JP6548481B2 - 洗浄装置、洗浄方法、洗浄液製造装置および洗浄液製造方法 - Google Patents
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Description
なお、ここでの「層」とは配線やバリア層などを含むものとする。
この構成によれば、水酸化物イオン以外の陰イオンからの悪影響を受けることなく、基板を洗浄できる。
この構成によれば、洗浄液の温度を上昇させることで金属イオンの飽和濃度が上がり、金属イオンの濃度を高くすることができる。
この構成によれば、金属イオン濃度が高いため、金属層の防食性能が向上する。
この構成によれば、洗浄液が配管を通る際に、配管から洗浄液に金属イオンを供給できる。
この構成によれば、配管の表面積を大きくでき、効率よく金属イオンが供給される。
この構成によれば、洗浄液がカラムを通る際に、カラムから洗浄液に金属イオンを供給できる。
この構成によれば、金属イオン供給部に洗浄液を複数回通すことで、金属イオンの濃度を高くすることができる。
この構成によれば、バルブの開閉によって、洗浄液の循環と洗浄ユニットへの供給とを適切に切り換えることができる。
この構成によれば、洗浄液タンクへの酸素の混入を減らすことができ、防食性能がさらに向上する。
この構成によれば、洗浄液における金属イオン濃度を把握できる。
この構成によれば、金属イオン供給部が安定的に金属イオンを供給できる。
銅の腐食は、下記(1)の酸化および下記(2)の溶解の2段階で進行する。
そして、銅薄膜を用意し、その一部には作製した銅イオン飽和溶液を、他の一部には銅イオンを含まない純水を、線速度50cm/secで2時間通液した。
図2は、一実施形態に係る洗浄装置100の概略構成を示す図である。洗浄装置100は半導体基板などのウエハWを洗浄するものであり、洗浄液供給源1と、金属イオン供給部2と、洗浄ユニット3とを備えている。
2 金属イオン供給部
3 洗浄ユニット
4 温度調整部
5 金属イオン濃度測定部
10 循環システム
11 タンク
12〜15 バルブ
16 ポンプ
17 窒素供給部
Claims (17)
- 金属層が形成された基板を洗浄する洗浄装置であって、
前記金属層に用いられる金属および/またはその酸化物に由来する金属イオンを洗浄液に供給する金属イオン供給部と、
前記金属イオンが供給された洗浄液を用いて前記基板を洗浄する洗浄ユニットと、を備え、
前記金属イオン供給部は、飽和濃度以上の前記金属イオンを前記洗浄液に供給して、該洗浄液が水酸化物イオン以外の陰イオンを含まずかつ前記金属イオンを含んでなるように構成された、洗浄装置。 - 金属層が形成された基板を洗浄する洗浄装置であって、
前記金属層に用いられる金属および/またはその酸化物に由来する金属イオンを洗浄液に供給する金属イオン供給部と、
前記金属イオンが供給された洗浄液を用いて前記基板を洗浄する洗浄ユニットと、
バルブを介して前記金属イオン供給部と接続されたタンクと、前記タンクに不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、を有し、前記金属イオン供給部に前記洗浄液を複数回通す循環システムと、を備え、
前記洗浄液は、水酸化物イオン以外の陰イオンを含まない、洗浄装置。 - 前記金属イオン供給部は、前記洗浄液が通る前記金属製の配管である、請求項1または2に記載の洗浄装置。
- 前記配管は、曲管、並走する複数の管または複数の板で区切られた流路である、請求項3に記載の洗浄装置。
- 前記金属イオン供給部は、前記洗浄液が通るカラムであり、前記カラムの中には前記金属および/またはその酸化物が充填されている、請求項1乃至4のいずれかに記載の洗浄装置。
- 前記金属イオンが供給された洗浄液における前記金属イオンの濃度を測定する金属イオン濃度測定部を備える、請求項1乃至5のいずれかに記載の洗浄装置。
- 前記金属は銅である、請求項1乃至6のいずれかに記載の洗浄装置。
- それぞれ異なる金属イオンを供給する複数の金属イオン供給部を備える、請求項1乃至7のいずれかに記載の洗浄装置。
