JP5156118B2 - Mask for array - Google Patents

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  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)

Description

本発明は、例えば半田バンプを形成するのに用いられる、配列用マスクに関する。 The present invention is used, for example, to form the solder bumps, about the sequence for mask.

半田バンプの形成方法としては、ウエハ・フレキシブル基板・リジッド基板などのワーク上の電極にフラックスを塗布する印刷工程と、フラックス上に半田ボールを配列・搭載する配列工程と、半田ボールを加熱・溶解する加熱工程を経てバンプを形成している。そして、前述の配列工程において、ワーク上に半田ボールを配列する方式としては、マスクを用いた振込方式がある。振込方式では、電子部品の電極の配列パターンに対応して半田ボールが挿通可能な位置決め用の通孔を有する配列用マスク(以下、適宜に単に「マスク」と称す)を用いて、半田ボールをワーク上に搭載させている。具体的には、通孔と電極とが一致するようにワークに対しマスクを位置合わせしたうえで、マスクの上に置かれた半田ボールをスキージやブラシ等で掃引して、各通孔に一つずつ半田ボールを投入する。そして、フラックスに半田ボールを吸着させることにより、ワーク上の所定位置に半田ボールを仮止め的に搭載させている。   The solder bump formation method includes a printing process in which a flux is applied to electrodes on a workpiece such as a wafer, a flexible board, and a rigid board, an arrangement process in which solder balls are arranged and mounted on the flux, and the solder balls are heated and melted. The bump is formed through the heating process. And in the above-mentioned arrangement | positioning process, there exists a transfer system using a mask as a system which arranges a solder ball on a workpiece | work. In the transfer method, solder balls are arranged using an alignment mask (hereinafter, simply referred to as “mask” as appropriate) having positioning through holes into which solder balls can be inserted corresponding to the arrangement pattern of the electrodes of the electronic component. It is mounted on the workpiece. Specifically, after aligning the mask with respect to the workpiece so that the through-holes and the electrodes coincide with each other, the solder balls placed on the mask are swept with a squeegee, a brush, etc. Solder balls one by one. Then, by adsorbing the solder balls to the flux, the solder balls are temporarily mounted at predetermined positions on the workpiece.

係るマスクとしては特許文献1に開示されたものがある。特許文献1に記載のマスクは、通孔を有するマスク本体の下面に多数本の支持用の突起部を設けており、突起部の突出寸法は同一寸法に設定されている。これにより、ワーク上にマスクを設置した際に、全ての支持用の突起部の下端がワークの上面に当接され、通孔を有するマスク本体とワークとの対向間隙が確保されるようになっている。   As such a mask, there is one disclosed in Patent Document 1. The mask described in Patent Document 1 has a large number of supporting protrusions on the lower surface of a mask body having a through hole, and the protrusion dimensions of the protrusions are set to the same dimension. As a result, when the mask is set on the workpiece, the lower ends of all the supporting projections are brought into contact with the upper surface of the workpiece, and a facing gap between the mask body having a through hole and the workpiece is secured. ing.

特開2006−287215号公報JP 2006-287215 A

しかし、近年では電子機器の小型化に伴い、チップ・パッケージにおけるパッド間隔の狭小化が進んできている。このような要求に対応するため、突起部の幅寸法を小さくしたマスクが望まれるが、単に突起部の幅寸法を小さくすれば、突起部の根元の強度が不十分であるため、根元への応力集中により破損しやすいものとなってしまう。
本発明の目的は、上記要求を満足することができる配列用マスクを提供することにある。
However, in recent years, with the miniaturization of electronic devices, the pad interval in the chip package has been narrowed. In order to meet such a demand, a mask with a reduced width of the protrusion is desired. However, if the width of the protrusion is simply reduced, the strength of the base of the protrusion is insufficient. It becomes easy to break due to stress concentration.
An object of the present invention is to provide an arrangement for mask which can satisfy the above requirements.

本発明は、所定の配列パターンに対応した通孔12を有し、この通孔12内に半田ボール2を振り込むことで、ワーク3上の所定位置に半田ボール2を搭載する配列用マスクであって、マスク本体10下面に突起部15を備えており、突起部15の付け根15b幅はマスク本体10の下面に向かうにつれて大きくなっており、突起部15の付け根15bにアールが設けられていることを特徴とする。また、突起部15の下端面が長円形状、楕円形状、角が丸みを帯びた多角形状であることを特徴とする。また、長円形状、楕円形状、角が丸みを帯びた多角形状の長手方向・長径方向を一定方向に合わせていることを特徴とする。また、突起部15は、先端がストレート状となっているとともに、付け根が先端に向けて先窄まり状となっていることを特徴とする。また、突起部15の先端15aにアールが設けられていることを特徴とする。また、突起部15の先端の幅と付け根の幅との比が1対3以上であることを特徴とする。 The present invention is an array mask that has through holes 12 corresponding to a predetermined array pattern and mounts the solder balls 2 at predetermined positions on the work 3 by swinging the solder balls 2 into the through holes 12. The protrusion 15 is provided on the lower surface of the mask body 10, and the base 15 b width of the protrusion 15 increases toward the lower surface of the mask body 10, and the base 15 b of the protrusion 15 is provided with a radius. It is characterized by. Further, the lower end surface of the protrusion 15 is an oval shape, an oval shape, and a polygonal shape with rounded corners. In addition, the longitudinal direction and the major axis direction of an elliptical shape, an elliptical shape, and a polygonal shape with rounded corners are aligned in a certain direction. The protrusion 15 is characterized in that the tip has a straight shape and the root is tapered toward the tip. In addition, a radius is provided at the tip 15 a of the protrusion 15. Further, the ratio between the width of the tip of the protrusion 15 and the width of the root is 1 to 3 or more.

本発明によれば、マスク本体10下面に突起部15を備え、突起部15の付け根15b幅はマスク本体10の下面に向かうにつれて大きくなっており、突起部15の付け根15bにアールが設けられているので、突起部15の付け根の強度が向上し、突起部15の先端を電極6間にしっかりと当接して対応することができ、電極6に塗布されたフラックス17がマスク本体10や突起部15に付着することを回避して、半田ボール2を所望の位置に載置することができる


According to the present invention, the protrusion 15 is provided on the lower surface of the mask body 10, the width of the base 15 b of the protrusion 15 increases toward the lower surface of the mask body 10, and the base 15 b of the protrusion 15 is provided with a radius. Therefore, the strength of the base of the protrusion 15 is improved, the tip of the protrusion 15 can be firmly abutted between the electrodes 6, and the flux 17 applied to the electrode 6 can be applied to the mask body 10 and the protrusions. Thus, the solder ball 2 can be placed at a desired position by avoiding the adhesion to the solder .


