JP6538389B2 - ダイヤモンド薄膜の製造方法、熱フィラメントcvd装置及びメカニカルシール - Google Patents
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Description
本発明の構成1は、熱フィラメントCVD装置を用いるダイヤモンド薄膜の製造方法であって、
前記熱フィラメントCVD装置が、成膜室と、前記成膜室内に配置され、基材を配置するための基材台と、前記成膜室内に配置され、電流を通電することにより加熱可能なフィラメントと、前記成膜室内に原料ガス及びキャリアガスを供給するためのガス供給手段とを含み、
ダイヤモンド薄膜の製造方法が、前記基材台に前記基材を配置する工程と、前記成膜室内に前記原料ガス及び前記キャリアガスを供給する工程と、前記フィラメントに通電することにより、前記フィラメントを所定の温度まで上昇させる工程とを含み、
前記キャリアガスの流量に対する前記原料ガスの流量の比率が5〜23%(例えば、水素100ml/分に対するメタン流量23ml/分)の範囲内となるように設定される、ダイヤモンド薄膜の製造方法である。
本発明の構成2は、熱フィラメントCVD装置を用いるダイヤモンド薄膜の製造方法であって、
前記熱フィラメントCVD装置が、成膜室と、前記成膜室内に配置され、基材を配置するための基材台と、前記成膜室内に配置され、電流を通電することにより加熱可能なフィラメントと、前記成膜室内に原料ガス及びキャリアガスを供給するためのガス供給手段とを含み、
ダイヤモンド薄膜の製造方法が、前記基材台に前記基材を配置する工程と、前記成膜室内に前記原料ガス及び前記キャリアガスを供給する工程と、前記フィラメントに通電することにより、前記フィラメントを所定の温度まで上昇させる工程とを含み、
前記フィラメントに通電するときの単位電力当たりの、前記原料ガス及び前記キャリアガスの1分当たりの合計流量が、3〜60ml/(分・KW)である、ダイヤモンド薄膜の製造方法である。
本発明の構成3は、前記原料ガス及び前記キャリアガスの1分当たりの合計ガス流量を、成膜室内でダイヤモンド薄膜を成膜可能な面積である処理面積1cm2当たり、0.05〜2ml/分の範囲内とする、構成1又は2に記載のダイヤモンド薄膜の製造方法である。
本発明の構成4は、
前記成膜室の前記処理面積が100cm2以上の値であり、前記合計ガス流量が、処理面積1cm2当たり、毎分0.14〜2.0mlの範囲内であるように、前記ガス供給手段が前記原料ガス及び前記キャリアガスの流量を制御する、構成1から3のいずれかに記載のダイヤモンド薄膜の製造方法である。
本発明の構成5は、前記原料ガスが、炭化水素ガスであり、前記キャリアガスが、水素ガスである、構成1から4のいずれかに記載のダイヤモンド薄膜の製造方法である。
本発明の構成6は、前記基材と前記フィラメントとの距離を1〜7mmの範囲内のいずれかの値に設定する、構成1から5のいずれかに記載のダイヤモンド薄膜の製造方法である。
本発明の構成7は、前記基材台が、前記基材台に配置された前記基材を冷却するための冷却手段を含む、構成1から6のいずれかに記載のダイヤモンド薄膜の製造方法である。
本発明の構成8は、構成1〜7のダイヤモンド薄膜の製造方法によって製造されたダイヤモンド薄膜により、表面の少なくとも一部が被覆されるメカニカルシールである。
本発明の構成9は、成膜室と、前記成膜室内に配置され、基材を配置するための基材台と、前記成膜室内に配置され、電流を通電することにより加熱可能なフィラメントと、前記成膜室内に原料ガス及びキャリアガスを供給するためのガス供給手段と、を含む、熱フィラメントCVD装置であって、
