JP6601271B2 - マスクブランク用ガラス基板 - Google Patents
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Description
本発明のマスクブランク用ガラス基板は、EUV(Extreme Ultra Violet:極端紫外)光を用いたリソグラフィ(以下、「EUVL」と略する)に使用されるマスクブランク用ガラス基板(以下、「EUVLマスクブランク用ガラス基板」と略する。)に好適である。
本発明のマスクブランク用ガラス基板は、従来の透過型光学系を用いたリソグラフィに使用されるマスクブランク用ガラス基板、例えば、ArFエキシマレーザやKrFエキシマレーザを用いたリソグラフィ用マスクブランク用ガラス基板にも好適である。
特許文献1には、上記の予備研磨、および、仕上げ研磨の手順の一例が示されている。
特許文献1に記載の方法では、酸化セリウムを主材とする研磨剤と、研磨パッドを備えたポリッシャを用いて、ガラス基板表面を予備研磨した後、研磨剤としてコロイダルシリカを用いてガラス基板表面を仕上げ研磨する。
上述した平坦度、および、欠点サイズに関する要求は、マスクブランク用ガラス基板表面のうち、面取り面が設けられた外縁部を除いた主表面に関するものである。
しかしながら、このブラシ研磨ではガラス基板の側面や面取り面の表面粗さが大きくなり、比較的大きな凹みがこれらの面に生じる場合がある。これらガラス基板の側面や面取り面に存在する凹みに、ガラス基板の主表面の仕上げ研磨の際に使用した研磨剤が溜まり固着する場合がある。ガラス基板の主表面の仕上げ研磨の実施後には、該ガラス基板を洗浄するが、この洗浄の際に完全に除去しきれずに残留した研磨剤が、その後、ピットやスクラッチから脱落して、マスクブランク用ガラス基板の主表面に欠陥(パーティクル、スクラッチ、ピット等)を生じさせる場合がある。
前記ガラス基板の側面が、原子間力顕微鏡(AFM)の測定エリアを3μm□として、算術平均粗さ(Ra)が0.5nm以下であり、かつ、ISO25178で定義される負荷曲線から求める谷部の中空体積(Vvv)が1.5×107nm3以下であることを特徴とする、マスクブランク用ガラス基板を提供する。
本発明のマスクブランク用ガラス基板は、上記側面、および、上記面取り面のうち少なくとも一方の表面性状が、原子間力顕微鏡(AFM)の測定エリアを3μm□として、下記(1)、(2)を満たすことを特徴とする。
(1)算術平均粗さ(Ra)(以下、本明細書において、「Ra」と記載する。)が0.5nm以下である。
(2)ISO25178で定義される負荷曲線から求める谷部の中空体積(Vvv)(以下、本明細書において、「Vvv」と記載する。)が1.5×107nm3以下である。
本発明のマスクブランク用ガラス基板は、上記側面、および、上記面取り面のうち少なくとも一方の表面性状が原子間力顕微鏡(AFM)の測定エリアを3μm□として、上記(1)、(2)を満たすことにより、マスクブランク用ガラス基板の主表面における欠陥を抑制することができる。
本願発明者らは、この問題について鋭意検討した結果、Raでは顕在化しない微細な表面性状、具体的には、側面や面取り面に存在する微細な凹みに、ガラス基板の主表面の仕上げ研磨の際に使用した研磨剤に捕捉されること、および、研磨終了後にガラス基板を洗浄する際に、凹みに捕捉された研磨剤がガラス基板の主表面へ移着することが、ガラス基板の主表面における欠陥(パーティクル、スクラッチ、ピット等)の原因であることを見出した。また、このような微細な凹みについては、Vvvにより評価できることを見出した。
なお、上記側面、および、上記面取り面のうち少なくとも一方のVvvが1.5×107nm3以下とするのは、側面、および、面取り面のうち少なくとも一方に存在する凹みでの研磨剤の捕捉が抑制されれば、ガラス基板の主表面における欠陥(パーティクル、スクラッチ、ピット等)を抑制する効果が発揮されるからである。
