JP6532336B2 - 表示装置 - Google Patents

Description

この発明は、液晶表示装置等の表示装置に関する。

近年、タッチ操作による入力機能をもつタッチセンサを表示面に配置する表示装置が多く使用されている。投射容量方式タッチパネル（Ｐｒｏｊｅｃｔｅｄ Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ Ｔｏｕｃｈ Ｐａｎｅｌ：ＰＣＡＰ）は、透明基板上に導電膜を形成し、導電膜で形成した容量の変化を検出する方式を採用したタッチパネルである。このようなタッチパネルは、２枚の基板の各々に導電膜を形成した後に、当該２枚の基板を貼りあわせる、１枚の基板の対向する両面に導電膜を形成する、または１枚の基板の一方の面に２層の導電膜を形成する、等により構成される。

このタッチパネルを液晶表示装置等に貼り付けることで、タッチ操作による入力機能を持つ表示装置を得ることが出来るが、表示装置の厚みが厚くなるため薄くしたいとの要望があった。

このような要求に応えるために、液晶表示装置の液晶セル上に直接導電膜からなるセンサパターンを形成し、偏光フィルムをセンサパターンより外側に貼り付けるオンセル構造（Ｏｎｃｅｌｌ構造）が検討されてきている（特許文献１）。

また、従来はタッチパネルのセンサパターン材料として透明導電膜を用いるのが主流であったが、大型の表示装置用のタッチパネルではセンサ配線の抵抗を低くすることが求められるため、近年、金属配線の適用が検討されている（特許文献２，３）。

しかし、金属配線を用いたタッチパネルをオンセル構造に適用すると、金属配線の影響を受けて金属配線近傍の光の偏光軸が別の軸に投射される。その結果、偏光フィルムで本来調光されるべき調光状態から変化する。特に、偏光フィルムの偏光軸に対して直角の偏光光が別の軸に投射されると、本来は遮断されるはずの光の一部が透過するため、黒浮き（画像の黒い部分が白っぽくなる現象）が発生しコントラストが低下するという問題がある。

特開平１０−１７１５９９号公報 特開２０１０−２７７３９２号公報 特開２０１０−０９７５３６号公報

金属配線のセンサパターンを導入すると、ＬＣＤの視野角特性で設定する偏光フィルタの偏光軸と、センサのモアレ防止等で設定するセンサパターンのエッジによる偏光方向とを同時に最適化することが困難である。そのため、表示装置の厚さを薄くするためにＯｎｃｅｌｌ構造を採用した場合、偏光フィルタの偏光軸からずれた配線パターンが形成されることにより黒輝度が上昇し、コントラストの低下を引き起こすという問題があった。

また、かかる問題はタッチパネルに限らず、例えば液晶表示装置のアレイ基板又は対向基板のように、金属膜を含む配線又はブラックマトリクス等のように可視光を透過しないパターンが有る場合においても、同様に生じ得る。

本発明は上述の問題に鑑み、表示装置のコントラストを高めることを目的とする。

本発明の第１の表示装置は、光源から表示面に向かう光路に沿って順に配置された、第１偏光子、第１絶縁基板、第２絶縁基板及び第２偏光子を備え、第２偏光子は第１偏光子の偏光軸と平行又は垂直な偏光軸を有し、第１絶縁基板及び第２絶縁基板は絶縁性の透明基板を備え、第１絶縁基板及び第２絶縁基板の少なくとも一方は、透明基板上に形成された不透明な第１電極線パターンと、光路における第１電極線パターンの前段又は後段において、透明な絶縁膜を介して第１電極線パターンと対向する第３偏光子と、を備え、少なくとも前記第１電極線パターンの後段に設けられる前記第３偏光子は、前記第１電極線パターンのエッヂの延伸方向と平行な偏光軸を有する。

本発明の第２の表示装置は、光源から表示面に向かう光路に沿って順に配置された、第１偏光子、第１絶縁基板、第２絶縁基板及び第２偏光子を備え、第２偏光子は第１偏光子の偏光軸と平行又は垂直な偏光軸を有し、第１絶縁基板及び第２絶縁基板は絶縁性の透明基板を備え、第１絶縁基板及び第２絶縁基板の少なくとも一方は、透明基板上に形成された不透明な第１電極線パターンと、光路における第１電極線パターンの前段又は後段において、透明な絶縁膜を介して第１電極線パターンと対向する第３偏光子と、を備え、少なくとも第１電極線パターンの後段に設けられる第３偏光子は、第１電極線パターンのエッヂの延在方向と略垂直方向の長軸を有し、エッヂと重畳する、可視光線に対して不透明な複数の孤立パターンを有する。

本発明の第１の表示装置は、光源から表示面に向かう光路に沿って順に配置された、第１偏光子、第１絶縁基板、第２絶縁基板及び第２偏光子を備え、第２偏光子は第１偏光子の偏光軸と平行又は垂直な偏光軸を有し、第１絶縁基板及び第２絶縁基板は絶縁性の透明基板を備え、第１絶縁基板及び第２絶縁基板の少なくとも一方は、透明基板上に形成された不透明な第１電極線パターンと、光路における第１電極線パターンの前段又は後段において、透明な絶縁膜を介して第１電極線パターンと対向する第３偏光子と、を備え、少なくとも前記第１電極線パターンの後段に設けられる前記第３偏光子は、前記第１電極線パターンのエッヂの延伸方向と平行な偏光軸を有する。第３偏光子により、第１電極線パターンによる偏光軸の変化が相殺されるため、光抜けが抑制されコントラストを高めることができる。

本発明の第２の表示装置は、光源から表示面に向かう光路に沿って順に配置された、第１偏光子、第１絶縁基板、第２絶縁基板及び第２偏光子を備え、第２偏光子は第１偏光子の偏光軸と平行又は垂直な偏光軸を有し、第１絶縁基板及び第２絶縁基板は絶縁性の透明基板を備え、第１絶縁基板及び第２絶縁基板の少なくとも一方は、透明基板上に形成された不透明な第１電極線パターンと、光路における第１電極線パターンの前段又は後段において、透明な絶縁膜を介して第１電極線パターンと対向する第３偏光子と、を備え、少なくとも第１電極線パターンの後段に設けられる第３偏光子は、第１電極線パターンのエッヂの延在方向と略垂直方向の長軸を有し、エッヂと重畳する、可視光線に対して不透明な複数の孤立パターンを有する。従って、孤立パターンにより配線パターンによる偏光軸の変化が相殺され、光抜けが抑制されコントラストが高まる。

実施の形態１に係る表示装置１０１の構成を例示する断面図である。 画素アレイパターンの構成を示す上面図である。 画素アレイ基板の断面図である。 カラーフィルタパターンの概念図である。 タッチセンサパターンにおけるセンサ配線の構成図である。 タッチセンサパターンにおけるセンサ配線の構成図である。 タッチセンサパターンの上面図である。 タッチセンサパターンの断面図である。 タッチセンサパターンの上面図である。 タッチセンサパターンの断面図である。 従来のタッチセンサパターンにおける偏光効果を説明する図である。 実施の形態１のタッチセンサパターンにおける偏光効果を説明する図である。 タッチセンサパターンの配線パターンの交差部を示す上面図である。 タッチセンサパターンの断面図である。 実施の形態１の変形例１におけるタッチセンサパターンの断面図である。 実施の形態１の変形例１におけるタッチセンサパターンの断面図である。 実施の形態１の変形例２におけるタッチセンサパターンの上面図である。 実施の形態１の変形例３におけるタッチセンサパターンの微細パターンを示す上面図である。 実施の形態１の変形例３におけるタッチセンサパターンの偏光効果を示す図である。 実施の形態１の変形例４におけるタッチセンサパターンの微細パターンを示す図である。 実施の形態１の変形例４におけるタッチセンサパターンの偏光効果を示す図である。 実施の形態２におけるタッチセンサパターンの構成を示す断面図である。 実施の形態２におけるタッチセンサパターンの偏光効果を説明する図である。 実施の形態２の変形例１に係るタッチセンサパターンの構成を示す断面図である。 実施の形態２の変形例１におけるタッチセンサパターンの偏光効果を説明する図である。 実施の形態３におけるタッチセンサパターンの上面図である。 実施の形態３におけるタッチセンサパターンの断面図である。 配線パターンの延伸方向に直交する向きに偏光子の長軸を配置させる方法を示す図である。 配線パターンの延伸方向に直交する向きに偏光子の長軸を配置させる方法を示す図である。 実施の形態３の変形例１におけるタッチセンサパターンの上面図である。 実施の形態３の変形例１におけるタッチセンサパターンの断面図である。 実施の形態３の変形例２におけるタッチセンサパターンの構成図である。 実施の形態３の変形例２におけるタッチセンサパターンの断面図である。 実施の形態３の変形例３におけるタッチセンサパターンの構成図である。 実施の形態３の変形例３におけるタッチセンサパターンの断面図である。 タッチセンサパターンにおける配線パターンの上面図である。 タッチセンサパターンにおける配線パターンの上面図である。 タッチセンサパターンにおける配線パターンの上面図である。 実施の形態４の画素アレイ基板を示す上面図である。 実施の形態４の画素アレイ基板を示す断面図である。 実施の形態４の変形例１に係る画素アレイ基板の断面図である。 実施の形態４の変形例２に係る画素アレイ基板の断面図である。 実施の形態４の変形例３に係る画素アレイ基板の断面図である。 実施の形態４の変形例４に係る画素アレイ基板の上面図である。 実施の形態４の変形例４に係る画素アレイ基板の断面図である。 実施の形態４の変形例５に係る画素アレイ基板の断面図である。 実施の形態４の変形例６に係る画素アレイ基板の断面図である。 実施の形態４の変形例７に係る画素アレイ基板の断面図である。 実施の形態５に係る表示装置の構成を例示する断面図である。 実施の形態５に係る画素アレイ基板を示す上面図である。 実施の形態５に係る画素アレイ基板を示す断面図である。 実施の形態５に係る画素アレイ基板を示す断面図である。 実施の形態５の変形例１に係る表示装置の構成を示す断面図である。 実施の形態５の変形例２に係る表示装置の構成を示す断面図である。 実施の形態５の変形例３に係る表示装置の構成を示す断面図である。 実施の形態５の変形例４に係る表示装置の構成を示す断面図である。 実施の形態５の変形例５に係る表示装置の構成を示す断面図である。 実施の形態５の変形例６の画素アレイ基板の上面図である。 実施の形態５の変形例６の画素アレイ基板の断面図である。 実施の形態５の変形例６の画素アレイ基板の断面図である。 実施の形態５の変形例７の画素アレイ基板の上面図である。 実施の形態５の変形例７の画素アレイ基板の断面図である。 実施の形態５の変形例７の画素アレイ基板の断面図である。 実施の形態５の変形例８の画素アレイ基板の上面図である。 実施の形態５の変形例８の画素アレイ基板の断面図である。 実施の形態５の変形例８の画素アレイ基板の断面図である。 実施の形態５の変形例９の画素アレイ基板の上面図である。 実施の形態５の変形例９の画素アレイ基板の断面図である。 実施の形態５の変形例９の画素アレイ基板の断面図である。

＜Ａ．実施の形態１＞
＜Ａ−１．構成＞
図１は、実施の形態１に係る表示装置１０１の構成を例示する断面図である。表示装置１０１は、バックライトユニット１と、バックライトユニット１の上面に配置された光学フィルム２と、光学フィルム２上に配置された液晶セル３と、バックライトユニット１、光学フィルム２及び液晶セル３を収容するフレーム４と、液晶セル３の表示面に粘着剤５で接着され該表示面を保護する保護ガラス６とを備えている。

バックライトユニット１は、蛍光管やＬＥＤやＥＬ等の発光手段を光源として有しており、必要な場合には導光板（図示しない）を有してもよい。

光学フィルム２は、視野角の改善等の機能を持つ部材である。バックライトユニット１から出射する光は光学フィルム２と液晶セル３とを透過して、表示に適した光に変換された後、液晶モジュールの上面（表示面）から出射して表示光となる。なお、本明細書においては、バックライトユニット１、光学フィルム２、液晶セル３を合わせた構造を液晶モジュールと称呼することがある。

フレーム４の開口部には液晶セル３が露出しており、液晶セル３の露出した部分は保護ガラス６と粘着剤５を介して接着されている。つまり、液晶セル３及びフレーム４の両方とも、粘着剤５を介して保護ガラス６と接着している。そして、この構造により、液晶セル３は保護ガラス６により保護されることになる。

なお、図１では保護ガラス６と液晶モジュールとの接着を、フレーム４及び液晶セル３に亘って行う場合を示した。しかし、保護ガラス６の接着態様はこれに限らず用途に応じて適宜選択可能である。例えば、フレーム４の特定の領域とのみ接着しても良いし、液晶セル３の特定の領域と接着しても良い。

