JP6508975B2 - Array mask and method of manufacturing the same - Google Patents

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Description

本発明は、例えば半田バンプを形成するのに用いられる、配列用マスク及びその製造方法に関する。   The present invention relates to an alignment mask and a method of manufacturing the same, which are used, for example, to form solder bumps.

半田バンプの形成方法としては、ウエハ・フレキシブル基板・リジッド基板などのワーク上の電極にフラックスを塗布する印刷工程と、フラックス上に半田ボールを配列する配列工程と、半田ボールを加熱・溶解する加熱工程を経てバンプを形成している。そして、前述の配列工程において、ワーク上に半田ボールを配列する方式としては、マスクを用いた振込方式がある。振込方式では、ワークの電極の配列パターンに対応して半田ボールが挿通可能な位置決め用の通孔を有する配列用マスク(以下、適宜に単に「マスク」と称す)を用いて、半田ボールをワークの電極上に搭載させている。具体的には、通孔と電極とが一致するようにワークに対しマスクを位置合わせしたうえで、マスクの上に供給された半田ボールをスキージやブラシ等で掃引して、各通孔に一つずつ半田ボールを投入する。そして、フラックスに半田ボールを固着させることにより、ワーク上の所定位置に半田ボールを仮止め的に搭載させている。   As a method of forming solder bumps, a printing step of applying a flux to electrodes on a workpiece such as a wafer, a flexible substrate, a rigid substrate, an arranging step of arranging solder balls on the flux, and heating for melting and melting the solder balls Through the process, bumps are formed. Then, as a method of arranging the solder balls on the work in the above-described arranging process, there is a transfer method using a mask. In the transfer method, the solder balls are processed using an alignment mask (hereinafter simply referred to as “mask” as appropriate) having positioning through holes through which the solder balls can be inserted corresponding to the alignment pattern of the electrodes of the work. It is mounted on the electrode of. Specifically, after aligning the mask to the work so that the through holes and the electrodes match, the solder balls supplied on the mask are swept with a squeegee, a brush, etc. Insert the solder balls one by one. Then, by fixing the solder balls to the flux, the solder balls are temporarily mounted at predetermined positions on the work.

係るマスクとしては特許文献1に開示されたものがある。特許文献1に記載のマスクは、通孔を有するマスク本体の下面に多数本の支持用の突起部を設けており、突起部の突出寸法は同一寸法に設定されている。これにより、ワーク上にマスクを設置した際に、全ての支持用の突起部の下端がワークの上面に当接され、通孔を有するマスク本体とワークとの対向間隙が確保されるようになっている。   Such a mask is disclosed in Patent Document 1. In the mask described in Patent Document 1, a large number of supporting protrusions are provided on the lower surface of a mask main body having through holes, and the protruding dimensions of the protrusions are set to the same size. As a result, when the mask is installed on the work, the lower ends of all the supporting projections come in contact with the upper surface of the work, and the opposing gap between the mask main body having the through holes and the work is secured. ing.

特開2006−287215号公報JP, 2006-287215, A

しかしながら、近年では電子機器の小型化に伴い、バンプの微小化が進んできている。つまり、バンプの微小化に伴って、マスクにおける通孔間隔寸法やパターン領域間隔寸法が狭くなり、通孔間やパターン領域間(パターン領域外周)に配される突起部自身の外形寸法も小さくなる傾向にあるため、マスクとワークとの対向間隔が狭まり、ワークの電極上に配されたフラックスがマスクに付着しやすくなる。特に、マスク本体の下面や通孔内面にフラックスが付着してしまうと、半田ボールの搭載不良が生じやすくなってしまう。本発明の目的は、バンプの微小化に伴って、突起部自身の外形寸法を小さくした場合でも、半田ボールを不良なく搭載できる配列用マスク及びその製造方法を提供することにある。   However, in recent years, with the miniaturization of electronic devices, the miniaturization of bumps has progressed. That is, with the miniaturization of the bumps, the through hole spacing dimension and the pattern area spacing dimension in the mask become narrow, and the external dimensions of the protrusions themselves disposed between the through holes and between the pattern areas (the pattern area outer periphery) also become smaller. Due to the tendency, the facing distance between the mask and the work is narrowed, and the flux disposed on the electrode of the work tends to adhere to the mask. In particular, if the flux adheres to the lower surface of the mask main body or the inner surface of the through hole, a mounting failure of the solder ball is likely to occur. An object of the present invention is to provide a mask for alignment that can mount solder balls without defects even when the external dimensions of the protrusions themselves are reduced as the bumps are miniaturized, and a method of manufacturing the same.

本発明は、所定の配列パターンに対応した通孔12内に半田ボール2を振り込むことで、ワーク3上の所定位置に半田ボール2を搭載する配列用マスクであって、通孔12からなるパターン領域が多数形成されたマスク本体10と、マスク本体10のワーク3との対向面側に設けられた突起部15とを備え、少なくともマスク本体10下面に、コーティング層50が形成されていることを特徴とする。また、マスク本体10と突起部15とは別体で形成されている。また、コーティング層50は、マスク本体10下面及び突起部15表面を覆うように形成されている。このコーティング層50は、1μm以下の厚さで形成すると良い。   The present invention is an arrangement mask for mounting the solder balls 2 at predetermined positions on the work 3 by transferring the solder balls 2 into the through holes 12 corresponding to the predetermined arrangement pattern, and the pattern comprising the through holes 12 A mask main body 10 in which a large number of regions are formed, and a projection 15 provided on the opposite surface side of the mask main body 10 to the work 3, and at least the coating layer 50 is formed on the lower surface of the mask main body 10 It features. Further, the mask body 10 and the projection 15 are formed separately. In addition, the coating layer 50 is formed to cover the lower surface of the mask body 10 and the surface of the protrusion 15. The coating layer 50 may be formed to a thickness of 1 μm or less.

また本発明は、通孔12からなるパターン領域が多数形成されたマスク本体10と、マスク本体10のワーク3との対向面側に設けられた突起部15とを備え、少なくともマスク本体10下面に、コーティング層50が形成された配列用マスクの製造方法である。まず、母型40上に、レジスト体41aを有する一次パターンレジスト41を形成する。次に、レジスト体41aを用いて、母型40上に、一次電着層42を形成する。次に、一次電着層42上に、レジスト体44aを有する二次パターンレジスト44を形成する。次に、一次電着層42表面に、コーティング層50を形成する。このコーティング層50は、一次電着層42の二次パターンレジスト44を有する側の表面及び二次パターンレジスト44の表面に形成すると良い。   Further, the present invention comprises a mask main body 10 in which a large number of pattern areas consisting of through holes 12 are formed, and a projection 15 provided on the side opposite to the work 3 of mask main body 10. The method is a method of manufacturing an alignment mask on which the coating layer 50 is formed. First, a primary pattern resist 41 having a resist body 41 a is formed on a mother die 40. Next, the primary electrodeposition layer 42 is formed on the matrix 40 using the resist body 41 a. Next, on the primary electrodeposition layer 42, a secondary pattern resist 44 having a resist body 44a is formed. Next, the coating layer 50 is formed on the surface of the primary electrodeposition layer 42. The coating layer 50 may be formed on the surface of the primary electrodeposition layer 42 on which the secondary pattern resist 44 is formed and on the surface of the secondary pattern resist 44.

本発明の配列用マスクによれば、マスク本体下面に、コーティング層が形成されているので、マスク本体下面にフラックスが付着したままの状態を防ぐことができる。また、マスク本体下面及び突起部表面を覆うようにコーティング層を形成することで、コーティング層が突起部の保護層としての機能を果たすことになり、突起部の脱落、変形、破損を防ぐことができる。   According to the alignment mask of the present invention, since the coating layer is formed on the lower surface of the mask main body, it is possible to prevent the state in which the flux remains attached to the lower surface of the mask main body. In addition, by forming a coating layer so as to cover the lower surface of the mask main body and the surface of the protrusion, the coating layer functions as a protective layer for the protrusion and prevents the protrusion from falling off, deforming, or breaking. it can.

本発明の配列用マスクとワークの全体構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the whole structure of the mask for arrangement | positioning of this invention, and a workpiece | work. 本発明の第1実施形態に係る配列用マスクの縦断側面図である。It is a longitudinal cross-sectional side view of the mask for arrangement | sequence which concerns on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態に係る配列用マスクの平面図である。It is a top view of the mask for arrangement | sequence which concerns on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態に係る配列用マスクの別実施形態の縦断側面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of another embodiment of the mask for arrangement | sequence which concerns on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態に係る配列用マスクの別実施形態の平面図である。It is a top view of another embodiment of the mask for arrangement | sequence which concerns on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態に係る配列用マスクの別実施形態の縦断側面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of another embodiment of the mask for arrangement | sequence which concerns on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態に係る配列用マスクの製造方法の説明図である。It is explanatory drawing of the manufacturing method of the mask for arrangement | sequences which concerns on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態に係る配列用マスクの製造方法の説明図である。It is explanatory drawing of the manufacturing method of the mask for arrangement | sequences which concerns on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第2実施形態に係る配列用マスクの縦断側面図である。It is a longitudinal cross-sectional side view of the mask for arrangement | sequence which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第2実施形態に係る配列用マスクの製造方法の説明図である。It is explanatory drawing of the manufacturing method of the mask for arrangement | sequences which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第2実施形態に係る配列用マスクの製造方法の説明図である。It is explanatory drawing of the manufacturing method of the mask for arrangement | sequences which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 本発明の別実施形態に係る配列用マスクの部分拡大平面図である。FIG. 10 is a partially enlarged plan view of an alignment mask according to another embodiment of the present invention. 本発明の第2実施形態に係る配列用マスクの別実施形態の部分拡大縦断側面図である。It is a partial expansion vertical side view of another embodiment of the mask for arrangement | sequence which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第2実施形態に係る配列用マスクの別実施形態の製造方法の説明図である。It is explanatory drawing of the manufacturing method of another embodiment of the mask for arrangement | sequence which concerns on 2nd Embodiment of this invention.

