CN107636535A - 将基于顶点的校正应用于半导体设计的方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种应用于以纳米级过程恰当地将半导体设计转移到晶片或掩模上的几何形状校正的改进的方法。对比一些现有技术，几何形状校正和可能的剂量校正在断裂之前应用。不同于平行地对边缘进行位移的基于边缘的校正，根据本发明的应用于所生成的几何形状校正的位移不维持边缘的平行，这尤其很好地适用于自由形式设计。种子设计根据目标设计生成。连接线段的顶点沿种子设计的轮廓放置。校正位点放置在线段上。将位移向量应用于顶点。生成模拟轮廓并将其与目标设计的轮廓进行比较。迭代该过程直到达到模拟设计与目标设计之间的匹配标准(或者另一停止标准)为止。

Description

将基于顶点的校正应用于半导体设计的方法

技术领域

本发明显著地应用于掩模的电子或光学光刻领域以用于将设计转移到衬底上。本发明还应用于由此将电子束用于在衬底或者掩模上直接绘制图案的过程。

背景技术

一种通过e波束(e-beam)光刻将图案转移到表面上的方式是使用可变形状的波束或VSB来显露正或负抗蚀剂涂层。为此，在断裂步骤期间，将图案切割成辐射剂量被分派给其的基本形式(称为“投射”)。投射的几何形状和辐射剂量紧密地相互关联，因为以现在使用的尺寸(技术具有小于25nm的临界尺寸或“CD”)，邻近效应(前向散射和后向散射)很大程度上取决于暴露面积的密度。

要转移的图案常常是诸如薄矩形(线条)或正方形(互连)的简单几何形式。在该技术领域中这些图案常常被命名为“曼哈顿图案(Manhattan pattern)”。在这些情境下，相应地定义投射的几何形状，并且投射的几何形状也是简单的：每个图案断裂为矩形或正方形投射的联合。然而，对于多种应用(反向光刻、光子学、测量校准等)而言，将这样的图案包括在设计中可以是必要的或有利的：该图案不是先前描述的类型的简单形式，而是其可以是圆形的或者不确定的(可能是曲线的)形式(还被称为自由形式)。

在该技术领域中已知的是将几何形状和/或剂量校正应用于投射以获得可能最接近目标设计的图案的绝缘或发展的集合。例如，由以n^OEP2559054公布的欧洲专利申请公开了投射大小及其剂量的组合优化。在自由形式图案的情况下，由赋予给本申请的申请人的以n^OPCT/EP2013/053883提交的PCT申请公开了通过具有不同大小的圆形或类圆形压印的投射进行铺设。

在断裂之前应用校正也是已知的。例如，基于边缘的校正可以通过比较模拟轮廓和目标轮廓来计算，并且可以通过将边缘位移向量迭代地应用于模拟轮廓直到达到匹配标准为止来实施。这样的技术由也赋予给本申请的申请人的以n^OWO2014/177776公布的PCT申请公开。对于曼哈顿类型设计而言，基于边缘的校正对基于投射的校正进行了改进，因为基于边缘的校正创建少得多的伪象(artefact)，例如，重叠、空洞、分离的薄投射、不能被移动的边缘等。但是在自由形式图案的情况下，基于边缘的校正是效率低得多的，显著地，这是因为其允许较少控制校正对模拟轮廓的影响。

找到一种带来基于边缘的校正的益处并且不具有其缺点的新颖技术将是有利的。

发明内容

通过在使用模拟轮廓与目标轮廓之间的比较的校正方法中至少包括基于顶点的校正步骤，本发明克服了现有技术的这些问题。

为了该效果，本发明公开了一种利用计算机生成数据以供在断裂目标设计中使用以用于使半导体集成电路绝缘的方法，所述方法的特征在于其包括：

a)根据目标设计生成种子设计；

b)生成连接种子设计的顶点的线段以形成种子设计的轮廓；

c)将多个校正位点放置在种子设计的轮廓上；

d)关联校正位点与顶点；

e)使剂量图(dose map)与模拟设计相关联；

f)在校正位点处生成种子设计的模拟轮廓以形成模拟设计；

g)对顶点的至少一部分进行位移以改进模拟轮廓与种子设计的轮廓之间的匹配标准；

h)重新进行步骤e)到步骤g)直到停止标准被满足为止。

有利地，将直线线段定义为具有包括在最小值与最大值之间的长度。

有利地，最小值高于或等于绝缘过程的前向散射参数的值。

有利地，最大值低于或等于绝缘过程的后向散射参数的值。

有利地，校正位点是基于从包括以下项的组中选择的放置规则来放置的：将校正位点放置在模拟轮廓的所选择的边缘上，将校正位点放置在所选择的顶点处，以及将校正位点放置在所选择的顶点的后方和前方中的一处。