本発明の配列用マスクとワークの全体構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the whole structure of the mask for arrangement | sequence of this invention, and a workpiece | work. 本発明の第1実施形態に係る配列用マスクを模式的に示す縦断側面図である。It is a vertical side view which shows typically the mask for arrangement | sequence which concerns on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態に係る配列用マスクの平面図である。It is a top view of the mask for arrangement | sequence which concerns on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態に係る配列用マスクの別実施形態を示す平面図である。It is a top view which shows another embodiment of the mask for arrangement | sequence which concerns on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態に係る配列用マスクの製造方法の説明図である。It is explanatory drawing of the manufacturing method of the mask for arrangement | sequence which concerns on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態に係る配列用マスクの製造方法の説明図である。It is explanatory drawing of the manufacturing method of the mask for arrangement | sequence which concerns on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第2実施形態に係る配列用マスクを模式的に示す縦断側面図である。It is a vertical side view which shows typically the mask for arrangement | sequence which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第2実施形態に係る配列用マスクの製造方法の説明図である。It is explanatory drawing of the manufacturing method of the mask for arrangement | sequence which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第2実施形態に係る配列用マスクの製造方法の説明図である。It is explanatory drawing of the manufacturing method of the mask for arrangement | sequence which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第2実施形態に係る配列用マスクの別の製造方法の説明図である。It is explanatory drawing of another manufacturing method of the mask for arrangement | sequence which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 本発明の別実施形態に係る配列用マスクの部分拡大図である。It is the elements on larger scale of the mask for arrangement | sequence which concerns on another embodiment of this invention. 本発明に係る配列用マスクにおける突起部の下端面形状を示す図である。It is a figure which shows the lower end surface shape of the projection part in the mask for arrangement | sequence which concerns on this invention.

(第1実施形態)
図1乃至図3に、本発明の第1実施形態に係る半田ボールの配列用マスクを示す。この配列用マスク(以下、単にマスクと記す)1は、半田バンプ形成における半田ボール2の配列工程において使用に供されるものである。
図2において、符号3は、マスク1による半田ボール2の搭載対象となるワークを示す。このワーク3は、例えば、ガラスエポキシ基板のベース4に複数個の半導体チップ5を搭載し、ワイヤボンドで配線した後トランスファモールド封止してなるものであり、半導体チップ5を囲むように、ワーク3の上面には、入出力端子である電極6が所定のパターンで形成されている。なお、ワーク3は、バンプの形成後に個片に切断され、個々のLSIチップとされる。
(First embodiment)
1 to 3 show a solder ball arrangement mask according to the first embodiment of the present invention. This arrangement mask (hereinafter simply referred to as a mask) 1 is used in the arrangement process of the solder balls 2 in the formation of solder bumps.
In FIG. 2, reference numeral 3 indicates a work to be mounted with the solder ball 2 by the mask 1. For example, the work 3 is formed by mounting a plurality of semiconductor chips 5 on a base 4 of a glass epoxy substrate, wiring by wire bonding, and sealing with a transfer mold. 3 is formed with an electrode 6 as an input / output terminal in a predetermined pattern. The work 3 is cut into individual pieces after the bumps are formed to form individual LSI chips.

図1に示すように、マスク1は、ニッケルやニッケルコバルト等のニッケル合金、銅やその他の金属を素材として形成されたマスク本体10から成り、このマスク本体10にはこれを囲むように枠体11を装着できる。マスク本体10の盤面中央部には、各半導体チップ5に対応して、半田ボール2を投入するための多数独立の通孔12からなるパターン領域が多数形成されている。
図2に示すように、通孔12は、ワーク3上における各半導体チップ5の電極6の配列位置に対応した配列パターンに対応している。半田ボール2は、50μm以下の半径寸法を有するものであり、これに合わせて各通孔12は、当該ボール2の半径寸法よりも僅かに大きな内径寸法を有する平面視で円形状に形成されている。
As shown in FIG. 1, the mask 1 is composed of a mask main body 10 made of a nickel alloy such as nickel or nickel cobalt, copper or other metal as a raw material, and the mask main body 10 surrounds the frame body. 11 can be installed. In the center of the board surface of the mask main body 10, a large number of pattern regions each including a large number of independent through holes 12 for inserting the solder balls 2 are formed corresponding to the respective semiconductor chips 5.
As shown in FIG. 2, the through holes 12 correspond to an arrangement pattern corresponding to the arrangement positions of the electrodes 6 of the respective semiconductor chips 5 on the workpiece 3. The solder ball 2 has a radial dimension of 50 μm or less, and in accordance with this, each through hole 12 is formed in a circular shape in plan view having an inner diameter dimension slightly larger than the radial dimension of the ball 2. Yes.

マスク本体10には、補強用の枠体11を装着することができる。この枠体11は、アルミ、42アロイ、インバー材、SUS430等の材質からなる平板体であり、その盤面中央に、マスク本体10に対応する一つの四角形状の開口を備えており、本実施形態では、一枚のマスク本体10を一枚の枠体11で保持している。枠体11は、マスク本体10よりも肉厚の成形品であり、マスク本体10の外周縁と不離一体的に接合される。ここでは枠体11の厚み寸法は、例えば0.05〜1.0mm程度とし、本実施形態においては0.5mmに設定した。また、マスク本体10の厚みは、好ましくは10μm以上の範囲として、本実施形態では200μmに設定した。   A reinforcing frame 11 can be attached to the mask body 10. This frame 11 is a flat plate made of a material such as aluminum, 42 alloy, Invar material, SUS430, and the like, and has one rectangular opening corresponding to the mask body 10 at the center of the board surface. Then, one mask body 10 is held by one frame body 11. The frame 11 is a molded product that is thicker than the mask body 10, and is integrally and integrally joined to the outer peripheral edge of the mask body 10. Here, the thickness dimension of the frame 11 is set to, for example, about 0.05 to 1.0 mm, and is set to 0.5 mm in the present embodiment. Further, the thickness of the mask main body 10 is preferably set to 200 μm in this embodiment as a range of 10 μm or more.

