JP6563776B2 - 共振器、バンドパスフィルタおよび通信装置 - Google Patents
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Description
本発明は、小型で電気特性が優れた共振器と、それを用いた、バンドパスフィルタおよび通信装置と、に関するものである。
小型で電気特性が優れた共振器として、互いに直交する縮退していない2つの共振モードで共振するデュアルモード共振器が知られている(例えば、特許文献1を参照。)。このようなデュアルモード共振器は、1つの平板状導体が2つの共振モードで共振するため、小型で電気特性が優れた共振器を実現できる。
しかしながら、特許文献1にて提案されたような従来の共振器は、2つの共振モードしか有さないため、広帯域のフィルタを作製する場合には、複数の共振器を用意して互いに結合させる必要があり、大型化してしまうという問題があった。
本発明はこのような従来の技術における問題点に鑑みて案出されたものであり、その目的は、小型で電気特性が優れた共振器と、それを用いた、バンドパスフィルタおよび通信装置と、を提供することにある。
本発明の共振器は、第1主面と、該第1主面の反対側の第2主面と、前記第1主面および前記第2主面を接続する1つ以上の側面と、を有する誘電体基板と、該誘電体基板の前記第1主面に設けられた第1導体で構成されており、互いに直交する縮退していない第1共振モードおよび第2共振モードを有するデュアルモード共振器と、前記第2主面および前記側面に接するとともに、前記第1主面と間隔を開けて、前記誘電体基板を取り囲み、共振空洞を形成するシールド導体と、間隔を開けて前記第1導体を取り囲むように前記誘電体基板の前記第1主面に設けられており、周縁が前記シールド導体に接続された第2導体と、を有しており、前記共振空洞の内部に生じるTM010モードである第3共振モードと、前記第1共振モードと、前記第2共振モードと、の3つのモードで共振することを特徴とする。
本発明のバンドパスフィルタは、前記共振器と、前記第1共振モードおよび前記第2共振モードに結合する第1結合電極と、前記第1共振モードおよび前記第2共振モードに結合する第2結合電極と、前記第3共振モードに結合する第3結合電極と、前記第3共振モードに結合する第4結合電極と、前記第1結合電極および前記第3結合電極に接続された第1端子と、前記第2結合電極および前記第4結合電極に接続された第2端子と、を有しており、前記第1共振モードと、前記第2共振モードと、前記第3共振モードと、を用いて通過帯域を形成することを特徴とする。
本発明の通信装置は、通信回路と、アンテナと、前記通信回路および前記アンテナに接続された前記バンドパスフィルタと、を有していることを特徴とする。
本発明の共振器によれば、小型で電気特性が優れた共振器を得ることができる。本発明のバンドパスフィルタによれば、小型で電気特性が優れたバンドパスフィルタを得ることができる。本発明の通信装置によれば、小型で高性能な通信装置を得ることができる。
以下、本発明の共振器と、それを用いた、バンドパスフィルタおよび通信装置と、を添付の図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、図面においては、互いに直交するx軸、y軸およびz軸によって方向を示している。
(第1実施形態)
図1は、本発明の第1実施形態の共振器を模式的に示す斜視図である。図2は、図1のA−A線断面図である。なお、図1では、シールド導体23を透視した状態を示している。本実施形態の共振器は、図1および図2に示すように、誘電体基板10と、デュアルモード共振器30と、第2導体22と、シールド導体23と、を有している。
図1は、本発明の第1実施形態の共振器を模式的に示す斜視図である。図2は、図1のA−A線断面図である。なお、図1では、シールド導体23を透視した状態を示している。本実施形態の共振器は、図1および図2に示すように、誘電体基板10と、デュアルモード共振器30と、第2導体22と、シールド導体23と、を有している。
誘電体基板10は、正方形の板状の形状を有しており、+z方向側に位置する第1主面11と、−z方向側に位置する第2主面12と、4つの側面13とを有している。誘電体基板10の材質としては、誘電体セラミックス等の既知の誘電体材料を用いることができ、場合によってはエポキシ樹脂等の樹脂を用いることもできる。但し、小型化するためには誘電率が高いことが望ましいため、例えば、BaTiO3、Pb4Fe2Nb2O12、TiO2等を含有する誘電体セラミック材料を好適に用いることができる。なお、誘電体基板10の平面形状(誘電体基板10の厚さ方向(z軸方向)から平面視したときの形状)は、他の多角形状や、円形状、楕円形状など、他の形状であっても構わない。誘電体基板10の寸法は、所望する電気特性に応じて適宜設定する。
デュアルモード共振器30は、誘電体基板10の第1主面11の中央に配置された第1導体21で構成されており、第1共振モードおよび第2共振モードで共振する。第1共振
