JP6579844B2 - 定着装置、及び、これを有する画像形成装置 - Google Patents
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Description
特許文献1に開示された加熱装置では、第1の禁止区間と、第1の禁止区間より広い第2の通電開始禁止区間とを設け、第1の禁止区間では2つのヒータとの通電開始禁止とし、第2の禁止区間では、一方は開始可能、他方は開始禁止とするテーブルを用いている。これにより通電量の急峻な立ち上がりを防ぐ、というものである。
画像形成装置1は、給紙カセット21、ピックアップローラ22、フィードローラ23、リタードローラ24、レジストローラ対25、二次転写ローラ26、排紙ローラ対34、排紙トレイ32を有する。画像形成装置1は、また、搬送ローラ対38、搬送ローラ60、制御回路部100、定着装置200を有する。
中間転写ユニットは、駆動ローラ27D、テンションローラ27Tを有し、これらローラ27D、27Tは無端ベルトである中間転写ベルト27Bを張架する。駆動ローラ27Dは、ベルト27Bを介して二次転写ローラ26と当接する。39Bk、39C、39M、39Yはそれぞれ一次転写ローラであり、不図示のバネによってベルト側に加圧されている。
次に、図2、図3を参照しながら定着装置200の機能構成の詳細について説明する。
図2は、定着装置200の機能構成を説明するための概略断面図である。図3は、定着装置200の長手方向全体の外観を示す図である。なお、本実施形態における長手方向とは、用紙Pの搬送方向に直交する方向を意味する。
定着装置200は、例えばベルト方式の加熱装置として構成される。このように構成された定着装置200は、加圧ローラ210、定着ベルト211、加熱体として機能するセラミックヒータ(以下、ヒータと称す)212、サーミスタ213を有する。
なお、ヒータ212は、長手方向に平行に並んだ2つのヒータを含んで構成されており、それぞれ第一ヒータ212A、第二ヒータ212Bとして個別に制御可能に構成されているものとして説明を進める。
例えば、第一ヒータ212Aでは、長手方向中央付近で単位供給電力に対して最大の発熱量となり、長手方向両端部に行くに従って単位供給電力に対する発熱量が下がる特性を有する。一方、第二ヒータ212Bでは、長手方向両端部で単位供給電力に対して最大の発熱量となり、長手方向中央付近に行くに従って単位供給電力に対する発熱量が下がる特性を有する。これら2つのヒータの発熱動作をコントロールすることにより、長手方向の温度ムラ発生を抑制する。
制御回路部100は、目標温度決定部103、差分算出部104、ヒータ要求通電率決定部105、第1の位相制御を行う第一位相制御部106、第2の位相制御を行う第二位相制御部107を有する。なお、制御回路部100は、CPU(Central Processing Unit)が記憶装置(例えば、図5に示す記憶部101)に記憶されたプログラムを読み込んで実行することにより、定着装置200の温度制御を行うように構成することができる。
以下、図6を用いて温度制御手順について説明する。
制御回路部100は、画像形成装置1の電源がONされたことを契機に、作像動作が開始されたか否かを判断する(S101)。作像動作が開始されたと判断した場合(S101:Yes)、制御回路部100は、外部ホスト装置150から通知される作像情報を受信する(S102)。また、そうでない場合(S101:No)、処理を終了する。
以下、第一及び第二位相制御部による位相制御の詳細について説明する。
図7は、交流波形に対する位相制御を説明するための図である。図7に示す2つのグラフでは、横軸は共通して角周波数ωと時間tの積を表しており、上側のグラフの縦軸は電圧を表しており、下側のグラフの縦軸は通電の状態を表している。
なお、位相制御とは一般的に、交流波形の1半波内の任意の位相角でヒータをオンすることにより、ヒータに電力を供給する電力制御方式であることが知られている。
また、図7に示すように、交流波形と電圧0[V]の横軸とが交差するポイントT0をゼロクロスポイント(振幅がゼロになる点)と称する。位相制御では、隣り合うゼロクロスポイントT0間の各半波W1、W2、W3、W4毎に通電開始位相角θ1、θ2、θ3、θ4を設定する。即ち、図7の上側のグラフにおいて、黒で塗りつぶされている期間が通電期間である。
ヒータ駆動回路108では、通電開始位相角θに至るまではスイッチがオフの状態であり通電せず、通電開始位相角θになるとスイッチをオンして通電を開始する。通電開始以降は、次のゼロクロスポイントT0までの間は通電を継続する。そして、ヒータ駆動回路108は、次のゼロクロスポイントT0に到達するとスイッチをオフして、その半波Wにおける通電を終了する。
なお、一般的に交流波形の上下対称性を保ちながら電気的なノイズの発生を防ぐためには、4半波の内隣り合う第1半波W1と第2半波W2、および、第3半波W3と第4半波W4は同じ通電開始位相角とすることが望ましい。
