JP6518770B2 - 頂点ベース補正を半導体デザインに適用する方法 - Google Patents
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Description
本発明は、特に、基板上にデザインを転写するためのマスクの電子または光リソグラフィ分野に適用され、基板またはマスク上にパターンを直接書き込むのに電子ビームが使用されるプロセスにも適用される。
ｅ−ビームリソグラフィによってパターンを表面に転写する１つの方法は、可変成形ビームまたはＶＳＢを使用してポジ型レジスト塗布またはネガ型レジスト塗布を浮き彫りにする方法である。そうするためには、破砕ステップの間に、放射線ドーズ量が指定される（「ショット」とも呼ばれる）基本形状にパターンが刻まれる。現在使用されている寸法（臨界寸法を用いる技術または２５ｎｍ未満の「ＣＤ」）では近接効果（前方散乱および後方散乱）は露光領域の密度に大きく依存しているため、幾何学的形状とショットの放射線ドーズ量は密接な相互関係にある。
転写されるパターンは、多くの場合、細長い長方形（線）または正方形（結線）などの単純な幾何学的形状をしている。これらのパターンは、当技術分野では、「マンハッタンパターン」と呼ばれることが多い。現状では、ショットの幾何学的形状は適宜定義され、また単純なものであり、各パターンは長方形または正方形のショットを結合したものに破砕される。それでも、いくつかの用途（逆リソグラフィ、フォトニクス、計測キャリブレーションなど）には、前述のタイプの単純な形状ではなく、円形あるいは不定の、ことによると曲線の形状（フリーフォームとも呼ばれる）であり得るデザインパターンを含めることが必要または有利である場合がある。
当技術分野では、幾何学的形状補正および／またはドーズ量補正をショットに適用して、できるだけターゲットデザインに近いパターンの絶縁または開発セットを得ることが知られている。例えば、ショットのサイズとそのドーズ量の組み合わせの最適化が欧州特許第２５５９０５４号明細書で公開された欧州特許出願で開示されている。フリーフォームパターンの場合は、ショットによる様々なサイズの円形または疑似円形の転写は、本出願の出願人に譲受されているＰＣＴ／ＥＰ２０１３／０５３８８３号明細書で提出されたＰＣＴ出願で開示されている。
破砕前に補正を適用することも知られている。例えば、エッジベース補正はシミュレーション輪郭とターゲット輪郭とを比較することによって計算することができ、基準に合致するまで、シミュレーション輪郭にエッジ変位ベクトルを反復的に適用することによって実現することができる。このような技術は国際公開第２０１４／１７７７７６号パンフレットで公開されたＰＣＴ出願で開示されており、これも本出願の出願人に譲受されている。マンハッタンタイプデザインについては、エッジベース補正はオーバーラップ、ホール、単独の厚みのないショット、変位できないエッジなどのようなアーティファクトをわずかしか引き起こさないためにショットベース補正を改善する。しかしフリーフォームパターンの場合は、エッジベース補正は特に、シミュレーション輪郭に対するエッジベース補正の影響をあまり制御できないためにほとんど効果がない。
欠点を伴わないエッジベース補正の利点をもたらす新しい技術を見つけることは有益である。
本発明は、シミュレーション輪郭とターゲット輪郭との比較を使用する補正方法に少なくとも頂点ベース補正のプロセスを含めることによって従来技術の問題点を克服する。
この結果に向けて、本発明はコンピュータを使用して、半導体集積回路を絶縁するためにターゲットデザインを破砕することを目的に使用するデータを生成する方法であって、
ａ）ターゲットデザインからシードデザインを生成し、
ｂ）シードデザインの頂点を接続する線分を生成してシードデザインの輪郭を形成し、
ｃ）いくつかの補正位置をシードデザインの輪郭上に配置し、
ｄ）補正位置と頂点とを関連付けし、
ｅ）ドーズ量マップをシミュレーションデザインと関連付けし、
ｆ）シードデザインのシミュレーション輪郭を補正位置に生成してシミュレーションデザインを形成し、
ｇ）頂点の少なくとも一部を変位してシミュレーション輪郭とシードデザインの輪郭との間の合致基準を改善し、
ｈ）停止基準に達するまでステップｅ）〜ｇ）を反復する