(第1実施形態)
図1乃至図3に、本発明の第1実施形態に係る半田ボールの配列用マスクを示す。この配列用マスク(以下、単にマスクと記す)1は、半田バンプ形成における半田ボール2の配列工程において使用に供されるものである。図2において、符号3は、マスク1による半田ボール2の搭載対象となるワークを示す。このワーク3は、例えば、ガラスエポキシ基板のベース4に複数個の半導体チップ5を搭載し、ワイヤボンドで配線した後トランスファモールド封止してなるものであり、半導体チップ5を囲むように、ワーク3の上面には、入出力端子である電極6が所定のパターンで形成されている。なお、ワーク3は、バンプの形成後に個片に切断され、個々のLSIチップとされる。
First Embodiment
1 to 3 show a mask for aligning solder balls according to a first embodiment of the present invention. The alignment mask (hereinafter simply referred to as a mask) 1 is to be used in an alignment process of the solder balls 2 in forming the solder bumps. In FIG. 2, reference numeral 3 denotes a workpiece on which the solder ball 2 is to be mounted by the mask 1. The workpiece 3 is, for example, a plurality of semiconductor chips 5 mounted on a base 4 of a glass epoxy substrate, wired by wire bonding and then transfer molded and sealed, and the workpiece is surrounded by the semiconductor chip 5. An electrode 6 which is an input / output terminal is formed in a predetermined pattern on the upper surface of the electrode 3. The work 3 is cut into individual pieces after the formation of the bumps to form individual LSI chips.

図1に示すように、マスク1は、ニッケルやニッケルコバルト等のニッケル合金、銅やその他の金属を素材として形成されたマスク本体10から成り、このマスク本体10にはこれを囲むように枠体11を装着することができる。マスク本体10の盤面中央部には、各半導体チップ5に対応して、半田ボール2を投入するための多数独立の通孔12からなるパターン領域が多数形成されている。図2に示すように、通孔12は、ワーク3上における各半導体チップ5の電極6の配列位置に対応した配列パターンに対応している。半田ボール2は、50μm以下の半径寸法を有するものであり、これに合わせて各通孔12は、当該ボール2の半径寸法よりも僅かに大きな内径寸法を有する平面視で円形状に形成されている。   As shown in FIG. 1, the mask 1 is composed of a mask main body 10 made of a nickel alloy such as nickel or nickel cobalt, copper or another metal as a material, and a frame body surrounding the mask main body 10 11 can be worn. At the central portion of the surface of the mask main body 10, a large number of pattern areas consisting of many independent through holes 12 for inserting the solder balls 2 are formed corresponding to the respective semiconductor chips 5. As shown in FIG. 2, the through holes 12 correspond to the arrangement pattern corresponding to the arrangement position of the electrodes 6 of each semiconductor chip 5 on the work 3. The solder balls 2 have a radial dimension of 50 μm or less, and accordingly, the respective through holes 12 are formed in a circular shape in plan view having an inner diameter dimension slightly larger than the radial dimension of the balls 2. There is.

枠体11は、アルミ、42アロイ、インバー材、SUS430等の材質からなる平板体であり、その盤面中央に、マスク本体10に対応する一つの四角形状の開口を備えており、本実施形態では、一枚のマスク本体10を一枚の枠体11で保持している。枠体11は、マスク本体10よりも肉厚の成形品であり、マスク本体10の外周縁と不離一体的に接合される。ここでは枠体11の厚み寸法は、例えば0.05〜1.0mm程度とし、本実施形態においては0.5mmに設定した。また、マスク本体10の厚みは、好ましくは10μm以上とし、本実施形態では200μmに設定した。   The frame 11 is a flat plate made of a material such as aluminum, 42 alloy, invar material, SUS430, etc., and is provided with one square-shaped opening corresponding to the mask main body 10 at the center of the surface thereof. A single mask body 10 is held by a single frame 11. The frame body 11 is a molded product having a thickness larger than that of the mask main body 10, and is joined to the outer peripheral edge of the mask main body 10 in an integral manner. Here, the thickness dimension of the frame 11 is, for example, about 0.05 to 1.0 mm, and is set to 0.5 mm in the present embodiment. The thickness of the mask body 10 is preferably 10 μm or more, and is set to 200 μm in the present embodiment.

マスク本体10(マスク1)の下面側、すなわちワーク3との対向面側には、下方向に突出状の突起部15を設けることができる。詳しくは、図2及び図3に示すように、パターン領域間(パターン領域の外周)にこのパターン領域を囲むように突起部15(桟15a)を設けることができる。この突起部15(桟15a)は、図3のような連続的に設けたものでなくても良く、断片的に設けても良い。また、図4に示すように、パターン領域内の通孔12が形成されていない位置に突起部15(支柱15b)を設けることができる。また、隣り合うパターン領域間(パターン領域の外周)にパターン領域を囲むようにして設ける突起部15の形状としては、桟15aに限らず、図5に示すように、支柱15cであっても良い。係る突起部15を設けていれば、配列作業時において、ワーク3の上面に当接してマスク本体10とワーク3との対向間隙を確保できる。各々の突起部15(桟15a、支柱15b)においては、図3および図5に示すように、マスク本体10の下面から突起部15の先端に向かって先窄まるように形成されていることが好ましく、円錐台状を呈している。   On the lower surface side of the mask main body 10 (the mask 1), that is, the opposite surface side to the workpiece 3, a protruding portion 15 may be provided in a downwardly protruding shape. Specifically, as shown in FIG. 2 and FIG. 3, the projection 15 (crosspiece 15a) can be provided between the pattern areas (the outer periphery of the pattern area) so as to surround the pattern area. The projections 15 (crosspieces 15a) may not be provided continuously as shown in FIG. 3, but may be provided in fragments. Further, as shown in FIG. 4, the protrusion 15 (the support 15 b) can be provided at a position where the through hole 12 is not formed in the pattern area. Moreover, as a shape of the projection part 15 provided so that a pattern area may be enclosed between adjacent pattern areas (periphery of a pattern area), it may be a support 15c as shown in FIG. If the projection 15 is provided, the facing gap between the mask main body 10 and the work 3 can be secured by being in contact with the upper surface of the work 3 at the time of the arrangement operation. In each of the protrusions 15 (the crosspieces 15a and the columns 15b), as shown in FIGS. 3 and 5, it is formed so as to be tapered toward the tip of the protrusion 15 from the lower surface of the mask main body 10. Preferably, it has a truncated cone shape.

突起部15の形状としては、この他に図6に示すように、突起部15の根元寸法がマスク本体10の下面に向かうにつれて大きくなる末拡がり形状(突起部15の根元から先端に向かうにつれて窄まっていく先窄まり形状)であって、側面が円弧状に形成されたものであっても良い。これにより、突起部15の特に根元部15”に応力が集中することにより生じる破損を防止できるとともに、マスク1をワーク3に載置した際に、仮に突起部15にフラックス17が付着したとしても、突起部15の側面が円弧となっていることにより、フラックス17の通孔12への回り込みを防止できるので、通孔12にフラックス17が付着することによる半田ボール2の搭載不良を招くおそれをなくすことができる。なお、突起部15の根元部15”の終端位置については、マスク本体10の下面の通孔12付近に位置していることが好ましく、マスク本体下面10aと通孔内面12aとの交点に位置する形態、マスク本体下面10a上の通孔12から間隙をとったところに位置する形態が考えられる。また、突起部15の側面は、凸状円弧でも凹状円弧でもどちらでも良く、凸状円弧とすれば強度の良いものになり、凹状円弧とすれば突起部15側面のどの位置においてもフラックス17が付着された電極6に近づく部分がない、つまり、フラックス17が付着された電極6から一定距離を保った状態となって良い。さらに、突起部15の先端部15’及び/又は根元部15”を円弧状に形成しても良く、これにより、突起部15にフラックス17が付着するおそれが可及的に減少する。   In addition, as shown in FIG. 6, as the shape of the protrusion 15, as shown in FIG. 6, a diverging shape (the diameter of the protrusion 15 increases from the root to the tip of the protrusion 15). It may be an end-to-end shape and the side surface may be formed in an arc shape. As a result, it is possible to prevent damage caused by stress concentration particularly on the root portion 15 ′ ′ of the projection 15, and even when the flux 17 adheres to the projection 15 when the mask 1 is placed on the work 3. Since the side surfaces of the protrusions 15 are arcs, it is possible to prevent the flux 17 from coming around the through hole 12, so that the mounting defect of the solder ball 2 due to the flux 17 adhering to the through hole 12 may be caused. The end position of the root portion 15 ′ ′ of the projection 15 is preferably located in the vicinity of the through hole 12 on the lower surface of the mask main body 10, and the lower surface 10a of the mask main body and the inner surface 12a of the through hole It is possible to consider an embodiment in which it is located at the intersection of the two, and an embodiment in which it is located at a space from the through hole 12 on the mask main body lower surface 10a. Further, the side surface of the projection 15 may be either a convex arc or a concave arc, and if it is a convex arc, the strength is good, and if it is a concave arc, the flux 17 is at any position on the side of the projection 15 There may be no part approaching the attached electrode 6, that is, a state in which a certain distance is kept from the electrode 6 to which the flux 17 is attached. Furthermore, the tip 15 'and / or the root 15' 'of the projection 15 may be formed in an arc shape, whereby the risk of the flux 17 adhering to the projection 15 is reduced as much as possible.