モードおよび第2共振モードは、互いに直交するモードであり、縮退していない。例えば、第1共振モードは、x軸方向の電界を有するモードであり、第2共振モードは、y軸方向の電界を有するモードである。第1導体21は、円板状の形状を有しており、−x方向に突出した微小な突起21aと、+x方向に突出した微小な突起21bとを有している。そして、突起21aおよび突起21bによって、第1共振モードおよび第2共振モードの縮退が解かれている。突起21aおよび突起21bの形状寸法は、第1共振モードの共振周波数と第2共振モードの共振周波数とを、どの程度異ならせるかに応じて適宜設定する。なお、突起の代わりに切り欠きを形成することによって縮退を解いても良く、第1導体21のx軸方向の寸法とy軸方向の寸法とを異ならせることによって縮退を解いても良く、他の方法によって縮退を解いても構わない。また、第1導体21の平面形状は、円形状や楕円形状に限定されるものではなく、正方形状や長方形状など他の形状であっても構わない。第1導体21の寸法は、第1共振モードおよび第2共振モードの共振周波数に応じて適宜設定する。
モードおよび第2共振モードは、互いに直交するモードであり、縮退していない。例えば、第1共振モードは、x軸方向の電界を有するモードであり、第2共振モードは、y軸方向の電界を有するモードである。第1導体21は、円板状の形状を有しており、−x方向に突出した微小な突起21aと、+x方向に突出した微小な突起21bとを有している。そして、突起21aおよび突起21bによって、第1共振モードおよび第2共振モードの縮退が解かれている。突起21aおよび突起21bの形状寸法は、第1共振モードの共振周波数と第2共振モードの共振周波数とを、どの程度異ならせるかに応じて適宜設定する。なお、突起の代わりに切り欠きを形成することによって縮退を解いても良く、第1導体21のx軸方向の寸法とy軸方向の寸法とを異ならせることによって縮退を解いても良く、他の方法によって縮退を解いても構わない。また、第1導体21の平面形状は、円形状や楕円形状に限定されるものではなく、正方形状や長方形状など他の形状であっても構わない。第1導体21の寸法は、第1共振モードおよび第2共振モードの共振周波数に応じて適宜設定する。
シールド導体23は、直方体の箱状の形状を有しており、シールド導体23で囲まれた共振空洞41を形成している。シールド導体23は、誘電体基板10を取り囲んでおり、共振空洞41内に誘電体基板10を収容している。シールド導体23は、誘電体基板10の第2主面12および4つの側面13に接しており、第1主面11との間には間隔を有している。すなわち、誘電体基板10の第1主面11と、誘電体基板10の第1主面11に面する(対向する)シールド導体23の内面と、の間には空間がある。なお、シールド導体23は、第1導体21および第2導体22との間にも間隔を有している。誘電体基板10の第1主面11とシールド導体23との間の空間は、誘電体基板10を構成する材料よりも誘電率が小さければ良く、空気等の気体や液体で満たされていても良く、真空であっても構わない。シールド導体23は、基準電位(グランド電位またはアース電位という)に接続される。なお、シールド導体23の形状は、直方体状に限定されるものではなく、例えば、円柱状や球体状など他の形状であっても構わない。
第2導体22は、薄板状の形状を有しており、外縁および内縁の形状が正方形である枠状の平面形状(第2導体22の厚さ方向(z軸方向)から平面視したときの形状)を有している。第2導体22は、誘電体基板10の第1主面11の周縁部に設けられており、間隔を開けて第1導体21を取り囲むように設けられている。第2導体22の外縁はシールド導体23に接続されている。このような第2導体22により、TM010モードの電界を誘電体基板10の内部にある程度閉じこめることができ、TM010モードの共振周波数を大幅に低下させることが出来る。なお、シールド導体23の平面形状は、矩形の枠状(環状)に限定されるものではなく、円環状など他の形状であっても構わない。第2導体22の面積の増加に従ってTM010モードの共振周波数が低下するため、第2導体22の寸法は、TM010モードの共振周波数などに応じて適宜設定する。
なお、第1導体21、第2導体22およびシールド導体23は、金属や非金属導電性材料のような既知の種々の導電性材料を用いて形成することができる。共振器の電気特性を向上させるためには、導電率の高い材料を用いることが望ましく、例えば、Ag、Ag−Pd、Ag−Pt等のAg合金を主成分とする導電材料や、Cu系、W系、Mo系、Pd系導電材料等を用いることが望ましい。第2導体22とシールド導体23とは電気的に導通している。第2導体22とシールド導体23とは、半田や導電性接着剤などの種々の既知の導電性接合部材を介して接続しても構わない。
このように、本実施形態の共振器は、誘電体基板10と、デュアルモード共振器30と、第2導体22と、シールド導体23とを有している。誘電体基板10は、第1主面11と、第1主面11の反対側の第2主面12と、第1主面11および第2主面12を接続する1つ以上の側面13と、を有している。デュアルモード共振器30は、誘電体基板10
