JP6514741B2 - バンドパスフィルタ及び多段バンドパスフィルタ - Google Patents

Description

本発明は、バンドパスフィルタ及び多段バンドパスフィルタに関する。

通信容量の拡大に伴い、より広帯域かつ高密度化可能なミリ波帯が注目を浴びている。それに伴いミリ波帯のバンドパスフィルタが必要になっている。
バンドパスフィルタとしては、中空導波管で共振器を形成し、それぞれの共振器を電磁界結合させる構造が用いられている（例えば特許文献１を参照）。また、誘電体基体の上面及び下面にそれぞれ導体層を形成し、スルーホールを介してこの上下面を電気的に接続して導波路を形成する誘電体導波路（ＳＩＷ）を用いた共振器もバンドパスフィルタとして注目されている（例えば特許文献２および非特許文献１を参照）。

特開平５−２５９７１９号公報 特開２００３−２２９７０３号公報

Fermin Mira, Jordi Mateu, Senior Member, et al, "Mechanical Tuning of Substrate Integrated Waveguide Resonators", IEEE MICROWAVE AND WIRELESS COMPONENTS LETTERS, VOL. 22, NO. 9, SEPTEMBER 2012

特許文献１では、中空導波管に調整ねじが差し込まれた共振器が開示されている。特許文献１は、中空導波管への調整ねじの差し込み深さを変えることにより共振周波数を調整でき、製造のばらつきを補正することができることを開示している。
しかしながら、特許文献１が開示するような中空導波管を用いる場合、共振器が大きくて重いため扱いづらいことがある。

特許文献２や非特許文献１に開示されるように、ＳＩＷを用いれば中空導波管よりも小さくて軽い共振器を実現できる。
特許文献２では、共振器を形成するビアホールの周囲にスロットを形成することで、誘電体基板の一面上の導体層と電気的に分離したパッドが形成されることが開示される。そして、このパッドと導体層とをボンディングワイヤなどで接続することでフィルタ特性を調整することが開示されている。
しかしながら、特許文献２に記載の技術では、具体的に共振周波数をどのように変化可能であるかについて開示されておらず、高い調整精度が求められる場合に対応できないおそれがある。

また、非特許文献１では、導波路を形成するスルーホールの他に、導波路中に導体が充填された貫通孔が設けられた構成が開示されている。この技術では、誘電体基体の上面におけるこの貫通孔の開口を囲むように導体層が除去されており、該上面において導体層とこの貫通孔中の導体とは電磁波の伝搬方向に対して所定の角度で電気的に接続される。非特許文献１は、導体層と貫通孔中の導体とのこの接続角度を調整することで共振周波数を調整することを開示する。
しかしながら、非特許文献１に記載の技術では、接続角度の変化に対して共振周波数の変化が大きいため、共振周波数の微調整ができないおそれがある。

また、特許文献２、非特許文献１に開示されるようなＳＩＷを用いる場合、導波路が誘電体で構成されるため、例えば特許文献１のように共振器の製造後に共振器に金属棒を差し込んだり、その深さを調整したりすることは困難である。

本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであって、ＳＩＷを用い、製造後に共振周波数の微調整が可能なバンドパスフィルタを提供することを目的とする。

本発明の一態様に係るバンドパスフィルタは、第１面及び前記第１面に対向する第２面を有し、誘電体材料で形成される基板と、前記第１面を覆い、開口を有して形成された第１導体層と、前記第２面を覆う第２導体層と、前記第１面から前記第２面に向かって前記基板を貫通し、前記第１導体層および前記第２導体層と電気的に接続された複数の導体柱で形成され、平面視において前記開口を囲むように配置されたポスト壁と、を備え、前記第１導体層は、前記開口を囲む主部と、前記開口内に前記主部から隔てられて形成された内側導体部と、前記主部と前記内側導体部とを電気的に接続する接続部とを有し、前記主部、前記内側導体部及び前記接続部によって区画されたスロットを有する。

前記バンドパスフィルタは、前記開口が円形状とされ、前記内側導体部が円形状とされ、前記スロットがＣ形状とされていることが好ましい。

前記内側導体部の基端から先端までの距離は、平面視における前記ポスト壁の中央と、前記中央から最も近い前記導体柱の中心との距離に対して２％〜１００％の範囲にあることが好ましい。

