KR102404944B1 - 표시 기판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

복수의 화소 영역을 갖는 베이스 기판, 및 상기 화소 영역에 배치된 화소 전극을 포함하고, 상기 화소 전극은 복수의 도메인을 정의하기 위하여, 요철부(bump) 및 가장자리를 따라 연장된 적어도 하나 이상의 슬릿을 갖는 표시 기판을 제공한다.

Description

표시 기판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치{DISPLAY SUBSTRATE AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY COMPRISING THE SAME}
본 발명은 표시 기판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치에 관한 것으로 보다 상세하게는 표시 품질이 향상된 표시 기판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치에 관한 것이다.
표시 장치는 발광 방식에 따라 액정 표시 장치(liquid crystal display, LCD), 유기 발광 표시 장치(organic light emitting diode display, OLED display), 플라즈마 표시 장치(plasma display panel, PDP) 및 전기 영동 표시 장치(electrophoretic display) 등으로 분류된다.
액정 표시 장치는 전극이 형성되어 있는 두 장의 기판과 상기 기판 사이에 삽입되어 있는 액정층으로 이루어져, 전극에 전압을 인가하여 액정층의 액정 분자들을 재배열시킴으로써 투과되는 빛의 양을 조절하는 표시 장치이다. 액정 표시 장치는 액정층을 균일하게 제어하기 위하여 액정 분자들을 배향시킬 수 있는 배향막을 포함한다.
최근 화소 영역을 복수의 도메인(Multi-domain)으로 정의하고, 액정 분자가 도메인마다 서로 다른 방향으로 선 경사(Pre-tilt)를 갖게 하여 시야각 특성을 개선하는 기술이 액정표시장치에 사용되고 있다. 이러한 액정 표시 장치의 예로서, 광배향 모드와 SVA(Surface Stabilized Vertical Alignment)가 있다.
이 때, 각 도메인의 가장자리 영역에서 주변 전계(Fringe Field)가 발생되는데, 이로 인해 액정 표시 장치 구동시 각 도메인의 가장자리 영역에서 텍스쳐(texture) 얼룩이 발생한다.
이에 본 발명은 각 도메인의 가장자리 영역에서 텍스처 얼룩이 발생하는 것을 방지할 수 있는 액정 표시 장치를 제공하고자 한다.
복수의 화소 영역을 갖는 베이스 기판, 및 상기 화소 영역에 배치된 화소 전극을 포함하고, 상기 화소 전극은 복수의 도메인을 정의하기 위하여, 요철부(bump) 및 가장자리를 따라 연장된 적어도 하나 이상의 슬릿을 갖는 표시 기판을 제공한다.
상기 요철부는 평면상에서 제1 방향으로 연장된 제1 요철부, 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된 제2 요철부를 포함할 수 있다.
상기 제1 요철부 및 상기 제2 요철부의 교차 영역은 평면상에서 사각형, 원형, 타원형, 및 마름모형 중 선택된 어느 하나일 수 있다.
상기 제1 요철부 및 상기 제2 요철부 중 적어도 하나는 상기 교차 영역에서 멀어질수록 폭이 증가할 수 있다.
상기 제1 요철부 및 상기 제2 요철부는 상기 교차 영역에서 멀어질수록 폭이 감소할 수 있다.
상기 제1 요철부 및 상기 제2 요철부는 서로 다른 폭을 가질 수 있다.
상기 제1 요철부는 상기 제2 요철부보다 큰 폭을 가질 수 있다.
상기 요철부는 2㎛ 이상 내지 15㎛ 이하의 폭을 가질 수 있다.
상기 요철부는 0.1㎛ 이상 내지 1.0㎛ 이하의 높이를 가질 수 있다.
상기 표시 기판은 상기 베이스 기판 및 상기 화소 전극 사이에 배치된 적어도 하나의 절연막을 더 포함하며, 상기 절연막은 평면상에서 상기 요철부와 실질적으로 동일한 형상의 돌기를 포함할 수 있다.
상기 표시 기판은 상기 베이스 기판 상에 상기 요철부와 평면상에서 실질적으로 동일한 형상을 갖는 적어도 하나의 돌출 패턴을 더 포함할 수 있다.
상기 돌출 패턴은 상기 베이스 기판 상에 배치된 제1 돌출 패턴, 및 상기 제1 돌출 패턴 상에 절연되어 배치된 제2 돌출 패턴을 포함할 수 있다.
상기 화소 전극은 상기 제1 방향으로 형성된 제1 슬릿, 및 상기 제2 방향으로 형성된 제2 슬릿을 가질 수 있다.
상기 제1 슬릿 및 상기 제2 슬릿 중 적어도 하나는 상기 화소 전극의 모서리로부터 상기 요철부로 갈수록 너비가 증가할 수 있다.
상기 제1 슬릿 및 상기 제2 슬릿 중 적어도 하나는 상기 요철부와 중첩될 수 있다.
상기 제1 슬릿 및 상기 제2 슬릿은 서로 다른 너비를 가질 수 있다.
상기 제1 슬릿은 상기 제2 슬릿보다 큰 너비를 가질 수 있다.
상기 제1 슬릿의 단변은 상기 제1 방향과 예각을 이룰 수 있다.
상기 제2 슬릿의 단변은 상기 제2 방향과 예각을 이룰 수 있다.
상기 슬릿은 2㎛ 이상 내지 5㎛ 이하의 너비를 가질 수 있다.
상기 화소 전극은 일변에서 연장된 노치부를 더 포함할 수 있다.
상기 노치부는 상기 요철부에 연결될 수 있다.
상기 노치부는 상기 화소 전극으로부터 멀어질수록 폭이 감소할 수 있다.
상기 화소 전극은 평면상에서 상기 요철부에 연결되어 박막 트랜지스터와 연결되는 접속부를 더 포함할 수 있다.
상기 화소 전극은 적어도 하나의 모따기된 모서리를 가질 수 있다.
표시 기판, 상기 표시 기판에 대향되어 배치된 대향 기판, 및 상기 표시 기판과 상기 대향 기판 사이에 배치된 액정층을 포함하며, 상기 표시 기판은, 복수의 화소 영역을 갖는 베이스 기판, 및 상기 화소 영역에 배치된 화소 전극을 포함하고, 상기 화소 전극은 복수의 도메인을 정의하기 위하여, 요철부 및 가장자리를 따라 연장된 적어도 하나 이상의 슬릿을 갖는 액정 표시 장치를 제공한다.
상기 액정 표시 장치는 상기 대향 기판 상에 배치된 공통 전극을 더 포함하며, 상기 공통 전극은 슬릿을 갖지 않을 수 있다.
상기 표시 기판은 수직 배향막을 더 포함할수 있다.