ステップを含むことを特徴とする方法を開示する。
ａ）ターゲットデザインからシードデザインを生成し、
ｂ）シードデザインの頂点を接続する線分を生成してシードデザインの輪郭を形成し、
ｃ）いくつかの補正位置をシードデザインの輪郭上に配置し、
ｄ）補正位置と頂点とを関連付けし、
ｅ）ドーズ量マップをシミュレーションデザインと関連付けし、
ｆ）シードデザインのシミュレーション輪郭を補正位置に生成してシミュレーションデザインを形成し、
ｇ）頂点の少なくとも一部を変位してシミュレーション輪郭とシードデザインの輪郭との間の合致基準を改善し、
ｈ）停止基準に達するまでステップｅ）〜ｇ）を反復する
ステップを含むことを特徴とする方法を開示する。
有利には、直線で囲まれたセグメントは、最小値と最大値との間に含まれる長さを有するように定義される。
有利には、最小値は絶縁プロセスの前方散乱パラメータの値より大きいかまたは等しい。
有利には、最大値は絶縁プロセスの後方散乱パラメータの値よりも小さいかまたは等しい。
有利には、補正位置は、シミュレーション輪郭の選択されたエッジ上に補正位置を配置すること、補正位置を選択された頂点に配置すること、および補正位置を選択された頂点の後方または前方の一方に配置することを含むグループから選択された１つの配置ルールに基づいて配置される。
有利には、頂点グループは、１つの頂点グループを最寄りの１つの補正位置と関連付けすること、１つの頂点グループを所定の間隔内に存在する１つの補正位置と関連付けすること、１つの頂点グループを頂点と補正箇所との間の間隔に基づく重み付けで計算された所定の重み付け間隔内に存在する１つの補正位置と関連付けすることを含むグループから選択された１つの関連付けルールに基づいて補正位置と関連付けされる。
有利には、頂点を変位することは、２つのセグメント間の角度の二等分線に沿って頂点から離れる方向に頂点を変位すること、および頂点のドーズ量勾配に沿って頂点を変位することを含むグループから選択された１つの変位ルールに基づいて決定される。
有利には、頂点を変位することは、補正位置のシミュレーションデザインとターゲットデザインとの間の差異に基づいて決定される。
有利には、ドーズ量マップをシミュレーションデザインと関連付けすることは、各イテレーションにおいてドーズ量マップを更新するようにドーズ量補正を決定することを含む。
有利には、ドーズ量補正はロングレンジである。
有利には、本発明の方法は、ステップｈ）の後に、ｉ）シミュレーションデザインをマンハッタン化するステップをさらに含む。
有利には、本発明の方法は、ステップｈ）およびステップｉ）のいずれか一方の後に、ｊ）エッジベース補正を実行するステップをさらに含む。
有利には、本発明の方法は、ステップｈ）、ｉ）、およびｊ）のいずれか１つのステップの後に、ｋ）出力された輪郭の破砕を実行するステップをさらに含む。
有利には、本発明の方法は、ステップｈ）、ｉ）、ｊ）、およびｋ）のいずれか１つのステップの後に、ｌ）ドーズ量と幾何学的形状を組み合わせた補正を実行するステップをさらに含む。
本発明は、半導体集積回路を絶縁するためにターゲットデザインを破砕するのに使用することを目的にデータを生成するコンピュータプログラムであって、
ａ）ターゲットデザインからシードデザインを生成し、
ｂ）シードデザインの頂点を接続して線分で囲まれたセグメントを生成してシードデザインの輪郭を形成し、
ｃ）いくつかの補正位置をシードデザインの輪郭上に配置し、
ｄ）補正位置と頂点とを関連付けし、
ｅ）ドーズ量マップをシミュレーションデザインと関連付けし、
ｆ）シードデザインのシミュレーション輪郭を補正位置に生成してシミュレーションデザインを形成し、
ｇ）頂点の少なくとも一部を変位してシミュレーション輪郭とシードデザインの輪郭との間の合致基準を改善し、
ｈ）停止基準に達するまでステップｅ）〜ｇ）を反復する
ように構成された、ユーザインタフェース、コンピュータコード命令、およびコンピュータとメモリリソースへのアクセスを備えることを特徴とするコンピュータプログラムを開示する。
ａ）ターゲットデザインからシードデザインを生成し、
ｂ）シードデザインの頂点を接続して線分で囲まれたセグメントを生成してシードデザインの輪郭を形成し、
ｃ）いくつかの補正位置をシードデザインの輪郭上に配置し、
ｄ）補正位置と頂点とを関連付けし、