前記スロットの最小幅は１０μｍ〜２００μｍであることが好ましい。

前記バンドパスフィルタは、平面視において前記ポスト壁で囲まれた空間の中央部に、前記スロットが配置されないことが好ましい。

前記バンドパスフィルタは、平面視において前記ポスト壁で囲まれた空間において、前記スロットが、高周波信号の伝搬方向の中央部に配置されることが好ましい。

前記バンドパスフィルタは、前記第１導体層及び前記スロットを覆う誘電体層をさらに有していてもよい。

本発明の他の態様に係る多段バンドパスフィルタは、前記バンドパスフィルタを複数並列して構成される。

本発明の上記態様によれば、ＳＩＷを用い、製造後に共振周波数の微調整が可能なバンドパスフィルタを提供することができる。

本発明の第１実施形態に係るバンドパスフィルタ１の斜視図である。 （ａ）はバンドパスフィルタ１の構成を模式的に示した上面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線に沿う断面図である。 バンドパスフィルタ１のスロット６の上面図である。 バンドパスフィルタ１の第１の変形例のスロット６Ａの上面図である。 バンドパスフィルタ１の第２の変形例のスロット６Ｂの上面図である。 バンドパスフィルタ１の第３の変形例のスロット６Ｃの上面図である。 バンドパスフィルタ１の第４の変形例のスロット６Ｄの上面図である。 バンドパスフィルタ１の第５の変形例であるバンドパスフィルタ１０１の断面図である。 本発明の第２実施形態に係る多段バンドパスフィルタ２０１の斜視図である。

以下、好適な実施形態に基づき、図面を参照して本発明を説明する。なお、以下に示す実施形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために、例を挙げて説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定しない。また、以下の説明に用いる図面は、本発明の特徴を分かりやすくするために、便宜上、要部となる部分を拡大している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。また、本発明の特徴を分かりやすくするために、便宜上、省略した部分がある。

［第１実施形態］
本発明の第１実施形態に係るバンドパスフィルタ１の構成について、図１〜図３を用いて説明する。図１は、本発明の第１実施形態に係るバンドパスフィルタ１の構成を模式的に示した斜視図である。図２の（ａ）はバンドパスフィルタ１の構成を模式的に示した上面図であり、図２の（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ線に沿う断面図である。図３は、バンドパスフィルタ１のスロット６の上面図である。なお、図２においては、ポスト壁の構成について図１よりも簡略的に示している。

以下の説明において、図１に示すように、Ｘ方向は、平面視において矩形状（例えば長方形状）である基板２の長さ方向である。Ｙ方向は、基板２に沿う面内でＸ方向に直交する方向であり、基板２の幅方向である。Ｚ方向は、Ｘ方向およびＹ方向と直交する方向であり、基板２の厚さ方向である。Ｚ方向は上下方向である。平面視とはＺ方向から見ることをいう。Ｘ方向とＹ方向とによって形成される平面をＸＹ平面という。

図１及び図２に示されるように、バンドパスフィルタ１は、基板２と、導体層３、４と、ポスト壁５とで構成される。

基板２は、例えば、単一の誘電体材料で形成されている。誘電体材料としては、高周波信号を低損失で伝搬できる石英ガラス、ガラスクロスなどの低誘電率、低誘電正接樹脂、及び低温同時焼成セラミックス(LTCC)であることが好ましい。基板２の大きさ及び厚さは、伝搬する高周波信号の特性に応じて適宜選択すればよい。Ｅバンド（７１〜８６ＧＨｚ）の高周波信号に用いる場合は例えば４００μｍの厚さの基板を用いることが挙げられる。

図２に示されるように、基板２は、平面視において矩形状（例えば長方形状）である。基板２は、上面（第１面）２ａと下面（第２面）２ｂを有する。基板２には、基板２の上面２ａから下面２ｂに向かって基板２を貫通する複数の貫通孔５１が形成される。貫通孔５１は、例えば、ＸＹ平面に沿う断面が略円形状である。貫通孔５１には、ポスト壁５を構成する導体柱５２が形成される。
貫通孔５１はマスクを用いたエッチング法などにより形成することができる。貫通孔５１の開口径としては例えば作製のしやすさの観点から５０〜２００μｍが挙げられる。

導体層３、４は、例えば、銅などの金属からなる薄膜で形成される。
導体層３（第１導体層）は、基板２の上面２ａに、開口１０を有して形成されている。導体層３は、スロット６（後述）を除いて、基板２の上面２ａの全面を覆う。
導体層３は、主部１１と、内側導体部１２と、接続部１３とを備えている。
主部１１は、開口１０を囲んで形成された領域である。開口１０は平面視において円形状に形成されている。主部１１は、開口１０の外側の領域であり、開口１０の内周縁から基板２の上面２ａの外周縁に至る領域である。