図2に示すように、マスク本体10(マスク1)の下面側、すなわちワーク3に対する対向面側には、ワーク3との対向間隙を確保する突起部15が、下方向に突出状に設けられている。突起部15は、配列作業時においてワーク3の上面に当接してマスク本体10とワーク3との対向間隙を確保する。図2および図3に示すように、各々の突起部15は、通孔12間であって、マスク本体10の下面から先窄まるように形成されており、本実施形態では円錐台状を呈している。この突起部15の付け根はマスク本体10の下面の通孔12付近に位置していることが好ましく、本実施形態では、通孔12の内面とマスク本体10の下面との交点に位置している。本マスク1においては、突起部15の高さとマスク本体10の厚みとの比が2対1以上とするのが好ましい。これは、上記マスク本体10の厚さが10〜300μmの範囲内においてこれを満足するようにするのが好ましい。また、突起部15の先端の径L1と付け根の径L2との比が1対3以上であることが好ましい。さらに言えば、突起部15の先端の径と付け根の径と通孔12間の幅との比が1対3対3以上であることが好ましい。また、この突起部15は、アスペクト比(突起部15の高さと先端径との比)が大きいものが好ましく、本実施形態では、アスペクト比3としている。ここで、図3においては、隣り合うパターン領域間には突起部15と同じ高さの凸部を設けて、マスク1をワーク3に載置した時に当接するようにしているが、図4に示すように、隣り合うパターン領域間を凹ませた形態(凸部を設けない形態)であっても良い。これによれば、マスク1をワーク3に対して追随性良く載置することが可能である。なお、図3及び図4において、符号15で図示しているのは突起部15の下端面であり、突起部15の付け根は図示していない。   As shown in FIG. 2, a protrusion 15 is provided on the lower surface side of the mask body 10 (mask 1), that is, the surface facing the workpiece 3, so as to ensure a facing gap with the workpiece 3. ing. The projecting portion 15 abuts against the upper surface of the work 3 at the time of arraying work to ensure a facing gap between the mask main body 10 and the work 3. As shown in FIGS. 2 and 3, each protrusion 15 is formed between the through holes 12 and tapered from the lower surface of the mask body 10. In this embodiment, the protrusion 15 has a truncated cone shape. ing. The base of the projection 15 is preferably located in the vicinity of the through hole 12 on the lower surface of the mask body 10, and in this embodiment, is located at the intersection of the inner surface of the through hole 12 and the lower surface of the mask body 10. . In the present mask 1, it is preferable that the ratio between the height of the protrusion 15 and the thickness of the mask body 10 is 2 to 1 or more. It is preferable to satisfy this when the thickness of the mask body 10 is in the range of 10 to 300 μm. Moreover, it is preferable that the ratio between the diameter L1 of the tip of the protrusion 15 and the diameter L2 of the root is 1: 3 or more. Furthermore, it is preferable that the ratio of the diameter of the tip of the protrusion 15, the diameter of the base, and the width between the through holes 12 is 1 to 3 to 3 or more. The protrusion 15 preferably has a large aspect ratio (ratio between the height of the protrusion 15 and the tip diameter). In this embodiment, the aspect ratio is 3. Here, in FIG. 3, a convex part having the same height as the protrusion 15 is provided between the adjacent pattern regions so as to come into contact when the mask 1 is placed on the work 3, but in FIG. As shown, it may be a form in which adjacent pattern regions are recessed (a form in which no convex part is provided). According to this, it is possible to place the mask 1 on the workpiece 3 with good followability. In FIGS. 3 and 4, what is indicated by reference numeral 15 is the lower end surface of the protruding portion 15, and the root of the protruding portion 15 is not shown.

ここで、図1の斜視図、図2の縦断面図、および図3、図4の平面図は、実際のマスク1の様子を示したものではなく、それを模式的に示している。さらに言うと、図1等における通孔12の開口寸法やマスク本体10等の厚み寸法等は、図面作成の便宜上、そのような寸法に示したものである。   Here, the perspective view of FIG. 1, the longitudinal sectional view of FIG. 2, and the plan views of FIGS. 3 and 4 do not show the actual state of the mask 1, but schematically show it. Further, the opening dimension of the through-hole 12 and the thickness dimension of the mask main body 10 and the like in FIG. 1 and the like are shown in such dimensions for the convenience of drawing.

マスク1を用いた半田ボール2の配列作業は、以下のような手順で行われる。なお、この配列作業は、専用の配列装置(特許文献1の図1、図5等を参照)によって行われる。
まず、ワーク3の電極6上にフラックス17(図2参照)を印刷塗布する。次に、通孔12と電極6とが一致するように、ワーク3上にマスク1を位置合わせしたうえで、マスク1を固定する。かかる位置合わせ作業は、実際には枠体11とワーク3との外周縁を位置合わせすることで行われる。位置合わせ作業が終了すると、ワーク3の下方に磁石を配置して、該かかる固定状態において、突起部15の下端面がワーク3の表面に当接することで、マスク本体10は、図2に示すようなワーク3との対向間隙が確保された離間姿勢に姿勢保持される。ワーク3の表面が僅かにうねっている場合にも、突起部15の下端面をワーク3の表面に当接させて、該ワーク3の表面のうねりに合わせて、マスク本体10を不離一体的に固定することができる。
The operation of arranging the solder balls 2 using the mask 1 is performed in the following procedure. This arrangement work is performed by a dedicated arrangement apparatus (see FIGS. 1 and 5 of Patent Document 1).
First, a flux 17 (see FIG. 2) is printed on the electrode 6 of the work 3. Next, after aligning the mask 1 on the work 3 so that the through-hole 12 and the electrode 6 coincide with each other, the mask 1 is fixed. Such an alignment operation is actually performed by aligning the outer peripheral edges of the frame 11 and the workpiece 3. When the alignment operation is completed, a mask is disposed below the workpiece 3, and the mask body 10 is shown in FIG. The posture is maintained in a separated posture in which a gap facing the workpiece 3 is secured. Even when the surface of the workpiece 3 is slightly wavy, the mask main body 10 is inseparably integrated so that the lower end surface of the projection 15 is brought into contact with the surface of the workpiece 3 to match the waviness of the surface of the workpiece 3. Can be fixed.

次に、マスク1上に多数個の半田ボール2を供給し、スキージブラシを用いてマスク1上で半田ボール2を分散させて、通孔12内に一つずつ半田ボール2を投入する。これにて、半田ボール2はフラックス17に仮止め状に粘着保持される。かかるスキージブラシを用いた半田ボール2の投入作業において、スキージブラシ圧がマスク1に大きくかかったとしても突起部15によってマスク1が撓むことを防止でき、投入作業を作業効率良くスムーズに進めることができる。   Next, a large number of solder balls 2 are supplied onto the mask 1, the solder balls 2 are dispersed on the mask 1 using a squeegee brush, and the solder balls 2 are put into the through holes 12 one by one. As a result, the solder ball 2 is adhered and held to the flux 17 in a temporarily fixed shape. In the charging operation of the solder ball 2 using such a squeegee brush, even if the squeegee brush pressure is applied to the mask 1, the mask 1 can be prevented from being bent by the projections 15, and the charging operation can be performed smoothly and efficiently. Can do.

以上のように本実施形態に係るマスク1によれば、マスク本体10とワーク3との対向間隙を形成する突起部15を備えているので、突起部15によってワーク3との対向間隙を確実に確保でき、通孔12内への半田ボール2の投入作業を効率的に漏れなく進めることが可能となる。   As described above, according to the mask 1 according to the present embodiment, the protrusion 15 that forms the facing gap between the mask main body 10 and the workpiece 3 is provided. This makes it possible to efficiently carry out the operation of putting the solder ball 2 into the through hole 12 without leakage.

マスク本体10の外周縁に、補強用の枠体11を設けることができ、マスク本体10がそれ自体に内方に収縮する方向の応力が作用するようなテンションを加えた状態で形成すれば、周囲温度の変化に伴うマスク本体10の膨張分を、当該収縮方向へのテンションで吸収できる。これにて、ワーク3に対するマスク本体10の位置ズレの発生を防ぐことができる。また、マスク本体10の全体に均一なテンションを与えることができるので、ワーク3に対して半田ボール2を位置精度良く搭載させることができる。   A reinforcing frame 11 can be provided on the outer peripheral edge of the mask body 10, and if the mask body 10 is formed in a state in which tension is applied to the mask body 10 in a direction in which it shrinks inward, The expansion of the mask main body 10 due to the change in the ambient temperature can be absorbed by the tension in the contraction direction. Thereby, it is possible to prevent the positional deviation of the mask main body 10 with respect to the workpiece 3. In addition, since uniform tension can be applied to the entire mask body 10, the solder balls 2 can be mounted on the workpiece 3 with high positional accuracy.

