JP6521176B2 - 熱光変換部材 - Google Patents
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 137
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 120
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 120
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 81
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 64
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 44
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910008938 W—Si Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 23
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 21
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 19
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 17
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 14
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 12
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 12
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 5
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- -1 Ta 2 O 5 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 2
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 229910001026 inconel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N titanium tungsten Chemical compound [Ti].[W] MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 229910005347 FeSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019018 Mg 2 Si Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910008599 TiW Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011195 cermet Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002918 waste heat Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006585 β-FeSi Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
- F24S—SOLAR HEAT COLLECTORS; SOLAR HEAT SYSTEMS
- F24S70/00—Details of absorbing elements
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- H—ELECTRICITY
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- H02S10/00—PV power plants; Combinations of PV energy systems with other systems for the generation of electric power
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/113—Silicon oxides; Hydrates thereof
- C01B33/12—Silica; Hydrates thereof, e.g. lepidoic silicic acid
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G23/00—Compounds of titanium
- C01G23/04—Oxides; Hydroxides
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C01G37/00—Compounds of chromium
- C01G37/02—Oxides or hydrates thereof
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- H—ELECTRICITY
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/52—PV systems with concentrators
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- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Description
まず、図1、図2を参照して、熱光起電力発電について説明する。熱光起電力発電では、熱源50からの熱エネルギー(放射光)51を熱光変換部材10で波長選択して所定の波長分布を持つ光54に変換し、変換された光54を熱光変換部材10から放射し、熱光変換部材から放射された光54を光電変換素子60で電気に変換する。
図3に示すように、本実施の形態の熱光変換部材10は、基板22と、基板22の表面222に設けられた灰色体24と、基板22の表面222とは反対側の表面221に設けられた金属体12と、金属体12の一表面121上に設けられた、誘電体からなる下層16、複合層14、及び誘電体からなる上層26が積層された積層体30を備えている。
第2の実施の形態について図4を参照して説明する。図4では、第1の実施の形態と同じ構成部材について同じ符号を付してある。第2の実施の形態では、金属体12の一表面121上に、付加材18及び母材20を含有する複合層14を設け、複合層14の表面141に接して誘電体からなる上層26を設けて積層体30を形成する。すなわち、第1の実施の形態とは、金属体12と複合層14の間に誘電体からなる下層がない点で異なる。本実施の形態においても、第1の実施の形態と同様の耐熱性と波長選択性が得られる。