の第1主面11に設けられた第1導体21で構成されており、互いに直交する縮退していない第1共振モードおよび第2共振モードを有している。シールド導体23は、第2主面12および側面13に接するとともに、第1主面11と間隔を開けて、誘電体基板10を取り囲み、共振空洞41を形成する。第2導体22は、間隔を開けて第1導体21を取り囲むように誘電体基板10の第1主面11に設けられており、周縁がシールド導体23に接続されている。このような構成を有する本実施形態の共振器は、小型で単純な構造であるにも関わらず、第1共振モードと、第2共振モードと、共振空洞41の内部に生じるTM010モードである第3共振モードと、の3つのモードで共振する。すなわち、本実施形態の共振器は、小型で電気特性が優れた共振器である。
の第1主面11に設けられた第1導体21で構成されており、互いに直交する縮退していない第1共振モードおよび第2共振モードを有している。シールド導体23は、第2主面12および側面13に接するとともに、第1主面11と間隔を開けて、誘電体基板10を取り囲み、共振空洞41を形成する。第2導体22は、間隔を開けて第1導体21を取り囲むように誘電体基板10の第1主面11に設けられており、周縁がシールド導体23に接続されている。このような構成を有する本実施形態の共振器は、小型で単純な構造であるにも関わらず、第1共振モードと、第2共振モードと、共振空洞41の内部に生じるTM010モードである第3共振モードと、の3つのモードで共振する。すなわち、本実施形態の共振器は、小型で電気特性が優れた共振器である。
また、本実施形態の共振器は、第2導体22を有していることから、第3共振モードの電界を、誘電体基板10の内部にある程度閉じこめることが出来る。これにより、第3共振モードの共振周波数を低下させて、第1共振モードおよび第2共振モードの共振周波数に近づけることができる。よって、第1共振モード、第2共振モードおよび第3共振モードの3つの共振を用いて通過帯域を構成する、広帯域なバンドパスフィルタを、本実施形態の共振器を1つ用いることによって構成することができる。
また、本実施形態の共振器は、+z方向側から平面視したときに、第1導体21の形状が円形状(微小な突起21aおよび突起21bが円形に付加された形状)であり、第2導体22の内側の形状が矩形状である。これにより、第2導体22の四隅の部分の形状寸法を変化させることにより、第1導体21と第2導体22とが接近している部分の間隔を変えることなく第2導体22の面積を変化させることができるので、第1共振モードおよび第2共振モードに殆ど影響を与えることなく、第3共振モードの共振周波数を変化させることができる。これにより、設計の容易な共振器を得ることが出来る。
(第2実施形態)
図3は、本発明の第2実施形態の共振器を模式的に示す斜視図である。なお、図3では、シールド導体23を透視した状態を示している。また、本実施形態においては、上述した第1実施形態と異なる部分について説明し、同様の構成要素には同様の符号を付して重複する説明を省略する。
図3は、本発明の第2実施形態の共振器を模式的に示す斜視図である。なお、図3では、シールド導体23を透視した状態を示している。また、本実施形態においては、上述した第1実施形態と異なる部分について説明し、同様の構成要素には同様の符号を付して重複する説明を省略する。
本実施形態の共振器は、図3に示すように、第1導体21の平面形状(第1導体21の厚さ方向(z軸方向)から平面視したときの形状)が、正方形状(突起21aおよび突起21bが正方形に付加された形状)である。それ以外の構成は、第1実施形態の共振器と同じである。このような構成を有する本実施形態の共振器も、第1実施形態の共振器と同様に機能する。
(第3実施形態)
図4は、発明の第3実施形態の共振器を模式的に示す斜視図である。図5は、図4のB−B線断面図である。なお、図4では、第2シールド導体23bを透視した状態を示している。また、本実施形態においては、前述した第1実施形態と異なる部分について説明し、同様の構成要素には同様の符号を付して重複する説明を省略する。本実施形態の共振器では、シールド導体23が、第1シールド導体23aおよび第2シールド導体23bによって構成されている。
図4は、発明の第3実施形態の共振器を模式的に示す斜視図である。図5は、図4のB−B線断面図である。なお、図4では、第2シールド導体23bを透視した状態を示している。また、本実施形態においては、前述した第1実施形態と異なる部分について説明し、同様の構成要素には同様の符号を付して重複する説明を省略する。本実施形態の共振器では、シールド導体23が、第1シールド導体23aおよび第2シールド導体23bによって構成されている。
第1シールド導体23aは、誘電体基板10の第2主面12および側面13に設けられて、誘電体基板10の第2主面12および側面13の全体を覆っており、誘電体基板10の第2主面12および側面13に接している。
第2シールド導体23bは、直方体の箱状の形状を有しており、第2シールド導体23
bに囲まれた空間である共振空洞41を形成している。誘電体基板10、第1導体21、第2導体22および第1シールド導体23aは、第2シールド導体23bの内側に配置されており、共振空洞41内に収容されている。すなわち、第2シールド導体23bは、第1導体21、第2導体22および第1シールド導体23aを取り囲んでいる。