図３に示すように、内側導体部１２は、平面視において開口１０の内側に形成されている。内側導体部１２は、平面視において円形状とされている。内側導体部１２の外径は開口１０の内径より小さい。そのため、内側導体部１２は、スロット６により主部１１から隔てられている。内側導体部１２は、開口１０と同心の円形状であることが好ましい。
１２ａは内側導体部１２の基端（Ｘ方向の一方の端）である。１２ｂは内側導体部１２の先端（Ｘ方向の他方の端、すなわち基端１２ａとは反対の端）である。

開口１０の内径と、内側導体部１２の外径との差ｄ（径差ｄ）は、スロット６の幅に相当する。径差ｄは、１０μｍ〜２００μｍであることが好ましい。径差ｄが１０μｍ以上であることによって、スロット６を精度よく形成することができる。径差ｄが２００μｍ以下であることによって、高周波信号の放射を抑制できる。径差ｄは、開口１０の内径と内側導体部１２の外径との差の最小値であってよい。径差ｄは、内側導体部１２の先端１２ｂと開口１０の内縁とのＸ方向の距離であってよい。

接続部１３は、主部１１と内側導体部１２とを電気的に接続する。接続部１３は、主部１１および内側導体部１２の周方向の１箇所において、主部１１および内側導体部１２の径方向であるＸ方向に沿って形成されている。接続部１３は、例えば一定の幅（Ｙ方向の寸法）を有する帯状とされる。接続部１３の主部１１側の端を基端１３ａという。接続部１３は、基端１３ａから内側導体部１２に向かってＸ方向に延出し、内側導体部１２の基端１２ａに達している。
接続部１３の幅は、例えば導体柱５２（図２（ａ）参照）の直径程度かそれよりも小さくてよい。
接続部１３は、主部１１および内側導体部１２を形成して、必要な共振周波数の調整量を見積もった後で形成してもよい。接続部１３は、導体層３と同時に形成されてもよい。

内側導体部１２の基端１２ａから内側導体部１２の先端１２ｂまでの距離ｒ１は、平面視におけるポスト壁５の寸法Ｌ１（図２（ａ）参照。後述）に対して１％〜５０％の範囲にあることが好ましい。距離ｒ１がポスト壁５の寸法Ｌ１の１％以上であることによって、共振周波数の調整を有効に行うことができる。距離ｒ１がポスト壁５の寸法Ｌ１の５０％以下であることによって、共振周波数の変動幅を抑制し、微調整が可能となる。距離ｒ１は、内側導体部１２の外径に等しい。

距離ｒ１との比較対象をポスト壁５の寸法Ｌ１ではなく、図２（ａ）に示す寸法Ｌ２としてもよい。寸法Ｌ２は、平面視においてポスト壁５の中央Ｃ１と、中央Ｃ１から最も近い導体柱５２の中心との距離である。よって、前述の距離ｒ１の好ましい範囲「寸法Ｌ１に対して１％〜５０％」は、「寸法Ｌ２に対して２％〜１００％」と言い換えることができる。
距離ｒ１がポスト壁５の寸法Ｌ２の２％以上であることによって、共振周波数の調整を有効に行うことができる。距離ｒ１がポスト壁５の寸法Ｌ２の１００％以下であることによって、共振周波数の変動幅を抑制し、微調整が可能となる。
なお、ポスト壁５の中央Ｃ１は、例えば平面視におけるポスト壁５の重心（例えば矩形状のポスト壁５の対角線の交点）である。

スロット６は、主部１１と内側導体部１２とによって区画された円環が接続部１３によって分断された形状（Ｃ形状）とされている。スロット６は、例えば主部１１および内側導体部１２の周方向に一定の幅を有する。スロット６の幅は、開口１０と内側導体部１２の径差ｄである。よって、スロット６の幅（例えば最小幅）は、前述の範囲（１０μｍ〜２００μｍ）にあることが好ましい。

接続部１３は、平面視において、主部１１と内側導体部１２とを、高周波信号の伝搬方向（Ｘ方向）に垂直な方向に対して所定の角度θとなる位置で部分的に接続する。角度θとは、平面視において内側導体部１２の中心から、高周波信号の伝搬方向（Ｘ方向）に垂直な方向のうち基板２の中央とは反対の方向に向かう線と、接続部１３の基端１３ａの中央部に向かう線との角度である。