상기 배향막은 광중합 물질을 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 액정 표시 장치는 각 도메인의 가장자리 영역에서 액정 분자 제어력을 향상시켜 텍스처(texture) 얼룩을 방지할 수 있고, 투과율 및 시인성이 향상된다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치에서 하나의 화소를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1의 Ⅰ-Ⅱ를 따라 절단한 단면도이다.
도 3은 도 1에서 게이트층 도전체만을 따로 나타낸 평면도이다.
도 4는 도 1에서 데이터층 도전체만을 따로 나타낸 평면도이다.
도 5는 도 1에서 제3 절연막만을 따로 나타낸 평면도이다.
도 6은 도 1에서 화소 전극만을 따로 나타낸 사시도이다.
도 7은 도 5에서 화소 전극의 일부를 확대한 부분 확대도이다.
도 8 내지 도 16은 본 발명의 제2 실시예 내지 제10 실시예에 따른 화소 전극을 나타낸 평면도들이다.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.
본 발명은 다양한 변경이 가능하고, 여러 가지 형태로 실시될 수 있는 바, 특정의 실시예만이 도면에 예시되고 이를 중심으로 본 발명이 설명된다. 그렇다고 하여 본 발명의 범위가 이러한 특정한 실시예로 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 또는 대체물은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 이해되어야 한다.
도면에서 각 구성요소와 그 형상 등이 간략하게 그려지거나 또는 과장되어 그려지기도 하며, 실제 제품에 있는 구성요소가 표현되지 않고 생략되기도 한다. 따라서, 도면은 발명의 이해를 돕기 위한 것으로 해석되어야 한다. 또한, 동일한 기능을 하는 구성요소는 동일한 부호로 표시된다.
어떤 층이나 구성요소가 다른 층이나 구성요소의 "상"에 있다 라고 기재되는 것은 어떤 층이나 구성요소가 다른 층이나 구성요소와 직접 접촉하여 배치된 경우뿐만 아니라, 그 사이에 제3의 층이 개재되어 배치된 경우까지 모두 포함하는 의미이다.
어떤 부분이 다른 부분과 연결되어 있다고 할 때, 이는 직접적으로 연결되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 구성요소를 두고 전기적으로 연결되어 있는 경우도 포함한다. 또한, 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 포함한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
본 명세서에서 제1, 제2, 제3 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용되지만, 이러한 구성 요소들이 상기 용어들에 의해 한정되는 것은 아니다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소들로부터 구별하는 목적으로 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 벗어나지 않고, 제1 구성 요소가 제2 또는 제3 구성 요소 등으로 명명될 수 있으며, 유사하게 제2 또는 제3 구성 요소도 교호적으로 명명될 수 있다. 예를 들어, "A"라는 구성요소는 "제1 A", "제2 A" 또는 "제3 A"로 표현될 수 있다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below), "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below, beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 “아래”는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않은 한 과도하게 해석되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해 설명과 관계없는 부분은 생략되었으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호가 붙여진다.
이하, 도 1 내지 도 7을 참조하여 본 발명의 제1 실시예를 설명한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 액정 표시 장치에서 하나의 화소를 개략적으로 나타낸 평면도이고, 도 2는 도 1의 Ⅰ-Ⅱ를 따라 절단한 단면도이다. 본 발명에 따른 액정 표시 장치는 복수의 화소들을 포함하지만, 도 1은 하나의 화소를 표시하며, 나머지 화소 및 화소 영역의 표시는 생략된다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 액정 표시 장치는 표시 기판(100), 대향 기판(200), 및 액정층(300)을 포함한다. 서로 대향된 표시 기판(100) 및 대향 기판(200) 사이에 액정층(300)이 개재된다. 이외에도 본 발명에 따른 액정 표시 장치는 표시 기판(100) 측으로 광을 출력하는 백라이트 유닛(미도시)를 더 포함할 수 있다.
표시 기판(100)은 베이스 기판(110), 게이트층 도전체(120), 제1 절연막(130), 반도체층(140), 데이터층 도전체(150), 제2 절연막(160), 제3 절연막(170), 화소 전극(180), 및 제1 배향막(190) 등을 포함할 수 있다.
베이스 기판(110)은 플라스틱 기판과 같이 광 투과 특성 및 플렉시블 특성을 갖는 절연 기판일 수 있다. 그러나, 본 발명의 제1 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 베이스 기판(110)은 유리 기판과 같은 하드 기판으로 만들어질 수도 있다.
도 3은 도 1에서 게이트층 도전체(120)만을 따로 나타낸 평면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 베이스 기판(110) 상에 게이트층 도전체(120)가 배치된다.
게이트층 도전체(120)는 알루미늄(Al)과 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열의 금속, 은(Ag)과 은 합금 등 은 계열의 금속, 구리(Cu)와 구리 합금 등 구리 계열의 금속, 몰리브덴(Mo)과 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열의 금속, 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta) 등으로 이루어질 수 있다.
또한, 게이트층 도전체(120)는 물리적 성질이 다른 두 개 이상의 도전막(미도시)을 포함하는 다중막 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 다중막 구조 중 한 도전막은 신호 지연이나 전압 강하를 줄일 수 있도록 낮은 비저항(low resistivity)의 금속, 예를 들면 알루미늄 계열 금속, 은 계열 금속, 구리 계열 금속 등으로 이루어질 수 있으며, 다른 한 도전막은, ITO(indium tin oxide) 및 IZO(indium zinc oxide)와의 접촉 특성이 우수한 물질, 이를테면 몰리브덴 계열 금속, 크롬, 티타늄, 탄탈륨 등으로 이루어질 수 있다.
이러한 조합의 좋은 예로는 크롬 하부막과 알루미늄 상부막, 알루미늄 하부막과 몰리브덴 상부막 및 티타늄 하부막과 구리 상부막 등을 들 수 있다. 다만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 게이트층 도전체(120)는 다양한 여러 가지 금속과 도전체로 만들어질 수 있다.
게이트층 도전체(120)는 게이트 배선(121, 122), 스토리지 배선(123, 124, 125), 및 게이트 돌출 패턴(126, 127) 등을 포함한다. 게이트층 도전체(120)는 동일한 공정으로 동시에 만들어질 수 있다.
게이트 배선(121, 122)은 일 방향, 예를 들어 제1 방향(D1)으로 연장된 게이트 라인(121), 게이트 라인(121)으로부터 제1 방향(D1)과 교차하는 제2 방향(D2)으로 연장된 게이트 전극(122)을 포함한다. 게이트 라인(121)은 게이트 신호를 전송하며, 게이트 전극(122)은 후술할 소스 전극(153) 및 드레인 전극(155)과 함께 박막 트랜지스터(TR)의 삼단자를 구성한다.
스토리지 배선(123, 124, 125)은 일 방향, 예를 들어, 제1 방향(D1)으로 연장된 수평부(123), 수평부(123)로부터 제2 방향(D2)으로 연장된 수직부(124), 및 차폐부(125)를 포함한다.