ｅ）ドーズ量マップをシミュレーションデザインと関連付けし、
ｆ）シードデザインのシミュレーション輪郭を補正位置に生成してシミュレーションデザインを形成し、
ｇ）頂点の少なくとも一部を変位してシミュレーション輪郭とシードデザインの輪郭との間の合致基準を改善し、
ｈ）停止基準に達するまでステップｅ）〜ｇ）を反復する
ように構成された、ユーザインタフェース、コンピュータコード命令、およびコンピュータとメモリリソースへのアクセスを備えることを特徴とするコンピュータプログラムを開示する。
本発明は、本発明によるコンピュータプログラムの少なくともアウトプットを使用するように構成された半導体製造装置であって、ガウス型電子ビームリソグラフィ、マルチビーム電子リソグラフィ、およびレーザリソグラフィを使用して、半導体ウエハに直接書き込むこととマスクプレートに書き込むことのいずれか１つを行うように構成された半導体製造装置をも開示する。
本発明は多数の追加の利点をもたらす。注目すべきことに、頂点ベース補正ステップにおいては、頂点が変位するときのシミュレーション歪みの最大値は頂点近辺にある。また、本発明による頂点配置時に作成されるエッジの数を制限することができるが、エッジベース補正をフリーフォームデザインに使用する場合はエッジの数を不自然に増大させずに歪みを制御することは困難である。フリーフォームが非常に複雑な場合は、エッジの数は非常に大きいものにならざるを得ない。さらに、本発明により計算された頂点変位からもたらされる輪郭変位は連続的であり、これはエッジベース補正のケースとは異なる。
様々な実施形態および以下の付帯図の説明から、本発明がより理解され、その様々な特徴および利点が明らかになるだろう。
図１ａおよび図１ｂはそれぞれマンハッタンパターンを含むデザインおよびフリーフォームパターンを含むデザインを示し、共に従来技術のエッジベース補正プロセスを使用して補正されている。
エッジベース補正プロセスの単純化モデルが図１ａに示され、マンハッタンのターゲットエッジ１１０ａに当てはまる。シミュレーションまたは補正位置１２０ａが、好ましくはターゲットエッジの中間点で選択される。変位ベクトル１５０ａは、シミュレーション位置を有するエッジをアウトプット輪郭１３０ａの方向へ変位するように計算される。次いで、アウトプット１４０ａのシミュレーション位置がターゲットエッジ１１０ａと比較される。このプロセスは反復的であり、アウトプットのシミュレーションとターゲットとの間の間隔がしきい値を下回ると停止する。
本出願において、以下の用語は逆リソグラフィ変換（ＩＬＴ）の語彙を使用して以下のように定義する。ＩＬＴにおいて：
− ターゲットとは、表面上にプリントされるデザインであり、
− ＩＬＴのアウトプット輪郭とは、ターゲットをインプットとして使用して逆変換された結果であり、
− アウトプットのシミュレーションとは、アウトプット輪郭をインプットとして使用して直接変換した結果である。アウトプットのシミュレーションは可能な限りターゲットに一致する。
− ターゲットとは、表面上にプリントされるデザインであり、
− ＩＬＴのアウトプット輪郭とは、ターゲットをインプットとして使用して逆変換された結果であり、
− アウトプットのシミュレーションとは、アウトプット輪郭をインプットとして使用して直接変換した結果である。アウトプットのシミュレーションは可能な限りターゲットに一致する。
変位による修正の最大値はシミュレーション位置であり、したがって制御が容易であるため、このプロセスはマンハッタンデザインには都合がよい。
図１ｂにおいては、ターゲットはフリーフォームである。シミュレーション位置１２０ｂがターゲットエッジ１１０ｂの中間で選択され、アウトプット輪郭１３０ｂ、アウトプットのシミュレーション１４０ｂ、および変位ベクトル１５０ｂを使用してエッジベースの同一のプロセスが適用される。しかし、この場合、２つの隣接するエッジ１７０ｂおよび１８０ｂの変位がそれらの間に始めから存在するエッジを除去することになる。これら２つのエッジが出合うところでシミュレーション結果が最大値となるような修正が生成される。エラー１６０ｂは、制御し反復的に補正することは容易ではない。この欠点は本発明の方法で克服される。
