JP6561565B2 - Method and apparatus for dividing bonded substrate - Google Patents

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Description

本発明は、シリコン基板とガラス基板とを接着層にて貼り合わせてなる基板の分割方法及び分割装置に関する。   The present invention relates to a substrate dividing method and a dividing apparatus in which a silicon substrate and a glass substrate are bonded together with an adhesive layer.

シリコン基板は半導体素子（半導体チップ）用の基板として広く用いられるが、基板の複合化その他の目的で、シリコン基板とガラス基板とを接着層（接着剤）にて貼り合わせてなる（接着させてなる）貼り合わせ基板が用いられることがある。また、シリコン基板を用いた半導体素子の製造プロセスにおいては通常、多数個の素子パターンを２次元的に形成してなる母基板たるシリコン基板をダイサーによるダイシングによって分割して個々のチップを得るという手法が採用されるが、母基板として上述したシリコン基板とガラス基板との貼り合わせ基板を用いる場合も、同様の手順が採用される。   A silicon substrate is widely used as a substrate for a semiconductor element (semiconductor chip), and is formed by bonding (bonding) a silicon substrate and a glass substrate together with an adhesive layer (adhesive) for the purpose of compounding the substrate and other purposes. A laminated substrate may be used. Also, in the manufacturing process of a semiconductor element using a silicon substrate, a technique is usually obtained in which a silicon substrate as a mother substrate formed by two-dimensionally forming a large number of element patterns is divided by dicing with a dicer to obtain individual chips. However, the same procedure is also used when the above-described bonded substrate of the silicon substrate and the glass substrate is used as the mother substrate.

また、脆性材料基板の主面に熱硬化性樹脂を付着させてなる樹脂付き脆性材料基板を分割する手法もすでに公知である（例えば、特許文献１参照）。   In addition, a technique of dividing a brittle material substrate with resin formed by attaching a thermosetting resin to the main surface of the brittle material substrate is already known (for example, see Patent Document 1).

特許５１７０１９５号公報Japanese Patent No. 5170195

シリコン基板とガラス基板とを接着層にて貼り合わせてなる貼り合わせ基板をダイサーによって分割する場合、ガラス基板の性質上、加工速度を高めることが困難であり、また、ガラス基板にチッピング（カケ）が生じやすいため、生産性が悪いという問題がある。また、レジンブレードなど、特殊なダイシングブレードを用いる必要があるが、摩耗が早く、コスト高の要因となっている、という問題もある。さらには、ダイシング時に冷却等の目的で使用する水が、接着層とガラスとの間に侵入しやすい、という問題もある。   When a bonded substrate formed by bonding a silicon substrate and a glass substrate with an adhesive layer is divided by a dicer, it is difficult to increase the processing speed due to the nature of the glass substrate, and chipping (bake) on the glass substrate is difficult. Since this is likely to occur, there is a problem that productivity is poor. Further, it is necessary to use a special dicing blade such as a resin blade, but there is also a problem that the wear is quick and the cost is high. Furthermore, there is a problem that water used for cooling or the like during dicing tends to enter between the adhesive layer and the glass.

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、シリコン基板とガラス基板とを接着層にて貼り合わせてなる貼り合わせ基板を好適に分割することができる方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide a method capable of suitably dividing a bonded substrate formed by bonding a silicon substrate and a glass substrate with an adhesive layer. .

上記課題を解決するため、請求項１の発明は、シリコン基板とガラス基板とを接着層にて貼り合わせてなる貼り合わせ基板を所定の分割予定位置において分割する方法であって、前記貼り合わせ基板の一方主面をなす前記ガラス基板の一主面における前記分割予定位置に、所定のスクライブツールによってスクライブラインを形成するスクライブライン形成工程と、前記貼り合わせ基板の他方主面をなす前記シリコン基板の一主面における前記分割予定位置において、前記シリコン基板の前記一主面から前記接着層の途中までにかけて所定の溝部形成手段にて溝部を形成するダイシング溝形成工程と、前記スクライブラインと前記溝部とが形成されてなる前記貼り合わせ基板を、前記スクライブラインと前記溝部との間でブレイクするブレイク工程と、を備えることを特徴とする。   In order to solve the above problems, the invention of claim 1 is a method of dividing a bonded substrate obtained by bonding a silicon substrate and a glass substrate with an adhesive layer at a predetermined division position, wherein the bonded substrate A scribing line forming step of forming a scribing line with a predetermined scribing tool at a predetermined division position on one main surface of the glass substrate forming one main surface of the glass substrate, and a silicon substrate forming the other main surface of the bonded substrate A dicing groove forming step of forming a groove portion by a predetermined groove portion forming means from the one main surface of the silicon substrate to a middle of the adhesive layer at the planned division position on one main surface; the scribe line and the groove portion; A break that breaks the bonded substrate formed with a gap between the scribe line and the groove. Characterized in that it comprises a step.

請求項１の発明は、前記ブレイク工程においては、前記貼り合わせ基板を、前記シリコン基板の側が最上部となり、前記ガラス基板の側が最下部となるように、弾性体からなる支持部の上面に載置した状態で、前記シリコン基板の上方から前記分割予定位置に対しブレイク刃を当接させ、さらに押し下げることによって、前記貼り合わせ基板を分断する、ことを特徴とする。 The invention according to claim 1, before Symbol breaking step, the bonded substrate, the side of the silicon substrate becomes top, as the side of the glass substrate is the bottom, the upper surface of the support portion made of an elastic body In the mounted state, the bonded substrate is divided by bringing a break blade into contact with the scheduled division position from above the silicon substrate and further pressing it down.

請求項２の発明は、請求項１に記載の貼り合わせ基板の分割方法であって、前記ブレイク工程においては、前記ブレイク刃を前記溝部の底部に当接させたうえでさらに押し下げることによって、前記ブレイク刃によって前記接着層を切り裂きつつ前記スクライブラインから垂直クラックを伸展させることで前記貼り合わせ基板を分断する、ことを特徴とする。 Invention of Claim 2 is the division | segmentation method of the bonding board | substrate of Claim 1 , Comprising: In the said breaking process, after making the said break blade contact | abut to the bottom part of the said groove part, it pushes down further, The bonded substrate is divided by extending a vertical crack from the scribe line while cutting the adhesive layer with a break blade.

請求項３の発明は、請求項３に記載の貼り合わせ基板の分割方法であって、前記ブレイク工程においては、前記ブレイク刃の刃先側面を前記シリコン基板の前記一主面における前記溝部の開口端部に当接させたうえでさらに押し下げることによって、前記接着層を引き裂くとともに前記スクライブラインから垂直クラックを伸展させることで前記貼り合わせ基板を分断する、ことを特徴とする。 A third aspect of the present invention is the bonded substrate dividing method according to the third aspect, wherein, in the breaking step, a cutting edge side surface of the break blade is used as an open end of the groove portion on the one main surface of the silicon substrate. The bonded substrate is divided by tearing down the adhesive layer and extending a vertical crack from the scribe line by further pressing down after contacting the part.

請求項４の発明は、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の貼り合わせ基板の分割方法であって、前記所定のスクライブツールがスクライビングホイールである、ことを特徴とする。 A fourth aspect of the present invention is the bonded substrate dividing method according to any one of the first to third aspects, wherein the predetermined scribe tool is a scribing wheel.

請求項６の発明は、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の貼り合わせ基板の分割方法であって、前記所定の溝部形成手段がダイサーである、ことを特徴とする。 A sixth aspect of the present invention is the bonded substrate dividing method according to any one of the first to fourth aspects, wherein the predetermined groove forming means is a dicer.