수평부(123), 및 수직부(124)는 후술할 화소 전극(180)의 적어도 하나의 변을 따라 연장될 수 있으며, 화소 전극(180)과 중첩할 수 있고 그렇지 않을 수도 있다. 수평부(123), 및 수직부(124)가 화소 전극(180)과 중첩하는 경우, 개구율이 저하되는 것을 방지하기 위하여 화소 전극(180)의 가장자리를 따라 중첩될 수 있다.
차폐부(125)는 드레인 전극(155)과 화소 전극(180)을 연결하는 접촉 구멍(175)의 하부에 배치된다. 차폐부(125)가 배치되는 위치는 박막 트랜지스터(TR)의 형태 및 화소 전극(180)의 형태에 따라 달라질 수 있다. 또한, 다른 실시예에서 차폐부(125)는 수평부(123)를 비롯한 어떠한 도전체들(예를 들어, 게이트 배선, 데이터 배선, 스토리지 배선, 및 화소 전극)과도 연결되지 않을 수도 있다. 차폐부(125)는 백라이트 유닛(미도시)의 광에 의해 화소 전극(180)이 영향 받는 것을 방지한다.
게이트 돌출 패턴(126, 127)은 제1 방향(D1)으로 연장된 제1 게이트 돌출 패턴(126), 및 제1 방향(D1)과 교차하는 제2 방향(D2)으로 연장된 제2 게이트 돌출 패턴(127)을 포함한다. 게이트 돌출 패턴(126, 127)은 평면 상에서 십자 형상일 수 있다. 제1 게이트 돌출 패턴(126) 및 제2 게이트 돌출 패턴(127)의 교차 영역(C)은 평면 상에서 사각형, 원형, 타원형, 및 마름모형 중 선택된 어느 하나일 수 있다.
게이트 돌출 패턴(126, 127)은 어떠한 도전체들(예를 들어, 게이트 배선, 데이터 배선, 스토리지 배선, 및 화소 전극)과도 연결되지 않는다. 즉, 게이트 돌출 패턴(126, 127)은 전기적으로 플로팅(floating)된다.
게이트 돌출 패턴(126, 127)은 0.1㎛ 이상 내지 1.0㎛ 이하의 두께를 가질 수 있으며, 2㎛ 이상 내지 15㎛ 이하의 폭(W1)을 가질 수 있다.
도 3은 게이트 돌출 패턴(126, 127)이 동일한 폭(W1)을 갖는 것으로 도시되어 있으나 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 게이트 돌출 패턴(126) 및 제2 게이트 돌출 패턴(127)는 교차 영역(C)으로부터 멀어질수록 폭(W1)이 증가 또는 감소할 수 있다.
또한, 제1 게이트 돌출 패턴(126) 및 제2 게이트 돌출 패턴(127)은 서로 다른 폭을 가질 수도 있다. 예를 들어, 제1 게이트 돌출 패턴(126)는 제2 게이트 돌출 패턴(127)보다 큰 폭을 가질 수 있다.
게이트 돌출 패턴(126, 127)은 후술할 화소 전극(180)에 요철부(186, 187)를 형성하기 위한 것으로, 요철부(186, 187)와 평면 상에서 실질적으로 동일한 형상을 가질 수 있다. 또한, 게이트 돌출 패턴(126, 127)은 후술할 도메인들(DM1, DM2, DM3, DM4) 사이의 경계에 대응하여 배치됨으로써 빛 샘을 방지할 수 있다.
게이트층 도전체(120)가 형성된 베이스 기판(110) 상에 제1 절연막(130)이 배치된다. 제1 절연막(130)은 게이트 절연막이라고도 한다. 제1 절연막(130)은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)을 포함할 수 있다. 또한, 제1 절연막(130)은 산화 알루미늄, 산화 티타늄, 산화 탄탈륨 또는 산화 지르코늄을 더 포함할 수 있다.
제1 절연막(130) 상에 반도체층(140)이 배치된다. 반도체층(140)은 비정질 실리콘 또는 결정질 실리콘과 같은 반도체 물질을 포함할 수 있다. 또한, 반도체층(140)은 IGZO, ZnO, SnO2, In2O3, Zn2SnO4, Ge2O3 또는 HfO2와 같은 산화물 반도체(oxide semiconductor)를 포함할 수도 있고, GaAs, GaP 또는 InP와 같은 화합물 반도체(compound semiconductor)를 포함할 수도 있다.
본 발명의 일실시예에서, 반도체층(140)은 게이트 전극(122)과 실질적으로 중첩되는 것으로 도시되어 있으나 이에 한정되는 것은 아니며, 반도체층(140)은 후술할 데이터 배선(151, 153, 155)과 실질적으로 중첩될 수도 있다.
도 4는 도 1에서 데이터층 도전체(150)만을 따로 나타낸 평면도이다.
도 1, 도 2 및 도 4를 참조하면, 반도체층(140)이 형성된 베이스 기판(110) 상에 데이터층 도전체(150)가 배치된다. 데이터층 도전체(150)는 전술된 게이트층 도전체(120)와 동일한 재료로 형성될 수 있다.
데이터층 도전체(150)는 데이터 배선(151, 153, 155), 및 데이터 돌출 패턴(156, 157) 등을 포함한다. 데이터층 도전체(150)는 동일한 공정으로 동시에 만들어질 수 있다.
데이터 배선(151, 153, 155)은 게이트 라인(121)과 교차하는 방향, 예를 들어 제2 방향(D2)으로 연장된 데이터 라인(151), 데이터 라인(151)으로부터 분지되어 반도체층(140) 상부까지 연장된 소스 전극(153), 및 소스 전극(153)과 이격되고, 반도체층(140)과 일부가 중첩된 드레인 전극(155)를 포함한다.
반도체층(140)과 소스 전극(153) 및 드레인 전극(155) 사이에 전기적 특성을 개선시키기 위한 오믹 콘택층(미도시)이 더 배치될 수도 있다.
드레인 전극(155)은 반도체층(140)과 일부가 중첩된 제1 드레인 전극(155a), 및 제1 드레인 전극(155a)과 연결되며 다각 형태를 갖는 제2 드레인 전극(155b)을 포함한다.
박막 트랜지스터(TR) 동작 시 전하가 이동하는 채널(Channel)은 소스 전극(153)과 드레인 전극(155) 사이의 반도체층(140) 내에 형성된다.
데이터 돌출 패턴(156, 157)은 제1 방향(D1)으로 연장된 제1 데이터 돌출 패턴(156), 및 제1 방향(D1)과 교차하는 제2 방향(D2)으로 연장된 제2 데이터 돌출 패턴(157)을 포함한다. 데이터 돌출 패턴(156, 157)은 평면 상에서 십자 형상일 수 있다. 제1 데이터 돌출 패턴(156) 및 세로부(157)의 교차 영역(C)은 평면 상에서 사각형, 원형, 타원형, 및 마름모형 중 선택된 어느 하나일 수 있다.