図２ａおよび図２ｂはそれぞれマンハッタンパターンを有するデザインおよびフリーフォームパターンを有するデザインを表し、共に本発明のいくつかの実施形態による頂点ベース補正プロセスを使用して補正される。
本発明による補正方法においては、従来技術のエッジベース補正方法との対比において、変位ベクトルは補正位置またはシミュレーションには適用されず、デザインの頂点のいくつかまたはすべてに適用される。
図２ａは図１ａと同様のマンハッタンパターンのデザインを示している。以下の記述の中でさらに説明する異なるステップの方法が適用される。ターゲットデザイン上の頂点２１０ａを選択する。頂点２１０ａは２つの補正位置２２０ａと２３０ａとの間に位置し、それらは頂点の一部分である２つのエッジ上に位置する。また、アウトプット輪郭、およびターゲット輪郭に対するアウトプットのシミュレーションの反復的調整を使用して、所定レベル以上にフィットするまで連続して変位ベクトル２４０ａを生成する。図の例においては、エラー２５０ａが、頂点２１０ａの各サイド上に位置する２つの頂点２６０ａおよび２７０ａの非依存的な変位によって生成される。頂点の非依存的な変位のためにエッジの並行性は保持されず、これはマンハッタンデザインには最適ではない。このエラーを自動的に除去することは容易ではない。
図２ｂは図１ｂと同様にフリーフォームデザインを示している。本発明の方法により、頂点２２０ｂおよび２３０ｂの非依存型の変位により、エッジ２１０ｂの変位を制御することが可能になる。したがって、エッジベース補正を適用するときに同一のデザインの同一の位置で発生するエラーは、本発明の頂点ベース補正を適用すると発生しない。
図３ａおよび図３ｂは、本発明のいくつかの実施形態による頂点ベース補正ステップを備えるプロセスの異なる２つのフローチャートを示す。
本発明の頂点ベース補正は異なる処理フローに含めることができる。頂点ベース補正およびエッジベース補正の両方は、初期のショットでデザインを破砕する前に適用する幾何学的形状補正であることに留意することは重要である。破砕の前に幾何学的形状補正を適用することは、より少ないアーティファクト（オーバーラップ、ホール、厚みのないショット、変位できないエッジなど）しか生成しないという利点を有する。フリーフォームデザインを破砕する前に、単純なマンハッタンのサブパーツを生成することも概して有利である。
図３ａの実施形態においては、第一に、頂点ベース補正ステップ３１０ａの結果が単純化／マンハッタン化ステップ３２０ａに投入される。破砕ステップ３４０ａののちに、ドーズ量／幾何学的形状複合補正またはＤＭＧステップ３５０ａが有効であれば実行することができる。ＤＭＧは、本出願の出願人に譲受されている欧州特許第２５５９０５４号明細書で公開された欧州特許出願で開示された方法を使用して実行することができる。
図３ｂの変形としては、エッジベース補正の３３０ｂのステップがマンハッタン化と破砕との間で実行される。この処理フローにおいては頂点ベース補正が輪郭の調整に使用されると、かなりの変位を必要とすることがあるが、エッジベース補正がマンハッタン形状をターゲットに適用するのに使用されると、通常は少ない変位しか必要としない。
図４ａおよび４ｂはそれぞれ本発明のいくつかの実施形態によるドーズ量補正を伴わない場合およびドーズ量補正を伴う場合の頂点ベース補正のフローチャートを示す。
本発明はドーズ量補正を伴わないでまたはドーズ量補正を伴って実行することができ、他のステップでも同様である。
したがって本発明の方法の主要ステップは図４ａからコメントする。
方法はシードターゲット輪郭を生成するステップ４１０で初期化される。シードターゲット輪郭は、ターゲット輪郭をフィルタリングしてアーティファクトを取り込む可能性がある輪郭のパーツを除去する（例えば、一般にノッチと呼ばれる、メインデザインで指摘される形体を除去する、または単一の非マンハッタンエッジによって連続する小さなマンハッタンステップを置き換える）ことによりターゲット輪郭から取得される。結果として生じるシードターゲット輪郭は到達すべき真のターゲットとみなされる。言い換えれば、元のターゲットは断片化され過ぎていると考えられる。
次いでステップ４２０においては、シードターゲット輪郭はセグメント化され輪郭上に規則正しく間隔をあけて十分な頂点を作成するが、多すぎることはない。適当な折り合いは、少数のα（絶縁プロセスのガウス形点応答関数−またはＰＳＦ−におけるビームの前方散乱効果を表すパラメータ）を有するエッジ長を有することである。一般には、「少数のα」は１〜１０のαを意味する。
