JP6577954B2 - 切り替えコンポーネントおよびメモリユニット - Google Patents
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Description
Claims (22)
- 直列に接続されたメモリセルと選択デバイスとを含むメモリユニットにおける前記選択デバイスとして用いられる切り替えコンポーネントであって、
第一の電極と、
前記第一の電極の上のセレクタ領域であって、交互する第一および第二の材料の積層を含み、前記第一および第二の材料のうちの一方は、0原子百分率より大きく、約50原子百分率までの範囲内の濃度で炭素またはゲルマニウムをドープされたシリコンを含み、前記第一および第二の材料のうちの他方は、シリコンで構成される、セレクタ領域と、
前記セレクタ領域の上の第二の電極と、
を含み、さらに、
前記第一および第二の電極間の印加電圧が閾値電圧に達すると、前記第一および第二の電極間に流れる電流がより大きな電流値へと上方にジャンプし、且つ、それと同時に前記印加電圧がより低い印加電圧へと下方にジャンプする、スナップバック電圧挙動を示すように構成される、切り替えコンポーネント。 - 前記セレクタ領域は、前記第一および第二の電極の各々に直接接触する炭素またはゲルマニウムをドープされたシリコンを含む前記材料を含む、請求項1に記載の切り替えコンポーネント。
- 前記セレクタ領域は、前記第一および第二の電極の各々に直接接触するシリコンで構成される前記材料を含む、請求項1に記載の切り替えコンポーネント。
- それぞれが直列に接続されたメモリセルと選択デバイスとを含む複数のメモリユニットを含むメモリアレイであって、前記複数のメモリユニットのそれぞれにおける前記選択デバイスとして、請求項1に記載の切り替えコンポーネントが用いられている、メモリアレイ。
- 前記第一および第二の材料のうちの前記一方は、炭素をドープされたシリコンを含む、請求項1に記載の切り替えコンポーネント。
- 前記第一および第二の材料のうちの前記一方は、ゲルマニウムをドープされたシリコンを含む、請求項1に記載の切り替えコンポーネント。
- 直列に結合されたメモリセルと選択デバイスとを含むメモリユニットにおける前記選択デバイスとして用いられる切り替えコンポーネントであって、
一対の電極間にセレクタ領域を含み、前記セレクタ領域は、0原子百分率より大きく約10原子百分率までの範囲内の総濃度で窒素をドープされたシリコンを含み、さらに、
前記一対の電極間の印加電圧が閾値電圧に達すると、前記一対の電極間に流れる電流がより大きな電流値へと上方にジャンプし、且つ、それと同時に前記印加電圧がより低い印加電圧へと下方にジャンプする、スナップバック電圧挙動を示すように構成される、切り替えコンポーネント。 - 前記一対の電極のうちの少なくとも一つは、窒素と組み合わせて、Ta、TiおよびWのうちの一つ以上を含む、請求項7に記載の切り替えコンポーネント。
- 前記一対の電極の双方は炭素を含む、請求項7に記載の切り替えコンポーネント。
- 前記一対の電極のうちの少なくとも一つは、炭素および窒素で構成される、請求項7に記載の切り替えコンポーネント。
- 前記セレクタ領域は、前記一対の電極の各電極に直接接触する単一の均質な材料である、請求項7に記載の切り替えコンポーネント。
- 前記セレクタ領域は、二つ以上の異なる材料を含む、請求項7に記載の切り替えコンポーネント。
- 前記セレクタ領域は、交互する第一および第二の材料の積層を含み、前記第一および第二の材料のうちの一方は、シリコンで構成され、前記第一および第二の材料のうちの他方は、0原子百分率より大きく約10原子百分率までの範囲内の濃度で窒素をドープされた前記シリコンである、請求項7に記載の切り替えコンポーネント。
- 前記セレクタ領域は、前記一対の電極の各々に直接接触する前記第一および第二の材料のうちの前記他方を含む、請求項13に記載の切り替えコンポーネント。
- 前記セレクタ領域は、前記一対の電極の各々に直接接触する前記第一および第二の材料のうちの前記一方を含む、請求項13に記載の切り替えコンポーネント。
- 前記積層は、第一の材料/第二の材料/第一の材料を含む、請求項13に記載の切り替えコンポーネント。
- 前記積層は、第一の材料/第二の材料/第一の材料/第二の材料/第一の材料を含む、請求項13に記載の切り替えコンポーネント。
- それぞれが直列に接続されたメモリセルと選択デバイスとを含む複数のメモリユニットを含むメモリアレイであって、前記複数のメモリユニットのそれぞれにおける前記選択デバイスとして、請求項7に記載の切り替えコンポーネントが用いられている、メモリアレイ。
- 直列に接続されたメモリセルと選択デバイスとを含むメモリユニットにおける前記選択デバイスとして用いられる切り替えコンポーネントであって、
第一の電極と、
前記第一の電極の上のセレクタ領域であって、交互する第一および第二の材料の積層を含み、前記第一および第二の材料のうちの一方は、0原子百分率より大きく、約50原子百分率までの範囲内の濃度で炭素またはゲルマニウムをドープされたシリコンを含み、前記第一および第二の材料のうちの他方は、シリコンで構成される、セレクタ領域と、
前記セレクタ領域の上の第二の電極と、
を含み、さらに、
前記切り替えコンポーネントは、
前記第一および第二の電極間の印加電圧に応じて、より大きな抵抗値を示す第一の電流対電圧特性と、より小さな抵抗値を示す第二の電流対電圧特性とを、選択的に有し得るように構成され、
前記第一の電流対電圧特性に沿って前記印加電圧が閾値電圧に達すると、前記第一および第二の電極間に流れる電流が、前記第一の電流対電圧特性上の電流値から、該電流値よりも大きな前記第二の電流対電圧特性上の電流値へジャンプし、且つ、それと同時に前記印加電圧が、前記閾値電圧よりも低い前記第二の電流対電圧特性上の電圧値へジャンプする、スナップバック電圧挙動を示すように構成される、切り替えコンポーネント。 - 直列に結合されたメモリセルと選択デバイスとを含むメモリユニットにおける前記選択デバイスとして用いられる切り替えコンポーネントであって、
