JP6551508B2 - 半導体発光素子および表示装置 - Google Patents
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Description
前記第1導電型層は、電流の注入領域が狭窄するように構成された電流狭窄構造を有する。前記電流狭窄構造の長手方向が前記反対端から前記光出射端への一方向に沿って設けられる。
前記活性層は、前記第1導電型層および前記第2導電型層の間に設けられている。
前記第1電極層および第2電極層は、前記第1導電型層および前記第2導電型層にそれぞれ接触している。
前記電流狭窄構造は、広がり領域を有する。前記広がり領域は、前記第1導電型層の表面に沿う方向における前記電流狭窄構造の幅が、所定の位置から前記一方向において前記光出射端に向かうにしたがって広がるように設けられている。
前記第1電極層は、電極領域を有する。電極領域は、前記第1導電型層の表面に沿う方向の幅が、前記広がり領域の前記幅より狭い幅でなるように、少なくとも前記広がり領域上に設けられている。
このような構成によれば、これまでの広い発光スぺクトル幅を維持しながら、高出力化を実現することができる。特に、第1電極層が、広がり領域の幅より狭い幅を有する広がり電極領域を有するので、電流および光の相互作用の効率を高めることができ、高出力化に寄与する。
これにより、光出射端側で光エネルギー密度を下げることができ、光出射端付近が高温になることを回避することができる。
すなわち、広がり領域の光出射端側の端と、光出射端とが一致することにより、電流および光の相互作用の高効率化に寄与する。
特に、前記電流狭窄構造は、第1領域と、第2領域とを有する。前記第1領域は、前記一方向における第1の位置から第2の位置までの間に設けられている。前記第2領域は、前記第2の位置から前記光出射端までの間に設けられた、前記第1導電型層の表面に沿う方向における前記第1領域の幅より広い幅を有する。
前記第1電極層は、前記第1導電型層の表面に沿う方向の幅が、前記第2領域の前記幅より狭い幅でなるように、少なくとも前記第2領域上に設けられた電極領域を有する。
特に、前記活性層の前記光導波路は、前記活性層の表面に沿う方向における前記光導波路の幅が、所定の位置から前記一方向において前記光出射端に向かうにしたがって広がるように設けられた広がり領域を有する。
前記第1電極層は、前記第1活性層の表面に沿う方向の幅が、前記広がり領域の前記幅より狭い幅でなるように、少なくとも前記広がり領域上に設けられた電極領域を有する。
特に、前記活性層の前記光導波路は、第1領域と、第2領域とを有する。前記第1の領域は、前記一方向における第1の位置から第2の位置までの間に設けられている。前記第2の領域は、前記第2の位置から前記光出射端までの間に設けられた、前記第1導電型層の表面に沿う方向における前記第1領域の幅より広い幅を有する。
前記第1電極層は、前記第1導電型層の表面に沿う方向の幅が、前記第2領域の前記幅より狭い幅でなるように、少なくとも前記第2領域上に設けられた電極領域を有する。
なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれかの効果であってもよい。
λ:光の波長
w0:広がり領域32bの起点の幅(最小幅)の1/2
n:活性層20の屈折率
さらに、このSLD100の特徴は、図1Bに示すように、第1電極層11の少なくとも広がり電極領域11bの幅w2が、電流狭窄構造32の広がり領域32bの幅w1より狭く設計されていることである。
図7Aは、本実施形態に係るリッジ部10を備えるSLD100の光導波路LWでの自然放出光の強度分布のシミュレーションを示す。図7Bは、同様に自然放出光の強度分布のシミュレーションを示すが、電流狭窄構造32および第1電極層11が広がり領域32bおよび広がり電極領域11bのそれぞれの広がり角が大き過ぎる場合の光強度分布を示す。なお、これらの光強度分布は、自然放出光のみの光強度分布を表しており、光増幅後の光強度分布ではないことに注意する必要がある。