請求項６の発明は、シリコン基板とガラス基板とを接着層にて貼り合わせてなる貼り合わせ基板を所定の分割予定位置において分割する分割装置であって、前記貼り合わせ基板の一方主面をなす前記ガラス基板の一主面における前記分割予定位置に、所定のスクライブツールによってスクライブラインを形成するスクライブライン形成ユニット（いわゆるスクライバー）と、前記貼り合わせ基板の他方主面をなす前記シリコン基板の一主面における前記分割予定位置において、前記シリコン基板の前記一主面から前記接着層の途中までにかけて所定の溝部形成手段にて溝部を形成するダイシング溝形成ユニット（いわゆるダイサー）と、前記スクライブラインと前記溝部とが形成されてなる前記貼り合わせ基板を、前記スクライブラインと前記溝部との間でブレイクするブレイクユニット（いわゆるブレイカー）と、を備えることを特徴とする。 The invention of claim 6 is a dividing apparatus for dividing a bonded substrate formed by bonding a silicon substrate and a glass substrate with an adhesive layer at a predetermined division position, and forms one main surface of the bonded substrate. A scribe line forming unit (so-called scriber) that forms a scribe line at a predetermined division position on one main surface of the glass substrate with a predetermined scribe tool, and one main surface of the silicon substrate that forms the other main surface of the bonded substrate. A dicing groove forming unit (so-called dicer) that forms a groove by a predetermined groove forming means from the one main surface of the silicon substrate to the middle of the adhesive layer, the scribe line, and the scribe line; The bonded substrate including the groove is formed on the scribe line. Characterized in that it comprises a and a breaking unit (so-called breaker) to break between the grooves.

請求項１ないし請求項６の発明によれば、シリコン基板とガラス基板とを接着層にて貼り合わせてなる貼り合わせ基板を好適に分割することができる。 According to invention of Claim 1 thru | or 6, the bonded substrate formed by bonding a silicon substrate and a glass substrate with a contact bonding layer can be divided | segmented suitably.

貼り合わせ基板１０の構成を概略的に示す断面図である。2 is a cross-sectional view schematically showing a configuration of a bonded substrate board 10. FIG. 貼り合わせ基板１０を分割予定位置Ａにて分割する手順について説明する図である。It is a figure explaining the procedure which divides the bonded substrate board 10 in the division | segmentation scheduled position A. FIG. スクライブラインＳＬの形成を説明するための図である。It is a figure for demonstrating formation of the scribe line SL. ダイシング溝ＤＧの形成（形成中の状態）を説明するための図である。It is a figure for demonstrating formation (during formation) of the dicing groove | channel DG. ダイシング溝ＤＧの形成（形成後の状態）を説明するための図である。It is a figure for demonstrating formation (state after formation) of the dicing groove | channel DG. 半田ボールＳＢが形成された後の貼り合わせ基板１０を例示する図である。It is a figure which illustrates bonding substrate 10 after solder ball SB was formed. ブレイク装置３００を用いて貼り合わせ基板１０をブレイクする様子を概略的に示す図である。It is a figure which shows schematically a mode that the bonding board | substrate 10 is broken using the break apparatus 300. FIG. 第１のブレイク手法を示すための図である。It is a figure for showing the 1st break technique. 第２のブレイク手法を示すための図である。It is a figure for showing the 2nd break method.

＜貼り合わせ基板＞
図１は、本実施の形態において分割の対象とされる貼り合わせ基板１０の構成を概略的に示す断面図である。本実施の形態において、貼り合わせ基板１０とは、ガラス基板１とシリコン基板２とを接着層３によって接着することで貼り合わせ、全体として一の基板としてなるものである。 <Laminated substrate>
FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a configuration of a bonded substrate 10 to be divided in the present embodiment. In the present embodiment, the bonded substrate 10 is a substrate in which the glass substrate 1 and the silicon substrate 2 are bonded together by the adhesive layer 3 to form a single substrate as a whole.

貼り合わせ基板１０は、分割を行う位置としてあらかじめ定められてなる分割予定位置Ａにおいて後述する手法により厚み方向に沿って分断されることで分割される。分割予定位置Ａは、貼り合わせ基板１０の主面に沿って線状（例えば直線状）に規定される。図１においては、図面に垂直な方向に分割予定位置Ａが定められてなる場合を例示している。なお、図１においては貼り合わせ基板１０の両主面たるガラス基板１の主面１ａとシリコン基板２の主面２ａとの双方に分割予定位置Ａを示しているが、当然ながら、貼り合わせ基板１０の主面を平面視（平面透過視）した場合においてそれぞれの主面における分割予定位置Ａは同一である。換言すれば、一方主面における分割予定位置Ａを貼り合わせ基板１０の厚み方向に平行移動させると他方主面における分割予定位置Ａと一致する。   The bonded substrate 10 is divided by being divided along the thickness direction by a method to be described later at a planned division position A that is predetermined as a position to be divided. The division | segmentation scheduled position A is prescribed | regulated linearly (for example, linear form) along the main surface of the bonding board | substrate 10. FIG. In FIG. 1, the case where the division | segmentation scheduled position A is defined in the direction perpendicular | vertical to drawing is illustrated. In FIG. 1, the splitting position A is shown on both the main surface 1 a of the glass substrate 1 and the main surface 2 a of the silicon substrate 2, which are both main surfaces of the bonded substrate 10. When the ten main surfaces are viewed in a plan view (planar see-through view), the scheduled division positions A on the respective main surfaces are the same. In other words, when the planned division position A on the one main surface is translated in the thickness direction of the bonded substrate 10, it coincides with the planned division position A on the other main surface.

図１においては図示を省略しているが、一の貼り合わせ基板１０に対して複数の分割予定位置Ａが定められていてもよく、例えば、格子状に分割予定位置Ａが定められてなる態様であってもよい。複数の分割予定位置Ａが定められる場合において、個々の分割予定位置Ａ同士の間隔は、後述する手順での分割が好適に行える範囲で、適宜に定められてよい。   Although not shown in FIG. 1, a plurality of scheduled division positions A may be defined for one bonded substrate 10, for example, an aspect in which the scheduled division positions A are defined in a lattice shape. It may be. In the case where a plurality of scheduled division positions A are defined, the intervals between the individual divided positions A may be determined as appropriate within a range in which division in the procedure described later can be suitably performed.

図１にはさらに、分割に際して実際に分断が進行する予定の位置である分断進行予定位置Ｂも示している。分断進行予定位置Ｂは、貼り合わせ基板１０の両主面たるガラス基板１の主面１ａとシリコン基板２の主面２ａとのそれぞれにおける分割予定位置Ａの間の、厚み方向に沿う面として観念される。図１に例示する場合においては、分断進行予定位置Ｂは図面視垂直な方向に延在してなる。   Further, FIG. 1 also shows a division advancement scheduled position B that is a position where the division is actually going to proceed during division. The planned division progress position B is an idea as a plane along the thickness direction between the planned division positions A on the main surface 1a of the glass substrate 1 and the main surface 2a of the silicon substrate 2 as both main surfaces of the bonded substrate 10. Is done. In the case illustrated in FIG. 1, the scheduled division progress position B extends in a direction perpendicular to the drawing.

ガラス基板１の材質としては、ホウ珪酸ガラス、無アルカリガラス、ソーダガラス等のアルカリガラスなどといった種々のガラスが例示される。接着層３の材質としては、熱硬化型エポキシ樹脂などが例示される。   Examples of the material of the glass substrate 1 include various glasses such as borosilicate glass, alkali-free glass, and soda glass. Examples of the material of the adhesive layer 3 include a thermosetting epoxy resin.