本発明のマスクブランク用ガラス基板において、上記側面、および、上記面取り面のうち、側面のVvvが1.5×107nm3以下であることが、マスクブランク用ガラス基板の主表面における欠陥の抑制という点では好ましい。
また、本発明のマスクブランク用ガラス基板において、上記側面、および、上記面取り面の両方のVvvが1.5×107nm3以下であることが、マスクブランク用ガラス基板の主表面における欠陥の抑制という点ではより好ましい。
本発明のマスクブランク用ガラス基板を、露光光源としてArFエキシマレーザを用いた液浸リソグラフィに使用する場合、上記2つの主表面のうち少なくとも一つの主表面の平坦度がPV値で350nm以下であることが好ましく、300nm以下であることがより好ましく、250nm以下であることがさらに好ましい。
一方、本発明のマスクブランク用ガラス基板を、EUVLマスクブランク用ガラス基板として使用する場合、上記2つの主表面のうち少なくとも一つの主表面の平坦度がPV値で100nm以下であることが好ましく、80nm以下であることがより好ましく、60nm以下であることがさらに好ましい。
上記低熱膨張ガラスおよび超低熱膨張ガラスとしては、SiO2を主成分とするガラス、典型的には合成石英ガラスが使用できる。具体的には、例えば合成石英ガラス、AQシリーズ(旭硝子株式会社製合成石英ガラス)や、SiO2を主成分とし1〜12質量%のTiO2を含有する合成石英ガラス、AZ(旭硝子株式会社製ゼロ膨張ガラス)が挙げられる。
本発明の場合も、ガラス基板の主表面を所定の表面粗さおよび平坦度に予備研磨することが好ましい。ガラス基板の主表面は、その平坦度(PV値)が1μm以下となるように予備研磨されていることが好ましく、500nm以下に予備研磨されていることがより好ましい。
研磨布としては、ラッピングテープと呼ばれるフィルム上に固定砥粒を固着させたもの、または、軟質の不織布もしくはウレタンパッドを使用する。軟質の不織布もしくはウレタンパッドは、Asker−C硬度で80以下であることが望ましい。
ラッピングテープを用いる場合は、フィルム上に研磨砥粒が存在するため、純水中で研磨を実施する。具体的には、ラッピングテープを、ガラス基板の側面、および、面取り面のうち少なくとも一方に、純水中で押し当てた状態で、ラッピングテープとガラス基板とを相対運動させることにより、研磨を実施する。
軟質の不織布もしくはウレタンパッドを用いる場合は、研磨砥粒を純水中に分散させたスラリー中で研磨を実施する。具体的には、研磨砥粒を純水中に分散させたスラリー中に浸漬したガラス基板の側面、および、面取り面のうち少なくとも一方に、不織布もしくはウレタンパッドを当接させて、不織布もしくはウレタンパッドとガラス基板とを相対運動させることにより、研磨を実施する。
ここで、ガラス基板または研磨布(ラッピングテープ、または軟質の不織布もしくはウレタンパッド)が乾燥すると、ガラス基板を砥粒が傷つけてしまい、Vvvの値が悪化するおそれがあるため、ガラス基板及び研磨布は常に濡れた状態にすることが望ましい。
また、上記の手順による研磨は3分以上実施することが好ましい。
マスクブランク用ガラス基板の主表面の研磨に使用する研磨パッドとしては、不織布などの基布に、ポリウレタン樹脂を含浸させ、湿式凝固処理を行って得られたポリウレタン樹脂発泡層を有する研磨パッドなどが挙げられる。研磨パッドとしては、スウェード系研磨パッドが好ましい。スウェード系研磨パッドとしては、適度の圧縮弾性率を有する軟質の樹脂発泡体が好ましく使用でき、具体的には例えばエーテル系、エステル系、カーボネート系などの樹脂発泡体が挙げられる。
マスクブランク用ガラス基板の主表面の研磨に使用する研磨スラリーは、研磨粒子と、その分散媒からなる。コロイダルシリカ又は酸化セリウムなどが好ましい。コロイダルシリカは、より精密にガラス基板を研磨できるので特に好ましい。
研磨粒子の分散媒としては、水、有機溶剤が挙げられ、水が好ましい。
(例1)
本実施例では、以下の手順を実施した。
152mm角、6.6mm厚の合成石英ガラス基板を準備した。この合成石英ガラス基板は、主表面が151.2mm角であり、面取り面の幅が0.4mmである。
