JP2022126740A - Mask for arrangement - Google Patents

Mask for arrangement Download PDF

Info

Publication number
JP2022126740A
JP2022126740A JP2022096577A JP2022096577A JP2022126740A JP 2022126740 A JP2022126740 A JP 2022126740A JP 2022096577 A JP2022096577 A JP 2022096577A JP 2022096577 A JP2022096577 A JP 2022096577A JP 2022126740 A JP2022126740 A JP 2022126740A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mask
coating layer
protrusion
layer
workpiece
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2022096577A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP7326541B2 (en
Inventor
良弘 小林
Yoshihiro Kobayashi
裕仁 田丸
Hirohito Tamaru
貴士 中島
Takashi Nakajima
樹一郎 石川
Kiichiro Ishikawa
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Maxell Ltd
Original Assignee
Maxell Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=55352866&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JP2022126740(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Maxell Ltd filed Critical Maxell Ltd
Publication of JP2022126740A publication Critical patent/JP2022126740A/en
Priority to JP2023126113A priority Critical patent/JP2023143968A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP7326541B2 publication Critical patent/JP7326541B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11Manufacturing methods

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a mask for arrangement which can prevent mounting failure of a solder ball.
SOLUTION: A mask for arrangement mounts a solder ball 2 at predetermined position on workpiece 3 by pouring the solder ball 2 into a through hole 12 corresponding to a predetermined arrangement pattern, and includes a mask body 10 in which the through hole 12 is formed. At least a squeegee surface of the mask body 10 is provided with a coating layer made of a material with low friction.
SELECTED DRAWING: Figure 9
COPYRIGHT: (C)2022,JPO&INPIT

Description

本発明は、例えば半田バンプを形成するのに用いられる、配列用マスクに関する。 The present invention relates to an alignment mask used, for example, to form solder bumps.

半田バンプの形成方法としては、ウエハ・フレキシブル基板・リジッド基板などのワーク上の電極にフラックスを塗布する印刷工程と、フラックス上に半田ボールを配列する配列工程と、半田ボールを加熱・溶解する加熱工程を経てバンプを形成している。そして、前述の配列工程において、ワーク上に半田ボールを配列する方式としては、マスクを用いた振込方式がある。振込方式では、ワークの電極の配列パターンに対応して半田ボールが挿通可能な位置決め用の通孔を有する配列用マスク(以下、適宜に単に「マスク」と称す)を用いて、半田ボールをワークの電極上に搭載させている。具体的には、通孔と電極とが一致するようにワークに対しマスクを位置合わせしたうえで、マスクの上に供給された半田ボールをスキージやブラシ等で掃引して、各通孔に一つずつ半田ボールを投入する。そして、フラックスに半田ボールを固着させることにより、ワーク上の所定位置に半田ボールを仮止め的に搭載させている。 Solder bump formation methods include a printing process that applies flux to electrodes on workpieces such as wafers, flexible boards, and rigid boards, an arrangement process that arranges solder balls on the flux, and a heating process that heats and melts the solder balls. Bumps are formed through processes. In the arranging process described above, there is a transferring method using a mask as a method of arranging the solder balls on the workpiece. In the transfer method, an array mask (hereinafter simply referred to as a "mask") having through-holes for positioning through which the solder balls can be inserted corresponding to the array pattern of the electrodes of the work is used to transfer the solder balls to the work. It is mounted on the electrode of Specifically, after aligning the mask with the workpiece so that the through holes and the electrodes are aligned, the solder balls supplied on the mask are swept with a squeegee, a brush, or the like, and are aligned with the respective through holes. Insert solder balls one by one. By fixing the solder balls to the flux, the solder balls are temporarily mounted at predetermined positions on the workpiece.

係るマスクとしては特許文献1に開示されたものがある。特許文献1に記載のマスクは、通孔を有するマスク本体の下面に多数本の支持用の突起部を設けており、突起部の突出寸法は同一寸法に設定されている。これにより、ワーク上にマスクを設置した際に、全ての支持用の突起部の下端がワークの上面に当接され、通孔を有するマスク本体とワークとの対向間隙が確保されるようになっている。 As such a mask, there is one disclosed in Patent Document 1. The mask described in Patent Document 1 has a large number of supporting protrusions on the lower surface of a mask body having through holes, and the protrusion dimensions of the protrusions are set to be the same. As a result, when the mask is placed on the workpiece, the lower ends of all the supporting protrusions are brought into contact with the upper surface of the workpiece, ensuring a facing gap between the mask body having the through holes and the workpiece. ing.

特開2006-287215号公報JP 2006-287215 A

しかしながら、近年では電子機器の小型化に伴い、バンプの微小化が進んできている。つまり、バンプの微小化に伴って、マスクにおける通孔間隔寸法やパターン領域間隔寸法が狭くなり、通孔間やパターン領域間(パターン領域外周)に配される突起部自身の外形寸法も小さくなる傾向にあるため、マスクとワークとの対向間隔が狭まり、ワークの電極上に配されたフラックスがマスクに付着しやすくなる。特に、マスク本体の下面や通孔内面にフラックスが付着してしまうと、半田ボールの搭載不良が生じやすくなってしまう。本発明の目的は、半田ボールの搭載不良を防止できる配列用マスクを提供することにある。 However, in recent years, along with the miniaturization of electronic devices, the miniaturization of bumps has progressed. In other words, as the bumps become smaller, the spacing between through holes and the spacing between pattern areas in the mask become narrower, and the external dimensions of the protrusions themselves arranged between the through holes and between the pattern areas (periphery of the pattern area) also become smaller. As a result, the gap between the mask and the workpiece is narrowed, and the flux placed on the electrode of the workpiece tends to adhere to the mask. In particular, if the flux adheres to the lower surface of the mask body or the inner surface of the through hole, mounting failure of the solder ball is likely to occur. SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide an arrangement mask capable of preventing mounting failures of solder balls.

本発明は、所定の配列パターンに対応した通孔12内に半田ボール2を振り込むことで、ワーク3上の所定位置に半田ボール2を搭載する配列用マスクであって、通孔12からなるパターン領域が多数形成されたマスク本体10と、マスク本体10のワーク3との対向面側に設けられた突起部15とを備え、少なくともマスク本体10下面に、コーティング層50が形成されていることを特徴とする。また、マスク本体10と突起部15とは別体で形成されている。また、コーティング層50は、マスク本体10下面及び突起部15表面を覆うように形成されている。このコーティング層50は、1μm以下の厚さで形成すると良い。 The present invention is an array mask for mounting solder balls 2 at predetermined positions on a workpiece 3 by pouring the solder balls 2 into the through holes 12 corresponding to a predetermined array pattern. The mask body 10 has a mask body 10 in which a large number of regions are formed, and projections 15 provided on the side of the mask body 10 facing the workpiece 3, and a coating layer 50 is formed at least on the lower surface of the mask body 10. Characterized by Moreover, the mask main body 10 and the protrusion 15 are formed separately. Moreover, the coating layer 50 is formed so as to cover the lower surface of the mask body 10 and the surface of the protrusions 15 . This coating layer 50 is preferably formed with a thickness of 1 μm or less.

また本発明は、通孔12からなるパターン領域が多数形成されたマスク本体10と、マスク本体10のワーク3との対向面側に設けられた突起部15とを備え、少なくともマスク本体10下面に、コーティング層50が形成された配列用マスクの製造方法である。まず、母型40上に、レジスト体41aを有する一次パターンレジスト41を形成する。次に、レジスト体41aを用いて、母型40上に、一次電着層42を形成する。次に、一次電着層42上に、レジスト体44aを有する二次パターンレジスト44を形成する。次に、一次電着層42表面に、コーティング層50を形成する。このコーティング層50は、一次電着層42の二次パターンレジスト44を有する側の表面及び二次パターンレジスト44の表面に形成すると良い。 In addition, the present invention includes a mask body 10 in which a large number of pattern regions are formed with through holes 12, and projections 15 provided on the side of the mask body 10 facing the workpiece 3. At least the lower surface of the mask body 10 has 3 is a method of manufacturing an array mask on which a coating layer 50 is formed. First, a primary pattern resist 41 having a resist body 41a is formed on the master mold 40. As shown in FIG. Next, a primary electrodeposition layer 42 is formed on the master mold 40 using the resist body 41a. Next, a secondary pattern resist 44 having a resist body 44 a is formed on the primary electrodeposition layer 42 . Next, a coating layer 50 is formed on the surface of the primary electrodeposition layer 42 . The coating layer 50 is preferably formed on the surface of the primary electrodeposition layer 42 on which the secondary pattern resist 44 is provided and on the surface of the secondary pattern resist 44 .

本発明の配列用マスクによれば、マスク本体下面に、コーティング層が形成されているので、マスク本体下面にフラックスが付着したままの状態を防ぐことができる。また、マスク本体下面及び突起部表面を覆うようにコーティング層を形成することで、コーティング層が突起部の保護層としての機能を果たすことになり、突起部の脱落、変形、破損を防ぐことができる。 According to the aligning mask of the present invention, since the coating layer is formed on the lower surface of the mask body, it is possible to prevent flux from remaining adhered to the lower surface of the mask body. In addition, by forming a coating layer so as to cover the lower surface of the mask body and the surface of the protrusions, the coating layer functions as a protective layer for the protrusions, preventing the protrusions from coming off, deforming, and breaking. can.