以上のように、本実施形態に係るSLD100では、第1導電型層13の電流狭窄構造32が広がり領域32bを有する。このようなリッジ部10の構造により、これまでの広い発光スぺクトル幅を維持しながら、高出力化を実現することができる。
高出力の光を得るためには、a)SLDに電流を多く注入する、b)光導波路長を長くする、c)リッジ幅を大きくする等の手段が考えられる。しかしながら、これらの手段ではいずれも以下のような問題がある。
(1)
光出射端と、その反対端とを備える半導体発光素子であって、
電流の注入領域が狭窄するように構成された電流狭窄構造を有し、前記電流狭窄構造の長手方向が前記反対端から前記光出射端への一方向に沿って設けられるように構成された第1導電型層と、
第2導電型層と、
前記第1導電型層および前記第2導電型層の間に設けられた活性層と、
前記第1導電型層および前記第2導電型層にそれぞれ接触する第1電極層および第2電極層とを具備し、
前記電流狭窄構造は、前記第1導電型層の表面に沿う方向における前記電流狭窄構造の幅が、所定の位置から前記一方向において前記光出射端に向かうにしたがって広がるように設けられた広がり領域を有し、
前記第1電極層は、前記第1導電型層の表面に沿う方向の幅が、前記広がり領域の前記幅より狭い幅でなるように、少なくとも前記広がり領域上に設けられた電極領域を有する
半導体発光素子。
(2)
前記(1)に記載の半導体発光素子であって、
前記第1電極層の前記電極領域は、前記幅が前記一方向において前記光出射端に向かうにしたがって広がるように設けられた広がり電極領域である
半導体発光素子。
(3)
前記(1)または(2)に記載の半導体発光素子であって、
前記一方向における前記電極領域の前記光出射端側の端は、前記光出射端まで延設されている
半導体発光素子。
(4)
前記(1)から(3)のうちいずれか1項に記載の半導体発光素子であって、
前記電流狭窄構造は、前記反対端から前記所定の位置までの間に設けられた、前記広がり領域の前記幅より狭い一定幅を有する領域を有する
半導体発光素子。
(5)
前記(1)から(3)のうちいずれか1項に記載の半導体発光素子であって、
前記広がり領域は、前記反対端から前記光出射端まで延設されている
半導体発光素子。
(6)
前記(1)から(5)のうちいずれか1項に記載の半導体発光素子であって、
前記電流狭窄構造によって前記活性層に形成される、前記広がり領域下の光導波路の広がり角をθ、光の波長をλ、前記広がり領域の、前記表面に沿う方向の最小幅の1/2をw0、前記活性層の屈折率をnとすると、
θ=arctan[λ/(πw0n)]
を満たす
半導体発光素子。
(7)
前記(1)から(6)のうちいずれか1項に記載の半導体発光素子であって、
前記第1電極層の前記電極領域は、前記電流狭窄構造によって前記活性層に形成される光導波路を通る光のピーク強度の1/e2の幅より狭い幅を有する
半導体発光素子。
(8)
光出射端と、その反対端とを備える半導体発光素子であって、
電流の注入領域が狭窄するように構成された電流狭窄構造を有し、前記電流狭窄構造の長手方向が前記反対端から前記光出射端への一方向に沿って設けられるように構成された第1導電型層と、
第2導電型層と、
前記第1導電型層および前記第2導電型層の間に設けられた活性層と、
前記第1導電型層および前記第2導電型層にそれぞれ接触する第1電極層および第2電極層とを具備し、
前記電流狭窄構造は、
前記一方向における第1の位置から第2の位置までの間に設けられた第1領域と、
前記第2の位置から前記光出射端までの間に設けられた、前記第1導電型層の表面に沿う方向における前記第1領域の幅より広い幅を有する第2領域とを有し、
前記第1電極層は、前記第1導電型層の表面に沿う方向の幅が、前記第2領域の前記幅より狭い幅でなるように、少なくとも前記第2領域上に設けられた電極領域を有する
半導体発光素子。
(9)
光出射端と、その反対端とを備える半導体発光素子であって、
第1導電型層および第2導電型層と、