前記ガス供給手段が、前記キャリアガスの流量及び前記原料ガスの流量を制御する流量制御機構を含み、
前記流量制御機構が、前記キャリアガスの流量に対する前記原料ガスの流量の比率が5〜23%の範囲内となるように、前記キャリアガスの流量及び前記原料ガスの流量を制御可能である、熱フィラメントCVD装置である。
本発明の構成10は、成膜室と、前記成膜室内に配置され、基材を配置するための基材台と、前記成膜室内に配置され、電流を通電することにより加熱可能なフィラメントと、前記成膜室内に原料ガス及びキャリアガスを供給するためのガス供給手段とを含む、熱フィラメントCVD装置であって、
前記ガス供給手段が、前記キャリアガスの流量及び前記原料ガスの流量を制御する流量制御機構を含み、
前記流量制御機構が、前記フィラメントに通電するときの単位電力当たりの、前記原料ガス及び前記キャリアガスの合計流量が、1分当たりの合計流量が、3〜60ml/(分・KW)となるように、前記キャリアガスの流量及び前記原料ガスの流量を制御可能である、熱フィラメントCVD装置である。
本発明の構成11は、前記熱フィラメントCVD装置が、ダイヤモンド薄膜の製造用の熱フィラメントCVD装置である、構成9又は10に記載の熱フィラメントCVD装置である。本発明の構成11の熱フィラメントCVD装置により、ダイヤモンド薄膜の成膜を低コストで行うことができる。
本発明の構成12は、前記基材と前記フィラメントとの距離を1〜7mmの範囲内のいずれかの値に設定する、構成9から11のいずれかに記載の熱フィラメントCVD装置である。
本発明の構成13は、前記基材台が、前記基材台に配置された前記基材を冷却するための冷却手段を含む、構成9から12のいずれかに記載の熱フィラメントCVD装置である。
実験1として、本発明の熱フィラメントCVD装置を用いて、表2に示す条件で、ダイヤモンド薄膜を基材4上に堆積させた。実験1では、成膜用ガス中のキャリアガス(水素ガス)流量に対する原料ガス(メタンガス流量)流量を5〜9.5%の範囲で変化させて、ダイヤモンド薄膜の成膜を行った。
(実験2)
実験2として、本発明の熱フィラメントCVD装置を用いて、表4に示す条件で、ダイヤモンド薄膜を基材4上に堆積させた。実験2では、フィラメント2と基板(基材4)との間の距離を4〜7mmまで変化させて、ダイヤモンド薄膜の成膜を行った。なお、表4に示すように、実験2の原料ガス流量割合を9%とした。
実験3として、本発明の熱フィラメントCVD装置を用いて、表6に示す条件で、ダイヤモンド薄膜を基材4上に堆積させた。実験2では、成膜用ガス圧力(ダイヤモンド薄膜を成膜する際の成膜室1内の成膜用ガスの圧力)を5〜7.5kPaまで変化させて、ダイヤモンド薄膜の成膜を行った。なお、表6に示すように、実験3の原料ガス流量割合は、9%だった。なお、成膜した薄膜は、すべて多結晶ダイヤモンド薄膜だった。
2 フィラメント
3 基材台
4 基材
5 フィラメント固定部用支柱
7 基材台用支柱
8 基材台駆動装置
9 成膜室側壁
10 監視窓
12 電流導入ケーブル
13 電流導入ポート
14 成膜用ガス導入口
15 排気ガス口
16 電気絶縁部
18 真空シール部
20 成膜用ガス供給装置
22 真空ポンプ
24 電源
30 検出領域
32 電磁波測定機構
35 自動距離可変機構
36 信号線(電磁波測定機構から自動距離可変機構へ)
37 信号線(自動距離可変機構からフィラメント固定部用駆動装置へ)
40、40a フィラメント固定部
40b フィラメント固定部(可動)
41 フィラメント固定部用連結シャフト
42 フィラメント固定部用駆動装置
50 原料ガス貯留器
52 原料ガス流量制御器
60 キャリアガス貯留器
62 キャリアガス流量制御器
Claims (13)