데이터 돌출 패턴(156, 157)은 어떠한 도전체들(예를 들어, 게이트 배선, 데이터 배선, 스토리지 배선, 및 화소 전극)과도 연결되지 않는다. 즉, 데이터 돌출 패턴(156, 157)은 전기적으로 플로팅(floating)된다.
데이터 돌출 패턴(156, 157)은 0.1㎛ 이상 내지 1.0㎛ 이하의 두께를 가질 수 있으며, 2㎛ 이상 내지 15㎛ 이하의 폭(w2)을 가질 수 있다.
도 4는 데이터 돌출 패턴(156, 157)이 동일한 폭(W2)을 갖는 것으로 도시되어 있으나 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 데이터 돌출 패턴(156) 및 제2 데이터 돌출 패턴(157)은 교차 영역(C)으로부터 멀어질수록 폭(W2)이 증가 또는 감소할 수 있다.
또한, 제1 데이터 돌출 패턴(156) 및 제2 데이터 돌출 패턴(157)이 서로 다른 폭을 가질 수도 있다. 예를 들어, 제1 데이터 돌출 패턴(156)은 제2 데이터 돌출 패턴(157)보다 큰 폭을 가질 수 있다.
데이터 돌출 패턴(156, 157)은 후술할 화소 전극(180)에 요철부(186, 187)를 형성하기 위한 것으로, 요철부(186, 187)와 평면 상에서 실질적으로 동일한 형상을 가질 수 있다. 또한, 데이터 돌출 패턴(156, 157)은 후술할 도메인들(DM1, DM2, DM3, DM4) 사이의 경계에 대응하여 배치됨으로써 빛 샘을 방지할 수 있다.
데이터층 도전체(150)가 형성된 베이스 기판(110) 상에 제2 절연막(160)이 배치된다. 제2 절연막(160)은 예를 들어, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 감광성(photosensitivity)의 유기물 또는 a-Si:C:O, a-Si:O:F 등의 저유전율 절연 물질 등을 포함하는 단일막 또는 다중막 구조를 가질 수 있다.
도 5는 도 1에서 제3 절연막만을 따로 나타낸 평면도이다.
도 1, 도 2 및 도 5를 참조하면, 제2 절연막(160) 상에 제3 절연막(170)이 배치된다.
제3 절연막(170)은 유기 절연막 또는 무기 절연막을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제3 절연막(170)은 색 필터일 수 있다. 색 필터는 적색, 녹색, 청색, 원청색(cyan), 원적색(magenta), 원황색(yellow), 및 백색(white) 중 어느 하나일 수 있다. 적색, 녹색, 및 청색, 또는 원청색(cyan), 원적색(magenta), 및 원황색(yellow)과 같은 3개의 기본색이 색을 형성하기 위한 기본 화소군으로 구성될 수 있다.
제3 절연막(170)은 제2 드레인 전극(155b)의 일부를 노출시키는 접촉 구멍(175) 및 돌기(176, 177)을 포함한다. 돌기(176, 177)는 제3 절연막(170)이 돌출된 형상일 수 있다.
돌기(176, 177)는 전술한 게이트 돌출 패턴(127), 및 데이터 돌출 패턴(157) 중 적어도 하나에 의해 제3 절연막(170)이 돌출되어 형성될 수 있다. 또한, 돌기(176, 177)는 게이트 돌출 패턴(127), 및 데이터 돌출 패턴(157)없이 제3 절연막(170)이 패터닝될 때 형성될 수도 있다. 또한, 돌기(176, 177)는 컬럼 스페이서 또는 블랙 매트릭스가 패터닝될 때 함께 형성될 수도 있다.
돌기(176, 177)는 제1 방향(D1)으로 연장된 제1 돌기(176), 및 제1 방향(D1)과 교차하는 제2 방향(D2)으로 연장된 제2 돌기(177)을 포함한다. 돌기(176, 177)는 평면 상에서 십자 형상일 수 있다. 제1 돌기(176) 및 제2 돌기(177)의 교차 영역(C)은 평면 상에서 사각형, 원형, 타원형, 및 마름모형 중 선택된 어느 하나일 수 있다.
돌기(176, 177)는 0.1㎛ 이상 내지 1.0㎛ 이하의 높이를 가질 수 있으며, 2㎛ 이상 내지 15㎛ 이하의 폭(W3)을 가질 수 있다.
도 5는 돌기(176, 177)가 동일한 폭(W3)을 갖는 것으로 도시되어 있으나 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 돌기(176) 및 제2 돌기(177)는 교차 영역(C)으로부터 멀어질수록 폭(W3)이 증가 또는 감소할 수 있다.
또한, 제1 돌기(176) 및 제2 돌기(177)가 서로 다른 폭을 가질 수도 있다. 예를 들어, 제1 돌기(176)는 제2 돌기(177)보다 큰 폭을 가질 수 있다.
돌기(176, 177)는 후술할 화소 전극(180)에 요철부(186, 187)를 형성하기 위한 것으로, 요철부(186, 187)와 평면 상에서 실질적으로 동일한 형상을 가질 수 있다.
도시하지는 않았지만, 제3 절연막(170)상에 캡핑층(미도시)이 더 배치될 수 있다. 캡핑층(미도시)은 오염 물질이 액정층(300)으로 유입되는 것을 방지한다. 캡핑층(미도시)은 질화 규소(SiNx), 산화 규소(SiOx) 또는 탄소 주입 산화 규소(SiOC) 등의 무기물 또는 유기물로 이루어질 수 있다.
도 6은 도 1에서 화소 전극만을 따로 나타낸 사시도이다.
도 1, 도 2 및 도 6을 참조하면, 제3 절연막(170) 상에 화소 전극(180)이 배치된다. 화소 전극(180)은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide) 등의 투명 도전체로 이루어진 전극일 수 있다. 화소 전극(180)은 평면 상에서 제1 내지 제4 변(S1~S4)으로 이루어진 직사각형일 수 있다.
베이스 기판(110)은 복수의 화소 영역(PA)을 가지며, 화소 전극(180)은 화소 영역(PA)에 배치된다.
화소 영역(PA)은 매트릭스 형태로 배치된 복수의 도메인들(DM1, DM2, DM3, DM4)로 구분될 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않고, 화소 영역(PA)은 다양한 형태로 배열된 복수의 도메인들로 구분될 수 있다.
화소 전극(180)은 복수의 도메인들(DM1, DM2, DM3, DM4)을 정의하기 위한 요철부(bump)(186, 187)을 갖는다.