本発明の配列用マスクとワークの全体構成を示す斜視図である。1 is a perspective view showing the overall configuration of an arraying mask and a work according to the present invention; FIG. 本発明の第1実施形態に係る配列用マスクの縦断側面図である。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a longitudinal side view of the mask for arrangement|sequence which concerns on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態に係る配列用マスクの平面図である。1 is a plan view of an array mask according to a first embodiment of the present invention; FIG. 本発明の第1実施形態に係る配列用マスクの別実施形態の縦断側面図である。FIG. 4 is a longitudinal side view of another embodiment of the array mask according to the first embodiment of the present invention; 本発明の第1実施形態に係る配列用マスクの別実施形態の平面図である。FIG. 4 is a plan view of another embodiment of the array mask according to the first embodiment of the present invention; 本発明の第1実施形態に係る配列用マスクの別実施形態の縦断側面図である。FIG. 4 is a longitudinal side view of another embodiment of the array mask according to the first embodiment of the present invention; 本発明の第1実施形態に係る配列用マスクの製造方法の説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram of a method for manufacturing an array mask according to the first embodiment of the present invention; 本発明の第1実施形態に係る配列用マスクの製造方法の説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram of a method for manufacturing an array mask according to the first embodiment of the present invention; 本発明の第2実施形態に係る配列用マスクの縦断側面図である。FIG. 10 is a longitudinal side view of an arraying mask according to a second embodiment of the present invention; 本発明の第2実施形態に係る配列用マスクの製造方法の説明図である。It is explanatory drawing of the manufacturing method of the mask for arrangement|sequence which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第2実施形態に係る配列用マスクの製造方法の説明図である。It is explanatory drawing of the manufacturing method of the mask for arrangement|sequence which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 本発明の別実施形態に係る配列用マスクの部分拡大平面図である。FIG. 5 is a partially enlarged plan view of an arraying mask according to another embodiment of the present invention; 本発明の第2実施形態に係る配列用マスクの別実施形態の部分拡大縦断側面図である。FIG. 11 is a partially enlarged longitudinal side view of another embodiment of the array mask according to the second embodiment of the present invention; 本発明の第2実施形態に係る配列用マスクの別実施形態の製造方法の説明図である。It is explanatory drawing of the manufacturing method of another embodiment of the mask for arrangement|sequence based on 2nd Embodiment of this invention.

(第1実施形態)
図1乃至図3に、本発明の第1実施形態に係る半田ボールの配列用マスクを示す。この配列用マスク(以下、単にマスクと記す)1は、半田バンプ形成における半田ボール2の配列工程において使用に供されるものである。図2において、符号3は、マスク1による半田ボール2の搭載対象となるワークを示す。このワーク3は、例えば、ガラスエポキシ基板のベース4に複数個の半導体チップ5を搭載し、ワイヤボンドで配線した後トランスファモールド封止してなるものであり、半導体チップ5を囲むように、ワーク3の上面には、入出力端子である電極6が所定のパターンで形成されている。なお、ワーク3は、バンプの形成後に個片に切断され、個々のLSIチップとされる。
(First embodiment)
1 to 3 show a mask for arranging solder balls according to a first embodiment of the present invention. This arranging mask (hereinafter simply referred to as mask) 1 is used in the process of arranging solder balls 2 in forming solder bumps. In FIG. 2, reference numeral 3 denotes a workpiece on which solder balls 2 are to be mounted by the mask 1. As shown in FIG. The workpiece 3 is formed by, for example, mounting a plurality of semiconductor chips 5 on a base 4 of a glass epoxy substrate, wiring them by wire bonding, and then encapsulating them by transfer molding. Electrodes 6, which are input/output terminals, are formed in a predetermined pattern on the upper surface of 3. As shown in FIG. After forming the bumps, the work 3 is cut into individual pieces to form individual LSI chips.

図1に示すように、マスク1は、ニッケルやニッケルコバルト等のニッケル合金、銅やその他の金属を素材として形成されたマスク本体10から成り、このマスク本体10にはこれを囲むように枠体11を装着することができる。マスク本体10の盤面中央部には、各半導体チップ5に対応して、半田ボール2を投入するための多数独立の通孔12からなるパターン領域が多数形成されている。図2に示すように、通孔12は、ワーク3上における各半導体チップ5の電極6の配列位置に対応した配列パターンに対応している。半田ボール2は、50μm以下の半径寸法を有するものであり、これに合わせて各通孔12は、当該ボール2の半径寸法よりも僅かに大きな内径寸法を有する平面視で円形状に形成されている。 As shown in FIG. 1, the mask 1 comprises a mask body 10 made of nickel, a nickel alloy such as nickel-cobalt, copper or other metal. 11 can be worn. In the central portion of the board surface of the mask main body 10, a large number of pattern regions each having a large number of independent through holes 12 for inserting the solder balls 2 are formed corresponding to the respective semiconductor chips 5. As shown in FIG. As shown in FIG. 2, the through holes 12 correspond to an array pattern corresponding to the array positions of the electrodes 6 of the semiconductor chips 5 on the workpiece 3 . The solder balls 2 have a radius of 50 μm or less, and accordingly, each through hole 12 is formed in a circular shape in a plan view having an inner diameter slightly larger than the radius of the balls 2. there is

枠体11は、アルミ、42アロイ、インバー材、SUS430等の材質からなる平板体であり、その盤面中央に、マスク本体10に対応する一つの四角形状の開口を備えており、本実施形態では、一枚のマスク本体10を一枚の枠体11で保持している。枠体11は、マスク本体10よりも肉厚の成形品であり、マスク本体10の外周縁と不離一体的に接合される。ここでは枠体11の厚み寸法は、例えば0.05~1.0mm程度とし、本実施形態においては0.5mmに設定した。また、マスク本体10の厚みは、好ましくは10μm以上とし、本実施形態では200μmに設定した。 The frame 11 is a flat plate made of a material such as aluminum, 42 alloy, invar, or SUS430. , one sheet of mask body 10 is held by one sheet of frame body 11. - 特許庁The frame 11 is a molded product thicker than the mask main body 10 and is inseparably and integrally joined to the outer peripheral edge of the mask main body 10 . Here, the thickness dimension of the frame 11 is, for example, about 0.05 to 1.0 mm, and is set to 0.5 mm in this embodiment. The thickness of the mask body 10 is preferably 10 μm or more, and is set to 200 μm in this embodiment.

マスク本体10(マスク1)の下面側、すなわちワーク3との対向面側には、下方向に突出状の突起部15を設けることができる。詳しくは、図2及び図3に示すように、パターン領域間(パターン領域の外周)にこのパターン領域を囲むように突起部15(桟15a)を設けることができる。この突起部15(桟15a)は、図3のような連続的に設けたものでなくても良く、断片的に設けても良い。また、図4に示すように、パターン領域内の通孔12が形成されていない位置に突起部15(支柱15b)を設けることができる。また、隣り合うパターン領域間(パターン領域の外周)にパターン領域を囲むようにして設ける突起部15の形状としては、桟15aに限らず、図5に示すように、支柱15cであっても良い。係る突起部15を設けていれば、配列作業時において、ワーク3の上面に当接してマスク本体10とワーク3との対向間隙を確保できる。各々の突起部15(桟15a、支柱15b)においては、図2および図4に示すように、マスク本体10の下面から突起部15の先端に向かって先窄まるように形成されていることが好ましく、円錐台状を呈している。 On the lower surface side of the mask body 10 (mask 1 ), that is, on the surface facing the workpiece 3 , a projecting portion 15 projecting downward can be provided. Specifically, as shown in FIGS. 2 and 3, a projecting portion 15 (crosspiece 15a) can be provided between the pattern areas (on the periphery of the pattern area) so as to surround the pattern area. The projecting portion 15 (crosspiece 15a) may not be continuously provided as shown in FIG. 3, and may be provided fragmentarily. Further, as shown in FIG. 4, projections 15 (posts 15b) can be provided at positions in the pattern area where the through holes 12 are not formed. Further, the shape of the projections 15 provided between adjacent pattern areas (peripheries of the pattern areas) so as to surround the pattern areas is not limited to crosspieces 15a, but may be struts 15c as shown in FIG. If such a projecting portion 15 is provided, it can abut on the upper surface of the work 3 and secure a facing gap between the mask main body 10 and the work 3 during the arranging operation. As shown in FIGS. 2 and 4, each of the protrusions 15 (crosspieces 15a and struts 15b) is formed to taper from the lower surface of the mask body 10 toward the tip of the protrusion 15. As shown in FIGS. Preferably, it has a truncated cone shape.

