JP6546791B2 - 光電変換装置 - Google Patents
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Description
III族窒化物半導体は窒化ガリウム(GaN)を筆頭に、発光素子やパワーデバイス応用に対する高いポテンシャルを秘めた材料として知られている。このIII族窒化物半導体は広い禁止帯幅(バンドギャップ)を有し、化学的結合も強固で安定、かつ人体に危険な元素を含まないという点で優秀な材料である。既に、GaNベースのデバイスは青色発光ダイオード(LED)やパワーデバイスなどで既に製品化されている。その一方で、同じIII族窒化物半導体である、窒化アルミニウム(AlN)、窒化インジウム(InN)、窒化ホウ素(BN)は、GaNに比べて研究開発が大幅に遅れている。この3つの中でも、AlNとInNは、GaNとの混晶、例えばAlGaN、InGaNなどとして、使用されるケースが多いことから、混晶としての研究開発が進んでいる。これに対し、BNの場合は、混晶の研究例も少ない。この原因としてAlN、GaN、InNは、共に結晶構造が同じ六方晶系のウルツ鉱構造であるのに対し、BNは安定構造がグラファイト状の六方晶の構造を取ることが挙げられる。図1は、BNの結晶構造を示す図である。(a)は、立方晶系の結晶構造(c−BN)、(b)は、ウルツ鉱構造の結晶構造(w−BN)、(c)六方晶系の結晶構造(h−BN)である。h−BN(hexagonal−BN)は常圧安定層であり、c−BN(cubic−BN)は高圧安定層であり、w−BN(wurtzite−BN)は準安定層である。
<計算手法>
計算手法としては、密度汎関数理論(Density Functional Theory;DFT)に基づく第一原理計算を用いる。これによりBNの電子状態を計算し、バンドギャップ中に不純物準位を形成する元素を見出す。DFTは、Hohenberg−Kohn(H−K)の定理とKohn−Sham(K−S)方程式の2つが基本となる。
ここでは、半導体中に入った不純物を模擬する。そこで、不純物の状態を再現するためにスーパーセルと呼ばれる、BNの基本単位のセルを拡張したものを用意する。c−BNについては、8個の原子を含んだ基本となるセルを2×2×2に拡張し、合計64個の原子のスーパーセルを構築する。また、w−BNとh−BNについては、4個の原子を含んだ基本となるセルを3×3×2に拡張し、合計72個の原子のスーパーセルを構築する。それぞれのスーパーセルからN原子かB原子の1つを取り除き、そこへ不純物を入れることによって不純物を有する半導体を再現する。すなわち、本計算モデルでは、例えばB31N32XやB35N36Xという基本単位を持つ結晶を想定する。
<<バルクBNの計算結果>>
ここでは、まず、不純物の効果を明確にするために、バルクの状態、即ちアンドープBNの電子状態計算の結果を示す。図4は、自己無撞着場(Self Consistent Field;SCF)計算後のBNの各結晶構造における電荷密度分布を示す図である。(a)、(b)、(c)は、それぞれ、c−BN、w−BN、h−BNを示す。図中のメッシュ部が電荷を表している。いずれの構造も電荷分布はN原子の方に局在しており、イオン性の高い結合になっていることが分かる。また、それぞれの結晶構造から、c−BNとw−BNはsp3ライクな結合であり、h−BNはsp2ライクな結合である。すなわち、c−BNとw−BNはh−BNよりも強固な結合をしていることから、強固な物質であると判断可能である。これはc−BNがダイヤモンドに次ぐ強度を持ち、切削工具などに利用されていることからも理解される。一方、h−BNはいわゆるグラファイト型の構造をしているため、層間はファンデルワールス(van der Waals;vdW)力という弱い力しか作用しておらず、他の構造のBNに比べて機械的強度に劣ることが分かる。
ここでは、バルクBNの各構造における電子状態計算について説明する。この結果を踏まえ、図3に示したようなスーパーセルモデルでの不純物の添加効果を検証する。まずは、10種類ある遷移金属とBN構造(c−BN、w−BN、h−BN)の組み合わせで、どれがデバイス応用に適しているかのスクリーニングを行う。しかしながら、BNのような化合物の場合、不純物はBサイトかNサイトかに入るかの自由度を持つ。したがって、まず始めに不純物がBサイトに入るか、Nサイトに入るかを決める必要がある。GaNなどの同じ窒化物系の実験結果から、Bサイトに入る方が安定であることが見込まれるが、それを第一原理計算によって決定する。10種類の全ての元素に対してBサイト、Nサイト置換の計算を行うのは時間がかかるので、代表としてCuについてのみ実施した。置換サイトを決定する目安としてここでは形成エネルギーで比較することにした。形成エネルギーは以下の式(1)で求める。
・カットオフエネルギー:60Rydberg(1Rydberg≒13.6eV)
・カットオフチャージ:600Rydberg
・力の収束条件:1.0×10−3Rydberg/Bohr
ここでいう力は原子間に働く力を意味しており、ヘルマン−ファインマン力である。なお、構造最適化は、原子間の位置関係だけでなく、格子についても同時に行っている。例えば、図11は、構造最適化の初期状態のc−BNを示す図であり、図12は、構造最適化の終了時のスーパーセルを示す図である。図中の矢印は力を表現しており、大きさと方向を示すベクトルである。このベクトルはc−BNにCuが入り込んだことによって各原子間に力が発生したことを意味している。初期状態では大きなベクトルがいくつも出ているが、原子間距離などを最適化することによって、終了時にはベクトルが消失し、一切出ていない。形成エネルギー計算では、このような状態にしてから各構造におけるエネルギーの比較を行う。