요철부(186, 187)는 제1 방향(D1)으로 연장된 제1 요철부(186), 및 제1 방향(D1)과 교차하는 제2 방향(D2)으로 연장된 제2 요철부(187)을 포함한다. 요철부(186, 187)는 평면 상에서 십자 형상일 수 있다. 제1 요철부(186) 및 제2 요철부(187)의 교차 영역(C)은 평면 상에서 사각형, 원형, 타원형, 및 마름모형 중 선택된 어느 하나일 수 있다.
요철부(186, 187)는 0.1㎛ 이상 내지 1.0㎛ 이하의 높이(H)를 가질 수 있으며, 2㎛ 이상 내지 15㎛ 이하의 폭(W4)을 가질 수 있다.
도 6은 요철부(186, 187)가 동일한 폭(W4)을 갖는 것으로 도시되어 있으나 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 요철부(186) 및 제2 요철부(187)는 교차 영역(C)으로부터 멀어질수록 폭(W4)이 점진적(gradually)으로 증가 또는 감소할 수 있다.
또한, 제1 요철부(186) 및 제2 요철부(187)가 서로 다른 폭을 가질 수도 있다. 예를 들어, 제1 요철부(186)는 제2 요철부(187)보다 큰 폭을 가질 수 있다.
또한, 화소 전극(180)은 제1 요철부(186) 및 제2 요철부(187) 중 적어도 하나로부터 외곽 방향으로 평행하게 연장된 접속부(181), 및 접속부(181)와 연결되며 다각 형태를 갖는 화소 전극 접촉부(183)를 포함한다. 화소 전극 접촉부(183)는 접촉 구멍(175)을 통해 제 2 드레인 전극(155b)과 연결된다.
도 7은 도 5에서 화소 전극의 일부를 확대한 부분 확대도이다.
도 1, 도 2, 도 6, 및 도 7을 참조하면, 화소 전극(180)은 평면 상에서 제1 내지 제4 변(S1~S4)으로 이루어진 직사각형일 수 있으며, 제1 내지 제4 변(S1~S4)을 따라 연장된 적어도 하나 이상의 슬릿들(SL1, SL2)을 갖는다.
화소 전극(180)은 복수의 도메인들(DM1, DM2, DM3, DM4)에 제1 방향(D1)으로 형성된 제1 슬릿(SL1), 및 제1 방향(D1)과 교차하는 제2 방향(D2)으로 형성된 제2 슬릿(SL2)을 갖는다.
슬릿들(SL1, SL2)은 제1 요철부(186) 및 제2 요철부(187)를 기준으로 서로 대칭으로 형성될 수 있으므로, 제1 도메인(DM1)에 형성된 슬릿들(SL1, SL2)을 기준으로 설명한다.
제1 슬릿(SL1)은 제1 변(S1)에 인접하게 배치된다.
이하에서, 설명의 편의상 제1 슬릿(SL1)에서 제1 변(S1)과 가까운 변을 제1 슬릿 외측변(SL1_O)이라 하고, 제1 변(S1)과 먼 변을 제1 슬릿 내측변(SL1_I)이라 하고, 제2 요철부(187)와 가까운 변을 제1 슬릿 단변(SL1_E)이라 정의한다.
제1 슬릿 외측변(SL1_O) 및 제1 슬릿 내측변(SL1_I)은 제1 변(S1)과 실질적으로 평행하고, 제1 슬릿 단변(SL1_E)은 제2 변(S2)과 실질적으로 평행할 수 있다.
다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 슬릿 내측변(SL1_I)은 제1 변(S1)과 소정의 각도를 가질 수 있으며, 제1 슬릿 단변(SL1_E)은 제1 변(S1)과 소정의 각도를 가질 수 있다.
또한, 제1 슬릿(SL1)의 너비(WSL1)는 2㎛ 이상 내지 5㎛ 이하일 수 있으며, 다른 실시예에서, 제1 슬릿(SL1)의 너비(WSL1)는 화소 전극(180)의 모서리에서 제2 요철부(187)로 갈수록 점진적으로 증가할 수 있다.
제2 슬릿(SL2)은 제2 변(S2)에 인접하게 배치된다.
이하에서, 설명의 편의상 제2 슬릿(SL2)에서 제2 변(S2)과 가까운 변을 제2 슬릿 외측변(SL2_O)이라 하고, 제2 변(S2)과 먼 변을 제2 슬릿 내측변(SL2_I)이라 하고, 제1 요철부(186)와 가까운 변을 제2 슬릿 단변(SL2_E)이라 정의한다
제2 슬릿 외측변(SL2_O) 및 제2 슬릿 내측변(SL2_I)은 제2 변(S2)과 실질적으로 평행하고, 제2 슬릿 단변(SL2_E)은 제1 변(S1)과 실질적으로 평행할 수 있다.
다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 제2 슬릿 내측변(SL2_I)은 제2 변(S2)과 소정의 각도를 가질 수 있으며, 제2 슬릿 단변(SL2_E)은 제2 변(S2)과 소정의 각도를 가질 수 있다.
또한, 제2 슬릿(SL2)의 너비(WSL2)는 2㎛ 이상 내지 5㎛ 이하일 수 있으며, 다른 실시예에서, 제2 슬릿(SL2)의 너비(WSL2)는 화소 전극(180)의 모서리에서 제1 요철부(186)로 갈수록 점진적으로 증가할 수 있다.
제1 슬릿(SL1)의 너비(WSL1) 및 제2 슬릿(SL2)의 너비(WSL2)는 동일하거나 서로 다를 수 있다. 예를 들어, 제1 슬릿(SL1)의 너비(WSL1)는 제2 슬릿(SL2)의 너비(WSL2)보다 클 수 있다.
제1 슬릿(SL1) 및 제2 슬릿(SL2)은 화소 전극(180)의 모서리에서 연결되거나, 서로 분리될 수도 있다. 또한, 제1 슬릿(SL1) 및 제2 슬릿(SL2)은 요철부(186, 187)와 일부 중첩될 수도 있다.
제1 도메인(DM1)의 제1 슬릿(SL1)과 제2 도메인(DM2)의 제1 슬릿(SL1) 사이의 간격(T1) 및 제1 도메인(DM1)의 제2 슬릿(SL2)과 제3 도메인(DM3)의 제2 슬릿(SL2) 사이의 간격(T2)은 최소 2㎛이상일 수 있다.
다시 도 1 및 도 2를 참조하면, 화소 전극(180) 상에 제1 배향막(190)이 배치된다. 표시 기판(100)과 대향 기판(200) 사이에 전계가 형성되지 않을 때, 제1 배향막(190)은 액정층(300)에 포함된 액정 분자들(301)을 제1 배향막(190)에 대해 경사 배향시킬 수 있다. 제1 배향막(190)은 수직 배향막 또는 광중합 물질을 포함하는 광배향막일 수 있다. 이렇게 광배향막을 적용한 액정 표시 장치를 광배향 모드라 한다.