長手方向が前記反対端から前記光出射端への一方向に沿って設けられた光導波路を有し、前記第1導電型層および前記第2導電型層の間に設けられた活性層と、
前記第1導電型層および前記第2導電型層にそれぞれ設けられた第1電極層および第2電極層とを具備し、
前記活性層の前記光導波路は、前記活性層の表面に沿う方向における前記光導波路の幅が、所定の位置から前記一方向において前記光出射端に向かうにしたがって広がるように設けられた広がり領域を有し、
前記第1電極層は、前記第1活性層の表面に沿う方向の幅が、前記広がり領域の前記幅より狭い幅でなるように、少なくとも前記広がり領域上に設けられた電極領域を有する
半導体発光素子。
(10)
光出射端と、その反対端とを備える半導体発光素子であって、
第1導電型層および第2導電型層と、
長手方向が前記反対端から前記光出射端への一方向に沿って設けられた光導波路を有し、前記第1導電型層および前記第2導電型層の間に設けられた活性層と、
前記第1導電型層および前記第2導電型層にそれぞれ設けられた第1電極層および第2電極層とを具備し、
前記活性層の前記光導波路は、
前記一方向における第1の位置から第2の位置までの間に設けられた第1領域と、
前記第2の位置から前記光出射端までの間に設けられた、前記第1導電型層の表面に沿う方向における前記第1領域の幅より広い幅を有する第2領域とを有し、
前記第1電極層は、前記第1導電型層の表面に沿う方向の幅が、前記第2領域の前記幅より狭い幅でなるように、少なくとも前記第2領域上に設けられた電極領域を有する
半導体発光素子。
(11)
光出射端と、その反対端とを有する半導体発光素子と、
前記半導体発光素子から出射された光を2次元状にスキャン可能であり、画像データに基づき、投射される前記光による輝度を制御可能な画像生成部とを具備し、
前記半導体発光素子は、
電流の注入領域が狭窄するように構成された電流狭窄構造を有し、前記電流狭窄構造の長手方向が前記反対端から前記光出射端への一方向に沿って設けられるように構成された第1導電型層と、
第2導電型層と、
前記第1導電型層および前記第2導電型層の間に設けられた活性層と、
前記第1導電型層および前記第2導電型層にそれぞれ接触する第1電極層および第2電極層とを有し、
前記電流狭窄構造は、前記第1導電型層の表面に沿う方向における前記電流狭窄構造の幅が、所定の位置から前記一方向において前記光出射端に向かうにしたがって広がるように設けられた広がり領域を有し、
前記第1電極層は、前記第1導電型層の表面に沿う方向の幅が、前記広がり領域の前記幅より狭い幅でなるように、少なくとも前記広がり領域上に設けられた電極領域を有する
表示装置。
(12)
光出射端と、その反対端とを有する半導体発光素子と、
前記半導体発光素子から出射された光を2次元状にスキャン可能であり、画像データに基づき、投射される前記光による輝度を制御可能な画像生成部とを具備し、
前記半導体発光素子は、
電流の注入領域が狭窄するように構成された電流狭窄構造を有し、前記電流狭窄構造の長手方向が前記反対端から前記光出射端への一方向に沿って設けられるように構成された第1導電型層と、
第2導電型層と、
前記第1導電型層および前記第2導電型層の間に設けられた活性層と、
前記第1導電型層および前記第2導電型層にそれぞれ接触する第1電極層および第2電極層とを具備し、
前記電流狭窄構造は、
前記一方向における第1の位置から第2の位置までの間に設けられた第1領域と、
前記第2の位置から前記光出射端までの間に設けられた、前記第1導電型層の表面に沿う方向における前記第1領域の幅より広い幅を有する第2領域とを有し、
前記第1電極層は、前記第1導電型層の表面に沿う方向の幅が、前記第2領域の前記幅より狭い幅でなるように、少なくとも前記第2領域上に設けられた電極領域を有する
表示装置。
11a、311a、411b…直線電極領域
11b、311b、411c…広がり電極領域
13…第1導電型層
14…第2導電型層
20…活性層
32、232、332、432、532…電流狭窄構造
