JP2002220677A - 金属膜を有する部材 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 膜厚や形状等の精度面での製品間のバラツキ
が小さい金属膜を有する部材およびその製造方法を提供
することを目的とする。 【解決手段】 上記目的を達成するために、本発明は、
非導電性基材と、上記非導電性基材上に形成された水溶
性高分子を含有するゲル状薄膜と、上記ゲル状薄膜上に
形成された金属膜とを有することを特徴とする金属膜を
有する部材を提供する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高品質・高生産性
であり、プリント配線板等の用途に用いることが可能な
金属膜を有する部材、およびこの金属膜を有する部材の
製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、無電解めっき法は、プラスチ
ック、フィルム、セラミックス、紙、ガラス、繊維など
の非導電性基材表面を導電性表面に変えることができる
工業的手法として広く用いられている。特に、エンジニ
アリングプラスチックやフィルム表面に高品質な無電解
めっきを施す技術は重要である。

【０００３】高品質な無電解めっきを施すための技術に
おいて、最も重要なポイントは、基材とめっき層とから
なる界面の構造・状態である。一般に基材の前処理時に
留意すべき点としては次のようなものがある。 （１）基材表面に均一で微細な凹凸を形成すること （２）基材を前処理である薬液処理時に劣化させすぎな
いこと （３）基材表面の凹凸の孔中に触媒金属が沈着できるこ
と 基材表面に微細な凹凸を形成することは、基材とめっき
層との密着に関わるアンカー効果を得るために非常に重
要である。

【０００４】このような微細凹凸を形成した後、無電解
めっきを開始させるには、基材表面を触媒化処理するこ
とが必要である。一般的には、塩化第一スズ浴と塩化パ
ラジウム浴によるセンシタイジング−アクチベーティン
グ方式(sensitizing-activating方式)や、塩化第一スズ
／塩化パラジウム浴と硫酸（あるいは塩酸）浴によるカ
タリスト−アクセレレータ方式（catalyst-accelerate
方式）が知られている。また、吸着性の強いパラジウム
錯体溶液に基材を浸漬し、水洗後、ジメチルアミノボラ
ンなどの還元剤でパラジウム金属を析出させる方法もあ
る。

【０００５】全ての方式にわたって、基材表面の適切な
微細凹凸形成と共に、塩化第一スズ、塩化パラジウム、
パラジウム錯体などの金属イオン化合物（金属錯体）ま
たは金属コロイドが基材表面に十分吸着・固定化され、
基材表面での酸化還元反応が十分進行することによって
基材表面の活性化が十分達成されることが、実用的な無
電解めっきの成功の鍵を握るといえる。

【０００６】このような考え方に基づいて、非導電性基
材表面にキトサンまたはキトサン誘導体皮膜を形成し、
これに触媒を付着させる方法（特許第３０２２２２６
号）、非導電性基材表面にカチオン性界面活性剤吸着層
を形成し、これに触媒を吸着させる方法（特開平１１−
２０７１８４号公報）等が提案されている。これらは共
に、キトサンまたはキトサン誘導体、カチオン性界面活
性剤の触媒金属に対するキレート能に代表される吸着能
を利用して、非導電性基材表面への効率的な触媒金属付
着を達成しようとするものである。

【０００７】しかしながら、キトサンまたはキトサン誘
導体、カチオン性界面活性剤（以下、前処理剤とす
る。）は、水溶性のものであるため、触媒をこのような
基材上の前処理剤に付着させる工程において、前処理剤
が触媒含有液中に溶出してしまう、すなわち前処理剤が
非導電性基材表面から離脱してしまうという大きな問題
があった。このような現象があったのでは、非導電性基
材表面への効率的な触媒の付着を行うことができないば
かりか、触媒金属含有液を汚す等の工程管理上の問題も
生じることになる。