本マスク1においては、突起部15の高さとマスク本体10の厚みとの比が2対1以上とするのが好ましく、上記マスク本体10の厚さが10〜300μmの範囲内においてこれを満足することがより好ましい。また、突起部15は、アスペクト比(突起部15における高さと先端寸法との比)が大きいものが好ましく、本実施形態ではアスペクト比3としている。また、突起部15の根元寸法L2は、突起部15の先端寸法L1の1.0〜1.5倍とするのが好ましく、本実施形態では1.2倍に設定している。さらに、突起部15の先端寸法L1と根元寸法L2と通孔12間の幅寸法L3との比が1対1.2対1.4以上であることが好ましい。さらに、パターン領域から突起部15(桟15a、支柱15c(後述)、凸部15d(後述))の根元までの寸法L4は、0.01mm以上に設定することが好ましく、本実施形態では0.02mmとしている。係る条件により、フラックスの付着を可及的に防ぐことができる。この時、上述した突起部15の先端寸法L1と根元寸法L2との比の関係及びパターン領域から突起部15の根元までの寸法L4の関係を満足することにより、突起部15の破損防止及びフラックスの付着防止を両立させることができる。さらには、パターン領域から突起部15(桟15a、支柱15c(後述)、凸部15d(後述))の先端中心までの寸法をL5とした時、L1とL2とL5との比が1対3対2.5以上とすることにより、上記両立効果を最大限に活かすことができる。   In the present mask 1, the ratio of the height of the protrusion 15 to the thickness of the mask main body 10 is preferably 2: 1 or more, and the thickness of the mask main body 10 satisfies this within a range of 10 to 300 μm. Is more preferred. The projection 15 preferably has a large aspect ratio (the ratio of the height of the projection 15 to the tip size), and in the present embodiment, the aspect ratio is 3. The root dimension L2 of the projection 15 is preferably 1.0 to 1.5 times the tip dimension L1 of the projection 15, and is set to 1.2 in the present embodiment. Furthermore, it is preferable that the ratio of the tip dimension L1 of the protrusion 15 to the root dimension L2 and the width dimension L3 between the through holes 12 be 1: 1.2 to 1.4 or more. Furthermore, it is preferable to set the dimension L4 from the pattern area to the root of the protrusion 15 (the crosspiece 15a, the support 15c (described later), the protrusion 15d (described later)) to 0.01 mm or more. It is assumed to be 02 mm. Such conditions can prevent the adhesion of the flux as much as possible. At this time, the relationship between the ratio of the tip dimension L1 of the protrusion 15 to the root dimension L2 and the relationship of the dimension L4 from the pattern area to the root of the protrusion 15 are satisfied to prevent breakage of the protrusion 15 and flux It is possible to achieve both adhesion prevention. Furthermore, when the dimension from the pattern area to the center of the tip of the protrusion 15 (the crosspiece 15a, the support 15c (described later), and the protrusion 15d (described later)) is L5, the ratio of L1 to L2 to L5 is 1 to 3 By setting the ratio to 2.5 or more, it is possible to make the best use of the above compatible effects.

ここでは、マスク本体10と突起部15が一体となったマスク1としているが、マスク本体10と突起部15とが別部材で一体的に形成されたものでも良い。これは、上記マスク1において、マスク本体10を磁性体で形成し、突起部15を非磁性体で形成すれば、磁石の磁力吸引によってワーク3にマスク1を固定する場合に、マスク1に対して磁力を均一に働かせることができるので、マスク1が不用意に撓むおそれがなく、ワークに良好に密着させることができ、電極6に対する通孔12の位置合わせ精度を向上することができる。また、マスク1を取り外す際には、ワーク3と突起部15が直接磁力結合しないので、版離れを良好にすることができる。係るマスク1は、例えば、マスク本体10を磁性体金属(ニッケル、鉄等)によって形成し、突起部15を非磁性体金属(銅、アルミなど)によって形成することで得られる。   Here, the mask body 10 and the projection 15 are integrally formed as the mask 1. However, the mask body 10 and the projection 15 may be integrally formed of separate members. This is because if the mask main body 10 is formed of a magnetic material and the protrusions 15 are formed of a nonmagnetic material in the mask 1 described above, the mask 1 is fixed to the workpiece 3 by magnetic attraction of a magnet. Since the magnetic force can be exerted uniformly, there is no risk of the mask 1 being bent carelessly, and the mask 1 can be made to adhere well to the work, and the positioning accuracy of the through hole 12 with respect to the electrode 6 can be improved. In addition, when the mask 1 is removed, the work 3 and the projection 15 are not directly magnetically coupled, so that the plate separation can be improved. The mask 1 can be obtained, for example, by forming the mask main body 10 of magnetic metal (nickel, iron or the like) and forming the protrusion 15 of nonmagnetic metal (copper, aluminum or the like).

また、突起部15を非磁性体で形成するものにおいては、上記金属に限らず、樹脂やレジストによって形成したものでも良い。これにより、上記効果に加え、当該樹脂の弾力性に由来するクッション作用が発揮され、突起部15がワーク3に当接した際に、ワーク3が損傷するおそれが少なくなる。なお、係る効果を顕著に奏するためには、マスク1において、突起部15だけでなく、ワーク3と当接する部分の全てを樹脂で形成することが好ましい。また、突起部15を樹脂で形成する場合、電鋳法でマスク本体10を形成する時に使用するレジストと同じものを使用すれば、生産効率良く形成できる。   Moreover, in what forms the projection part 15 with a nonmagnetic material, it may be formed not only with the said metal but with resin or a resist. As a result, in addition to the above-mentioned effects, a cushioning action derived from the elasticity of the resin is exhibited, and when the projection 15 abuts on the work 3, the possibility of damage to the work 3 is reduced. In addition, in order to exhibit the effect concerned notably, it is preferable to form not only the projection part 15 but all the parts in contact with the work 3 in the mask 1 with resin. Moreover, when forming the projection part 15 with resin, if it uses the same thing as a resist used when forming the mask main body 10 by an electroforming method, it can form with sufficient productive efficiency.

また、本マスク1においては、図2、図4、図6に示すように、マスク本体10下面や通孔12内面にコーティング層50を設けている。コーティング層50としては、撥水性を有するものが好ましく、その材質としては、フッ素樹脂、シリコン樹脂、乳剤、レジスト(液状)などがある。係るコーティング層50を設けることにより、マスク本体10下面や通孔12内面にフラックスが付着してもフラックスを弾くことができ、マスク本体10下面や通孔12内面にフラックスが付着したままの状態を防止できる。なお、該コーティング層50は、マスク本体10上面に形成しても良いし、パターン領域間であって、突起部15(桟15a)間におけるマスク本体10下面においては形成しなくて良い。要は、フラックスが付着すると半田ボールの搭載不良が生じやすい部分に形成するのが望ましく、マスク1をワーク上に載置した際に、電極6上に塗布されたフラックス17と対面するマスク本体10及び突起部15の表面に形成することが望ましい。   Further, in the present mask 1, as shown in FIGS. 2, 4 and 6, the coating layer 50 is provided on the lower surface of the mask main body 10 and the inner surface of the through hole 12. The coating layer 50 is preferably one having water repellency, and examples of the material thereof include fluorocarbon resin, silicone resin, emulsion, resist (liquid) and the like. By providing the coating layer 50, even if the flux adheres to the lower surface of the mask main body 10 or the inner surface of the through hole 12, the flux can be repelled, and the flux remains attached to the lower surface of the mask main body 10 or the inner surface of the through hole 12 It can prevent. The coating layer 50 may be formed on the upper surface of the mask main body 10 or may not be formed on the lower surface of the mask main body 10 between the projecting portions 15 (crosspieces 15 a) between the pattern regions. In short, it is desirable to form the solder ball in a portion where mounting defects of the solder ball are likely to occur when the flux adheres, and when the mask 1 is placed on the workpiece, the mask main body 10 facing the flux 17 applied on the electrode 6 And it is desirable to form on the surface of the projection 15.

なお、各図面は、実際のマスク1の様子を示したものではなく、それを模式的に示している。また、各図面における通孔12の開口寸法やマスク本体10等の厚み寸法等は、図面作成の便宜上、そのような寸法に示したものである。また、図3、図5において、符号15で図示しているのは、突起部15の下端面(先端面)であり、突起部15の根元は図示していない。また、図3、図5においては、コーティング層50は図示していない。   Each drawing does not show the actual state of the mask 1 but schematically shows it. Further, the opening size of the through hole 12 in each drawing, the thickness size of the mask main body 10 and the like, and the like are shown in such a size for the convenience of drawing preparation. Further, in FIGS. 3 and 5, what is illustrated by reference numeral 15 is the lower end surface (tip surface) of the protrusion 15, and the root of the protrusion 15 is not shown. The coating layer 50 is not illustrated in FIGS. 3 and 5.

係るマスク1を用いた半田ボール2の配列作業は、以下のような手順で行われる。なお、この配列作業は、専用の配列装置(特許文献1の図1、図5等を参照)によって行われる。まず、ワーク3の電極6上にフラックス17(図2参照)を印刷塗布する。次に、通孔12と電極6が一致するように、ワーク3上にマスク1を位置合わせしたうえで、マスク1を固定する。かかる位置合わせ作業は、実際には枠体11とワーク3との外周縁を位置合わせすることで行われる。位置合わせ作業が終了すると、該かかる固定状態において、突起部15の下端面がワーク3の表面に当接することで、マスク本体10は、図2、図4、図6に示すようなワーク3との対向間隙が確保された離間姿勢に姿勢保持される。この時、ワーク3の下方に磁石を配置して、この磁石の磁力作用によって、マスク1をワーク3側に吸着させることもできる。   The arranging operation of the solder balls 2 using the mask 1 is performed in the following procedure. This arrangement operation is performed by a dedicated arrangement device (see FIG. 1, FIG. 5, etc. of Patent Document 1). First, the flux 17 (see FIG. 2) is applied by printing on the electrode 6 of the work 3. Next, after the mask 1 is aligned on the work 3 so that the through holes 12 and the electrodes 6 coincide with each other, the mask 1 is fixed. Such alignment work is actually performed by aligning the outer peripheral edges of the frame 11 and the work 3. When the alignment work is completed, the lower end face of the projection 15 abuts on the surface of the work 3 in the fixed state, whereby the mask main body 10 is moved with the work 3 as shown in FIG. 2, FIG. 4 and FIG. The posture is held in the separated posture in which the opposing gap of the two is secured. At this time, a magnet can be disposed below the workpiece 3 and the mask 1 can be attracted to the workpiece 3 by the magnetic action of the magnet.

