JP6561472B2 - 半導体集積回路の遅延見積プログラム、方法及び装置 - Google Patents
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Description
(実験1)
セル2cが2並列インバーターの場合、遅延見積誤差は1.3%であった。
(実験2)
セル2cが26並列インバーターの場合、遅延見積誤差は8.6%であった。
(特徴1)
図5の左側のグラフ7aで、ランプ電圧源21の特徴が表される。グラフ7aは、縦軸に電圧を示し、横軸に時間を示した、電圧Vin及び電圧Voutの時間経過により変化させる例を直線で表したグラフである。
(特徴2)
図5の右側のグラフ7bで、ランプ電圧源22の特徴が表される。グラフ7bは、縦軸に電圧を示し、横軸に時間を示した、電圧Vin及び電圧Voutの時間経過により変化させる例を直線で表したグラフである。
回路設計装置100によって行われる処理を実現するプログラムは、例えば、CD−ROM(Compact Disc Read-Only Memory)等の記憶媒体19によって回路設計装置100に提供される。
「.param vMin=-0.1
.param vMax='ve+0.1'」
の記述により指定される。
「.param k1=-1.15e11
.param k2=1.15e11」
の記述によりパラメータとして指定される。
「.param t1='(vMin-vMax)/k1'
.param t2='(vMax-vMin)/k2'」
の記述によりパラメータとして指定される。
「.param stoptime='min(t1, t2)'」
の記述により時間t1と時間t2のうち短い方の時間であることがパラメータとして指定される。
「vvin cIn 0 dc=0 pulse(vMax 'k1*stoptime+vMax' 0 stoptime stoptime '2*stoptime' '20*stoptime')
vvout cOut 0 dc=0 pulse(vMin 'stoptime*k2+vMin' 0 stoptime stoptime '2*stoptime' '20*stoptime')」
の記述により指定される。
「.alter
.param k2=1.15000e+09」
の記述により指定される。
「.alter
.param k2=4.71270e+10」
の記述により指定される。
・実験セル
26並列インバーターセル
・Post−layoutセル
Node#:2822, Cap#:2484, Res#:5071, MOSFET#:52
・実験条件
Sloptime:10ps, 20ps, 30ps
Cap Load:0, 1f, 2f, 5f, 10f, 20f
である。
最大誤差:8.6% −> 4.4%
平均誤差:4.9% −> 0.4%
の結果を得た。
(付記1)
セルの電流源モデルに抵抗素子を追加して、
前記セルの入力側に第1のランプ電圧源を接続し、出力側に第2のランプ電圧源を接続した、
前記セルのシミュレーション用の回路モデル。
(付記2)
前記第1のランプ電圧源は、固定の電圧変化量で前記セルの前記入力側を印加し、
前記第2のランプ電圧源は、前記第1のランプ電圧源による電圧印加の開始毎に、異なる電圧変化量で前記セルの前記出力側を印加する
ことを特徴とする付記1記載の回路モデル。
(付記3)
前記第2のランプ電圧源は、固定の電圧変化量で前記セルの前記出力側を印加し、 前記第1のランプ電圧源は、前記第2のランプ電圧源による電圧印加の開始毎に、異なる電圧変化量で前記セルの前記入力側を印加する
ことを特徴とする付記1又は2記載の回路モデル。
(付記4)
第1の電流源モデルを用いてセルのシミュレーションを行って、該第1の電流源モデルの各素子の値を同定し、
前記セルの入力側に第1のランプ電圧源を接続し、出力側に第2のランプ電圧源を接続した回路モデルに対して、前記シミュレーションによって同定された電流の値を初期値として用いることで、抵抗の値を取得し、前記第1の電流源モデルに前記抵抗を追加した第2の電流源モデルに、取得した前記抵抗の値を適用することで、該第2の電流源モデルの容量を取得する処理を、収束条件を満たすまで繰り返して該抵抗の値を同定する
処理をコンピュータが行う半導体集積回路の遅延見積方法。
(付記5)
前記第1のランプ電圧源は、固定の電圧変化量で前記セルの前記入力側を印加し、
前記第2のランプ電圧源は、前記第1のランプ電圧源による電圧印加の開始毎に、異なる電圧変化量で前記セルの前記出力側を印加する
ことを特徴とする付記4記載の遅延見積方法。
(付記6)
前記第2のランプ電圧源は、固定の電圧変化量で前記セルの前記出力側を印加し、 前記第1のランプ電圧源は、前記第2のランプ電圧源による電圧印加の開始毎に、異なる電圧変化量で前記セルの前記入力側を印加する
ことを特徴とする付記4又は5記載の遅延見積方法。
(付記7)
第1の電流源モデルを用いてセルのシミュレーションを行って、該第1の電流源モデルの各素子の値を同定するシミュレーション部と、