【０００８】そして、このように前処理剤がその表面か
ら離脱した非導電性基材を用いた場合、得られる金属膜
を有する部材が、膜厚や形状等の精度面で製品間のバラ
ツキが大きくなってしまうといった問題が生じることに
なる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
に鑑みてなされたものであり、膜厚や形状等の精度面で
の製品間のバラツキが小さい金属膜を有する部材および
その製造方法を提供することを主目的とするものであ
る。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、請求項１に記載するように、非導電性基
材と、上記非導電性基材上に形成された水溶性高分子を
含有するゲル状薄膜と、上記ゲル状薄膜上に形成された
金属膜とを有することを特徴とする金属膜を有する部材
を提供する。

【００１１】このように本発明の金属膜を有する部材
は、非導電性基材上に水溶性高分子を含有するゲル状薄
膜を有するものであるので、この金属膜を有する部材を
製造する際に、ゲル状薄膜上に無電解めっきのための触
媒を効率よく付着させることが可能であり、かつこの触
媒が付着するゲル状薄膜はゲル状であることから、無電
解めっきのための触媒を基材上に付着させる工程におい
て、このゲル状薄膜が非導電性基材から離脱する可能性
も少ない。したがって、無電解めっきにより非導電性基
材上に金属膜を形成した場合に、その膜厚や形状に関す
る精度の高い金属膜を有する部材とすることができる。

【００１２】上記請求項１に記載された発明において
は、請求項２に記載するように、上記ゲル状薄膜と上記
金属膜との間に、無電解めっき用の触媒が含有された触
媒層が形成されているものであってもよい。

【００１３】上記請求項１または請求項２に記載された
発明においては、請求項３に記載するように、上記水溶
性高分子を含有するゲル状薄膜が、高分子電解質を含有
するゲル状薄膜であることが好ましい。ゲル状薄膜中に
高分子電解質が含有されることにより、無電解めっきの
触媒を静電的引力によりゲル状薄膜に付着させることが
可能となり、より強く無電解めっき触媒の微粒子を吸着
することが可能となるからである。

【００１４】上記請求項３に記載された発明において
は、請求項４に記載するように、上記ゲル状薄膜が、互
いに極性の異なる２種以上の高分子電解質が積層されて
形成された多層膜であることが好ましい。このような多
層膜（交互吸着膜）を形成することにより、微細な凹部
にでも高分子電解質からなるゲル状薄膜を形成すること
が可能となり、微細な凹部であっても無電解めっきを施
すことにより金属膜を形成することができるからであ
る。

【００１５】上記請求項１から請求項４までのいずれか
の請求項に記載された発明においては、請求項５に記載
するように、上記ゲル状薄膜および上記金属膜が、上記
非導電性基材上にパターン状に形成されているものであ
ってもよい。このようにゲル状薄膜をパターン状に形成
し、これに無電解めっき用触媒を付着させて無電解めっ
きを行うことにより、パターン形状の精度の高い金属膜
を有する部材を形成することが可能となるからである。

【００１６】本発明は、さらに請求項６に記載するよう
に、表面に微細凹凸処理がなされた非導電性基材と、上
記非導電性基材上の微細凹凸処理がなされた部分に形成
された水溶性高分子を含有するゲル状薄膜とを有するこ
とを特徴とする被覆材を提供する。このような被覆材を
用い、これに無電解めっき用触媒を付着させた後に無電
解めっきを施すことにより、膜厚や形状に関する精度の
高い金属膜を有する部材を得ることができる。

【００１７】上記請求項６に記載された発明において
は、請求項７に記載するように、上記ゲル状薄膜が、互
いに極性の異なる２種以上の高分子電解質が積層されて
形成された多層膜であることが好ましい。このような多
層膜は、カチオン性高分子電解質とアニオン性高分子電
解質とが静電的引力によりコンプレックスを形成するこ
とにより水に不溶とされたものであり、無電解めっき用
触媒を静電的引力により効率的に捕捉することが可能で
ある。これにより、最終的に無電解めっきを用いて金属
膜を形成した際に、膜厚や形状の面で精度の高い金属膜
を有する部材とすることができる。