バンドパスフィルタ１では、角度θを変化させることで共振周波数を調整することができる。
角度θを変化させた際の共振周波数の変化は、基板の貫通孔にビア導体を形成した場合の共振周波数のばらつきよりも小さくなる。そのため、バンドパスフィルタ１を用いれば、誘電体導波路（ＳＩＷ）を製造した後であっても接続部１３の位置を調整することで共振周波数の微調整が可能になる。よって、目標精度が高い場合にも対応できるバンドパスフィルタを提供することができる。

バンドパスフィルタでは、共振器の大きさと共振器との結合量が重要である。スロット６が後述する開口部７と近いと結合量が変化してしまうため、影響を小さくするためには、スロット６は、それぞれの開口部７から離れた位置が好ましい。よって、スロット６は、平面視においてポスト壁５で囲まれた領域において高周波信号の伝搬方向（Ｘ方向）の中央部に位置することが好ましい。

伝搬方向（Ｘ方向）に対して垂直な方向（Ｙ方向）については、中央付近は電界強度が強いため、スロット６は、中央部よりポスト壁５に近い位置に配置されることが好ましい。これによって、電界の悪影響を抑制できる。

導体層４（第２導体層）は、基板２の下面２ｂの全面を覆う。なお、共振器として機能すれば、導体層３及び導体層４は各々上面２ａおよび下面２ｂの全面を覆っていなくてもよい。
導体層３、４が銅薄膜である場合、その厚さは１μｍ〜４０μｍであることが好ましい。導体層３、４の厚さが１μｍ以上であると損失を抑制でき、４０μｍ以下であると、導体層３、４の形成が容易となる。導体層３、４は、例えば銅めっき法などにより形成することができる。

図２（ａ）に示すように、ポスト壁５は、複数の導体柱５２で構成され、一対の第１壁部５ａと一対の第２壁部５ｂとを有する。導体柱５２は、その両端部において導体層３、４と電気的に接続される。第１壁部５ａでは、平面視で基板２の向かい合う２辺に平行に複数の導体柱５２が並列される。第１壁部５ａは基板２の向かい合う２辺に近い位置にそれぞれ形成される。第２壁部５ｂでは、第１壁部５ａの導体柱５２が並ぶ方向に垂直な方向に複数の導体柱５２が並列される。また一対の第２壁部５ｂは互いに所定の間隔を空けて配置される。

複数の導体柱５２は、第１及び第２壁部５ａ、５ｂにおいて、誘電体導波路（ＳＩＷ）中を伝搬する高周波信号が外部に漏洩しない間隔で配列されている。ただし、第２壁部５ｂには、所定波長の高周波信号が通過できる開口部７が導体柱５２の並列方向の中央部に形成されるように配列されている。つまり、バンドパスフィルタ１では、第１壁部５ａの導体柱５２が並列する方向が高周波信号の伝搬方向となる。この伝搬方向はＸ方向と一致する。
ポスト壁５は、平面視においてスロット６を囲んで形成されている。
なお、開口部７は導体柱５２の並列方向の中央部に形成されていなくてもよく、一方の第１壁部５ａに寄った位置に形成されていてもよい。

ポスト壁５を構成する導体柱５２は銅めっき法により形成することができ、導体層３、４と同時に形成されてもよい。また導体柱５２において、導体が貫通孔５１の全内面を覆っていれば、貫通孔５１の内部に完全に充填されていなくともよい。導体は貫通孔５１の内部に完全に充填されていてもよい。

ポスト壁５の寸法Ｌ１は、例えば、平面視において第１壁部５ａと第２壁部５ｂとがなす矩形状の構造について、第１壁部５ａにおける導体柱５２の並列方向（Ｘ方向）の寸法と、第２壁部５ｂにおける導体柱５２の並列方向（Ｙ方向）の寸法のいずれかである。ここでは、寸法Ｌ１は、前記矩形状の構造において第１壁部５ａと第２壁部５ｂのうち短い方である、第２壁部５ｂの寸法である。寸法Ｌ１は、平面視において並列方向の両端に位置する２つの導体柱５２の中心どうしの距離である。

バンドパスフィルタ１では、前述のように、接続部１３と内側導体部１２の距離ｒ１、および接続部１３の角度θを変化させることで、誘電体導波路（ＳＩＷ）を製造した後であっても、共振周波数を微調整することができる。

