかったこと以外は実施例3と同様にして、UV処理、無電解めっき用触媒の付与及び活性化、並びに無電解銅めっき処理を行った。その結果、PETフィルム上に無電解銅めっき皮膜の形成はほとんど観察されなかった。これは、プラズマ処理後、(PDDA/PSSNa)3.5層の形成を行わなかったことにより、無電解めっき用触媒がPETフィルム上に付与されなかったことが原因であるものと考えられる。
基材としてコロナ処理が施されたポリエチレンナフタレート(PEN)フィルム(帝人社製、商品名:TEONEX Q51)を用い、かつプラズマ処理を行わなかったこと以外は実施例1と同様にして、(PDDA/PSSNa)3.5層の形成、無電解めっき用触媒の付与及び活性化、並びに無電解銅めっき処理を行った。なお、コロナ処理はPENフィルム等の高分子基材の表面を親水化するための処理として知られている方法の1つである。当該方法により形成された無電解銅めっき皮膜について、実施例1と同様にしてクロスカット試験を行った。その結果、剥離されずに基材上に残留した無電解銅めっき皮膜の面積割合は5%未満であった。
Claims (5)
- (1)高分子基材に対して、プラズマ処理を施す工程、
(2)前記高分子基材を、カチオン性ポリマーを含む溶液に浸漬する工程、及び
(3)前記工程(2)の後、前記高分子基材をアニオン性ポリマーを含む溶液に浸漬する工程
を含む、無電解めっきの前処理方法であって、
前記工程(3)の後、前記工程(2)及び工程(3)を2回以上繰り返し、最終工程が前記工程(2)であり、
前記高分子基材が、ポリエチレンナフタレートであることを特徴とする、方法。 - (1)高分子基材に対して、プラズマ処理を施す工程、
(2)前記高分子基材を、カチオン性ポリマーを含む溶液に浸漬する工程、及び
(3)前記工程(2)の後、前記高分子基材をアニオン性ポリマーを含む溶液に浸漬する工程
を含む、無電解めっきの前処理方法であって、
前記工程(3)の後、前記工程(2)及び工程(3)を3回以上繰り返し、最終工程が前記工程(3)であり、
前記高分子基材が、ポリエチレンナフタレートであることを特徴とする、方法。 - 1回目の工程(3)の後、前記工程(2)を3回、前記工程(3)を2回繰り返すことを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 1回目の工程(3)の後、前記工程(2)を3回、前記工程(3)を3回繰り返すことを特徴とする、請求項2に記載の方法。
- 高分子基材に対して請求項1〜4のいずれかに記載の方法による前処理を施した後、
(4)前記高分子基材に対して無電解めっき用触媒を付与する工程、及び
(5)無電解めっきを行う工程
を含む、無電解めっき方法。
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