bに囲まれた空間である共振空洞41を形成している。誘電体基板10、第1導体21、第2導体22および第1シールド導体23aは、第2シールド導体23bの内側に配置されており、共振空洞41内に収容されている。すなわち、第2シールド導体23bは、第1導体21、第2導体22および第1シールド導体23aを取り囲んでいる。
また、第1シールド導体23aにおける誘電体基板10の第2主面12に配置された部分の、第2主面12と反対側の表面(−z方向の表面)は、図示せぬ導電性接合部材を介して第2シールド導体23bに接続されている。誘電体基板10の第1主面11、第1導体21および第2導体22は、第2シールド導体23bとの間に間隔を有している。
このように、本実施形態の共振器では、シールド導体23は、誘電体基板10の第2主面12および側面13に接するように設けられた第1シールド導体23aと、第1シールド導体23aに接続されており、第1主面11と間隔を開けて誘電体基板10を取り囲んで共振空洞41を形成する第2シールド導体23bと、を有している。よって、例えば、誘電体基板10の第2主面12および側面13に導電性ペーストを塗布して硬化(焼結)させることによって第1シールド導体23aを構成し、金属製の箱によって第2シールド導体23bを構成することができるので、共振器を容易に製造することができる。
(第4実施形態)
図6は、本発明の第4実施形態のバンドパスフィルタを模式的に示す斜視図であり、シールド導体23を透視した状態を示している。図7は、図6のC−C線断面図である。図8は、図6のD−D線断面図である。図9は、本発明の第4実施形態のバンドパスフィルタを模式的に示す平面図であり、−z方向側から見た状態を示している。
図6は、本発明の第4実施形態のバンドパスフィルタを模式的に示す斜視図であり、シールド導体23を透視した状態を示している。図7は、図6のC−C線断面図である。図8は、図6のD−D線断面図である。図9は、本発明の第4実施形態のバンドパスフィルタを模式的に示す平面図であり、−z方向側から見た状態を示している。
なお、本実施形態においては、上述した第1実施形態と異なる部分について説明し、同様の構成要素には同様の符号を付して重複する説明を省略する。本実施形態のバンドパスフィルタは、共振器1と、第1結合電極51と、第2結合電極52と、第3結合電極53と、第4結合電極54と、第1端子61と、第2端子62と、を有している。共振器1は、前述した第1実施形態の共振器と同じ構成を有している。
第1結合電極51および第2結合電極52の各々は、平板状の導体で構成されており、誘電体基板10の第1主面11に設けられている。第1結合電極51は、第1導体21と第2導体22との間に、第1導体21および第2導体22の両方と間隔を開けて設けられている。第2結合電極52は、第1導体21と第2導体22との間に、第1導体21、第2導体22および第1結合電極51と間隔を開けて設けられている。第1結合電極51と第1導体21との間隔と、第2結合電極52と第1導体21との間隔とは、等しくされている。
第1結合電極51は、z軸方向から平面視したときに、第1結合電極51の中央部と第1導体21の中央部とを結ぶ直線が、第1共振モードの電界および第2共振モードの電界と45°の角度を成す位置に設けられており、第1共振モード及び第2共振モードと結合する。
第2結合電極52は、z軸方向から平面視したときに、第2結合電極52の中央部と第1導体21の中央部とを結ぶ直線が、第1共振モードの電界および第2共振モードの電界と45°の角度を成す位置に設けられており、第1共振モードおよび第2共振モードと結合する。
なお、第1結合電極51および第2結合電極52の平面形状は、何ら限定されるものではなく、種々の形状であっても構わない。第1結合電極51および第2結合電極52の寸
法や、第1結合電極51および第2結合電極52と第1導体21との間隔は、所望する電気特性に応じて適宜設定する。
法や、第1結合電極51および第2結合電極52と第1導体21との間隔は、所望する電気特性に応じて適宜設定する。
第1端子61および第2端子62の各々は、平板状の導体で構成されており、誘電体基板10の第2主面12に設けられている。第1端子61の周囲および第2端子62の周囲は、シールド導体23の非存在領域とされており、第1端子61および第2端子62は、シールド導体23と間隔を開けて配置されている。なお、第1端子61と第2端子62との間にもシールド導体23が設けられている。第1端子61および第2端子62は、外部に露出しており、第1端子61および第2端子62を介して電気信号が入出力される。
第3結合電極53は、第1結合電極51から−z方向へ伸びる柱状の導体で構成されており、第3共振モードに結合する。第3結合電極53は、誘電体基板10を貫通して設けられており、一方端が第1結合電極51に接続されおり、他方端が第1端子61に接続されている。これにより、第3結合電極53は、第1結合電極51と第1端子61とを導通させる機能も有している。