次に、液晶セル３について詳細に説明を行う。液晶セル３は、偏光フィルム１１、画素アレイ基板７、液晶層８、シール剤９及び対向基板１０、偏光フィルム１７を備えている。画素アレイ基板７及び対向基板１０の間に液晶を注入し、シール剤９にて封止することで液晶セル３が構成されている。

画素アレイ基板７は、透明な絶縁基板である透明基板１２を備えた第１絶縁基板であり、透明基板１２の他に画素アレイパターン１３を備えている。透明基板１２上の液晶層８と接する側に、画素を駆動する画素アレイパターン１３が形成される。そして、画素アレイパターン１３の上面（液晶層８側）に配向膜（図示せず）が形成される。画素アレイ基板７の画素アレイパターン１３の形成面と反対側に、第１偏光子である偏光フィルム１１が貼り付けてある。

対向基板１０は、透明な絶縁基板である透明基板１５を備えた第２絶縁基板であり、透明基板１５の他にカラーフィルタパターン１４、タッチセンサパターン１６を備えている。透明基板１５の液晶層８と接する側にカラーフィルタパターン１４が形成される。そして、カラーフィルタパターン１４の上面（液晶層８側）に配向膜（図示せず）が形成される。また、透明基板１５のカラーフィルタパターン１４と反対側にタッチセンサパターン１６が形成される。タッチセンサパターン１６の上面（表示面側）には、画素アレイ基板７に貼り付けた偏光フィルムと直交する偏光軸を有する第２偏光子である偏光フィルム１７が貼り付けられている。

なお、偏光フィルム１７の偏光軸はＴＮモードでノーマリホワイトの場合は偏光フィルム１１の偏光角と直交するが、これに限定されない。例えば、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）モードのノーマリブラックとする場合、横電界（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ又はフリンジフィールド・スイッチング・モード（Ｆｒｉｎｇｅ ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ：ＦＦＳ）等）の場合は、平行となる軸を設定する。このように、偏光フィルム１１及び偏光フィルム１７の偏光軸の関係は液晶モードと表示設定とに応じて設定すればよい。

図２は、画素アレイパターン１３の構成を示す上面図である。画素アレイパターン１３は、画素を選択する第１方向に伸延するゲート配線１８Ａと、画素に信号を送る第２方向に伸延するソース配線１９Ａと、ゲート配線１８Ａ及びソース配線１９Ａの交差部に形成されるスイッチング素子２０（ＴＦＴ）と、スイッチング素子２０に繋がる画素とを備えて構成される。画素は、ソース配線１９Ａとゲート配線１８Ａとの交差により区切られる領域とも言い換え得る。

一般的に、表示特性の向上のため、ゲート配線１８Ａの延伸方向又はソース配線１９Ａの延伸方向と同じ方向に伸びる共通配線２１Ａと、共通配線２１Ａに繋がる共通電極（図示せず）とを画素の下層に配置し、容量を形成している。

図３は、画素アレイ基板７の断面図である。画素アレイパターン１３では、透明基板１２上に、ゲート配線１８Ａ及びゲート電極１８Ｂを含むゲート電極線１８と、共通配線２１Ａ及び共通電極を含む共通電極線２１が形成される。ゲート絶縁膜２３を介してゲート電極線１８と対向する位置に半導体層２９が形成される。そして、半導体層２９と電気的に接続するソース配線１９Ａから分岐したソース電極１９、ドレイン電極２５が形成されている。

ソース電極１９、半導体層２９、ドレイン電極２５を覆うように、層間絶縁膜２７が形成される。画素電極２８は層間絶縁膜２７上に形成され、層間絶縁膜２７の開口部を介してドレイン電極２５と接続する。ここで、ゲート電極線１８、ゲート絶縁膜２３、半導体層２９、ソース電極１９、ドレイン電極２５を含む構成がスイッチング素子２０（ＴＦＴ）となる。

なお、液晶の駆動方法によっては、横電界モードのように、画素電極及び共通電極にスリットを形成し、画素電極及び共通電極を近接した平面配置としてもよい。さらには、フリンジフィールド・スイッチング・モード（ＦＦＳモード）のように、平板の画素電極上に層間絶縁膜を介してスリットを形成した共通電極を配置しても良く、逆配置として平板の共通電極の上層に層間絶縁膜を介してスリットを形成した画素電極を形成しても良い。

次に、カラーフィルタパターンの概念図である図４を用いて、対向基板１０について詳細に説明を行う。カラーフィルタパターン１４では、図４（ａ）に示す様に画素アレイパターン１３の配線部等を遮光するブラックマトリクス（ＢＭ）が形成される。さらに、ＢＭの上面にオーバーラップして画素に対応する領域に赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の色材が形成される。そして、色材の上面にはオーバーコート層（ＯＣ）が形成され、ＯＣの上面に透明導電膜（図示せず）が形成される。ＯＣ上の透明導電膜は対向電極として働く。

なお、白黒表示の場合、またはバックライト光が有色の場合には色材を配置しないことも可能である。さらには、色再現性の向上等でＲＧＢ以外の配置、例えば白（Ｗ，色材なし）や、黄（Ｙ）等の追加配置を行っても良い（図４（ｂ），（ｃ））。

次に、タッチセンサパターン１６におけるタッチセンサ配線の構成図である図５を用いて、対向基板１０に形成されるタッチセンサパターン１６について詳細に説明を行う。なお、今後、タッチセンサパターン１６を含む偏光フィルム１７と透明基板１５との間の領域をセンサ部と称呼することがある。タッチセンサパターン１６は、タッチセンサ配線として、図面の上下方向（Ｙ方向）に伸延する数ｍｍ幅のＸ方向検出線３０と、Ｘ方向検出線３０と直交する方向（図面左右方向、Ｘ方向）に伸延する数ｍｍ幅のＹ方向検出線３１とを備えている。Ｘ方向検出線３０及びＹ方向検出線３１は、検出領域に応じてそれぞれＸ方向、Ｙ方向に必要な長さで必要な本数分繰り返されている。

Ｘ方向検出線３０及びＹ方向検出線３１の配線ピッチは、画素アレイ基板７に形成されているゲート配線１８及びソース配線１９のピッチとの関係を基に周期性が強調されない様に選択する。これにより、図５の様にタッチセンサの配線パターンをゲート配線１８及びソース配線１９と同一方向に伸延する配線パターンで形成したとしても、格子状パターン同士を重ねたときに生じるモアレを低減することができる。

このような配線パターンを図６に示す。なお、図６には示していないが、ゲート配線１８Ａ及びソース配線１９Ａは、図面ではそれぞれＸ方向とＹ方向に延伸しているものとする。図６で示す配線パターンにおいても図５と同様に、Ｘ方向検出線３０及びＹ方向検出線３１はそれぞれＸ方向及びＹ方向に延伸している。しかし、Ｘ方向検出線３０及びＹ方向検出線３１を構成する個々の配線の向きは、ゲート配線１８Ａ又はソース配線１９Ａに対して斜め方向に延伸している。

このように、ゲート配線１８Ａ又はソース配線１９Ａの延伸方向に対して斜め方向に延伸する配線パターンの組み合わせでＸ方向検出線３０及びＹ方向検出線３１を形成することで、周期性が強調されずにモアレの視認性が低減される。

なお、タッチセンサの配線パターンが直線形状の場合、太陽光で代表される輝度の高い光源が配線のエッジで散乱及び回折することで配線に直交する方向に反射光が広がる光条という現象が発生する。そのため、この光条現象を防止する方法の一つとして、全方位へ反射光を広げる作用のある配線形状を曲線としても良い。曲線部において反射光を全方位へ広げる効果を奏するためである。

なお、図６は各配線の形状の斜め直線の特徴を示したイメージ形状であり、実際のパターンは適宜最適化されている。

Ｘ方向検出線３０又はＹ方向検出線３１のうち、一方が下層配線、他方が上層配線となる。下層配線は、例えば下層からＡｌ合金膜２００ｎｍ、半透明の高窒化Ａｌ膜５０ｎｍ、ＩＺＯ膜５０ｎｍの積層膜から成り、透明基板１５上に配置される。そして、下層配線は、例えば下層から塗布型絶縁膜７００ｎｍ、ＳｉＯ２膜１００ｎｍの積層膜を層間絶縁膜としてこれにより被覆される。そして、上層配線は層間絶縁膜上に、例えば下層からＡｌ合金膜２００ｎｍ，半透明の高窒化Ａｌ膜５０ｎｍ、ＩＺＯ膜５０ｎｍの積層膜として配置される。上層配線は、例えば下層から塗布型絶縁膜７００ｎｍ、ＳｉＯ２膜１００ｎｍの積層膜を保護絶縁膜として、これにより被覆される。

Ｘ方向検出線３０及びＹ方向検出線３１にこのような積層膜構造を用いることで、配線表面での反射率を低下させ、外光下での配線の視認を抑えることが出来る。なお、センサ配線の構成材料としてＡｌ合金、半透明の高窒化Ａｌ、ＩＺＯの積層構造を挙げたが、センサ配線への要求特性に応じて、Ａｌ合金単層、Ａｌ合金を主材料とした構造、Ｃｕ合金を主材料とした構造、Ｍｏ合金を主材料とした構造等の低抵抗導電膜を主材料とした構造の中から選択しても良い。また、各絶縁膜に塗布型絶縁膜とＳｉＯ２膜の積層膜を挙げたが、単層の塗布型絶縁膜、複層の塗布型絶縁膜、単層のＳｉＯ２膜、他の無機絶縁膜又は無機絶縁膜の積層膜等で形成しても良い。なお、前記の絶縁膜は基板、粘着剤、又は空気層等と絶縁膜との界面における反射を低く抑えられる膜構成が望ましい。

次に、図７，８を用いて、タッチセンサパターン１６についてさらに説明する。図７はタッチセンサパターン１６の上面図、図８（ａ）は図７のＡ−Ａ断面図、図８（ｂ）は図７のＢ−Ｂ断面図をそれぞれ示している。なお、図８（ｂ）においては、断面図と共に偏光光強度の位置依存性グラフを併せて示しているが、詳細は後に説明する。

図７，８に示す様に、透明基板１５上の下層配線ＤＬを覆うように層間絶縁膜３２が形成され、層間絶縁膜３２上に微細パターン３４が形成されている。また、微細パターン３４を覆うように保護絶縁膜３３が形成されている。微細パターン３４は、下層配線ＤＬの延伸方向と直交する上層配線ＵＬと同レイヤの膜で形成される。微細パターン３４は一つ一つが幅Ｗ１を有する細い矩形状の孤立パターンからなり、それらがピッチ長Ｐ１で周期的に並置されてなり、第３偏光子を構成する。ここで、下層配線ＤＬ及び上層配線ＵＬは、一方が前述のＸ方向検出線３０を形成する個々の配線を形成し、他方がＹ方向検出線３１を形成する個々の配線を形成する、という関係にある。

また、今後断りが無い限り、下層配線ＤＬが延在する方向を第１方向と呼び、第１方向と直交する方向を第２方向と呼ぶこととする。

次に、図８（ｂ）について説明する前に、本発明の前提となる偏光について説明する。バックライトユニット１から透明基板１５に入射透過する光の光軸は、偏光フィルム１１を透過することにより一方向に揃っている。この入射透過光の光軸の一方向は、第１方向と第２方向とにベクトル分解して取り扱うことが可能である。

図８（ｂ）において、バックライトユニット１の光は透明基板１５を透過して下層配線ＤＬの下方から照射される。下層配線ＤＬが形成されていない領域においては、上記で説明したように偏光軸が一方向に揃った光強度の光が照射される。このことを示したのが、図８（ｂ）グラフの点線部のうち平坦な領域である。

一方、このような光が下層配線ＤＬのエッジ近傍を通過した場合、下層配線ＤＬの延在方向と平行な第１方向の光は吸収されるため、下層配線ＤＬの延在方向と垂直な第２方向の光のみが通過する。この偏光光の強度を示したのが図８（ｂ）の実線と点線の減少部分である。

下層配線ＤＬの延在方向と垂直の軸方向の偏光光の強度は下層配線ＤＬに近接するほど高く、下層配線ＤＬから離れるに従って低下する（実線）。一方、透明基板１５を通過した時の偏光軸方向の偏光光の強度は、下層配線ＤＬに近接するほど下層配線ＤＬの延在方向と平行な方向の光が吸収されることにより、下層配線ＤＬの延在方向と垂直の軸方向に変換され、光の強度も低下する（点線）。

ここで、変換という用語を用いたが、ここでは特定方向の光が吸収されることによりそれ以外の方向の光が相対的に強くなり、通過前後で偏光軸の方向が変わることを指しており、今後もこのような表現を用いることがある。

なお、図８（ｂ）においては、実線及び点線の縦軸の最大高さを便宜上同一として図示したが、実際には下層配線ＤＬの延在方向と垂直である軸方向の偏光光（実線）の最大強度の方が低くなる。

