JP6535773B2 - 炭化珪素半導体装置 - Google Patents
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Description
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態について説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付しその説明は繰返さない。また、本明細書中の結晶学的記載においては、個別方位を[]、集合方位を<>、個別面を()、集合面を{}でそれぞれ示している。また、負の指数については、結晶学上、”−”(バー)を数字の上に付けることになっているが、本明細書中では、数字の前に負の符号を付けている。また角度の記載には、全方位角を360度とする系を用いている。
まず、本発明の一実施の形態に係る炭化珪素半導体装置としてのMOSFET1の構成について説明する。
図15を参照して、中間基板にカバー部材を搭載する工程において、中間基板100の一方の主面21cに接してナトリウムブロック部材7aが配置される。ナトリウムブロック部材7aは、中間基板100の一方主面21cに接する第6の主面7a2と、第6の主面7a2と反対側の第7の主面7a1とを有する。ナトリウムブロック部材7aの第6の主面7a2は、中間基板100の一方の主面21cの全面を覆うように配置される。好ましくは、断面視(中間基板100の他方の主面10bと平行な方向に沿って見た視野)において、ナトリウムブロック部材7aの幅は、中間基板100の幅以上である。
図18を参照して、中間基板にカバー部材を搭載する工程において、中間基板100の一方の主面21cに接して第1のナトリウム吸取部材7bが配置される。第1のナトリウム吸取部材7bに対するナトリウムの拡散長は、炭化珪素に対するナトリウムの拡散長よりも大きい。第1のナトリウム吸取部材7bを構成する材料は、たとえば珪素である。好ましくは、第1のナトリウム吸取部材7bは、珪素層、二酸化珪素層、珪素層上に二酸化珪素層がコーティングされた層および二酸化珪素層上に珪素層がコーティングされた層からなる群から選択される少なくとも1つを含む。珪素は、単結晶であってもよいし、多結晶であってもよいし、アモルファスであってもよいし、これらの組み合わせであってもよい。好ましくは、断面視において、第1のナトリウム吸取部材7bの幅は、中間基板100の幅以上である。
本実施例では、MOSFET1の界面領域RにおけるNaの総数と、閾値電圧の変動量との関係について調査した。まず、サンプル1〜サンプル6に係るMOSFET1を、以下の条件を除き、上記実施の形態に記載の方法と同様の方法で作成した。図10および図11に示すように、合金化アニール工程が実施される前に、層間絶縁膜21と、ゲート電極27と、ゲート絶縁膜15と、ソース電極16とが設けられた炭化珪素基板10(中間体100)をトレー4に配置した。サンプル1の製造工程においては、トレーをカーボン製とし、かつ中間体100の層間絶縁膜21に接して炭化珪素からなるカバー部材2を設けた。サンプル2の製造工程においては、トレーをカーボン製とした。中間体100を覆うカバー部材2を設けなかった。サンプル3の製造工程においては、合金化アニールを2回実施した。1回目の合金化アニールにおけるトレーを炭化珪素製とし、2回目の合金化アニールにおけるトレーをカーボン製とした。1回目および2回目の合金化アニールにおいて、中間体100を覆うカバー部材2を設けなかった。サンプル4の製造工程においては、トレーをカーボン製とし、かつ中間体100の層間絶縁膜21に接して炭化珪素からなるカバー部材2を設けた。サンプル5の製造工程においては、図22に示すように、中間体100の一方の主面21cに接して珪素からなる第1のナトリウム吸取部材7bを設けた。中間体100および第1のナトリウム吸取部材7bをカーボン製のトレー4内に配置し、第1のナトリウム吸取部材7bを覆うようにカーボン製の蓋部6を配置した。サンプル6の製造工程においては、図23に示すように、中間体100の一方の主面21cに接して珪素からなる第1のナトリウム吸取部材7bを設け、かつ他方の主面10bに接して珪素からなる第2のナトリウム吸取部材7cを設けた。中間体100、第1のナトリウム吸取部材7bおよび第2のナトリウム吸取部材7cをカーボン製のトレー4内に配置し、第1のナトリウム吸取部材7bを覆うようにカーボン製の蓋部6を配置した。サンプル5およびサンプル6をそれぞれ3つずつ準備した。