図5及び図6は本実施形態に係る配列用マスク1の製造方法を示す。まず、図5(a)に示すごとく、導電性を有する例えばステンレス製や真ちゅう鋼製の母型30の表面にフォトレジスト層31を形成する。このフォトレジスト層31は、ネガタイプの感光性ドライフォトレジストを、所定の高さに合わせて一枚ないし数枚ラミネートして熱圧着により形成した。ついで、フォトレジスト層31の上に、突起部15に対応する透光孔32aを有するパターンフィルム32(ガラスマスク)を密着させたのち、紫外光ランプ33で紫外線光を照射して露光を行い、現像、乾燥の各処理を行って、未露光部分を溶解除去することにより、図5(b)に示すように、先窄まり状の突起部15に対応するレジスト体34aを有する一次パターンレジスト34を母型30上に形成した。この時、紫外線が透過しにくいフォトレジストを用いたり、露光量を弱めたりして、レジスト体34aにテーパが付いたものが好ましい。   5 and 6 show a method of manufacturing the array mask 1 according to this embodiment. First, as shown in FIG. 5A, a photoresist layer 31 is formed on the surface of a mother mold 30 made of, for example, stainless steel or brass having conductivity. The photoresist layer 31 was formed by laminating one or several negative photosensitive dry photoresists to a predetermined height and then thermocompression bonding. Next, after the pattern film 32 (glass mask) having the light transmitting holes 32a corresponding to the protrusions 15 is brought into close contact with the photoresist layer 31, exposure is performed by irradiating ultraviolet light with the ultraviolet lamp 33, A primary pattern resist 34 having a resist body 34a corresponding to the tapered protrusion 15 as shown in FIG. 5B is obtained by dissolving and removing unexposed portions by performing development and drying processes. Was formed on the matrix 30. At this time, it is preferable that the resist body 34a has a taper by using a photoresist that does not easily transmit ultraviolet rays or by reducing the exposure amount.

続いて、上記母型30を所定の条件に建浴した電鋳槽に入れ、図5(c)に示すごとく、先のレジスト体34aの高さの範囲内で、母型30のレジスト体34aで覆われていない表面にニッケルや銅等の電着金属を電鋳して、一次電鋳層35を形成した。ここでは、母型30の略全面にわたって、一次電鋳層35を形成した(第一の電鋳工程)。次に、図5(d)に示すごとく、一次パターンレジスト34を除去する。ここで、一次電鋳層35の表面に研磨処理を施しておくと良い。   Subsequently, the mother die 30 is put in an electroforming tank bathed under a predetermined condition, and as shown in FIG. 5C, the resist member 34a of the mother die 30 is within the range of the height of the previous resist member 34a. A primary electroformed layer 35 was formed by electroforming an electrodeposited metal such as nickel or copper on the surface not covered with. Here, the primary electroformed layer 35 was formed over substantially the entire surface of the mother die 30 (first electroforming process). Next, as shown in FIG. 5D, the primary pattern resist 34 is removed. Here, it is preferable to polish the surface of the primary electroformed layer 35.

次いで、図6(a)に示すごとく、一次電鋳層35および母型30の表面の全体に、フォトレジスト層36を形成したうえで、当該フォトレジスト層36の表面に、前記通孔12に対応する透光孔37aを有するパターンフィルム37を密着させたのち、紫外光ランプ33で紫外線光を照射して露光を行い、現像、乾燥の各処理を行って、未露光部分を溶解除去することにより、図6(b)に示すように、マスク本体10に対応するレジスト体38aを有する二次パターンレジスト38を一次電鋳層35の表面に形成した。   Next, as shown in FIG. 6A, a photoresist layer 36 is formed on the entire surface of the primary electroformed layer 35 and the mother die 30, and then the through hole 12 is formed on the surface of the photoresist layer 36. After closely contacting the pattern film 37 having the corresponding light transmitting hole 37a, exposure is performed by irradiating ultraviolet light with the ultraviolet lamp 33, and development and drying are performed to dissolve and remove unexposed portions. Thus, as shown in FIG. 6B, a secondary pattern resist 38 having a resist body 38 a corresponding to the mask body 10 was formed on the surface of the primary electroformed layer 35.

続いて、所定の条件に建浴した電鋳槽に入れ、図6(c)に示すごとく、先のレジスト体38aの高さの範囲内で、母型30及びのレジスト体38aで覆われていない一次電鋳層35の表面にニッケルや銅等の電着金属を電鋳して、二次電鋳層39を形成した(第二の電鋳工程)。次に、二次パターンレジスト38を溶解除去したうえで、母型30及び一次電鋳層35から二次電鋳層39を剥離することにより、図6(d)および図2に示すようなマスク1を得た。そして、マスク1に枠体11を装着すれば、図1に示すような配列用マスク1が得られる。   Subsequently, it is placed in an electroforming tank bathed under a predetermined condition, and as shown in FIG. 6C, it is covered with the matrix 30 and the resist body 38a within the range of the height of the previous resist body 38a. A secondary electroformed layer 39 was formed by electroforming an electrodeposited metal such as nickel or copper on the surface of the primary electroformed layer 35 that was not present (second electroforming step). Next, the secondary pattern resist 38 is dissolved and removed, and then the secondary electroformed layer 39 is peeled off from the mother die 30 and the primary electroformed layer 35, whereby a mask as shown in FIG. 6 (d) and FIG. 1 was obtained. If the frame 11 is attached to the mask 1, an array mask 1 as shown in FIG. 1 is obtained.

二次電鋳層39、つまりマスク1は、それ自体に内方に収縮する方向の応力が作用するようなテンションを加えた状態で、枠体11に保持することが可能である。かかる応力の付与は、例えば、枠体11とマスク1との熱膨張係数の差を利用して、高温環境下でマスク1の外周縁に枠体11の装着作業を行い、常温時ではマスク1を内方側に収縮させることで実現できる。   The secondary electroformed layer 39, that is, the mask 1, can be held on the frame body 11 in a state where a tension is applied so that a stress in the direction of shrinking inward acts on the secondary electroformed layer 39. The stress is applied by, for example, using the difference in thermal expansion coefficient between the frame 11 and the mask 1 to perform the mounting work of the frame 11 on the outer peripheral edge of the mask 1 in a high temperature environment. This can be realized by contracting the inward side.