突起部15の形状としては、この他に図6に示すように、突起部15の根元寸法がマスク本体10の下面に向かうにつれて大きくなる末拡がり形状(突起部15の根元から先端に向かうにつれて窄まっていく先窄まり形状)であって、側面が円弧状に形成されたものであっても良い。これにより、突起部15の特に根元部15”に応力が集中することにより生じる破損を防止できるとともに、マスク1をワーク3に載置した際に、仮に突起部15にフラックス17が付着したとしても、突起部15の側面が円弧となっていることにより、フラックス17の通孔12への回り込みを防止できるので、通孔12にフラックス17が付着することによる半田ボール2の搭載不良を招くおそれをなくすことができる。なお、突起部15の根元部15”の終端位置については、マスク本体10の下面の通孔12付近に位置していることが好ましく、マスク本体下面10aと通孔内面12aとの交点に位置する形態、マスク本体下面10a上の通孔12から間隙をとったところに位置する形態が考えられる。また、突起部15の側面は、凸状円弧でも凹状円弧でもどちらでも良く、凸状円弧とすれば強度の良いものになり、凹状円弧とすれば突起部15側面のどの位置においてもフラックス17が付着された電極6に近づく部分がない、つまり、フラックス17が付着された電極6から一定距離を保った状態となって良い。さらに、突起部15の先端部15’及び/又は根元部15”を円弧状に形成しても良く、これにより、突起部15にフラックス17が付着するおそれが可及的に減少する。 As for the shape of the protrusion 15, as shown in FIG. 6, the root dimension of the protrusion 15 widens toward the lower surface of the mask body 10 (the shape narrows from the root to the tip of the protrusion 15). It may be tapered toward the end), and the side surface may be formed in an arc shape. As a result, it is possible to prevent damage caused by the concentration of stress on the base portion 15″ of the protrusion 15 in particular. Since the side surface of the projecting portion 15 is arc-shaped, the flux 17 can be prevented from entering the through hole 12 , so that the mounting failure of the solder ball 2 due to the flux 17 adhering to the through hole 12 can be prevented. The end position of the base portion 15'' of the protrusion 15 is preferably located near the through hole 12 on the lower surface of the mask body 10, and the lower surface 10a of the mask body and the inner surface 12a of the through hole , and a configuration in which it is located at a gap from the through hole 12 on the lower surface 10a of the mask body. Also, the side surface of the protrusion 15 may be either a convex arc or a concave arc. If the convex arc is used, the strength will be good, and if the concave arc is used, the flux 17 will flow at any position on the side surface of the protrusion 15. There is no part close to the electrode 6 to which the flux 17 is attached. Furthermore, the tip 15' and/or the root 15'' of the protrusion 15 may be formed in an arcuate shape, thereby minimizing the risk of the flux 17 adhering to the protrusion 15.

本マスク1においては、突起部15の高さとマスク本体10の厚みとの比が2対1以上とするのが好ましく、上記マスク本体10の厚さが10~300μmの範囲内においてこれを満足することがより好ましい。また、突起部15は、アスペクト比(突起部15における高さと先端寸法との比)が大きいものが好ましく、本実施形態ではアスペクト比3としている。また、突起部15の根元寸法L2は、突起部15の先端寸法L1の1.0~1.5倍とするのが好ましく、本実施形態では1.2倍に設定している。さらに、突起部15の先端寸法L1と根元寸法L2と通孔12間の幅寸法L3との比が1対1.2対1.4以上であることが好ましい。さらに、パターン領域から突起部15(桟15a、支柱15c)の根元までの寸法L4は、0.01mm以上に設定することが好ましく、本実施形態では0.02mmとしている。係る条件により、フラックスの付着を可及的に防ぐことができる。この時、上述した突起部15の先端寸法L1と根元寸法L2との比の関係及びパターン領域から突起部15の根元までの寸法L4の関係を満足することにより、突起部15の破損防止及びフラックスの付着防止を両立させることができる。さらには、パターン領域から突起部15(桟15a、支柱15c)の先端中心までの寸法をL5とした時、L1とL2とL5との比が1対3対2.5以上とすることにより、上記両立効果を最大限に活かすことができる。 In the present mask 1, the ratio of the height of the protrusions 15 to the thickness of the mask body 10 is preferably 2:1 or more, and this is satisfied when the thickness of the mask body 10 is within the range of 10 to 300 μm. is more preferable. Moreover, the projection 15 preferably has a large aspect ratio (the ratio of the height of the projection 15 to the tip dimension), and the aspect ratio is 3 in this embodiment. Also, the base dimension L2 of the projection 15 is preferably 1.0 to 1.5 times the tip dimension L1 of the projection 15, and is set to 1.2 times in this embodiment. Furthermore, it is preferable that the ratio of the tip dimension L1, the root dimension L2 of the protrusion 15, and the width dimension L3 between the through holes 12 is 1:1.2:1.4 or more. Furthermore, the dimension L4 from the pattern area to the base of the protrusion 15 (crosspiece 15a, strut 15c) is preferably set to 0.01 mm or more, and is set to 0.02 mm in this embodiment. Such conditions can prevent the adhesion of flux as much as possible. At this time, by satisfying the relationship of the ratio between the tip dimension L1 and the root dimension L2 of the projection 15 and the relationship of the dimension L4 from the pattern area to the root of the projection 15, damage to the projection 15 can be prevented and the flux can be reduced. It is possible to achieve both prevention of adhesion of Furthermore, when the dimension from the pattern area to the center of the tip of the projecting portion 15 (crosspiece 15a, strut 15c) is L5, the ratio of L1 to L2 to L5 is 1:3:2.5 or more. It is possible to make the most of the above-mentioned coexistence effect.

ここでは、マスク本体10と突起部15が一体となったマスク1としているが、マスク本体10と突起部15とが別部材で一体的に形成されたものでも良い。これは、上記マスク1において、マスク本体10を磁性体で形成し、突起部15を非磁性体で形成すれば、磁石の磁力吸引によってワーク3にマスク1を固定する場合に、マスク1に対して磁力を均一に働かせることができるので、マスク1が不用意に撓むおそれがなく、ワークに良好に密着させることができ、電極6に対する通孔12の位置合わせ精度を向上することができる。また、マスク1を取り外す際には、ワーク3と突起部15が直接磁力結合しないので、版離れを良好にすることができる。係るマスク1は、例えば、マスク本体10を磁性体金属(ニッケル、鉄等)によって形成し、突起部15を非磁性体金属(銅、アルミなど)によって形成することで得られる。 Here, the mask 1 is formed by integrating the mask main body 10 and the protrusions 15, but the mask main body 10 and the protrusions 15 may be formed integrally with separate members. In the mask 1, if the mask main body 10 is made of a magnetic material and the protrusions 15 are made of a non-magnetic material, when the mask 1 is fixed to the workpiece 3 by the magnetic attraction of the magnet, Since the magnetic force can be uniformly exerted by the mask 1, there is no possibility that the mask 1 is unintentionally bent, the mask 1 can be brought into good contact with the work, and the alignment accuracy of the through hole 12 with respect to the electrode 6 can be improved. In addition, when the mask 1 is removed, the workpiece 3 and the protrusions 15 are not directly magnetically coupled, so that the stencil separation can be improved. Such a mask 1 can be obtained, for example, by forming the mask main body 10 from a magnetic metal (nickel, iron, etc.) and forming the protrusions 15 from a non-magnetic metal (copper, aluminum, etc.).

また、突起部15を非磁性体で形成するものにおいては、上記金属に限らず、樹脂やレジストによって形成したものでも良い。これにより、上記効果に加え、当該樹脂の弾力性に由来するクッション作用が発揮され、突起部15がワーク3に当接した際に、ワーク3が損傷するおそれが少なくなる。なお、係る効果を顕著に奏するためには、マスク1において、突起部15だけでなく、ワーク3と当接する部分の全てを樹脂で形成することが好ましい。また、突起部15を樹脂で形成する場合、電鋳法でマスク本体10を形成する時に使用するレジストと同じものを使用すれば、生産効率良く形成できる。 Moreover, in the case where the projecting portion 15 is formed of a non-magnetic material, it is not limited to the metal described above, and may be formed of resin or resist. As a result, in addition to the above effects, a cushioning effect derived from the elasticity of the resin is exhibited, and the work 3 is less likely to be damaged when the projecting portion 15 comes into contact with the work 3 . In addition, in order to exhibit such an effect remarkably, in the mask 1, it is preferable to form not only the protrusion 15 but also the entire portion of the mask 1 that comes into contact with the workpiece 3 with resin. Further, when forming the protrusions 15 from a resin, if the same resist as that used when forming the mask body 10 by electroforming is used, production efficiency can be improved.

また、本マスク1においては、図2、図4、図6に示すように、マスク本体10下面や通孔12内面にコーティング層50を設けている。コーティング層50としては、撥水性を有するものが好ましく、その材質としては、フッ素樹脂、シリコン樹脂、乳剤、レジスト(液状)などがある。係るコーティング層50を設けることにより、マスク本体10下面や通孔12内面にフラックスが付着してもフラックスを弾くことができ、マスク本体10下面や通孔12内面にフラックスが付着したままの状態を防止できる。なお、該コーティング層50は、マスク本体10上面に形成しても良いし、パターン領域間であって、突起部15(桟15a、支柱15c)間におけるマスク本体10下面においては形成しなくて良い。要は、フラックスが付着すると半田ボールの搭載不良が生じやすい部分に形成するのが望ましく、マスク1をワーク上に載置した際に、電極6上に塗布されたフラックス17と対面するマスク本体10及び突起部15の表面に形成することが望ましい。 Moreover, in the present mask 1, as shown in FIGS. 2, 4, and 6, a coating layer 50 is provided on the lower surface of the mask body 10 and the inner surface of the through hole 12. As shown in FIGS. As the coating layer 50, one having water repellency is preferable, and the material thereof includes fluorine resin, silicon resin, emulsion, resist (liquid), and the like. By providing the coating layer 50, even if the flux adheres to the lower surface of the mask main body 10 or the inner surface of the through hole 12, the flux can be repelled, and the state in which the flux adheres to the lower surface of the mask main body 10 or the inner surface of the through hole 12 can be prevented. can be prevented. The coating layer 50 may be formed on the upper surface of the mask body 10, or may not be formed on the lower surface of the mask body 10 between the pattern regions and between the protrusions 15 (crosspieces 15a and struts 15c). . In short, it is desirable to form the solder ball in a portion where mounting failure of the solder ball is likely to occur when the flux adheres. and preferably formed on the surface of the protrusion 15 .