- 銅層が形成された基板を洗浄する洗浄装置であって、
銅溶出源が設けられ、銅および/または酸化銅に由来する銅イオンを洗浄液に供給する銅イオン供給部と、
前記銅イオンが供給された洗浄液を用いて前記基板を洗浄する洗浄ユニットと、
前記銅イオン供給部に酸を供給して、前記銅溶出源に形成された酸化銅を還元するためのリフレッシュ部と、
前記銅イオン供給部と前記洗浄ユニットとを結ぶ配管に設けられたバルブと、を備え、
前記洗浄液は、水酸化物イオン以外の陰イオンを含まない、洗浄装置。 - 前記洗浄液の温度を上昇させる温度調整部を備える、請求項1乃至7のいずれかに記載の洗浄装置。
- 金属層が形成された基板を洗浄する洗浄方法であって、
前記金属層に用いられる金属および/またはその酸化物に由来する金属イオンであって飽和濃度以上の金属イオンを洗浄液に供給して、該洗浄液が水酸化物イオン以外の陰イオンを含まずかつ前記金属イオンを含んでなるようにする工程と、
前記金属イオンが供給された洗浄液を用いて前記基板を洗浄する工程と、を備える洗浄方法。 - 金属層が形成された基板を洗浄する洗浄ユニットで用いられる洗浄液に、前記金属層に用いられる金属および/またはその酸化物に由来する金属イオンであって飽和濃度以上の金属イオンを供給して、該洗浄液が水酸化物イオン以外の陰イオンを含まずかつ前記金属イオンを含んでなるようにする金属イオン供給部を備える洗浄液製造装置。
- 金属層が形成された基板を洗浄する洗浄ユニットで用いられる洗浄液に、前記金属層に用いられる金属および/またはその酸化物に由来する金属イオンであって飽和濃度以上の金属イオンを供給して、該洗浄液が水酸化物イオン以外の陰イオンを含まずかつ前記金属イオンを含んでなるようにする工程を備える洗浄液製造方法。
- 金属層が形成された基板を洗浄する洗浄ユニットで用いられる洗浄液に、前記金属層に用いられる金属および/またはその酸化物に由来する金属イオンを供給して、該洗浄液が水酸化物イオン以外の陰イオンを含まずかつ前記金属イオンを含んでなるようにする金属イオン供給部と、
バルブを介して前記金属イオン供給部と接続されたタンクと、前記タンクに不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、を有し、前記金属イオン供給部に前記洗浄液を複数回通す循環システムと、を備える洗浄液製造装置。 - 金属層が形成された基板を洗浄する洗浄ユニットで用いられる洗浄液を製造する方法であって、
金属イオン供給部から、前記金属層に用いられる金属および/またはその酸化物に由来する金属イオンを洗浄液に供給して、該洗浄液が水酸化物イオン以外の陰イオンを含まずかつ前記金属イオンを含んでなるようにする工程と、
バルブを介して前記金属イオン供給部と接続されたタンクに不活性ガスを供給する工程と、
前記金属イオン供給部に前記洗浄液を複数回通す工程と、を備える洗浄液製造方法。 - 銅層が形成された基板を洗浄する洗浄ユニットで用いられる洗浄液を製造する装置であって、
銅溶出源が設けられ、銅および/または酸化銅に由来する銅イオンを洗浄液に供給して、該洗浄液が水酸化物イオン以外の陰イオンを含まずかつ前記銅イオンを含んでなるようにする銅イオン供給部と、
前記銅イオン供給部に酸を供給して、前記銅溶出源に形成された酸化銅を還元するためのリフレッシュ部と、
前記銅イオン供給部と前記洗浄ユニットとを結ぶ配管に設けられたバルブと、を備える、洗浄液製造装置。 - 銅層が形成された基板を洗浄する洗浄ユニットで用いられる洗浄液を製造する方法であって
バルブが設けられた配管によって前記洗浄ユニットと結ばれ、銅溶出源が設けられた銅イオン供給部から、銅および/または酸化銅に由来する金属イオンを洗浄液に供給することと、
前記銅イオン供給部に酸を供給して、前記銅溶出源に形成された酸化銅を還元することと、を備え、
前記洗浄液は、水酸化物イオン以外の陰イオンを含まない、洗浄液製造方法。
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