ガラス基板１、シリコン基板２、および、接着層３の厚み、さらには貼り合わせ基板１０の総厚は、後述する手法にて貼り合わせ基板１０を分割するに際して分割を好適に行える限りにおいて特段の制限はないが、それぞれ、１００μｍ〜１０００μｍ、５０μｍ〜１０００μｍ、１０μｍ〜２００μｍ、１５０μｍ〜１５００μｍという範囲が例示される。また、貼り合わせ基板の平面サイズについても特段の制限はないが、縦１〜３ｍｍ程度×横１〜３ｍｍ程度という範囲が例示される。   The thickness of the glass substrate 1, the silicon substrate 2, and the adhesive layer 3, and the total thickness of the bonded substrate 10 are not particularly limited as long as the bonded substrate 10 can be divided suitably by the method described later. Although not, the ranges of 100 μm to 1000 μm, 50 μm to 1000 μm, 10 μm to 200 μm, and 150 μm to 1500 μm are exemplified. Moreover, although there is no special restriction | limiting also about the planar size of a bonding board | substrate, the range of about 1-3 mm long x about 1-3 mm wide is illustrated.

また、図１においては、シリコン基板２の一方主面であって、接着層３との隣接面とは反対側の主面である、図面視上面側の主面２ａに、上部層４が設けられてなる場合を例示している。図１（ａ）は、シリコン基板２の主面２ａのうち、分割予定位置Ａの近傍領域が非形成領域ＲＥとされる場合の上部層４の形成態様を例示しており、図１（ｂ）は、主面２ａの全面に上部層４が形成される場合の形成態様を例示している。   Further, in FIG. 1, an upper layer 4 is provided on a main surface 2 a on the upper surface side in the drawing, which is one main surface of the silicon substrate 2, which is the main surface opposite to the adjacent surface to the adhesive layer 3. The case where it is made is illustrated. FIG. 1A illustrates a form of formation of the upper layer 4 when the region near the planned division position A of the main surface 2a of the silicon substrate 2 is the non-forming region RE. ) Exemplifies a formation mode in the case where the upper layer 4 is formed on the entire main surface 2a.

なお、図１においては簡単のため、上部層４は単一の層であるかのように図示されているが、上部層４は、単一層であってもよいし、同質のあるいは異なる材質の複数の層から構成されていてもよい。上部層４の構成材料としては、種々の金属層、セラミックス層、半導体層、アモルファス層、樹脂層など、種々の材質のものが例示される。   In FIG. 1, for simplicity, the upper layer 4 is shown as if it is a single layer. However, the upper layer 4 may be a single layer or may be made of the same or different material. It may be composed of a plurality of layers. Examples of the constituent material of the upper layer 4 include various materials such as various metal layers, ceramic layers, semiconductor layers, amorphous layers, and resin layers.

ただし、本実施の形態に係る分割手法にて貼り合わせ基板１０を分割するに際して、上部層４の存在は必須ではない。それゆえ、以降の説明においては、上部層４が形成されてなる場合についても、シリコン基板２と上部層４とを単にシリコン基板２と総称することがあり、また、厳密に言えば上部層４の上面をなしている面をシリコン基板２の主面２ａと称することがある。   However, when the bonded substrate 10 is divided by the dividing method according to the present embodiment, the presence of the upper layer 4 is not essential. Therefore, in the following description, even when the upper layer 4 is formed, the silicon substrate 2 and the upper layer 4 are sometimes simply referred to as the silicon substrate 2. The upper surface of the silicon substrate 2 may be referred to as a main surface 2a of the silicon substrate 2.

＜分割の手順＞
次に、上述した構成を有する貼り合わせ基板１０を分割予定位置Ａにて分割する手順について説明する。図２は、係る分割の手順を示す図である。 <Division procedure>
Next, a procedure for dividing the bonded substrate 10 having the above-described configuration at the division planned position A will be described. FIG. 2 is a diagram showing a procedure for such division.

まず、図１に例示したような貼り合わせ基板１０を用意する（ステップＳ１）。すなわち、ガラス基板１とシリコン基板２とが接着層３によって貼り合わされてなり、かつ、分割予定位置Ａが定められた貼り合わせ基板１０を用意する。   First, a bonded substrate 10 as illustrated in FIG. 1 is prepared (step S1). In other words, a bonded substrate 10 is prepared in which the glass substrate 1 and the silicon substrate 2 are bonded together by the adhesive layer 3 and the planned division position A is determined.

そして、用意した貼り合わせ基板１０のガラス基板１側の分割予定位置Ａにおいて、スクライブラインＳＬ（図３）を形成する（ステップＳ２）。図３は、係るスクライブラインＳＬの形成を説明するための図である。なお、図３においては、それぞれが図面に垂直な方向に直線状に延在する複数の分割予定位置Ａが設定されてなる場合を例示している（図４〜図７においても同様）。   And the scribe line SL (FIG. 3) is formed in the division | segmentation plan position A by the side of the glass substrate 1 of the prepared bonded substrate 10 (step S2). FIG. 3 is a diagram for explaining the formation of the scribe line SL. Note that FIG. 3 illustrates a case where a plurality of scheduled division positions A each extending linearly in a direction perpendicular to the drawing are set (the same applies to FIGS. 4 to 7).

スクライブラインＳＬは、後述する工程においてクラック（垂直クラック）伸展の起点となる部位である。スクライブラインＳＬの形成は、図３（ａ）に示すように、ガラス基板１が最上部となり、シリコン基板２が最下部となる水平姿勢で貼り合わせ基板１０を保持して行う。その際、貼り合わせ基板１０は直接にステージに保持するようにしてもよいし、これに代わり、シリコン基板２の主面２ａ側を例えばダイシングリングなどの環状の保持部材に張設保持させたダイシングテープなどの保持テープに貼り付け、それら保持部材および保持テープごと貼り合わせ基板１０をステージにて保持する態様であってもよい。   The scribe line SL is a part that becomes a starting point of crack (vertical crack) extension in a process described later. As shown in FIG. 3A, the scribe line SL is formed by holding the bonded substrate 10 in a horizontal posture in which the glass substrate 1 is at the top and the silicon substrate 2 is at the bottom. At this time, the bonded substrate 10 may be directly held on the stage, or instead, the main surface 2a side of the silicon substrate 2 is dicingly held by an annular holding member such as a dicing ring. A mode in which the substrate 10 is bonded to a holding tape such as a tape and the bonded substrate 10 is held on the stage together with the holding member and the holding tape.

概略的にいえば、スクライブラインＳＬの形成は、所定のスクライブツールを備える図示しない公知のスクライブ装置のステージに貼り合わせ基板１０を当該姿勢にて保持した状態で、当該スクライブツールをガラス基板１の主面１ａにおいて分割予定位置Ａに対して相対的に移動させることによって行う。   Schematically speaking, the scribe line SL is formed by holding the bonded substrate 10 on the stage of a known scribe device (not shown) having a predetermined scribe tool in a state where the scribe tool is held on the glass substrate 1. This is performed by moving the main surface 1a relative to the planned division position A.

図３（ｂ）においては、スクライブツールとして公知のスクライビングホイール１０１を用いてスクライブラインＳＬを形成する様子を示している。スクライビングホイール１０１は、２つの円錐台をそれぞれの下底面（大きい方の底面）側にて接続したような形状を有してなる円盤形状（算盤珠形状）をなしているとともにその外周部分が刃先となっているツールである。スクライブラインＳＬは、係るスクライビングホイール１０１が（より詳細にはその刃先が）ガラス基板１の主面１ａにおいて分割予定位置Ａに沿って圧接転動させられることによって形成される。なお、刃先はスクライビングホイール１０１の全周にわたって一様であってもよいし、周期的に凹部を有する態様であってもよい。   FIG. 3B shows a state in which a scribe line SL is formed using a known scribing wheel 101 as a scribe tool. The scribing wheel 101 has a disk shape (an abacus bead shape) having a shape in which two truncated cones are connected to the lower bottom surface (larger bottom surface) side, and an outer peripheral portion thereof is a cutting edge. It is a tool that has become. The scribe line SL is formed by causing the scribing wheel 101 (more specifically, the cutting edge) to be pressed and rolled along the planned division position A on the main surface 1 a of the glass substrate 1. Note that the cutting edge may be uniform over the entire circumference of the scribing wheel 101, or may have an aspect having periodic recesses.