さらに、光が上層の微細パターン３４のエッジ近傍を通過する際、微細パターン３４の端部が下層配線ＤＬから平面視で突出する部分は下層配線ＤＬの延在方向と垂直であるため、下層配線ＤＬの延在方向と垂直方向の光軸の光が吸収される。したがって、下層配線ＤＬの延在方向と垂直に偏光された偏光光が偏光フィルム１７に到達する量は大幅に減少する。これについては後に図１１，１２、１８〜２１等を用いて説明する。

図７に示すように、微細パターン３４は、下層配線ＤＬの延伸方向と直交し、かつ下層配線ＤＬの延伸方向に沿って配列された複数の部材で構成される。微細パターン３４は、平面視で下層配線ＤＬと重複する配線部と、平面視で下層配線ＤＬと重複しない非配線部とに分けられる。非配線部の長さ、すなわち微細パターン３４の下層配線ＤＬからの突出量Ｌ１は、２００ｎｍとする。また、微細パターン３４の下層配線ＤＬの伸延方向へのピッチＰ１は２５０ｎｍ、微細パターン３４の幅Ｗ１は１００ｎｍとする。

なお、微細パターン３４のパターンピッチＰ１及びパターン幅Ｗ１は、偏光効率、偏光波長領域及び加工方法を勘案して適宜設定すればよい。例えば、可視光領域の４００ｎｍから７５０ｎｍの波長（文献によっては３８０ｎｍから７８０ｎｍ）で偏光効率を高くする場合、短波長の波長より配線間隔を狭く設定する必要がある。さらに、可視光領域で安定した偏光機能を持たせる為にはレイリー共鳴の発生する波長λ＝ｐ×（ｎ＋ｓｉｎχ）が短波長の波長より短ければよい。従って、ＳｉＯ２等の屈折率ｎ＝約１．５、アレイ基板側からの入射光なので入射角χ≒０°として、短波長側の波長λ＝４００ｎｍとなるピッチＰ１≦２６６ｎｍとなる。

また、Ｌ１はＷ１の２倍以上が望ましく、さらに下層配線ＤＬとの重ね合わせ精度を加味した長さとするのが良い。

さらに、下層配線ＤＬの延伸方向と垂直な偏光軸の偏光光が観察される領域より外側に微細パターン３４を突出させた場合は、新たに微細パターン３４の延伸方向と垂直な偏光軸の偏光光による光漏れが発生する現象を防止するため、下層配線ＤＬ通過後の状態において黒表示時の偏光軸方向の偏光光強度カーブと下層配線ＤＬに垂直な偏光軸の偏光光強度カーブの高さが等しくなる領域以下が良い。

さらには、下層配線ＤＬの延伸方向が偏光フィルム１７の偏光軸と成す角度が０度又は１８０度に近い程、下層配線ＤＬによる偏光軸の変換方向が偏光フィルム１７と直交する方向になり、光抜けが少なくなるので、微細パターン３４の突出量Ｌ１を小さくしても良い。また、下層配線ＤＬの延伸方向が偏光フィルム１７の偏光軸と成す角度が９０度に近いほど、下層配線ＤＬによる偏光軸の変換方向が偏光フィルム１７と平行な方向になり、光抜けが発生し、微細パターン３４の効果が必要となるので、その突出量Ｌ１を大きくするようにしても良い。

また、配線エッジによる偏光軸が別の軸に投射される影響度を低減させる場合（完全に遮断ではなく）は、微細パターン３４の加工性を優先してピッチＰ１及びＷ１を定めても良い。

第１電極線パターンである配線パターンと第３偏光子を構成する微細パターンの上下関係は、逆転しても良い。この形態を図９，１０に示す。図９，１０に示す様に、上層配線ＵＬの下部には、上層配線ＵＬの伸延方向と直交する下層配線ＤＬと同レイヤの膜で微細パターン３６が形成されている。図９は、上層配線ＵＬ及び微細パターン３６の上面図を、図１０はその断面図をそれぞれ示している。図１０（ａ）は図９のＡ−Ａ断面図、図１０（ｂ）は図９のＢ−Ｂ断面図である。

微細パターン３６は、上層配線ＵＬの延伸方向と直交し、かつ上層配線ＵＬの延伸方向に沿って配列された複数の部材で構成される。微細パターン３６は、平面視で上層配線ＵＬと重複する配線部と、平面視で上層配線ＵＬと重複しない非配線部とに分けられる。非配線部の長さ、すなわち微細パターン３６の上層配線ＵＬからの突出量Ｌ２は、２００ｎｍとする。また、微細パターン３６の上層配線ＵＬの伸延方向へのピッチＰ２は２５０ｎｍ、微細パターン３６の幅Ｗ２は１００ｎｍとする。なお、パターンピッチＰ１とパターン幅Ｗ１は、偏光効率、偏光波長領域及び加工方法を勘案して適宜設定すればよい。Ｌ２については、少なくとも上層配線ＵＬとの重ね合わせ精度を勘案した幅があればよく、上層配線ＵＬによる偏光軸が別の軸へ投射される影響が大きい領域を含んでいればよい。さらに、Ｌ２は、微細パターン３６が無い場合に非配線パターン部の偏光軸を持つ偏光光強度と配線パターンと平行な偏光軸の偏光光強度が等しくなるＬ２よりも短くすることが望ましい。図１０（ｂ）には偏光光強度の位置依存性グラフを示しているが、これは図８（ｂ）と同様であるため、説明を省略する。

以上に説明したタッチセンサパターン１６により得られる効果について、図１１，１２を用いて説明する。図１１は、微細パターン３４，３６がない従来のタッチセンサパターンの場合を示しており、図１２は、実施の形態１のタッチセンサパターン１６の場合を示している。

図１１，１２とも、透過光が各層を透過するにつれて偏光方向がどのように推移するかを示した図であり、各層での推移は図面では左右方向で示している。

偏光フィルム１１により偏光光に変換された光の偏光軸は、液晶層８に印加される電圧により、センサ部を通過する前において任意の方向に向いている。そのため、センサ部を通過する前の光の偏光軸は、説明の簡単化のために図面の上下方向を偏光フィルム１７の偏光軸と直交する方向、すなわち黒表示時の偏光軸方向で統一して示しており、光の強度を矢印の長さで示している。

図１１においては、タッチセンサパターン１６の有無による違いを図面の上下に分けて示している。

また、図１２においては、図９で示すように微細パターン３６が下層に形成されている場合と、図７で示すように微細パターン３４が上層に形成されている場合とを上下に分けて比較して示している。

図１１で示すようにタッチセンサパターンが無い領域では、センサ部の前段における上下方向の偏光は、偏光フィルム１７の後段では強度がほぼ零となっている（ここで“ほぼ”としたのは偏光フィルム１７の遮光効率が理論的に１００％であれば偏光フィルム１７通過後の光強度は零であるが、実際には１００％の遮光効率ではないため）。この場合、余分な偏光成分が無いことを意味しているため、黒色を表示したい場合においても光が漏れることなく良好な黒色表示が可能となり、コントラストも向上できる。

一方、微細パターンのないタッチセンサパターンが形成されている場合、偏光フィルム１７を通過した後においても左右方向の偏光成分の光強度が残存している。このため、前述のように黒色表示をしたい場合においても、一部の光が透過してしまい良好な黒色を表示することはできなくなる。この原因は、光がタッチセンサパターンを通過する際に個々の配線パターンのエッジで偏光されることにより、偏光フィルム１７の偏光軸に直交する方向からずれた偏光成分が生成されたことによるものと考えられる。すなわち、微細パターンが無い従来のタッチセンサパターンでは、配線パターンによる偏光軸が別の軸に投射されることにより、光り抜けが発生する。

次に、本実施の形態のタッチセンサパターン１６における偏光効果を図１２を用いて説明する。図１２の上側で示すように、光が下層の微細パターン３６を通過する際に光の偏光軸が微細パターン３６のパターン伸延方向と直交する方向に変換される。微細パターン３６の延伸方向は、上層配線ＵＬの延伸方向と直交する方向に形成されているので、微細パターン３６通過後の光の偏光軸は上層配線ＵＬの延伸方向と一致している。微細パターン３６により偏光軸が変化した光が、上層配線ＵＬが形成されている領域の近傍を通過する際、上層配線ＵＬにより偏光軸が変換される。そして、上層配線ＵＬの下側から入射する光の偏光軸は上層配線ＵＬによる偏光軸の変換方向と直交しているため、入射光は偏光効果により遮光され、上層配線ＵＬが形成されている領域近傍では光は通過しない。

また、図１２の下側で示すように、下層配線ＤＬの下側から入射した光が下層配線ＤＬの形成されている領域近傍を通過する際、その光の偏光軸が下層配線ＤＬの伸延方向と直交する方向に変換される。そして、上層の微細パターン３４の延伸方向は、下層配線ＤＬの延伸方向と直交する方向に形成されているので、微細パターン３４による偏光軸の変換方向は、下層配線ＤＬの形成されている領域近傍を通過し偏光軸が変化した光の偏光軸と直交し、微細パターン３４を通過する際の偏光効果により遮光が実現する。したがって下層配線ＤＬが形成されている領域近傍では光は通過しない。

このようにして、本実施の形態で説明した微細パターン３４，３６を下層配線ＤＬの上部あるいは上層配線ＵＬの下部に形成することで、タッチセンサの配線パターンのエッジで生じる偏光軸が別の軸へ投射されるのを相殺することでコントラストの低下を抑制できる。

図１３は、タッチセンサパターン１６の配線パターンの交差部（クロス部）を示す上面図であり、図１４（ａ）は図１３のＡ−Ａ断面図である。そして、図１４（ｂ）は微細パターンを有さない比較例のタッチセンサパターンの断面図である。

図１４（ｂ）に示すように微細パターン３６がない場合、下層配線ＤＬの膜厚をｄ１とすると、平坦化膜の塗布直後に下層配線ＤＬ上の塗布膜の膜厚はｄ２、非配線形成部での塗布膜の膜厚はｄ３＝ｄ１＋ｄ２となる。キュア（熱硬化）による膜厚変化率をβとすると、キュア後の膜厚は、下層配線ＤＬ上でｄ４＝ｄ２×β、非配線形成部でｄ５＝ｄ３×β＝ｄ１×β＋ｄ２×βとなる。すなわち、下層配線ＤＬ上の層間絶縁膜３２の膜厚は、非配線形成部での厚みに比べてｄ１×βだけ薄くなる。そのため、層間絶縁膜３２の耐圧は低下する。

一方、図１４（ａ）に示すように微細パターン３６を上層配線ＵＬの下部に形成した本実施の形態のタッチセンサパターン１６においては、下層配線ＤＬ及び上層配線ＵＬのクロス部における層間絶縁膜３２の膜厚が、塗布時の膜厚ｄ３´＞ｄ４、キュア後の膜厚ｄ５´＞ｄ４と図１４（ｂ）に示す構造におけるよりも厚く形成されるため、耐圧の向上を図ることができる。

＜Ａ−２．変形例＞
Ｘ方向検出線３０及びＹ方向検出線３１を構成する個々の配線パターン幅が微細パターン幅Ｗ１、Ｗ２より十分広い場合、配線パターン内部において偏光光に対する対策は不要である。そのため、変形例１では、微細パターン３４，３６を配線上で分割する。図１５は、実施の形態１の変形例１における下層配線ＤＬ及び微細パターン３４の断面図であり、図１５（ａ）は図８（ａ）に、図１５（ｂ）は図８（ｂ）にそれぞれ対応する向きの断面図である。また、図１６は、変形例１における上層配線ＵＬ及び微細パターン３６の断面図であり、図１６（ａ）は図８（ａ）に、図１６（ｂ）は図８（ｂ）にそれぞれ対応する向きの断面図である。変形例１における下層配線ＤＬのパターンエッジと微細パターン３４とのオーバーラップ量Ｌ３（図１５（ｂ））、及び上層配線ＵＬのパターンエッジと微細パターン３６とのオーバーラップ量Ｌ４（図１６（ｂ））は、パターン形成の重ね合わせ精度を考慮して設計すればよい。

図１７は、実施の形態２の変形例２におけるタッチセンターパターンを示す上面図である。上記では、配線（上層配線ＵＬ、下層配線ＤＬ）の形状を直線としていたが、変形例２では図１７に示すように曲線とする。この場合、微細パターン３４，３６は曲線の上層配線ＵＬ、下層配線ＤＬに直交する向きに形成される。そして、微細パターン３４，３６の幅Ｗ３、突出量Ｌ５、間隔Ｐ３ａ，Ｐ３ｂは、図７，９で示した幅Ｗ１，Ｗ２、突出量Ｌ１，Ｌ２、間隔Ｐ１（Ｐ２）と同様に設定すれば良い。

図１８は、変形例３における微細パターン６５，６６を示す上面図である。上記では、微細パターン３４，３６を長方形形状とし、微細パターン３４，３６による偏光軸方向を一定としたが、変形例３では、微細パターン６５，６６の偏光軸方向をその先端部分で変化させる。図１８（ａ）は上層配線ＵＬ及び上層配線ＵＬの下部に設けられる微細パターン６５を示す上面図、図１８（ｂ）は下層配線ＤＬ及び下層配線ＤＬの上部に設けられる微細パターン６６を示す上面図である。