次に、マスク1上に多数個の半田ボール2を供給し、スキージブラシを用いてマスク1上で半田ボール2を分散させて、通孔12内に一つずつ半田ボール2を投入する。これにて、半田ボール2はフラックス17に仮止め状に粘着保持される。かかるスキージブラシを用いた半田ボール2の投入作業において、スキージブラシ圧がマスク1に大きくかかったとしても突起部15によってマスク1が撓むことを防止でき、投入作業を作業効率良くスムーズに進めることができる。   Next, a large number of solder balls 2 are supplied onto the mask 1, the solder balls 2 are dispersed on the mask 1 using a squeegee brush, and the solder balls 2 are thrown into the through holes 12 one by one. As a result, the solder ball 2 is adhesively held by the flux 17 in a temporarily fixed manner. In the solder ball 2 loading operation using such a squeegee brush, even if the squeegee brush pressure is largely applied to the mask 1, the projection 15 can prevent the mask 1 from being bent, and the loading operation can proceed smoothly and efficiently. Can.

以上のように、本実施形態に係るマスク1によれば、マスク本体10とワーク3との対向間隙を形成する突起部15を備えているので、突起部15によってワーク3との対向間隙を確実に確保でき、通孔12内への半田ボール2の投入作業を効率的に漏れなく進めることが可能となる。   As described above, according to the mask 1 according to the present embodiment, since the projection 15 that forms the facing gap between the mask main body 10 and the work 3 is provided, the facing gap with the work 3 can be assured by the projection 15 It is possible to ensure the operation of inserting the solder balls 2 into the through holes 12 efficiently and without leakage.

マスク本体10の外周縁に補強用の枠体11を設けることができ、マスク本体10をそれ自体に内方に収縮する方向の応力が作用するようなテンションを加えた状態で形成すれば、周囲温度の変化に伴うマスク本体10の膨張分を、当該収縮方向へのテンションで吸収できる。これにて、ワーク3に対するマスク本体10の位置ズレの発生を防ぐことができる。また、マスク本体10の全体に均一なテンションを与えることができるので、ワーク3に対して半田ボール2を位置精度良く搭載させることができる。   The frame 11 for reinforcement can be provided on the outer peripheral edge of the mask main body 10, and if the mask main body 10 is formed in such a tensioned state that the stress in the direction of contracting inward acts on itself, The expansion of the mask body 10 caused by the change in temperature can be absorbed by the tension in the contraction direction. Thereby, the occurrence of positional deviation of the mask body 10 with respect to the work 3 can be prevented. Further, since uniform tension can be applied to the entire mask body 10, the solder balls 2 can be mounted on the work 3 with high positional accuracy.

次に、係る構成の配列用マスク1の製造方法を図7及び図8に示す。まず、例えば、導電性を有するステンレス製や真ちゅう鋼製の母型30の表面にフォトレジスト層31を形成する。このフォトレジスト層31は、ネガタイプの感光性ドライフォトレジストを、所定の高さに合わせて一枚ないし数枚ラミネートして熱圧着により形成した。ついで、図7(a)に示すごとく、フォトレジスト層31の上に、突起部15に対応する透光孔32aを有するパターンフィルム(ガラスマスク)32を密着させたのち、紫外光ランプ33で紫外線光を照射して露光を行い、現像、乾燥の各処理を行って、未露光部分を溶解除去することにより、図7(b)に示すように、先窄まり状の突起部15に対応するレジスト体34aを有する一次パターンレジスト34を母型30上に形成した。この時、紫外線が透過しにくいフォトレジストを用いたり、露光量を弱めたりして、レジスト体34aにテーパを付けることが好ましい。続いて、上記母型30を所定の条件に建浴した電鋳槽に入れ、図7(c)に示すごとく、先のレジスト体34aの高さの範囲内で、母型30のレジスト体34aで覆われていない表面にニッケルや銅等の電着金属を電鋳して、一次電鋳層35を形成した。ここでは、母型30の略全面にわたって、一次電鋳層35を形成した(第一の電鋳工程)。次に、図7(d)に示すごとく、一次パターンレジスト34を除去する。ここで、一次電鋳層35の表面に研磨処理を施しておくと良い。   Next, the manufacturing method of the mask 1 for arrangement | sequence of the structure which concerns is shown in FIG.7 and FIG.8. First, for example, a photoresist layer 31 is formed on the surface of a conductive stainless steel or brass steel base die 30. The photoresist layer 31 is formed by thermocompression bonding by laminating one to several negative-type photosensitive dry photoresists according to a predetermined height. Next, as shown in FIG. 7A, a pattern film (glass mask) 32 having light transmitting holes 32a corresponding to the protrusions 15 is adhered onto the photoresist layer 31, and then ultraviolet light is applied by the ultraviolet light lamp 33. The film is exposed to light, exposed to light, and developed and dried to dissolve and remove the unexposed area, thereby corresponding to the tapered protrusion 15 as shown in FIG. 7B. A primary pattern resist 34 having a resist body 34 a was formed on the mold 30. At this time, it is preferable to make the resist body 34 a tapered by using a photoresist which is hard to transmit ultraviolet light or weakening the exposure amount. Subsequently, the mother die 30 is placed in an electroforming bath prepared under a predetermined condition, and as shown in FIG. 7C, the resist body 34a of the mother die 30 is within the range of the height of the resist body 34a. An electrodeposited metal such as nickel or copper was electroformed on the surface not covered with the above to form a primary electroformed layer 35. Here, the primary electroformed layer 35 was formed over substantially the entire surface of the matrix 30 (first electroforming process). Next, as shown in FIG. 7D, the primary pattern resist 34 is removed. Here, the surface of the primary electroformed layer 35 may be polished.

次いで、図8(a)に示すごとく、一次電鋳層35および母型30の表面の全体に、フォトレジスト層36を形成したうえで、当該フォトレジスト層36の表面に、前記通孔12に対応する透光孔37aを有するパターンフィルム(ガラスマスク)37を密着させたのち、紫外光ランプ33で紫外線光を照射して露光を行い、現像、乾燥の各処理を行って、未露光部分を溶解除去することにより、図8(b)に示すように、マスク本体10に対応するレジスト体38aを有する二次パターンレジスト38を一次電鋳層35の表面に形成した。続いて、所定の条件に建浴した電鋳槽に入れ、図8(c)に示すごとく、先のレジスト体38aの高さの範囲内で、母型30及びのレジスト体38aで覆われていない一次電鋳層35の表面にニッケルや銅等の電着金属を電鋳して、二次電鋳層39を形成した(第二の電鋳工程)。次に、二次パターンレジスト38を溶解除去し、母型30及び一次電鋳層35から二次電鋳層39を剥離する。最後に、マスク本体10下面に対応する二次電鋳層39の母型面側及び通孔12内面に対応する二次電鋳層39の二次パターンレジスト38との対向面にコーティング層50を形成することで、図8(e)および図2に示すようなマスク1を得た。   Next, as shown in FIG. 8A, a photoresist layer 36 is formed on the entire surface of the primary electroformed layer 35 and the matrix 30, and then the holes 12 are formed on the surface of the photoresist layer 36. After the pattern film (glass mask) 37 having the corresponding light transmission holes 37a is brought into close contact, the ultraviolet light is irradiated by the ultraviolet light lamp 33 to perform exposure, development and drying are performed, and the unexposed area is By dissolving and removing, as shown in FIG. 8 (b), a secondary pattern resist 38 having a resist body 38 a corresponding to the mask main body 10 was formed on the surface of the primary electroformed layer 35. Subsequently, it is placed in an electroforming tank built up under predetermined conditions, and as shown in FIG. 8C, it is covered with the matrix 30 and the resist body 38a within the height range of the resist body 38a. An electrodeposited metal such as nickel or copper was electroformed on the surface of the primary electroformed layer 35 to form a secondary electroformed layer 39 (second electroforming process). Next, the secondary pattern resist 38 is dissolved and removed, and the secondary electroformed layer 39 is peeled off from the matrix 30 and the primary electroformed layer 35. Finally, the coating layer 50 is applied to the surface of the secondary electroformed layer 39 corresponding to the lower surface of the mask main body 10 and the inner surface of the through hole 12 and the secondary pattern resist 38 of the secondary electroformed layer 39. By forming, the mask 1 as shown to FIG. 8 (e) and FIG. 2 was obtained.

こうして得られたマスク1に枠体11を装着すれば、図1に示すような配列用マスク1が得られる。マスク1(二次電鋳層39)は、それ自体に内方に収縮する方向の応力が作用するようなテンションを加えた状態で、枠体11に保持することが可能である。かかる応力の付与は、例えば、枠体11とマスク1との熱膨張係数の差を利用して、高温環境下でマスク1の外周縁に枠体11の装着作業を行い、常温時ではマスク1を内方側に収縮させることで実現できる。   If the frame 11 is attached to the mask 1 thus obtained, an alignment mask 1 as shown in FIG. 1 is obtained. The mask 1 (secondary electroformed layer 39) can be held on the frame 11 in a state in which the mask 1 (second electroformed layer 39) is tensioned such that a stress in a direction in which the mask 1 contracts inward acts. To apply such stress, for example, the frame 11 is attached to the outer peripheral edge of the mask 1 under a high temperature environment using the difference between the thermal expansion coefficients of the frame 11 and the mask 1. It can be realized by contracting inward.