図３（ｂ）において矢印ＡＲ１およびＡＲ２にて示すように、個々の分割予定位置Ａに対して順次にスクライビングホイール１０１が圧接転動させられてスクライブラインＳＬが形成され、最終的には、図３（ｃ）に示すように全ての分割予定位置ＡにおいてスクライブラインＳＬが形成される。なお、係るスクライブラインＳＬの形成に伴って、スクライブラインＳＬからガラス基板１の厚み方向に垂直クラックが伸展する態様であってもよい。   As shown by arrows AR1 and AR2 in FIG. 3 (b), the scribing wheel 101 is sequentially pressed and rolled with respect to each division planned position A to form a scribe line SL. As shown in FIG. 3C, scribe lines SL are formed at all the planned division positions A. In addition, with the formation of the scribe line SL, a mode in which a vertical crack extends from the scribe line SL in the thickness direction of the glass substrate 1 may be employed.

また、スクライブツールとして、公知のダイヤモンドポイントその他を用いる態様であってもよい。   Moreover, the aspect using a well-known diamond point etc. may be sufficient as a scribe tool.

ガラス基板１側の分割予定位置に対しスクライブラインＳＬが形成されると、続いて、貼り合わせ基板１０のシリコン基板２側の分割予定位置Ａにおいてダイシングを行い、ダイシング溝ＤＧ（図４）を形成する（ステップＳ３）。図４および図５は、係るダイシング溝ＤＧの形成を説明するための図である。ダイシング溝ＤＧは、溝部として形成され、後述する工程においてブレイクの起点となる。   When the scribe line SL is formed at the planned division position on the glass substrate 1 side, dicing is subsequently performed at the planned division position A on the silicon substrate 2 side of the bonded substrate 10 to form a dicing groove DG (FIG. 4). (Step S3). 4 and 5 are diagrams for explaining the formation of the dicing groove DG. The dicing groove DG is formed as a groove portion and serves as a starting point of a break in a process described later.

ダイシング溝ＤＧの形成は、図４（ａ）に示すように、シリコン基板２が最上部となり、ガラス基板１が最下部となる水平姿勢で貼り合わせ基板１０を保持して行う。すなわち、スクライブラインＳＬ形成時とは反転させた姿勢にて貼り合わせ基板１０を保持することで行う。その際、貼り合わせ基板１０は直接にステージに保持するようにしてもよいし、これに代わり、ガラス基板１の主面１ａ側を例えばダイシングリングなどの環状の保持部材に張設保持させたダイシングテープなどの保持テープに貼り付け、それら保持部材および保持テープごと貼り合わせ基板１０をステージにて保持する態様であってもよい。   As shown in FIG. 4A, the dicing groove DG is formed by holding the bonded substrate 10 in a horizontal posture in which the silicon substrate 2 is the uppermost portion and the glass substrate 1 is the lowermost portion. That is, it is performed by holding the bonded substrate 10 in an inverted posture from that at the time of forming the scribe line SL. At that time, the bonded substrate 10 may be directly held on the stage, or instead, the main surface 1a side of the glass substrate 1 is held by an annular holding member such as a dicing ring. A mode in which the substrate 10 is bonded to a holding tape such as a tape and the bonded substrate 10 is held on the stage together with the holding member and the holding tape.

図４（ｂ）に示すように、ダイシング溝ＤＧは、シリコン基板２を貫通して接着層３にまで達する溝部として形成される。換言すれば、ダイシング溝ＤＧは、その深さｈが、シリコン基板２の厚みよりも大きく、シリコン基板２と接着層３の厚みの総和よりも小さくなるように形成される。なお、詳細は後述するが、ダイシング溝ＤＧのサイズ（深さｈ、幅ｗ）と、ダイシング溝ＤＧの底部ＤＧ１と接着層３との距離ｄとは、接着層３の材質に応じて選択される、後述するブレイク工程におけるブレイク手法に応じて定められる。   As shown in FIG. 4B, the dicing groove DG is formed as a groove portion that penetrates the silicon substrate 2 and reaches the adhesive layer 3. In other words, the dicing groove DG is formed such that the depth h is larger than the thickness of the silicon substrate 2 and smaller than the total thickness of the silicon substrate 2 and the adhesive layer 3. Although details will be described later, the size (depth h, width w) of the dicing groove DG and the distance d between the bottom DG1 of the dicing groove DG and the adhesive layer 3 are selected according to the material of the adhesive layer 3. It is determined according to a break method in a break process described later.

概略的にいえば、ダイシング溝ＤＧの形成は、所定のダイシング手段を備える図示しない公知のダイシング装置（ダイサー）のステージに貼り合わせ基板１０を当該姿勢にて保持した状態で、シリコン基板２の主面２ａ側の分割予定位置Ａにおいて厚み方向および幅方向の所定範囲をダイシング手段によって切削することによってなされる。   Schematically speaking, the dicing groove DG is formed in a state where the bonded substrate 10 is held in this posture on a stage of a known dicing apparatus (dicer) (not shown) provided with predetermined dicing means. This is done by cutting a predetermined range in the thickness direction and the width direction by the dicing means at the planned division position A on the surface 2a side.

図４（ｂ）および図４（ｃ）においては、ダイシング手段として公知のダイシングブレード２０１を備えたダイサーを用いてダイシング溝ＤＧを形成する様子を示している。ダイシングブレード２０１は、円板状（円環状）をなしているとともにその外周部分が刃先となっているツールである。ダイシングブレード２０１を用いてダイシング溝ＤＧを形成する場合は、まず、係るダイシングブレード２０１をその主面が鉛直面と平行となる姿勢にて鉛直面内で回転させながら、その刃先部分が形成しようとするダイシング溝ＤＧの深さｈに応じた目標深さ位置に到達するまで、図４（ｂ）において矢印ＡＲ３にて示すように、さらには図４（ｃ）において矢印ＡＲ４にて示すように下降させる。そして、刃先部分が目標深さ位置に到達すると、当該回転状態を保ちつつ分割予定位置Ａに沿って（つまりは分断進行予定位置Ｂに沿って）ダイシングブレード２０１が貼り合わせ基板１０に対し相対移動させられることによって、ダイシング溝ＤＧが形成される。   4 (b) and 4 (c) show how the dicing groove DG is formed using a dicer provided with a known dicing blade 201 as a dicing means. The dicing blade 201 is a tool having a disc shape (annular shape) and an outer peripheral portion thereof as a cutting edge. When the dicing groove DG is formed by using the dicing blade 201, first, the cutting edge portion is formed while the dicing blade 201 is rotated in the vertical plane in a posture in which the main surface is parallel to the vertical surface. Until the target depth position corresponding to the depth h of the dicing groove DG to be reached is reached, as shown by the arrow AR3 in FIG. 4B, and further as shown by the arrow AR4 in FIG. 4C Let When the cutting edge portion reaches the target depth position, the dicing blade 201 moves relative to the bonded substrate 10 along the scheduled division position A (that is, along the planned division progress position B) while maintaining the rotation state. By doing so, a dicing groove DG is formed.

図４（ｂ）において矢印ＡＲ５およびＡＲ６にて示すように、あるいは図４（ｃ）において矢印ＡＲ７およびＡＲ８にて示すように、個々の分割予定位置Ａに対して順次にダイシングブレード２０１が移動させられてダイシング溝ＤＧが形成さると、最終的には、図５に示すように全ての分割予定位置Ａにおいてダイシング溝ＤＧが形成される。   As indicated by arrows AR5 and AR6 in FIG. 4B or as indicated by arrows AR7 and AR8 in FIG. 4C, the dicing blade 201 is sequentially moved with respect to the respective division planned positions A. When the dicing grooves DG are formed, finally, the dicing grooves DG are formed at all the planned division positions A as shown in FIG.