以上のようなマスク1の製造方法によれば、電鋳法により高精度に配列用マスクを作製することができるので、半田ボール2を位置精度良くワーク3上に搭載させることができる。突起部15を有するマスク1を一回の電鋳作業(第二の電鋳工程)により不離一体に形成することができるのですれば、突起部15を後付けする形態に比べて、該突起部15の破損などの不都合が生じるおそれが少なく、信頼性に優れたマスク1を高精度に得ることができる点でも優れている。また、突起部15をマスク本体10の下面に近づくにつれて大きくなるように形成すれば、突起部15の特に付け根(根元)に応力が集中することが回避されるため、突起部15の強度をしっかりと補強できつつ、突起部15をフラックス17が塗布された電極6から離間した状態で電極6間に当接できるので、電極6に塗布されたフラックス17がマスク本体10に付着することによる半田ボール2の搭載不良を防止することができる。これは、突起部15の先端の径と付け根の径との比を1対3以上にすること、突起部15のアスペクト比を3以上とすることでより効果的となる。   According to the manufacturing method of the mask 1 as described above, the arraying mask can be manufactured with high accuracy by the electroforming method, so that the solder balls 2 can be mounted on the workpiece 3 with high positional accuracy. If the mask 1 having the protrusions 15 can be formed in one piece by a single electroforming operation (second electroforming process), the protrusions 15 can be formed as compared with the case where the protrusions 15 are retrofitted. There is little possibility that inconvenience such as breakage occurs, and the mask 1 having excellent reliability can be obtained with high accuracy. Further, if the protrusion 15 is formed so as to increase as it approaches the lower surface of the mask main body 10, it is possible to avoid stress concentration on the root (base) of the protrusion 15, so that the strength of the protrusion 15 is firmly secured. The protrusions 15 can be brought into contact with the electrodes 6 while being separated from the electrodes 6 to which the flux 17 is applied, so that the solder balls formed by the adhesion of the flux 17 applied to the electrodes 6 to the mask body 10 can be achieved. 2 mounting failure can be prevented. This becomes more effective by setting the ratio of the diameter of the tip of the protrusion 15 to the diameter of the root to be 1: 3 or more and setting the aspect ratio of the protrusion 15 to be 3 or more.

また、レジストパターンを調整することによって所望のアスペクト比を有する突起部15が容易に得られる。なお、本実施形態においては、通孔12及び突起部15はストレート状としているが、テーパ状としても良い。かかる形状は、フォトレジスト層31・36の感光度や露光条件を変更することによって得られる。   Further, the protrusion 15 having a desired aspect ratio can be easily obtained by adjusting the resist pattern. In addition, in this embodiment, although the through-hole 12 and the projection part 15 are made straight, it is good also as a taper shape. Such a shape can be obtained by changing the photosensitivity and exposure conditions of the photoresist layers 31 and 36.

(第2実施形態)
次に、第2実施形態に係る配列用マスクについて説明する。本実施形態では、図7に示すように、突起部15はマスクの下面に近づくにつれて径が大きくなる末拡がり形状となっており、突起部15の側面が円弧状となっている。これ以外の点は第1実施形態と基本的に同じなので、第1実施形態と同一の部材には同一の符号を付して、その説明を省略する。
(Second Embodiment)
Next, an array mask according to the second embodiment will be described. In the present embodiment, as shown in FIG. 7, the protrusion 15 has a divergent shape whose diameter increases as it approaches the lower surface of the mask, and the side surface of the protrusion 15 has an arc shape. Since the other points are basically the same as those of the first embodiment, the same members as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.

図8および図9に、本発明の第2実施形態に係る半田ボールの配列用マスクの製造方法を示す。まず、図8(a)に示すごとく、導電性を有する例えばステンレス製や真ちゅう鋼製の母型30の表面にフォトレジスト層31を形成する。このフォトレジスト層31は、ネガタイプの感光性ドライフォトレジストを、所定の高さに合わせて一枚ないし数枚ラミネートして熱圧着により形成した。ついで、フォトレジスト層31の上に、通孔12に対応する透光孔32aを有するパターンフィルム32(ガラスマスク)を密着させたのち、紫外光ランプ33で紫外線光を照射して露光を行い、現像、乾燥の各処理を行って、未露光部分を溶解除去することにより、図8(b)に示すように、通孔12に対応するレジスト体34aを有する一次パターンレジスト34を母型30上に形成した。   8 and 9 show a method for manufacturing a solder ball arrangement mask according to the second embodiment of the present invention. First, as shown in FIG. 8A, a photoresist layer 31 is formed on the surface of a mother mold 30 made of, for example, stainless steel or brass having conductivity. The photoresist layer 31 was formed by laminating one or several negative photosensitive dry photoresists to a predetermined height and then thermocompression bonding. Next, after a pattern film 32 (glass mask) having a light transmitting hole 32a corresponding to the through hole 12 is adhered on the photoresist layer 31, exposure is performed by irradiating ultraviolet light with an ultraviolet light lamp 33, The primary pattern resist 34 having the resist bodies 34a corresponding to the through holes 12 is formed on the matrix 30 as shown in FIG. 8B by performing development and drying processes to dissolve and remove unexposed portions. Formed.

続いて、上記母型30を所定の条件に建浴した電鋳槽に入れ、先のレジスト体34aの高さの範囲内で、母型30のレジスト体34aで覆われていない表面にニッケル等の電着金属を電鋳して、マスク1に対応する一次電鋳層35を母型30の略全面にわたって、一次電鋳層35を形成し、一次電鋳層35の表面に研磨処理を施したのち、図8(c)に示すように、レジスト体34aを溶解除去した。ここまでの工程は、第1実施形態とほぼ同じである。   Subsequently, the mother die 30 is put in an electroforming tank bathed under a predetermined condition, and nickel or the like is formed on the surface not covered with the resist member 34a of the mother die 30 within the range of the height of the previous resist member 34a. Then, a primary electroformed layer 35 corresponding to the mask 1 is formed on the entire surface of the mother die 30, and the surface of the primary electroformed layer 35 is polished. After that, as shown in FIG. 8C, the resist body 34a was dissolved and removed. The steps so far are substantially the same as those in the first embodiment.

次いで、図8(d)に示すように、母型30及び一次電鋳層35の表面にニッケルや銅などといった導電層40をめっきによって形成する。この時、一次電着層35の角部上における導電層40は、円弧状に形成される。かくして、側面が円弧状の突起部に対応するパターンが得られる。なお、円弧状部分の曲率は、導電層40の厚みを調整することによって所望のアールが得られる。また、導電層40を形成する工程は、一次電鋳層35上に後述する二次レジストパターン38を形成した後に行っても良い。なおここで、導電層40を形成することによって、この導電層40が剥離層として機能するので、第1実施形態のように母型30上に二次電鋳層35を直接形成するのに比べ、母型30から二次電鋳層35の剥離が容易となる。マスク1は、二次電鋳層35と導電層40とが一体的に積層してなるものでも良いが、導電層40は除去する方が好ましいので、二次電鋳層35の剥離をさらに容易にするため、母型30上にストライクめっきといった密着処理を施すことにより、導電層40が母型30に固着されるため、二次電鋳層35の剥離がより容易となる。   Next, as shown in FIG. 8D, a conductive layer 40 such as nickel or copper is formed on the surface of the mother die 30 and the primary electroformed layer 35 by plating. At this time, the conductive layer 40 on the corner of the primary electrodeposition layer 35 is formed in an arc shape. Thus, a pattern corresponding to a protrusion having an arcuate side surface is obtained. The curvature of the arc-shaped portion can be obtained by adjusting the thickness of the conductive layer 40. Further, the step of forming the conductive layer 40 may be performed after forming a secondary resist pattern 38 to be described later on the primary electroformed layer 35. Here, since the conductive layer 40 functions as a peeling layer by forming the conductive layer 40, it is compared with the case where the secondary electroformed layer 35 is directly formed on the mother die 30 as in the first embodiment. In addition, the secondary electroformed layer 35 can be easily peeled from the mother die 30. The mask 1 may be formed by integrally laminating the secondary electroformed layer 35 and the conductive layer 40, but it is preferable to remove the conductive layer 40, so that the secondary electroformed layer 35 can be more easily separated. Therefore, by performing an adhesion treatment such as strike plating on the mother die 30, the conductive layer 40 is fixed to the mother die 30, so that the secondary electroformed layer 35 can be more easily separated.