以上のようなマスク1の製造方法によれば、電鋳法を用いて高精度に配列用マスクを作製することができるので、半田ボール2を位置精度良くワーク3上に搭載させることができる。また、突起部15を有するマスク1を一回の電鋳(第二の電鋳工程)により、マスク本体10と突起部15とを不離一体に形成するようにすれば、マスク本体10と突起部15とを別体で形成したものに比べて、該突起部15の破損などの不都合が生じるおそれが少なく、信頼性に優れたマスク1を高精度に得ることができる点でも優れている。また、突起部15をマスク本体10の下面に近づくにつれて大きくなるよう先窄まり状に形成すれば、突起部15の特に根元に応力が集中することが回避されるため、突起部15の強度をしっかりと補強できつつ、突起部15をフラックス17が塗布された電極6から離間した状態で電極6間に当接できるので、電極6に塗布されたフラックス17がマスク本体10に付着することによる半田ボール2の搭載不良を防止することができる。この時、突起部15の先端部15’の寸法と根元部15”の寸法との比を1対3以上とすること、突起部15のアスペクト比を3以上とすることでより効果的となる。係る所望の寸法及びアスペクト比を有する突起部15の作製は、レジストパターン35の形状を調整することによって容易に得られる。   According to the manufacturing method of the mask 1 as described above, since the mask for alignment can be manufactured with high accuracy using electroforming, the solder balls 2 can be mounted on the work 3 with high positional accuracy. In addition, when the mask 1 having the protrusions 15 is formed integrally with the mask main body 10 and the protrusions 15 by a single electroforming (second electroforming process), the mask main body 10 and the protrusions can be obtained. As compared with the one in which 15 and 15 are separately formed, there is less possibility that inconveniences such as breakage of the protrusion 15 may occur, and it is also excellent in that the mask 1 having excellent reliability can be obtained with high accuracy. In addition, if the protrusion 15 is formed in a tapered shape so as to increase as it gets closer to the lower surface of the mask main body 10, stress concentration on the root of the protrusion 15 in particular is avoided. Since it is possible to abut between the electrodes 6 in a state in which the protrusions 15 are separated from the electrodes 6 to which the flux 17 is applied while being firmly reinforced, solder by the flux 17 applied to the electrodes 6 adhering to the mask main body 10 Improper mounting of the ball 2 can be prevented. At this time, it is more effective to set the ratio of the dimension of the tip 15 'of the projection 15 to the dimension of the root 15' 'to 1: 3 or more and to set the aspect ratio of the projection 15 to 3 or more. The fabrication of the protrusions 15 having such desired dimensions and aspect ratios can be easily obtained by adjusting the shape of the resist pattern 35.

なお、係る構成のマスク1において、通孔12及び突起部15の形状はストレート状としてもテーパ状としても良い。ここで、通孔12や突起部15をテーパ状とする場合について具体的に説明すると、通孔12においては、マスク本体10のワーク3との対向面側に向かって先窄まり状のテーパを設けることで、半田ボール2を通孔12内に誘い込みやすくなり、マスク本体10のワーク3との対向面側に向かって先拡がり状のテーパを設けることで、マスク本体10のワーク3との対向面側における通孔12周縁にフラックスが付着されることを防止できる。また、突起部15においては、マスク本体10のワーク3との対向面側に向かって先窄まり状のテーパを設けることで、ワーク3上へのマスクの載置をしっかりとすることができ、マスク本体10のワーク3との対向面側に向かって先拡がり状のテーパを設けることで、ワーク3の電極6が狭ピッチに配列された場合であっても、突起部15の強度を確保しつつ、ワーク3上への突起部15の当接をしっかりと対応することができる。かかる形状は、フォトレジスト層31・36の感光度や露光条件を変更することによって容易に得られる。   In the mask 1 having such a configuration, the through holes 12 and the protrusions 15 may be straight or tapered. Here, specifically describing the case where the through hole 12 and the projection 15 are tapered, the through hole 12 has a tapered shape which is tapered toward the surface of the mask main body 10 facing the work 3. By providing the solder ball 2, the solder ball 2 can easily be drawn into the through hole 12, and by providing a taper in the shape of a forward extension toward the surface of the mask body 10 facing the workpiece 3, the mask body 10 faces the workpiece 3. It can prevent that a flux adheres to the through-hole 12 periphery in the surface side. Further, by providing a tapered shape in the projection 15 toward the surface facing the workpiece 3 of the mask main body 10, the mask 15 can be firmly placed on the workpiece 3. By providing a tapered shape toward the surface facing the workpiece 3 of the mask main body 10, the strength of the protrusion 15 is secured even when the electrodes 6 of the workpiece 3 are arranged at a narrow pitch. However, the abutment of the projection 15 on the workpiece 3 can be firmly dealt with. Such a shape can be easily obtained by changing the photosensitivity of the photoresist layers 31 and 36 and the exposure conditions.

(第2実施形態)
次に、第2実施形態に係る配列用マスクについて説明する。本実施形態では、図9に示すように、コーティング層50がマスク本体10下面だけでなく、突起部15の表面にも形成されている。
Second Embodiment
Next, an alignment mask according to the second embodiment will be described. In the present embodiment, as shown in FIG. 9, the coating layer 50 is formed not only on the lower surface of the mask body 10 but also on the surface of the protrusion 15.

本実施形態の配列用マスクによれば、突起部15表面にもコーティング層50が形成されているので、突起部15に対してもフラックスの付着を防止できる。また、マスク本体10下面、通孔12内面、及び突起部15表面にコーティング層50を形成することで、仮に、通孔12内面にフラックスが付着したとしても、フラックスを弾き、マスク本体10下面及び突起部15表面を介してワーク上に流すことができる。また、フラックス17の通孔12への回り込みをより確実に防止できる。   According to the alignment mask of the present embodiment, since the coating layer 50 is also formed on the surface of the protrusion 15, adhesion of the flux to the protrusion 15 can be prevented. Further, by forming the coating layer 50 on the lower surface of the mask body 10, the inner surface of the through hole 12, and the surface of the protrusion 15, even if the flux adheres to the inner surface of the through hole 12, the flux is repelled. It can flow on the work through the surface of the projection 15. Moreover, the wraparound of the flux 17 into the through hole 12 can be more reliably prevented.

さらに、マスク本体10下面及び突起部15表面の全面を覆うようにコーティング層50を形成することで、例えば、マスク本体10と突起部15とを別部材で形成した場合、両者間の接合強度が弱く(これは、バンプの微細化に伴って通孔間隔寸法やパターン領域間隔寸法が狭くなり、通孔間やパターン領域間(パターン領域外周)に配される突起部15自身の外形寸法も小さくなる傾向にあるため、突起部15とマスク本体10との接合面積が小さくなることに起因する)、マスク1使用時に突起部15が不用意に脱落、変形、破損するおそれがあるが、係る構成により、コーティング層50が突起部15の保護層として機能することになるので、突起部15の脱落、変形、破損の防止にも寄与できる。なお、突起部15の脱落、変形、破損を防ぐことに特化したい場合は、スパッタや無電解めっきによって金属層(Ni、Cuなど)を形成してコーティング層50を設けると良い。   Furthermore, by forming the coating layer 50 so as to cover the entire surface of the lower surface of the mask main body 10 and the surface of the protrusion 15, for example, when the mask main body 10 and the protrusion 15 are formed as separate members, It is weak (this means that the through hole spacing dimension and pattern area spacing dimension become narrower as the bumps become finer, and the external dimensions of the protrusions 15 themselves disposed between the through holes and between the pattern areas (pattern area outer periphery) are also smaller (Due to a decrease in the bonding area between the protrusion 15 and the mask body 10)), the protrusion 15 may be inadvertently dropped, deformed or damaged when the mask 1 is used, As a result, the coating layer 50 functions as a protective layer for the protrusions 15, which can also contribute to the prevention of the detachment, deformation, and breakage of the protrusions 15. In addition, in order to specialize in preventing the dropout, deformation, and breakage of the protrusion 15, it is preferable to form the metal layer (Ni, Cu or the like) by sputtering or electroless plating and provide the coating layer 50.

図10及び図11に、本実施形態の配列用マスクの製造方法を示す。まず、図10(a)に示すごとく、母型40を用意する。母型40は導電性を有するものであれば何でも良く、本実施形態ではステンレスを用いた。次いで、母型40の表面にフォトレジスト層を形成し、周知の方法で露光、現像、乾燥の各処理を行って、未露光部分を溶解除去することにより、図10(b)に示すごとく、レジスト体41aを有する一次パターンレジスト41を母型40上に形成した。上記フォトレジスト層は、ネガタイプの感光性ドライフィルムレジストを、所定の高さに合わせて一枚ないし数枚ラミネートして形成した。次いで、上記母型40を所定の条件に建浴した電鋳槽に入れ、図10(c)に示すごとく、先のレジスト体41aの高さと同じ程度に、母型40のレジスト体41aで覆われていない表面に電着金属を電鋳して、一次電着層42を形成した。本実施形態では、Ni−Co電鋳により一次電着層42を形成した。なお、一次電着層42を形成した後に一次電着層42表面に対して、ベルト研摩などといった機械的研摩および/または電解研磨するのが好ましい。次いで、図10(d)に示すごとく、レジスト体41a(レジストパターン41)を溶解除去した。   10 and 11 show a method of manufacturing the alignment mask of this embodiment. First, as shown in FIG. 10A, a mother die 40 is prepared. The mother die 40 may be anything as long as it has conductivity, and stainless steel is used in this embodiment. Next, a photoresist layer is formed on the surface of the mold 40, and exposure, development, and drying processes are performed by a known method to dissolve and remove the unexposed portions, as shown in FIG. A primary pattern resist 41 having a resist body 41 a was formed on a mother die 40. The photoresist layer was formed by laminating one to several negative-type photosensitive dry film resists according to a predetermined height. Next, the mother mold 40 is placed in an electroforming bath prepared under predetermined conditions, and covered with the resist body 41 a of the mother mold 40 to the same extent as the height of the resist body 41 a as shown in FIG. An electrodeposited metal was electroformed on the unexposed surface to form a primary electrodeposited layer 42. In the present embodiment, the primary electrodeposition layer 42 is formed by Ni-Co electroforming. After the formation of the primary electrodeposition layer 42, mechanical polishing such as belt polishing and / or electropolishing is preferably performed on the surface of the primary electrodeposition layer 42. Next, as shown in FIG. 10D, the resist body 41a (resist pattern 41) was dissolved and removed.