2.実験
サンプル1〜サンプル6に係るMOSFET1の閾値電圧の変動量を測定した。具体的には、まず、サンプル1〜サンプル6に係るMOSFET1のゲート電極27にゲートバイアスストレスが印加される前の第1の閾値電圧を測定した。閾値電圧の定義は実施の形態で説明した通りである。次に、サンプル1〜サンプル6に係るMOSFET1に対してゲートバイアスストレスを印加した。ゲートバイアスストレスとして、175℃の温度下において、ゲート電極27に対して−5Vのゲート電圧を100時間印加した。ゲートバイアスストレス印加後、第2の閾値電圧を測定した。第1の閾値電圧から第2の閾値電圧を差し引き閾値電圧の変動量を計算した。同様に、サンプル1〜サンプル6に係るMOSFET1のゲート電極27にゲートバイアスストレスが印加される前の第3の閾値電圧を測定した。その後、150℃の温度下において、ゲート電極27に対して−10Vのゲート電圧を100時間印加した。ゲートバイアスストレス印加後、第4の閾値電圧を測定した。第3の閾値電圧から第4の閾値電圧を差し引き閾値電圧の変動量を計算した。
3.結果
図14を参照して、ナトリウム濃度とポリシリコン表面からの深さとの関係について説明する。サンプル1〜サンプル3に関しては、図14の横軸の位置0はポリシリコン27の表面27aに対応し、サンプル4に関しては、図14の横軸の位置αがポリシリコン27の表面27aに対応する。サンプル1〜サンプル4の各々に関して、図14の横軸の位置0.3は二酸化珪素膜15と炭化珪素基板10との第2の界面15bに対応する。サンプル5およびサンプル6に関しては、ナトリウム濃度のみを表2および表3に示し、図14において濃度プロファイルは省略する。
2 カバー部材
2a 第1仮想面
2b 第2仮想面
4 中間基板保持部(トレー)
5 炭化珪素エピタキシャル層
6 蓋部7a2 第6の主面
7a1 第7の主面
7a ナトリウムブロック部材
7b2 第4の主面
7b 第1のナトリウム吸取部材
7b1 第5の主面
7c 第2のナトリウム吸取部材
10 炭化珪素基板
10a 第1の主面
10b 第2の主面
11 炭化珪素単結晶基板
12 ドリフト領域
13 ボディ領域
14 ソース領域
15 ゲート絶縁膜(二酸化珪素膜)
15a 第1の界面
15b 第2の界面
16 ソース電極
18 コンタクト領域
19 表面保護電極
20 ドレイン電極
21 層間絶縁膜
21a 第1の絶縁膜
21b 第2の絶縁膜
21c 表面
23 裏面保護電極
27 ゲート電極(ポリシリコン)
27a 第3の主面(表面)
100 中間基板(中間体)
R 界面領域
Y 法線方向
D 拡散係数
D0 拡散定数
L,LA,LL,LP,LS,LT 拡散長
N0,Nl,Nl0 ナトリウム濃度
Q 活性化エネルギー
a 厚み
x 距離
t 熱処理時間
T 熱処理温度
Claims (6)
- 第1の主面と、前記第1の主面と反対側の第2の主面とを有する炭化珪素基板と、
前記炭化珪素基板の前記第1の主面に接して設けられたゲート絶縁膜と、
前記炭化珪素基板との間に前記ゲート絶縁膜を挟むように前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、
前記炭化珪素基板の前記第1の主面に接するソース電極とを備え、
前記ゲート絶縁膜と前記ゲート電極との界面を第1の界面とし、前記ゲート絶縁膜と前記炭化珪素基板との界面のうち、前記第1の界面と対向する領域を第2の界面とした場合、前記第1の界面の法線方向に沿って前記第1の界面から前記ゲート絶縁膜の厚みだけ前記ゲート電極側に離れた第1仮想面と、前記第2の界面の法線方向に沿って前記第2の界面から前記ゲート絶縁膜の厚みだけ前記炭化珪素基板側に離れた第2仮想面とに挟まれた界面領域に含まれるナトリウムの総数を前記第1の界面の面積で除した値は、5×1010atoms/cm2以下であり、
前記ゲート電極の前記第2の界面とは反対側の第3の主面を覆い、かつ前記ゲート絶縁膜に接して設けられた層間絶縁膜をさらに備え、
前記ゲート電極の前記第2の界面とは反対側の第3の主面から10nm以内の領域におけるナトリウム濃度の最大値は、前記界面領域におけるナトリウム濃度の最大値よりも大きく、