次に、図9(a)に示すように、導電層40の表面上に、フォトレジスト層36を形成したうえで、当該フォトレジスト層36の表面に、前記通孔12に対応する透光孔37aを有するパターンフィルム37を密着させたのち、紫外光ランプ33で紫外線光を照射して露光を行い、現像、乾燥の各処理を行って、未露光部分を溶解除去することにより、図9(b)に示すように、レジスト体38aを有する二次パターンレジスト38を導電層40の表面に形成した。次いで、所定の条件に建浴した電鋳槽に入れ、図9(c)に示すように、先のレジスト体38aの高さの範囲内で、レジスト体38aで覆われていない導電層40の表面にニッケルや銅等の電着金属を電鋳して、二次電鋳層39を形成した(第二の電鋳工程)。最後に、二次パターンレジスト38を除去するとともに、母型30、一次電鋳層35、及び導電層40から二次電鋳層39を剥離することにより、図9(d)および図7に示すようなマスク1が得られる。   Next, as shown in FIG. 9A, a photoresist layer 36 is formed on the surface of the conductive layer 40, and a light transmitting hole corresponding to the through hole 12 is formed on the surface of the photoresist layer 36. After the pattern film 37 having 37a is adhered, exposure is performed by irradiating ultraviolet light with an ultraviolet lamp 33, development and drying are performed, and unexposed portions are dissolved and removed. As shown in b), a secondary pattern resist 38 having a resist body 38 a was formed on the surface of the conductive layer 40. Next, it is put into an electroforming tank bathed under a predetermined condition, and as shown in FIG. 9C, the conductive layer 40 not covered with the resist body 38a is within the height range of the previous resist body 38a. Electrodeposited metal such as nickel or copper was electroformed on the surface to form a secondary electroformed layer 39 (second electroforming process). Finally, the secondary pattern resist 38 is removed, and the secondary electroformed layer 39 is peeled off from the mother die 30, the primary electroformed layer 35, and the conductive layer 40, as shown in FIG. 9D and FIG. Such a mask 1 is obtained.

このように、本実施形態のマスクは、母型30及び一次電鋳層35上に導電層40を形成することで通孔内面12aとマスク本体下面10aとの交点を付け根15bとし、先端にいくにつれて窄まっていく先窄まり形状であって、側面が円弧状の突起部15を容易に形成することができる。これにより、突起部15の特に根元に応力が集中することにより生じる破損を防止できる。これに加えて、マスク1をワーク3に載置した際に、仮に突起部15にフラックス17が付着したとしても、突起部15の側面が円弧となっていることにより、フラックス17の通孔12への回り込みを防止できるので、通孔12にフラックス17が付着することによる半田ボール2の搭載不良を招くおそれをなくすことができる。なお、突起部15の付け根15bの位置については、図7(a)に示すような、マスク本体下面10aと通孔内面12aとの交点に位置しているものに限らず、図7(b)に示すように、マスク本体下面10a上の通孔12から十分距離をとった(離間された)位置であっても、図7(c)に示すように、マスク本体下面10a上の通孔12から微小な間隙をとった位置であっても良い。また、突起部15の側面は、凸状円弧でも凹状円弧でもどちらでも良く、凸状円弧とすれば、強度の良いものに、凹状円弧とすれば、突起部15側面のどの位置においても、フラックス17が付着された電極6に近づく部分がない、つまり、フラックス17が付着された電極6から一定距離を保った状態となって良い。また、図7(a)の突起部15の拡大図に示すように、突起部15の側面や付け根15bだけでなく、先端15aにも所望のアールを設けてあっても良い。これは、導電層40の厚みを調整することで実現でき、これにより、突起部15のワーク3への接触面積をより小さくすることができ、突起部15にフラックス17が付着するおそれが可及的に減少する。このように、突起部15の先端15a及び/又は付け根15bにアールを設けることで、上記効果が得られる。ここで、特に突起部15の付け根15bにおいて、直線に限りなく近い程に曲率が小さい円弧で形成されているものももちろん含まれる。この突起部15は、ストレート状と先窄まり状とを組み合わせた形状であっても良い。   As described above, the mask of this embodiment forms the conductive layer 40 on the master mold 30 and the primary electroformed layer 35, thereby forming the intersection 15 between the inner surface 12a of the through hole and the lower surface 10a of the mask main body as a root 15b and going to the tip. Accordingly, it is possible to easily form the projecting portion 15 that has a tapered shape that is gradually narrowed as the side surface is arcuate. Thereby, the damage which arises when stress concentrates especially on the root of the projection part 15 can be prevented. In addition to this, even when the flux 17 adheres to the projection 15 when the mask 1 is placed on the workpiece 3, the side surface of the projection 15 has an arc, so that the through-hole 12 of the flux 17 is provided. Since the flux 17 adheres to the through hole 12, it is possible to eliminate the possibility of causing a mounting failure of the solder ball 2. The position of the base 15b of the protrusion 15 is not limited to the position at the intersection of the mask main body lower surface 10a and the through hole inner surface 12a as shown in FIG. As shown in FIG. 7, the through-holes 12 on the mask main body lower surface 10 a as shown in FIG. 7C, even at positions that are sufficiently spaced (separated) from the through-holes 12 on the mask main body lower surface 10 a. It may be a position where a minute gap is taken. Further, the side surface of the projection 15 may be either a convex arc or a concave arc, and if it is a convex arc, the strength is good, and if it is a concave arc, the flux is at any position on the side of the projection 15. There may be no portion approaching the electrode 6 to which 17 is attached, that is, a state where a certain distance is maintained from the electrode 6 to which the flux 17 is attached. Moreover, as shown in the enlarged view of the protrusion 15 in FIG. 7A, a desired radius may be provided not only on the side surface and the base 15b of the protrusion 15 but also on the tip 15a. This can be realized by adjusting the thickness of the conductive layer 40, whereby the contact area of the protrusion 15 to the work 3 can be further reduced, and the possibility that the flux 17 adheres to the protrusion 15 is possible. Decrease. Thus, the above-mentioned effect can be obtained by providing a radius at the tip 15a and / or the root 15b of the protrusion 15. Here, of course, the base 15b of the protrusion 15 includes, as a matter of course, an arc having a small curvature as close as possible to a straight line. The protrusion 15 may have a shape combining a straight shape and a tapered shape.

