JP6588248B2 - 実装構造及びパッケージ - Google Patents

Description

本発明は、例えば、高周波用のハイブリッドＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ：集積回路、以下、ＨＩＣ）のように、高周波信号を入出力する電子部品の実装構造に関する。

例えば、信号用ピンによって高周波信号を入出力するＨＩＣを、筐体に搭載する場合、ＨＩＣを構成するパッケージの面精度によって僅かな凹凸が生じることがある。このため、信号用ピンの周辺において筐体とパッケージとの間にわずかに隙間ができ、高周波信号（ＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）信号とも呼ばれる。）が漏洩してしまうことがあった。

このような問題を解決するために、例えば、特許文献１には、ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）パッケージの上面に取り付け金具を被せ、取り付け金具のＩＣパッケージの端面から外れた四方の部分に配置した取り付けネジ等により、取り付け金具をハウジング筐体の実装面に締め付けることが開示されている。また、ＩＣパッケージの信号用ピンの周囲を突起部とし、ハウジング筐体の実装面の対応する位置に皿もみ加工された穴を備えることが開示されている。

また特許文献２には、ネジを、整流回路基板の半田面側から、整流回路基板に設けられた挿通孔およびブリッジダイオードに設けられた挿通孔に挿通させ、放熱板に設けられたネジ孔に螺合させることにより、ブリッジダイオードを放熱板にネジ止めすることが開示されている。

特開平１０−０１２７５８号公報 特開２００８−２７１７５６号公報

しかしながら特許文献１の実装構造では、ＩＣパッケージの端面から外れた四方の部分に配置した取り付けネジにより取り付け金具をハウジング筐体の実装面に締め付けるため、ＩＣパッケージの信号ピンと取り付けネジが離れており、取り付け面が平坦ではない場合は、信号端子の周辺においてはＩＣと筐体間の面圧が十分強くできないおそれがある。また特許文献２の実装構造では、ダイオードの信号ピンと挿通孔が離れており、信号端子の周辺においてはダイオードと放熱板間の面圧が十分強くできないおそれがある。

電子部品の信号端子の周囲を突起させず、筐体との取り付け面が平坦な場合には、搭載面の面精度によっては、信号端子の周辺において電子部品と筐体間の面圧が十分強くないと、ＲＦ信号の漏洩のおそれがある。取り付け面が平坦の場合に、信号端子周辺におけるＲＦ信号の漏えい量を抑えることができる実装構造は、特許文献１，２には開示されていない。

本発明は、筐体とパッケージとの取り付け面の面圧を高くすることができ、信号端子周辺におけるＲＦ信号の漏えい量を抑えることができる実装構造及びパッケージを提供することを目的とする。

本発明の実装構造は、高周波信号を入出力する信号端子の突出する面の前記信号端子の周辺にネジ止め用の加工部が設けられるパッケージと、前記加工部に対応して電子部品を実装する実装対象に設けられた貫通穴と、を有し、前記信号端子の周辺において前記パッケージを実装対象に接する面側からネジ止めする。

本発明のパッケージは、高周波信号を入出力する信号端子と、前記信号端子の突出する面の前記信号端子の周辺にネジ止め用の加工部が設けられる構造とを有している。

本発明によれば、信号端子周辺においてパッケージと筐体間の面圧を高くすることができ、信号端子の周辺におけるＲＦ信号の漏えい量を抑えることができる。

図１は、本発明の第１の実施形態のＨＩＣをＲＦ信号端子側から見た平面図である。 図２は、本発明の第１の実施形態のＨＩＣを筐体に実装した構成を示す断面図である。 図３は、図１のパッケージ部の変形例の構成を示す図である。 図４は、本発明の第２の実施形態の構成を示す図である。

次に本発明の実施形態について図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発明の第１の実施形態のＨＩＣをＲＦ信号端子側から見た平面図である。

ＨＩＣ１は、高周波信号を入力または出力する。ＨＩＣ１は、高周波信号を入力または出力するのであれば、ハイブリッドＩＣに限定されない。

ＨＩＣ１は、図１に示すように、入力側ＲＦ信号端子１１ａおよび出力側ＲＦ信号端子１１ｂと、パッケージ１２と、を備えている。

入力側ＲＦ信号端子１１ａおよび出力側ＲＦ信号端子１１ｂは、パッケージ１２に収容されている電子回路に電気的に接続されている。入力側ＲＦ信号端子１１ａは、外部で発生した高周波信号をパッケージ１２に収容されている電子回路に入力する。出力側ＲＦ信号端子１１ｂは、パッケージ１２に収容されている電子回路で発生する高周波信号を外部へ出力する。なお、以下の説明では、入力側ＲＦ信号端子１１ａおよび出力側ＲＦ信号端子１１ｂを入力側と出力側に分けて説明する必要がない場合には、入力側ＲＦ信号端子１１ａおよび出力側ＲＦ信号端子１１ｂを包括的にＲＦ信号端子１１として説明する。