この合成石英ガラス基板の主表面を、両面ラップ研磨装置を使用して、該主表面の平坦度(PV値)が1μm以下となるまで予備研磨した。
次に、合成石英ガラス基板の側面を以下の手順で研磨した。
炭化ケイ素(粒径0.5μm)砥粒を固着させたラッピングテープ(基材PET)を、合成石英ガラス基板の側面に0.1MPaの圧力で、大気中で押し当てた状態で、ラッピングテープとガラス基板とを相対運動させることにより研磨を実施した。具体的には、ラッピングテープを固定した状態でガラス基板を1辺当たり20回、3分間かけて揺動させた。
次に、研磨パッドとして、軟質ポリウレタン製研磨パッドを使用し、研磨スラリーとしてコロイダルシリカを用いて、合成石英ガラス基板の主表面を研磨した。
合成石英ガラス基板を湿式洗浄した後、合成石英ガラス基板の主表面の132mm□のエリアについて、レーザーテック社製自動欠点検査機M1350を用いて、シリカ粒子換算サイズ70nm以上の凹凸欠点数を測定した。結果を下記表に示す。
欠点検査後、合成石英ガラス基板の側面の任意の3μm□のエリアを、原子間力顕微鏡(AFM)を用いて測定して、当該エリアのRa、および、Vvvを求めた。結果を下記表に示す。
合成石英ガラス基板の側面の研磨を以下の手順で実施した以外は例1と同様の手順を実施した。
酸化セリウム(粒径1.2μm)を純水中に分散させた研磨スラリーを使用し合成石英ガラス基板の側面に回転するナイロンブラシを当接させ、ナイロンブラシとガラス基板とを相対運動させることにより、研磨を実施した。このとき、基板の厚み方向とナイロンブラシの回転軸は平行であり、ナイロンブラシを軸方向に3分間揺動させることにより、ナイロンブラシとガラス基板とを相対運動させた。また、ナイロンブラシは0.1MPaの圧力でガラス基板の側面に押し当てた。
ラッピングテープを大気中ではなく超純水中でガラス基板に押し当てた以外は例1と同様の手順を実施した。
酸化セリウム(粒径0.3μm)を固着させたラッピングテープを使用し、ラッピングテープを大気中ではなく超純水中でガラス基板に押し当てた以外は例1と同様の手順を実施した。
例2と同様の手順で合成石英ガラス基板の側面を研磨した後、以下の手順で合成石英ガラス基板の側面をさらに研磨した。
研磨布として、幅5cmの軟質の不織布(Asker−C硬度73)を使用し、酸化セリウム(粒径1μm)を純水中に分散させた研磨スラリーの中に浸漬したガラス基板の側面に面圧0.3MPaで不織布を当接させて、不織布を3分間かけて20回往復させた。このような手順でガラス基板と不織布とを相対運動させることにより、研磨を実施した。
研磨布として、幅5cmの軟質の不織布(Asker−C硬度66)を使用し、酸化セリウム(粒径0.46μm)を純水中に分散させた研磨スラリーを使用した以外は例5と同様の手順を実施した。
上記の実施例では、側面のRaが0.5nm以下、Vvvが1.5×107nm3以下の場合について、主表面における欠点数が大幅に抑制されることを示したが、面取り面のRaが0.5nm以下、Vvvが1.5×107nm3以下の場合も同様の結果となる。
Claims (3)
- 互いに対向する2つの主表面と前記主表面に略垂直な側面とを有し、前記2つの主表面といずれか1つの前記側面とをつなぐ面取り面が設けられたマスクブランク用ガラス基板であって、
前記ガラス基板の側面が、原子間力顕微鏡(AFM)の測定エリアを3μm□として、算術平均粗さ(Ra)が0.5nm以下であり、かつ、ISO25178で定義される負荷曲線から求める谷部の中空体積(Vvv)が1.5×107nm3以下であることを特徴とする、マスクブランク用ガラス基板。 - 前記2つの主表面のうち少なくとも一つの主表面の平坦度がPV値で350nm以下である、請求項1に記載のマスクブランク用ガラス基板。
- 前記2つの主表面のうち少なくとも一つの主表面の平坦度がPV値で100nm以下である、請求項1または2に記載のマスクブランク用ガラス基板。
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