JP6604069B2 - 半導体集積回路の遅延見積方法、プログラム、及び回路設計装置 - Google Patents
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Description
(1)線形遅延モデル
(2)SPICE(Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis)シミュレーションモデル
(3)電流源モデル
等が存在する。
(a)0<−>1遷移である
例えば、0VからVDD+αへの遷移、VDD+αから0Vへの遷移である。αは、オーバーシュート応答である。
(b)負荷も任意ではない
基本的にセルライブラリにあるセルの入力が前段の出力である。つまり、セル間の接続は制限されている。
(c)データ遷移時間が限られている
ある設計において、0VからVDDまでの遷移時間は0.5ps〜60psの範囲である。
・Idc=f_idc(vin, vout):従来手法で同定されたIdc値
・Co=f_co(vin, vout):従来手法で同定されたCo値
・Cm_past=f_cmpast(vin, vout):従来手法で同定されたCm値
・f_Δcm(vin, vout, vin'):本実施例の手法で同定されたCmの補正値、vin':入力電圧vinの微分値
・Cm=Cm_past+ΔCm:補正されたCm値
である。
Δt=t1−t0
で示され、Δ5は、学習データ54におけるタイムステップ値に相当する。また、
Δvo=vout_t1−vout_t0
Δvin=vin_t1−vin_t0
で示される。更に、
Idc_tは、既知の技術で同定された時刻t1における電流源の電流値であり、
Cloadは、与えられた負荷容量を示し、
Cmpo_モデルは、既知の技術で同定された容量Cmと容量Coの合計値(Cm+Co)を示す。上記は、任意の時刻tiから時刻ti+1においても同様である。
(付記1)
時間毎の入力電圧と出力電圧とを記憶した学習データを用いて、セルの電流源モデルに入力電圧を与えることにより得られた出力電圧と学習データの出力電圧に近似されるように、該電流源モデルの1以上のパラメータの値を補正する補正モデルを生成し、
時間毎に入力される入力電圧に対して、前記補正モデルによって補正されたパラメータ値を前記電流源モデルに適用することで、セルの遅延を算出する
処理をコンピュータが行う半導体集積回路の遅延見積方法。
(付記2)
前記コンピュータは、
少なくともミラー容量の値を補正する前記補正モデルを生成する
ことを特徴とする付記1記載の半導体集積回路の遅延見積方法。
(付記3)
前記学習データは、更に、時間毎のミラー容量の電圧値を記録し、
前記コンピュータは、
前記電流源モデルのミラー容量の電圧値と、前記学習データのミラー容量の電圧値との差を算出する前記補正モデルを生成する
ことを特徴とする付記2記載の半導体集積回路の遅延見積方法。
(付記4)
前記コンピュータは、
プロセスデザインキットとセルライブラリとを用いて、前記電流源モデルのパラメータを同定し、また、半導体集積回路のセル毎の動作をシミュレーションする
処理を行うことを特徴とする付記1乃至3のいずれか一項記載の半導体集積回路の遅延見積方法。
(付記5)
時間毎の入力電圧と出力電圧とを記憶した学習データを用いて、セルの電流源モデルに入力電圧を与えることにより得られた出力電圧と学習データの出力電圧に近似されるように、該電流源モデルの1以上のパラメータの値を補正する補正モデルを生成し、
時間毎に入力される入力電圧に対して、前記補正モデルによって補正されたパラメータ値を前記電流源モデルに適用することで、セルの遅延を算出する
処理をコンピュータに実行させる半導体集積回路の遅延見積プログラム。
(付記6)
時間毎の入力電圧と出力電圧とを記憶した学習データを用いて、セルの電流源モデルに入力電圧を与えることにより得られた出力電圧と学習データの出力電圧に近似されるように、該電流源モデルの1以上のパラメータの値を補正する補正モデルを生成する補正モデル生成部、
時間毎に入力される入力電圧に対して、前記補正モデルによって補正されたパラメータ値を前記電流源モデルに適用することで、セルの遅延を算出する遅延算出部と
を有することを特徴とする回路設計装置。
1b 理想応答
1c 実際応答
2 セル
11 CPU、 12 主記憶装置
13 補助記憶装置、 14 入力装置
15 表示装置、 17 通信I/F
18 ドライブ装置、 19 記憶媒体
40 シミュレーション部
41 電流源モデル同定データ生成部、 42 学習データ生成部
43 モデル生成部、 44 電流源モデル生成部