図１８（ａ）に示すように、微細パターン６５は、その先端が連続的又は非連続的に屈曲している。これにより、微細パターン６５の偏光軸方向は、平面視で上層配線ＵＬと重複する位置においては上層配線ＵＬの配線方向と平行であるが、先端においては対向基板１０の偏光フィルム１７の偏光軸６３と平行な方向になる。

微細パターン６６も微細パターン６５と同様、図１８（ｂ）に示すように先端が屈曲している。これにより、微細パターン６６の偏光軸方向は、平面視で下層配線ＤＬと重複する位置においては下層配線ＤＬの配線方向と平行であるが、先端においては対向基板１０の偏光フィルム１７の偏光軸６３と平行な方向になる。

図１９は、変形例３による偏光効果を示している。図１９の左部は、図１８（ａ）のＡ−Ａ断面図と、この構造による偏光効果を示している。図１９の右部は、図１８（ｂ）のＢ−Ｂ断面図と、この構造による偏光効果を示している。図１９の左部において、「配線パターンに平行な偏光軸」とは、上層配線ＵＬの延伸方向と平行な軸方向を示す。また、「下層レイヤパターン通過後の黒表示の偏光光」とは、図１９の左部および右部にて黒表示時の偏光軸を持つ光が下層レイヤを通過した後の光を指し、「上層レイヤパターン通過後の黒表示の偏光光」とは、図１９の左部および右部にて下層レイヤを通過した光が上層レイヤを通過した後の光を指し、「偏光フィルター通過後の黒表示の偏光光」とは、図１９の左部および右部にて前記上層レイヤを通過した光が対向基板１０の偏光フィルム１７を通過した後の光を指す。

図１９の左部の領域［Ａ］は下層の微細パターン６５が形成されていない領域を示し、領域［Ｂ］は下層の微細パターン６５が形成されている領域の中で下層レイヤ通過後の偏光軸が上層配線ＵＬの延伸方向に垂直な方向と一致しない領域、領域［Ｃ］は下層レイヤ通過後の偏光軸が上層配線ＵＬの延伸方向に垂直な方向と一致する領域を示している。

図１９の右部の領域［Ｄ］は上層の微細パターン６６が形成されていない領域を示し、領域［Ｅ１］は下層レイヤ通過後の偏光軸の状態が上記領域［Ｄ］の状態から下記領域［Ｅ２］の間となる領域を示し、領域［Ｅ２］は下層レイヤ通過後の偏光軸の状態が下層配線ＤＬの伸延方向と垂直な方向に偏光軸の変換されている領域を示し、領域［Ｆ］は下層配線ＤＬの下層の領域を示す。

図１９の左部において、領域［Ａ］では微細パターン６５が形成されていないので、下層レイヤの通過による光の偏光軸及び強度の変化はない。領域［Ｂ］の図中左側の微細パターン６５の先端領域では、微細パターン６５は対向基板１０の偏光フィルム１７の偏光軸と垂直な方向に伸延しているので、偏光軸の変換方向は偏光フィルム１７と同一となる。従って、微細パターン６５の偏光効果により光は遮光される。また、領域［Ｂ］の図中左から右に進むにつれて微細パターン６５は上層配線ＵＬの伸延方向と直交するパターンとなる為、微細パターン６５通過後の光軸は上層配線ＵＬの伸延方向と直交する軸方向に変化すると共に強度は増加する。領域［Ｃ］では、微細パターン６５による軸の変換により、微細パターン６５通過後の光軸は、上層配線ＵＬの伸延方向と直交する軸方向を向いている。

領域［Ａ］では上層配線ＵＬが形成されていないので、上層レイヤの通過による光の偏光軸及び強度の変化はない。領域［Ｂ］では上層配線ＵＬによる光の偏光軸の変換の影響を受ける割合が図中左側から右側に進む程大きくなり、下層レイヤ通過後の光の偏光軸と丁度直交する方向の偏光効果を受け遮光される。領域［Ｃ］の上層配線ＵＬの近傍では、光の偏光軸の変換が上層配線ＵＬの伸延方向と直交する軸方向となる為、偏光効果により光は遮光され、上層配線ＵＬ部分では上層配線ＵＬにより遮光される。

領域［Ａ］では、偏光フィルム１７にその偏光軸と直交する光が入射し、偏光フィルム１７の偏光効果により遮光される。領域［Ｂ］，［Ｃ］では既に遮光状態であるため、偏光フィルム１７の通過による光の変化はない。

図１９の右部における下層レイヤの作用を説明する。領域［Ｄ］では下層配線ＤＬが形成されていないので、光の偏光軸及び強度の変化はない。領域［Ｅ１］では下層配線ＤＬによる偏光軸の変換の影響を受け、変換後の偏光軸は図中左側から右側に進むにつれ黒表示時の偏光軸から下層配線ＤＬの伸延方向に垂直な軸方向へ変化する。領域［Ｅ２］では、下層配線ＤＬの伸延方向に垂直な軸方向へ偏光軸が変換されている。領域［Ｆ］では、下層配線ＤＬにより遮光される。

次に、図１９の右部における上層レイヤの作用を説明する。領域［Ｄ］では上層の微細パターンＭＰが形成されていないので、光の偏光軸及び強度の変化はない。領域［Ｅ１］では、図中左側の微細パターン６６の先端領域は対向基板１０の偏光フィルム１７の偏光軸と垂直な方向に伸延しているので、偏光軸の変換方向は偏光フィルム１７と同一となる。従って、黒表示と同じ方向の偏光軸の光は偏光効果により遮光される。また、領域［Ｅ１］の図中左側から右側に進むにつれ微細パターン６６の偏光軸の変換は偏光フィルム１７の偏光軸と平行な軸から下層配線ＤＬの伸延方向に平行な軸へ変化するため、下層レイヤ通過後の光の偏光軸と丁度直交する方向の偏光効果を受け遮光される。領域［Ｅ２］では下層配線ＤＬの伸延方向に直交する微細パターン６６により下層配線ＤＬの伸延方向に平行な軸へ変換されるので偏光効果により遮光される。領域［Ｆ］については既に遮光状態であるので変化はない。

次に、図１９の右部における偏光フィルム１７の作用を説明する。領域［Ｄ］では偏光フィルム１７の偏光軸と直交する光が入射するので偏光効果により遮光される。領域［Ｅ１］，［Ｅ２］，［Ｆ］については既に遮光状態であるので変化はない。

なお、微細パターン６５，６６は、先端の形状が複数の屈曲部を有し、偏光軸が非連続的に変化するものでもよい。また、先端の形状が曲線で、偏光軸が連続的に変化するものでもよい。この構成により、配線近傍の広範囲の領域において黒輝度の低下を抑えられると共に、突出量Ｌ１´、Ｌ２´の上限を制限する必要がなくなるため、加工マージンを持つ構造となる。

図２０は、変形例４に係る微細パターンを示す上面図である。変形例４では、下層配線ＤＬに対する上層の微細パターンは図１８（ｂ）に示す変形例３と同様であるが、上層配線ＵＬに対する下層の微細パターンが異なる。図２０に示すように、変形例４では、下層の微細パターン６２で形成する偏光子の偏光軸を、対向基板１０の偏光フィルム１７の偏光軸（黒表示時のカラーフィルタパターン１４に入射する偏光光と直交する偏光軸）と平行に設定する。

図２１は、変形例４による偏光効果を示している。図２１は、図２０のＡ−Ａ断面図と、この構造による偏光効果を示している。

また、図２１において「下層レイヤパターン通過後の黒表示の偏光光」とは、図２０にて黒表示時の偏光軸を持つ光が下層レイヤを通過した後の光を指し、図２１において「上層レイヤパターン通過後の黒表示の偏光光」とは、図２０にて下層レイヤを通過した光が上層レイヤを通過した後の光を指し、図２１において「偏光フィルター通過後の黒表示の偏光光」とは、図２０にて上層レイヤを通過した光が対向基板１０の偏光フィルム１７を通過した後の光を指す。

図２１の領域［Ａ］は下層の微細パターン６２が形成されていない領域を示し、領域［Ｂ］は下層の微細パターン６２が形成されている領域の中で上層配線ＵＬが形成されていない領域、領域［Ｃ］は微細パターン６２かつ上層配線ＵＬが形成された領域を示している。

次に、下層レイヤの作用を説明する。領域［Ａ］では微細パターン６２が形成されていないので、下層レイヤによる光の偏光軸及び強度の変化はない。領域［Ｂ］，［Ｃ］では、微細パターン６２は対向基板１０側の偏光フィルム１７の偏光軸と垂直な方向に伸延しているので、偏光軸の変換方向は偏光フィルム１７と同一となるため、偏光効果により光は遮光される。

次に、上層レイヤの作用を説明する。領域［Ａ］では上層配線ＵＬが形成されていないので、光の偏光軸及び強度の変化はない。領域［Ｂ］，［Ｃ］では既に遮光状態であるので変化はない。

次に、偏光フィルム１７の作用を説明する。領域［Ａ］では、偏光フィルム１７の偏光軸と直交する光が入射するので偏光効果により遮光される。領域［Ｂ］，［Ｃ］については既に遮光状態であるので変化はない。

この構成により、上層配線ＵＬからの突出量Ｌ２”の幅を重ね合わせ精度を勘案した幅以上とすれば良く、Ｌ２”の上限を制限する必要がなくなるため、加工マージンを持つ構造となる。

＜Ａ−３．効果＞
本発明の実施の形態１に係る表示装置１０１は、光源から表示面に向かう光路に沿って順に配置された、偏光フィルム１１（第１偏光子）、画素アレイ基板７（第１絶縁基板）、対向基板１０（第２絶縁基板）及び偏光フィルム１７（第２偏光子）を備え、第２偏光子は第１偏光子の偏光軸と平行又は垂直な偏光軸を有し、第１絶縁基板及び第２絶縁基板は絶縁性の透明基板１２，１５を備え、第１絶縁基板及び第２絶縁基板の少なくとも一方は、透明基板１２，１５上に形成された不透明な下層配線ＤＬ（第１電極線パターン）と、光路における第１電極線パターンの前段又は後段において、透明な絶縁膜を介して第１電極線パターンと対向する微細パターン３４（第３偏光子）と、を備え、少なくとも第１電極線パターンの後段に設けられる第３偏光子は、第１電極線パターンのエッヂの延伸方向と平行な偏光軸を有する。従って、第３偏光子により、配線パターンによる偏光軸の変化が相殺されるため、光抜けが抑制されコントラストが高まる。

また、少なくとも第１電極線パターンの後段に設けられる第３偏光子は、第１電極線パターンのエッヂの延在方向と略垂直方向の長軸を有し、エッヂと重畳する、可視光線に対して不透明な複数の孤立パターンを有するため、この孤立パターンにより配線パターンによる偏光軸の変化が相殺され、光抜けが抑制されコントラストが高まる。

また、孤立パターンの短軸方向の平均ピッチ長さを２６６ｎｍ以下とすることにより可視光領域で安定した偏光機能を発揮できる。

また、孤立パターンは、金属パターン又は導電性粒子とすることもできる。この構成によっても、光抜けが抑制されコントラストが高まる。

また、第１電極線パターンの後段に設けられる第３偏光子の偏光軸の一部を第２偏光子の偏光軸と平行とすることにより、第３偏光子の下層配線ＤＬからの突出量を重ね合わせ精度を勘案した寸法以上とすれば良く、その上限を制限する必要がなくなるため、加工マージンを持つ構造となる。

また、第１電極線パターンの後段に設けられる第３偏光子は、第１電極線パターンの形成されていない側に向かった先端において、第２偏光子の偏光軸と平行な偏光軸を有することにより、第３偏光子の下層配線ＤＬからの突出量を重ね合わせ精度を勘案した寸法以上とすれば良く、その上限を制限する必要がなくなるため、加工マージンを持つ構造となる。

また、第１電極線パターンの前段に設けられる第３偏光子の偏光軸の少なくとも一部を、第２偏光子の偏光軸と平行にすることにより、第３偏光子の上層配線ＵＬからの突出量を重ね合わせ精度を勘案した寸法以上とすれば良く、その上限を制限する必要がなくなるため、加工マージンを持つ構造となる。

また、表示装置１０１は、第１絶縁基板及び第２絶縁基板の間に封入された液晶層をさらに備え、第１絶縁基板は透明基板上に形成された画素アレイ層をさらに備え、第２絶縁基板は透明基板上に形成されたタッチパネル層をさらに備え、タッチパネル層は、タッチセンサ配線としての第１電極線パターンと、第３偏光子と、を備える。従って、第３偏光子により、タッチセンサ配線による偏光軸の変化が相殺されるため、光抜けが抑制されコントラストが高まる。