第4結合電極54は、第2結合電極52から−z方向へ伸びる柱状の導体で構成されており、第3共振モードに結合する。第4結合電極54は、誘電体基板10を貫通して設けられており、一方端が第2結合電極52に接続されており、他方端が第2端子62に接続されている。これにより、第4結合電極54は、第2結合電極52と第2端子62とを導通させる機能も有している。
なお、第3結合電極53および第4結合電極54は、誘電体基板10の第1主面11から第2主面12へ向かう方向(z軸方向に対して傾いた方向を含む方向)に伸びる部分を有していればよく、それによって第3共振モードに結合する。第3結合電極53および第4結合電極54は、誘電体基板10の厚み方向に貫通しなくても良く、途中で曲がっていても構わない。
このような構成を有する本実施形態のバンドパスフィルタは、例えば、第1端子61に電気信号が入力されると、第3結合電極53および第1結合電極51を介して、第1共振モード、第2共振モードおよび第3共振モードの3つの共振モードが励振され、第2結合電極52および第4結合電極54を介して、第2端子62から電気信号が出力される。このとき、第1共振モードの共振周波数、第2共振モードの共振周波数および第3共振モードの共振周波数を含む周波数範囲の電気信号が選択的に通過し、バンドパスフィルタとして機能する。
このように、本実施形態のバンドパスフィルタは、前述した第1実施形態の共振器である共振器1と、第1共振モードおよび第2共振モードに結合する第1結合電極51と、第1共振モードおよび第2共振モードに結合する第2結合電極52と、第3共振モードに結合する第3結合電極53と、第3共振モードに結合する第4結合電極54と、第1結合電極51および第3結合電極53に接続された第1端子61と、第2結合電極52および第4結合電極54に接続された第2端子62と、を有しており、第1共振モードと、第2共振モードと、第3共振モードと、を用いて通過帯域を形成する。よって、本実施形態のバンドパスフィルタは、小型で単純な構造であるにも関わらず、通過帯域を広くすることが出来き、広い周波数範囲の電気信号を通過させることができる。すなわち、本実施形態のバンドパスフィルタは、小型で電気特性が優れたバンドパスフィルタを実現できる。
また、第1結合電極51は、第1導体21および第2導体22の両方と間隔を開けて、誘電体基板10の第1主面11における第1導体21と第2導体22との間に設けられている。第2結合電極52は、第1導体21、第2導体22および第1結合電極51と間隔
を開けて、誘電体基板10の第1主面11における第1導体21と第2導体22との間に設けられている。第3結合電極53は、一方端が第1結合電極51に接続され、他方端が第1端子61に接続されており、誘電体基板10の第1主面11から第2主面12へ向けて伸びた部分を有している。第4結合電極54は、一方端が第2結合電極52に接続され、他方端が第2端子62に接続されており、誘電体基板10の第1主面11から第2主面12へ向けて伸びた部分を有している。このような構成により、第1共振モード、第2共振モードおよび第3共振モードを単純な構造で励振して利用することができるので、構造が単純で設計および製造が容易なバンドパスフィルタを得ることが出来る。
を開けて、誘電体基板10の第1主面11における第1導体21と第2導体22との間に設けられている。第3結合電極53は、一方端が第1結合電極51に接続され、他方端が第1端子61に接続されており、誘電体基板10の第1主面11から第2主面12へ向けて伸びた部分を有している。第4結合電極54は、一方端が第2結合電極52に接続され、他方端が第2端子62に接続されており、誘電体基板10の第1主面11から第2主面12へ向けて伸びた部分を有している。このような構成により、第1共振モード、第2共振モードおよび第3共振モードを単純な構造で励振して利用することができるので、構造が単純で設計および製造が容易なバンドパスフィルタを得ることが出来る。
(第5実施形態)
図10は、本発明の第5実施形態のバンドパスフィルタを模式的に示す斜視図であり、第2シールド導体23bを透視した状態を示している。図11は、図10のE−E線断面図である。図12は、図10のF−F線断面図である。図13は、本発明の第4実施形態のバンドパスフィルタを模式的に示す平面図であり、−z方向側から見た状態を示している。なお、本実施形態においては、上述した第4実施形態と異なる部分について説明し、同用の構成要素には同一の符号を付して重複する説明を省略する。
図10は、本発明の第5実施形態のバンドパスフィルタを模式的に示す斜視図であり、第2シールド導体23bを透視した状態を示している。図11は、図10のE−E線断面図である。図12は、図10のF−F線断面図である。図13は、本発明の第4実施形態のバンドパスフィルタを模式的に示す平面図であり、−z方向側から見た状態を示している。なお、本実施形態においては、上述した第4実施形態と異なる部分について説明し、同用の構成要素には同一の符号を付して重複する説明を省略する。