次いで、図11(a)に示すごとく、一次電着層42の表面上に、ソルダーレジスト層43を形成した。このソルダーレジスト層43は、所定の高さに合わせて一枚ないし数枚ラミネートして形成した。次いで、露光、現像、乾燥の各処理を行って、未露光部分を溶解除去することにより、図11(b)に示すごとく、レジスト体44aを有する二次パターンレジスト44を一次電着層42上に一体的に形成した。なお、二次パターンレジスト44を形成した後にベーキングなどといった脱落防止処理を行うのが好ましい。これにより、レジスト体44aを有する二次パターンレジスト44と一次電着層42との密着がより強固なものにできる。次いで、図11(c)に示すごとく、母型40から一次電着層42およびその表面に形成された二次パターンレジスト44を剥離する。最後に、一次電着層42の二次パターンレジスト44を有する側の表面および二次パターンレジスト44の表面にコーティング層50を形成することによって、図11(d)及び図9に示す配列用マスク1を得ることができる。なお、コーティング層50は、母型40から一次電着層42および二次パターンレジスト44を剥離する前に形成しても良い。また、コーティング層50は、一次電着層42の二次パターンレジスト44を有する側の表面に限らず、一次電着層42の表面全面に形成しても良い。もちろん、通孔12内面にもコーティング層50を形成しても良い。   Next, as shown in FIG. 11A, a solder resist layer 43 was formed on the surface of the primary electrodeposition layer. The solder resist layer 43 was formed by laminating one or several sheets in accordance with a predetermined height. Next, each process of exposure, development, and drying is performed to dissolve and remove the unexposed area, whereby the secondary pattern resist 44 having the resist body 44a is formed on the primary electrodeposition layer 42, as shown in FIG. Integrally formed. It is preferable to perform a drop prevention process such as baking after the secondary pattern resist 44 is formed. Thereby, the adhesion between the secondary pattern resist 44 having the resist body 44 a and the primary electrodeposition layer 42 can be made stronger. Next, as shown in FIG. 11C, the primary electrodeposition layer 42 and the secondary pattern resist 44 formed on the surface thereof are peeled off from the matrix 40. Finally, a coating layer 50 is formed on the surface of the primary electrodeposition layer 42 on the side having the secondary pattern resist 44 and on the surface of the secondary pattern resist 44 to obtain the alignment mask shown in FIGS. You can get one. The coating layer 50 may be formed before the primary electrodeposition layer 42 and the secondary pattern resist 44 are peeled off from the matrix 40. The coating layer 50 may be formed not only on the surface of the primary electrodeposition layer 42 on the side having the secondary pattern resist 44 but also on the entire surface of the primary electrodeposition layer 42. Of course, the coating layer 50 may be formed on the inner surface of the through hole 12 as well.

次に、第2実施形態に係る配列用マスクの別実施形態について説明する。ここでは、図13(a)に示すように、突起部15が樹脂で形成されたものであって、係る突起部15の表面にコーティング層70が形成されており、コーティング層70の材質として、突起部15の材質とは異なる材質で形成されている。   Next, another embodiment of the alignment mask according to the second embodiment will be described. Here, as shown in FIG. 13A, the protrusion 15 is formed of a resin, and the coating layer 70 is formed on the surface of the protrusion 15 as a material of the coating layer 70. The material of the projection 15 is different from that of the material.

上述のように、本マスクはワークの電極上に半田ボールを搭載するために用いられるものであるが、半田ボールの配列工程(振込搭載)時に、マスクに汚れなどが付着することがあるので、これを除去するために、必要に応じてマスクを洗浄する。マスクを洗浄する場合、溶剤を用いて行うため、この溶剤が突起部を構成する材質表面にベタツキが発生するなどの悪影響が生じる可能性があるが、突起部表面にコーティング層があるために、このような悪影響から防御している。   As described above, this mask is used to mount the solder balls on the electrodes of the work, but dirt and the like may be attached to the mask during the solder ball arranging process (transfer mounting). Clean the mask as needed to remove it. When cleaning the mask, since the solvent is used, the solvent may cause an adverse effect such as stickiness on the surface of the material constituting the projection, but since the surface of the projection has a coating layer, It protects from such an adverse effect.

そこで、本実施形態のマスクは、樹脂で形成した突起部15に対する悪影響を防御するために、の表面にコーティング層70を形成しており、コーティング層70が突起部15を構成する材質(樹脂)とは異なる材質で形成している。コーティング層70としては、上記材質に加え、例えば、アクリル系樹脂を主成分とする感光材で形成することも可能である。   Therefore, in the mask of the present embodiment, the coating layer 70 is formed on the surface of the mask 15 in order to prevent an adverse effect on the protrusions 15 formed of resin, and the material (resin) in which the coating layer 70 constitutes the protrusions 15 And made of a different material. The coating layer 70 can be formed of, for example, a photosensitive material containing an acrylic resin as a main component, in addition to the above materials.

係る配列用マスクの製造方法は、母型の用意から一次電着層を形成してレジスト体を除去するまでは、前述の工程(図10参照)と同様である。次いで、一次電着層42の表面上に、ソルダーレジスト層を形成し、露光、現像、乾燥の各処理を行うことにより、図14(a)に示すごとく、レジスト体60aを有する二次パターンレジスト60を一次電着層42上に一体的に形成した。次いで、図14(b)に示すごとく、二次パターンレジスト60の表面にコーティング層70を形成する。コーティング層70は、アルカリ現像型の感光材であって、主な含有成分は、アクリル樹脂(55〜65%)、硫酸バリウム(15〜25%)、二酸化珪素(15〜25%)である。最後に、母型40から一次電着層42を、その表面に形成された二次パターンレジスト60およびコーティング層70とともに剥離することによって、図14(c)及び図13に示す配列用マスク1を得ることができる。なお、コーティング層70は、一次電着層42の二次パターンレジスト60を有する側の表面にも形成しても良い。また、一次電着層42上に二次パターンレジスト60を形成後、母型40から剥離してからコーティング層70を形成しても良い。こうすることで、一次電着層42の二次パターンレジスト60を有する側の表面だけでなく、一次電着層42の表面全面にコーティング層70を容易に形成することができる。通孔12の内壁にもコーティング層70を形成しても良い。また、二次パターンレジスト60やコーティング層70を形成した後に、ベーキングなどといった脱落防止処理を行うのが好ましい。これにより、一次電着層42と二次パターンレジスト60、および二次パターンレジスト60とコーティング層70の密着がより強固なものにできる。係る脱落防止処理は、二次パターンレジスト60とコーティング層70を形成毎に行っても良いし、二次パターンレジスト60表面にコーティング層70を形成した後に併せて行っても良い。   The manufacturing method of the mask for alignment is the same as the above-mentioned process (see FIG. 10) from the preparation of the matrix to the formation of the primary electrodeposition layer and the removal of the resist body. Next, a solder resist layer is formed on the surface of the primary electrodeposition layer 42, and exposure, development and drying are performed to obtain a secondary pattern resist having a resist body 60a as shown in FIG. 14 (a). 60 was formed integrally on the primary electrodeposition layer 42. Next, as shown in FIG. 14B, a coating layer 70 is formed on the surface of the secondary pattern resist 60. The coating layer 70 is an alkali-developable photosensitive material, and the main components are acrylic resin (55 to 65%), barium sulfate (15 to 25%), and silicon dioxide (15 to 25%). Finally, the primary electrodeposition layer 42 from the matrix 40 is peeled off together with the secondary pattern resist 60 and the coating layer 70 formed on the surface thereof, whereby the alignment mask 1 shown in FIG. 14C and FIG. 13 is obtained. You can get it. The coating layer 70 may also be formed on the surface of the primary electrodeposition layer 42 on which the secondary pattern resist 60 is provided. Alternatively, after forming the secondary pattern resist 60 on the primary electrodeposition layer 42, the coating layer 70 may be formed after peeling off from the matrix 40. In this way, the coating layer 70 can be easily formed not only on the surface of the primary electrodeposition layer 42 on the side having the secondary pattern resist 60 but also on the entire surface of the primary electrodeposition layer 42. The coating layer 70 may be formed on the inner wall of the through hole 12 as well. In addition, after the secondary pattern resist 60 and the coating layer 70 are formed, it is preferable to perform a drop prevention process such as baking. Thereby, the adhesion between the primary electrodeposition layer 42 and the secondary pattern resist 60 and between the secondary pattern resist 60 and the coating layer 70 can be made stronger. The dropout prevention process may be performed each time the secondary pattern resist 60 and the coating layer 70 are formed, or may be performed after forming the coating layer 70 on the surface of the secondary pattern resist 60.