액정층(300)의 액정 분자(301)가 제1 배향막(190) 상에 놓여지면 화소 전극(180)의 요철부(186, 187)에 의해 액정 분자(301)는 제1 내지 제4 배향 방향(DR1, DR2, DR3, DR4)으로 선 경사(Pre-tilt)를 가질 수 있다. 즉, 서로 이웃하는 4개의 도메인들(DM1, DM2, DM3, DM4)에서 액정 분자(301)의 배향 방향은 평면 상에서 화소 전극(180)의 중심을 향해 수렴하는 방향일 수 있다. 액정층(300)은 반응성 모노머 또는 반응성 메조겐에 의하여 광중합된 폴리머 물질을 포함할 수 있다.
액정 표시 장치 제조 공정에서 전계를 인가하면서 액정 분자들(301)에 포함된 반응성 모노머를 자외선으로 조사하여 중합시키면 액정층(300)은 도메인 별로 다른 선 경사각을 갖게 배향될 수 있다. 이러한 액정 분자들(301)을 포함한 액정 표시 장치를 SVA(Surface Stabilized Vertical Alignment) 모드라고 한다. SVA 모드를 적용한 액정 표시 장치는 빠른 응답속도(response time)로 영상을 표시할 수 있다.
대향 기판(200)은 대향 베이스 기판(210), 차광 부재(220), 덮개막(230), 및 공통 전극(240)등을 포함할 수 있다. 대향 기판(200)은 제2 배향막(250)을 더 포함할 수 있다.
대향 베이스 기판(210)은 플라스틱 기판과 같이 광 투과 특성 및 플렉시블 특성을 갖는 절연 기판일 수 있다. 그러나, 본 발명의 제1 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 베이스 기판(110)은 유리 기판과 같은 하드 기판으로 만들어질 수도 있다.
대향 베이스 기판(210) 상에 차광 부재(220)가 배치된다. 차광 부재(220)는 블랙 매트릭스(black matrix)라고도 불리어지며, 크롬산화물(CrOx)과 같은 금속 또는 불투명 유기막 재료 등을 포함할 수 있다.
차광 부재(220)는 백라이트 유닛(미도시)으로부터의 광이 화소 영역(PA)를 통과하도록 화소 영역(PA)과 거의 유사한 복수의 개구를 갖는다. 또한, 차광 부재(220)는 베이스 기판(110)에 형성된 박막 트랜지스터(TR)에 대응하는 부분들에 형성될 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않고 차광 부재(220)는 베이스 기판(110) 상에 배치될 수도 있다.
차광 부재(220) 및 대향 베이스 기판(210) 상에 덮개막(230)이 배치된다. 덮개막(230)은 차광 부재(220) 등의 하부층 굴곡 표면을 평탄화하거나 하부층으로부터 불순물의 용출을 방지한다.
덮개막(230) 상에 공통 전극(240)이 배치된다. 공통 전극(240)은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide) 등의 투명 도전체로 이루어진 통판 전극일 수 있다. 다른 실시예에서, 공통 전극(240)은 복수의 도메인들을 정의하기 위한 요철 형상 및 적어도 하나 이상의 슬릿들을 가질 수 있다.
이하, 도 8 내지 도 16을 참조하여 본 발명의 다른 실시예들을 설명한다.
본 발명의 다른 실시예들에 관한 설명 가운데 본 발명의 제1 실시예에 관한 설명과 중복되는 내용은 생략한다. 본 발명의 여러 실시예들 각각은 물론 여러 실시예들의 조합도 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 이해되어야 한다.
도 8 내지 도 10은 본 발명의 제2 실시예 내지 제4 실시예에 따른 화소 전극을 나타낸 평면도들이다. 도 8 내지 도 10에서 화소 전극의 접속부 및 화소 전극 접촉부 등의 구성은 생략된다.
도 8 내지 도 10을 참조하면, 화소 전극(180)은 복수의 도메인들(DM1, DM2, DM3, DM4)을 정의하기 위한 요철부(186, 187)와 복수의 도메인들(DM1, DM2, DM3, DM4)에 제1 방향(D1)으로 형성된 제1 슬릿(SL1), 및 제1 방향(D1)과 교차하는 제2 방향(D2)으로 형성된 제2 슬릿(SL2)을 갖는다.
요철부(186, 187)는 제1 방향(D1)으로 연장된 제1 요철부(186), 및 제1 방향(D1)과 교차하는 제2 방향(D2)으로 연장된 제2 요철부(187)을 포함한다. 요철부(186, 187)는 평면 상에서 십자 형상일 수 있으며, 제1 요철부(186) 및 제2 요철부(187)의 교차 영역(C)은 평면 상에서 사각형, 원형, 타원형, 및 마름모형 중 선택된 어느 하나일 수 있다.
도 8을 참조하면, 본 발명의 제2 실시예에 따른 화소 전극(180)의 제1 요철부(186) 및 제2 요철부(187)는 교차 영역(C)으로부터 멀어질수록 폭이 점진적(gradually)으로 증가한다. 교차 영역(C)에 인접한 요철부(186, 187)의 폭(Wa)과 교차 영역(C)과 떨어진 요철부(186, 187)의 폭(Wb)은 1:1.5 내지 1:2의 비율을 가질 수 있다.
예를 들어, 교차 영역(C)에 인접한 요철부(186, 187)의 폭(Wa)이 3㎛인 경우, 교차 영역(C)과 떨어진 요철부(186, 187)의 폭(Wb)은 4.5㎛ 이상 내지 6㎛ 이하일 수 있다.
도 9를 참조하면, 본 발명의 제3 실시예에 따른 화소 전극(180)의 제1 요철부(186) 및 제2 요철부(187)는 교차 영역(C)으로부터 멀어질수록 폭이 점진적(gradually)으로 감소한다. 교차 영역(C)에 인접한 요철부(186, 187)의 폭(Wa)과 교차 영역(C)과 떨어진 요철부(186, 187)의 폭(Wb)은 1.5:1 내지 2:1의 비율을 가질 수 있다.
예를 들어, 교차 영역(C)에 인접한 요철부(186, 187)의 폭(Wa)이 5㎛인 경우, 교차 영역(C)과 떨어진 요철부(186, 187)의 폭(Wb)은 2.5㎛ 이상 내지 3㎛ 이하일 수 있다.
도 10을 참조하면, 본 발명의 제4 실시예에 따른 화소 전극(180)은 제1 요철부(186)의 폭(Wc)이 제2 요철부(187)의 폭(Wd)과 서로 다를 수 있다. 제1 요철부(186)의 폭(Wc)은 제2 요철부(187)의 폭(Wd)보다 클 수 있다. 제1 요철부(186)의 폭(Wc)과 제2 요철부(187)의 폭(Wd)은 1.5:1 내지 2:1의 비율을 가질 수 있다.