上記実施形態においては、突起部15が一体となったマスク1としているが、突起部15が別部材で一体的に形成されたものでも良い。これは、上記マスクにおいて、例えば、突起部15を銅やアルミ等といった非磁性体で形成すれば、上述したように磁石の磁力吸引力によってワーク3にマスク1を固定する場合に、マスク1に対して磁力が均一に働くことになるので、マスク1が不用意に撓むおそれがなく、電極6に対する通孔12の位置精度を向上することができる。係るマスク1は、第二の電鋳工程(図6(c)、図9(c)参照)において、突起部15のパターンに対応する一次電鋳層35の高さと同等にまでは、非磁性体金属をめっき等によって形成し、その後他は鉄、ニッケル、ニッケル−コバルト等といった磁性体の金属を電鋳等によって形成することで製造することができる。   In the above-described embodiment, the mask 1 is integrally formed with the protrusion 15, but the protrusion 15 may be integrally formed with another member. In the mask, for example, if the protrusion 15 is formed of a nonmagnetic material such as copper or aluminum, the mask 1 is fixed to the mask 1 when the mask 1 is fixed to the work 3 by the magnetic attractive force of the magnet as described above. On the other hand, since the magnetic force acts uniformly, the mask 1 is not inadvertently bent, and the positional accuracy of the through hole 12 with respect to the electrode 6 can be improved. Such a mask 1 is nonmagnetic in the second electroforming process (see FIGS. 6C and 9C) until the height of the primary electroformed layer 35 corresponding to the pattern of the protrusions 15 is equal. The body metal can be formed by plating or the like, and the others can be manufactured by forming a magnetic metal such as iron, nickel, nickel-cobalt or the like by electroforming or the like.

また、突起部15を非磁性体で形成するものにおいて、金属に限らず樹脂によって形成したものでも良い。係るマスク1の製造方法は、図8及び図9において、図8(a)〜図8(d)に示す工程までは同じであり、次いで、導電層40の表面上に、フォトレジスト層を形成したうえで、当該フォトレジスト層の表面に、前記突起部15に対応する透光孔を有するパターンフィルムを密着させたのち、紫外光ランプで紫外線光を照射して露光を行い、現像、乾燥の各処理を行って、未露光部分を溶解除去することにより、若しくは、液状の樹脂を前記突起部15に対応する部分に埋め込んで硬化させることにより、図10(a)に示すように、レジスト体41aを有する二次パターンレジスト41を導電層40の表面に形成した。続いて、導電層40及び二次パターンレジスト41の表面上に、フォトレジスト層を形成したうえで、当該フォトレジスト層の表面に、前記通孔12に対応する透光孔を有するパターンフィルムを密着させたのち、紫外光ランプで紫外線光を照射して露光を行い、現像、乾燥の各処理を行って、未露光部分を溶解除去することにより、図10(b)に示すように、レジスト体42aを有する三次パターンレジスト42を導電層40の表面に形成した。なお、二次パターンレジスト41は、先に三次パターンレジスト42を形成した後に形成しても良いし、二次パターンレジスト41及び三次パターンレジスト42は同時に形成しても良い。   Further, in the case where the protrusion 15 is formed of a non-magnetic material, it is not limited to metal but may be formed of resin. The manufacturing method of the mask 1 is the same as that shown in FIGS. 8A to 8D in FIGS. 8 and 9, and then a photoresist layer is formed on the surface of the conductive layer 40. In addition, after a pattern film having a light transmitting hole corresponding to the protrusion 15 is brought into close contact with the surface of the photoresist layer, exposure is performed by irradiating ultraviolet light with an ultraviolet lamp, and development and drying are performed. As shown in FIG. 10 (a), each process is performed to dissolve and remove the unexposed portions, or by embedding and curing a liquid resin in the portions corresponding to the protrusions 15. A secondary pattern resist 41 having 41 a was formed on the surface of the conductive layer 40. Subsequently, after forming a photoresist layer on the surface of the conductive layer 40 and the secondary pattern resist 41, a pattern film having a light transmitting hole corresponding to the through hole 12 is adhered to the surface of the photoresist layer. Then, exposure is performed by irradiating with ultraviolet light with an ultraviolet lamp, development and drying are performed, and unexposed portions are dissolved and removed, so that a resist body is obtained as shown in FIG. A tertiary pattern resist 42 having 42 a was formed on the surface of the conductive layer 40. Note that the secondary pattern resist 41 may be formed after the tertiary pattern resist 42 is formed first, or the secondary pattern resist 41 and the tertiary pattern resist 42 may be formed simultaneously.

その後は、好ましくは三次パターンレジスト42で覆われていない導電層40及び二次パターンレジスト41の表面に密着処理を施すとともに、少なくとも二次パターンレジスト41の表面に蒸着やスパッタなどにより導電層を付与してから、所定の条件に建浴した電鋳槽に入れ、図10(c)に示すように、先のレジスト体42aの高さの範囲内で、レジスト体42aで覆われていない導電層40及びレジスト体41aの表面にニッケルや銅等の電着金属を電鋳して、二次電鋳層43を形成した(第二の電鋳工程)。最後に、三次パターンレジスト42を除去するとともに、母型30、一次電鋳層35、及び導電層40から二次電鋳層43を剥離することにより、図10(d)に示すようなマスク1を得ることができる。もちろん、蒸着やスパッタなどのみによってマスク1を形成することもできる。   Thereafter, the surface of the conductive layer 40 and the secondary pattern resist 41 that are preferably not covered with the tertiary pattern resist 42 is subjected to an adhesion treatment, and at least the surface of the secondary pattern resist 41 is provided with a conductive layer by vapor deposition or sputtering. Then, it is put into an electroforming tank bathed under a predetermined condition, and as shown in FIG. 10C, the conductive layer not covered with the resist body 42a within the height range of the previous resist body 42a. Electrodeposition metal such as nickel or copper was electroformed on the surface of 40 and the resist body 41a to form a secondary electroformed layer 43 (second electroforming step). Finally, the tertiary pattern resist 42 is removed, and the secondary electroformed layer 43 is peeled off from the mother die 30, the primary electroformed layer 35, and the conductive layer 40, whereby the mask 1 as shown in FIG. Can be obtained. Of course, the mask 1 can also be formed only by vapor deposition or sputtering.

このように、突起部15を非磁性体である樹脂で形成すれば、当該樹脂の弾力性に由来するクッション作用が発揮され、突起部15がワーク3に当接した際に、ワーク3が損傷するおそれが少なくなる。この効果を顕著に奏するために、マスク1においては、突起部15だけでなく、ワーク3と当接する部分の全てを樹脂で形成するのが好ましい。これによって、マスク1に対して磁力が均一に働くことにもなるので、マスク1が不用意に撓むおそれがなく、電極6に対する通孔12の位置精度を向上させることもできる。   Thus, if the projection 15 is formed of a resin that is a non-magnetic material, a cushioning action derived from the elasticity of the resin is exhibited, and the workpiece 3 is damaged when the projection 15 contacts the workpiece 3. The risk of doing so is reduced. In order to achieve this effect remarkably, in the mask 1, it is preferable to form not only the protrusions 15 but also all of the portions that come into contact with the work 3 with resin. As a result, the magnetic force acts uniformly on the mask 1, so that the mask 1 is not inadvertently bent and the positional accuracy of the through-hole 12 with respect to the electrode 6 can be improved.