【００１８】上記請求項６または請求項７に記載された
発明においては、請求項８に記載するように、上記ゲル
状薄膜が、無電解めっき用の触媒を付着させるためのゲ
ル状薄膜であることが好ましい。本発明の被覆材の主た
る用途としては、無電解めっきが主たるものだからであ
る。

【００１９】本発明においては、さらに請求項９に記載
するように、非導電性基材上に水溶性高分子を有するゲ
ル状薄膜を形成するゲル状薄膜形成工程と、上記ゲル状
薄膜に無電解めっき用の触媒を付着させる触媒付着工程
と、触媒が付着したゲル状薄膜に無電解めっきを施す無
電解めっき工程とを有することを特徴とする金属膜を有
する部材の製造方法を提供する。本発明の方法によれ
ば、上記ゲル状薄膜形成工程が、上記触媒付着工程の前
に施されていることから、非導電性基材表面に無電解め
っき用触媒を効率的に付着させることが可能であり、最
終的に無電解めっき工程において施される無電解めっき
層の品質を高品質なものとすることができる。

【００２０】上記請求項９に記載された発明において
は、請求項１０に記載するように、上記非導電性基材
が、その表面に微細凹凸処理がなされた非導電性基材で
あることが好ましい。微細凹凸処理が施された非導電性
基材を用いることにより、最終的に得られる無電解めっ
きによる金属膜の非導電性基材に対する密着強度を、ア
ンカー効果により向上させることができる。

【００２１】上記請求項９または請求項１０に記載され
た発明においては、請求項１１に記載するように、上記
ゲル状薄膜が、互いに極性の異なる２種以上の高分子電
解質が積層されて形成された多層膜であることが好まし
い。上述したように、このような多層膜は高分子電解質
を容易に水等に不溶なゲル状薄膜とすることが可能であ
り、さらにその表面をカチオン性もしくはアニオン性と
することができるので、無電解めっき用触媒を静電的引
力で効率よく捕捉することができる。これによりその後
行われる無電解めっき工程において、精度良く無電解め
っき層を形成することができ、高品質な金属膜を有する
部材を得ることができる。

【００２２】

【発明の実施の形態】（金属膜を有する部材）まず、本
発明の金属膜を有する部材について説明する。本発明の
金属膜を有する部材は、非導電性基材と、上記非導電性
基材上に形成された水溶性高分子を含有するゲル状薄膜
と、上記ゲル状薄膜上に形成された金属膜とを有するこ
とを特徴とするものである。

【００２３】上記本発明の金属膜を有する部材に用いら
れる非導電性基材は、プラスチック、フィルム、セラミ
ックス、紙、ガラス、繊維等の非導電性の材料であれば
特に限定されるものではない。また、その形状も特に限
定されるものではないが、最終的な用途として、例えば
プリント配線板等を考慮した場合、フィルム状の基材を
好適に用いることができる。具体的には、エポキシ樹脂
フィルム、ガラス含有エポキシ樹脂フィルム、ポリイミ
ドフィルムなどを好適に用いることができる。

【００２４】この非導電性基材の金属膜を有する側の表
面は、微細な凹凸が形成されていることが好ましい。最
終的に非導電性基材と金属膜との密着性をアンカー効果
により向上させることができるからである。

【００２５】このような微細な凹凸を形成するための微
細凹凸処理方法としては、一般的にエッチング処理が行
われる。このエッチング処理による微細凹凸処理方法と
しては、酸やアルカリによる化学的処理方法と、サンド
ブラストによる機械的処理方法に大別される。非導電性
基材の表面を親水化して触媒含有液に対する濡れ性を良
くする点では化学的処理が優れており、基材表面を化学
的に劣悪化させないという点では機械的処理が優れてい
る。さらに、機械的処理の後、比較的穏和な条件で化学
的処理を行うことによって濡れ性を向上させることも可
能である。

【００２６】本発明においては、基材の種類や用途等に
応じて、いずれかの処理方法が選択されるが、一般的に
は工程の単純さや効果の高さから、通常化学的処理が好
適に用いられる。