本実施形態では、図10〜図13に示すように、共振器として、図1および図2に示した第1実施形態の共振器に代えて、図4および図5に示した第3実施形態の共振器を用いている。すなわち、シールド導体23が、第1シールド導体23aおよび第2シールド導体23bによって構成されている。
また、本実施形態では、第2シールド導体23bは、貫通孔24および貫通孔25を有している。そして、貫通孔24を介して第1端子61が外部に露出しており、貫通孔25を介して第2端子62が外部に露出している。また、第1結合電極51および第2結合電極52は、正方形状ではなく、5角形状の平面形状を有している。
このような構成を有する本実施形態のバンドパスフィルタも、前述した第4実施形態のバンドパスフィルタと同様に機能する。また、本実施形態のバンドパスフィルタは、第4実施形態のバンドパスフィルタと比較して、容易に製造することができる。
(第6実施形態)
図14は、本発明の第6実施形態の通信装置を模式的に示すブロック図である。本実施形態の通信装置は、通信回路81と、アンテナ82と、通信回路81およびアンテナ82に接続されたバンドパスフィルタ80とを有している。バンドパスフィルタ80は、前述した第4実施形態のバンドパスフィルタである。通信回路81およびアンテナ82は、既知の従来のものである。
図14は、本発明の第6実施形態の通信装置を模式的に示すブロック図である。本実施形態の通信装置は、通信回路81と、アンテナ82と、通信回路81およびアンテナ82に接続されたバンドパスフィルタ80とを有している。バンドパスフィルタ80は、前述した第4実施形態のバンドパスフィルタである。通信回路81およびアンテナ82は、既知の従来のものである。
このような構成を有する本実施形態の通信装置は、小型で電気特性が優れた第4実施形態のバンドパスフィルタを用いて不要な電気信号を除去することから、小型で電気特性が優れた通信装置を実現することが出来る。なお、本実施形態では、バンドパスフィルタ80が第4実施形態のバンドパスフィルタである場合を示したが、第5実施形態のバンドパスフィルタでも良く、他の形態のバンドパスフィルタであっても構わない。
(第1実施例)
初めに、図1、図2に示した第1実施形態の共振器の電気特性をシミュレーションにより算出した。このシミュレーションにおいて、共振空洞41(シールド導体23の内側の空間)は、x軸方向およびy軸方向の長さが10mmで、z軸方向の長さが4mmの直方体状とした。誘電体基板10は、x軸方向およびy軸方向の長さが10mmで、z軸方向
の長さが2mmの直方体状とした。そして、第2主面12および4つの側面13がシールド導体23に接触するように、共振空洞41の内部に誘電体基板10を配置した。すなわち共振空洞41の−z方向側の半分を誘電体基板10が占め、共振空洞41の+z方向側の半分は空気が占めるようにした。第1導体21は、直径が4mmで厚さが0.1mmの円盤に突起21aおよび突起21bが付加された形状とした。第2導体22の厚さは0.1mmとし、第2導体22の内縁は、1辺の長さが8.1mmの正方形状とした。第1導体21、第2導体22およびシールド導体23の導電率は、4.2×106S/mとし、誘電体基板10の比誘電率は40とし、誘電体基板10の誘電正接は7.5×10−5とした。
初めに、図1、図2に示した第1実施形態の共振器の電気特性をシミュレーションにより算出した。このシミュレーションにおいて、共振空洞41(シールド導体23の内側の空間)は、x軸方向およびy軸方向の長さが10mmで、z軸方向の長さが4mmの直方体状とした。誘電体基板10は、x軸方向およびy軸方向の長さが10mmで、z軸方向
の長さが2mmの直方体状とした。そして、第2主面12および4つの側面13がシールド導体23に接触するように、共振空洞41の内部に誘電体基板10を配置した。すなわち共振空洞41の−z方向側の半分を誘電体基板10が占め、共振空洞41の+z方向側の半分は空気が占めるようにした。第1導体21は、直径が4mmで厚さが0.1mmの円盤に突起21aおよび突起21bが付加された形状とした。第2導体22の厚さは0.1mmとし、第2導体22の内縁は、1辺の長さが8.1mmの正方形状とした。第1導体21、第2導体22およびシールド導体23の導電率は、4.2×106S/mとし、誘電体基板10の比誘電率は40とし、誘電体基板10の誘電正接は7.5×10−5とした。
シミュレーションの結果を表1に示す。第1共振モードの共振周波数は5.780GHzであり、第2共振モードの共振周波数は5.781GHzであり、第3共振モードの共振周波数は5.797GHzであった。また、第1共振モードのQ値は1420であり、第2共振モードのQ値は1419であり、第3共振モードのQ値は1196であった。このシミュレーションにより、第1実施形態の共振器は、小型でありながら、第1共振モード、第2共振モードおよび第3共振モードの3つの共振モードで共振することが確認できた。また、第3共振モードの共振周波数を、第1共振モードおよび第2共振モードの共振周波数に近接させることができることが確認できた。なお、このシミュレーションにおいては、第1共振モードの共振周波数と第2共振モードの共振周波数の差異を大きくすることを意図していないため、突起21aおよび突起21bは非常に小さいものとした。