以下、位相制御において生じる高調波歪みについて詳細に説明する。
高調波歪みとは、信号に含まれる高調波成分に対する電気的な特性値であり、高調波歪みが大きい場合、電気素子の破損や機器の稼働停止につながる虞がある。そのため、一般的に高調波歪みを低減することが求められる。
なお、位相制御においては、例えば以下に示す2つの要因により高調波歪みが顕著に生じる。1つ目は、交流波形の振幅の高い位相角90[度]または270[度]前後で通電が開始される場合であり、通電開始時の大きな通電電圧の変化により高調波歪みが生じる。2つ目は、同じ位相角で複数のヒータの通電が開始される場合であり、定着装置全体の通電量の変化が大きくなるために高調波歪みが生じる。
以下、画像形成装置1が行う位相制御について図8から図11を用いて詳細に説明する。
図8は、制御回路部100による第一位相制御の処理手順の一例を示すフローチャートである。図9は、制御回路部100による第二位相制御の処理手順の一例を示すフローチャートである。第一位相制御は、主として第一位相制御部106を介して制御回路部100が行う。また、第二位相制御は、主として第二位相制御部107を介して制御回路部100が行う。
初めに、制御回路部100が第一位相制御部106を介して行う第一位相制御の処理手順について図8を用いて説明する。
制御回路部100は、ステップ106の処理において決定した第一ヒータ212Aの要求通電率Paと第二ヒータ212Bの要求通電率Pbとを第一位相制御部106に入力する(S201)。第一位相制御部106は、受け付けた要求通電率Pa、Pbに基づき、1半波内で要求通電率Paとなる第一ヒータ212Aの通電開始位相角θaと、要求通電率Pbとなる第二ヒータ212Bの通電開始位相角θbとを決定する(S202)。
以下、シフト処理におけるシフト位相角について説明する。
1つ目の制約は、シフト処理後の通電開始位相角θ´を0[度]から180[度]の所定範囲に含まれるように設定する。
2つ目の制約は、高調波歪みを低減するために位相角90[度]の前後、又は、位相角270[度]の前後の一定区間を禁止区間Xとして設定し、シフト処理後の通電開始位相角θ´が禁止区間Xの範囲内とならないように設定する。例えば、一定の禁止区間Xを90[度]±θxとした場合、シフト処理後の通電開始位相角θ´をこの禁止区間Xの範囲外に設定する。シフト位相角Dは、通電率に対応する通電開始位相角θの値に応じて、上記2つの制約を満たすシフト位相角範囲Dmin〜Dmaxに含まれるように設定する。これにより、通電開始時に大きな通電電圧の変化が生じてしまうことを防ぐことができる。
次に、複数のヒータを同じ位相角で通電開始させる場合に生じる高調波歪みを低減することについて説明する。
図11に示すように、第1半波W1と第2半波W2に施すシフト処理のシフト方向を第一及び第二ヒータそれぞれでプラスマイナス逆方向にする。同様に、第3半波W3と第4半波W4に施すシフト処理のシフト方向もプラスマイナス逆方向にする。このようにして、複数のヒータを同じ位相角で通電開始させる場合に生じる高調波歪みを低減する。
一方、第二ヒータ212Bでは、図11(b)に示すように要求通電率Pbを満たす通電開始位相角θbに対して、第1半波W1と第2半波W2では逆方向となるマイナス方向にシフト位相角Dbだけシフト処理を行う。そして、通電開始位相角θb´をθb−Dbの値に設定する。
一方、第二ヒータ212Bの第3半波W3と第4半波W4に対してはプラス方向にシフト処理を行い通電開始位相角θb´をθb+Dbの値に設定する。これにより、定着装置全体の通電量の変化が大きくなってしまうことを防ぐことができる。
次に、制御回路部100が第二位相制御部107を介して行う第二位相制御の処理手順について図9を用いて説明する。なお、制御回路部100は、第一位相制御が終了した後に第二位相制御を開始する。
制御回路部100は、ステップS203の処理において決定した第一ヒータ212Aのシフト位相角範囲Da_min〜Da_max、第二ヒータ212Bのシフト位相角範囲Db_min〜Db_maxそれぞれを第二位相制御部107に入力する(S301)。
また、そうでない場合(S305:No)、第一ヒータ212Aに対するシフト位相角としてシフト位相角範囲の最小値であるシフト位相角Da_minを選択し、第二ヒータ212Bに対するシフト位相角としてシフト位相角Db_maxを選択する(S307)。
このように要件2が満たされない場合、いずれか一つのヒータに対してはシフト位相角範囲における最大値のシフト位相角を用いて通電開始位相角を設定し、他のヒータに対してはシフト位相角範囲における最小値のシフト位相角を用いて通電開始位相角を設定する。
また、そうでない場合(S309:No)、第一ヒータ212Aに対するシフト位相角としてシフト位相角Da_maxを選択し、第二ヒータ212Bに対するシフト位相角としてシフト位相角範囲の最小値であるシフト位相角Db_minを選択する(S311)。