なお、各図面は、実際のマスク1の様子を示したものではなく、それを模式的に示している。また、各図面における通孔12の開口寸法やマスク本体10等の厚み寸法等は、図面作成の便宜上、そのような寸法に示したものである。また、図3、図5において、符号15で図示しているのは、突起部15の下端面(先端面)であり、突起部15の根元は図示していない。また、図3、図5においては、コーティング層50は図示していない。 In addition, each drawing does not show the appearance of the actual mask 1, but shows it schematically. Also, the opening dimension of the through hole 12, the thickness dimension of the mask body 10 and the like in each drawing are shown as such dimensions for the sake of convenience in preparing the drawings. 3 and 5, reference numeral 15 indicates the lower end surface (tip surface) of the protrusion 15, and the base of the protrusion 15 is not illustrated. 3 and 5, the coating layer 50 is not shown.

係るマスク1を用いた半田ボール2の配列作業は、以下のような手順で行われる。なお、この配列作業は、専用の配列装置(特許文献1の図1、図5等を参照)によって行われる。まず、ワーク3の電極6上にフラックス17(図2参照)を印刷塗布する。次に、通孔12と電極6が一致するように、ワーク3上にマスク1を位置合わせしたうえで、マスク1を固定する。かかる位置合わせ作業は、実際には枠体11とワーク3との外周縁を位置合わせすることで行われる。位置合わせ作業が終了すると、該固定状態において、突起部15の下端面がワーク3の表面に当接することで、マスク本体10は、図2、図4、図6に示すようなワーク3との対向間隙が確保された離間姿勢に姿勢保持される。この時、ワーク3の下方に磁石を配置して、この磁石の磁力作用によって、マスク1をワーク3側に吸着させることもできる。 The procedure for arranging the solder balls 2 using the mask 1 is as follows. This arranging work is performed by a dedicated arranging device (see FIGS. 1, 5, etc. of Patent Document 1). First, the flux 17 (see FIG. 2) is applied by printing onto the electrodes 6 of the workpiece 3 . Next, after aligning the mask 1 on the workpiece 3 so that the through hole 12 and the electrode 6 are aligned, the mask 1 is fixed. Such alignment work is actually performed by aligning the outer peripheral edges of the frame 11 and the workpiece 3 . When the alignment work is completed, the lower end surface of the protrusion 15 contacts the surface of the work 3 in the fixed state, so that the mask body 10 is in contact with the work 3 as shown in FIGS. The posture is held in a separated posture in which a facing gap is ensured. At this time, it is also possible to place a magnet under the work 3 and attract the mask 1 to the work 3 side by the magnetic effect of this magnet.

次に、マスク1上に多数個の半田ボール2を供給し、スキージブラシを用いてマスク1上で半田ボール2を分散させて、通孔12内に一つずつ半田ボール2を投入する。これにて、電極6上に半田ボール2がフラックス17によって仮止め状に粘着保持される。かかるスキージブラシを用いた半田ボール2の投入作業において、スキージブラシ圧がマスク1に大きくかかったとしても突起部15によってマスク1が撓むことを防止でき、投入作業を作業効率良くスムーズに進めることができる。 Next, a large number of solder balls 2 are supplied onto the mask 1, the solder balls 2 are dispersed on the mask 1 using a squeegee brush, and the solder balls 2 are introduced into the through holes 12 one by one. As a result, the solder balls 2 are temporarily adhered and held on the electrodes 6 by the flux 17 . To prevent the mask 1 from being bent by the projecting part 15 even if a large squeegee brush pressure is applied to the mask 1 in the work of inputting the solder balls 2 using the squeegee brush, and to proceed smoothly with the work efficiency. can be done.

以上のように、本実施形態に係るマスク1によれば、マスク本体10とワーク3との対向間隙を形成する突起部15を備えているので、突起部15によってワーク3との対向間隙を確実に確保でき、通孔12内への半田ボール2の投入作業を効率的に漏れなく進めることが可能となる。 As described above, according to the mask 1 according to the present embodiment, since the protrusions 15 that form the gap between the mask body 10 and the work 3 are provided, the protrusions 15 ensure the gap between the work 3 and the mask. This ensures that the solder ball 2 can be efficiently inserted into the through hole 12 without omission.

マスク本体10の外周縁に補強用の枠体11を設けることができ、マスク本体10をそれ自体に内方に収縮する方向の応力が作用するようなテンションを加えた状態で形成すれば、周囲温度の変化に伴うマスク本体10の膨張分を、当該収縮方向へのテンションで吸収できる。これにて、ワーク3に対するマスク本体10の位置ズレの発生を防ぐことができる。また、マスク本体10の全体に均一なテンションを与えることができるので、ワーク3に対して半田ボール2を位置精度良く搭載させることができる。 A reinforcing frame 11 can be provided on the outer peripheral edge of the mask body 10, and if the mask body 10 is formed in a state in which tension is applied in a direction that causes the mask body 10 to contract inward, the surrounding area can be reduced. The expansion of the mask body 10 due to temperature change can be absorbed by the tension in the contraction direction. Thus, it is possible to prevent the mask body 10 from being displaced from the workpiece 3 . Further, since uniform tension can be applied to the entire mask body 10, the solder balls 2 can be mounted on the workpiece 3 with high positional accuracy.

次に、係る構成の配列用マスク1の製造方法を図7及び図8に示す。まず、例えば、導電性を有するステンレス製や真ちゅう鋼製の母型30の表面にフォトレジスト層31を形成する。このフォトレジスト層31は、ネガタイプの感光性ドライフォトレジストを、所定の高さに合わせて一枚ないし数枚ラミネートして熱圧着により形成した。ついで、図7(a)に示すごとく、フォトレジスト層31の上に、突起部15に対応する透光孔32aを有するパターンフィルム(ガラスマスク)32を密着させたのち、紫外光ランプ33で紫外線光を照射して露光を行い、現像、乾燥の各処理を行って、未露光部分を溶解除去することにより、図7(b)に示すように、先窄まり状の突起部15に対応するレジスト体34aを有する一次パターンレジスト34を母型30上に形成した。この時、紫外線が透過しにくいフォトレジストを用いたり、露光量を弱めたりして、レジスト体34aにテーパを付けることが好ましい。続いて、上記母型30を所定の条件に建浴した電鋳槽に入れ、図7(c)に示すごとく、先のレジスト体34aの高さの範囲内で、母型30のレジスト体34aで覆われていない表面にニッケルや銅等の電着金属を電鋳して、一次電鋳層35を形成した。ここでは、母型30の略全面にわたって、一次電鋳層35を形成した(第一の電鋳工程)。次に、図7(d)に示すごとく、一次パターンレジスト34を除去する。ここで、一次電鋳層35の表面に研磨処理を施しておくと良い。 Next, FIGS. 7 and 8 show a method of manufacturing the array mask 1 having such a configuration. First, for example, a photoresist layer 31 is formed on the surface of a conductive master mold 30 made of stainless steel or brass steel. The photoresist layer 31 is formed by laminating one or several sheets of a negative type photosensitive dry photoresist in accordance with a predetermined height and by thermocompression bonding. Next, as shown in FIG. 7(a), a pattern film (glass mask) 32 having transparent holes 32a corresponding to the projections 15 is adhered to the photoresist layer 31. Exposure is performed by irradiating light, development and drying are performed, and unexposed portions are removed by dissolving, as shown in FIG. A primary pattern resist 34 having a resist body 34 a was formed on the master mold 30 . At this time, it is preferable to taper the resist body 34a by using a photoresist that does not easily transmit ultraviolet rays, or by weakening the amount of exposure. Subsequently, the mold 30 is placed in an electroforming bath prepared under predetermined conditions, and as shown in FIG. A primary electroformed layer 35 was formed by electroforming an electrodeposited metal such as nickel or copper on the surface not covered with the coating. Here, the primary electroforming layer 35 was formed over substantially the entire surface of the matrix 30 (first electroforming step). Next, as shown in FIG. 7D, the primary pattern resist 34 is removed. Here, the surface of the primary electroformed layer 35 is preferably polished.