(第2実施例)
次に、図3に示した第2実施形態の共振器の電気特性をシミュレーションにより算出した。このシミュレーションにおいて、第1導体21の平面形状は、1辺が3.4mmの正方形状とした。また、第2導体22の内縁は、1辺の長さが8mmの正方形に突起21aおよび突起21bが付加された形状とした。その他の条件は第1実施例と同様とした。
次に、図3に示した第2実施形態の共振器の電気特性をシミュレーションにより算出した。このシミュレーションにおいて、第1導体21の平面形状は、1辺が3.4mmの正方形状とした。また、第2導体22の内縁は、1辺の長さが8mmの正方形に突起21aおよび突起21bが付加された形状とした。その他の条件は第1実施例と同様とした。
シミュレーションの結果を表2に示す。第1共振モードの共振周波数は5.720GHzであり、第2共振モードの共振周波数は5.771GHzであり、第3共振モードの共振周波数は5.779GHzであった。また、第1共振モードのQ値は1179であり、第2共振モードのQ値は1318であり、第3共振モードのQ値は1318であった。このシミュレーションにより、第2実施形態の共振器も第1実施形態の共振器とほぼ同様の機能を有することが確認できた。
(第3実施例)
次に、図6〜図9に示した第4実施形態のバンドパスフィルタの電気特性をシミュレーションにより算出した。このシミュレーションにおいて、第2導体22の内縁は、1辺の長さが6.29mmの正方形状とした。第1結合電極51および第2結合電極52は、厚
さが0.1mmの板状とし、1辺が1mmの正方形状の平面形状とした。また、第1結合電極51および第2結合電極52は、第1導体21から1.78mmの間隔を開けて配置した。第3結合電極53および第4結合電極54は、直径が0.3mmで長さが2mmの円柱状の形状とした。突起21aおよび突起21bの形状も若干変更した。それ以外の条件は、第1実施例と同様にした。
次に、図6〜図9に示した第4実施形態のバンドパスフィルタの電気特性をシミュレーションにより算出した。このシミュレーションにおいて、第2導体22の内縁は、1辺の長さが6.29mmの正方形状とした。第1結合電極51および第2結合電極52は、厚
さが0.1mmの板状とし、1辺が1mmの正方形状の平面形状とした。また、第1結合電極51および第2結合電極52は、第1導体21から1.78mmの間隔を開けて配置した。第3結合電極53および第4結合電極54は、直径が0.3mmで長さが2mmの円柱状の形状とした。突起21aおよび突起21bの形状も若干変更した。それ以外の条件は、第1実施例と同様にした。
シミュレーションの結果を図15のグラフに示す。グラフにおいて、横軸は周波数を示しており、縦軸は減衰量を示している。また、伝送特性を実線で示しており、反射特性を破線で示している。良好なフィルタ特性が得られていることが伝送特性から確認できる。また、3つの共振を用いて通過帯域が形成されていることが反射特性から確認できる。なお、本実施例においては、3つの共振モードの共振周波数同士の間隔をそれほど広げずに設計したため通過帯域幅はそれほど広くないが、3つの共振モードの共振周波数同士の間隔を広げる設計とすることにより、通過帯域幅を大きく広げることができることは言うまでもない。
(第4実施例)
次に、図10〜図13に示した第5実施形態のバンドパスフィルタの電気特性をシミュレーションにより算出した。このシミュレーションにおいて、第2シールド導体23bの内側の空間(共振空洞41)の形状は、x軸方向およびy軸方向の長さが11mmでz軸方向の長さが4mmの直方体状とした。そして、誘電体基板10の第2主面12および側面13の全体に渡って配置された第1シールド導体23aの−z方向側の表面が、第2シールド導体23bの−z方向側の内面の中央に接するように、共振空洞41内に誘電体基板10を配置した。第2導体22の内縁は、1辺の長さが8.373mmの正方形状とした。第1導体21は、直径が3.84mmで厚さが0.1mmの円盤に突起21aおよび突起21bが付加された形状とした。突起21aおよび突起21bは、幅を0.5mmとし、突出量を0.196mmとした。第1結合電極51および第2結合電極52の平面形状は、幅が1mmで長さが2.58mmの5角形状とした。また、第1結合電極51および第2結合電極52は、第1導体21から0.958mmの間隔を開けて配置した。それ以外の条件は、第3実施例と同様にした。
次に、図10〜図13に示した第5実施形態のバンドパスフィルタの電気特性をシミュレーションにより算出した。このシミュレーションにおいて、第2シールド導体23bの内側の空間(共振空洞41)の形状は、x軸方向およびy軸方向の長さが11mmでz軸方向の長さが4mmの直方体状とした。そして、誘電体基板10の第2主面12および側面13の全体に渡って配置された第1シールド導体23aの−z方向側の表面が、第2シールド導体23bの−z方向側の内面の中央に接するように、共振空洞41内に誘電体基板10を配置した。第2導体22の内縁は、1辺の長さが8.373mmの正方形状とした。第1導体21は、直径が3.84mmで厚さが0.1mmの円盤に突起21aおよび突起21bが付加された形状とした。突起21aおよび突起21bは、幅を0.5mmとし、突出量を0.196mmとした。第1結合電極51および第2結合電極52の平面形状は、幅が1mmで長さが2.58mmの5角形状とした。また、第1結合電極51および第2結合電極52は、第1導体21から0.958mmの間隔を開けて配置した。それ以外の条件は、第3実施例と同様にした。