次いでステップ４３０においては、補正位置がセグメント化されたシードターゲットデザイン上に配置され、ステップ４４０において、補正位置が隣接する頂点と関連付けされる。どのように補正位置が配置され頂点と関連付けされるかについての例がさらに以下で図５ａ、図５ｂおよび図５ｃ、ならびに図５ｄ、図５ｅおよび図５ｆとそれぞれ関連する記載の中で提供される。
セグメント化されたシードターゲットデザインの構成がステップ４１０〜ステップ４４０を通じて準備されると、プロセスはステップ４５０でイテレーションループに入り、デザインとドーズ量マップの関連付けが実行される。ドーズ量マップは概して、しきい値を超えないドーズ量割合を有するようにデザインをゾーニングした形状である。ドーズ量マップは幾何学的形状補正の間は一定しているか、または図４ｂに示される例の中にあるように変化する可能性がある。
本発明の方法によれば、ステップ４７０において、頂点は変位ベクトルを使用して変位させる。ベクトルの方向は、図５ｇおよび図５ｈに関する記述の中でさらに説明するように、別のルールを使用して設定することができる。一定の補正位置での変位またはシフトの大きさはシフト後のアウトプットのシミュレーション結果およびイテレーションループにおける前のシフト後のアウトプットの連続したシミュレーション結果に基づいて設定される。
シミュレーションとシフトとの間の関係は制御システム工学の複雑な問題である。第一のオプションは、シミュレーション値と、一定または可変の係数を掛けた望ましいシミュレーション値との差異に比例してシフトさせることである。この大変単純な制御ループは、オートメーション理論から知られている戦略を使用してより速く収束させより安定性させるように改善することができる。
頂点の変位のステップの後に、シミュレーション輪郭はステップ４８０におけるセグメント化したターゲットデザインと比較される。この比較は、２つのデザインの表面、２つの輪郭の間の最小または最大間隔、シミュレーション輪郭の粗さ、あるいはそれらの組み合わせに基づく。次いで定量的停止基準がステップ４９０で評価される。停止基準は、このプロセスが十分な速度で収束しない場合の状況を考慮して、イテレーション数または最大計算時間に基づく停止を含むこともできる。
図４ｂのフローチャートと図４ａのフローチャートとの差異は単に、前者がイテレーションコマンドの入力ポイントまたはドーズ量マップを関連付けするステップ（ステップ４５０）と頂点変位の実行（ステップ４７０）との間にドーズ量補正ステップ４６０を含むことだけである。
ドーズ量補正はセグメント化されたシードターゲット輪郭のサブパーツとして適用される。適用されるドーズ量補正は、ＰＳＦのβパラメータを使用してモデル化されるロングレンジ補正で、ロングレンジとは後方散乱効果の範囲を意味する。輪郭のサブパーツはおよそβの長さのものが選択される。ドーズ量は各サブパーツに帰属する（一般に、プロセスの初期においてレジストしきい値１の比率）。ドーズ量補正は、例えば本出願の出願人に譲受されている欧州特許第２５５９０５４号明細書で公開の欧州特許出願で開示されている方法を使用して計算される。ドーズ量補正は、このプロセスのエネルギー許容度を使用する幾何学的形状補正から控除される。
ドーズ量の値は幾何学的形状補正または各イテレーションの再生の間は一定に維持することができる。
図５ａ、図５ｂ、図５ｃ、図５ｄ、図５ｇ、図５ｅ、図５ｆおよび図５ｇは、本発明のいくつかの実施形態において補正位置の配置および頂点との関連付けを決定するのに適用されるルールの例を示す。
補正位置を配置する別の戦略は図５ａ、図５ｂ、および図５ｃに示す。正しい戦略の選択は、
− 実行時間を最少化するために位置の数を最少化すること、
− アウトプット輪郭のエラーを制御すること、
− ターゲットに到達することができるポイント配置すること（コーナーの面取り問題）、
− ターゲットに到達することの難易度または重要性に基づく配置または重み付け
の間に折り合いをつけることである。
− 実行時間を最少化するために位置の数を最少化すること、
− アウトプット輪郭のエラーを制御すること、