次いで、図8(a)に示すごとく、一次電鋳層35および母型30の表面の全体に、フォトレジスト層36を形成したうえで、当該フォトレジスト層36の表面に、前記通孔12に対応する透光孔37aを有するパターンフィルム(ガラスマスク)37を密着させたのち、紫外光ランプ33で紫外線光を照射して露光を行い、現像、乾燥の各処理を行って、未露光部分を溶解除去することにより、図8(b)に示すように、マスク本体10に対応するレジスト体38aを有する二次パターンレジスト38を一次電鋳層35の表面に形成した。続いて、所定の条件に建浴した電鋳槽に入れ、図8(c)に示すごとく、先のレジスト体38aの高さの範囲内で、母型30及びのレジスト体38aで覆われていない一次電鋳層35の表面にニッケルや銅等の電着金属を電鋳して、二次電鋳層39を形成した(第二の電鋳工程)。次に、二次パターンレジスト38を溶解除去し、母型30及び一次電鋳層35から二次電鋳層39を剥離する。最後に、マスク本体10下面に対応する二次電鋳層39の母型面側及び通孔12内面に対応する二次電鋳層39の二次パターンレジスト38との対向面にコーティング層50を形成することで、図8(e)および図2に示すようなマスク1を得た。 Next, as shown in FIG. 8(a), a photoresist layer 36 is formed on the entire surface of the primary electroformed layer 35 and the master mold 30, and the through hole 12 is formed on the surface of the photoresist layer 36. After a pattern film (glass mask) 37 having corresponding light-transmitting holes 37a is brought into close contact, exposure is performed by irradiating ultraviolet light from an ultraviolet light lamp 33, development and drying are performed, and unexposed portions are removed. By dissolving and removing, a secondary pattern resist 38 having a resist body 38a corresponding to the mask body 10 was formed on the surface of the primary electroformed layer 35, as shown in FIG. 8(b). Subsequently, it is placed in an electroforming bath prepared under predetermined conditions, and as shown in FIG. An electrodeposited metal such as nickel or copper was electroformed on the surface of the primary electroformed layer 35, which was free from the surface, to form a secondary electroformed layer 39 (second electroforming step). Next, the secondary pattern resist 38 is dissolved and removed, and the secondary electroformed layer 39 is separated from the master mold 30 and the primary electroformed layer 35 . Finally, a coating layer 50 is applied to the matrix surface side of the secondary electroformed layer 39 corresponding to the lower surface of the mask body 10 and the surface of the secondary electroformed layer 39 corresponding to the inner surface of the through hole 12 facing the secondary pattern resist 38 . By forming, the mask 1 as shown in FIG.8(e) and FIG.2 was obtained.

こうして得られたマスク1に枠体11を装着すれば、図1に示すような配列用マスク1が得られる。マスク1(二次電鋳層39)は、それ自体に内方に収縮する方向の応力が作用するようなテンションを加えた状態で、枠体11に保持することが可能である。かかる応力の付与は、例えば、枠体11とマスク1との熱膨張係数の差を利用して、高温環境下でマスク1の外周縁に枠体11の装着作業を行い、常温時ではマスク1を内方側に収縮させることで実現できる。 By attaching the frame 11 to the mask 1 thus obtained, the array mask 1 as shown in FIG. 1 is obtained. The mask 1 (secondary electroformed layer 39) can be held by the frame 11 in a state in which tension is applied to the mask 1 (secondary electroformed layer 39) so that stress in the direction of shrinking inward acts on itself. Such stress is applied by, for example, using the difference in coefficient of thermal expansion between the frame 11 and the mask 1, and the frame 11 is attached to the outer peripheral edge of the mask 1 in a high-temperature environment. can be realized by contracting inward.

以上のようなマスク1の製造方法によれば、電鋳法を用いて高精度に配列用マスクを作製することができるので、半田ボール2を位置精度良くワーク3上に搭載させることができる。また、突起部15を有するマスク1を一回の電鋳(第二の電鋳工程)により、マスク本体10と突起部15とを不離一体に形成するようにすれば、マスク本体10と突起部15とを別体で形成したものに比べて、該突起部15の破損などの不都合が生じるおそれが少なく、信頼性に優れたマスク1を高精度に得ることができる点でも優れている。また、突起部15をマスク本体10の下面に近づくにつれて大きくなるよう先窄まり状に形成すれば、突起部15の特に根元に応力が集中することが回避されるため、突起部15の強度をしっかりと補強できつつ、突起部15をフラックス17が塗布された電極6から離間した状態で電極6間に当接できるので、電極6に塗布されたフラックス17がマスク本体10に付着することによる半田ボール2の搭載不良を防止することができる。この時、突起部15の先端部15’の寸法と根元部15”の寸法との比を1対3以上とすること、突起部15のアスペクト比を3以上とすることでより効果的となる。係る所望の寸法及びアスペクト比を有する突起部15の作製は、レジストパターン35の形状を調整することによって容易に得られる。 According to the method of manufacturing the mask 1 as described above, the array mask can be manufactured with high accuracy using the electroforming method, so the solder balls 2 can be mounted on the workpiece 3 with high positional accuracy. In addition, if the mask body 10 and the protrusions 15 are integrally formed by electroforming the mask 1 having the protrusions 15 once (second electroforming process), the mask body 10 and the protrusions 15 is formed separately, there is less risk of problems such as breakage of the protrusions 15, and it is also excellent in that a highly reliable mask 1 can be obtained with high accuracy. Further, if the protrusion 15 is formed in a tapered shape so that it becomes larger as it approaches the lower surface of the mask main body 10, the concentration of stress particularly at the base of the protrusion 15 can be avoided, so that the strength of the protrusion 15 can be increased. While being firmly reinforced, the protrusions 15 can be in contact with the electrodes 6 while being separated from the electrodes 6 to which the flux 17 is applied. Poor mounting of the ball 2 can be prevented. At this time, it is more effective to set the ratio of the dimension of the tip portion 15′ and the dimension of the root portion 15″ of the protrusion 15 to 1:3 or more, and to set the aspect ratio of the protrusion 15 to 3 or more. Protrusions 15 having desired dimensions and aspect ratios can be easily produced by adjusting the shape of the resist pattern 35 .

なお、係る構成のマスク1において、通孔12及び突起部15の形状はストレート状としてもテーパ状としても良い。ここで、通孔12や突起部15をテーパ状とする場合について具体的に説明すると、通孔12においては、マスク本体10のワーク3との対向面側に向かって先窄まり状のテーパを設けることで、半田ボール2を通孔12内に誘い込みやすくなり、マスク本体10のワーク3との対向面側に向かって先拡がり状のテーパを設けることで、マスク本体10のワーク3との対向面側における通孔12周縁にフラックスが付着されることを防止できる。また、突起部15においては、マスク本体10のワーク3との対向面側に向かって先窄まり状のテーパを設けることで、ワーク3上へのマスクの載置をしっかりとすることができ、マスク本体10のワーク3との対向面側に向かって先拡がり状のテーパを設けることで、ワーク3の電極6が狭ピッチに配列された場合であっても、突起部15の強度を確保しつつ、ワーク3上への突起部15の当接をしっかりと対応することができる。かかる形状は、フォトレジスト層31・36の感光度や露光条件を変更することによって容易に得られる。 In the mask 1 having such a configuration, the shapes of the through holes 12 and the protrusions 15 may be straight or tapered. Here, a case where the through hole 12 and the protrusion 15 are tapered will be described in detail. By providing the solder ball 2, it becomes easier to guide the solder ball 2 into the through hole 12, and by providing a taper that expands toward the surface of the mask main body 10 facing the work 3, the mask main body 10 faces the work 3. It is possible to prevent flux from adhering to the periphery of the through hole 12 on the surface side. In addition, by providing a tapered shape toward the surface of the mask body 10 facing the workpiece 3 in the protrusion 15, the mask can be firmly placed on the workpiece 3. By providing a taper that expands toward the surface of the mask body 10 facing the workpiece 3, the strength of the protrusions 15 is ensured even when the electrodes 6 of the workpiece 3 are arranged at a narrow pitch. At the same time, the contact of the projecting portion 15 with the workpiece 3 can be firmly handled. Such a shape can be easily obtained by changing the photosensitivity of the photoresist layers 31 and 36 and the exposure conditions.

(第2実施形態)
次に、第2実施形態に係る配列用マスクについて説明する。本実施形態では、図9に示すように、コーティング層50がマスク本体10下面だけでなく、突起部15の表面にも形成されている。
(Second embodiment)
Next, an array mask according to the second embodiment will be described. In this embodiment, as shown in FIG. 9, the coating layer 50 is formed not only on the lower surface of the mask main body 10 but also on the surfaces of the protrusions 15 .

本実施形態の配列用マスクによれば、突起部15表面にもコーティング層50が形成されているので、突起部15に対してもフラックスの付着を防止できる。また、マスク本体10下面、通孔12内面、及び突起部15表面にコーティング層50を形成することで、仮に、通孔12内面にフラックスが付着したとしても、フラックスを弾き、マスク本体10下面及び突起部15表面を介してワーク上に流すことができる。また、フラックス17の通孔12への回り込みをより確実に防止できる。 According to the array mask of the present embodiment, since the coating layer 50 is also formed on the surface of the projections 15, the adhesion of flux to the projections 15 can also be prevented. In addition, by forming the coating layer 50 on the lower surface of the mask body 10, the inner surface of the through hole 12, and the surface of the protrusion 15, even if flux adheres to the inner surface of the through hole 12, the flux is repelled and It can flow onto the workpiece through the surface of the protrusion 15 . In addition, it is possible to more reliably prevent the flux 17 from entering the through hole 12 .