【００２７】本発明の金属膜を有する部材の特徴は、上
記非導電性基材上に水溶性高分子を含有するゲル状薄膜
を有する点にある。

【００２８】本発明に用いることができる水溶性高分子
としては、ゲル状薄膜とすることができる水溶性高分子
であれば特に限定されるものではなく、例えば、各種高
分子電解質、ポリビニルアルコール類、およびポリエチ
レングリコール等を挙げることができる。

【００２９】本発明においては、これらの水溶性高分子
の中でも、特に高分子電解質を用いることが好ましい。
高分子電解質を用いることにより、無電解めっき用触媒
を静電的引力によりゲル状薄膜に効率的に付着させるこ
とが可能だからである。

【００３０】なお、本発明においては、非イオン性水溶
性高分子のみからなるゲル状薄膜であっても用いること
ができる。この場合の無電解めっき用触媒のゲル状薄膜
への付着は、配位結合、水素結合、van der waals 力、
疎水性相互作用などをドライビングフォースとして進行
する。

【００３１】本発明に用いることができる高分子電解質
としては、キトサンやキトサン誘導体のみならず、種々
のカチオン性高分子電解質やアニオン性高分子電解質、
さらには双性イオン性高分子電解質を挙げることができ
る。これらは、用いる無電解めっき用触媒含有液の諸物
性、例えば、ｐＨ、イオン強度、錯体形成リガンドの種
類、金属コロイド表面極性などに応じて適宜選択される
ものである。

【００３２】具体的には、カチオン性高分子電解質とし
ては、例えば、ポリアリルアミンおよびその塩酸塩、ポ
リエチレンイミン、ポリジアリルジメチルアミンおよび
その塩酸塩、キトサンおよびキトサン誘導体、ポリジメ
チルアミノエチル（メタ）アクリレートおよびその四級
化物、ポリジメチルアミノプロピル（メタ）アクリルア
ミドおよびその四級化物、ホスホニウム塩基含有高分
子、ポリアニリンなどを挙げることができる。

【００３３】また、アニオン性高分子電解質としては、
ポリメタアクリル酸およびその金属塩、ポリスチレンス
ルホン酸およびその金属塩、ポリビニルスルホン酸およ
びその金属塩、カルボキシメチルセルロース及びその金
属塩、硫酸化セルロース及びその金属塩などを挙げるこ
とができる。

【００３４】さらに、双性イオン性高分子電解質として
は、ポリ（アンモニオプロパンスルホン酸塩）、フォス
ファチジルコリン重合体、ポリ（カルボベタイン）類な
どを挙げることができる 本発明においては、上記高分子電解質構成モノマーとア
クリルアミドなどの水溶性非イオン性モノマーとの共重
合体を用いることも可能である。このような共重合体の
場合、非イオン性モノマーの割合は、２０モル％未満、
特に１０モル％未満であることが望ましい。非イオン性
モノマーの割合が上述した範囲を超えると、後述する高
分子電解質の多層膜を形成した場合、ポリイオンコンプ
レックスが不充分となって、一部溶出したり、無電解め
っき用触媒の付着固定化が不充分であったりする可能性
が生じるため好ましくない。

【００３５】本発明においては、上述した水溶性高分子
をゲル状薄膜として用いるものであるが、この水溶性高
分子のゲル状薄膜化の方法に関しては、一般的に用いる
ことができる方法であれば特に限定されることはない。
例えば、ポリビニルアルコール類などの薄膜は、乾燥に
より強固な水素結合を形成し水に対して難溶性のゲル状
薄膜となる。また、水溶性高分子薄膜にガンマ線、電子
線、紫外線などを照射することにより、ゲル状薄膜とす
ることができる。

【００３６】このような水溶性高分子のゲル状薄膜化の
方法の中でも、本発明においては水溶性高分子として高
分子電解質が含まれる高分子を用いた場合、公知のいわ
ゆる交互吸着膜作製法（Layer-by-Layer Assembly法）
により多層膜を形成する方法を好適に用いることができ
る。この方法は、非導電性基材をカチオン性高分子電解
質水溶液とアニオン性高分子電解質水溶液とに交互に浸
漬することによって、ナノオーダーの膜厚制御で基材上
に高分子電解質多層膜を形成する手法である（例えばGe
ro Decherら、Science、277巻、1232ページ、1997年；
白鳥世明ら、信学技報、OME98-106、1998年；Joseph B.
Schlenoffら、Macromolecules、32巻、8153頁、1999
年、白鳥世明、「応用物理」、2000年5月号、553頁）。

