JP6593454B2 - 半導体デバイス駆動回路 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の実施の形態1にかかる半導体デバイス駆動回路100の構成を示す回路図である。半導体デバイス駆動回路100は集積回路の形態で提供されており、以下「集積回路100」とも称す。図1は集積回路100とその周辺回路の具体例を示している。集積回路100は半導体スイッチング素子500を駆動する駆動信号HOを出力する。集積回路100は、定電流源11と、放電用NMOSFET12と、コンパレータ13と、論理回路17と、駆動回路18と、しきい値調整回路600とを有している。集積回路100内に設けられた定電流源11、放電用NMOSFET12、コンパレータ13、および論理回路17と、集積回路100外に設けられたダイオード300および容量素子400とが、不飽和電圧検知回路200を構成している。不飽和電圧検知回路200は、半導体スイッチング素子500の端子間電圧が不飽和電圧であることを検知する回路部であり、公知の技術により構成されるものである。例えば国際公開第2014/115272号にもこの不飽和電圧検知回路200に類似する回路構成および回路動作が開示されているので、公知技術に属する基本的回路動作等については、詳細な説明を省略する。
図4は、本発明の実施の形態2にかかる半導体デバイス駆動回路100aの構成を示す回路図である。半導体デバイス駆動回路100aは集積回路の形態で提供されており、以下「集積回路100a」とも称す。
Claims (3)
- 第1電極と、第2電極と、前記第1電極および第2電極の間の導通を制御する制御電極とを備える半導体スイッチング素子における前記第1電極と前記第2電極との間の電圧を検知する検知回路と、
しきい値を出力するしきい値調整回路と、
前記しきい値と前記検知回路で検知された検知電圧とを比較する比較回路と、
入力信号に基づいて前記半導体スイッチング素子の駆動信号を生成すると共に、前記検知電圧が前記しきい値よりも低い値から増加して前記しきい値に達した場合に前記駆動信号を遮断に維持する駆動回路と、
を備え、
前記しきい値調整回路は、第1電圧と前記第1電圧よりも低い第2電圧との間で前記しきい値を切替可能であり、前記半導体スイッチング素子がオフ状態である場合に前記第1電圧を前記しきい値として出力し、前記半導体スイッチング素子がオンされて前記第1電極と前記第2電極との間の電圧が飽和電圧である場合に前記第2電圧を前記しきい値として出力する半導体デバイス駆動回路。 - 前記しきい値調整回路は、前記検知電圧が前記しきい値よりも高い状態から低下して前記しきい値に達した時点から予め定めた時間が経過したときに前記第1電圧から前記第2電圧へと前記しきい値を切り替える請求項1に記載の半導体デバイス駆動回路。
- 前記しきい値調整回路は、前記検知電圧が前記しきい値よりも低い値から増加して前記しきい値に達した時点から予め定めた時間が経過したときに前記第2電圧から前記第1電圧へと前記しきい値を切り替える請求項1または2に記載の半導体デバイス駆動回路。
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