32a、332a、432b、532a…直線領域
32b、432b、532b…広がり領域
33…光出射端
35…反対端
70…画像生成部
100…SLD
200…表示装置
332b、432c…矩形領域
411a…第1広がり電極領域
411c…第2広がり電極領域
432c…矩形領域
Claims (7)
- 光出射端と、その反対端とを備える半導体発光素子であって、
電流の注入領域が狭窄するように構成された電流狭窄構造を有し、前記電流狭窄構造の長手方向が前記反対端から前記光出射端への一方向に沿って設けられるように構成された第1導電型層と、
第2導電型層と、
前記第1導電型層および前記第2導電型層の間に設けられた活性層と、
前記第1導電型層および前記第2導電型層にそれぞれ接触する第1電極層および第2電極層とを具備し、
前記電流狭窄構造は、前記第1導電型層の表面に沿う方向における前記電流狭窄構造の幅が、所定の位置から前記一方向において前記光出射端に向かうにしたがって広がるように設けられた広がり領域を有し、
前記第1電極層は、前記第1導電型層の表面に沿う方向の幅が、前記広がり領域の前記幅より狭い幅でなるように、少なくとも前記広がり領域上に設けられた電極領域を有し、
前記電流狭窄構造によって前記活性層に形成される、前記広がり領域下の光導波路の広がり角をθ、光の波長をλ、前記広がり領域の、前記表面に沿う方向の最小幅の1/2をw 0 、前記活性層の屈折率をnとすると、
θ=arctan[λ/(πw 0 n)]
を満たす
半導体発光素子。 - 請求項1に記載の半導体発光素子であって、
前記第1電極層の前記電極領域は、前記幅が前記一方向において前記光出射端に向かうにしたがって広がるように設けられた広がり電極領域である
半導体発光素子。 - 請求項1に記載の半導体発光素子であって、
前記一方向における前記電極領域の前記光出射端側の端は、前記光出射端まで延設されている
半導体発光素子。 - 請求項1に記載の半導体発光素子であって、
前記電流狭窄構造は、前記反対端から前記所定の位置までの間に設けられた、前記広がり領域の前記幅より狭い一定幅を有する領域を有する
半導体発光素子。 - 請求項1に記載の半導体発光素子であって、
前記広がり領域は、前記反対端から前記光出射端まで延設されている
半導体発光素子。 - 請求項1に記載の半導体発光素子であって、
前記第1電極層の前記電極領域は、前記電流狭窄構造によって前記活性層に形成される光導波路を通る光のピーク強度の1/e2の幅より狭い幅を有する
半導体発光素子。 - 光出射端と、その反対端とを有する半導体発光素子と、
前記半導体発光素子から出射された光を2次元状にスキャン可能であり、画像データに基づき、投射される前記光による輝度を制御可能な画像生成部とを具備し、
前記半導体発光素子は、
電流の注入領域が狭窄するように構成された電流狭窄構造を有し、前記電流狭窄構造の長手方向が前記反対端から前記光出射端への一方向に沿って設けられるように構成された第1導電型層と、
第2導電型層と、
前記第1導電型層および前記第2導電型層の間に設けられた活性層と、
前記第1導電型層および前記第2導電型層にそれぞれ接触する第1電極層および第2電極層とを有し、
前記電流狭窄構造は、前記第1導電型層の表面に沿う方向における前記電流狭窄構造の幅が、所定の位置から前記一方向において前記光出射端に向かうにしたがって広がるように設けられた広がり領域を有し、
前記第1電極層は、前記第1導電型層の表面に沿う方向の幅が、前記広がり領域の前記幅より狭い幅でなるように、少なくとも前記広がり領域上に設けられた電極領域を有し、
前記電流狭窄構造によって前記活性層に形成される、前記広がり領域下の光導波路の広がり角をθ、光の波長をλ、前記広がり領域の、前記表面に沿う方向の最小幅の1/2をw 0 、前記活性層の屈折率をnとすると、
θ=arctan[λ/(πw 0 n)]
を満たす
表示装置。
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