【００３７】上述したように、非導電性基材表面は、金
属膜が形成される側の表面にはその上に形成される金属
膜との密着性をアンカー効果により向上させるため、微
細な凹凸が形成されることが好ましい。このように微細
な凹凸が形成された場合、この微細な凹凸の隅々までゲ
ル状薄膜が形成される必要性がある。上記交互吸着法に
よる多層膜は、このようにゲル状薄膜を微細な凹凸の隅
々まで形成することができる点で好ましいといえる。

【００３８】上述したように、非導電性基板表面の微細
凹凸処理は一般的には化学的処理が行われる。このよう
な化学的処理により微細凹凸処理がなされた場合は、非
導電性基材表面が加水分解されて極性基が導入されるな
どにより表面が親水化されるので、容易に高分子電解質
を吸着することができる。この手法によれば、理論上、
高分子１分子の大きさ（１ｎｍ³程度）ほどの窪み部分
にもゲル状薄膜を形成することが可能となる。つまり、
そのような微細な窪みも触媒化が可能となり、その結
果、微細な窪みさえも起点とした無電解めっきによる金
属の析出も可能となる。

【００３９】このように、基材表面に交互にカチオン性
高分子電解質とアニオン性高分子電解質とを吸着させる
操作を施すことにより、基材表面においてポリイオンコ
ンプレックスゲルが形成される。さらには、最後に吸着
された高分子電解質が有するイオン性リッチな表面が形
成されるので、表面をアニオン性、カチオン性どちらに
も制御することができ、様々な金属イオン化合物（金属
錯体）に対応することができる。

【００４０】このようなポリイオンコンプレックス、す
なわち互いに極性の異なる２種以上の高分子電解質が積
層されて形成された多層膜の膜厚としては、０．５ｎｍ
以上５００ｎｍ以下、中でも０．５ｎｍ以上１００ｎｍ
以下であることが好ましい。膜厚が上記範囲より薄い場
合は、触媒化が十分に行われない可能性があるので好ま
しくない。また、膜厚が上記範囲より厚い場合は、微細
凹凸処理で形成した表面凹凸が損なわれ、その結果アン
カー効果を損なう可能性があるので好ましくない。

【００４１】上述した多層膜に用いられる高分子電解質
の平均分子量としては、１０００万以下が好ましく、さ
らに好ましくは１万以上１０００万以下である。平均分
子量が１０００万を越えると分子分散した水溶液を作製
することが困難となり高分子電解質のゲル状薄膜の均一
性が損なわれ、その結果、無電解めっき膜の均一性が損
なわれる。また、基材表面の微細な凹凸を塞ぐなどの点
で好ましくない。

【００４２】本発明の金属膜を有する部材は、上述した
ような水溶性高分子を有するゲル状薄膜上に金属膜が形
成されたものである。

【００４３】このような金属膜としては、通常無電解め
っき法により形成することができる金属からなる膜であ
れば特に限定されるものではなく、例えば、ニッケル及
びニッケル合金、銅、コバルト、金、銀、パラジウムな
どが挙げられる。

【００４４】なお、無電解めっき中に非金属微粒子を膜
中に取りこませて膜の機能化を図るいわゆる「複合めっ
き」により得られた膜も、本発明でいう「金属膜」に含
まれるものとする。

【００４５】このような金属膜の膜厚としては、一般に
無電解めっきにより形成されうる膜厚であり、さらに用
途によって必要とされる膜厚とされる。具体的には０．
２μｍ〜２０μｍ程度である。