また、第１電極線パターンは曲線を含むことにより、第１電極線パターンにおける光条現象を抑制できる。

また、孤立パターンの長軸方向で第１電極線パターンと重畳しない領域の長さは、孤立パターンの短軸の長さの２倍以上とする。これにより、光抜けが抑制されコントラストが高まる。

＜Ｂ．実施の形態２＞
＜Ｂ−１．構成＞
実施の形態１では、偏光軸が別の軸へ投射される影響を防止する微細パターンを、上層配線ＵＬに対しては絶縁膜を介して形成された下層配線ＤＬと同レイヤの膜、下層配線ＤＬに対しては絶縁膜を介して形成された上層配線ＵＬと同レイヤの膜にて形成した。しかし実施の形態２では、微細パターンを下層配線ＤＬ又は上層配線ＵＬとは異なるレイヤで形成する。

図２２は、実施の形態２におけるタッチセンサパターン１６Ａの構成を示す断面図である。タッチセンサパターン１６Ａは、透明基板１５上に形成された第１電極線パターンである下層配線ＤＬと、下層配線ＤＬを覆う層間絶縁膜３２と、層間絶縁膜３２上に形成された第２電極線パターンである上層配線ＵＬと、上層配線ＵＬを覆う保護絶縁膜３３と、保護絶縁膜３３上に形成された第３偏光子である微細パターン４２と、微細パターン４２を覆う保護膜４３を備えている。

この構造では、下層配線ＤＬ又は上層配線ＤＬと同時に微細パターン４２を形成する必要がないため、微細パターンのパターニングに対して要求される寸法又は精度が、配線パターンのパターニングに要求される寸法又は精度に対して微細又は高精度である場合にも対応が可能である。例えば、下層配線ＤＬ及び上層配線ＵＬのパターニングにおいては、ｇｈ線やｉ線を用いた露光によりレジストをパターニングし、ウェットエッチングによりパターン形成を行うことで妥当な精細度を得ることが出来る。

微細パターン４２は、下層配線ＤＬの上部では下層配線ＤＬの延伸方向に直交し、上層配線ＵＬの上部では上層配線ＵＬの延伸方向に直交して形成され、第３偏光子を成す。微細パターン４２は、例えば膜厚２００ｎｍのＡｌ合金を実施の形態１で説明したパターンピッチ、パターン幅及び配線端からの突出量になるように形成されている。電子描画、高解像度レジスト及びドライエッチングにより高精細に微細パターン４２をパターニングすることで、所望の偏光機能を持つ微細パターン４２を得ることができる。

図２３は、実施の形態２におけるタッチセンサパターン１６Ａの偏光効果を説明する図である。タッチセンサパターン１６Ａでは、センサパターンの上部に微細パターン４２を配置している。そして、センサパターンによる変換後の偏光軸に対して微細パターン４２が垂直な偏光作用を有するため、微細パターン４２により光を遮断することができる。従って、実施の形態１と同様、光抜けが抑制され、コントラスト低下が抑制される。

実施の形態２では、微細パターン４２を下層配線ＤＬ又は上層配線ＵＬと別レイヤで形成することから、実施の形態１に比べてパターニング工数が１工程増加する。しかし、その代わりに下層配線ＤＬ及び上層配線ＵＬの加工に微細パターン４２の加工とは別の低コストな形成プロセスを導入することが出来る。従って、製造コストの低減が可能となる。

＜Ｂ−２．変形例＞
図２２では、微細パターン４２を保護絶縁膜３３の上層に形成する場合を示した。しかし、変形例１では、下層配線ＤＬの下層レイヤに微細パターン４２を形成する。図２４は、実施の形態２の変形例１に係るタッチセンサパターン１６Ｂの構成を示す断面図である。タッチセンサパターン１６Ｂでは、透明基板１５上に第３偏光子を成す微細パターン４２が形成され、微細パターン４２と同レイヤにおいてアライメント用のマーク４４が形成されている。微細パターン４２及びマーク４４は絶縁性の保護膜４３で覆われる。保護膜４３上にはマーク４４を基に下層配線ＤＬが形成され、下層配線ＤＬは層間絶縁膜３２で覆われる。層間絶縁膜３２上にはマーク４４を基に上層配線ＵＬが形成され、上層配線ＵＬは保護絶縁膜３２で覆われる。

図２５は、実施の形態２の変形例１におけるタッチセンサパターン１６Ｂの偏光効果を説明する図である。タッチセンサパターン１６Ｂでは、センサパターンの下部に微細パターン４２を配置している。そのため、微細パターン４２による偏光軸の変化と、センサパターンによる偏光軸の変化とが相殺されるため、光抜けが抑制され、コントラスト低下が抑制される。

本実施の形態においても、実施の形態１の変形例３を適用可能である。すなわち、微細パターン４２のうちセンサパターンからの突出部において、配線パターン領域から突出部の先端に向けて、偏光軸を対向基板１０の偏光フィルム１７の偏光軸と平行方向へ変化させてもよい。

また、本実施の形態の変形例１の構成では、実施の形態１の変形例４を適用可能である。すなわち、微細パターン４２の偏光軸を対向基板１０の偏光フィルム１７の偏光軸と平行にしても良い。

＜Ｃ．実施の形態３＞
＜Ｃ−１．構成＞
図２６は、実施の形態３におけるタッチセンサパターン１６Ｃの上面図であり、図２７はタッチセンサパターン１６Ｃの断面図である。タッチセンサパターン１６Ｃは、実施の形態２のタッチセンサパターン１６Ａの構成において、微細パターン４２を導電性微粒子４５に置き換えたものであり、それ以外の構成は同様である。

導電性微粒子４５は、第１電極線パターンである下層配線ＤＬの上部においては下層配線ＤＬの延伸方向に直交する方向を長軸とし、第２電極線パターンである上層配線ＵＬの上部においては上層配線ＵＬの延伸方向に直交する方向を長軸とする。これにより、導電性微粒子４５は、下層配線ＤＬの上部においては下層配線ＤＬの延伸方向に平行な偏光軸を有する偏光子（第３偏光子）として機能し、上層配線ＵＬの下部においては上層配線ＵＬの延伸方向に平行な偏光軸を有する偏光子（第４偏光子）として機能する。

導電性微粒子４５は、例えば銀化合物より形成されている。そして、長さＬ７は１００〜５００ｎｍ、幅Ｗ３は長さＬ７の１／２以下で５０ｎｍ以下が望ましい。導電性微粒子４５は、配置領域において５ｗｔ％程度の密度で配置されている。また、導電性微粒子４５は、下層配線ＤＬの端よりＬ６ａ、上層配線ＵＬの端よりＬ６ｂだけ外側に広がった領域に亘って配置されている。なお、Ｌ６ａ，Ｌ６ｂは実施の形態１におけるＬ１と同様の観点から設定すれば良い。

以上の構成により、実施の形態１，２と同様、配線パターンで生じる偏光軸の変化を、導電性微粒子４５により相殺することで、光抜けを抑制しコントラストを高めることが出来る。

なお、上記では導電性微粒子４５の材料として銀化合物を挙げたが、代わりに銅等の加工及び形成に適した導電材料を選択してもよい。また、導電性ナノファイバー等のアスペクト比の大きい導電材料や、アスペクト比の大きい消光性の粒子又はファイバーを、導電性微粒子と同様に各配線の伸延方向に直交する方向に長軸を持つように分散させても良い。なお、ここでの消光性とは偏光軸と垂直方向の光を透過させない事（電子の振動による吸収及び反射）を示す。さらにはアスペクト比の大きい導電性高分子や消光性高分子（例えば染料高分子）や消光性化合物（例えばヨウ素化合物）を選択してもよい。

配線パターンの延伸方向に直交する向きに偏光子の長軸を配置させる方法について、図２８、２９を用いて説明する。図２８に示す様に、センサ配線に電流を流すことでセンサ配線に直交する磁界を発生させ、極性を持つ高分子等である偏光子材料の長軸方向を配線と直交する方向に配置させることができる。その状態で配線近傍の領域を固着させると共に配線近傍以外（後述の図３２（ａ）に距離Ｌ８ａ，Ｌ８ｂで示した領域の外側）の領域の偏光子材料を除去することで、所望の偏光子パターン（偏光機能領域）を形成する。また、電流を制御することで磁界の影響する範囲を制御し、極性を有する偏光子材料の配置領域を限定することが出来る。

また、図２９に示す様に、配線部に生じる熱による収縮量が非配線部の熱による収縮量より大きい場合、熱サイクルを与えることにより、収縮量の差の大きい領域（配線エッジ領域）において徐々に微粒子等の偏光子材料の長軸方向を配線に直交する方向に配置させることができる。そして、その状態でその領域を固着させる。また、昇降温度差、サイクル数により、微粒子の整列の度合い、及び微粒子の配線からの整列範囲を調整することができる。図２８に示した方法は、偏光子材料が極性を有する材料に限られたが、図２９に示す方法ではその制限はなく、幅広い材料から偏光子材料を選択することが出来る。

＜Ｃ−２．変形例＞
図３０は、実施の形態３の変形例１におけるタッチセンサパターン１６Ｄの上面図であり、図３１は図３０のＡ−Ａ断面図である。タッチセンサパターン１６Ｃでは、下層配線ＤＬの上部領域の導電性微粒子４５と上層配線ＵＬの上部領域の導電性微粒子４５とが同一レイヤ上に形成されていた。これに対して、タッチセンサパターン１６Ｄでは、これらを絶縁性の保護膜４３Ａを介して別レイヤに分離する。

図３１に示すように、上層配線ＵＬを覆う保護絶縁膜３３上に、導電性微粒子４５Ａが形成され、導電性微粒子４５Ａは保護膜４３Ａで覆われる。保護膜４３Ａ上には導電性微粒子４５Ｂが形成され、導電性微粒子４５Ｂは保護膜４３Ｂで覆われる。これ以外の構成は、タッチセンサパターン１６Ｃと同様である。なお、ここでは導電性微粒子４５Ａを保護膜４３Ａの下層、導電性微粒子４５Ｂを保護膜４３Ａの上層に配置したが、逆の配置であっても良い。

図３２は、実施の形態３の変形例２におけるタッチセンサパターン１６Ｅの構成図である。図３２（ａ）はタッチセンサパターン１６Ｅの上面図であり、図３２（ｂ）は対向基板１０の上面図である。また、図３３は図３２（ａ）のＡ−Ａ断面図である。タッチセンサパターン１６Ｅでは、下層配線ＤＬの下層レイヤに導電性微粒子４５を形成する。すなわち、透明基板１５上に導電性微粒子４５が形成され、導電性微粒子４５と同レイヤにおいてマーク４６が形成されている。導電性微粒子４５及びマーク４６は絶縁性の保護膜４３で覆われる。保護膜４３上にはマーク４６を基に下層配線ＤＬが形成され、下層配線ＤＬは層間絶縁膜３２で覆われる。層間絶縁膜３２上にはマーク４６を基に上層配線ＵＬが形成され、上層配線ＵＬは保護絶縁膜３３で覆われる。

変形例２における導電性微粒子４５の長さＬ９及び幅Ｗ４は、図２６に示した長さＬ７及び幅Ｗ３と同様に設定される。すなわち、Ｌ９は１００〜５００ｎｍ、幅Ｗ４は長さＬ９の１／２以下で５０ｎｍ以下が望ましい。また、上層配線ＵＬの一方側から突出する導電性微粒子４５の端部から上層配線ＵＬの他方側から突出する導電性微粒子４５の端部までの距離Ｌ８ａは、上層配線ＵＬの配線幅に、実施の形態１で説明したＬ２を両側に加えた範囲とすれば良い。また、下層配線ＤＬの一方側から突出する導電性微粒子４５の端部から下層配線ＤＬの他方側から突出する導電性微粒子４５の端部までの距離Ｌ８ｂは、下層配線ＤＬの配線幅に、実施の形態１で説明したＬ２を両側に加えた範囲とすれば良い。

図３４は、実施の形態３の変形例３におけるタッチセンサパターン１６Ｆの構成図である。図３４（ａ）はタッチセンサパターン１６Ｆの上面図であり、図３４（ｂ）は対向基板１０の上面図である。また、図３５は図３４（ａ）のＡ−Ａ断面図である。タッチセンサパターン１６Ｆでは、タッチセンサパターン１６Ｅと同様、下層配線ＤＬの下層レイヤに導電性微粒子４５が形成される。但し、下層配線ＤＬの下部領域の導電性微粒子４５Ａと上層配線ＵＬの下部領域の導電性微粒子４５Ｂとを、保護膜４３Ａを介して別レイヤに分離する点が異なる。すなわち、透明基板１５上に導電性微粒子４５Ａが形成され、導電性微粒子４５Ａと同一レイヤ上にマーク４６が形成される。導電性微粒子４５Ａ及びマーク４６は保護膜４３Ａで覆われ、保護膜４３Ａ上にはマーク４６を基に導電性微粒子４５Ｂが形成される。導電性微粒子４５Ｂは絶縁性の保護膜４３Ｂに覆われる。保護膜４３Ｂの上の構成はタッチセンサパターン１６Ｅと同様である。なお、ここでは、導電性微粒子４５Ａを導電性微粒子４５Ｂの下層レイヤに配置したが、逆の配置であってもよい。