第3の実施の形態について図5を参照して説明する。図5では、第1の実施の形態と同じ構成部材について同じ符号を付してある。第3の実施の形態では、金属体12の一表面121上に、誘電体からなる下層16を設け、下層16の表面161に接して付加材18及び母材20を含有する複合層14を設けて積層体30を形成する。すなわち、第1の実施の形態とは、複合層14の下層16と反対側の表面に誘電体からなる上層がない点で異なる。本実施の形態においても、第1の実施の形態と同様の耐熱性と波長選択性が得られる。
上記製造方法の記載に従い、熱光変換部材を作製し、耐熱性を評価した。熱光変換部材10は、基板22上に、金属体12、下層16、複合層14、上層26を、スパッタ法により、ターゲットを変えることで連続的に形成し、作製した。一部の熱光変換部材は、下層16、上層26の一方のみを備える構成とした。
常温放射率は、近赤外−赤外分光器内で垂直入射(入射角度10°)での正反射率R(%)を測定し、100(%)−R(%)により求めた値とした。
12 金属体
14 複合層
16 下層
18 付加材
20 母材
26 上層
30 積層体
Claims (18)
- 金属体と、
上記金属体の一表面上に設けられた誘電体からなる下層と、
上記下層の上記金属体側と反対側の他の表面上に設けられた複合層と、
上記複合層の上記下層と反対側の他の表面上に設けられた誘電体からなる上層と
を備え、
上記複合層は、金属が上記金属の酸化物中に分散して設けられた層、又は半導体が上記半導体の酸化物中に分散して設けられた層であり、
上記金属体の上記一表面とは反対側の他の表面に設けられた基板と、
上記基板の上記金属体側と反対側の表面に設けられた灰色体と
を備えることを特徴とする熱光変換部材。 - 前記複合層に分散した金属又は半導体は、Cr、Si、Ta及びTiから選択された1種であり、
前記下層と、前記上層は、上記金属又は上記半導体の酸化物であることを特徴とする請求項1に記載の熱光変換部材。 - 前記複合層に分散した金属又は半導体は、Cr、Si、Ta及びTiから選択された1種であり、
前記下層は、上記金属又は上記半導体の酸化物、又はSiO2であり、
前記上層は、SiO2であることを特徴とする請求項1に記載の熱光変換部材。 - 前記複合層の物理膜厚が5nmから200nm、前記下層及び前記上層の物理膜厚が10nmから300nmであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の熱光変換部材。
- 金属体と、
上記金属体の一表面上に設けられた複合層と、
上記複合層の上記金属体と反対側の他の表面上に設けられた誘電体からなる上層と
を備え、
上記複合層は、金属が上記金属の酸化物中に分散して設けられた層、又は半導体が上記半導体の酸化物中に分散して設けられた層であり、
上記金属体の上記一表面とは反対側の他の表面に設けられた基板と、
上記基板の上記金属体側と反対側の表面に設けられた灰色体と
を備えることを特徴とする熱光変換部材。 - 前記複合層に分散した金属又は半導体は、Cr、Si、Ta及びTiから選択された1種であり、
前記上層は、上記金属又は上記半導体の酸化物であることを特徴とする請求項5に記載の熱光変換部材。 - 前記複合層に分散した金属又は半導体は、Cr、Si、Ta及びTiから選択された1種であり、
前記上層は、SiO2であることを特徴とする請求項5に記載の熱光変換部材。 - 前記複合層の物理膜厚が5nmから200nm、前記上層の物理膜厚が10nmから300nmであることを特徴とする請求項5〜7のいずれか1項に記載の熱光変換部材。
- 金属体と、
上記金属体の一表面上に設けられた誘電体からなる下層と、
上記下層の上記金属体側と反対側の他の表面上に設けられた複合層と
を備え、
上記複合層は、金属が上記金属の酸化物中に分散して設けられた層、又は半導体が上記半導体の酸化物中に分散して設けられた層であり、
上記金属体の上記一表面とは反対側の他の表面に設けられた基板と、
上記基板の上記金属体側と反対側の表面に設けられた灰色体と
を備えることを特徴とする熱光変換部材。 - 前記複合層に分散した金属又は半導体は、Cr、Si、Ta及びTiから選択された1種であり、
前記下層は、上記金属又は上記半導体の酸化物であることを特徴とする請求項9に記載の熱光変換部材。 - 前記複合層に分散した金属又は半導体は、Cr、Si、Ta及びTiから選択された1種であり、
前記下層は、SiO2であることを特徴とする請求項9に記載の熱光変換部材。 - 前記複合層の物理膜厚が5nmから200nm、前記下層の物理膜厚が10nmから300nmであることを特徴とする請求項9〜11のいずれか1項に記載の熱光変換部材。
- 前記金属体はTi−W−Si層、又はW−Si/Ti−W−Si層であることを特徴とする請求項1〜12のいずれか1項に記載の熱光変換部材。
- 前記基板がSi又は石英からなることを特徴とする請求項1〜13のいずれか1項に記載の熱光変換部材。
- 前記基板がSiからなり、前記基板と前記金属体との間にSiO2膜を備えることを特徴とする請求項1〜13のいずれか1項に記載の熱光変換部材。
- 前記基板が金属基板であることを特徴とする請求項1〜13のいずれか1項に記載の熱光変換部材。
- 前記金属基板は、Fe合金又はNi合金で形成されていることを特徴とする請求項16に記載の熱光変換部材。
- 前記灰色体は、SiC、Fe酸化物、Cr酸化物、Ni酸化物、又は、Fe酸化物、Cr酸化物及びNi酸化物の複合酸化物の少なくとも一つを備える請求項1〜17のいずれか1項記載の熱光変換部材。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016071272 | 2016-03-31 | ||
JP2016071272 | 2016-03-31 | ||
PCT/JP2017/013057 WO2017170768A1 (ja) | 2016-03-31 | 2017-03-29 | 熱光変換部材 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2017170768A1 JPWO2017170768A1 (ja) | 2019-01-31 |
JP6521176B2 true JP6521176B2 (ja) | 2019-05-29 |
Family
ID=59964716
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018509379A Active JP6521176B2 (ja) | 2016-03-31 | 2017-03-29 | 熱光変換部材 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10978988B2 (ja) |
EP (1) | EP3439048A4 (ja) |
JP (1) | JP6521176B2 (ja) |
CN (1) | CN108633316A (ja) |
WO (1) | WO2017170768A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019185009A (ja) * | 2018-04-02 | 2019-10-24 | 日本製鉄株式会社 | 波長選択フィルタ及びそれを用いた熱光起電力発電装置 |
JP7147519B2 (ja) * | 2018-11-30 | 2022-10-05 | 日本製鉄株式会社 | 波長選択フィルタ及びそれを用いた熱光起電力発電装置 |