前記セルの入力側に第1のランプ電圧源を接続し、出力側に第2のランプ電圧源を接続した回路モデルに対して、前記シミュレーションによって同定された電流の値を初期値として用いることで、抵抗の値を取得し、前記第1の電流源モデルに前記抵抗を追加した第2の電流源モデルに、取得した前記抵抗の値を適用することで、該第2の電流源モデルの容量を取得する処理を、収束条件を満たすまで繰り返して該抵抗の値を同定するパラメータ同定部と
を有する半導体集積回路の遅延見積装置。
(付記8)
前記第1のランプ電圧源は、固定の電圧変化量で前記セルの前記入力側を印加し、
前記第2のランプ電圧源は、前記第1のランプ電圧源による電圧印加の開始毎に、異なる電圧変化量で前記セルの前記出力側を印加する
ことを特徴とする付記7記載の遅延見積装置。
(付記9)
前記第2のランプ電圧源は、固定の電圧変化量で前記セルの前記出力側を印加し、 前記第1のランプ電圧源は、前記第2のランプ電圧源による電圧印加の開始毎に、異なる電圧変化量で前記セルの前記入力側を印加する
ことを特徴とする付記7又は8記載の遅延見積装置。
3a Idc取得回路モデル、 3b Cm取得回路モデル
3c Cm+Co取得回路モデル
11 CPU、 12 主記憶装置
13 補助記憶装置、 14 入力装置
15 表示装置、 17 通信I/F
18 ドライブ装置、 19 記憶媒体
41 シミュレーション部、 42 パラメータ同定部
43 遅延見積部
51 PDK、 52 セルライブラリ
53 ネットリスト
61 シミュレーション結果、 62 パラメータデータ
63 遅延見積結果
100 回路設計装置
B バス
T1、T10 電流源トポロジー
Claims (3)
- 論理セルの第1の電流源モデルを用いて前記論理セルのシミュレーションを行って、前記第1の電流源モデルの入力側静電容量、出力側静電容量及び電流源の電流値を同定し、
前記第1の電流源モデルの入力側静電容量と電流源との間に抵抗素子が追加されて構成される前記論理セルの第2の電流源モデルに、さらに入力側に第1のランプ電圧源を接続し、出力側に第2のランプ電圧源を接続してなる回路モデルに対して、前記シミュレーションによって同定された電流値を電流源の電流の初期値に設定し、前記各ランプ電圧源の電圧を所定の変化量で変化させながらシミュレーションを行うことにより前記抵抗素子の値を同定し、
前記回路モデルに対して、前記同定した抵抗素子の値を適用して、前記入力側静電容量及び出力側静電容量の値を取得し、
前記電流源の電流値を更新しながら、前記抵抗素子、入力側静電容量及び出力側静電容量の値が収束するまで、前記回路モデルによる前記抵抗素子の値の同定処理及び前記入力側静電容量及び出力側静電容量の値の取得処理を繰り返し、
前記収束した抵抗素子、入力側静電容量及び出力側静電容量の値を用いて前記論理セルの遅延を求める見積を行う、
処理をコンピュータに行わせる半導体集積回路の遅延見積プログラム。 - 論理セルの第1の電流源モデルを用いて前記論理セルのシミュレーションを行って、前記第1の電流源モデルの入力側静電容量、出力側静電容量及び電流源の電流値を同定し、
前記第1の電流源モデルの入力側静電容量と電流源との間に抵抗素子が追加されて構成される前記論理セルの第2の電流源モデルに、さらに入力側に第1のランプ電圧源を接続し、出力側に第2のランプ電圧源を接続してなる回路モデルに対して、前記シミュレーションによって同定された電流値を電流源の電流の初期値に設定し、前記各ランプ電圧源の電圧を所定の変化量で変化させながらシミュレーションを行うことにより前記抵抗素子の値を同定し、
前記回路モデルに対して、前記同定した抵抗素子の値を適用して、前記入力側静電容量及び出力側静電容量の値を取得し、
前記電流源の電流値を更新しながら、前記抵抗素子、入力側静電容量及び出力側静電容量の値が収束するまで、前記回路モデルによる前記抵抗素子の値の同定処理及び前記入力側静電容量及び出力側静電容量の値の取得処理を繰り返し、
前記収束した抵抗素子、入力側静電容量及び出力側静電容量の値を用いて前記論理セルの遅延を求める見積を行う、
処理をコンピュータが行う半導体集積回路の遅延見積方法。 - 論理セルの第1の電流源モデルを用いて前記論理セルのシミュレーションを行って、前記第1の電流源モデルの入力側静電容量、出力側静電容量及び電流源の電流値を同定するシミュレーション部と、
前記第1の電流源モデルの入力側静電容量と電流源との間に抵抗素子が追加されて構成される前記論理セルの第2の電流源モデルに、さらに入力側に第1のランプ電圧源を接続し、出力側に第2のランプ電圧源を接続してなる回路モデルに対して、前記シミュレーションによって同定された電流値を電流源の電流の初期値に設定し、前記各ランプ電圧源の電圧を所定の変化量で変化させながらシミュレーションを行うことにより前記抵抗素子の値を同定し、前記回路モデルに対して、前記同定した抵抗素子の値を適用して、前記入力側静電容量及び出力側静電容量の値を取得し、前記電流源の電流値を更新しながら、前記抵抗素子、入力側静電容量及び出力側静電容量の値が収束するまで、前記回路モデルによる前記抵抗素子の値の同定処理及び前記入力側静電容量及び出力側静電容量の値の取得処理を繰り返すパラメータ同定部と、
前記収束した抵抗素子、入力側静電容量及び出力側静電容量の値を用いて前記論理セルの遅延を求める見積を行う遅延見積部と
を有する半導体集積回路の遅延見積装置。
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