前述したように、遷移金属元素はBサイトに入るというモデルが妥当であることを確認した。そこで、BNの各構造に遷移金属元素10種類をそれぞれ入れて、バンドギャップ中に準位を形成するかどうかを検討する。計算条件は先の構造最適化と同じ条件とし、SCF計算が終了した後にDOSを描く。ここでは単純なスクリーニングのため、スピンはアップスピンのみの計算をQEで行った。
DFTでは一般的にバンドギャップを過小評価してしまうために、前述の計算でも全てのBNでバンドギャップを過小評価している。ここでは、TranとBlahaらによって提案されたTB−mBJによってバンドギャップを補正する。この手法はあくまでもポテンシャルに補正をかけるだけであって、外因的エネルギーを盛り込まない。したがって、比較的計算が軽く、恣意性も少ない状態でバンドギャップの補正が実行できる。TB−mBJは、例えば、文献“Fabien Tran and Peter Blaha:” Accurate Band Gaps of Semiconductors and Insulators with a Semilocal Exchange-Correlation Potential” Phys. Rev. Lett. 102, (2009) 226401-226401-4.”に記載されている。
前述したとおり、例えば、c−BNに、V、Cr、Mn、Fe、Co、Niをドーパントとして導入すれば、可視光応答する領域に不純物準位の形成が見込めることがわかった。そして、TB−mBJでバンドギャップを補正することにより、最終的な値が決定される。ここでのDOS計算ではWien2kを使用してスピンを考慮する。すなわち、アップスピンとダウンスピンの両方のDOSを描画し、最終的に価電子帯もしくは伝導帯から1.9〜3.1eVの位置に準位を形成する元素を決定する。
本実施の形態においては、実施の形態1で説明した半導体材料のうち、好適なものを選択し、その応用例について説明する。
このような、BNに遷移金属元素Xを導入した半導体材料(BXN)よりなる半導体層(BXN層)は、例えば、分子線エピタキシー(MBE:Molecular Beam Epitaxy)法により製造することができる。
図21は、本実施の形態の太陽電池(光電変換装置)の一例を示す断面図である。図21に示すように、本実施の形態の太陽電池は、最下層のp型BN層21と、その上層のBXN層22と、その上層のn型BN層23とを有する。p型BN層21およびn型BN層23は、BXN層22と同様にして形成することができる。p型BN層21は、BN層にp型不純物を導入することにより形成することができる。また、n型BN層は、BN層にn型不純物を導入することにより形成することができる。これらの不純物にはドナーとアクセプタの二種類がある。ドナーは自由電子を供給し、アクセプタは正孔(ホール)を供給する。ドナーを含む不純物半導体をn型半導体、アクセプタを含むとp型半導体という。
実施の形態1においては、いわゆる“深い準位”を形成する元素を導入した半導体(BXN)について説明したが、“深い準位”を形成する元素の他に、実施の形態2で説明したドナードーパントやアクセプタードーパントを含有させてもよい。
22 BXN層
23 n型BN層
31 BXN層
32 n型InN層
33 p型GaInN層
34 n型GaInN層
35 電極
36 電極
Claims (10)
- 半導体を有する光電変換装置であって、
前記半導体は、3d遷移金属を含有するBNであり、4eV以上バンドギャップを有し、
価電子帯と伝導帯との間に少なくとも1つ以上の中間準位が形成されている、光電変換装置。 - 請求項1記載の光電変換装置において、
前記半導体は、可視光領域に相当する1.9〜3.1eVの中間準位を形成する、光電変換装置。 - 請求項2記載の光電変換装置において、
前記半導体は、ByX1-yN(0≦y≦1)で表され、前記3d遷移金属は前記Xと対応する、光電変換装置。 - 請求項3記載の光電変換装置において、
前記3d遷移金属は、前記半導体のBの一部と置換されている、光電変換装置。 - 請求項4記載の光電変換装置において、
前記3d遷移金属は、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、NiおよびCuからなる群から選択された少なくとも1種である、光電変換装置。 - 請求項5記載の光電変換装置において、
前記半導体は、立方晶系の結晶構造を有する、光電変換装置。 - 請求項5記載の光電変換装置において、
前記半導体は、ウルツ鉱構造の結晶構造を有する、光電変換装置。 - 請求項5記載の光電変換装置において、
前記半導体は、立方晶系の結晶構造を有し、
前記3d遷移金属は、Niである、光電変換装置。 - 請求項5記載の光電変換装置において、
前記半導体は、ウルツ鉱構造の結晶構造を有し、
前記3d遷移金属は、Niである、光電変換装置。 - 請求項5記載の光電変換装置において、
前記半導体は、ドナードーパントおよびアクセプタードーパントを含有する、光電変換装置。
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