예를 들어, 제1 요철부(186)의 폭(Wc)이 5㎛인 경우, 제2 요철부(187)의 폭(Wd)은 2.5㎛ 이상 내지 3㎛ 이하일 수 있다.
도 11 내지 도 14는 본 발명의 제5 실시예 내지 제8 실시예에 따른 화소 전극을 나타낸 평면도들이다. 도 11 내지 도 14에서 화소 전극의 접속부 및 화소 전극 접촉부 등의 구성은 생략된다.
도 11 내지 도 14를 참조하면, 화소 전극(180)은 평면 상에서 제1 내지 제4 변(S1~S4)으로 이루어진 직사각형일 수 있으며, 복수의 도메인들(DM1, DM2, DM3, DM4)을 정의하기 위한 요철부(186, 187)와 복수의 도메인들(DM1, DM2, DM3, DM4)에 제1 방향(D1)으로 형성된 제1 슬릿(SL1), 및 제1 방향(D1)과 교차하는 제2 방향(D2)으로 형성된 제2 슬릿(SL2)을 갖는다.
요철부(186, 187)는 제1 방향(D1)으로 연장된 제1 요철부(186), 및 제1 방향(D1)과 교차하는 제2 방향(D2)으로 연장된 제2 요철부(187)을 포함한다.
슬릿들(SL1, SL2)은 제1 요철부(186) 및 제2 요철부(187)를 기준으로 서로 대칭으로 형성될 수 있으므로, 제1 도메인(DM1)에 형성된 슬릿들(SL1, SL2)을 기준으로 설명한다.
도 11을 참조하면, 본 발명의 제5 실시예에 따른 화소 전극(180)은 제1 슬릿(SL1)의 너비(WSL1) 및 제2 슬릿(SL2)의 너비(WSL2)가 서로 다를 수 있다.
예를 들어, 제1 슬릿(SL1)의 너비(WSL1)는 제2 슬릿(SL2)의 너비(WSL2)보다 클 수 있다. 이 때, 제1 슬릿(SL1)의 너비(WSL1)와 제2 슬릿(SL2)의 너비(WSL2)는 1.5:1 내지 2:1의 비율을 가질 수 있다. 따라서, 제1 가로 슬릿(H11)의 너비(WH11)가 5㎛인 경우, 제1 세로 슬릿(V11)의 너비(WV11)는 2.5㎛ 이상 내지 3㎛ 이하일 수 있다.
도 12를 참조하면, 본 발명의 제6 실시예에 따른 화소 전극(180)은 제1 슬릿 외측변(SL1_O)이 제1 변(S1)과 실질적으로 평행하고, 제1 슬릿 내측변(SL1_I)은 제1 변(S1)과 제1 각도(θ1)를 갖도록 형성된다. 예를 들어, 제1 각도(θ1)는 예각일 수 있다. 즉, 제1 슬릿(SL1)의 너비(WSL1)는 화소 전극(180)의 모서리에서 제2 요철부(187)로 갈수록 점진적으로 증가한다.
또한, 화소 전극(180)은 제2 슬릿 외측변(SL2_O)이 제2 변(S2)과 실질적으로 평행하고, 제2 슬릿 내측변(SL2_I)이 제2 변(S2)과 제2 각도(θ2)를 갖도록 형성된다. 예를 들어, 제2 각도(θ2)는 예각일 수 있다. 즉, 제2 슬릿(SL2)의 너비(WSL2)는 화소 전극(180)의 모서리에서 제1 요철부(186)로 갈수록 점진적으로 증가한다.
도 13을 참조하면, 본 발명의 제7 실시예에 따른 화소 전극(180)은 제1 슬릿 단변(SL1_E)이 제1 변(S1)과 제3 각도(θ3)를 갖도록 형성될 수 있다. 또한, 제2 슬릿 단변(SL2_E)이 제2 변(S2)과 제4 각도(θ4)를 갖도록 형성될 수 있다. 제3 각도(θ3) 및 제4 각도(θ4)는 예각일 수 있다.
도 14을 참조하면, 본 발명의 제8 실시예에 따른 화소 전극(180)은 제1 슬릿(SL1) 및 제2 슬릿(SL2)이 화소 전극(180)의 모서리에서 서로 분리된다.
도 15 및 도 16은 본 발명의 제9 실시예 및 제10 실시예에 따른 화소 전극을 나타낸 평면도들이다. 도 15 및 도 16에서 화소 전극의 접속부 및 화소 전극 접촉부 등의 구성은 생략된다.
도 15 및 도 16을 참조하면, 화소 전극(180)은 복수의 도메인들(DM1, DM2, DM3, DM4)을 정의하기 위한 요철부(186, 187)와 복수의 도메인들(DM1, DM2, DM3, DM4)에 제1 방향(D1)으로 형성된 제1 슬릿(SL1), 및 제1 방향(D1)과 교차하는 제2 방향(D2)으로 형성된 제2 슬릿(SL2)을 갖는다. 요철부(186, 187)는 제1 방향(D1)으로 연장된 제1 요철부(186), 및 제1 방향(D1)과 교차하는 제2 방향(D2)으로 연장된 제2 요철부(187)을 포함한다.
도 15를 참조하면, 본 발명의 제9 실시예에 따른 화소 전극(180)은 제1 요철부(186) 및 제2 요철부(187) 중 적어도 하나로부터 화소 전극(180)의 외곽 방향으로 연장된 노치(notch)부(189)를 더 포함한다. 노치부(189)는 삼각형, 반원형, 및 반타원형 중 선택된 어느 하나일 수 있다.
도 16을 참조하면, 본 발명의 제10 실시예에 따른 화소 전극(180)은 적어도 하나의 모서리가 모따기될 수 있으며, 제1 요철부(186) 및 제2 요철부(187)의 교차 영역(C)이 평면 상에서 마름모형일 수 있다.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 일실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
100: 표시 기판
200: 대향 기판
300: 액정층

Claims (39)

  1. 복수의 화소 영역을 갖는 베이스 기판;
    상기 화소 영역에 배치된 화소 전극; 및
    상기 베이스 기판 상의 적어도 하나의 돌출 패턴을 포함하고,
    상기 화소 전극은 복수의 도메인을 정의하기 위하여, 요철부(bump) 및 가장자리를 따라 연장된 적어도 하나 이상의 슬릿을 갖고,
    상기 돌출 패턴은 게이트 배선 또는 데이터 배선과 동일한 층 상에 형성되고, 상기 돌출 패턴은 임의의 도전체와 연결되지 않는 표시 기판.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 요철부는 평면상에서 제1 방향으로 연장된 제1 요철부, 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된 제2 요철부를 포함하는 표시 기판.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 제1 요철부 및 상기 제2 요철부의 교차 영역은 평면상에서 사각형, 원형, 타원형, 및 마름모형 중 선택된 어느 하나인 표시 기판.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 제1 요철부 및 상기 제2 요철부 중 적어도 하나는 상기 교차 영역에서 멀어질수록 폭이 증가하는 표시 기판.