【００４６】また、必要に応じて無電解めっき法により
形成された金属膜上に、電解めっき法によりさらに金属
膜を形成したものであってもよい。

【００４７】本発明の金属膜を有する部材においては、
上記ゲル状薄膜と金属膜との間に、無電解めっき用の触
媒が含有された触媒層が形成された部材であってもよ
い。

【００４８】この触媒層としては、上述した水溶性高分
子の層の中に無電解めっき用の触媒が分散されている層
である。無電解めっき用の触媒としては、例えばパラジ
ウム、すず、パラジウム−すず、金、銀、白金、銅等の
金属のコロイド、塩化物、硝酸塩などの水溶性塩、及び
錯化合物等を挙げることができる。

【００４９】本発明においては、上記ゲル状薄膜および
上記金属膜が、上記非導電性基材上にパターン状に形成
されているものであってもよい。

【００５０】上記ゲル状薄膜および上記金属膜をパター
ン状に形成する方法としては、予めゲル状薄膜をパター
ン状に形成し、これに無電解めっき用触媒を付着させ、
このような基材に対して無電解めっきを施す方法、もし
くはゲル状薄膜および金属膜を全面に形成した後、これ
らにフォトリソ法等を用いてパターン化する方法等を挙
げることができる。

【００５１】本発明の金属膜を有する部材の用途として
は、プリント配線板に代表される金属パターンとしての
用途を挙げることができる。近年の金属パターン形成技
術は、微細化・多層化の方向に急激に進歩してきている
（例えば、「めっきとハイテク」日本化学会編、１９９
２年、３５頁）。このいわゆる実装技術分野において
は、小径スルーホールへのつきまわり性が良いという無
電解めっきの長所が大いに発揮されている。これまでに
述べてきたように、本発明の金属膜を有する部材におい
ては、小径スルーホール内へも容易に高分子電解質から
なるゲル状薄膜を形成することができ、その結果、小径
スルーホール内を容易に均一に触媒化でき、高品質な無
電解めっき層を形成することができる。

【００５２】（被覆材）次に、本発明の被覆材について
説明する。本発明の被覆材は、表面に微細凹凸処理がな
された非導電性基材と、上記非導電性基材上の微細凹凸
処理がなされた部分に形成された水溶性高分子を含有す
るゲル状薄膜とを有することを特徴とするものである。

【００５３】本発明の被覆材に用いられる非導電性基材
および水溶性高分子を含有するゲル状薄膜は、上述した
金属膜を有する部材と同様であるのでここでの説明は省
略す。また、上記非導電性基材に施される微細凹凸処理
も、上述した微細凹凸処理と同様の処理であるのでここ
での説明は省略する。

【００５４】本発明において、上記水溶性高分子を含有
するゲル状薄膜は、無電解めっき用触媒を付着させるた
めに用いることができる。このようにゲル状薄膜に対し
て無電解めっき用触媒を付着させ、これを無電解めっき
に供することにより、非導電性基材上に無電解めっきに
よる金属膜が形成された金属膜を有する部材を形成する
ことができる。

【００５５】（金属膜を有する部材の製造方法）最後
に、本発明の金属膜を有する部材の製造方法について説
明する。本発明の金属膜を有する部材の製造方法は、非
導電性基材上に水溶性高分子を有するゲル状薄膜を形成
するゲル状薄膜形成工程と、上記ゲル状薄膜に無電解め
っき用の触媒を付着させる触媒付着工程と、触媒が付着
したゲル状薄膜に無電解めっきを施す無電解めっき工程
とを有することを特徴とするものである。

【００５６】本発明においては、まず非導電性基材上に
水溶性高分子を有するゲル状薄膜を形成するゲル状薄膜
形成工程が行われる。ここで用いられる非導電性基材お
よび水溶性高分子は、上述した金属膜を有する部材の項
で説明したものと同様のものを用いることができる。ゲ
ル状薄膜の形成方法は、上述したように種々の方法があ
るが、本発明においては、高分子電解質膜が互いに極性
の異なる２種以上の高分子電解質が積層されて形成され
た多層膜を形成するために用いられる上述した交互吸着
法による方法が好ましい。