有利地，顶点的组是基于从包括以下项的组中选择的关联规则与校正位点相关联的：关联顶点的组与最接近的校正位点，关联顶点的组与在预定义的距离内的校正位点，关联顶点的组与在预定义的加权距离内的校正位点，该预定义的加权距离是利用取决于顶点与校正位点之间的距离的权重计算的。

有利地，对顶点进行位移是基于从包括以下项的组中选择的位移规则确定的：沿分开顶点的两条线段之间的角的等分线对顶点进行位移，以及沿顶点处的剂量梯度对顶点进行位移。

有利地，对顶点进行位移是基于在校正位点处模拟设计与目标设计之间的差值确定的。

有利地，将剂量图关联到模拟设计包括确定剂量校正以在每次迭代时更新剂量图。

有利地，剂量校正是长范围的。

有利地，本发明的方法还包括，在步骤h)、步骤i)之后曼哈顿化模拟设计。

有利地，本发明的方法还包括，在步骤h)以及步骤i)、步骤j)中的一个之后执行基于边缘的校正。

有利地，本发明的方法还包括，在步骤h)、步骤i)以及步骤j)、步骤k)中的一个之后执行输出轮廓的断裂。

有利地，本发明的方法还包括，在步骤h)、步骤i)、步骤j)以及步骤k)、步骤l)中的一个之后执行组合的剂量和几何形状校正。

本发明还公开了一种用于生成数据以供在断裂目标设计中使用以用于使半导体集成电路绝缘的计算机程序，所述计算机程序的特征在于其包括用户界面、计算机代码指令、以及对计算机和存储器资源的访问，其被配置为用于：

a)根据目标设计生成种子设计；

b)生成连接种子设计的顶点的直线线段以形成种子设计的轮廓；

c)将多个校正位点放置在种子设计的轮廓上；

d)关联校正位点与顶点；

e)使剂量图与模拟设计相关联；

f)在校正位点处生成种子设计的模拟轮廓以形成模拟设计；

g)对顶点的至少一部分进行位移以改进模拟轮廓与种子设计的轮廓之间的匹配标准；

h)重新进行步骤e)到g)直到停止标准被满足为止。

本发明还公开了被配置为至少使用根据本发明的计算机程序的输出的半导体制造设备，所述半导体制造设备被配置为使用高斯电子束光刻、多波束电子光刻、以及激光光刻中的一个，以用于直接在半导体晶片上绘制和在掩模板上绘制中的一个。

本发明带来了许多附加的优点。显著地，在基于顶点的校正步骤中，当移动顶点时模拟失真的最大值在顶点附近。另外，根据本发明，限制当放置顶点时创建的边缘的数量是可能的，而当在自由形式的设计中使用基于边缘的校正时，在不人为地增加边缘的数量的情况下控制失真是困难的。如果自由形式非常复杂，则边缘的数量将不得不远远地过高。此外，由根据本发明计算的顶点位移得到的轮廓的位移将是连续的，对于基于边缘的校正而言，情况则并非如此。

附图说明

根据对各种实施例和以下附图的描述，将更好地理解本发明并且其各种特征和优点将变得显而易见：

-图1a和1b分别表示具有曼哈顿图案的设计和具有自由形式图案的设计，二者都使用现有技术的基于边缘的校正过程来进行校正；

-图2a和2b分别表示具有曼哈顿图案的设计和具有自由形式图案的设计，二者都使用根据本发明的多个实施例的基于顶点的校正过程来进行校正；

-图3a和3b表示根据本发明的多个实施例的包括基于顶点的校正步骤的过程的变型的两个流程图；

-图4a和4b分别表示在本发明的多个实施例中不具有和具有剂量校正的基于顶点的校正步骤的流程图；

-图5a、5b、5c、5d、5g、5e、5f、5g、以及5h示出了在本发明的多个实施例中应用于确定校正位点放置以及与顶点的关联的规则的示例。

具体实施方式

图1a和1b分别表示具有曼哈顿图案的设计和具有自由形式图案的设计，二者都使用现有技术的基于边缘的校正过程来进行校正。

图1a表示了应用于曼哈顿目标边缘110a的基于边缘的校正过程的简化模型。优选地在目标边缘的中间点选择模拟或校正位点120a。计算用于沿输出轮廓130a的方向移动具有模拟位点的边缘的位移向量150a。然后对输出的模拟140a的位置与目标边缘110a进行比较。该过程是迭代的：当输出的模拟与目标之间的距离低于阈值时，该过程停止。