− ターゲットに到達することができるポイント配置すること（コーナーの面取り問題）、
− ターゲットに到達することの難易度または重要性に基づく配置または重み付け
の間に折り合いをつけることである。
図５ａの例においては、補正位置は頂点から離れたエッジに配置されている。各エッジ上に２つの補正位置を配置した図で示すように、各エッジ上に２つ以上の補正位置を有することは有利であり得る。エッジの２つの位置の間は厳密に、かつ頂点の周辺は緩くシミュレーションアウトプットを制御することが期待される。欠点は頂点当り２つ以上の位置を配置することである。
図５ｂの例においては、補正位置が各頂点に配置されている。この戦略では、頂点を上手く制御することができるが、エッジ中間点での制御不能なエラーが予測される。
図５ｃの例においては、補正位置が、各頂点の背後、つまりターゲット輪郭の内側に配置されている。目標はコーナーの面取りを考慮した間隔で位置を配置することである。直接制御しなくても、エッジの中間点でより合致することが期待できる。輪郭が凹面の代わりに凸面である場合、図にあるように、補正位置は好ましくは輪郭の外側、つまり頂点の前方に配置される。
頂点と補正位置を関連付ける３つの異なるルールを図５ｄ、図５ｅ、および図５ｆに示す。エッジが極めて小さい場合（αまたはより小さいものと比較可能）、図５ｅおよび図５ｆのように同一シミュレーション位置を共有する頂点を有することにより、輪郭のよりスムーズな変形が得られる。このことは補正の安定性を改善する１つの方法であり得る。図５ｄの例においては、エッジごとに２つの補正位置が配置される図５ａの構成を複製しているが、各頂点は最寄りの位置と関連付けされる。例えば、頂点５１０、５４０それぞれはその近隣には１つの補正位置のみを有し、したがってこれらの頂点は単純に補正位置５５０および５Ａ０それぞれと関連付けされる。頂点５２０、５３０それぞれは同等間隔、つまり前者は５６０および５７０、後者は５８０および５９０、に位置する２つの補正位置を有する。したがって、これらの位置は最寄りのものであると考えられ、頂点５２０、５３０それぞれは補正位置のこれら対と関連付けられる。
図５ｅの例においては、ルールは、定義された頂点間隔内にあるすべての補正位置を１つの頂点に関連付けるというものである。例えば、頂点５３０は補正位置５Ｂ０、５Ｃ０、および５Ｄ０と関連付けられる。２つ以上の補正位置が１つの頂点に関連付けすることはいくつかのケースで精度を改善することができる。本発明のこのタイプの実施形態を使用する場合は、各補正位置に対して取得されるシフトの値を組み合わせるようルールを定義する必要がある。単純なルールはその平均をとることであってもよいが、他のルールを使用してもよい。
頂点と補正位置の関連付けは、図５ｆに示すように、補正位置と頂点との間隔に依存する重み付けパラメータを使用することもできる。重み付けパラメータは頂点よりも近くにある補正位置がより高くなる。図の例では、頂点５２０については、最も離れた補正位置５５０、５９０、および５Ａ０はゼロの重み付けパラメータが振り当てられるが、より近くにある補正位置５８０は１の重み付けパラメータが振り当てられ、最も近隣にある補正位置５６０および５７０は２の重み付けパラメータが振り当てられる。もちろん、重み付けパラメータのこれらの例は使用されるコンテキストに適するように変更することが可能である。一般的な重み付けルールは重量＝｜Ｄｍａｘ−Ｄ｜／Ｄｍａｘであり、ここで、Ｄは頂点と位置との間の間隔であり、Ｄｍａｘは頂点と位置を関連付ける最大間隔である。間隔が大きいほど、シフトにおける補正位置への影響は少ない。
変位ベクトルの方向を決定する２つの異なるルールが図５ｇおよび図５ｈに示される。
図５ｇの例においては、頂点５２０の変位ベクトル５２１はその頂点で接合する２つのエッジ５２２、５２３の角度を２等分する方向を有する。この方法は、その方向を選択することが極めて単純に計算されるため最速である。
図５ｈの例においては、曲線５２４、５２５がビームドーズ勾配を表している。変位ベクトルの方向は曲線５２４、５２５の勾配に沿うものとして決定される。この方法は各頂点の周辺を少なくとも３回シミュレーションする必要があり、より時間を要する。そのトレードオフとして補正がより安定する。