一対の電極間にセレクタ領域を含み、前記セレクタ領域は、0原子百分率より大きく約10原子百分率までの範囲内の総濃度で窒素をドープされたシリコンを含み、さらに、
前記切り替えコンポーネントは、
前記一対の電極間の印加電圧に応じて、より大きな抵抗値を示す第一の電流対電圧特性と、より小さな抵抗値を示す第二の電流対電圧特性とを、選択的に有し得るように構成され、
前記第一の電流対電圧特性に沿って前記印加電圧が閾値電圧に達すると、前記一対の電極間に流れる電流が、前記第一の電流対電圧特性上の電流値から、該電流値よりも大きな前記第二の電流対電圧特性上の電流値へジャンプし、且つ、それと同時に前記印加電圧が、前記閾値電圧よりも低い前記第二の電流対電圧特性上の電圧値へジャンプする、スナップバック電圧挙動を示すように構成される、切り替えコンポーネント。 - 直列に接続されたメモリセルと選択デバイスとを含むメモリユニットにおける前記選択デバイスとして用いられる切り替えコンポーネントであって、
第一の電極と、
前記第一の電極の上のセレクタ領域であって、交互する第一および第二の材料の積層を含み、前記第一および第二の材料のうちの一方は、0原子百分率より大きく、約50原子百分率までの範囲内の濃度で炭素またはゲルマニウムをドープされたシリコンを含み、前記第一および第二の材料のうちの他方は、シリコンで構成される、セレクタ領域と、
前記セレクタ領域の上の第二の電極と、
を含み、さらに、
前記切り替えコンポーネントは、印加電圧に対して第一のI−V経路に沿った電流−電圧挙動を示すように構成されており、閾値電圧に到達すると、第一の遷移経路に沿って前記第一のI−V経路から第二のI−V経路へと遷移が起こって、電流値がより高い電流値へと上方にジャンプし且つそれと同時に前記印加電圧がより低い印加電圧へと下方にジャンプし、また、前記第一の遷移経路とは異なる第二の遷移経路に沿って前記第二のI−V経路から前記第一のI−V経路へと戻る遷移が起こる、切り替えコンポーネント。 - 直列に結合されたメモリセルと選択デバイスとを含むメモリユニットにおける前記選択デバイスとして用いられる切り替えコンポーネントであって、
一対の電極間にセレクタ領域を含み、前記セレクタ領域は、0原子百分率より大きく約10原子百分率までの範囲内の総濃度で窒素をドープされたシリコンを含み、さらに、
前記切り替えコンポーネントは、印加電圧に対して第一のI−V経路に沿った電流−電圧挙動を示すように構成されており、閾値電圧に到達すると、第一の遷移経路に沿って前記第一のI−V経路から第二のI−V経路へと遷移が起こって、電流値がより高い電流値へと上方にジャンプし且つそれと同時に前記印加電圧がより低い印加電圧へと下方にジャンプし、また、前記第一の遷移経路とは異なる第二の遷移経路に沿って前記第二のI−V経路から前記第一のI−V経路へと戻る遷移が起こる、切り替えコンポーネント。
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US20170084832A1 (en) * | 2014-05-21 | 2017-03-23 | The Trustees Of The University Of Pennsylvania | Non-volatile resistance switching devices |
US20160149129A1 (en) * | 2014-11-25 | 2016-05-26 | Intermolecular, Inc. | Using Metal Silicides as Electrodes for MSM Stack in Selector for Non-Volatile Memory Application |
US20160148976A1 (en) * | 2014-11-26 | 2016-05-26 | Intermolecular, Inc. | Simultaneous Carbon and Nitrogen Doping of Si in MSM Stack as a Selector Device for Non-Volatile Memory Application |
US20170062522A1 (en) * | 2015-08-27 | 2017-03-02 | Intermolecular, Inc. | Combining Materials in Different Components of Selector Elements of Integrated Circuits |
US10008665B1 (en) * | 2016-12-27 | 2018-06-26 | Intel Corporation | Doping of selector and storage materials of a memory cell |
US10396082B2 (en) * | 2017-07-05 | 2019-08-27 | Micron Technology, Inc. | Memory cells having a controlled-conductivity region |
WO2019055008A1 (en) * | 2017-09-14 | 2019-03-21 | Intel Corporation | SELECTOR DEVICES |
US11430948B2 (en) | 2017-09-28 | 2022-08-30 | Intel Corporation | Resistive random access memory device with switching multi-layer stack and methods of fabrication |