さらに、マスク本体10下面及び突起部15表面の全面を覆うようにコーティング層50を形成することで、例えば、マスク本体10と突起部15とを別部材で形成した場合、両者間の接合強度が弱く(これは、バンプの微細化に伴って通孔間隔寸法やパターン領域間隔寸法が狭くなり、通孔間やパターン領域間(パターン領域外周)に配される突起部15自身の外形寸法も小さくなる傾向にあるため、突起部15とマスク本体10との接合面積が小さくなることに起因する)、マスク1使用時に突起部15が不用意に脱落、変形、破損するおそれがあるが、係る構成により、コーティング層50が突起部15の保護層として機能することになるので、突起部15の脱落、変形、破損の防止にも寄与できる。なお、突起部15の脱落、変形、破損を防ぐことに特化したい場合は、マスク本体10の下面及び突起部15の表面に、スパッタや無電解めっきによって金属層(Ni、Cuなど)を形成することにより、コーティング層50を設けると良い。 Furthermore, by forming the coating layer 50 so as to cover the entire lower surface of the mask main body 10 and the entire surface of the projections 15, for example, when the mask main body 10 and the projections 15 are formed of separate members, the bonding strength between them is reduced. (This is because the spacing between through-holes and the spacing between pattern areas becomes narrower as the bumps become finer, and the external dimensions of the projections 15 arranged between the through-holes and between the pattern areas (periphery of the pattern area) also become smaller. (because the bonding area between the protrusion 15 and the mask body 10 is reduced), the protrusion 15 may fall off, deform, or break when the mask 1 is used. As a result, the coating layer 50 functions as a protective layer for the protrusions 15, which contributes to preventing the protrusions 15 from coming off, deforming, and breaking. If you want to specialize in preventing the projections 15 from coming off, deforming, and breaking, a metal layer (Ni, Cu, etc.) is formed on the lower surface of the mask body 10 and the surface of the projections 15 by sputtering or electroless plating. By doing so, the coating layer 50 may be provided.

図10及び図11に、本実施形態の配列用マスクの製造方法を示す。まず、図10(a)に示すごとく、母型40を用意する。母型40は導電性を有するものであれば何でも良く、本実施形態ではステンレスを用いた。次いで、母型40の表面にフォトレジスト層を形成し、周知の方法で露光、現像、乾燥の各処理を行って、未露光部分を溶解除去することにより、図10(b)に示すごとく、レジスト体41aを有する一次パターンレジスト41を母型40上に形成した。上記フォトレジスト層は、ネガタイプの感光性ドライフィルムレジストを、所定の高さに合わせて一枚ないし数枚ラミネートして形成した。次いで、上記母型40を所定の条件に建浴した電鋳槽に入れ、図10(c)に示すごとく、先のレジスト体41aの高さと同じ程度に、母型40のレジスト体41aで覆われていない表面に電着金属を電鋳して、一次電着層42を形成した。本実施形態では、Ni-Co電鋳により一次電着層42を形成した。なお、一次電着層42を形成した後に一次電着層42表面に対して、ベルト研摩などといった機械的研摩および/または電解研磨するのが好ましい。次いで、図10(d)に示すごとく、レジスト体41a(レジストパターン41)を溶解除去した。 10 and 11 show the method of manufacturing the array mask of this embodiment. First, as shown in FIG. 10(a), a matrix 40 is prepared. The matrix 40 may be of any type as long as it has electrical conductivity, and stainless steel is used in this embodiment. Next, a photoresist layer is formed on the surface of the matrix 40, exposed, developed, and dried by a known method, and the unexposed portions are removed by dissolution, resulting in the following as shown in FIG. 10(b). A primary pattern resist 41 having a resist body 41 a was formed on the master mold 40 . The photoresist layer was formed by laminating one or several negative type photosensitive dry film resists to a predetermined height. Next, the matrix 40 is placed in an electroforming bath prepared under predetermined conditions, and as shown in FIG. Electrodeposited metal was electroformed on the uncoated surface to form the primary electrodeposited layer 42 . In this embodiment, the primary electrodeposition layer 42 is formed by Ni—Co electroforming. After forming the primary electrodeposition layer 42, the surface of the primary electrodeposition layer 42 is preferably subjected to mechanical polishing such as belt polishing and/or electropolishing. Next, as shown in FIG. 10(d), the resist body 41a (resist pattern 41) was removed by dissolution.

次いで、図11(a)に示すごとく、一次電着層42の表面上に、ソルダーレジスト層43を形成した。このソルダーレジスト層43は、所定の高さに合わせて一枚ないし数枚ラミネートして形成した。次いで、露光、現像、乾燥の各処理を行って、未露光部分を溶解除去することにより、図11(b)に示すごとく、レジスト体44aを有する二次パターンレジスト44を一次電着層42上に一体的に形成した。なお、二次パターンレジスト44を形成した後にベーキングなどといった脱落防止処理を行うのが好ましい。これにより、レジスト体44aを有する二次パターンレジスト44と一次電着層42との密着がより強固なものにできる。次いで、図11(c)に示すごとく、母型40から一次電着層42およびその表面に形成された二次パターンレジスト44を剥離する。最後に、一次電着層42の二次パターンレジスト44を有する側の表面および二次パターンレジスト44の表面にコーティング層50を形成することによって、図11(d)及び図9に示す配列用マスク1を得ることができる。なお、コーティング層50は、母型40から一次電着層42および二次パターンレジスト44を剥離する前に形成しても良い。また、コーティング層50は、一次電着層42の二次パターンレジスト44を有する側の表面に限らず、一次電着層42の表面全面に形成しても良い。もちろん、通孔12内面にもコーティング層50を形成しても良い。 Next, a solder resist layer 43 was formed on the surface of the primary electrodeposition layer 42 as shown in FIG. 11(a). The solder resist layer 43 is formed by laminating one or several layers in accordance with a predetermined height. Next, exposure, development, and drying are performed to dissolve and remove the unexposed portions, thereby forming a secondary pattern resist 44 having a resist body 44a on the primary electrodeposition layer 42, as shown in FIG. 11(b). integrally formed. After forming the secondary pattern resist 44, it is preferable to perform removal prevention treatment such as baking. Thereby, the adhesion between the secondary pattern resist 44 having the resist body 44a and the primary electrodeposition layer 42 can be made stronger. Next, as shown in FIG. 11(c), the primary electrodeposition layer 42 and the secondary pattern resist 44 formed on the surface thereof are removed from the master mold 40. Next, as shown in FIG. Finally, a coating layer 50 is formed on the surface of the primary electrodeposition layer 42 on which the secondary pattern resist 44 is provided and on the surface of the secondary pattern resist 44, thereby forming the array mask shown in FIGS. 11(d) and 9. 1 can be obtained. Note that the coating layer 50 may be formed before the primary electrodeposition layer 42 and the secondary pattern resist 44 are peeled off from the master mold 40 . Moreover, the coating layer 50 may be formed not only on the surface of the primary electrodeposition layer 42 having the secondary pattern resist 44 but also on the entire surface of the primary electrodeposition layer 42 . Of course, the coating layer 50 may be formed on the inner surface of the through hole 12 as well.

次に、第2実施形態に係る配列用マスクの別実施形態について説明する。ここでは、図13(a)に示すように、突起部15が樹脂で形成されたものであって、係る突起部15の表面にコーティング層70が形成されており、コーティング層70の材質として、突起部15の材質とは異なる材質で形成されている。 Next, another embodiment of the array mask according to the second embodiment will be described. Here, as shown in FIG. 13A, the protrusion 15 is made of resin, and a coating layer 70 is formed on the surface of the protrusion 15. The material of the coating layer 70 is It is made of a material different from the material of the protrusion 15 .

上述のように、本マスクはワークの電極上に半田ボールを搭載するために用いられるものであるが、半田ボールの配列工程(振込搭載)時に、マスクに汚れなどが付着することがあるので、これを除去するために、必要に応じてマスクを洗浄する。マスクを洗浄する場合、溶剤を用いて行うため、この溶剤が突起部を構成する材質表面にベタツキが発生するなどの悪影響が生じる可能性があるが、突起部表面にコーティング層があるために、このような悪影響から防御している。 As described above, this mask is used to mount the solder balls on the electrodes of the workpiece. To remove this, wash the mask as needed. When cleaning the mask, a solvent is used, so the solvent may cause an adverse effect such as stickiness on the surface of the material that constitutes the protrusions. protect against such adverse effects.

そこで、本実施形態のマスクは、樹脂で形成した突起部15に対する悪影響を防御するために、突起部15の表面にコーティング層70を形成しており、コーティング層70が突起部15を構成する材質(樹脂)とは異なる材質で形成している。コーティング層70としては、上記材質に加え、例えば、アクリル系樹脂を主成分とする感光材で形成することも可能である。 Therefore, in the mask of the present embodiment, the coating layer 70 is formed on the surface of the protrusion 15 in order to prevent adverse effects on the protrusion 15 formed of resin. It is made of a material different from (resin). In addition to the above materials, the coating layer 70 can be formed of, for example, a photosensitive material containing an acrylic resin as a main component.