シミュレーションの結果を図16のグラフに示す。グラフにおいて、横軸は周波数を示しており、縦軸は減衰量を示している。また、伝送特性を実線で示しており、反射特性を破線で示している。良好なフィルタ特性が得られていることが伝送特性から確認できる。また、3つの共振を用いて通過帯域が形成されていることが反射特性から確認できる。なお、本実施例においては、3つの共振モードの共振周波数同士の間隔を広げて設計したため、非常に広い通過帯域幅を実現できている。これら第1実施例〜第4実施例の結果により、本発明の有効性が確認できた。
10:誘電体基板
11:第1主面
12:第2主面
13:側面
21:第1導体
22:第2導体
23:シールド導体
23a:第1シールド導体
23b:第2シールド導体
30:デュアルモード共振器
41:共振空洞
51:第1結合電極
52:第2結合電極
53:第3結合電極
54:第4結合電極
61:第1端子
62:第2端子
80:バンドパスフィルタ
81:通信回路
82:アンテナ
11:第1主面
12:第2主面
13:側面
21:第1導体
22:第2導体
23:シールド導体
23a:第1シールド導体
23b:第2シールド導体
30:デュアルモード共振器
41:共振空洞
51:第1結合電極
52:第2結合電極
53:第3結合電極
54:第4結合電極
61:第1端子
62:第2端子
80:バンドパスフィルタ
81:通信回路
82:アンテナ
Claims (6)
- 第1主面と、該第1主面の反対側の第2主面と、前記第1主面および前記第2主面を接続する1つ以上の側面と、を有する誘電体基板と、
該誘電体基板の前記第1主面に設けられた第1導体で構成されており、互いに直交する縮退していない第1共振モードおよび第2共振モードを有するデュアルモード共振器と、
前記第2主面および前記側面に接するとともに、前記第1主面と間隔を開けて、前記誘電体基板を取り囲み、共振空洞を形成するシールド導体と、
間隔を開けて前記第1導体を取り囲むように前記誘電体基板の前記第1主面に設けられており、周縁が前記シールド導体に接続された第2導体と、
を有しており、
前記共振空洞の内部に生じるTM010モードである第3共振モードと、前記第1共振モードと、前記第2共振モードと、の3つのモードで共振することを特徴とする共振器。 - 平面視したときに、前記第1導体の形状が円形状であり、前記第2導体の内側の形状が矩形状であることを特徴とする請求項1に記載の共振器。
- 前記シールド導体は、
前記誘電体基板の前記第2主面および前記側面に接するように設けられた第1シールド導体と、
該第1シールド導体に接続されており、前記第1主面と間隔を開けて前記誘電体基板を取り囲んで前記共振空洞を形成する第2シールド導体と、
を有している
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の共振器。 - 請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の共振器と、
前記第1共振モードおよび前記第2共振モードに結合する第1結合電極と、
前記第1共振モードおよび前記第2共振モードに結合する第2結合電極と、
前記第3共振モードに結合する第3結合電極と、
前記第3共振モードに結合する第4結合電極と、
前記第1結合電極および前記第3結合電極に接続された第1端子と、
前記第2結合電極および前記第4結合電極に接続された第2端子と、
を有しており、
前記第1共振モードと、前記第2共振モードと、前記第3共振モードと、を用いて通過帯域を形成する
ことを特徴とするバンドパスフィルタ。 - 前記第1結合電極は、前記第1導体および前記第2導体の両方と間隔を開けて、前記誘電体基板の前記第1主面における前記第1導体と前記第2導体との間に設けられており、前記第2結合電極は、前記第1導体、前記第2導体および前記第1結合電極と間隔を開けて、前記誘電体基板の前記第1主面における前記第1導体と前記第2導体との間に設けられており、
前記第3結合電極は、一方端が前記第1結合電極に接続され、他方端が前記第1端子に接続されており、前記誘電体基板の前記第1主面から前記第2主面へ向けて伸びた部分を有しており、
前記第4結合電極は、一方端が前記第2結合電極に接続され、他方端が前記第2端子に接続されており、前記誘電体基板の前記第1主面から前記第2主面へ向けて伸びた部分を有している
ことを特徴とする請求項4に記載のバンドパスフィルタ。 - 通信回路と、アンテナと、前記通信回路および前記アンテナに接続された請求項4または請求項5に記載のバンドパスフィルタと、を有していることを特徴とする通信装置。
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