係る製造方法によって得られたマスク1は、洗浄(溶剤)に強いものとなり、突起部15にベタツキが発生することを可及的に防止できる。また、図13(b)に示すように、コーティング層70を突起部15の表面全面を覆うように形成すれば、突起部15の破損・欠落を防止できる。   The mask 1 obtained by the manufacturing method concerned becomes strong to washing (solvent), and it can prevent that stickiness occurs to projection 15 as much as possible. Further, as shown in FIG. 13B, if the coating layer 70 is formed so as to cover the entire surface of the projection 15, damage or omission of the projection 15 can be prevented.

ここで、突起部15とコーティング層70は同じ樹脂同士なので、突起部15とコーティング層70との密着力は強固なものであるが、マスク本体10に突起部15を形成した後(突起部15の表面にコーティング層70を形成する前)に、突起部15を洗浄して突起部15の表面にあえてベタツキを発生させ、その表面にコーティング層70を形成することで、突起部15とコーティング層70との密着力をより強固なものにすることができる。   Here, since the protrusion 15 and the coating layer 70 are the same resin, the adhesion between the protrusion 15 and the coating layer 70 is strong, but after the protrusion 15 is formed on the mask main body 10 (the protrusion 15 Before the coating layer 70 is formed on the surface of the projection 15), the projections 15 are washed to get sticky on the surface of the projections 15, and the coating layer 70 is formed on the surface thereof, thereby forming the projections 15 and the coating layer. The adhesion to 70 can be made stronger.

また、図13(c)に示すように、コーティング層70を形成する材質のみで突起部15を形成することもできる。コーティング層70を形成する材質は、フラックスが付着しにくいものであり、具体的には、アクリル樹脂に硫酸バリウム及び/又は二酸化珪素が含有された樹脂混合物が挙げられる。この樹脂混合物は、耐溶剤性に優れている。これについて具体的に説明すると、係る樹脂混合物で幅寸法が0.2〜3.0mm(0.2mm、0.4mm、0.6mm、0.8mm、1.0mm、2.0mm、3.0mmの計7製品)の突起部をニッケル−コバルト合金からなるマスク本体に設けた各マスクを、洗浄剤(化研テック株式会社製)に6〜24時間(6時間、12時間、24時間の計3回)浸漬させたが、全てのマスクにおいて突起部の剥離がなかったことが確認できた。さらに、係る樹脂混合物は、マスク本体10との相性が良く、密着性が良いので、突起部15の幅寸法を狭くすることが可能である。なお、係る樹脂混合物は硬度があるので(JIS規格の引っかき硬度試験で5H〜6H)、マスク本体の厚さが100μm以下において、突起部の幅寸法を5mmより大きくすると、マスクに反りが発生してしまう恐れがあるので、突起部の幅寸法は5mm以下とするのが好ましい。このように、コーティング層70は、フッ素樹脂、シリコン樹脂、アクリル樹脂などといった材質を主成分として形成されている。そして、係る材質を主成分として突起部15を構成することが可能である。   Further, as shown in FIG. 13C, the protrusions 15 can be formed only of the material for forming the coating layer 70. The material which forms the coating layer 70 is a thing which a flux does not adhere easily, and, specifically, the resin mixture in which barium sulfate and / or silicon dioxide were contained in the acrylic resin is mentioned. This resin mixture is excellent in solvent resistance. This will be specifically described. The width of the resin mixture is 0.2 to 3.0 mm (0.2 mm, 0.4 mm, 0.6 mm, 0.8 mm, 1.0 mm, 2.0 mm, 3.0 mm). Each mask provided on the mask body made of nickel-cobalt alloy with a cleaning agent (manufactured by Kaken Tech Co., Ltd.) for 6 to 24 hours (6 hours, 12 hours, 24 hours) Although it was immersed 3 times, it could be confirmed that there was no peeling of the protrusions in all the masks. Furthermore, since the resin mixture concerned has good compatibility with the mask main body 10 and good adhesion, it is possible to narrow the width dimension of the protrusion 15. Since the resin mixture concerned has hardness (5H to 6H in scratch hardness test according to JIS standard), if the width dimension of the projection is larger than 5 mm when the thickness of the mask main body is 100 μm or less, the mask warps. It is preferable that the width dimension of the projection be 5 mm or less because there is a risk of Thus, the coating layer 70 is formed mainly of a material such as a fluorocarbon resin, a silicon resin, an acrylic resin, or the like. And it is possible to constitute projection part 15 by having the quality of the material concerned as a main component.

上記突起部15を形成する樹脂混合物の主成分は、アクリル樹脂であるが、これに限らず、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリウレタン、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ABS樹脂、AS樹脂、PET樹脂、EVA樹脂、フッ素樹脂、ポリアミド、ポリアセタール、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリフェニレンスルファイド、ポリテトラフロロエチレン、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、非晶ポリアリレート、液晶ポリマー、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリアミドイミドなど(所謂、熱可塑性樹脂)が挙げられる。また、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、アルキド樹脂、ポリウレタンなど(所謂、熱硬化性樹脂)でも良い。   The main component of the resin mixture for forming the protrusion 15 is acrylic resin, but not limited to this, polyethylene, polypropylene, polystyrene, polyurethane, polyvinyl chloride, polyvinyl acetate, ABS resin, AS resin, PET resin, EVA resin, fluorocarbon resin, polyamide, polyacetal, polycarbonate, polyphenylene ether, polyester, polyolefin, polyphenylene sulfide, polytetrafluoroethylene, polysulfone, polyether sulfone, amorphous polyarylate, liquid crystal polymer, polyether ether ketone, polyimide, Polyamide imide etc. (so-called, thermoplastic resin) are mentioned. In addition, phenol resin, epoxy resin, melamine resin, urea resin, alkyd resin, polyurethane and the like (so-called thermosetting resin) may be used.

上記各実施形態において、突起部15(支柱15b)と通孔12の配置は、突起部15(支柱15b)が一つの通孔12を囲むように配置しても良いし、一つの突起部15が通孔12に囲まれるように配置しても良い。一つの通孔12を囲むように突起部15を配置する場合、突起部15の形状は、支柱のように部分的に設けたものに限らず、無端枠状に設けたものでも良い。また、突起部15の形状は、桟15aや円柱に限らず、ひし形・六角形などといった多角形や楕円でも良い。さらに、これら形状においては、図10に示すように、細長形状及び/又は角が丸みを帯びたものが好ましい。このように、これら形状の長手方向・長径方向を一定方向に合わせることで、例えば、マスク1の裏面を洗浄する際に、洗浄手段(布やスポンジなど)が突起部15に引っかかることによる洗浄手段や突起部15が破損するおそれを可及的になくすことができるとともに、スムーズに洗浄することが可能となる。よって、突起部15全ての長手方向・長径方向を一方向に合わせることが望ましい。なお、細長形状とするのはあくまでも突起部15の下端面(先端面)においてであり、突起部15の根元部15bの面においては強度等の点で必ずしも細長形状とする必要はない。   In each of the above-described embodiments, the protrusions 15 (posts 15b) and the through holes 12 may be arranged such that the protrusions 15 (posts 15b) surround one through hole 12 or one protrusion 15 May be arranged so as to be surrounded by the through holes 12. When the protrusions 15 are disposed so as to surround one through hole 12, the shape of the protrusions 15 is not limited to that provided partially like a support, but may be provided in an endless frame shape. Further, the shape of the projection 15 is not limited to the crosspiece 15a or the cylinder, but may be a polygon such as a rhombus or a hexagon or an ellipse. Furthermore, in these shapes, as shown in FIG. 10, it is preferable to have an elongated shape and / or rounded corners. Thus, by aligning the longitudinal direction and major axis direction of these shapes with a fixed direction, for example, when cleaning the back surface of the mask 1, cleaning means (cloth, sponge, etc.) may be caught by the protrusion 15. As a result, the risk of breakage of the projections 15 can be eliminated as much as possible, and smooth cleaning can be achieved. Therefore, it is desirable to match the longitudinal direction and the major axis direction of all the protrusions 15 in one direction. The elongated shape is at the lower end surface (tip surface) of the protrusion 15 and the surface of the root portion 15 b of the protrusion 15 is not necessarily elongated in view of strength and the like.

