JP6546884B2 - 電流センサおよび電流センサの過熱検出方法 - Google Patents
電流センサおよび電流センサの過熱検出方法 Download PDFInfo
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Description
[先行技術文献]
[特許文献]
[特許文献1] 特開平10−267965号公報
図1は、実施例1に係る電流センサ100の構成の一例を示す。電流センサ100は、ホール素子10、制御回路20および導体30を備える。ホール素子10は、被測定電流Ioの電流値を測定するセンサ素子の一例である。ホール素子10は、被測定電流Ioがホール素子10の近傍を流れることによる磁場の変化を検出する。ホール素子10は、磁場の変化に応じた電圧を出力信号Soとして出力する。一例において、ホール素子10は、化合物半導体で形成される。ホール素子10の駆動方法は、定電流駆動であっても、定電圧駆動であってもよい。
図3は、実施例2に係る電流センサ100の構成の一例を示す。本例の制御回路20は、過熱検出回路40、抵抗測定部44、信号処理回路50および記憶部70を備える。記憶部70は、ホール素子抵抗に対応するホール素子10の温度情報を予め記憶する。記憶部70は、ホール素子抵抗とホール素子10の温度との関係を変換テーブルとして格納してよい。記憶部70は、ホール素子10の種類に応じて、ホール素子10の固体によらず、同じ変換テーブルを格納してもよく、ホール素子10の固体ごとに固有の変換テーブルを格納してもよい。
図4は、実施例3に係る電流センサ100の構成の一例を示す。本例の制御回路20は、過熱検出回路40、抵抗測定部44、信号処理回路50および記憶部70を備える。電流センサ100は、電流源80を備える。ホール素子10は、定電流駆動される。
図5は、実施例4に係る電流センサ100の構成の一例を示す。制御回路20は、抵抗測定部44、過熱検出回路40、信号処理回路50、記憶部70、ホール素子駆動回路82を備える。本例の電流センサ100は、ホール素子10を定電圧駆動させる。電流センサ100は、電流計84を備える。ホール素子駆動回路82は、ホール素子10を駆動電圧Vhで定電圧駆動させる。電流計84は、駆動電圧Vhに応じてホール素子10に流れる電流Ihを検出する。
図6は、実施例5に係る電流センサ100の構成の一例を示す。制御回路20は、過熱検出回路40、抵抗測定部44、信号処理回路50および記憶部70を備える。電流センサ100は、電流源80を備える。また、抵抗測定部44は、A/D変換回路45および演算回路46を備える。
図7は、実施例6に係る電流センサ100の構成の一例を示す。本例の制御回路20は、過熱検出回路40、抵抗測定部44、信号処理回路50および記憶部70を備える。抵抗測定部44は、V/I変換回路47およびトランスリニア回路48を備える。トランスリニア回路48は、演算回路の一例である。
Itrans=Ivh・Iref/Ih=(Vh/Ih)・(Iref/R1)=Rh・(Iref/R1)
よって、出力電流Itransは、ホール素子10の抵抗値Rhの情報を含む電流量となる。
Itrans
=Ih・Iref/Ivh
=Ih・Iref/(Vh/R1)
=(Ih/Vh)・Iref・R1
=(1/Rh)・Iref・R1
よって、出力電流Itransは、ホール素子10の抵抗値Rhの情報を含む電流となる。
Itrans=Vref/Rh
図8は、実施例7に係る電流センサ100の構成の一例を示す。本例の制御回路20は、過熱検出回路40、抵抗測定部44、信号処理回路50、記憶部70、履歴記録部90、および条件判定部92を備える。
Claims (17)
- 被測定電流が流れる導体と、
前記被測定電流の電流値を測定するホール素子と、
前記ホール素子のホール素子抵抗を測定する抵抗測定部と、
前記ホール素子抵抗に基づいて、前記ホール素子の温度が閾値温度以上となったことを検出する過熱検出部と、を備え、
前記抵抗測定部は、
前記ホール素子の駆動方向における両端の電位差を電流に変換するV/I変換回路と、
前記変換された電流、参照電流、および前記ホール素子の駆動方向における電流値に基づいて、前記ホール素子抵抗を出力する演算回路と、を有する、電流センサ。 - 前記V/I変換回路は、前記ホール素子を定電流駆動する場合の前記ホール素子の駆動方向における両端の電位差を電流に変換し、