前記界面領域におけるナトリウム濃度の最大値は、1×10 16 atoms/cm 3 以下である、炭化珪素半導体装置。 - ナトリウムの拡散長をLT(nm)とし、前記第1の界面の法線方向に沿った方向における前記第3の主面とは反対側の前記層間絶縁膜の表面から前記第1の界面までの距離をx(nm)とし、かつ前記層間絶縁膜の前記表面におけるナトリウム濃度をN0(cm-3)とした場合に、N0×LT/x<1.52×1020となるように、前記ソース電極をアニールする工程以降に前記ゲート電極および前記層間絶縁膜に対して行われる熱処理の温度および時間が制御された、請求項1に記載の炭化珪素半導体装置。
- 前記炭化珪素基板の前記第2の主面から10nm以内の領域におけるナトリウム濃度の最大値は、前記界面領域におけるナトリウム濃度の最大値よりも大きい、請求項1または請求項2に記載の炭化珪素半導体装置。
- 第1の主面と、前記第1の主面と反対側の第2の主面とを有する炭化珪素基板と、
前記炭化珪素基板の前記第1の主面に接して設けられたゲート絶縁膜と、
前記炭化珪素基板との間に前記ゲート絶縁膜を挟むように前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、
前記炭化珪素基板の前記第1の主面に接するソース電極とを備え、
前記ゲート絶縁膜と前記ゲート電極との界面を第1の界面とし、前記ゲート絶縁膜と前記炭化珪素基板との界面のうち、前記第1の界面と対向する領域を第2の界面とした場合、前記第1の界面の法線方向に沿って前記第1の界面から前記ゲート絶縁膜の厚みだけ前記ゲート電極側に離れた第1仮想面と、前記第2の界面の法線方向に沿って前記第2の界面から前記ゲート絶縁膜の厚みだけ前記炭化珪素基板側に離れた第2仮想面とに挟まれた界面領域に含まれるナトリウムの総数を前記第1の界面の面積で除した値は、5×1010atoms/cm2以下であり、
前記ゲート電極の前記第2の界面とは反対側の第3の主面を覆い、かつ前記ゲート絶縁膜に接して設けられた層間絶縁膜をさらに備え、
ナトリウムの拡散長をL T (nm)とし、前記第1の界面の法線方向に沿った方向における前記第3の主面とは反対側の前記層間絶縁膜の表面から前記第1の界面までの距離をx(nm)とし、かつ前記層間絶縁膜の前記表面におけるナトリウム濃度をN 0 (cm -3 )とした場合に、N 0 ×L T /x<1.52×10 20 となるように、前記ソース電極をアニールする工程以降に前記ゲート電極および前記層間絶縁膜に対して行われる熱処理の温度および時間が制御された、炭化珪素半導体装置。 - 前記炭化珪素基板の前記第2の主面から10nm以内の領域におけるナトリウム濃度の最大値は、前記界面領域におけるナトリウム濃度の最大値よりも大きい、請求項4に記載の炭化珪素半導体装置。
- 第1の主面と、前記第1の主面と反対側の第2の主面とを有する炭化珪素基板と、
前記炭化珪素基板の前記第1の主面に接して設けられたゲート絶縁膜と、
前記炭化珪素基板との間に前記ゲート絶縁膜を挟むように前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、
前記炭化珪素基板の前記第1の主面に接するソース電極とを備え、
前記ゲート絶縁膜と前記ゲート電極との界面を第1の界面とし、前記ゲート絶縁膜と前記炭化珪素基板との界面のうち、前記第1の界面と対向する領域を第2の界面とした場合、前記第1の界面の法線方向に沿って前記第1の界面から前記ゲート絶縁膜の厚みだけ前記ゲート電極側に離れた第1仮想面と、前記第2の界面の法線方向に沿って前記第2の界面から前記ゲート絶縁膜の厚みだけ前記炭化珪素基板側に離れた第2仮想面とに挟まれた界面領域に含まれるナトリウムの総数を前記第1の界面の面積で除した値は、5×1010atoms/cm2以下であり、
前記ゲート電極の前記第2の界面とは反対側の第3の主面を覆い、かつ前記ゲート絶縁膜に接して設けられた層間絶縁膜をさらに備え、
前記炭化珪素基板の前記第2の主面から10nm以内の領域におけるナトリウム濃度の最大値は、前記界面領域におけるナトリウム濃度の最大値よりも大きい、炭化珪素半導体装置。
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