WO2019132995A1 (en) * | 2017-12-29 | 2019-07-04 | Intel Corporation | Selectors for memory devices |
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US7589343B2 (en) | 2002-12-13 | 2009-09-15 | Intel Corporation | Memory and access device and method therefor |
US7646630B2 (en) * | 2004-11-08 | 2010-01-12 | Ovonyx, Inc. | Programmable matrix array with chalcogenide material |
US7307268B2 (en) * | 2005-01-19 | 2007-12-11 | Sandisk Corporation | Structure and method for biasing phase change memory array for reliable writing |
FR2887684A1 (fr) * | 2005-06-28 | 2006-12-29 | Thomson Licensing Sa | Diode electroluminescente dont l'une des electrodes est multicouche en carbone amorphe |
US20080042119A1 (en) * | 2005-08-09 | 2008-02-21 | Ovonyx, Inc. | Multi-layered chalcogenide and related devices having enhanced operational characteristics |
US8753740B2 (en) * | 2009-12-07 | 2014-06-17 | Nanotek Instruments, Inc. | Submicron-scale graphitic fibrils, methods for producing same and compositions containing same |
US8385100B2 (en) * | 2009-12-08 | 2013-02-26 | Intel Corporation | Energy-efficient set write of phase change memory with switch |
JP5462027B2 (ja) * | 2010-02-22 | 2014-04-02 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
US8482958B2 (en) * | 2010-03-18 | 2013-07-09 | Panasonic Corporation | Current steering element, memory element, memory, and method of manufacturing current steering element |
JP5491941B2 (ja) * | 2010-04-21 | 2014-05-14 | 株式会社東芝 | 不揮発性記憶装置 |
JP2011249542A (ja) * | 2010-05-26 | 2011-12-08 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
US8467239B2 (en) * | 2010-12-02 | 2013-06-18 | Intel Corporation | Reversible low-energy data storage in phase change memory |
US9196753B2 (en) * | 2011-04-19 | 2015-11-24 | Micron Technology, Inc. | Select devices including a semiconductive stack having a semiconductive material |
US9543507B2 (en) * | 2012-04-12 | 2017-01-10 | Intel Corporation | Selector for low voltage embedded memory |
JP5783961B2 (ja) * | 2012-07-09 | 2015-09-24 | 株式会社東芝 | 不揮発性記憶装置 |
US9246100B2 (en) * | 2013-07-24 | 2016-01-26 | Micron Technology, Inc. | Memory cell array structures and methods of forming the same |
US20150070965A1 (en) * | 2013-09-12 | 2015-03-12 | Sandisk 3D Llc | FET LOW CURRENT 3D ReRAM NON-VOLATILE STORAGE |
US8975610B1 (en) * | 2013-12-23 | 2015-03-10 | Intermolecular, Inc. | Silicon based selector element |
US8981327B1 (en) * | 2013-12-23 | 2015-03-17 | Intermolecular, Inc. | Carbon-doped silicon based selector element |
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