  5. 제 3 항에 있어서, 상기 제1 요철부 및 상기 제2 요철부는 상기 교차 영역에서 멀어질수록 폭이 감소하는 표시 기판.
  6. 제 2 항에 있어서, 상기 제1 요철부 및 상기 제2 요철부는 서로 다른 폭을 갖는 표시 기판.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 제1 요철부는 상기 제2 요철부보다 큰 폭을 갖는 표시 기판.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 요철부는 2㎛ 이상 내지 15㎛ 이하의 폭을 갖는 표시 기판.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 요철부는 0.1㎛ 이상 내지 1.0㎛ 이하의 높이를 갖는 표시 기판.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 베이스 기판 및 상기 화소 전극 사이에 배치된 적어도 하나의 절연막을 더 포함하며, 상기 절연막은 평면상에서 상기 요철부와 실질적으로 동일한 형상의 돌기를 포함하는 표시 기판.
  11. 제 1 항에 있어서, 상기 돌출 패턴은 상기 베이스 기판 상에 상기 요철부와 평면상에서 실질적으로 동일한 형상을 갖는 표시 기판.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 돌출 패턴은 상기 베이스 기판 상에 배치된 제1 돌출 패턴, 및 상기 제1 돌출 패턴 상에 절연되어 배치된 제2 돌출 패턴을 포함하는 표시 기판.
  13. 제 2 항에 있어서, 상기 화소 전극은 상기 제1 방향으로 형성된 제1 슬릿, 및 상기 제2 방향으로 형성된 제2 슬릿을 갖는 표시 기판.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 제1 슬릿 및 상기 제2 슬릿 중 적어도 하나는 상기 화소 전극의 모서리로부터 상기 요철부로 갈수록 너비가 증가하는 표시 기판.
  15. 제 13 항에 있어서, 상기 제1 슬릿 및 상기 제2 슬릿 중 적어도 하나는 상기 요철부와 중첩되는 표시 기판.
  16. 제 13 항에 있어서, 상기 제1 슬릿 및 상기 제2 슬릿은 서로 다른 너비를 갖는 표시 기판.
  17. 제 16 항에 있어서, 상기 제1 슬릿은 상기 제2 슬릿보다 큰 너비를 갖는 표시 기판.
  18. 제 13 항에 있어서, 상기 제1 슬릿의 단변은 상기 제1 방향과 예각을 이루는 표시 기판.
  19. 제 13 항에 있어서, 상기 제2 슬릿의 단변은 상기 제2 방향과 예각을 이루는 표시 기판.
  20. 제 1 항에 있어서, 상기 슬릿은 2㎛ 이상 내지 5㎛ 이하의 너비를 갖는 표시 기판.
  21. 제 1 항에 있어서, 상기 화소 전극은 일변에서 연장된 노치부를 더 포함하는 표시 기판.
  22. 제 21 항에 있어서, 상기 노치부는 상기 요철부에 연결된 표시 기판.
  23. 제 21 항에 있어서, 상기 노치부는 상기 화소 전극으로부터 멀어질수록 폭이 감소하는 표시 기판.
  24. 제 1 항에 있어서, 상기 화소 전극은 평면상에서 상기 요철부에 연결되어 박막 트랜지스터와 연결되는 접속부를 더 포함하는 표시 기판.
  25. 제 1 항에 있어서, 상기 화소 전극은 적어도 하나의 모따기된 모서리를 갖는 표시 기판.
  26. 표시 기판;
    상기 표시 기판에 대향되어 배치된 대향 기판; 및
    상기 표시 기판과 상기 대향 기판 사이에 배치된 액정층;을 포함하며,
    상기 표시 기판은,
    복수의 화소 영역을 갖는 베이스 기판;
    상기 화소 영역에 배치된 화소 전극; 및
    상기 베이스 기판 상의 적어도 하나의 돌출 패턴을 포함하고,
    상기 화소 전극은 복수의 도메인을 정의하기 위하여, 요철부 및 가장자리를 따라 연장된 적어도 하나 이상의 슬릿을 갖고,
    상기 돌출 패턴은 게이트 배선 또는 데이터 배선과 동일한 층 상에 형성되고, 상기 돌출 패턴은 임의의 도전체와 연결되지 않는 액정 표시 장치.
  27. 제 26 항에 있어서, 상기 요철부는 평면상에서 제1 방향으로 연장된 제1 요철부, 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된 제2 요철부를 포함하는 액정 표시 장치.
  28. 제 27 항에 있어서, 상기 제1 요철부 및 상기 제2 요철부의 교차 영역은 평면상에서 사각형, 원형, 타원형, 및 마름모형 중 선택된 어느 하나인 액정 표시 장치.
  29. 제 28 항에 있어서, 상기 제1 요철부 및 상기 제2 요철부 중 적어도 하나는 상기 교차 영역에서 멀어질수록 폭이 증가하는 액정 표시 장치.
  30. 제 28 항에 있어서, 상기 제1 요철부 및 상기 제2 요철부는 상기 교차 영역에서 멀어질수록 폭이 감소하는 액정 표시 장치.
  31. 제 28 항에 있어서, 상기 제1 요철부 및 상기 제2 요철부는 서로 다른 폭을 갖는 액정 표시 장치.
  32. 제 27 항에 있어서, 상기 화소 전극은 상기 제1 방향으로 형성된 제1 슬릿, 및 상기 제2 방향으로 형성된 제2 슬릿을 갖는 액정 표시 장치.
  33. 제 32 항에 있어서, 상기 제1 슬릿 및 상기 제2 슬릿 중 적어도 하나는 상기 화소 전극의 모서리로부터 상기 요철부로 갈수록 너비가 증가하는 액정 표시 장치.
  34. 제 32 항에 있어서, 상기 제1 슬릿 및 상기 제2 슬릿은 서로 다른 너비를 갖는 액정 표시 장치.
  35. 제 32 항에 있어서, 상기 제1 슬릿의 단변은 상기 제1 방향과 예각을 이루는 액정 표시 장치.
  36. 제 32 항에 있어서, 상기 제2 슬릿의 단변은 상기 제2 방향과 예각을 이루는 액정 표시 장치.
  37. 제 26 항에 있어서, 상기 대향 기판 상에 배치된 공통 전극을 더 포함하며, 상기 공통 전극은 슬릿을 갖지 않는 액정 표시 장치.
  38. 제 26 항에 있어서, 상기 표시 기판은 수직 배향막을 더 포함하는 액정 표시 장치.
  39. 제 38 항에 있어서, 상기 배향막은 광중합 물질을 포함하는 액정 표시 장치.
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