在本申请中，使用反向光刻变换(ILT)的词汇表，如下定义以下术语。在ILT中：

-目标是应该打印在表面上的设计；

-ILT的输出轮廓是使用目标作为输入的反向变换的结果；

-输出的模拟是使用输出轮廓作为输入的直接变换的结果。输出的模拟应该尽可能地匹配目标。

该过程对于曼哈顿设计有效，这是因为由于位移的修改的最大值是在模拟位点处，并且因此容易控制。

在图1b中，目标是自由形式的。在目标边缘110b的中间处选择模拟位点120b，并且使用输出轮廓130b、输出的模拟140b、以及位移向量150b来应用基于边缘的相同过程。但是，在这种情况下，两个相邻边缘170b和180b的位移将移除最初在它们之间的边缘。这将生成在这两个边缘相交处的、最大的模拟结果的修改。误差160b将不容易控制以及通过迭代进行校正。利用本发明的方法克服了该缺点。

图2a和2b分别表示具有曼哈顿图案的设计和具有自由形式图案的设计，二者都使用根据本发明的多个实施例的基于顶点的校正过程来进行校正。

对比现有技术的基于边缘的校正方法，在根据本发明的校正方法中，位移向量不在模拟或校正位点处而是在设计的顶点中的一些或者全部处应用。

图2a表示与图1a的具有曼哈顿图案的设计相同的具有曼哈顿图案的设计。应用这样的方法：其不同的步骤将在下面的描述中进一步解释。我们在目标设计上选择顶点210a。顶点210a位于两个校正位点220a和230a之间，校正位点220a和230a位于分开顶点的两个边缘上。我们还使用输出轮廓和将输出的模拟调整到目标设计的迭代来生成位移向量240a的系列，直到拟合优于预先确定的级别为止。在该附图的示例中，误差250a由位于顶点210a每一侧的两个顶点260a和270a的独立位移生成。因为顶点的独立位移，所以不维持边缘的平行，这对于曼哈顿设计而言不是最佳的。自动消除该误差将是不容易的。

图2b表示与图1b的自由形式设计相同的自由形式设计。根据本发明的方法，顶点220b和230b的独立位移允许控制边缘210b的位移。因此，当应用本发明的基于顶点的校正时，不会出现当应用基于边缘的校正时出现在相同设计的相同位点处的误差。

图3a和3b表示根据本发明的多个实施例的包括基于顶点的校正步骤的过程的变型的两个流程图。

本发明的基于顶点的校正可以包括在不同的处理流程中。重要的是注意到，基于顶点的校正和基于边缘的校正二者都是在断裂基本投射中的设计之前所应用的几何形状校正。在断裂之前应用几何形状校正具有生成较少伪象(重叠、空洞、隔离的薄投射、不能被移动的边缘等)的优点。在断裂自由形式设计之前，生成简单的曼哈顿子部分一般也是有利的。

在图3a的实施例中，首先将基于顶点的校正步骤310a的结果提交给简化/曼哈顿化的步骤320a。在断裂步骤340a之后，当有用时可以执行组合的剂量/几何形状调节或DMG步骤350a。DMG能够使用在授权给本申请的申请人的以n^OEP2559054公布的欧洲专利申请中公开的方法来执行。

在图3b的变型中，在曼哈顿化与断裂之间执行基于边缘的校正步骤330b。在该处理流程中，基于顶点的校正用于调整轮廓，这可以使显著的位移成为必需的，而基于边缘的校正用于将曼哈顿形状向目标微调，正常情况下这将需要小的位移。