上記製造方法にて得られたマスク1に枠体11を設ける場合、接着レジストであるソルダーレジストの粘着性を利用して、枠体11を形成することができる。よって、別途接着剤等により枠体11を貼り付ける形態に比べて、マスクの生産工程が少なくて済み、マスクの製造コストの削減化に貢献できる。また、この製造方法では、ソルダーレジストを変質させて突起部15としているため、非磁性体の突起部15を有するマスクを生産効率良く形成できる点でも優れている。   When the frame 11 is provided on the mask 1 obtained by the above manufacturing method, the frame 11 can be formed by utilizing the adhesiveness of a solder resist that is an adhesive resist. Therefore, the mask production process can be reduced as compared with the case where the frame body 11 is separately attached with an adhesive or the like, which can contribute to the reduction of the manufacturing cost of the mask. Further, in this manufacturing method, since the solder resist is altered to form the protrusions 15, it is excellent in that a mask having the nonmagnetic protrusions 15 can be formed with high production efficiency.

本発明における突起部15は、一次レジストパターン34によって所望の形状を、また導電層40によって任意のアールを設けることが可能である。なお、上記実施形態においては、突起部15と通孔12の配置は、図11(a)に示すような形態となっているが、これに限らず、通孔12を電極6に対応する位置に形成しつつ、図11(b)〜図11(d)に示すように、突起部15が一つの通孔12を囲むように、一つの突起部15が通孔12に囲まれるように配置しても良い(図11では、通孔12と突起部15の先端面との配置関係を示しており、突起部15の付け根15bは図示していない)。また、突起部15の下端面の形状は円に限らず、ひし形・六角形などといった多角形や楕円でも良い。さらに、これら形状においては、細長形状及び/又は角が丸みを帯びたものが好ましい(図12(a)〜(h)参照)。このように、これら形状の長手方向・長径方向を一定方向に合わせることで、例えば、マスク1の裏面を洗浄する際に、洗浄手段(布やスポンジなど)が突起部15に引っかかることによる洗浄手段や突起部15が破損するおそれを可及的になくすことができるとともに、スムーズに洗浄することが可能となる。よって、突起部15全ての長手方向・長径方向を一方向に合わせることが望ましい。なお、細長形状とするのはあくまでも突起部15の下端(先端)面においてであり、突起部15の付け根15bの面においては強度等の点で必ずしも細長形状とする必要はない。   The protrusion 15 in the present invention can be provided with a desired shape by the primary resist pattern 34 and an arbitrary radius by the conductive layer 40. In addition, in the said embodiment, although arrangement | positioning of the projection part 15 and the through-hole 12 becomes a form as shown to Fig.11 (a), it is not restricted to this, The position corresponding to the electrode 6 at the through-hole 12 11 (b) to FIG. 11 (d), the projection 15 is surrounded by the through-hole 12 so that the projection 15 surrounds the single through-hole 12. Alternatively, FIG. 11 shows the positional relationship between the through-hole 12 and the tip end surface of the protruding portion 15, and the base 15b of the protruding portion 15 is not shown. The shape of the lower end surface of the protrusion 15 is not limited to a circle, but may be a polygon such as a rhombus or a hexagon, or an ellipse. Furthermore, in these shapes, those having an elongated shape and / or rounded corners are preferable (see FIGS. 12A to 12H). In this way, by adjusting the longitudinal direction and the major axis direction of these shapes to a certain direction, for example, when the back surface of the mask 1 is cleaned, the cleaning unit (cloth, sponge, etc.) is caught by the protrusion 15. In addition, it is possible to eliminate as much as possible the risk of breakage of the projections 15 and smooth cleaning. Therefore, it is desirable to match the longitudinal direction and the major axis direction of all the protrusions 15 in one direction. Note that the elongated shape is only on the lower end (tip) surface of the protrusion 15, and the surface of the base 15 b of the protrusion 15 does not necessarily have an elongated shape in terms of strength and the like.

1 マスク
2 半田ボール
3 ワーク
6 電極
10 マスク本体
12 通孔
15 突起部
15a 先端部
15b 付け根部
30 母型
31 フォトレジスト層
34 一次パターンレジスト
34a レジスト体
35 一次電鋳層
36 フォトレジスト層
38 二次パターンレジスト
38a レジスト体
39 二次電鋳層
40 導電層
41 二次パターンレジスト
41a レジスト体
42 三次パターンレジスト
42a レジスト体
43 二次電鋳層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Mask 2 Solder ball 3 Work piece 6 Electrode 10 Mask main body 12 Through-hole 15 Protrusion part 15a Tip part 15b Base part 30 Master mold 31 Photoresist layer 34 Primary pattern resist 34a Resist body 35 Primary electroformed layer 36 Photoresist layer 38 Secondary Pattern resist 38a Resist body 39 Secondary electroformed layer 40 Conductive layer 41 Secondary pattern resist 41a Resist body 42 Tertiary pattern resist 42a Resist body 43 Secondary electroformed layer

Claims (6)

所定の配列パターンに対応した通孔(12)を有し、この通孔(12)内に半田ボール(2)を振り込むことで、ワーク(3)上の所定位置に半田ボール(2)を搭載する配列用マスクであって、
マスク本体(10)下面に突起部(15)を備えており、突起部(15)の付け根(15b)幅はマスク本体(10)の下面に向かうにつれて大きくなっており、突起部(15)の付け根(15b)にアールが設けられていることを特徴とする配列用マスク。
A through hole (12) corresponding to a predetermined arrangement pattern is provided, and the solder ball (2) is mounted in a predetermined position on the work (3) by swinging the solder ball (2) into the through hole (12). A mask for the array,
A protrusion (15) is provided on the lower surface of the mask body (10), and the base (15b) width of the protrusion (15) increases toward the lower surface of the mask body (10 ). An array mask , wherein a radius is provided at the base (15b) .
前記突起部(15)の下端面が長円形状、楕円形状、角が丸みを帯びた多角形状であることを特徴とする請求項1に記載の配列用マスク。2. The array mask according to claim 1, wherein a lower end surface of the projecting portion is an oval shape, an oval shape, and a polygonal shape with rounded corners. 長円形状、楕円形状、角が丸みを帯びた多角形状の長手方向・長径方向を一定方向に合わせていることを特徴とする請求項2に記載の配列用マスク。3. The array mask according to claim 2, wherein the longitudinal direction and the major axis direction of an elliptical shape, an elliptical shape, and a polygonal shape with rounded corners are aligned in a certain direction. 前記突起部(15)は、先端がストレート状となっているとともに、付け根が先端に向けて先窄まり状となっていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の配列用マスク。The array of any one of claims 1 to 3, wherein the protrusion (15) has a straight tip and a root that is tapered toward the tip. mask. 前記突起部(15)の先端(15a)にアールが設けられていることを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の配列用マスク。The array mask according to any one of claims 1 to 4, wherein a radius is provided at a tip (15a) of the projection (15). 前記突起部(15)の先端の幅と付け根の幅との比が1対3以上であることを特徴とする請求項1ないし5のいずれかに記載の配列用マスク。The array mask according to any one of claims 1 to 5, wherein the ratio of the width of the tip of the protrusion (15) to the width of the base is 1 to 3 or more.
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