パッケージ１２は、矩形状の板状に形成されている。パッケージ１２は、例えば、樹脂成型品などによって構成される。

また本実施形態のＨＩＣ１のパッケージ１２には、図１に示されるように、ＲＦ信号端子１１の周辺に、例えばＲＦ信号端子１１を挟んで２か所に貫通穴１３が設けられている。この貫通穴１３は、ＨＩＣ１を筐体２にネジ３によって実装する際に用いられる。

また、本実施形態のＨＩＣ１には、図１に示すように、パッケージ１２のＲＦ信号端子１１が突出しているＲＦ信号端子側の面において、ＲＦ信号端子１１の周辺部にネジ止め用の加工部１４、例えば、タップが設けられる。加工部１４とＲＦ信号端子１１の距離は、ＲＦ信号端子１１に対応して後述の筐体２に設けられる貫通穴２２の外側にネジ３が配置できるように設定される。また加工部１４は、例えばＲＦ信号端子１１を中心として貫通穴１３のある角度からずらした角度に設けられる。例えば、図１に示すように、貫通穴１３が２つで、２つの加工部１４を配置する場合には、貫通穴１３とは直角方向に設けられてよい。また、加工部１４は、ＲＦ信号端子１１の周囲に、貫通穴２２の周囲にネジ３が配置可能なように、また筐体２を十分圧接できるよう加工部１４からＲＦ信号端子１１までの距離は同じとしてよい。加工部１４は、パッケージ１２を貫通せず且つ、ネジ３の径以上の長さが望ましい。

図２は、本発明の第１の実施形態のＨＩＣを筐体に実装した構成を示す断面図である。

ＨＩＣ１のパッケージ１２に貫通穴１３が設けられ、筐体２には貫通穴１３に対応する位置にネジ止め用の加工部１４、例えば、タップが設けられ、ＲＦ信号端子１１の周辺においてＨＩＣ１を筐体２にネジ止めして実装する。それとともに、筐体２に接する裏面でかつＲＦ信号端子１１の周辺に、加工部１４が設けられ、加工部１４に対応して筐体２に貫通穴２１が設けられ、ＲＦ信号端子１１の周辺において筐体側からもＨＩＣ１を筐体２にネジ止めしている。

パッケージ部１２は、加工部１４の長さを確保するために、図２に示すように、ＨＩＣ１のパッケージ１２の全体の厚みを厚くした構造としてもよい。また、パッケージ１２は、部分的に厚くした構造としてもよい。

パッケージ部１２の筐体側の面と反対側の面には、個別部品１５が収容されている。

次にパッケージの変形例の構成について説明する。図３は、パッケージの変形例の構成を示す図である。図３に示すように、信号端子１１の周辺部においてパッケージ１６を厚くして加工部１４の長さを確保した構造とし、信号端子１１の周辺部以外においてはパッケージ１６の厚さを薄くしている変形例である。

また、信号端子１１の周辺部においてパッケージ１６に収容される個別部品１５を背の低い部品としてパッケージ１６の個別部品１５が収容される側の面を部分的に底上げした構造としてもよい。そして、信号端子１１の周辺部以外においてはパッケージ１６の個別部品１５が収容される側の面を部分的に下げ、個別部品１５の上面の高さが概略揃う程度に個別部品１５を背の高い電気部品としてもよい。そして信号端子１１の周辺部の底上げした箇所に加工部１４を設ける構造としてもよい。

以上、説明したように第１の実施形態によれば、ＨＩＣ１の高周波信号を入出力するＲＦ信号端子１１の突出する面が平坦で、この面のＲＦ信号端子１１の周辺にネジ止め用の加工部１４が設けられ、ＲＦ信号端子１１の周辺においてパッケージ１２を筐体２に接する裏面側から筐体２にネジ止めする。このような実装構造にすることでパッケージ１２と筐体２の間の面圧が高くなるため、ＲＦ信号端子１１の周辺と筐体２との密着が良好となり、ＲＦ信号端子１１の周辺と筐体２間の隙間が無くなる。これにより信号（電波）の漏えい量が抑圧されるなどＲＦ性能改善効果が期待できる。