（第１の変形例）
図４は、バンドパスフィルタ１の第１の変形例であるバンドパスフィルタ１Ａのスロット６Ａの上面図である。なお、以降の説明において、すでに説明した構成と共通する構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
図４に示すように、バンドパスフィルタ１Ａでは、内側導体部１２Ａは接続部１３と同じ幅（Ｙ方向の寸法）を有し、Ｘ方向に延在している。

接続部１３の基端１３ａから内側導体部１２Ａの先端までの距離ｒ２は、ポスト壁５の寸法Ｌ１（図２（ａ）参照）に対して１％〜５０％、または寸法Ｌ２に対して２％〜１００％とするのが好ましい。距離ｒ２がポスト壁５の寸法Ｌ１の１％以上（または寸法Ｌ２の２％以上）であることによって、共振周波数の調整を有効に行うことができる。距離ｒ２がポスト壁５の寸法Ｌ１の５０％以下（または寸法Ｌ２の１００％以下）であることによって、共振周波数の変動幅を抑制し、微調整が可能となる。バンドパスフィルタ１Ａは、内側導体部１２Ａの形状以外はバンドパスフィルタ１（図３参照）と同様としてよい。
バンドパスフィルタ１Ａでは、バンドパスフィルタ１（図３参照）と同様に、接続部１３の角度θを変化させることで、共振周波数を微調整することができる。

（第２の変形例）
図５は、バンドパスフィルタ１の第２の変形例であるバンドパスフィルタ１Ｂのスロット６Ｂの上面図である。
図５に示すように、バンドパスフィルタ１Ｂでは、内側導体部１２Ｂは、接続部１３に比べて広い幅（Ｙ方向の寸法）を有する矩形状（例えば長方形状）である。内側導体部１２Ｂは、長辺方向をＸ方向に向けて形成されている。バンドパスフィルタ１Ｂは、内側導体部１２Ｂの形状以外はバンドパスフィルタ１（図３参照）と同様としてよい。
バンドパスフィルタ１Ｂでも、距離ｒ２、および接続部１３の角度θを変化させることで、共振周波数を微調整することができる。

（第３の変形例）
図６は、バンドパスフィルタ１の第３の変形例であるバンドパスフィルタ１Ｃのスロット６Ｃの上面図である。
図６に示すように、バンドパスフィルタ１Ｃでは、開口１０Ｃは矩形状（例えば長方形状）である。バンドパスフィルタ１Ｃは、開口１０Ｃの形状以外はバンドパスフィルタ１Ａ（図４参照）と同様としてよい。
バンドパスフィルタ１Ｃでも、距離ｒ２、および接続部１３の角度θを変化させることで、共振周波数を微調整することができる。

（第４の変形例）
図７は、バンドパスフィルタ１の第４の変形例であるバンドパスフィルタ１Ｄのスロット６Ｄの上面図である。
図７に示すように、バンドパスフィルタ１Ｄでは、接続部１３Ｄが金属配線部（ワイヤ）によって形成されている。接続部１３Ｄは、平面視においてＸ方向に沿って形成されている。接続部１３Ｄの基端１３Ｄａは主部１１に接続され、先端１３Ｄｂは内側導体部１２に接続されている。バンドパスフィルタ１Ｄは、接続部１３に代えて接続部１３Ｄが設けられていること以外はバンドパスフィルタ１（図３参照）と同様としてよい。
バンドパスフィルタ１Ｄでも、距離ｒ１、および接続部１３の角度θを変化させることで、共振周波数を微調整することができる。

（第５の変形例）
図８は、バンドパスフィルタ１の第５の変形例であるバンドパスフィルタ１０１の断面図である。
図８に示すように、バンドパスフィルタ１０１では、スロット６及び導体層３が誘電体層８で覆われている。誘電体層８は、導体層９によって覆われている。
誘電体層８の材料としては、塗布性、誘電率などの観点から、例えばポリイミドが挙げられる。導体層９は銅めっき法により形成することができる。その他の構成は、第１実施形態のバンドパスフィルタ１と同様としてよい。
なお、バンドパスフィルタは、誘電体層を覆う導体層がない構成も可能である。

［第２実施形態］
本発明の第２実施形態に係る多段バンドパスフィルタ２０１の構成について、図９を用いて説明する。なお、第１実施形態と共通する構成については、同一の符号を付して説明を省略する。

図９は、バンドパスフィルタ２０１の斜視図である。
図９に示すように、多段バンドパスフィルタ２０１は、第１実施形態に係るバンドパスフィルタ１が３つ並列して構成される。多段バンドパスフィルタ２０１では、各バンドパスフィルタ１の一対の第１壁部５ａはそれぞれ同一直線状に設けられる。また隣り合うバンドパスフィルタ１の第２壁部５ｂは共有される。