シミュレーション輪郭とターゲット輪郭とがより合致するように、Ｘ軸に沿った動きとＹ軸に沿った動きを非依存的に計算することによって変位ベクトルの方向を決定することも可能である。特定のケースでは、自由度の数値が増大すると補正の精度を改善することができる。
概して、頂点の変位ベクトルはシミュレーションされた輪郭とシード輪郭との間の差異を最小化するように計算され、可能であれば、最良の合致を得るのに必要な回数繰り返される。
すべての実施形態においては、イテレーションの精度および安定性を高めるのに変形形態を採用することができる。シミュレーションされた輪郭とターゲット輪郭との合致は単一エッジの代わりにいくつかのエッジを計算することができる。すべての対応する頂点に多変数アルゴリズムを適用するように次のシフトを決定することができる。これは、頂点が互いに近接（いくつかのαよりも低い）している場合に必要になると推測される。また、いくつかのエッジの変位を平均化することに利益がある場合もあるが、これは粗さを改善するものである。
本発明の方法は、例えば、本出願の出願者によって開発され販売されているＩｎｓｃａｌｅＴＭソフトウェアの改変バージョンを使用して実行することができる。そのソフトウェアはデータファイルを生成してウエハまたはマスクを絶縁するためのｅ−ビーム装置を駆動するのに使用することが可能である。類似ソフトウェアはデータを生成して同一の用途で光学装置を駆動することが可能である。このソフトウェアはシミュレーションデータを生成するのに使用することも可能である。
本発明により、特にフリーフォームのデザインについて、精度とショット回数との間を適切に折り合いをつけることが可能になる。このことは、破砕前に補正を生成するのに使用することができ、エッジベース補正以前において最新技術であった破砕ステップでのショット生成への補正適用に比べてコンピュータ依存が少ないことから、特に有利である。
本明細書に記載の実施例は本発明のいくつかの実施形態の単なる例示に過ぎない。これらは付帯の特許請求の範囲で定義する本発明の範囲を一切限定するものではない。
Claims (15)
- コンピュータを使用して、半導体集積回路を絶縁するためのターゲットデザインを破砕するｅ−ビーム装置で使用するためのデータ準備ファイルを生成する方法であって、
ａ）前記ターゲットデザインをフィルタリングすることによって、前記ターゲットデザインからシードターゲットデザインを生成するステップ（４１０）；
ｂ）前記シードターゲットデザインの複数の頂点を接続してセグメントを生成して、前記シードターゲットデザインの輪郭を形成するステップ（４２０）；
ｃ）前記シードターゲットデザインの前記輪郭上にいくつかの補正位置を配置するステップ（４３０）；
ｄ）前記補正位置と前記頂点との間の距離に基づいて、前記補正位置と前記頂点を関連付けするステップ（４４０）；
ｅ）前記シードターゲットデザインのシミュレーション輪郭を前記補正位置に生成して、シミュレーションデザインを形成するステップ；
ｆ）ドーズ量マップを前記シミュレーションデザインと関連付けするステップ；
ｇ）前記頂点の少なくとも一部の変位を計算して、前記シミュレーション輪郭と前記シードターゲットデザインの前記輪郭の合致基準を改善するステップ；
ｈ）少なくとも前記補正位置と前記頂点とを関連付けすることに基づいて、前記頂点を変位させるステップ；
ｉ）前記シミュレーション輪郭を前記データ準備ファイルに格納するステップ；
ｊ）ステップｅ）からステップｉ）を停止基準に到達するまで反復するステップ
を含むことを特徴とする方法。 - 前記セグメントが最小値と最大値との間に含まれる長さを有するように定義される、請求項１に記載の方法。
- 前記最小値が、絶縁プロセスの前方散乱パラメータの値よりも大きいまたは等しい、請求項２に記載の方法。
- 前記最大値が、絶縁プロセスの後方散乱パラメータの値よりも小さいまたは等しい、請求項２または３のいずれか一項に記載の方法。
- 前記補正位置が、前記シミュレーション輪郭の選択されたエッジ上に補正位置を配置すること、選択された頂点に補正位置を配置すること、および選択された頂点の後方で前記シードターゲットデザインの前記輪郭の内側および選択された頂点の前方で前記シードターゲットデザインの前記輪郭の外側のいずれか一方に補正位置を配置することを含むグループから選択される１つの配置ルールに基づいて配置される、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