また、上記各実施形態において、通孔12の内面とマスク本体10及び突起部15の表面とでコーティング層50・70の厚みを異ならせても良い。具体的には、通孔12の内面におけるコーティング層50の厚みをT1、マスク本体10及び突起部15の表面におけるコーティング層50の厚みをT2とした時(図9参照)、T1>T2とすれば、半田ボールの搭載不良を引き起こす通孔12内面へのフラックスの付着をより確実に防ぐことができる。また、コーティング層50を滑りやすい(摩擦が小さい)材質で形成すれば、T1の厚み分だけマスク本体10上面と通孔12内面との境目に滑りやすい領域として現れることになり、T1の厚さが厚ければ厚いほど、該領域が大きくなるので、半田ボール2をスキージブラシでかく時に、スキージブラシや半田ボール2を滑らかに移動させることができ、生産性や作業効率の向上が見込める。そして、T1<T2とすれば、マスク本体10下面に突起部15が別体形成された時に、突起部15の脱落、変形、破損をより確実に防ぐことができる。なお、このコーティング層50の形成方法としては、浸漬方式やスプレー方式など種々の方法があるが、コーティング層50を形成する際は、所望する形成個所以外の部分を保護シートで覆うと良い。また、コーティング層50を厚く形成したい時は、厚くしたい個所を局所的にスプレーしたり、マスク1の浸漬させる方向を異ならせたり(例えば、マスク本体10下面において厚くしたい場合は、マスク本体10下面と浸漬面とを平行にした状態で浸漬させると良く、通孔12内面において厚くしたい場合は、マスク本体10下面と浸漬面とを垂直にした状態で浸漬させると良い)することで実現できる。   In each of the above embodiments, the thickness of the coating layers 50 and 70 may be made different between the inner surface of the through hole 12 and the surface of the mask main body 10 and the protrusion 15. Specifically, when the thickness of the coating layer 50 on the inner surface of the through hole 12 is T1, and the thickness of the coating layer 50 on the surfaces of the mask main body 10 and the protrusion 15 is T2 (see FIG. 9), T1> T2. For example, it is possible to more reliably prevent the adhesion of the flux to the inner surface of the through hole 12 which causes mounting failure of the solder ball. Further, if the coating layer 50 is formed of a slippery (small friction) material, it will appear as a slippery area at the boundary between the upper surface of the mask body 10 and the inner surface of the through hole 12 by the thickness of T1. The thicker the thickness is, the larger the area becomes. Therefore, when the solder ball 2 is scratched with a squeegee brush, the squeegee brush or the solder ball 2 can be moved smoothly, and improvement in productivity and work efficiency can be expected. And if T1 <T2, when the projection 15 is separately formed on the lower surface of the mask main body 10, it is possible to prevent the falling off, the deformation, and the breakage of the projection 15 more reliably. In addition, although there exist various methods, such as a dip coating method and a spray method, as a formation method of this coating layer 50, when forming the coating layer 50, it is good to cover parts other than the formation part to desire with a protective sheet. When the coating layer 50 is to be formed thick, the portion to be thickened is locally sprayed, or the direction in which the mask 1 is immersed is made different (for example, when it is desired to thicken the lower surface of the mask main body 10, the lower surface of the mask main body 10) If it is desirable to make the inner surface of the through hole 12 thicker, it is better to immerse the lower surface of the mask body 10 and the immersion surface in a vertical state).

1 マスク
2 半田ボール
3 ワーク
6 電極
10 マスク本体
12 通孔
15 突起部
15a 桟
15b 支柱
15c 支柱
15d 凸部
15’ 先端部
15” 根元部
30、40 母型
31、36、43 フォトレジスト層(ソルダーレジスト層)
34、41 一次パターンレジスト
34a、41a レジスト体
35、42 一次電着層
38、44、60 二次パターンレジスト
38a、44a レジスト体
39 二次電着層
50、70 コーティング層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 mask 2 solder ball 3 work 6 electrode 10 mask main body 12 through-hole 15 protrusion 15a crosspiece 15b post 15c post 15c convex part 15 'tip 15 "root part 30, 40 matrix 31, 36, 43 photoresist layer (solder Resist layer)
34, 41 primary pattern resist 34a, 41a resist body 35, 42 primary electrodeposited layer 38, 44, 60 secondary pattern resist 38a, 44a resist body 39 secondary electrodeposited layer 50, 70 coating layer

Claims (6)

所定の配列パターンに対応した通孔(12)内に半田ボール(2)を振り込むことで、ワーク(3)上の所定位置に前記半田ボール(2)を搭載する配列用マスクであって、
前記通孔(12)からなるパターン領域が多数形成されたマスク本体(10)と、前記マスク本体(10)の前記ワーク(3)との対向面側に設けられた突起部(15)とを備え、
記マスク本体(10)下面、前記突起部(15)表面、および前記通孔(12)内面に、フラックスの付着を防止できるコーティング層(50)が形成されていることを特徴とする配列用マスク。
An alignment mask which mounts the solder ball (2) at a predetermined position on a work (3) by transferring the solder ball (2) into the through holes (12) corresponding to the predetermined arrangement pattern,
A mask main body (10) in which a large number of pattern areas consisting of the through holes (12) are formed, and a projection (15) provided on the side of the mask main body (10) facing the work (3) Equipped
Before SL mask body (10) lower surface, said projections (15) surface, and the through hole (12) inner surface, a coating layer can prevent flux attachment (50) for sequence, characterized in that is formed mask.
前記マスク本体(10)と前記突起部(15)とが別体で形成されていることを特徴とする請求項1に記載の配列用マスク。   The mask for alignment according to claim 1, wherein the mask body (10) and the projection (15) are separately formed. 前記コーティング層(50)は、前記マスク本体(10)上面に形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の配列用マスク。 The coating layer (50), the sequence mask according to claim 1 or 2, characterized in that it is formed in the mask body (10) upper surface. 前記コーティング層(50)は、1μm以下の厚さで形成されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の配列用マスク。   The alignment mask according to any one of claims 1 to 3, wherein the coating layer (50) is formed with a thickness of 1 μm or less. 通孔(12)からなるパターン領域が多数形成されたマスク本体(10)と、前記マスク本体(10)のワーク(3)との対向面側に設けられた突起部(15)とを備え、記マスク本体(10)下面、前記突起部(15)表面、および前記通孔(12)内面に、フラックスの付着を防止できるコーティング層(50)が形成された配列用マスクの製造方法であって、
母型(40)上に、レジスト体(41a)を有する一次パターンレジスト(41)を形成する工程と、
前記レジスト体(41a)を用いて、前記母型(40)上に、一次電着層(42)を形成する工程と、
前記一次パターンレジスト(41)を除去する工程と、
前記一次電着層(42)上に、レジスト体(44a)を有する二次パターンレジスト(44)を形成する工程と、
前記一次電着層(42)の前記二次パターンレジスト(44)が形成された側の表面、前記二次パターンレジスト(44)の表面、および前記一次電着層(42)の前記レジスト体(41a)と接していた面に、前記コーティング層(50)を形成する工程
とを有することを特徴とする配列用マスクの製造方法。
The mask main body (10) in which a large number of pattern areas consisting of through holes (12) are formed, and a projection (15) provided on the side of the mask main body (10) facing the workpiece (3) before SL mask body (10) lower surface, said projections (15) surface, and the through hole (12) inner surface, a method of manufacturing the array mask coating layer can prevent flux attachment (50) is formed ,
Forming a primary pattern resist (41) having a resist body (41a) on a matrix (40);
Forming a primary electrodeposition layer (42) on the matrix (40) using the resist body (41a);
Removing the primary pattern resist (41);
Forming a secondary pattern resist (44) having a resist body (44a) on the primary electrodeposition layer (42);
The surface of the primary electrodeposition layer (42) on which the secondary pattern resist (44) is formed, the surface of the secondary pattern resist (44), and the resist body of the primary electrodeposition layer (42) Forming the coating layer (50) on the surface which has been in contact with 41a) .
前記コーティング層(50)を形成する工程においては、前記一次電着層(42)の前記二次パターンレジスト(44)が形成された側とは反対側の表面に前記コーティング層(50)を形成することを特徴とする請求項5に記載の配列用マスクの製造方法。 In the step of forming the coating layer (50), the coating layer (50) is formed on the surface of the primary electrodeposition layer (42) opposite to the side on which the secondary pattern resist (44) is formed. The method for manufacturing an alignment mask according to claim 5, wherein
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101699722B1 (en) * 2016-04-15 2017-01-25 정병식 A method of repair SBA TOOL
JP6139764B1 (en) * 2016-09-12 2017-05-31 株式会社ボンマーク Ball array mask and manufacturing method thereof
JP2019206088A (en) * 2018-05-28 2019-12-05 株式会社ボンマーク Mask for alignment of ball and manufacturing method therefor

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05235003A (en) * 1992-02-26 1993-09-10 Fujitsu Ltd Solder bump forming method and mask used therein
JP3453615B2 (en) 2000-04-14 2003-10-06 光陽化学工業株式会社 Positive photoresist composition
JP2004009340A (en) 2002-06-04 2004-01-15 T & K:Kk Metal mask and its producing process
TWI389205B (en) 2005-03-04 2013-03-11 Sanmina Sci Corp Partitioning a via structure using plating resist
JP4221728B2 (en) * 2005-03-11 2009-02-12 日立金属株式会社 Conductive ball arrangement mask and conductive ball arrangement apparatus using the same
JP2007103817A (en) * 2005-10-07 2007-04-19 Citizen Watch Co Ltd Solder ball array mask and method of manufacturing semiconductor device using same
JP2008004775A (en) * 2006-06-22 2008-01-10 Athlete Fa Kk Ball mounting device and its control method
JP2008177264A (en) * 2007-01-17 2008-07-31 Hitachi Metals Ltd Ball transfer mask and ball mounting device using the same
JP5046719B2 (en) * 2007-04-12 2012-10-10 日立マクセル株式会社 Mask for array and manufacturing method thereof
JP2009182068A (en) * 2008-01-30 2009-08-13 Kyushu Hitachi Maxell Ltd Mask for array and method of manufacturing the same
JP2009241301A (en) 2008-03-28 2009-10-22 Mitsubishi Paper Mills Ltd Mask for screen printing
JP5642473B2 (en) * 2010-09-22 2014-12-17 セイコーインスツル株式会社 BGA semiconductor package and manufacturing method thereof
JP2012156325A (en) 2011-01-26 2012-08-16 Ngk Spark Plug Co Ltd Manufacturing method of multilayer wiring board and mask for paste printing
JP5670250B2 (en) 2011-04-18 2015-02-18 イビデン株式会社 LED substrate, light emitting module, device having light emitting module, method for manufacturing LED substrate, method for manufacturing light emitting module, and method for manufacturing device having light emitting module
JP5840446B2 (en) * 2011-10-11 2016-01-06 メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングMerck Patent GmbH Resist pattern surface treatment method and resist pattern forming method using the same
JP2013229577A (en) * 2012-03-26 2013-11-07 Hitachi Maxell Ltd Mask for arrangement
JP2014024239A (en) 2012-07-26 2014-02-06 Canon Inc Recording head and method for manufacturing the same
JP6150500B2 (en) * 2012-11-22 2017-06-21 日立マクセル株式会社 Mask for array

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