また、本実施の形態３及びその変形例においても、実施の形態１の変形例３を適用可能である。すなわち、配線パターン領域から偏光子形成領域端に向けて偏光軸を対向基板１０の偏光フィルム１７の偏光軸と平行な方向へ変化させる。

さらに、偏光軸を変化する代わりに偏光度を変化させる、すなわち、偏光軸方向及び偏光軸と直交する方向の透過率を変化させてもよい。透過率を変化させる方法を、図３６〜３８により説明する。図３６〜３８は、タッチセンサパターンにおける配線パターンの上面図であり、配線パターンのエッヂ部に偏光機能領域を形成するための偏光子材料を並置した状況を示している。

透過率を変化させる方法として、導電性微粒子４５が偏光子として機能する偏光子機能領域において、導電性微粒子４５の配置密度を上層配線ＵＬ（下層配線ＤＬ）側の端部から配線とは反対側の偏光子機能領域端部にかけて低下させても良い（図３６）。あるいは、導電性微粒子４５の整列度を上層配線ＵＬ（下層配線ＤＬ）側の端部から配線とは反対側の偏光子機能領域端部にかけて小さくしても良い（図３７）。あるいは、導電性微粒子４５のアスペクト比を上層配線ＵＬ（下層配線ＤＬ）側の端部から配線とは反対側の偏光子機能領域端部にかけて１に向けて小さくしても良いし（図３８）、他の方法を用いても良い。なお、「整列度が高い」とは、導電性微粒子４５が同じ方向に向いている割合が高いことをいい、「整列度が低い」とは導電性微粒子４５の向いている方向が異なる割合が高いことをいう。なお、図３６では、配線とは反対側の偏光子機能領域端部を配線反対側端と記載している。

また、本実施の形態の変形例２，３の構成には、実施の形態１の変形例４を適用可能である。すなわち、導電性微粒子４５による偏光子の偏光軸を、対向基板１０の偏光フィルム１７の偏光軸と平行にしても良い。

＜Ｃ−３．効果＞
本発明の実施の形態３に係る表示装置において、少なくとも第１電極線パターンの前段または後段に設けられるアスペクト比の大きい導電性微粒子の第１電極線パターンのエッヂにおける配置密度は、第１電極線パターンと重複しない領域における配置密度よりも大きい。この構成により、配線近傍の広範囲の領域において黒輝度の低下を抑えられると共に、アスペクト比の大きい導電性微粒子の第１電極線パターンからの配置距離の上限を制限する必要がなくなるため、加工マージンを持つ構造となる。

また、少なくとも第１電極線パターンの前段または後段に設けられるアスペクト比の大きい導電性微粒子の第１電極線パターンのエッヂにおける長軸の整列度は、第１電極線パターンと重複しない領域における長軸の整列度よりも大きくしても良い。この構成により、配線近傍の広範囲の領域において黒輝度の低下を抑えられると共に、アスペクト比の大きい導電性微粒子の第１電極線パターンからの配置距離の上限を制限する必要がなくなるため、加工マージンを持つ構造となる。

また、光路における下層配線ＤＬ（第１電極線パターン）の後段に設けられる上層配線ＵＬ（第２電極線パターン）と、第２電極線パターンの前段又は後段において、透明な絶縁膜を介して第２電極線パターンと対向する導電性微粒子４５（第４偏光子）と、を備え、少なくとも第２電極線パターンの後段に設けられる第４偏光子は、第２電極線パターンのエッヂの延伸方向と平行な偏光軸を有する。従って、第２電極線パターンによる偏光軸の変化を第４偏光子により相殺することができ、コントラストの低下を抑制することができる。

また、導電性微粒子４５（第４偏光子）は、第２電極線パターンの形成されていない側に向かった先端において、第２偏光子の偏光軸と平行とすることにより、第４偏光子の第２電極線パターンからの突出量を重ね合わせ精度を勘案した寸法以上とすれば良く、その上限を制限する必要がなくなるため、加工マージンを持つ構造となる。

また、少なくとも第２電極線パターンの後段に設けられる導電性微粒子４５（第４偏光子）は、第２電極線パターンのエッヂの延在方向と略垂直方向の長軸を有し、エッヂと重畳する、可視光線に対して不透明な複数の孤立パターンを有する。従って、この孤立パターンにより配線パターンによる偏光軸の変化が相殺され、光抜けが抑制されコントラストが高まる。

また、孤立パターンの短軸方向の平均ピッチ長さは２６６ｎｍ以下とすることにより、可視光領域で安定した偏光機能を発揮できる。

＜Ｄ．実施の形態４＞
図３９は、実施の形態４の画素アレイ基板７Ａを示す上面図であり、図４０は図３９のＡ−Ａ断面図である。実施の形態１〜３では、オンセルＰＣＡＰ方式のＬＣＤモジュールにおいて、タッチパネル層の配線パターンによるコントラスト低下の対策を示した。しかし、画素アレイ基板でも同様に、アレイ配線により偏光軸が別の軸に投射される現象が発生する。その対策として、通常、カラーフィルタパターンに形成したＢＭの領域を広くとることが考えられるが、その結果、必要以上に開口率が低くなってしまう。この場合のＢＭ開口を図３９に破線７１で示している。そこで、実施の形態４では、ＢＭによる対策の代わりに、画素アレイ基板側にも実施の形態１〜３で説明したタッチパネル層の配線パターンに対する偏光子と同様の構造を用いることにより、ＢＭ開口を広げつつコントラスト低下を抑制する。実施の形態４におけるＢＭ開口を図３９に破線７０で示している。

＜Ｄ−１．構成＞
画素アレイ基板７ＡはＴＮ方式であり、偏光フィルム１１上に透明基板１２が、透明基板１２上に画素アレイパターン１３Ａが形成されている。

画素アレイパターン１３Ａでは、透明基板１２上に、共通配線（電極）２１及び第１電極線パターンであるゲート配線（電極）１８が形成される。共通配線（電極）２１及びゲート配線（電極）１８はゲート絶縁膜２３Ａに覆われる。ゲート絶縁膜２３Ａ上の、少なくとも画素開口領域に面するゲート配線（電極）１８及び共通電極２１のパターンのエッジを包含する領域に、各パターンの延伸方向と平行な偏光軸を有する偏光子４７（第３偏光子）が形成されている。偏光子４７はゲート絶縁膜２３Ｂに覆われている。ゲート絶縁膜２３Ｂより上層の構造は、通常のＴＮの画素アレイと同様の縦構成にて形成されている。すなわち、ゲート絶縁膜２３Ｂが偏光子４７を覆い、ソース配線１９がゲート絶縁膜２３Ｂ上に形成される。そして、ソース配線１９を層間絶縁膜２７が覆い、層間絶縁膜２７上に画素電極２８が形成される。

なお、偏光子４７は実施の形態２で記載した微細パターン、導電性微粒子、導電性ナノファイバー等のアスペクト比の大きい導電材料、アスペクト比の大きい消光性の粒子、ファイバー、アスペクト比の大きい導電性高分子、消光性高分子（例えば染料高分子）又は消光性化合物（例えばヨウ素化合物）のいずれかにて形成された孤立パターンを備えていればよい。

ＴＮモードの画素アレイ基板の場合、ゲート配線（電極）１８及び共通配線（電極）２１により画素開口の輪郭が殆ど形成される。したがって、前記のようにゲート配線レイヤの画素開口領域に面するパターンエッジで偏光軸が別の軸に投射される影響を、偏光子４７で遮断できる。これにより、ＢＭによる遮光領域を低減して開口率が向上し、消費電力の低下が可能となる。なお、ソース配線１９と同レイヤで形成されるドレイン電極２５のエッジ部分の下層にも偏光子４７を形成することで、さらに開口率を向上することが出来る。

＜Ｄ−２．変形例＞
図４１は、実施の形態４の変形例１に係る画素アレイ基板７Ｂの、図４０と同様の断面における断面図である。画素アレイ基板７Ａでは、偏光子４７を共通電極２１とソース配線１９との間の層に形成していた。これに対して画素アレイ基板７Ｂでは、偏光子４７をソース配線１９の上層に形成する。画素アレイ基板７Ｂでは、共通電極２１をゲート絶縁膜２３で覆い、ゲート絶縁膜２３上にソース配線１９が形成される。ソース配線１９は層間絶縁膜２７Ａで覆われ、層間絶縁膜２７Ａ上に偏光子４７が形成される。偏光子４７は層間絶縁膜２７Ｂで覆われる。層間絶縁膜２７Ｂ上に画素電極２８が形成される。

図４２は、実施の形態４の変形例２に係る画素アレイ基板７Ｃの、図４０と同様の断面における断面図である。画素アレイ基板７Ｃでは、偏光子４７を微細パターンとして形成し、ソース配線１９と同じ材料で同一レイヤ上に形成する。すなわち、画素アレイ基板７Ｃでは、共通電極２１上にソース配線１９及び偏光子４７が形成される。そして、ソース配線１９及び偏光子４７上には層間絶縁膜２７が形成され、層間絶縁膜２７上には画素電極２８が形成される。変形例２では、ソース配線１９の形成工程のパターニング精度を上げる加工法を用いることが望ましい。

図４３は、実施の形態４の変形例３に係る画素アレイ基板７Ｄの、図４０と同様の断面における断面図である。画素アレイ基板７Ｄでは、共通電極２１の下層に偏光子４７を形成する。すなわち、変形例３では、透明基板１２上の画素開口部の輪郭を形成する領域に予め偏光子４７及びマーク４８を形成する。そして、偏光子４７及びマーク４８を保護膜４９で覆い、保護膜４９上にマーク４８を基にしてゲート配線１８、共通電極２１以降の構成が形成されている。

実施の形態４で上述した画素アレイ基板７Ａ〜７ＤはＴＮモードの画素アレイ基板であったが、ＩＰＳモードやＦＦＳモードの画素アレイ基板に本発明を適用することも可能である。図４４は、実施の形態４の変形例４に係る画素アレイ基板７Ｅを示す上面図であり、図４５は、図４４のＡ−Ａ断面図である。画素アレイ基板７Ｅは、ＦＦＳモードの画素アレイ基板であり、画素電極２８を下層、共通電極２１Ｂを上層として適用した場合について示す。

画素アレイ基板７Ｅでは、透明基板１２上に共通配線２１が形成される。共通配線２１はゲート絶縁膜２３で覆われる。ゲート絶縁膜２３上にはソース配線１９が形成され、ソース配線１９は層間絶縁膜２７Ａで覆われる。ここまでは、通常のＦＦＳモードの画素アレイ基板と同等の構造である。層間絶縁膜２７Ａの上層の、画素開口の輪郭を形成する少なくともゲート配線（電極）２２、共通配線２１及びソース配線１９のパターンのエッジを包含する領域に、パターンの延伸方向に平行な偏光軸を有する偏光子４７が形成される。偏光子４７は層間絶縁膜２７Ｂで覆われる。層間絶縁膜２７Ｂ上には画素電極２８が形成され、画素電極２８は層間絶縁膜２７Ｃで覆われる。層間絶縁膜２７Ｃ上には、共通電極２１Ｂが形成される。また、層間絶縁膜２７Ａ，２７Ｂを貫通してドレイン電極２５へ到達するコンタクトホール５０Ａが形成されている。層間絶縁膜２７Ｂ上には、コンタクトホール５０Ａを介してドレイン電極２５と電気的に接続する画素電極２８が形成されている。また、層間絶縁膜２７Ａ，２７Ｂ，２７Ｃ及びゲート絶縁膜２３を貫通し共通配線に到達するコンタクトホール５０Ｂが形成されている。共通電極２１Ｂはスリットを有し、コンタクトホール５０Ｂを介して共通配線２１と電気的に接続する。なお、共通電極２１Ｂを層間絶縁膜２７Ｃの下層に配置し、スリットを持つ画素電極２８を層間絶縁膜２７Ｃの上層に配置する構造でもよい。

ＦＦＳ（ＩＰＳ）モードの画素アレイ基板では、ゲート配線（電極）２２、共通配線２１、ソース配線１９により画素開口の輪郭が殆ど形成される。したがって、ゲート配線レイヤ及びソース配線レイヤの画素開口領域に面するパターンエッジにおいて偏光軸が別の軸に投射される影響を、偏光子４７で遮断できる。これにより、ＢＭによる遮光領域を低減して開口率が向上し、消費電力の低下が可能となる。

画素アレイ基板７Ｅにおける偏光子４７の配置については、以下の変形例５〜７が考えられる。図４６は、実施の形態４の変形例５に係る画素アレイ基板７Ｆの断面図である。画素アレイ基板７Ｆでは、ゲート絶縁膜をゲート絶縁膜２３Ａ，２３Ｂに２層化し、ゲート絶縁膜２３Ａの上層に偏光子４７を形成する。偏光子４７はゲート絶縁膜２３Ｂで覆われる。これ以外の構成は画素アレイ基板７Ｅと同様である。