- 前記複数の頂点グループが、１つの頂点グループを１つの最寄りの補正位置と関連付けすること、１つの頂点グループを所定の間隔内に存在する１つの補正位置と関連付けること、１つの頂点グループを頂点と補正位置との間の間隔に基づいた重みで計算された所定の重み付け間隔内に存在する１つの補正位置と関連つけることを含むグループから選択される１つの関連付けルールに基づいて補正位置と関連付けられる、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
- 頂点を変位させることが、２つのセグメントの間の角度の二等分線に沿って頂点から離れる方向に前記頂点を変位させること、および頂点におけるドーズ量勾配に沿って前記頂点を変位させることを含むグループから選択される１つの変位ルールに基づいて決定される、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
- 頂点を変位させることが、前記補正位置における前記シミュレーションデザインと前記ターゲットデザインとの差異に基づいて決定される、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
- ドーズ量マップを前記シミュレーションデザインと関連付けることが、イテレーションごとに前記ドーズ量マップをアップデートするようにドーズ補正を決定することを含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
- 前記ドーズ量補正がロングレンジである、請求項９に記載の方法。
- ステップｊ）の後に、ｋ）前記シミュレーションデザインをマンハッタン化するステップをさらに含む、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
- ステップｊ）またはｋ）のいずれかのステップの後に、ｌ）エッジベース補正を実行するステップをさらに含む、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法。
- ステップｊ）、ｋ）、またはｌ）のいずれかのステップの後に、ｍ）前記アウトプット輪郭の破砕を実行するステップをさらに含む、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の方法。
- ステップｊ）、ｋ）、ｌ）、またはｍ）のいずれかのステップの後に、ｎ）ドーズ量と幾何学的形状との複合補正を実行するステップをさらに含む、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の方法。
- 半導体集積回路を絶縁するためにターゲットデザインを破砕するｅ−ビーム装置で使用する目的でデータ準備ファイルを生成するコンピュータプログラムであって、
ａ）前記ターゲットデザインをフィルタリングすることによって、前記ターゲットデザインからシードターゲットデザインを生成し、
ｂ）前記シードターゲットデザインの頂点を接続して線分で囲まれたセグメントを生成して、前記シードターゲットデザインの輪郭を形成し、
ｃ）いくつかの補正位置を前記シードターゲットデザインの前記輪郭上に配置し、
ｄ）前記補正位置と前記頂点との間の距離に基づいて、前記補正位置と前記頂点とを関連付けし、
ｅ）前記シードターゲットデザインのシミュレーション輪郭を前記補正位置に生成して、シミュレーションデザインを形成し、
ｆ）ドーズ量マップを前記シミュレーションデザインと関連付けし、
ｇ）前記頂点の少なくとも一部の変位を計算して、前記シミュレーション輪郭と前記シードターゲットデザインの前記輪郭との間の合致基準を改善し、
ｈ）少なくとも前記補正位置と前記頂点とを関連付けすることに基づいて、前記頂点を変位させ、
ｉ）前記シミュレーション輪郭を前記データ準備ファイルに格納し、
ｊ）停止基準に達するまでステップｅ）からｉ）を反復する
ように構成された、ユーザインタフェース、コンピュータコード命令、およびコンピュータとメモリリソースへのアクセスを備えることを特徴とするコンピュータプログラム。
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