- 熱フィラメントCVD装置を用いるダイヤモンド薄膜の製造方法であって、
前記熱フィラメントCVD装置が、
成膜室と、
前記成膜室内に配置され、基材を配置するための基材台と、
前記成膜室内に配置され、電流を通電することにより加熱可能な直径0.05〜1mmのフィラメントと、
前記成膜室内に原料ガス及びキャリアガスを供給するためのガス供給手段と
を含み、
ダイヤモンド薄膜の製造方法が、
前記基材台に前記基材を配置する工程と、
前記成膜室内に前記原料ガス及び前記キャリアガスを供給する工程と、
前記フィラメントに通電することにより、前記フィラメントを所定の温度まで上昇させる工程と、
を含み、
前記キャリアガスの流量に対する前記原料ガスの流量の比率が7〜9%の範囲内となるように設定され、
前記フィラメントに通電するときの単位電力当たりの、前記原料ガス及び前記キャリアガスの1分当たりの合計ガス流量(ml/分)が、15〜20ml/(分・KW)である、ダイヤモンド薄膜の製造方法。 - 前記原料ガス及び前記キャリアガスの1分当たりの合計ガス流量を、成膜室内でダイヤモンド薄膜を成膜可能な面積である処理面積1cm2当たり、0.05〜2ml/分の範囲内とする、請求項1に記載のダイヤモンド薄膜の製造方法。
- 前記成膜室の前記処理面積が100cm2以上の値であり、
前記合計ガス流量が、処理面積1cm2当たり、0.14〜2.0ml/分の範囲内であるように、前記ガス供給手段が前記原料ガス及び前記キャリアガスの流量を制御する、請求項2に記載のダイヤモンド薄膜の製造方法。 - 前記原料ガスが、炭化水素ガスであり、前記キャリアガスが、水素ガスである、請求項1から3のいずれか1項に記載のダイヤモンド薄膜の製造方法。
- 前記基材と前記フィラメントとの距離を1〜7mmの範囲内のいずれかの値に設定する、請求項1から4のいずれか1項に記載のダイヤモンド薄膜の製造方法。
- 前記基材台が、前記基材台に配置された前記基材を冷却するための冷却手段を含む、請求項1から5のいずれか1項に記載のダイヤモンド薄膜の製造方法。
- 前記フィラメントの伸縮状態の変化を検出するための前記フィラメントの伸縮状態検出手段により、電磁波の強度変化又は電磁波の波長、強度若しくはそれらの組み合せの測定結果に基づいて前記フィラメントの伸縮状態の変化を検出することを含む、請求項1から6のいずれか1項に記載のダイヤモンド薄膜の製造方法。
- フィラメントの直径が、0.05〜0.2mmである、請求項1から7のいずれか1項に記載のダイヤモンド薄膜の製造方法。
- 前記フィラメントを所定の温度まで上昇させる工程において、基材の温度が800〜1000℃であるように、前記フィラメントを所定の温度まで上昇させることを含む、請求項1から8のいずれか1項に記載のダイヤモンド薄膜の製造方法。
- 前記フィラメントの前記所定の温度が、2400〜2500℃である、請求項1から9のいずれか1項に記載のダイヤモンド薄膜の製造方法。
- 前記フィラメントと、前記基材との間の距離が、1〜7mmである、請求項1から10のいずれか1項に記載のダイヤモンド薄膜の製造方法。
- 前記成膜室の体積が150〜200リットルの範囲であり、前記成膜室内に前記原料ガス及び前記キャリアガスを供給して、前記フィラメントを所定の温度まで上昇させたときの成膜室の圧力が1〜6kPaである、請求項1から11のいずれか1項に記載のダイヤモンド薄膜の製造方法。
- 請求項1から12のいずれか1項に記載のダイヤモンド薄膜の製造方法によって製造されたダイヤモンド薄膜により、表面の少なくとも一部を被覆する工程を含む、メカニカルシールの製造方法。
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