係る配列用マスクの製造方法は、母型の用意から一次電着層を形成してレジスト体を除去するまでは、前述の工程(図10参照)と同様である。次いで、一次電着層42の表面上に、ソルダーレジスト層を形成し、露光、現像、乾燥の各処理を行うことにより、図14(a)に示すごとく、レジスト体60aを有する二次パターンレジスト60を一次電着層42上に一体的に形成した。次いで、図14(b)に示すごとく、二次パターンレジスト60の表面にコーティング層70を形成する。コーティング層70は、アルカリ現像型の感光材であって、主な含有成分は、アクリル樹脂(55~65%)、硫酸バリウム(15~25%)、二酸化珪素(15~25%)である。最後に、母型40から一次電着層42を、その表面に形成された二次パターンレジスト60およびコーティング層70とともに剥離することによって、図14(c)及び図13に示す配列用マスク1を得ることができる。なお、コーティング層70は、一次電着層42の二次パターンレジスト60を有する側の表面にも形成しても良い。また、一次電着層42上に二次パターンレジスト60を形成後、母型40から剥離してからコーティング層70を形成しても良い。こうすることで、一次電着層42の二次パターンレジスト60を有する側の表面だけでなく、一次電着層42の表面全面にコーティング層70を容易に形成することができる。通孔12の内壁にもコーティング層70を形成しても良い。また、二次パターンレジスト60やコーティング層70を形成した後に、ベーキングなどといった脱落防止処理を行うのが好ましい。これにより、一次電着層42と二次パターンレジスト60、および二次パターンレジスト60とコーティング層70の密着がより強固なものにできる。係る脱落防止処理は、二次パターンレジスト60とコーティング層70を形成毎に行っても良いし、二次パターンレジスト60表面にコーティング層70を形成した後に併せて行っても良い。 The method of manufacturing such an array mask is the same as the steps described above (see FIG. 10) from the preparation of the master mold to the formation of the primary electrodeposition layer and the removal of the resist body. Next, a solder resist layer is formed on the surface of the primary electrodeposition layer 42, and exposure, development, and drying are performed to obtain a secondary pattern resist having a resist body 60a as shown in FIG. 14(a). 60 was integrally formed on the primary electrodeposited layer 42 . Next, as shown in FIG. 14(b), a coating layer 70 is formed on the surface of the secondary pattern resist 60. Next, as shown in FIG. The coating layer 70 is an alkali-developable photosensitive material, and contains mainly acrylic resin (55-65%), barium sulfate (15-25%), and silicon dioxide (15-25%). Finally, the primary electrodeposition layer 42 is peeled off from the matrix 40 together with the secondary pattern resist 60 and the coating layer 70 formed on its surface, thereby forming the array mask 1 shown in FIGS. 14(c) and 13. Obtainable. The coating layer 70 may also be formed on the surface of the primary electrodeposition layer 42 on which the secondary pattern resist 60 is provided. Alternatively, the coating layer 70 may be formed after the secondary pattern resist 60 is formed on the primary electrodeposition layer 42 and then separated from the master mold 40 . By doing so, the coating layer 70 can be easily formed not only on the surface of the primary electrodeposition layer 42 having the secondary pattern resist 60 , but also on the entire surface of the primary electrodeposition layer 42 . The coating layer 70 may also be formed on the inner walls of the through holes 12 . In addition, after forming the secondary pattern resist 60 and the coating layer 70, it is preferable to perform removal prevention treatment such as baking. Thereby, the adhesion between the primary electrodeposition layer 42 and the secondary pattern resist 60 and between the secondary pattern resist 60 and the coating layer 70 can be made stronger. Such removal prevention treatment may be performed each time the secondary pattern resist 60 and the coating layer 70 are formed, or may be performed together after the coating layer 70 is formed on the surface of the secondary pattern resist 60 .

係る製造方法によって得られたマスク1は、洗浄(溶剤)に強いものとなり、突起部15にベタツキが発生することを可及的に防止できる。また、図13(b)に示すように、コーティング層70を突起部15の表面全面を覆うように形成すれば、突起部15の破損・欠落を防止できる。 The mask 1 obtained by such a manufacturing method is resistant to cleaning (solvent), and can prevent the protrusions 15 from becoming sticky as much as possible. Further, as shown in FIG. 13(b), if the coating layer 70 is formed so as to cover the entire surface of the protrusion 15, the protrusion 15 can be prevented from being damaged or missing.

ここで、突起部15とコーティング層70は同じ樹脂同士なので、突起部15とコーティング層70との密着力は強固なものであるが、マスク本体10に突起部15を形成した後(突起部15の表面にコーティング層70を形成する前)に、突起部15を洗浄して突起部15の表面にあえてベタツキを発生させ、その表面にコーティング層70を形成することで、突起部15とコーティング層70との密着力をより強固なものにすることができる。 Here, since the projections 15 and the coating layer 70 are made of the same resin, the adhesion between the projections 15 and the coating layer 70 is strong. before forming the coating layer 70 on the surface of the protrusion 15), the protrusion 15 is washed to intentionally make the surface of the protrusion 15 sticky, and by forming the coating layer 70 on the surface, the protrusion 15 and the coating layer The adhesion force with 70 can be made stronger.

また、図13(c)に示すように、コーティング層70を形成する材質のみで突起部15を形成することもできる。コーティング層70を形成する材質は、フラックスが付着しにくいものであり、具体的には、アクリル樹脂に硫酸バリウム及び/又は二酸化珪素が含有された樹脂混合物が挙げられる。この樹脂混合物は、耐溶剤性に優れている。これについて具体的に説明すると、係る樹脂混合物で幅寸法が0.2~3.0mm(0.2mm、0.4mm、0.6mm、0.8mm、1.0mm、2.0mm、3.0mmの計7製品)の突起部をニッケル-コバルト合金からなるマスク本体に設けた各マスクを、洗浄剤(化研テック株式会社製)に6~24時間(6時間、12時間、24時間の計3回)浸漬させたが、全てのマスクにおいて突起部の剥離がなかったことが確認できた。さらに、係る樹脂混合物は、マスク本体10との相性が良く、密着性が良いので、突起部15の幅寸法を狭くすることが可能である。なお、係る樹脂混合物は硬度があるので(JIS規格の引っかき硬度試験で5H~6H)、マスク本体の厚さが100μm以下において、突起部の幅寸法を5mmより大きくすると、マスクに反りが発生してしまう恐れがあるので、突起部の幅寸法は5mm以下とするのが好ましい。このように、コーティング層70は、フッ素樹脂、シリコン樹脂、アクリル樹脂などといった材質を主成分として形成されている。そして、係る材質を主成分として突起部15を構成することが可能である。 Moreover, as shown in FIG. 13(c), it is also possible to form the protruding portion 15 only from the material forming the coating layer 70. FIG. A material for forming the coating layer 70 is a material to which flux hardly adheres, and specifically, a resin mixture containing barium sulfate and/or silicon dioxide in an acrylic resin can be used. This resin mixture has excellent solvent resistance. Specifically, the resin mixture has a width of 0.2 to 3.0 mm (0.2 mm, 0.4 mm, 0.6 mm, 0.8 mm, 1.0 mm, 2.0 mm, 3.0 mm). A total of 7 products) are placed in a cleaning agent (manufactured by Kaken Tech Co., Ltd.) for 6 to 24 hours (a total of 6 hours, 12 hours, and 24 hours). 3 times), but it was confirmed that there was no peeling of the protrusions in all the masks. Furthermore, since such a resin mixture is compatible with the mask main body 10 and has good adhesion, it is possible to narrow the width dimension of the protrusion 15 . Since the resin mixture has hardness (5H to 6H in the JIS standard scratch hardness test), if the thickness of the mask body is 100 μm or less and the width dimension of the protrusion is larger than 5 mm, the mask will warp. Therefore, it is preferable that the width of the protrusion is 5 mm or less. As described above, the coating layer 70 is mainly composed of a material such as fluorine resin, silicon resin, acrylic resin, or the like. Then, it is possible to configure the protrusion 15 by using such a material as a main component.

上記突起部15を形成する樹脂混合物の主成分は、アクリル樹脂であるが、これに限らず、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリウレタン、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ABS樹脂、AS樹脂、PET樹脂、EVA樹脂、フッ素樹脂、ポリアミド、ポリアセタール、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリフェニレンスルファイド、ポリテトラフロロエチレン、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、非晶ポリアリレート、液晶ポリマー、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリアミドイミドなど(所謂、熱可塑性樹脂)が挙げられる。また、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、アルキド樹脂、ポリウレタンなど(所謂、熱硬化性樹脂)でも良い。 The main component of the resin mixture forming the protrusions 15 is an acrylic resin, but is not limited thereto, and may be polyethylene, polypropylene, polystyrene, polyurethane, polyvinyl chloride, polyvinyl acetate, ABS resin, AS resin, PET resin, EVA resin, fluororesin, polyamide, polyacetal, polycarbonate, polyphenylene ether, polyester, polyolefin, polyphenylene sulfide, polytetrafluoroethylene, polysulfone, polyethersulfone, amorphous polyarylate, liquid crystal polymer, polyetheretherketone, polyimide, Examples include polyamideimide (so-called thermoplastic resin). Phenol resin, epoxy resin, melamine resin, urea resin, alkyd resin, polyurethane, etc. (so-called thermosetting resin) may also be used.