45 補正モデル生成部、 46 モデル保存部
47 遅延見積部
48 モデル読出部、 49 遅延見積計算部
51 PDK、 52 セルライブラリ
53 パラメータ、 54 学習データ
6a 電流源モデル、 6b 補正モデル
56 セル入力電圧値、 57 見積遅延値
100 回路設計装置
130 記憶部
B バス
Claims (5)
- 時間毎の入力電圧と出力電圧とを記憶した学習データを用いて、論理セルの電流源モデルに時間毎の入力電圧を与えることにより得られた出力電圧が、学習データの前記時間毎の入力電圧に対応する出力電圧に近似されるように、該電流源モデルの1以上のパラメータの値を補正する補正モデルを生成し、
時間毎に入力される入力電圧に対して、前記補正モデルによって補正されたパラメータ値を前記電流源モデルに適用することで、前記論理セルの遅延を算出する
処理をコンピュータが行う半導体集積回路の遅延見積方法。 - 前記コンピュータは、
少なくともミラー容量の値を補正する前記補正モデルを生成する
ことを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路の遅延見積方法。 - 前記学習データは、更に、時間毎のミラー容量の電圧値を記録し、
前記コンピュータは、
前記電流源モデルのミラー容量の電圧値と、前記学習データのミラー容量の電圧値との差を算出し、当該算出した差に基づきミラー容量の値を補正する前記補正モデルを生成する
ことを特徴とする請求項2記載の半導体集積回路の遅延見積方法。 - 時間毎の入力電圧と出力電圧とを記憶した学習データを用いて、論理セルの電流源モデルに時間毎の入力電圧を与えることにより得られた出力電圧が、学習データの前記時間毎の入力電圧に対応する出力電圧に近似されるように、該電流源モデルの1以上のパラメータの値を補正する補正モデルを生成し、
時間毎に入力される入力電圧に対して、前記補正モデルによって補正されたパラメータ値を前記電流源モデルに適用することで、前記論理セルの遅延を算出する
処理をコンピュータに実行させる半導体集積回路の遅延見積プログラム。 - 時間毎の入力電圧と出力電圧とを記憶した学習データを用いて、論理セルの電流源モデルに時間毎の入力電圧を与えることにより得られた出力電圧が、学習データの前記時間毎の入力電圧に対応する出力電圧に近似されるように、該電流源モデルの1以上のパラメータの値を補正する補正モデルを生成する補正モデル生成部、
時間毎に入力される入力電圧に対して、前記補正モデルによって補正されたパラメータ値を前記電流源モデルに適用することで、前記論理セルの遅延を算出する遅延算出部と
を有することを特徴とする回路設計装置。
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---|---|---|---|
JP2015144960A JP6604069B2 (ja) | 2015-07-22 | 2015-07-22 | 半導体集積回路の遅延見積方法、プログラム、及び回路設計装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2015144960A JP6604069B2 (ja) | 2015-07-22 | 2015-07-22 | 半導体集積回路の遅延見積方法、プログラム、及び回路設計装置 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017027352A JP2017027352A (ja) | 2017-02-02 |
JP6604069B2 true JP6604069B2 (ja) | 2019-11-13 |
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Family Applications (1)
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JP2015144960A Active JP6604069B2 (ja) | 2015-07-22 | 2015-07-22 | 半導体集積回路の遅延見積方法、プログラム、及び回路設計装置 |
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-
2015
- 2015-07-22 JP JP2015144960A patent/JP6604069B2/ja active Active
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