图4a和4b分别表示在本发明的多个实施例中不具有和具有剂量校正的基于顶点的校正步骤的流程图。

本发明能够在不具有或具有剂量校正而其它步骤相同的情况下实现。

因此将根据图4a对本发明的方法的主要步骤进行评论。

该方法开始于生成种子目标轮廓的步骤410。通过过滤目标轮廓以消除可能引入伪象的轮廓部分，根据目标轮廓获得种子目标轮廓(例如，移除通常被称为刻痕的指向主设计外的特征，或者通过单个非曼哈顿边缘替换连续的微小曼哈顿步骤)。产生的种子目标轮廓被认为是要达到的真正目标。换言之，初始目标被认为过于碎片化。

然后，在步骤420处，对种子目标轮廓进行分割以产生在轮廓上均匀间隔的足够但并不过多的顶点。好的折衷是具有若干α(该参数表示在绝缘过程的高斯点扩展函数——或PSF——中波束的前向散射效应)的边缘长度。典型地，“若干α”表示在一个到十个α之间。

然后，在步骤430处，将校正位点放置在已分割的种子目标设计上，并且在步骤440处，校正位点与相邻的顶点相关联。在下面的描述中分别联系图5a、5b和5c以及图5d、5e和5f，进一步给出如何可以放置校正位点并使其与顶点相关联的示例。

一旦已分割的种子目标设计的配置已经通过步骤410到440准备好，则过程进入步骤450处的迭代循环，其中执行设计与剂量图的关联。剂量图一般以利用剂量与抗蚀剂阈值的比值对设计进行分区的形式。剂量图可以在几何形状校正期间保持不变，或者如在图4b所表示的示例中一样地变化。

根据本发明的方法，在步骤470处使用位移向量对顶点进行位移。向量的方向可以使用不同的规则来设置，如在下面的描述中联系图5g和5h进一步解释的。基于在偏移之后输出的模拟的结果以及在迭代循环中在先前偏移之后输出的模拟的结果的序列来设置在确切的校正位点处的位移或者偏移的幅度。

模拟与偏移之间的联系是控制系统工程中的复杂问题。第一个选择是使偏移与模拟值和期望的模拟值乘以系数之间的差值成比例，该系数可以是常量或者变量。使用从自动化理论已知的策略，能够将这种非常简单的控制循环改进为收敛更快或者稳定性更好。

在对顶点进行位移的步骤之后，在步骤480处对模拟轮廓与已分割的目标设计进行比较。该比较将基于两个设计的表面、两个轮廓之间的最小或最大距离、模拟轮廓的粗糙程度、或其组合。然后，在步骤490处，评估定量的停止标准。停止标准还可以包括基于迭代的次数或最大计算时间的停止，以考虑过程不能足够快地收敛时的情况。

图4b的流程图与图4a的流程图之间仅有的差别在于前者在迭代命令的进入点或对剂量图进行关联的步骤450与对顶点进行位移的实现470之间包括剂量校正步骤460。

在已分割的种子目标轮廓的子部分上应用剂量校正。所应用的剂量校正是长范围的校正，长范围意味着在PSF中使用β参数建模的后向散射效应的范围中。将轮廓的子部分选择为具有β左右的长度。将剂量归于每个子部分(典型地，在过程初始化时抗蚀剂阈值的比值为1)。对剂量校正进行计算，例如，使用在授权给本申请的申请人的以n^OEP2559054公布的欧洲专利申请中公开的方法。使用过程的能量自由度(latitude)从几何形状校正中减去剂量校正。

剂量值能够在几何形状校正期间保持不变或者在每次迭代时重置。

图5a、5b、5c、5d、5g、5e、5f、以及5g示出了在本发明的多个实施例中应用于确定校正位点放置以及与顶点的关联的规则的示例。

图5a、5b、以及5c示出了放置校正位点的不同策略。选择正确的策略是在以下项之间进行的折衷：

-使位点的数量最小化以使运行时间最小化，

-控制输出轮廓上的误差。

-将点放置在目标能够被达到的地方(转角圆化(corner rounding)问题)，-根据达到目标有多难或者多重要对位点进行放置或加权。

在图5a的示例中，校正位点放置在远离顶点的边缘上。在每个边缘上具有多于一个校正位点可以是有利的，如该附图示出的，在每个边缘上具有两个校正位点。预期在边缘的两个位点之间严格地控制模拟输出，并且在顶点附近宽松地控制模拟输出。缺点是每个顶点具有多于一个位点。