CN112687788B (zh) * | 2021-03-19 | 2021-06-22 | 苏州大学 | 光谱选择性热辐射器及其设计方法 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5626687A (en) * | 1995-03-29 | 1997-05-06 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Thermophotovoltaic in-situ mirror cell |
US6177628B1 (en) * | 1998-12-21 | 2001-01-23 | Jx Crystals, Inc. | Antireflection coated refractory metal matched emitters for use in thermophotovoltaic generators |
JP2000272955A (ja) * | 1999-03-26 | 2000-10-03 | Ube Ind Ltd | 希土類選択エミッター材料 |
US6271461B1 (en) | 2000-04-03 | 2001-08-07 | Jx Crystals Inc. | Antireflection coated refractory metal matched emitters for use in thermophotovoltaic generators |
US20030034065A1 (en) * | 2001-08-14 | 2003-02-20 | The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Method and device for selectively emitting photons |
US7166797B1 (en) | 2001-08-23 | 2007-01-23 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Tandem filters using frequency selective surfaces for enhanced conversion efficiency in a thermophotovoltaic energy conversion system |
JP4244549B2 (ja) * | 2001-11-13 | 2009-03-25 | トヨタ自動車株式会社 | 光電変換素子及びその製造方法 |
US6812496B2 (en) * | 2002-01-10 | 2004-11-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Group III nitride semiconductor laser device |
US6683243B1 (en) * | 2002-06-06 | 2004-01-27 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Selective emission multilayer coatings for a molybdenum thermophotovoltaic radiator |
JP2004103649A (ja) * | 2002-09-05 | 2004-04-02 | Toyota Motor Corp | 熱光発電用光電変換素子 |
JP4934986B2 (ja) * | 2005-04-18 | 2012-05-23 | 宇部興産株式会社 | 熱光起電力発電用エミッタ材料 |
US8278823B2 (en) * | 2007-03-30 | 2012-10-02 | General Electric Company | Thermo-optically functional compositions, systems and methods of making |
TWI379427B (en) * | 2007-12-31 | 2012-12-11 | Ind Tech Res Inst | Transparent solar cell module |
JP2011096770A (ja) | 2009-10-28 | 2011-05-12 | Kyoto Univ | 反射防止膜及び熱光起電力発電用エミッタ |
JP5506514B2 (ja) * | 2010-04-07 | 2014-05-28 | スタンレー電気株式会社 | 赤外光源 |
JP5830468B2 (ja) * | 2010-10-29 | 2015-12-09 | スタンレー電気株式会社 | 発電装置 |
JP5704987B2 (ja) * | 2011-03-25 | 2015-04-22 | 富士フイルム株式会社 | 波長変換素子および光電変換装置 |
JP2014067968A (ja) * | 2012-09-27 | 2014-04-17 | Dainippon Printing Co Ltd | 太陽電池モジュール |
JP5994569B2 (ja) | 2012-10-26 | 2016-09-21 | 株式会社豊田自動織機 | 熱変換部材及び熱変換積層体 |
JP6059952B2 (ja) | 2012-10-26 | 2017-01-11 | 株式会社豊田自動織機 | 熱変換部材及び熱変換積層体 |
JP2015041620A (ja) * | 2013-08-20 | 2015-03-02 | 日本電気株式会社 | 光電変換素子及び光電変換素子の製造方法 |
CN105152688B (zh) * | 2015-08-11 | 2017-09-22 | 南京理工大学 | 应用于热光伏发电装置的波长选择性辐射体涂层及制备方法 |
-
2017
- 2017-03-29 WO PCT/JP2017/013057 patent/WO2017170768A1/ja active Application Filing
- 2017-03-29 JP JP2018509379A patent/JP6521176B2/ja active Active
- 2017-03-29 US US16/089,249 patent/US10978988B2/en active Active
- 2017-03-29 EP EP17775302.7A patent/EP3439048A4/en not_active Withdrawn
- 2017-03-29 CN CN201780010421.4A patent/CN108633316A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10978988B2 (en) | 2021-04-13 |
EP3439048A1 (en) | 2019-02-06 |
EP3439048A4 (en) | 2019-12-04 |
JPWO2017170768A1 (ja) | 2019-01-31 |
US20200127596A1 (en) | 2020-04-23 |
WO2017170768A1 (ja) | 2017-10-05 |
CN108633316A (zh) | 2018-10-09 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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