JP6566041B2 - 熱光変換部材 - Google Patents
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Description
本発明による熱光変換部材は、常温(25±10℃)での放射率の波長依存性に優れている。特に波長0.5〜2.0μmの範囲における常温放射率の平均値は、0.7以上であり、好ましくは0.8以上であり、さらに好ましくは0.9以上である。
さらに、本発明による熱光変換部材は、500℃、600℃の高温での放射率の波長依存性に優れている。特に波長0.5〜2.0μmの範囲における高温放射率の平均値は、0.6以上であり、好ましくは0.7以上であり、さらに好ましくは0.85以上である。
また、本発明による熱光変換部材は、波長選択性に優れている。特に波長3〜5μmの長波長領域での常温放射率に対する波長0.5〜2.0μmの感度領域での常温放射率の比率が、2以上であり、好ましくは3以上であり、さらに好ましくは4以上である。
また、本発明による熱光変換部材は、波長安定性に優れている。特に波長0.5〜2.0μmの短波長範囲(ただし両端で放射率が低下する領域は対象から除外)で、放射率の最高値(H)に対する最低値(M)の放射率低下比率(M/H)が、0.5以上であり、好ましくは0.7以上であり、さらに好ましくは0.8以上である。
また、本発明による熱光変換部材は、高温保管性に優れている。特に試料を大気中で700℃で200時間の高温加熱を施した後の、波長0.5〜2.0μmの範囲における常温放射率の平均値の変化(加熱前の常温放射率に対する高温加熱後の常温放射率の比率)が、0.5以上であり、好ましくは0.7以上であり、さらに好ましくは0.9以上である。
本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨の範囲内で適宜変更することが可能である。
2 最下部にあるシリサイド層B
3 中間にある誘電体層M
4 中間にあるシリサイド層M
5 最も表面に近い誘電体層T
6 最下部にある誘電体層B
7 感度領域 (波長0.5〜2.0μmの範囲)
8 長波長領域 (波長3〜5μmの範囲)
Claims (12)
- 金属域の上に、シリサイド層と誘電体層が交互に形成され、前記シリサイド層と前記誘電体層の層数の合計が3層以上12層以下の積層構造を備え、
前記積層構造は、前記金属域の上に順に前記シリサイド層に含まれる最も前記金属域側に位置するシリサイド層B、前記誘電体層に含まれる誘電体層M、及び前記シリサイド層に含まれる前記シリサイド層B以外であるシリサイド層Mを有し、
前記シリサイド層Bの厚さは5nm以上25nm以下、前記誘電体層Mの厚さは10nm以上45nm以下、前記シリサイド層Mの厚さは2nm以上15nm以下であり、
波長0.5〜2.0μmの範囲における常温(25±10℃)での放射率の平均値が0.7以上であることを特徴とする熱光変換部材。 - 前記誘電体層に含まれる誘電体層Tが最も表面側にさらに形成されており、前記シリサイド層と前記誘電体層の層数の合計が4層以上12層以下であり、前記誘電体層Tの厚さが80nm以上200nm以下であることを特徴とする請求項1記載の熱光変換部材。
- 前記金属域と前記シリサイド層Bの間に前記誘電体層に含まれる誘電体層Bがさらに形成されており、前記誘電体層Bの厚さが5nm以上25nm以下であることを特徴とする請求項1または2記載の熱光変換部材。
- 前記シリサイド層Bの厚さが、当該シリサイド層Bの上に接する前記誘電体層Mの厚さの60%以下であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項記載の熱光変換部材。
- 前記誘電体層Tの厚さが、当該誘電体層Tの下に接する前記シリサイド層Mの厚さの8倍以上であることを特徴とする請求項2記載の熱光変換部材。
- 前記積層構造の表面が前記誘電体層であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項記載の熱光変換部材。
- 前記シリサイド層の主成分がβ-FeSi2またはCrSi2であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項記載の熱光変換部材。
- 前記誘電体層の主成分がSiO2またはAl2O3であることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項記載の熱光変換部材。
- 前記金属域の主成分がW、Mo、Fe、Ni、Cr、Au、Ag、Fe合金から選ばれる1種であることを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項記載の熱光変換部材。
- 前記金属域の厚さが20nm以上であることを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項記載の熱光変換部材。
- 前記金属域の下に基板が形成されており、前記基板がシリコンまたは金属で構成されており、前記基板の表面側にSiC層が形成されていることを特徴とする請求項1〜10のいずれか1項記載の熱光変換部材。
- 前記金属域の下に基板が形成されており、前記基板がFe、Fe合金、Ni合金の少なくとも1種で構成されており、前記基板の表面側に酸化物層が形成されていることを特徴とする請求項1〜10のいずれか1項記載の熱光変換部材。
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