前記演算回路は、前記変換された電流、参照電流、および前記ホール素子の駆動電流に基づいて、前記ホール素子抵抗を出力する、請求項1に記載の電流センサ。 - 前記V/I変換回路は、前記ホール素子を定電圧駆動する場合の前記ホール素子の駆動電圧を電流に変換し、
前記演算回路は、前記変換された電流、参照電流、および前記ホール素子の駆動方向における電流値に基づいて、前記ホール素子抵抗を出力する、請求項1に記載の電流センサ。 - 前記導体、前記ホール素子、および前記過熱検出部を封止する封止部を更に備える請求項1から3の何れか一項に記載の電流センサ。
- 前記過熱検出部の検出に応じて、前記ホール素子の過熱を通知する過熱通知信号を出力する過熱通知部を更に備える請求項1から4の何れか一項に記載の電流センサ。
- 前記ホール素子抵抗に対応する前記ホール素子の温度を予め記憶する記憶部を更に備え、
前記過熱検出部は、前記記憶部を参照して、前記ホール素子抵抗に対応する前記ホール素子の温度が前記閾値温度以上になったことを検出する、
請求項1から5の何れか一項に記載の電流センサ。 - 前記過熱検出部による検出の履歴を記録する履歴記録部を更に備える、
請求項1から6の何れか一項に記載の電流センサ。 - ホール素子のホール素子抵抗を測定するホール素子抵抗測定段階と、
前記ホール素子抵抗に基づいて、前記ホール素子の温度が閾値温度以上になったことを検出する過熱検出段階と、を備え、
前記ホール素子抵抗測定段階において、V/I変換回路が前記ホール素子の駆動方向における両端の電位差を電流に変換し、演算回路が、前記変換された電流、参照電流、および前記ホール素子の駆動方向における電流値に基づいて、前記ホール素子抵抗を出力する、電流センサの過熱検出方法。 - 前記V/I変換回路は、前記ホール素子を定電流駆動する場合の前記ホール素子の駆動方向における両端の電位差を電流に変換し、
前記演算回路は、前記変換された電流、参照電流、および前記ホール素子の駆動電流に基づいて、前記ホール素子抵抗を出力する、請求項8に記載の電流センサの過熱検出方法。 - 前記V/I変換回路は、前記ホール素子を定電圧駆動する場合の前記ホール素子の駆動電圧を電流に変換し、
前記演算回路は、前記変換された電流、参照電流、および前記ホール素子の駆動方向における電流値に基づいて、前記ホール素子抵抗を出力する、請求項8に記載の電流センサの過熱検出方法。 - 前記過熱検出段階は、前記ホール素子抵抗に対応する前記ホール素子の温度を予め記憶する記憶部を参照して、前記ホール素子抵抗に対応する前記ホール素子の温度が前記閾値温度以上になったことを検出する、
請求項8から10の何れか一項に記載の電流センサの過熱検出方法。 - 前記過熱検出段階における検出の履歴を履歴記録部に記録する履歴記録段階を更に備える、請求項8から11の何れか一項に記載の電流センサの過熱検出方法。
- 前記過熱検出段階において、互いに異なる複数の閾値温度が予め定められており、前記ホール素子の温度が複数の閾値温度のそれぞれの温度以上になったかを検出し、
前記履歴記録段階において、前記複数の閾値温度ごとに前記過熱検出段階における検出の履歴を記録する、
請求項12に記載の電流センサの過熱検出方法。 - 前記履歴記録段階において、前記過熱検出段階における検出の回数を記録する、
請求項12または13に記載の電流センサの過熱検出方法。 - 前記履歴記録段階において、前記過熱検出段階における検出期間を記録する、
請求項12から14の何れか一項に記載の電流センサの過熱検出方法。 - 前記過熱検出段階で、前記ホール素子の温度が前記閾値温度以上になったことを検出したことに応じて、前記電流センサの過熱を通知する過熱通知信号を出力する過熱通知段階、
を更に備える請求項12から15の何れか一項に記載の電流センサの過熱検出方法。 - 前記履歴記録部に記録された前記検出の履歴が予め定められた条件に合致したことに応じて、前記電流センサの過熱を通知する過熱通知信号を出力する通知段階を更に備える、
請求項12から16の何れか一項に記載の電流センサの過熱検出方法。
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