ダイシング溝ＤＧが形成されると、貼り合わせ基板１０は、全ての分割予定位置Ａにおいて、一方主面側にスクライブラインＳＬが形成されており、他方主面側にダイシング溝ＤＧが形成された状態が、実現されたものとなっている。   When the dicing groove DG is formed, the bonded substrate 10 is in a state in which the scribe line SL is formed on one main surface side and the dicing groove DG is formed on the other main surface side at all the division positions A. However, it has been realized.

係る状態が実現された貼り合わせ基板１０は、次のブレイク工程を実施可能なものとなっているが、貼り合わせ基板１０の種類によっては、より詳細には、当該貼り合わせ基板１０を分割することで得られるチップの種類によっては、係るブレイクに先立ち、シリコン基板２の主面２ａ上に、より厳密には図３ないし図５において図示を省略している上部層４の上に、半田ボールＳＢが形成される態様であってもよい（ステップＳ４）。図６は、半田ボールＳＢが形成された後の貼り合わせ基板１０を例示する図である。半田ボールＳＢは、シリコン基板２の主面２ａ上の（より詳細には上部層４の主面上の）、最終的に分割がなされることによってそれぞれに別個のチップとなる領域ごとに形成される。ただし、半田ボールＳＢの形成は、必須ではない。   The bonded substrate 10 in which such a state is realized is capable of performing the next breaking step. However, depending on the type of the bonded substrate 10, more specifically, the bonded substrate 10 may be divided. Depending on the type of chip obtained in the above, solder balls SB are formed on the main surface 2a of the silicon substrate 2 and more strictly on the upper layer 4 which is not shown in FIGS. May be formed (step S4). FIG. 6 is a diagram illustrating the bonded substrate 10 after the solder balls SB are formed. The solder balls SB are formed on the main surface 2a of the silicon substrate 2 (more specifically, on the main surface of the upper layer 4), and finally formed for each region that becomes a separate chip by being divided. The However, the formation of the solder ball SB is not essential.

なお、半田ボールＳＢは、スクライブラインＳＬ形成前の時点で、つまりは、最初に貼り合わせ基板を用意した時点で、あるいは、スクライブラインＳＬ形成の形成後であってダイシング溝ＤＧ形成前の時点で、形成される態様であってもよい。ただし、前者の場合は、スクライブラインＳＬの形成時に半田ボールＳＢが形成された凹凸のあるシリコン基板２の主面２ａ側を下方に向けて貼り合わせ基板１０を保持する必要があり、後者の場合は、ダイシングの際に切削片の除去やダイシング溝ＤＧの洗浄などに用いられる水によって半田ボールＳＢが腐食される場合があるなど、それぞれに留意すべき点があるが、上述したダイシング溝ＤＧ形成後のタイミングで半田ボールＳＢを形成する態様は、そのような留意点は無関係となる点で好適である。   The solder balls SB are formed before the scribe line SL is formed, that is, when the bonded substrate is first prepared, or after the scribe line SL is formed and before the dicing groove DG is formed. The form formed may be sufficient. However, in the former case, when the scribe line SL is formed, it is necessary to hold the bonded substrate 10 with the main surface 2a side of the uneven silicon substrate 2 on which the solder balls SB are formed facing downward, in the latter case However, there is a case where the solder ball SB is corroded by water used for removing a cutting piece or cleaning the dicing groove DG at the time of dicing. A mode in which the solder ball SB is formed at a later timing is preferable in that such points to be noted are irrelevant.

また、スクライブラインＳＬの形成と、ダイシング溝ＤＧの形成の順序は、反対であってもよい。   The order of forming the scribe line SL and the dicing groove DG may be reversed.

スクライブラインＳＬとダイシング溝ＤＧとをともに形成し、必要な場合には半田ボールＳＢを形成した後、ブレイク装置３００を用いたブレイクを行い、スクライブラインＳＬとダイシング溝ＤＧとの間で、分断進行予定位置Ｂに沿った分断を進行させる（ステップＳ５）。   The scribe line SL and the dicing groove DG are formed together, and if necessary, the solder ball SB is formed, and then the break is performed using the breaking device 300, and the cutting progresses between the scribe line SL and the dicing groove DG. The division along the planned position B is advanced (step S5).

図７は、ブレイク装置３００を用いて貼り合わせ基板１０をブレイクする様子を概略的に示す図である。   FIG. 7 is a diagram schematically showing a state in which the bonded substrate 10 is broken using the breaking device 300.

ブレイク装置３００は、弾性体からなり、上面３０１ａに貼り合わせ基板１０が載置される支持部３０１と、所定の刃渡り方向に延在してなる断面視三角形状の刃先を有し、鉛直方向に昇降自在とされてなるブレイク刃３０２とを、主として備える。   The break device 300 is made of an elastic body, and has a support portion 301 on which the bonded substrate 10 is placed on an upper surface 301a, and a cutting edge having a triangular shape in cross section extending in a predetermined blade spanning direction. A break blade 302 that can be raised and lowered is mainly provided.

支持部３０１は、硬度が６５°〜９５°、好ましくは７０°〜９０°、例えば８０°である材質の弾性体にて形成されるのが好適である。係る支持部３０１としては、例えばシリコーンゴムなどを好適に用いることができる。なお、支持部３０１はさらにその下方を図示しない硬質の（弾性を有していない）支持体によって支持されていてもよい。   The support portion 301 is preferably formed of an elastic body having a hardness of 65 ° to 95 °, preferably 70 ° to 90 °, for example, 80 °. As the support portion 301, for example, silicone rubber or the like can be suitably used. The lower portion of the support portion 301 may be supported by a hard (not elastic) support body (not shown).

図７に示すように、ブレイクに際し、貼り合わせ基板１０は、ダイシング溝ＤＧが形成されてなるシリコン基板２の側が最上部となり、スクライブラインＳＬが形成されてなるガラス基板１の側が最下部となるように、支持部３０１の上面３０１ａ上に載置される。なお、図７においては、分割予定位置Ａが（それゆえスクライブラインＳＬとダイシング溝ＤＧとが）図面に垂直な方向に延在するように、貼り合わせ基板１０が支持部３０１の上面３０１ａに載置されてなるとともに、係る分割予定位置Ａの鉛直上方に、ブレイク刃３０２が（より詳細にはその刃先が）、分割予定位置Ａの延在方向に沿って配置されてなる場合を示している。   As shown in FIG. 7, at the time of the break, the bonded substrate 10 has the silicon substrate 2 side on which the dicing grooves DG are formed as the uppermost portion, and the glass substrate 1 side on which the scribe lines SL are formed becomes the lowermost portion. As described above, it is placed on the upper surface 301 a of the support portion 301. In FIG. 7, the bonded substrate 10 is placed on the upper surface 301 a of the support portion 301 so that the planned division position A (and hence the scribe line SL and the dicing groove DG) extend in a direction perpendicular to the drawing. The break blade 302 (more specifically, the cutting edge) is arranged along the extending direction of the planned division position A, and is arranged vertically above the planned division position A. .

係るブレイク装置３００を用いたブレイクは、概略的にいえば、ブレイク刃３０２を、矢印ＡＲ９に示すように鉛直方向においてシリコン基板２側の分割予定位置Ａ（つまりはダイシング溝ＤＧの形成位置）に対し下降させ、ブレイク刃３０２が貼り合わせ基板１０に当接した後もブレイク刃３０２を押し下げることによって実現される。そして、矢印ＡＲ１０にて示すように、全ての分割予定位置Ａに対して順次にブレイクがなされることで、貼り合わせ基板１０は、所望のサイズおよび個数のチップに分割される。   Breaking using such a breaking device 300 roughly means that the breaking blade 302 is placed at a planned dividing position A on the silicon substrate 2 side in the vertical direction (that is, the formation position of the dicing groove DG) as indicated by an arrow AR9. This is realized by lowering the break blade 302 and pushing down the break blade 302 even after the break blade 302 contacts the bonded substrate 10. Then, as indicated by an arrow AR10, the bonded substrate 10 is divided into chips of a desired size and number by sequentially breaking all the planned division positions A.

