JP6547140B1 - p型半導体膜および電子デバイス - Google Patents
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Abstract
Description
本開示のヘテロフラーレンは、フラーレンを構成する炭素原子のうちn+r(個)(nおよびrはともに正の奇数)の炭素原子をn個のホウ素原子およびr個の窒素原子で置換したフラーレン誘導体である。n個のホウ素原子およびr個の窒素原子により置換されるフラーレンの炭素原子は、フラーレン骨格を形成する炭素原子であるため、ヘテロフラーレンにおいて、当該n個のホウ素原子およびr個の窒素原子はフラーレン骨格を形成する。フラーレンがフラーレン骨格を形成する原子としてn個のホウ素原子およびr個の窒素原子を含有することにより、正孔移動度が向上する。nおよびrは、それぞれ独立して、正の奇数からなる群から選択される値であり、好ましくは1〜15の奇数、より好ましくは1〜5の奇数からなる群から選択される。nまたはrの一方または両方が偶数であると、不対電子が存在することとなり、化合物として不安定となってしまうことから、本開示のヘテロフラーレンに用いることには不適である。正孔移動度のさらなる向上の観点から、nおよびrは、同じ値であることが好ましい。
m=70、n=1、r=1 化合物3:1,2−C68N1B1 化合物4:1,70−C68N1B1
図3Aは、ヘテロフラーレンC58N1B1分子の立体模型図おける1位と9位との関係を示す。図3Aは、ホウ素原子の置換位置を1位と仮定したときの、窒素原子の置換位置としての9位を示す。図3Bは、ヘテロフラーレンC58N1B1分子の立体模型図おける1位と60位との関係を示す。図3Bは、ホウ素原子の置換位置を1位と仮定したときの、窒素原子の置換位置としての60位を示す。
本開示のヘテロフラーレンBNは、例えば、フラーレンと窒化ホウ素をレーザー照射下で反応させることにより製造することができる。詳しくはフラーレンおよび窒化ホウ素の系にレーザー光を照射することにより、本発明のヘテロフラーレンBNを製造することができる。
上記したヘテロフラーレンBNの製造方法において、数種類のヘテロフラーレンBNが得られたとしても、上記したような分離精製処理を行うことにより、種類ごとに、各ヘテロフラーレンを分離および単離することができる。このとき、上記したヘテロフラーレンBNの製造を大規模化して行うことにより、各ヘテロフラーレンBNの分離および単離が容易になる。
本開示のヘテロフラーレンはより十分に優れた正孔移動度を示すため、分子系有機半導体材料または炭素系正孔輸送材料、特にp型半導体材料として有用である。このため、本開示のヘテロフラーレンBNは、電子デバイス(電子素子)、例えば、トランジスタに用いることにより、電子デバイスの周波数特性を向上させることができる。
ゲート電極1;
前記ゲート電極1上に形成されるゲート絶縁膜2;
前記ゲート絶縁膜2上に離隔して形成されるソース電極3およびドレイン電極4;
ならびに 前記ゲート絶縁膜2の露出領域、前記ソース電極3および前記ドレイン電極4と接触して形成された半導体膜5を含む。
絶縁性の下地基板12;
前記絶縁性の下地基板12上に離隔して形成されるソース電極13およびドレイン電極14 前記絶縁性の下地基板12の露出領域、前記ソース電極13および前記ドレイン電極14と接触して形成された半導体膜15;
前記半導体膜15の上に形成されたゲート絶縁膜16;
ならびに 前記ゲート絶縁膜16の上において、上面から見て、前記ソース電極13および前記ドレイン電極14の間となる位置に形成された、ゲート電極17を含む。
発明者らは、ヘテロフラーレンの電子移動度の分子動力学および分子軌道計算による予測を実施した。移動度の計算方法は、David R. Evans他、Organic Electronics 29(2016)50に記載の方法を適用した。すなわち、移動度の計算に必要となる、電荷ホッピングレート(κ)は、以下の式で与えられることが知られている。
nおよびrがともに1であり、かつ1個のホウ素原子および1個の窒素原子の置換位置がそれぞれ、1,9位、または1,60位の場合。
nおよびrがともに1であり、かつ1個のホウ素原子および1個の窒素原子の置換位置がそれぞれ、1,60位の場合。
nおよびrがともに1であり、かつ1個のホウ素原子および1個の窒素原子の置換位置がそれぞれ、1,2位、または1,70位の場合。
(ヘテロフラーレンの製造)
ホウ化窒化フラーレン(ヘテロフラーレンBN)(本発明)の合成は、以下の方法にて実施した。フラーレンC60のヘキサン懸濁溶液(濃度0.1重量%,10ml)に窒化ホウ素のヘキサン懸濁液(濃度0.1重量%,10ml)を入れてフラーレンC60と窒化ホウ素の懸濁液を調製した。この懸濁液を合成石英製の反応容器に入れ、アルゴン雰囲気下でKrFエキシマレーザーによる波長248nmの光を室温で30分照射した。その後、トルエンを気化蒸発させ、固形分を得た。この固形分からからピリジンによるソックスレー抽出を行い、得られた抽出液を高速液体クロマトグラフィー(HPLC)で分離精製することにより、ヘテロフラーレンC58B1N1(C58BN)を得た。
シリコンウェハに対して、酸化拡散炉による熱酸化法にて、膜厚350nmの酸化膜を形成した。その上にスパッタ法により、下部電極となるITO膜を製膜した(厚みは300nm)。更に、その上に上記により合成されたC58BN(実施例1)またはフラーレンC60(比較例1)を厚さ300nmとなるように真空蒸着法で製膜した。ついで、上部電極となる金を真空蒸着し、正孔移動度評価用の素子とした。実施例1においてC58BN膜中のC58BNの含有量は、膜全量に対して、100質量%であった。
ヘテロフラーレンC58BN(実施例1):3.5
以上のように、ヘテロフラーレンC58BNは、フラーレンC60比で、高い正孔移動度を有することが分かる。
2、16 ゲート絶縁膜
3、13 ソース電極
4、14 ドレイン電極
5、15 半導体膜
11 トランジスタ基本構造体
12 下地基板
Claims (4)
- フラーレンC60を構成する炭素原子のうち1個の炭素原子を1個のホウ素原子で置換し、1個の炭素原子を1個の窒素原子で置換し、前記1個のホウ素原子および前記1個の窒素原子の置換位置は、1,60位であるp型半導体膜。
- フラーレンC70を構成する炭素原子のうち1個の炭素原子を1個のホウ素原子で置換し、1個の炭素原子を1個の窒素原子で置換し、前記1個のホウ素原子および前記1個の窒素原子の置換位置は、1,2位、または1,70位であるp型半導体膜。
- 請求項1または2に記載のp型半導体膜を含む電子デバイス。
- ソース電極とドレイン電極とゲート電極と半導体膜とを備え、
前記半導体膜が請求項1または2に記載のp型半導体膜である、電子デバイス。
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