【００５７】次いで、上記ゲル状薄膜に無電解めっき用
の触媒を付着させる触媒付着工程が行われる。この触媒
付着工程は、上述したような無電解めっき用触媒を含有
する溶液に、ゲル状薄膜が形成された非導電性基材を浸
漬することにより行われる。

【００５８】この触媒付着工程が施された後、触媒が付
着したゲル状薄膜に無電解めっきを施す無電解めっき工
程が行われる。この無電解めっき工程は、無電解めっき
液中に、上述した触媒付着工程が施された非導電性基材
を浸漬することにより行われる。この無電解めっき液は
市販のものを用いることができる。

【００５９】本発明の金属膜を有する部材の製造方法に
おいては、上記ゲル状薄膜形成工程の前に、非導電性基
材の金属膜が形成される側の表面に、予め凹凸を形成す
るための微細凹凸処理が施されてもよい。この微細凹凸
処理に関しては、上記金属膜を有する部材の項で説明し
たものと同様であるので、ここでの説明は省略する。

【００６０】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の
特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一
な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかな
るものであっても本発明の技術的範囲に包含される。

【００６１】

【実施例】以下、本発明について、実施例を通じてさら
に具体的に説明する。

【００６２】［実施例１］ （高分子電解質からなるゲル状薄膜の成膜：ゲル状薄膜
形成工程）カチオン性高分子電解質溶液として、２０ミ
リモル％のポリジアリルジメチルアミン塩酸塩（ＰＤＤ
Ａ、分子量１０万〜２０万、アルドリッチ社製）水溶液
（１モル％塩化ナトリウム含有、ｐＨ６．５）、アニオ
ン性高分子電解質溶液として２０ミリモル％のポリスチ
レンスルホン酸ナトリウム塩（ＰＳＳ、分子量７万、ア
ルドリッチ社製）水溶液（１モル％塩化ナトリウム含
有、ｐＨ５）を用いた。

【００６３】洗浄済みガラス板を非導電性基材として用
い、各吸着時間２分、各吸着後の水洗時間を２分間と
し、PDDA→水洗→PSS→水洗の交互吸着を繰り返し、合
計PDDA吸着４回、PSS吸着４回を行い、表面がアニオン
性、膜厚９９ｎｍ（原子間力顕微鏡にて測定）のポリイ
オンコンプレックス薄膜を得た。

【００６４】（触媒付着工程）センシタイザーＳ−１０
Ｘ（上村工業製）に３分間浸漬し、水洗後、アクチベー
ターＡ−１０Ｘ（上村工業製）に３分間浸漬した後、水
洗によって触媒化を行った。

【００６５】（無電解めっき工程）下記の組成を有する
無電解ニッケルめっき液を用いて、４８℃で７分間無電
解めっきを行った。基材全面に均一なめっき膜を形成で
きた。

【００６６】 無電解ニッケルめっき液組成 ・ＮＰＲ−４ Ｍ（商品名、上村工業製） １５０ｇ ・ＮＰＲ−４ Ａ（同上） ４５ｇ ・ＮＰＲ−４ Ｄ（同上） ５ｇ ・水 ８００ｇ

【００６７】上記めっき膜に対して、セロテープ（登録
商標）を用いた剥離試験を行った結果、全く剥離は認め
られなかった。

【００６８】［実施例２］ （ゲル状薄膜形成工程）実施例１で用いたＰＰＤＡおよ
びＰＰＳを用い、各２０ミリモル％、塩化ナトリウム無
添加の水溶液を作製した。吸着サイクル、吸着時間及び
洗浄時間は実施例１と同様にし、合計PDDA吸着７回、PP
S吸着７回を行い、表面がアニオン性、膜厚４．８ｎｍ
のポリイオンコンプレックスのゲル状薄膜を得た。

【００６９】（触媒付着工程）実施例１と同様にして行
った。

【００７０】（無電解めっき工程）実施例１と同様にし
て、５５℃で７分間無電解めっきを行った。基材全面に
均一なめっき膜を形成できた。セロテープを用いた剥離
試験においても、全く剥離は認められなかった。