より詳細には、本実施の形態においては、接着層３の材質に応じて、原理の異なる２通りのブレイク手法を使い分けるようにする。係る場合においては、選択するブレイク手法によって、ブレイク刃３０２の刃先３０２ａ（図８、図９参照）の形状や、ダイシング溝ＤＧのサイズを、それぞれ違える。以下、２通りのブレイク手法を順次に説明する。   More specifically, in the present embodiment, two types of break methods having different principles are used properly according to the material of the adhesive layer 3. In such a case, the shape of the cutting edge 302a (see FIGS. 8 and 9) of the break blade 302 and the size of the dicing groove DG are different depending on the selected break method. Hereinafter, the two break methods will be described sequentially.

（第１のブレイク手法）
図８は、第１のブレイク手法を示すための図である。第１のブレイク手法は、図７において矢印ＡＲ９にて示したようにブレイク刃３０２を鉛直方向において下降させていくことでやがて生じる、ダイシング溝ＤＧに対するブレイク刃３０２の当接が、まず最初に図８（ａ）に示すように刃先３０２ａの先端とダイシング溝ＤＧの底部ＤＧ１との間でなされるようにしたうえで、分断を進行させるというものである。 (First break method)
FIG. 8 is a diagram for illustrating the first break technique. In the first breaking method, the contact of the breaking blade 302 with the dicing groove DG, which is eventually caused by lowering the breaking blade 302 in the vertical direction as indicated by the arrow AR9 in FIG. As shown in FIG. 8 (a), the cutting is performed after being made between the tip of the blade edge 302a and the bottom DG1 of the dicing groove DG.

具体的には、図８（ｂ）において矢印ＡＲ１１として示すように、刃先３０２ａの先端がダイシング溝ＤＧの底部ＤＧ１に当接した後もブレイク刃３０２を所定の力で鉛直下方に押し下げると、矢印ＡＲ１２にて示すように、刃先３０２ａは接着層３から抵抗力を受けつつも分断進行予定位置Ｂに沿って接着層３を切り裂きながら下降していく。これにより、接着層３における分断が進行する。   Specifically, as shown by an arrow AR11 in FIG. 8B, when the tip of the blade edge 302a is brought into contact with the bottom portion DG1 of the dicing groove DG, the break blade 302 is pushed down vertically with a predetermined force. As indicated by AR <b> 12, the cutting edge 302 a descends while tearing the adhesive layer 3 along the scheduled cutting progress position B while receiving resistance from the adhesive layer 3. Thereby, the division | segmentation in the contact bonding layer 3 advances.

また、その際、ブレイク刃３０２を鉛直下方に押し下げる力は、貼り合わせ基板１０を弾性体たる支持部３０１に対し分割予定位置Ａに沿って押し込む力としても作用するため、貼り合わせ基板１０は支持部３０１から、矢印ＡＲ１３にて示すような上向きの反発力を、スクライブラインＳＬに対して対称に受けることになる。すると、係る反発力と、ブレイク刃３０２から作用する鉛直下向きの力とが加わる結果として、貼り合わせ基板１０のガラス基板１側においては、いわゆる３点曲げの状況が実現され、矢印ＡＲ１４にて示すように、垂直クラックＣＲが、スクライブラインＳＬから分断進行予定位置Ｂに沿って鉛直上方へと伸展していく。   At this time, the force that pushes down the break blade 302 vertically also acts as a force that pushes the bonded substrate 10 along the planned division position A into the support portion 301 that is an elastic body, so that the bonded substrate 10 is supported. From the portion 301, an upward repulsive force as indicated by an arrow AR13 is received symmetrically with respect to the scribe line SL. Then, as a result of applying such a repulsive force and a vertically downward force acting from the break blade 302, a so-called three-point bending situation is realized on the glass substrate 1 side of the bonded substrate 10, which is indicated by an arrow AR14. As described above, the vertical crack CR extends vertically upward from the scribe line SL along the planned division progress position B.

ブレイク刃３０２による鉛直上方からの接着層３の分断（切り裂き）と、鉛直下方からのガラス基板１における垂直クラックＣＲの伸展とは、いずれも分断進行予定位置Ｂに沿って進行する。最終的に、両者がともに接着層３とガラス基板１との界面に到達すると、分断は完了する。すなわち、貼り合わせ基板１０は、図８（ｃ）に示すように２つの個片１０ａに分割されたことになる。   The breakage (cutting) of the adhesive layer 3 from above in the vertical direction by the break blade 302 and the extension of the vertical crack CR in the glass substrate 1 from below in the vertical direction all proceed along the breakage advancement position B. When both finally reach the interface between the adhesive layer 3 and the glass substrate 1, the division is completed. In other words, the bonded substrate 10 is divided into two pieces 10a as shown in FIG.

以上のような第１のブレイク手法でのブレイクを行う場合、ブレイク刃３０２を下降させた際に少なくとも刃先３０２ａの先端とダイシング溝ＤＧとの底部ＤＧ１とが当接するまでは、刃先３０２ａがダイシング溝ＤＧと接触することのないように、ダイシング溝ＤＧのサイズを定めるとともに刃渡り方向に垂直な断面における刃先３０２ａのなす角である刃先角θを定める必要がある。通常は、後述する第２のブレイク手法に比して、ダイシング溝ＤＧのサイズを相対的に大きく、かつ、刃先角θを相対的に小さくすることになる。   When performing the break by the first breaking method as described above, the cutting edge 302a is kept in the dicing groove until the cutting edge 302 abuts at least the bottom portion DG1 of the dicing groove DG when the breaking blade 302 is lowered. In order not to come into contact with DG, it is necessary to determine the size of the dicing groove DG and to determine the blade edge angle θ which is the angle formed by the blade edge 302a in the cross section perpendicular to the blade crossing direction. Usually, the size of the dicing groove DG is relatively large and the cutting edge angle θ is relatively small as compared with a second breaking method described later.

（第２のブレイク手法）
図９は、第２のブレイク手法を示すための図である。第２のブレイク手法は、図７において矢印ＡＲ９にて示したようにブレイク刃３０２を鉛直方向において下降させていくことでやがて生じる、ダイシング溝ＤＧに対するブレイク刃３０２の当接が、まず最初に図９（ａ）に示すように刃先３０２ａの２つの側面３０２ｂのそれぞれとダイシング溝ＤＧの対応する開口端部ＤＧ２との間でなされるようにしたうえで、分断を進行させるというものである。ここで、ダイシング溝ＤＧの開口端部ＤＧ２とは、シリコン基板２の表面におけるダイシング溝ＤＧのエッジ部分である。 (Second break method)
FIG. 9 is a diagram for illustrating the second break technique. In the second breaking method, first, the contact of the breaking blade 302 with the dicing groove DG, which is caused by lowering the breaking blade 302 in the vertical direction as indicated by an arrow AR9 in FIG. As shown in FIG. 9 (a), the cutting is performed after each of the two side surfaces 302b of the blade edge 302a and the corresponding opening end DG2 of the dicing groove DG. Here, the opening end portion DG2 of the dicing groove DG is an edge portion of the dicing groove DG on the surface of the silicon substrate 2.

具体的には、図９（ｂ）において矢印ＡＲ２１として示すように、刃先３０２ａの側面３０２ｂがダイシング溝ＤＧの開口端部ＤＧ２に当接した後もブレイク刃３０２を所定の力で鉛直下方に押し下げていくと、刃先３０２ａの２つの側面３０２ｂのそれぞれが、矢印ＡＲ２２にて示すように、斜め方向において接触しているダイシング溝ＤＧの対応する開口端部ＤＧ２に対し、分割予定位置Ａに対して対称でかつ互いに離反する向きの力を作用させる。   Specifically, as shown by an arrow AR21 in FIG. 9B, even after the side surface 302b of the blade edge 302a contacts the opening end DG2 of the dicing groove DG, the break blade 302 is pushed down vertically with a predetermined force. As shown, each of the two side surfaces 302b of the blade edge 302a has an opening portion DG2 corresponding to the dicing groove DG that is in contact in the oblique direction with respect to the planned division position A, as indicated by an arrow AR22. Apply forces that are symmetrical and away from each other.