在图5b的示例中，校正位点放置在每个顶点上。利用该策略，我们能够预期对顶点的良好控制，但是在边缘的中间有不受控制的误差。

在图5c的示例中，校正位点放置在每个顶点后方、目标轮廓内。目的在于将位点放置在考虑到转角圆化的距离处。我们能够预期在边缘的中间的较好匹配，即使其不受直接控制。如果轮廓是凸状的而不是凹状的(如该附图)，则校正位点将优选地放置在轮廓外侧、顶点前方。

图5d、5e、以及5f示出了对顶点和校正位点进行关联的三种不同的规则。如果边缘相当小(可与alpha相比或更小)，则具有如在图5e和5f中的共享相同的模拟位点的顶点给出较平滑的轮廓的变形。这能够是一种改进校正的稳定性的方式。在图5d的示例中，其复制了图5a的其中每个边缘有两个校正位点、每个顶点与最接近的位点相关联的配置。例如，顶点510、540每个均仅具有一个在其邻近的校正位点，并且因此这些顶点仅仅分别与校正位点550和5A0相关联。顶点520、530每个均具有两个位于相等距离的校正位点(560、570针对前者，而580、590针对后者)。因此，这些位点被认为是最接近的，并且顶点520、530每个均与这些校正位点对相关联。

在图5e的示例中，规则是将在顶点的所定义的距离内的所有校正位点关联到一个顶点。例如，顶点530与校正位点5B0、5C0、以及5D0相关联。在一些情况下，使多于一个校正位点关联到顶点可以改进精度。当使用本发明的这种类型的实施例时，将有必要定义用于组合针对每个校正位点获得的偏移的值的规则。简单的规则可以是取平均值，但是可是使用其它规则。

顶点与校正位点的关联还能够使用取决于校正位点到顶点的距离的权重参数，如图5f所示。对于越接近顶点的校正位点，权重参数将越高。在该附图的示例中，对于顶点520，将向最远的校正位点550、590、以及5A0分配权重参数0，而向较接近的校正位点580分配权重参数1，以及向最接近的校正位点560和570分配权重参数2。当然，能够改变权重参数的这些示例以拟合使用的上下文。典型的加权规则是：权重＝|Dmax－D|/Dmax，其中，D是顶点与位点之间的距离，而Dmax是将顶点关联到位点的最大距离。距离越大，校正位点对于偏移的影响越小。

图5g和5h示出了用于确定位移向量的方向的两种不同的规则。

在图5g的示例中，顶点520的位移向量521具有等分在顶点处交接的两个边缘522、523构成的角的方向。该方法是最快的，因为选择该方向是非常简单的计算。

在图5h的示例中，曲线524、525表示波束剂量梯度。位移向量的方向被确定为是沿曲线524、525的梯度的。这将花费较多的时间，因为该方法要求在每个顶点附近进行至少三次模拟。权衡在于较好的校正稳定性。

还有可能通过独立地计算沿X轴的运动和沿Y轴的运动来确定位移向量的方向，以获得模拟轮廓与目标轮廓之间的较好拟合。在某些情况下，增加自由度的数量能够改进校正的精度。

一般而言，计算顶点的位移向量以便于使模拟轮廓与种子轮廓之间的差值以及获得最佳拟合所必需的迭代次数(如果可能的话)最小化。

在所有实施例中，能够引入变形以增加迭代的精度和稳定性。例如，能够在多个边缘上而不是单个边缘上计算模拟轮廓与目标轮廓之间的拟合。我们能够利用多变量算法来决定要应用于所有相应的顶点的下一次偏移。这在顶点彼此接近(小于若干alpha)时预期是必需的。另外，对多个边缘上的位移平均化可以是有益的，这应该改进粗糙度。

本发明的方法能够使用例如由本申请的申请人开发并出售的Inscale^TM软件的修改版本来实现。该软件能够用于生成数据文件以驱动用于使晶片或掩模绝缘的e波束设备。类似的软件能够用于生成数据以驱动具有相同用途的光学设备。该软件还能够用于生成模拟数据。

本发明允许精度和投射计数之间的良好的折衷，尤其是针对自由形式设计。本发明是显著有利的，因为其能够用于在断裂之前生成校正，这与在断裂步骤中生成应用于投射的校正(其在基于边缘的校正之前是最先进的技术)相比具有较小的计算机密集性。