制御回路部100は、選択したシフト位相角を用いてシフト処理を行い、第一ヒータ212Aに対するシフト処理後の通電開始位相角θa´と、第二ヒータ212Bに対するシフト処理後の通電開始位相角θb´とを決定する(S313)。
Claims (8)
- 交流電流の位相角を制御して定着装置の温度制御を行う画像形成装置であって、
記録媒体を加熱する複数の加熱手段と、
前記加熱手段の温度を検出する検出手段と、
前記検出手段の検出結果に応じて前記複数の加熱手段それぞれに対する交流電流の通電率を決定する通電率決定手段と、
前記決定された通電率に基づいて、前記複数の加熱手段それぞれの通電開始位相角をシフトする際のシフト位相角が取り得る範囲をシフト位相角範囲として決定する第一の位相制御手段と、
前記第一の位相制御手段が決定したシフト位相角範囲に基づいて前記複数の加熱手段それぞれの通電開始位相角を決定する第二の位相制御手段と、を有し、
前記第二の位相制御手段は、前記第一の位相制御手段が決定したシフト位相角範囲における最大値のシフト位相角を用いて前記複数の加熱手段それぞれの通電開始位相角を決定することを特徴とする、
画像形成装置。 - 前記第一の位相制御手段は、前記決定された通電率に基づいて前記複数の加熱手段それぞれの通電開始位相角を決定し、決定した通電開始位相角が相互に重ならないシフト位相角の範囲をシフト位相角範囲として決定することを特徴とする、
請求項1に記載の画像形成装置。 - 前記第一の位相制御手段は、交流電流の1半波内において前記通電率決定手段が決定した通電率を満たす通電開始位相角に対して、1半波目と2半波目は同じ方向にシフト位相角分だけ通電開始位相角をシフトし、3半波目と4半波目は前記方向と逆方向にシフト位相角分だけ通電開始位相角をシフトし、これら4半波の平均通電率が当該通電率と同じ値になるシフト位相角を決定することを特徴とする、
請求項2に記載の画像形成装置。 - 前記第一の位相制御手段は、シフト処理後の通電開始位相角が所定範囲に含まれ、且つ、シフト処理後の通電開始位相角が禁止区間として設定された位相角90[度]の前後、又は、位相角270[度]の前後の一定区間を除く範囲に設定されるように前記シフト位相角を決定することを特徴とする、
請求項3に記載の画像形成装置。 - 前記第二の位相制御手段は、シフト処理後の前記複数の加熱手段それぞれの通電開始位相角の相対的な距離が、シフト処理前の前記複数の加熱手段それぞれの通電開始位相角の相対的な距離よりも離れている場合、前記第一の位相制御手段が決定したシフト位相角範囲における最大値のシフト位相角を用いて前記複数の加熱手段それぞれの通電開始位相角を決定することを特徴とする、
請求項1乃至4いずれか一項に記載の画像形成装置。 - 前記第二の位相制御手段は、シフト処理前の前記通電開始位相角が前記禁止区間に含まれており、前記第一の位相制御手段が決定したシフト位相角範囲における最大値のシフト位相角を用いたシフト処理後の前記複数の加熱手段それぞれの通電開始位相角の相対的な距離が一定値を超える場合、前記第一の位相制御手段が決定したシフト位相角範囲における最大値のシフト位相角を用いて前記複数の加熱手段それぞれの通電開始位相角を決定することを特徴とする、
請求項4又は請求項4を引用する請求項5に記載の画像形成装置。 - 前記第二の位相制御手段は、シフト処理前の前記通電開始位相角が前記禁止区間に含まれており、前記第一の位相制御手段が決定したシフト位相角範囲における最大値のシフト位相角を用いたシフト処理後の前記複数の加熱手段それぞれの通電開始位相角の相対的な距離が一定値以下である場合、いずれか一つの加熱手段に対してはシフト位相角範囲における最大値のシフト位相角を用いて通電開始位相角を決定し、他の加熱手段に対してはシフト位相角範囲における最小値のシフト位相角を用いて通電開始位相角を決定することを特徴とする、
請求項4又は請求項4を引用する請求項5に記載の画像形成装置。 - 交流電流の位相角を制御して温度制御を行う定着装置であって、
記録媒体を加熱する複数の加熱手段と、
前記加熱手段の温度を検出する検出手段と、
前記検出手段の検出結果に応じて前記複数の加熱手段それぞれに対する交流電流の通電率を決定する通電率決定手段と、
前記決定された通電率に基づいて、前記複数の加熱手段それぞれの通電開始位相角をシフトする際のシフト位相角が取り得る範囲をシフト位相角範囲として決定する第一の位相制御手段と、
前記第一の位相制御手段が決定したシフト位相角範囲に基づいて前記複数の加熱手段それぞれの通電開始位相角を決定する第二の位相制御手段と、を有し、
前記第二の位相制御手段は、前記第一の位相制御手段が決定したシフト位相角範囲における最大値のシフト位相角を用いて前記複数の加熱手段それぞれの通電開始位相角を決定することを特徴とする、
定着装置。
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