係る態様にて開口端部ＤＧ２が力を受けると、矢印ＡＲ２３にて示すように、接着層３のダイシング溝ＤＧが形成されていない箇所において、分断進行予定位置Ｂに対して対称に、相反する向きの力が生じる。ブレイク刃３０２の押し下げが進むほど係る力は大きくなり、やがて、接着層３はダイシング溝ＤＧの底部ＤＧ１から矢印ＡＲ２４に示す鉛直下方に向けて引き裂かれていく。その結果、接着層３には分断進行予定位置Ｂに沿った亀裂ＣＲ１が形成される。亀裂ＣＲ１は、最終的には接着層３とガラス基板１との界面にまで到達する。   When the opening end portion DG2 receives a force in such a manner, as indicated by an arrow AR23, the portion of the adhesive layer 3 where the dicing groove DG is not formed is symmetric with respect to the planned division progress position B. Directional force is generated. As the break blade 302 is pushed down, the force increases. Eventually, the adhesive layer 3 is torn from the bottom DG1 of the dicing groove DG toward the vertically downward direction indicated by the arrow AR24. As a result, a crack CR1 is formed in the adhesive layer 3 along the planned division progress position B. The crack CR1 finally reaches the interface between the adhesive layer 3 and the glass substrate 1.

係る亀裂ＣＲ１の形成の後も、ブレイク刃３０２を鉛直下方に押し下げていくと、ブレイク刃３０２が貼り合わせ基板１０に対し与える力は、貼り合わせ基板１０を弾性体たる支持部３０１に対し分割予定位置Ａに沿って押し込む力として作用する。それゆえ、第１のブレイク手法の場合と同様、貼り合わせ基板１０は、矢印ＡＲ２５にて示すように支持部３０１から鉛直上向きの反発力を受けることになる。従って、貼り合わせ基板１０のガラス基板１側においては、３点曲げの状況が実現され、矢印ＡＲ２６にて示すように、垂直クラックＣＲ２が、スクライブラインＳＬから分断進行予定位置Ｂに沿って鉛直上方へと伸展していく。最終的に、垂直クラックＣＲ２が接着層３とガラス基板１との界面に到達すると、分断は完了する。すなわち、貼り合わせ基板１０は、図９（ｃ）に示すように２つの個片１０ａに分割されたことになる。   Even after the formation of the crack CR1, when the break blade 302 is pushed down vertically, the force applied to the bonded substrate 10 by the break blade 302 is scheduled to be divided with respect to the support portion 301 that is an elastic body. It acts as a force for pushing along the position A. Therefore, as in the case of the first break method, the bonded substrate 10 receives a vertically upward repulsive force from the support portion 301 as indicated by an arrow AR25. Therefore, on the glass substrate 1 side of the bonded substrate 10, a three-point bending situation is realized, and as indicated by an arrow AR26, the vertical crack CR2 extends vertically upward from the scribe line SL along the planned division progress position B. Extend to the back. Finally, when the vertical crack CR2 reaches the interface between the adhesive layer 3 and the glass substrate 1, the division is completed. That is, the bonded substrate 10 is divided into two pieces 10a as shown in FIG. 9C.

以上のような第２のブレイク手法でのブレイクを行う場合、ブレイク刃３０２を下降させた際に刃先３０２ａの先端とダイシング溝ＤＧとの底部ＤＧ１とが当接するよりも先に、刃先３０２ａの側面３０２ｂとダイシング溝ＤＧの開口端部ＤＧ２とが接触するように、ダイシング溝ＤＧのサイズを定めるとともに刃先角θを定める必要がある。通常は、上述した第１のブレイク手法に比して、ダイシング溝ＤＧのサイズを相対的に小さく、かつ、刃先角θを相対的に大きくすることになる。加えて、ダイシング溝ＤＧの底部ＤＧ１と接着層３との距離ｄについても、ブレイク刃３０２の押し込み量とのバランスを考慮して定める必要がある。距離ｄが大きすぎると、亀裂ＣＲ１が接着層３とガラス基板１との界面まで到達しなくなる可能性があるためである。   When performing the break by the second break method as described above, the side surface of the blade edge 302a is moved before the tip of the blade edge 302a and the bottom portion DG1 of the dicing groove DG abut when the break blade 302 is lowered. It is necessary to determine the size of the dicing groove DG and the blade edge angle θ so that 302b and the opening end DG2 of the dicing groove DG are in contact with each other. Usually, the size of the dicing groove DG is relatively small and the blade edge angle θ is relatively large as compared with the first breaking method described above. In addition, it is necessary to determine the distance d between the bottom portion DG1 of the dicing groove DG and the adhesive layer 3 in consideration of the balance with the pushing amount of the break blade 302. This is because if the distance d is too large, the crack CR1 may not reach the interface between the adhesive layer 3 and the glass substrate 1.

なお、第１のブレイク手法と第２のブレイク手法の使い分けは、接着層３の材質（組成、粘性、弾性など）を考慮して選択するのが好適である。例えば、接着層３の粘性が高い場合には、ブレイク刃３０２による切り裂きが好適に進行しにくい傾向があるため、第１のブレイク手法よりも第２のブレイク手法を適用した方が、分断は好適に行える可能性が高い。   Note that it is preferable to select the first break method and the second break method in consideration of the material (composition, viscosity, elasticity, etc.) of the adhesive layer 3. For example, when the viscosity of the adhesive layer 3 is high, the tearing by the break blade 302 tends to be less likely to proceed appropriately. Therefore, it is preferable to apply the second break method to the first break method. There is a high possibility that it can be done.

あるいは、ブレイク当初は第１のブレイク手法に相当する手法にて分断を進行させ、その後、刃先３０２ａの側面３０２ｂをダイシング溝ＤＧの開口端部ＤＧ２に当接させる状態についても実現しつつ、ブレイクを進行させるようにしてもよい。   Alternatively, at the beginning of the break, the cutting is advanced by a method corresponding to the first break method, and then the break is made while realizing the state in which the side surface 302b of the blade edge 302a is brought into contact with the opening end portion DG2 of the dicing groove DG. You may make it progress.

以上、説明したように、本実施の形態によれば、シリコン基板とガラス基板とを接着層にて貼り合わせてなる貼り合わせ基板の分割を、ガラス基板側の分割予定位置にスクライブラインを形成し、かつ、シリコン基板側の分割予定位置に接着層にまで達するダイシング溝を形成したうえで、ブレイクによってスクライブラインとダイシング溝との間において分断を進行させることによって行うようにすることで、当該貼り合わせ基板を好適に分割することができる。ガラス基板をダイシングすることがないので、ガラス基板にチッピングが生じることが抑制され、また、生産性の向上やコストの低減が実現される。また、接着層とガラス基板との間に水が侵入することもない。   As described above, according to the present embodiment, the division of the bonded substrate obtained by bonding the silicon substrate and the glass substrate with the adhesive layer is performed, and the scribe line is formed at the planned division position on the glass substrate side. In addition, a dicing groove reaching the adhesive layer is formed at the planned division position on the silicon substrate side, and then the bonding is performed by advancing the division between the scribe line and the dicing groove by the break. The laminated substrate can be suitably divided. Since the glass substrate is not diced, the occurrence of chipping on the glass substrate is suppressed, and the productivity is improved and the cost is reduced. Further, water does not enter between the adhesive layer and the glass substrate.