次に第２の実施形態について説明する。図４は、本発明の第２の実施形態のＨＩＣをＲＦ信号端子側から見た平面図である。本実施形態のＨＩＣ４には、ＲＦ信号端子１１の周辺にネジ止め用の加工部１４、例えばタップのみが設けられ、貫通穴が設けられていない点で第１の実施形態と異なる。本実施形態のパッケージ１２の筐体に接する面の側からネジ止めするための加工部１４の本数は、図４に示すように、１つのＲＦ信号端子１１の周囲に例えば３本としてよい。左右の３つの加工部１４の配置は、図４に示すようにパッケージ１２の中心線に対して線対称に配置してもよい。なお、３つの加工部１４からＲＦ信号端子１１までの距離は同じとしてよい。第１の実施形態と同様に、加工部１４とＲＦ信号端子１１の距離は、ＲＦ信号端子１１に対応して筐体２に設けられる貫通穴２２の外側にネジ３が配置できるように設定される。また加工部１４は、例えばＲＦ信号端子１１を中心として貫通穴１３のある角度からずらした角度に設けられる。例えば、図１に示すように、貫通穴１３が２つで、２つの加工部１４を配置する場合には、貫通穴１３とは直角方向に設けられてよい。また、加工部１４は、ＲＦ信号端子１１の周囲に、貫通穴２２の周囲にネジ３が配置可能なように、また筐体２を十分圧接できるよう加工部１４からＲＦ信号端子１１までの距離は同じとしてよい。なお加工部１４の本数は３本以上としてもかまわない。

本実施形態によれば、ＲＦ信号端子１１の周辺近傍で３か所以上ネジ止めすることでパッケージ１２と筐体２の間の面圧が高くなるため、ＲＦ信号端子１１の周辺と筐体２との密着が良好となり、ＲＦ信号端子１１の周辺と筐体２間の隙間が無くなる。これにより信号（電波）の漏えい量が抑圧されるなどＲＦ性能改善効果が期待できる。

なおＨＩＣ１は、マイクロ波を使用した装置で使用される信号端子付きハイブリッドＩＣのみならず、他の高周波用途で使用される信号端子付きハイブリッドＩＣ全般へも応用可能である。

以上、実施形態を参照して本願発明を説明したが、本願発明は上記実施形態に限定されるものではない。本願発明の構成や詳細には、本願発明のスコープ内で当業者が理解し得る様々な変更をすることができる。

例えば、上記の実施形態において、ＲＦ信号端子１１の周辺部に設けられるネジ止め用の加工部１４がタップの例について説明したが、これに限られるものではない。ネジ止め用の加工部１４は、例えば、ネジ加工されていない孔や、溝としてもよい。この場合、タッピングネジを用いてＨＩＣ１を筐体２にネジ止めするようにしてもよい。またネジ止め用の加工部１４は、ネジ加工されたピンとしてもよい。この場合、ナットを用いてＨＩＣ１を筐体２にネジ止めするようにしてもよい。

本発明は、マイクロ波通信用及びその他の高周波信号を入出力する信号端子を有するハイブリッドＩＣ並びにそれを用いた装置に利用することが可能である。

１、４ ＨＩＣ
２ 筐体
３ ネジ
１１ ＲＦ信号端子
１２、１６ パッケージ
１３、２１ 貫通穴
１４ 加工部
１５ 個別部品

Claims (5)

1. 高周波信号を入出力する信号端子の突出する面の前記信号端子の周辺にネジ止め用の加工部が設けられるパッケージと、
   前記加工部に対応して電子部品を実装する実装対象に設けられた貫通穴と、
   を有し、
   前記信号端子の周辺において前記パッケージを前記実装対象に接する面側からネジ止めする実装構造であって、
   前記パッケージは、さらに貫通穴を有し、
   前記実装対象は、前記パッケージの貫通穴に対応するネジ止め用の加工部をさらに有し、
   前記信号端子の周辺において前記パッケージを前記パッケージ側から前記実装対象にネジ止めする、実装構造。
2. 高周波信号を入出力する信号端子の突出する面の前記信号端子の周辺にネジ止め用の加工部が設けられるパッケージと、
   前記加工部に対応して電子部品を実装する実装対象に設けられた貫通穴と、
   を有し、
   前記信号端子の周辺において前記パッケージを前記実装対象に接する面側からネジ止めする実装構造であって、
   前記信号端子の周辺に設けられた加工部は、タップであり、前記パッケージを貫通せず且つ、前記タップのネジ径以上の長さをもつ、実装構造。
3. 前記パッケージは、さらに貫通穴を有し、
   前記実装対象は、前記パッケージの貫通穴に対応するネジ止め用の加工部をさらに有し、
   前記信号端子の周辺において前記パッケージを前記パッケージ側から前記実装対象にネジ止めする、請求項２に記載の実装構造。
4. 前記パッケージは、前記信号端子の周辺において部分的に厚い構造をもつ
   請求項１から３のいずれかに記載の実装構造。
5. 高周波信号を入出力する信号端子と、
   前記信号端子の突出する面の前記信号端子の周辺にネジ止め用の加工部が設けられる構造と、
   を有するパッケージであって、
   前記信号端子の周辺に設けられた加工部は、タップであり、前記パッケージを貫通せず且つ、前記タップのネジ径以上の長さをもつ、パッケージ。

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