多段バンドパスフィルタ２０１では、複数のバンドパスフィルタ１を並列して構成することにより、１段だけのバンドパスフィルタよりもフィルタ特性を向上することができる。

なお、図９ではバンドパスフィルタ１が３つ並列しているがこれに限定されない。２つ並列されていてもよいし、４つ以上並列されていてもよい。また、図９ではバンドパスフィルタ１が一方向に並列するが限定されない。例えば第１壁部５ａに開口部を設けて、バンドパスフィルタ１が２方向に配列されるように構成してもよい。
図９では、各バンドパスフィルタ１の開口部７の幅は一定であるが、これに限定されない。要求される共振周波数に応じて開口部７の幅が異なっていてもよい。さらに、図９では、高周波信号の伝搬方向（Ｘ方向）における第２壁部５ｂの間隔も一定であるが、これに限定されない。要求される共振周波数に応じて第２壁部５ｂの間隔がそれぞれ異なっていてもよい。

また、上述の第１、第２実施形態では、基板２にバンドパスフィルタを構成する要素のみが形成されているが、これに限定されない。例えばバンドパスフィルタに高周波信号を伝搬可能な平面回路及び導体ピンが同じ基板２に形成されていてもよい。

以下、実施例を用いて本発明を具体的に説明する。なお、本発明は、この実施例のみに限定されるものではない。

実施例のバンドパスフィルタの構成としては、図１〜図３に示すバンドパスフィルタ１の構成を用いた。基板には厚さ４００μｍの石英ガラス基板を採用し、各実施例において、角度θおよび距離ｒ１以外は一定としてシミュレーションを行い、共振周波数の変化を比較した。
径差ｄは５０μｍとした。角度θは０°、９０°、１８０°、２７０°の４条件とした。距離ｒ１は１００μｍ、１５０μｍ、２００μｍの３条件とした。結果を表１に示す。

表１より、角度θおよび距離ｒ１の設定により、共振周波数を調整できることがわかる。

以上、本発明のバンドパスフィルタ及び多段バンドパスフィルタについて説明してきたが、本発明は前記の例に限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
導体層の開口および内側導体部の平面視形状は、円形状、矩形状に限らない。導体層の開口および内側導体部の平面視形状は、例えば楕円形状であってもよいし、矩形状以外の多角形状（三角形状、五角形状、六角形状など）であってもよい。
平面視におけるポスト壁の形状は、矩形状に限らない。ポスト壁の平面視形状は、例えば矩形状以外の多角形状（三角形状、五角形状、六角形状など）でもよいし、円形状、楕円形状等であってもよい。
接続部は、主部および内側導体部と一体的に形成されていてもよいし、主部および内側導体部とは別体であってもよい。

１，１０１…バンドパスフィルタ、２…基板、２ａ…上面（第１面）、２ｂ…下面（第２面）、３…導体層（第１導体層）、４…導体層（第２導体層）、５…ポスト壁、６…スロット、８…誘電体層、２０１…多段バンドパスフィルタ、ｒ１…内側導体部の基端から先端までの距離。

Claims (3)

1. 第１面及び前記第１面に対向する第２面を有し、誘電体材料で形成される基板と、
   前記第１面を覆い、開口を有して形成された第１導体層と、
   前記第２面を覆う第２導体層と、
   前記第１面から前記第２面に向かって前記基板を貫通し、前記第１導体層および前記第
   ２導体層と電気的に接続された複数の導体柱で形成され、平面視において前記開口を囲む
   ように配置されたポスト壁と、を備え、
   前記第１導体層は、前記開口を囲む主部と、前記開口内に前記主部から隔てられて形成
   された内側導体部と、前記主部と前記内側導体部とを電気的に接続する接続部とを有し、
   前記主部、前記内側導体部及び前記接続部によって区画されたスロットを有する、
   バンドパスフィルタ。
2. 前記開口は、円形状とされ、
   前記内側導体部は、円形状とされ、
   前記スロットがＣ形状とされている、請求項１に記載のバンドパスフィルタ。
3. 前記内側導体部の基端から先端までの距離は、平面視における前記ポスト壁の中央と、
   前記中央から最も近い前記導体柱の中心との距離に対して２％〜１００％の範囲にある、
   請求項１または２に記載のバンドパスフィルタ。

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