１ ガラス基板
１ａ （ガラス基板の）主面
２ シリコン基板
２ａ （シリコン基板の）主面
３ 接着層
４ 上部層
１０ 貼り合わせ基板
１０ａ 個片
１０１ スクライビングホイール
２０１ ダイシングブレード
３００ ブレイク装置
３０１ 支持部
３０１ａ （支持部の）上面
３０２ ブレイク刃
３０２ａ （ブレイク刃の）刃先
３０２ｂ （刃先の）側面
Ａ 分割予定位置
Ｂ 分断進行予定位置
ＣＲ、ＣＲ２ 垂直クラック
ＣＲ１ 亀裂
ＤＧ ダイシング溝
ＤＧ１ （ダイシング溝の）底部
ＤＧ２ （ダイシング溝）開口端部
ＳＢ 半田ボール
ＳＬ スクライブライン DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Glass substrate 1a Main surface (of glass substrate) 2 Silicon substrate 2a (Silicon substrate) main surface 3 Adhesive layer 4 Upper layer 10 Bonded substrate 10a Piece 101 Scribing wheel 201 Dicing blade 300 Breaking device 301 Support part 301a (Support) Top surface 302 Break blade 302a (Blade blade) blade edge 302b (Blade blade) side surface A Divided position B Divided progress position CR, CR2 Vertical crack CR1 Crack DG Dicing groove DG1 (Dicing groove) Bottom DG2 (Dicing groove) ) Open end SB Solder ball SL Scribe line

Claims (6)

シリコン基板とガラス基板とを接着層にて貼り合わせてなる貼り合わせ基板を所定の分割予定位置において分割する方法であって、
前記貼り合わせ基板の一方主面をなす前記ガラス基板の一主面における前記分割予定位置に、所定のスクライブツールによってスクライブラインを形成するスクライブライン形成工程と、
前記貼り合わせ基板の他方主面をなす前記シリコン基板の一主面における前記分割予定位置において、前記シリコン基板の前記一主面から前記接着層の途中までにかけて所定の溝部形成手段にて溝部を形成するダイシング溝形成工程と、
前記スクライブラインと前記溝部とが形成されてなる前記貼り合わせ基板を、前記スクライブラインと前記溝部との間でブレイクするブレイク工程と、
を備え、
前記ブレイク工程においては、前記貼り合わせ基板を、前記シリコン基板の側が最上部となり、前記ガラス基板の側が最下部となるように、弾性体からなる支持部の上面に載置した状態で、前記シリコン基板の上方から前記分割予定位置に対しブレイク刃を当接させ、さらに押し下げることによって、前記貼り合わせ基板を分断することを特徴とする、貼り合わせ基板の分割方法。 A method of dividing a bonded substrate formed by bonding a silicon substrate and a glass substrate with an adhesive layer at a predetermined division position,
A scribe line forming step of forming a scribe line with a predetermined scribe tool at the division planned position on one main surface of the glass substrate forming one main surface of the bonded substrate;
A groove is formed by a predetermined groove forming means from the one main surface of the silicon substrate to the middle of the adhesive layer at the planned division position on one main surface of the silicon substrate forming the other main surface of the bonded substrate. A dicing groove forming step,
A breaking step of breaking the bonded substrate in which the scribe line and the groove are formed, between the scribe line and the groove;
Equipped with a,
In the breaking step, the bonded substrate is placed on the upper surface of the support portion made of an elastic body so that the silicon substrate side is the uppermost portion and the glass substrate side is the lowermost portion. the dividing position from above the substrate to abut the break edge, by further depressing, characterized that you divide the bonded substrate, bonding method of the divided substrate. 請求項１に記載の貼り合わせ基板の分割方法であって、
前記ブレイク工程においては、前記ブレイク刃を前記溝部の底部に当接させたうえでさらに押し下げることによって、前記ブレイク刃によって前記接着層を切り裂きつつ前記スクライブラインから垂直クラックを伸展させることで前記貼り合わせ基板を分断する、
ことを特徴とする、貼り合わせ基板の分割方法。 A method for dividing a bonded substrate board according to claim 1 ,
In the breaking step, the bonding is performed by extending the vertical crack from the scribe line while tearing the adhesive layer by the break blade by further pressing down the break blade after contacting the bottom of the groove. Dividing the board,
A method for dividing a bonded substrate board, comprising: 請求項１に記載の貼り合わせ基板の分割方法であって、
前記ブレイク工程においては、前記ブレイク刃の刃先側面を前記シリコン基板の前記一主面における前記溝部の開口端部に当接させたうえでさらに押し下げることによって、前記接着層を引き裂くとともに前記スクライブラインから垂直クラックを伸展させることで前記貼り合わせ基板を分断する、
ことを特徴とする、貼り合わせ基板の分割方法。 A method for dividing a bonded substrate board according to claim 1 ,
In the breaking step, the side surface of the break blade is brought into contact with the opening end portion of the groove portion in the one main surface of the silicon substrate and further pressed down to tear the adhesive layer and from the scribe line. Dividing the bonded substrate by extending vertical cracks,
A method for dividing a bonded substrate board, comprising: 請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の貼り合わせ基板の分割方法であって、
前記所定のスクライブツールがスクライビングホイールである、
ことを特徴とする、貼り合わせ基板の分割方法。 A method for dividing a bonded substrate board according to any one of claims 1 to 3 ,
The predetermined scribe tool is a scribing wheel;
A method for dividing a bonded substrate board, comprising: 請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の貼り合わせ基板の分割方法であって、
前記所定の溝部形成手段がダイサーである、
ことを特徴とする、貼り合わせ基板の分割方法。 A method for dividing a bonded substrate board according to any one of claims 1 to 4 ,
The predetermined groove forming means is a dicer;
A method for dividing a bonded substrate board, comprising: シリコン基板とガラス基板とを接着層にて貼り合わせてなる貼り合わせ基板を所定の分割予定位置において分割する分割装置であって、
前記貼り合わせ基板の一方主面をなす前記ガラス基板の一主面における前記分割予定位置に、所定のスクライブツールによってスクライブラインを形成するスクライブライン形成ユニットと、
前記貼り合わせ基板の他方主面をなす前記シリコン基板の一主面における前記分割予定位置において、前記シリコン基板の前記一主面から前記接着層の途中までにかけて所定の溝部形成手段にて溝部を形成するダイシング溝形成ユニットと、
前記スクライブラインと前記溝部とが形成されてなる前記貼り合わせ基板を、前記スクライブラインと前記溝部との間でブレイクするブレイクユニットと、
を備え、
前記ブレイクユニットにおいては、前記貼り合わせ基板を、前記シリコン基板の側が最上部となり、前記ガラス基板の側が最下部となるように、弾性体からなる支持部の上面に載置した状態で、前記シリコン基板の上方から前記分割予定位置に対しブレイク刃を当接させ、さらに押し下げることによって、前記貼り合わせ基板を分断することを特徴とする、貼り合わせ基板の分割装置。
A dividing device that divides a bonded substrate formed by bonding a silicon substrate and a glass substrate with an adhesive layer at a predetermined division position,
A scribe line forming unit that forms a scribe line with a predetermined scribe tool at the division planned position on one main surface of the glass substrate that forms one main surface of the bonded substrate;
A groove is formed by a predetermined groove forming means from the one main surface of the silicon substrate to the middle of the adhesive layer at the planned division position on one main surface of the silicon substrate forming the other main surface of the bonded substrate. A dicing groove forming unit,
A break unit that breaks the bonded substrate in which the scribe line and the groove are formed, between the scribe line and the groove;
Equipped with a,
In the break unit, the bonded substrate is placed on the upper surface of the support portion made of an elastic body so that the silicon substrate side is the uppermost portion and the glass substrate side is the lowermost portion. the dividing position from above the substrate to abut the break edge, by further depressing, characterized that you divide the bonded substrate, the bonded substrate dividing apparatus.
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