【００７１】［比較例１］ディップコーティング法によ
り、実施例１で用いたＰＰＳ薄膜を表面に形成した基材
を用いて実施例１と同様にして無電解めっきを行ったと
ころ、全くめっき層が形成されなかった。触媒付着工程
もしくは無電解めっき工程において、ＰＰＳが溶出した
ためであることが予想される。

【００７２】

【発明の効果】本発明の金属膜を有する部材は、非導電
性基材上に水溶性高分子を含有するゲル状薄膜を有する
ものであるので、この金属膜を有する部材を製造する際
に、ゲル状薄膜上に無電解めっきのための触媒を効率よ
く付着させることが可能であり、かつこの触媒が付着す
るゲル状薄膜はゲル状であることから、無電解めっきの
ための触媒を基材上に付着させる工程において、このゲ
ル状薄膜が非導電性基材から離脱する可能性も少ない。
したがって、無電解めっきにより非導電性基材上に金属
膜を形成した場合でも、その膜厚や形状に関する精度の
高い金属膜を有する部材とすることができる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K022 AA03 AA13 AA42 BA14 BA31 BA35 CA02 CA06 CA20 CA21 CA22 DA01 5E343 AA17 AA18 AA23 AA26 BB23 BB24 BB25 BB44 BB45 BB48 BB55 CC01 CC72 CC73 DD33 GG08

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 非導電性基材と、前記非導電性基材上に
   形成された水溶性高分子を含有するゲル状薄膜と、前記
   ゲル状薄膜上に形成された金属膜とを有することを特徴
   とする金属膜を有する部材。
2. 【請求項２】 前記ゲル状薄膜と前記金属膜との間に、
   無電解めっき用の触媒が含有された触媒層が形成されて
   いることを特徴とする請求項１に記載の金属膜を有する
   部材。
3. 【請求項３】 前記水溶性高分子を含有するゲル状薄膜
   が、高分子電解質を含有するゲル状薄膜であることを特
   徴とする請求項１または請求項２に記載の金属膜を有す
   る部材。
4. 【請求項４】 前記ゲル状薄膜が、互いに極性の異なる
   ２種以上の高分子電解質が積層されて形成された多層膜
   であることを特徴とする請求項３記載の金属膜を有する
   部材。
5. 【請求項５】 前記ゲル状薄膜および前記金属膜が、前
   記非導電性基材上にパターン状に形成されていることを
   特徴とする請求項１から請求項４までのいずれかの請求
   項に記載の金属膜を有する部材。
6. 【請求項６】 表面に微細凹凸処理がなされた非導電性
   基材と、前記非導電性基材上の微細凹凸処理がなされた
   部分に形成された水溶性高分子を含有するゲル状薄膜と
   を有することを特徴とする被覆材。
7. 【請求項７】 前記ゲル状薄膜が、互いに極性の異なる
   ２種以上の高分子電解質が積層されて形成された多層膜
   であることを特徴とする請求項６記載の被覆材。
8. 【請求項８】 前記ゲル状薄膜が、無電解めっき用の触
   媒を付着するためのゲル状薄膜であることを特徴とする
   請求項６または請求項７に記載の被覆材。
9. 【請求項９】 非導電性基材上に水溶性高分子を有する
   ゲル状薄膜を形成するゲル状薄膜形成工程と、前記ゲル
   状薄膜に無電解めっき用の触媒を付着させる触媒付着工
   程と、触媒が付着したゲル状薄膜に無電解めっきを施す
   無電解めっき工程とを有することを特徴とする金属膜を
   有する部材の製造方法。
10. 【請求項１０】 前記非導電性基材が、その表面に微細
    凹凸処理がなされた非導電性基材であることを特徴とす
    る請求項９記載の金属膜を有する部材の製造方法。
11. 【請求項１１】 前記ゲル状薄膜が、互いに極性の異な
    る２種以上の高分子電解質が積層されて形成された多層
    膜であることを特徴とする請求項９または請求項１０に
    記載の金属膜を有する部材の製造方法。