図４７は、実施の形態４の変形例６に係る画素アレイ基板７Ｇの断面図である。変形例６では、偏光子を微細パターンで形成し、ソース配線１９及び共通配線２１と同一レイヤ上に同材料で偏光子を形成する。共通配線２１と同一レイヤ上には共通配線２１と同材料で偏光子４７Ａが形成される。また、ソース配線１９と同一レイヤ上にはソース配線１９と同材料で偏光子４７Ｂが形成される。変形例６では、ゲート配線１８の形成工程及びソース配線１９の形成工程のパターニング精度を上げる加工法を用いることが望ましい。これ以外の構成は画素アレイ基板７Ｅと同様である。

図４８は、実施の形態４の変形例７に係る画素アレイ基板７Ｈの断面図である。変形例７では、偏光子４７を共通配線２１の下層に形成する。すなわち、画素アレイ基板７Ｈでは、透明基板１２上の画素開口部の輪郭を形成する領域に予め偏光子４７を配置すると共にマーク４８が形成され、偏光子４７及びマーク４８を覆う保護膜４９が形成され、マーク４８に基づき保護膜４９上にゲート配線以降の構成が形成される。

＜Ｄ−３．効果＞
実施の形態４に係る表示装置は、画素アレイ基板７（第１絶縁基板）及び対向基板１０（第２絶縁基板）の間に封入された液晶層８を備え、第１絶縁基板は透明基板１２上に形成された画素アレイパターン１３（画素アレイ層）を備え、画素アレイパターン１３は、第１電極線パターンと、偏光子４７（第３偏光子）と、を備える。従って、第１電極線パターンによる偏光軸の変化を偏光子４７で相殺することができるので、光抜けが抑制されコントラストが高まる。

また、画素アレイパターン１３（画素アレイ層）は、複数のゲート配線１８と、ゲート配線１８と直交する複数のソース配線１９と、ゲート配線１８とソース配線１９とが交差することにより区切られる領域である画素開口領域内に形成される画素電極２８と、層間絶縁膜２７を介して画素電極２８と対向する共通電極線２１と、を備え、第１電極線パターンは、ゲート配線１８、ソース配線１９及び共通電極線２１のうち少なくともいずれか１つである。従って、第１電極線パターンによる偏光軸の変化を偏光子４７で相殺することができるので、光抜けが抑制されコントラストが高まる。

＜Ｅ．実施の形態５＞
＜Ｅ−１．構成＞
図４９は、実施の形態５に係る表示装置１０２の構成を例示する断面図である。表示装置１０２は、オンセルＰＣＡＰ（Ｐｒｏｊｅｃｔｅｄ Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ）方式のＬＣＤモジュールを備えている。表示装置１０２は、実施の形態１の表示装置１０１の構成に対して、画素アレイ基板７から透明基板１２の下層の偏光フィルム１１を除去し、画素アレイパターン１３に代えて偏光機能を有する画素アレイパターン１３Ａを設けたものである。それ以外の表示装置１０２の構成は、表示装置１０１と同様である。

画素アレイパターン１３Ａの少なくとも画素開口部には偏光子（第１偏光子）が形成され、偏光子の偏光軸を示すマークまたは偏光軸との交差関係を示すマークを基に、画素アレイパターン１３Ａの上面に形成された配向膜の配向処理が行われている。

対向基板１０の構成は、実施の形態１〜３で述べた構成を用い、タッチパネル層のセンサ配線のエッジにより偏光軸が別の軸へ投射される影響を、偏光子で除去することが望ましい。すなわち、微細パターンや導電性粒子を配設することにより、第３偏光子を形成する。この場合に、第１偏光子及び第２偏光子の偏光軸の方向は、液晶駆動モードに応じて互いに平行又は垂直である。

図５０は、実施の形態５に係る画素アレイ基板７Ａを示す上面図であり、図５１は図５０のＡ−Ａ断面図である。画素アレイ基板７ＡはＴＮモードとする。ソース配線１９まで形成された画素アレイ上を層間絶縁膜２７Ａが覆っている。層間絶縁膜２７Ａの上には導電性の微細配線５３のパターンが形成され、これにより第１偏光子が形成される。微細配線５３は、例えば１５０ｎｍピッチのライン＆スペース（Ｌ／Ｓ）で平面的に偏光軸と直交する方向に延伸し、ゲート配線１８及びソース配線１９Ａ上で前記パターンの額縁を形成し、電気的に接続されている。また、微細配線５３のパターンは、ドレイン電極２５上で開口（ホール５１）を有している。微細配線５３のパターンで形成された偏光子は層間絶縁膜２７Ｂで覆われている。また、ホール５１の内側には層間絶縁膜２７Ａ，２７Ｂを貫通してドレイン電極２５に達するコンタクトホール５０が形成される。層間絶縁膜２７Ｂの上層にはコンタクトホール５０を介してドレイン電極２５と電気的に接続する画素電極２８が形成されている。

以上の構造により、画素アレイ基板７Ａのゲート配線１８及びソース配線１９による偏光軸が別の軸へ投射される影響を受けない偏光を液晶層へ入射することが出来るので、配線近傍の光り抜け防止のためカラーフィルタ側のＢＭで遮蔽する必要が無くなり、ＢＭの開口率を高くでき、消費電力を低減できる。

なお、図５２に示す画素アレイ基板７Ａ１のように、微細配線５３の下層に形成する絶縁膜を、無機の層間絶縁膜２７Ａ及び平坦化膜５２の積層構造にすれば、微細配線５３の形成面の平面度が向上するので、そのパターンの加工精度が向上する。

また、図５１，５２では、各画素毎に閉じた微細配線５３のパターンを示したが、微細配線５３のパターンは表示領域の全域に亘り連続して形成されていても良い。

微細配線５３は、ゲート配線１８を形成する際のアライメントマーク６４を基に、マーク６４間を結ぶ直線に対する偏光軸の角度がθとなるようパターニングされる。微細配線５３のパターニングには電子描画等の直接描画を用いてもよく、高解像度レジストを用いたドライエッチング等のエッチングにより形成してもよい。

微細配線５３は、例えば表示面側から厚さ５０ｎｍの高窒化Ａｌ及び厚さ２００ｎｍのＡｌ合金の積層で形成される。但し、表示面側が低反射で導電性のある膜構造であれば、他の材料を用いてもよい。なお、必要とされる表示品位によっては表示面側を低反射とする必要はないため、Ａｌ合金単層又はＣｕ合金等の導電性があり加工性の良い材料を用いても良い。微細配線５３の膜厚と配線幅とのアスペクト比は１以上であることが望ましい。また、微細配線パターンの配線ピッチ及び配線間隔は、実施の形態１で説明した微細パターン３４，３６と同様に設定すればよい。なお、透過光を利用するため微細配線５３の配線幅はピッチの１／２以下が望ましい。なお、微細配線５３の最小線幅は、電子描画で加工する場合に約１０ｎｍ、ドライエッチを用いる場合は１００ｎｍ前後等となるので、線幅は加工方法及びピッチを考慮して決定すると良い。微細配線５３の材料にＣｕ合金等を用いる場合は、ダマシン法等を用いて加工しても良い。

上記では、微細配線５３のパターンで偏光子を形成したが、実施の形態２等で示した偏光機能を持つ構造を用いて偏光子を形成してもよい。

＜Ｅ−２．変形例＞
対向基板１０において、タッチパネル層のセンサ配線のエッジにより偏光軸が別の軸へ投射される影響を偏光子で除去する構成を用いない場合、偏光フィルム１７を設けない代わりに、透明基板１５Ａに偏光機能を付与するか、カラーフィルタパターン１４Ａに偏光機能を付与することが望ましい。図５３は、透明基板１５Ａに偏光機能を付与した実施の形態５の変形例１に係る表示装置１０３の構成を示す断面図であり、図５４は、カラーフィルタパターン１４Ａに偏光機能を付与した実施の形態５の変形例２に係る表示装置１０４の構成を示す断面図である。

また、図５５にその断面図を示す実施の形態５の変形例３に係る表示装置１０５のように、対向基板１０Ｃにタッチセンサパターン１６を設けず、対向基板１０Ｃの表示面に偏光フィルム１７（第２偏光子）を配置しても良い。

また、図５６にその断面図を示す実施の形態５の変形例４に係る表示装置１０６のように、対向基板１０Ｄにタッチセンサパターン１６及び偏光フィルム１７を配置せず、透明基板１５に代えて偏光機能を有する透明基板１５Ａ（第２偏光子）を設けても良い。

また、図５７にその断面図を示す実施の形態５の変形例５に係る表示装置１０７のように、対向基板１０Ｅにタッチセンサパターン１６及び偏光フィルム１７を配置せず、カラーフィルタパターン１４に代えて偏光機能を有するカラーフィルタパターン１４Ａ（第２偏光子）を設けても良い。

図５８は、実施の形態５の変形例６の画素アレイ基板７Ａ１の上面図であり、図５９は図５８のＡ−Ａ断面図である。画素アレイ基板７Ａ１では、共通配線２１上にゲート絶縁膜２３及び層間絶縁膜２７Ａを貫通する開口（コンタクトホール５４）が形成されており、コンタクトホール５４を介して共通配線２１と微細配線５３とを電気的に接続することで、微細配線５３を共通電極と兼用している。そのため、ソース配線１９に沿った領域に形成していた共通電極に相当する開口率を向上することが可能となる。

なお、共通配線２１の膜が微細配線５３のパターンの形成時にエッチングされる場合は、少なくともコンタクトホール５４内の共通電極が露出している領域をべたパターンで形成することが望ましい。また、微細配線パターンの隣接間をゲート配線やソース配線上等にて額縁を形成し電気的に接続していることが望ましい。画素アレイ基板７Ａ１においても、微細配線５３の下層に形成する絶縁膜を、無機の層間絶縁膜２７Ａ及び平坦化膜５２の積層構造にしても良い（図６０）。

図６１は、実施の形態５の変形例７の画素アレイ基板７Ａ２の上面図であり、図６２は図６１のＡ−Ａ断面図である。画素アレイ基板７Ａ２では、導電性の微細配線５３のパターンで形成した偏光子を画素電極としても用い、微細配線間は例えば共通電極２１上で額縁を形成し電気的に接続されている。ソース配線１９を層間絶縁膜２７Ａが覆っており、ドレイン電極２５上に層間絶縁膜２７Ａを貫通するコンタクトホール５０が形成されている。微細配線５３は、コンタクトホール５０を介してドレイン電極２５と電気的に接続している。

なお、ドレイン電極２５の膜が微細配線５３のパターンの形成時にエッチングされる場合は、少なくともコンタクトホール５０内のドレイン電極２５の露出領域は、べたパターンで形成されていることが望ましい。画素アレイ基板７Ａ２においても、微細配線５３の下層に形成する絶縁膜を、無機の層間絶縁膜２７Ａ及び平坦化膜５２の積層構造にしても良い（図６３）。

上記構造により、透明導電膜で画素電極を形成する必要がないので、透明導電膜での透過率の低下が防止でき高輝度化や低消費電力化が可能となる。また、インジウムの使用量を削減できる。

上記の実施の形態５では、ＴＮモードの画素アレイ基板に本発明を適用した場合について記述したが、ＩＰＳモード又はＦＦＳモードの画素アレイ基板に本発明を適用してもよい。

図６４は、実施の形態５の変形例８の画素アレイ基板７Ａ３の上面図であり、図６５は図６４のＡ−Ａ断面図である。画素アレイ基板７Ａ３はＦＦＳモードの画素アレイ基板である。画素アレイ基板７Ａ３では、透明基板１２上にゲート電極（配線）１８及び共通配線２１が形成され、これらをゲート絶縁膜２３が覆う。ゲート絶縁膜２３を介してゲート電極（配線）１８と対向する位置に半導体層２９が形成され、半導体層２９上にはソース電極（配線）１９及びドレイン電極（配線）２５が形成される。また、ゲート絶縁膜２３上にはソース配線１９が形成される。そして、ソース電極（配線）１９、ドレイン電極（配線）２５、半導体層２９及びソース配線１９は層間絶縁膜２７Ａで覆われ、さらにその上には平坦化膜５２が形成される。平坦化膜５２上には導電性の微細配線５３のパターンが例えば１５０ｎｍピッチのライン＆スペースで形成されている。微細配線５３のパターンで構成される偏光子は、平面的にその偏光軸と直交する方向に延伸したパターンで形成されると共に、ゲート配線１８及びソース配線１９上でパターンの額縁を形成し電気的に接続されている。また、微細配線５３のパターンは、ドレイン電極２５上に開口（ホール５７）、共通配線上に開口（ホール５９）がそれぞれ形成されている。