在本说明书中公开的示例仅示例说明了本发明的一些实施例。这些示例不会以任何方式限制由所附权利要求定义的本发明的范围。

Claims (15)

1.一种利用计算机生成数据准备文件以供在e波束设备中使用以用于断裂目标设计以使半导体集成电路绝缘的方法，所述方法的特征在于其包括：

a)根据所述目标设计生成(410)种子设计；

b)生成(420)连接所述种子设计的顶点的线段以形成所述种子设计的轮廓；

c)将多个校正位点放置(430)在所述种子设计的轮廓上；

d)关联(440)所述校正位点与所述顶点；

e)使剂量图与模拟设计相关联；

f)在所述校正位点处生成所述种子设计的模拟轮廓以形成模拟设计；

g)计算所述顶点的至少一部分的位移以改进所述模拟轮廓与所述种子设计的轮廓之间的匹配标准；

h)生成所述位移；

i)将所述模拟轮廓存储在所述数据准备文件中；

j)重新进行步骤e)到步骤i)直到停止标准被满足为止。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，直线线段被定义为具有包括在最小值与最大值之间的长度。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述最小值高于或等于绝缘过程的前向散射参数的值。

4.根据权利要求2至3中的一项所述的方法，其中，所述最大值低于或等于所述绝缘过程的后向散射参数的值。

5.根据权利要求1至4中的一项所述的方法，其中，所述校正位点是基于从包括以下项的组中选择的放置规则来放置的：将校正位点放置在所述模拟轮廓的所选择的边缘上，将校正位点放置在所选择的顶点处，以及将校正位点放置在所选择的顶点的后方和前方中的一处。

6.根据权利要求1至5中的一项所述的方法，其中，顶点的组是基于从包括以下项的组中选择的关联规则与校正位点相关联的：关联顶点的组与最接近的校正位点，关联顶点的组与在预定义的距离内的校正位点，关联顶点的组与在预定义的加权距离内的校正位点，所述预定义的加权距离是利用取决于顶点与校正位点之间的距离的权重计算的。

7.根据权利要求1至6中的一项所述的方法，其中，对顶点进行位移是基于从包括以下项的组中选择的位移规则确定的：沿分开顶点的两条线段之间的角的等分线对所述顶点进行位移，以及沿顶点处的剂量梯度对所述顶点进行位移。

8.根据权利要求1至7中的一项所述的方法，其中，对顶点进行位移是基于在所述校正位点处所述模拟设计与所述目标设计之间的差值确定的。

9.根据权利要求1至8中的一项所述的方法，其中，将剂量图关联到所述模拟设计包括确定剂量校正以在每次迭代时更新所述剂量图。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述剂量校正是长范围的。

11.根据权利要求1至10中的一项所述的方法，还包括，在步骤h)、步骤i)之后曼哈顿化所述模拟设计。

12.根据权利要求1至11中的一项所述的方法，还包括，在步骤h)以及步骤i)、步骤j)中的一个之后执行基于边缘的校正。

13.根据权利要求1至12中的一项所述的方法，还包括，在步骤h)、步骤i)以及步骤j)、步骤k)中的一个之后执行输出轮廓的断裂。

14.根据权利要求1至13中的一项所述的方法，还包括，在步骤h)、步骤i)、步骤j)以及步骤k)、步骤l)中的一个之后执行组合的剂量和几何形状校正。

15.一种用于生成数据准备文件以供在e波束设备中使用以用于断裂目标设计以使半导体集成电路绝缘的计算机程序，所述计算机程序的特征在于其包括用户界面、计算机代码指令、以及对计算机和存储器资源的访问，其被配置为：

a)根据所述目标设计生成种子设计；

b)生成连接所述种子设计的顶点的直线线段以形成所述种子设计的轮廓；

c)将多个校正位点放置在所述种子设计的轮廓上；

d)关联所述校正位点与所述顶点；

e)使剂量图与模拟设计相关联；

f)在所述校正位点处生成所述种子设计的模拟轮廓以形成模拟设计；

g)计算所述顶点的至少一部分的位移以改进所述模拟轮廓与所述种子设计的轮廓之间的匹配标准；

h)生成所述位移；

i)将所述模拟轮廓存储在所述数据准备文件中；

j)重新进行步骤e)到步骤i)直到停止标准被满足为止。