JP6591288B2 - クラスdパワー増幅器に関する静電気放電の保護 - Google Patents
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Description
VPAD=VD+VSR+VCLAMP
VPAD〜(0.7+(20*0.05))+(20*0.05)+(6+(0.1*20)
VPAD〜10.7ボルト
[0022]ESDイベント(E1)に応じて、ノード310は、クランプ電圧を提供する供給クランプ202の活性化に関連された増加電圧を経験する。ノード310での電圧は、インバータ306に、トリガトランジスタ308をターンオンするトリガ信号314を出力させる。ターンオンしたトリガトランジスタ308は、NMOS出力トランジスタ216を活性化させ、それは、約(0.1オームの)抵抗値を有する、抵抗器220を通じて、ESDイベント(E1)をVSSへ放電するための導通経路312を提供する。
MOS伝導モード
[0023]典型的な実施形態では、NMOS出力トランジスタ216は、インタフェースパッド206でのパッド電圧を制限するため、かつVSSへの付加的な放電経路312を提供するためのBigFETとして履行される。BigFETは、IECとHBMとのESDイベントを放電するための十分な放電経路を提供するためのMOS伝導モードで作動する、大きなチャネル幅で形成されたNMOSトランジスタである。MOS伝導モードのより詳細な記述は、下記に提供される。
以下に、本願出願の当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
[C1]
インタフェースパッドに結合される出力トランジスタを有する増幅器と、
前記増幅器の第1及び第2の供給を横切って結合され、静電気放電(ESD)イベント中に前記第1及び第2の供給を横切ってクランプ電圧を供給するよう構成されたスナップバック供給クランプと、
前記出力トランジスタに結合されるトリガ回路と、前記トリガ回路は、前記クランプ電圧を検知し、前記クランプ電圧が検知された時、前記出力トランジスタが前記インタフェースパッドから前記第2の供給に放電経路を供給できるよう、構成される、
を具備する装置。
[C2]
前記増幅器は、クラスD電力増幅器を備える、C1の装置。
[C3]
前記出力トランジスタは、BigFETとして振る舞うよう構成される、C1の装置。
[C4]
前記スナップバック供給クランプは、前記増幅器と一体化される、C1の装置。
[C5]
前記トリガ回路は、前記増幅器と一体化される、C1の装置。
[C6]
前記トリガ回路は、前記クランプ電圧の検知に応答して前記出力トランジスタをターンオンするよう構成されるトリガトランジスタを備える、C1の装置。
[C7]
前記トリガ回路は、前記第1供給と第1ノードとの間で接続されるキャパシタと、前記第2供給と前記第1ノードとの間で接続される抵抗器と、を備え、前記キャパシタ及び抵抗器は、前記クランプ電圧に応答して前記第1ノードでの電圧を供給するよう構成される、C6の装置。
[C8]
前記トリガ回路は、前記第1ノードに接続されるインバータを備え、前記第1ノードで前記電圧に応答して、前記トリガトランジスタを有効にする反転出力を供給するよう構成される、インバータを備える、C7の装置。
[C9]
前記インタフェースパッドは、オフチップスピーカに音楽信号を出力するよう構成される、C1の装置。
[C10]
前記ESDイベントは、前記インタフェースパッドで発生する、C9の装置。
[C11]
前記ESDイベントは、8KVまでのコンタクトイベント、又は15KVまでの空中放電イベントを具備する、C9の装置。
[C12]
前記第1供給は、VDD供給として構成され、前記第2供給は、VSS供給として構成される、C1の装置。
[C13]
インタフェースパッドからの信号を出力する手段を含む増幅手段と、
静電気放電(ESD)イベント中にクランプ電圧を維持する手段と、前記クランプ電圧を維持する手段は、前記増幅する手段の第1及び第2の供給を横切って結合され、
前記クランプ電圧に応答して、前記インタフェースパッドから前記第2の供給に放電経路を供給させるための前記出力手段をトリガする手段と、
を具備する装置。
[C14]
前記増幅する手段は、クラスD電力増幅手段を備える、C13の装置。
[C15]
前記維持する手段は、前記出力する手段と一体化される、C13の装置。
[C16]
前記トリガする手段は、前記出力する手段と一体化される、C13の装置。
[C17]
前記出力する手段は、BigFETとして振る舞うよう構成される、C13の装置。
[C18]
前記トリガする手段は、
前記クランプ電圧を検知する手段と、
前記クランプ電圧を検知した時、出力する手段が前記放電経路を供給できるようにする手段と
を具備するC13の装置。
[C19]
前記第1の供給は、VDD供給として構成され、前記第2の供給はVSSとして構成され、前記ESDイベントは、前記インタフェースパッドで発生する、C13の装置。
[C20]
前記ESDイベントは、8KVまでのコンタクト、または15KVまでの空中イベントを備える、C13の装置。
Claims (8)
- インタフェースパッドに結合された出力において増幅された信号を出力するように構成された信号を出力する手段を含む増幅する手段と、
静電気放電(ESD)イベント中に前記増幅する手段の第1の電源及び第2の電源間のクランプ電圧を維持する手段と、前記クランプ電圧を前記維持する手段は、前記増幅する手段の前記第1の電源及び前記第2の電源間に結合され、
前記クランプ電圧に応答して、前記インタフェースパッドから前記第2の電源に放電経路を供給するための前記信号を出力する手段をトリガする手段と、
を具備する装置。 - 前記増幅する手段は、クラスD電力増幅のための手段を備える、請求項1の装置。
- 前記維持する手段は、前記信号を出力する手段と同一の回路内に構成される、請求項1の装置。
- 前記トリガする手段は、前記信号を出力する手段と同一の回路内に構成される、請求項1の装置。
- 前記信号を出力する手段は、BigFETで構成される、請求項1の装置。
- 前記トリガする手段は、
前記クランプ電圧を検知する手段と、
前記クランプ電圧を検知した時、前記信号を出力する手段が前記放電経路を供給できるようにする手段と
を具備する請求項1の装置。 - 前記第1の電源は、VDD電源として構成され、前記第2の電源はVSS電源として構成され、前記ESDイベントは、前記インタフェースパッドで発生する、請求項1の装置。
- 前記ESDイベントは、8KVまでのコンタクトイベント、または15KVまでの空中放電イベントである、請求項1の装置。
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