微細配線５３のパターンは、保護膜６０に覆われており、保護膜６０上には画素電極２８が形成されている。画素電極２８は層間絶縁膜２７Ｂで覆われており、層間絶縁膜２７Ｂ上には共通電極２１が形成される。ホール５７の内側には、層間絶縁膜２７Ａ、平坦化膜５２、保護膜６０を貫通しドレイン電極２５に達するコンタクトホール５６が形成されており、画素電極２８はコンタクトホール５６を介してドレイン電極２５と電気的に接続する。

またホール５９の内側には、層間絶縁膜２７Ｂ、保護膜６０、平坦化膜５２、層間絶縁膜２７Ａ及びゲート絶縁膜２３を貫通し共通配線２１に達するコンタクトホール５８が形成されている。そして、共通電極２１はコンタクトホールを介して共通配線と電気的に接続し、画素電極２８上にてスリットを形成する。

上記の構造とすることで、ＦＦＳモードの画素アレイ基板についても、画素アレイのゲート配線１８及びソース配線１９による偏光軸変化の影響を受けない偏光を液晶層８へ入射することが出来る。従って、配線近傍における光り抜け防止のためカラーフィルタパターン３のＢＭで遮蔽する必要が無くなり開口率を高くでき消費電力を低減できる。

なお、図６５には、微細配線５３の下層に形成する絶縁膜を層間絶縁膜２７Ａと平坦化膜５２の積層構造としたが、層間絶縁膜２７Ａのみで形成されていても良い。また、上記では微細配線５３のパターンを各画素毎に閉じたパターンとする場合を示したが、表示領域全域に亘って連続して形成されていても良い。また、微細配線５３のパターンの隣接間は例えばゲート配線１８上又はソース配線１９上等において電気的に接続している。

また、図６５では共通電極を上層、画素電極を下層としたが、この関係を逆にし図６６に示すように画素電極を上層、共通電極を下層としても良い。

図６７は、実施の形態５の変形例９の画素アレイ基板７Ａ４の上面図であり、図６８はそのＡ−Ａ断面図である。画素アレイ基板７Ａ４は、ＦＦＳモードの画素アレイ基板であって、導電性の微細配線５３で形成した偏光子を画素電極として用いる。画素アレイ基板７Ａ４の構成は、図６５で説明した画素アレイ基板７Ａ３の構成において、画素電極２８及び層間絶縁膜２７Ｂを排除し、ドレイン電極２５上に層間絶縁膜２７Ａ及び平坦化膜５２を貫通するコンタクトホール５６を形成する。そして、コンタクトホール５６を介して微細配線５３のパターンをドレイン電極２５と電気的に接続する。隣接する微細配線パターンは、例えば画素輪郭部にて電気的に導通している。それ以外の構成は画素アレイ基板７Ａ３と同様である。

なお、ドレイン電極２５の膜が微細配線５３パターンの形成時にエッチングされる場合は、少なくともコンタクトホール５６内のドレイン電極２５の露出領域をべたパターンで形成することが望ましい。

上記構造により、透明導電膜で画素電極を形成する必要がないため、透明導電膜での透過率の低下が防止でき高輝度化又は低消費電力化が可能となる。また、インジウムの使用量を削減できる。

なお、図６８では共通電極を上層、画素電極を下層としたが、この関係を逆にし、図６９に示すように画素電極を上層、共通電極を下層としても良い。この場合、コンタクトホール５８を介して微細配線５３のパターンが共通配線２１Ａと電気的に接続され、微細配線５３のパターンが共通電極として機能する。そして、隣接する微細配線５３のパターンは、例えばゲート配線１８又はソース配線１９上で電気的に接続されている。

また、実施の形態４、５では共通電極と共通配線、ドレイン電極と画素電極を直接接続する構造を示したが、間接的に接続されていても問題ない。

また、図では逆スタガー型でバックチャネル型のトランジスタをスイッチング素子とした場合を示しているが、スイッチング素子の構造は他の構造でもよく、スイッチング素子材料もａ−Ｓｉ、ｐ−Ｓｉ、酸化物半導体、有機物半導体など、スイッチング機能を持つ材料にて形成されていれば良い。

＜Ｅ−３．効果＞
実施の形態５に係る表示装置は、光源から表示面に向かう光路に沿って順に配置された、第１偏光子を有する画素アレイ基板７Ａ、対向基板１０、及び偏光フィルム１７（第２偏光子）を備え、偏光フィルム１７は第１偏光子の偏光軸と平行又は垂直な偏光軸を有し、画素アレイ基板７Ａは、複数のゲート配線１８と、ゲート配線１８と直交する複数のソース配線１９と、ゲート配線１８及びソース配線１９が交差することにより区切られる領域である画素開口領域内に形成される画素電極２８と、を備え、第１偏光子は、ゲート配線１８及びソース配線１９の少なくともいずれかより光路の後段に形成され、絶縁膜を介して画素電極２８の少なくとも一部と重畳する、複数の微細配線５３のパターンで構成される。従って、微細配線５３のパターンにより、ゲート配線１８及びソース配線１９による偏光軸が別の軸へ投射される影響を受けない偏光を画素アレイ基板７Ａの後段に入射することが出来るので、配線近傍の光抜けが抑制され、コントラストを高めることができる。

あるいは、複数の微細配線５３のパターンを有する第１偏光子を画素電極としても良い。この場合、透明導電膜で画素電極を形成する必要がないため、透明導電膜での透過率の低下を防止でき、高輝度化及び低消費電力化が可能となる。

また、微細配線５３のピッチは２６６ｎｍ以下とすることにより、可視光領域で安定した偏光機能を発揮できる。

また、微細配線の幅は、微細配線のピッチの２分の１以下とすることで、透過光を利用することができる。

なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。

１ バックライトユニット、２ 光学フィルム、３ 液晶セル、４ フレーム、５ 粘着剤、６ 保護ガラス、７ 画素アレイ基板、８ 液晶層、９ シール剤、１０ 対向基板、１１，１７ 偏光フィルム、１２，１５ 透明基板、１３ 画素アレイパターン、１４ カラーフィルタパターン、１６ タッチセンサパターン、１８ ゲート配線（ゲート電極、ゲート電極線）、１９ ソース配線（ソース電極、ソース電極線）、２０ スイッチング素子、２１ 共通配線（共通電極、共通電極線）、２３ ゲート絶縁膜、２５ ドレイン電極、２７ 層間絶縁膜、２８ 画素電極、２９ 半導体層、３０ Ｘ方向検出線、３１ Ｙ方向検出線、３２ 層間絶縁膜、３３ 保護絶縁膜、３４，３６，４２，６２，６５，６６ 微細パターン、４３，４９，６０ 保護膜、４４，４６，４８ マーク、４５ 導電性微粒子、４７ 偏光子、５０，５４，５６，５８ コンタクトホール、５１，５７，５９ ホール、５２ 平坦化膜、５３ 微細配線、１０１〜１０７ 表示装置。

Claims (19)

1. 光源から表示面に向かう光路に沿って順に配置された、第１偏光子、第１絶縁基板、第２絶縁基板及び第２偏光子を備え、
   前記第２偏光子は前記第１偏光子の偏光軸と平行又は垂直な偏光軸を有し、
   前記第１絶縁基板及び前記第２絶縁基板は絶縁性の透明基板を備え、
   前記第１絶縁基板及び前記第２絶縁基板の少なくとも一方は、
   前記透明基板上に形成された不透明な第１電極線パターンと、
   前記光路における前記第１電極線パターンの前段又は後段において、透明な絶縁膜を介して前記第１電極線パターンと対向する第３偏光子と、を備え、
   少なくとも前記第１電極線パターンの後段に設けられる前記第３偏光子は、前記第１電極線パターンのエッヂの延伸方向と平行な偏光軸を有する、
   表示装置。
2. 光源から表示面に向かう光路に沿って順に配置された、第１偏光子、第１絶縁基板、第２絶縁基板及び第２偏光子を備え、
   前記第２偏光子は前記第１偏光子の偏光軸と平行又は垂直な偏光軸を有し、
   前記第１絶縁基板及び前記第２絶縁基板は絶縁性の透明基板を備え、
   前記第１絶縁基板及び前記第２絶縁基板の少なくとも一方は、
   前記透明基板上に形成された不透明な第１電極線パターンと、
   前記光路における前記第１電極線パターンの前段又は後段において、透明な絶縁膜を介して前記第１電極線パターンと対向する第３偏光子と、を備え、
   少なくとも前記第１電極線パターンの後段に設けられる前記第３偏光子は、前記第１電極線パターンのエッヂの延在方向と略垂直方向の長軸を有し、前記エッヂと重畳する、可視光線に対して不透明な複数の孤立パターンを有する、
   表示装置。
3. 前記孤立パターンの短軸方向の平均ピッチ長さは２６６ｎｍ以下である、
   請求項２に記載の表示装置。
4. 前記孤立パターンは、金属パターン又は導電性粒子である、
   請求項２又は３に記載の表示装置。
5. 前記第１電極線パターンの後段に設けられる前記第３偏光子の偏光軸の一部は、前記第２偏光子の偏光軸と平行である、
   請求項２から４のいずれか１項に記載の表示装置。
6. 前記第１電極線パターンの後段に設けられる前記第３偏光子は、前記第１電極線パターンの形成されていない側に向かった前記孤立パターンの先端において、前記第２偏光子の偏光軸と平行な偏光軸を有する、
   請求項５に記載の表示装置。
7. 前記第１電極線パターンの前段に設けられる前記第３偏光子の偏光軸の少なくとも一部は、前記第２偏光子の偏光軸と平行である、
   請求項２から６のいずれか１項に記載の表示装置。
8. 前記第１絶縁基板及び前記第２絶縁基板の間に封入された液晶層をさらに備え、
   前記第１絶縁基板は前記透明基板上に形成された画素アレイ層をさらに備え、
   前記第２絶縁基板は前記透明基板上に形成されたタッチパネル層をさらに備え、
   前記タッチパネル層は、
   タッチセンサ配線としての前記第１電極線パターンと、
   前記第３偏光子と、を備える、
   請求項２から７のいずれか１項に記載の表示装置。
9. 前記第１電極線パターンは曲線を含む、
   請求項２から８のいずれか１項に記載の表示装置。
10. 前記孤立パターンの長軸方向で前記第１電極線パターンと重畳しない領域の長さは、前記孤立パターンの短軸の長さの２倍以上である、
    請求項２から９のいずれか１項に記載の表示装置。
11. 前記孤立パターンの前記第１電極線パターンのエッヂにおける配置密度は、前記第１電極線パターンと重複しない領域における配置密度よりも大きい、
    請求項２から１０のいずれか１項に記載の表示装置。
12. 前記孤立パターンの前記第１電極線パターンのエッヂにおける長軸の整列度は、前記第１電極線パターンと重複しない領域における長軸の整列度よりも大きい、
    請求項２から１０のいずれか１項に記載の表示装置。
13. 前記第１絶縁基板及び前記第２絶縁基板の少なくとも一方は、
    前記光路における前記第１電極線パターンの後段に設けられる第２電極線パターンと、
    前記第２電極線パターンの前段又は後段において、透明な絶縁膜を介して前記第２電極線パターンと対向する第４偏光子と、を備える、
    請求項１から１２のいずれか１項に記載の表示装置。
14. 少なくとも前記第２電極線パターンの後段に設けられる前記第４偏光子は、前記第２電極線パターンのエッヂの延伸方向と平行な偏光軸を有する、
    請求項１３に記載の表示装置。
15. 前記第２電極線パターンの後段に設けられる前記第４偏光子の偏光軸の一部は、前記第２偏光子の偏光軸と平行である、
    請求項１３又は１４に記載の表示装置。
16. 少なくとも前記第２電極線パターンの後段に設けられる前記第４偏光子は、前記第２電極線パターンのエッヂの延在方向と略垂直方向の長軸を有し、前記エッヂと重畳する、可視光線に対して不透明な複数の孤立パターンを有する、
    請求項１３から１５のいずれか１項に記載の表示装置。
17. 前記第４偏光子の有する前記孤立パターンの短軸方向の平均ピッチ長さは２６６ｎｍ以下である、
    請求項１６に記載の表示装置。
18. 前記第１絶縁基板及び前記第２絶縁基板の間に封入された液晶層をさらに備え、
    前記第１絶縁基板は前記透明基板上に形成された画素アレイ層をさらに備え、
    前記画素アレイ層は、
    前記第１電極線パターンと、
    前記第３偏光子と、を備える、
    請求項２から７のいずれか１項に記載の表示装置。
19. 前記画素アレイ層は、
    複数のゲート配線と、
    前記ゲート配線と直交する複数のソース配線と、
    前記ゲート配線と前記ソース配線とが交差することにより区切られる領域である画素開口領域内に形成される画素電極と、
    層間絶縁膜を介して前記画素電極と対向する共通電極線と、
    を備え、
    前記第１電極線パターンは、前記ゲート配線、前記ソース配線及び前記共通電極線のうち少なくともいずれか１つである、
    請求項１８に記載の表示装置。

Images