上記各実施形態において、突起部15(支柱15b)と通孔12の配置は、突起部15(支柱15b)が一つの通孔12を囲むように配置しても良いし、一つの突起部15が通孔12に囲まれるように配置しても良い。一つの通孔12を囲むように突起部15を配置する場合、突起部15の形状は、支柱のように部分的に設けたものに限らず、無端枠状に設けたものでも良い。また、突起部15の形状は、桟15aや円柱に限らず、ひし形・六角形などといった多角形や楕円でも良い。さらに、これら形状においては、図12に示すように、細長形状及び/又は角が丸みを帯びたものが好ましい。このように、これら形状の長手方向・長径方向を一定方向に合わせることで、例えば、マスク1の裏面を洗浄する際に、洗浄手段(布やスポンジなど)が突起部15に引っかかることによる洗浄手段や突起部15が破損するおそれを可及的になくすことができるとともに、スムーズに洗浄することが可能となる。よって、突起部15全ての長手方向・長径方向を一方向に合わせることが望ましい。なお、細長形状とするのはあくまでも突起部15の下端面(先端面)においてであり、突起部15の根元部15bの面においては強度等の点で必ずしも細長形状とする必要はない。 In each of the above embodiments, the protrusion 15 (support 15b) and the through hole 12 may be arranged so that the protrusion 15 (support 15b) surrounds one through hole 12, or one protrusion 15 may be arranged so as to be surrounded by the through hole 12 . When the protrusions 15 are arranged so as to surround one through hole 12, the shape of the protrusions 15 is not limited to being partially provided like a support, and may be provided in the shape of an endless frame. Moreover, the shape of the protrusion 15 is not limited to the crosspiece 15a or the column, but may be polygonal such as rhombus or hexagon, or ellipse. Further, among these shapes, as shown in FIG. 12, elongated shapes and/or rounded corners are preferred. In this way, by aligning the longitudinal direction and the major diameter direction of these shapes in a certain direction, for example, when cleaning the back surface of the mask 1, the cleaning means (cloth, sponge, etc.) is caught on the protrusions 15. It is possible to eliminate as much as possible the risk of damage to the projections 15 and to clean them smoothly. Therefore, it is desirable to align the longitudinal direction and major diameter direction of all the projections 15 in one direction. It should be noted that the elongated shape is limited to the lower end surface (tip surface) of the projection 15, and the surface of the root portion 15b of the projection 15 does not necessarily need to be elongated in terms of strength and the like.

また、上記各実施形態において、通孔12の内面とマスク本体10及び突起部15の表面とでコーティング層50・70の厚みを異ならせても良い。具体的には、通孔12の内面におけるコーティング層50の厚みをT1、マスク本体10及び突起部15の表面におけるコーティング層50の厚みをT2とした時(図9参照)、T1>T2とすれば、半田ボールの搭載不良を引き起こす通孔12内面へのフラックスの付着をより確実に防ぐことができる。また、コーティング層50を滑りやすい(摩擦が小さい)材質で形成すれば、T1の厚み分だけマスク本体10上面と通孔12内面との境目に滑りやすい領域として現れることになり、T1の厚さが厚ければ厚いほど、該領域が大きくなるので、半田ボール2をスキージブラシでかく時に、スキージブラシや半田ボール2を滑らかに移動させることができ、生産性や作業効率の向上が見込める。そして、T1<T2とすれば、マスク本体10下面に突起部15が別体形成された時に、突起部15の脱落、変形、破損をより確実に防ぐことができる。なお、このコーティング層50の形成方法としては、浸漬方式やスプレー方式など種々の方法があるが、コーティング層50を形成する際は、所望する形成個所以外の部分を保護シートで覆うと良い。また、コーティング層50を厚く形成したい時は、厚くしたい個所を局所的にスプレーしたり、マスク1の浸漬させる方向を異ならせたり(例えば、マスク本体10下面において厚くしたい場合は、マスク本体10下面と浸漬面とを平行にした状態で浸漬させると良く、通孔12内面において厚くしたい場合は、マスク本体10下面と浸漬面とを垂直にした状態で浸漬させると良い)することで実現できる。 Further, in each of the above-described embodiments, the thickness of the coating layers 50 and 70 may differ between the inner surface of the through hole 12 and the surfaces of the mask body 10 and the protrusions 15 . Specifically, when the thickness of the coating layer 50 on the inner surface of the through hole 12 is T1, and the thickness of the coating layer 50 on the surface of the mask body 10 and the protrusion 15 is T2 (see FIG. 9), T1>T2. By doing so, it is possible to more reliably prevent flux from adhering to the inner surface of the through-hole 12, which causes improper mounting of the solder ball. Also, if the coating layer 50 is made of a slippery (low friction) material, a slippery region will appear at the boundary between the upper surface of the mask body 10 and the inner surface of the through hole 12 by the thickness of T1. The thicker the solder ball 2, the larger the region becomes. Therefore, when the solder ball 2 is scratched with the squeegee brush, the squeegee brush and the solder ball 2 can be moved smoothly, and an improvement in productivity and work efficiency can be expected. If T1<T2, when the protrusion 15 is separately formed on the lower surface of the mask body 10, it is possible to more reliably prevent the protrusion 15 from coming off, deforming, and breaking. There are various methods for forming the coating layer 50, such as an immersion method and a spray method. When forming the coating layer 50, it is preferable to cover portions other than desired formation locations with a protective sheet. In addition, when the coating layer 50 is desired to be thickened, the portion to be thickened is locally sprayed, or the direction in which the mask 1 is immersed is changed (for example, when it is desired to be thickened at the bottom surface of the mask body 10, the bottom surface of the mask body 10 is and the immersion surface are parallel to each other, and if it is desired to increase the thickness of the inner surface of the through hole 12, the lower surface of the mask body 10 and the immersion surface should be immersed in a vertical state.

1 マスク
2 半田ボール
3 ワーク
6 電極
10 マスク本体
12 通孔
15 突起部
15a 桟
15b 支柱
15c 支柱
15’ 先端部
15” 根元部
30、40 母型
31、36、43 フォトレジスト層(ソルダーレジスト層)
34、41 一次パターンレジスト
34a、41a レジスト体
35、42 一次電着層
38、44、60 二次パターンレジスト
38a、44a レジスト体
39 二次電着層
50、70 コーティング層
1 Mask 2 Solder Ball 3 Work 6 Electrode 10 Mask Main Body 12 Through Hole 15 Protruding Part 15a Crosspiece 15b Support 15c Support 15' Tip 15'' Root 30, 40 Base Mold 31, 36, 43 Photoresist Layer (Solder Resist Layer)
34, 41 primary pattern resist 34a, 41a resist body 35, 42 primary electrodeposition layer 38, 44, 60 secondary pattern resist 38a, 44a resist body 39 secondary electrodeposition layer 50, 70 coating layer

Claims (7)

所定の配列パターンに対応した通孔(12)内に半田ボール(2)を振り込むことで、ワーク(3)上の所定位置に前記半田ボール(2)を搭載する配列用マスクであって、
前記通孔(12)が形成されたマスク本体(10)を備え、
少なくとも前記マスク本体(10)のスキージ面に、摩擦が小さい材質で形成されたコーティング層が設けられていることを特徴とする配列用マスク。
An array mask for mounting the solder balls (2) at predetermined positions on a workpiece (3) by pouring the solder balls (2) into the through holes (12) corresponding to a predetermined array pattern,
A mask body (10) in which the through hole (12) is formed,
A mask for arraying, wherein a coating layer made of a material with low friction is provided on at least the squeegee surface of the mask body (10).
前記摩擦が小さい材質で形成されたコーティング層は、前記通孔(12)内面に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の配列用マスク。 2. The arraying mask according to claim 1, wherein the coating layer made of a material with low friction is provided on the inner surface of the through hole (12). 前記摩擦が小さい材質で形成されたコーティング層は、前記マスク本体(10)の前記ワーク(3)との対向面に設けられていることを特徴とする請求項1または2に記載の配列用マスク。 3. The arraying mask according to claim 1, wherein the coating layer made of a material with low friction is provided on the surface of the mask body (10) facing the workpiece (3). . 前記マスク本体(10)の前記ワーク(3)との対向面に、突起部(15)が設けられており、該突起部(15)の表面に、前記摩擦が小さい材質で形成されたコーティング層が設けられていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の配列用マスク。 A projection (15) is provided on the surface of the mask body (10) facing the workpiece (3), and a coating layer formed of the material with low friction is formed on the surface of the projection (15). 4. The array mask according to any one of claims 1 to 3, further comprising: 前記マスク本体(10)の前記ワーク(3)との対向面に、撥水性を有する材質で形成されたコーティング層が設けられていることを特徴とする請求項1に記載の配列用マスク。 2. The array mask according to claim 1, wherein a coating layer made of a water-repellent material is provided on the surface of the mask body (10) facing the workpiece (3). 前記撥水性を有する材質で形成されたコーティング層は、前記通孔(12)内面に設けられていることを特徴とする請求項5に記載の配列用マスク。 6. The arraying mask according to claim 5, wherein the coating layer made of a material having water repellency is provided on the inner surface of the through hole (12). 前記マスク本体(10)の前記ワーク(3)との対向面に、突起部(15)が設けられており、該突起部(15)の表面に、前記撥水性を有する材質で形成されたコーティング層が設けられていることを特徴とする請求項5または6に記載の配列用マスク。 A projection (15) is provided on the surface of the mask body (10) facing the work (3), and the surface of the projection (15) is coated with the water-repellent material. 7. An alignment mask according to claim 5 or 6, characterized in that a layer is provided.
JP2022096577A 2014-07-07 2022-06-15 array mask Active JP7326541B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2023126113A JP2023143968A (en) 2014-07-07 2023-08-02 Mask for arrangement

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014139804 2014-07-07
JP2014139804 2014-07-07
JP2020003485A JP7022159B2 (en) 2014-07-07 2020-01-14 Alignment mask
JP2021072331A JP7091519B2 (en) 2014-07-07 2021-04-22 Array mask

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021072331A Division JP7091519B2 (en) 2014-07-07 2021-04-22 Array mask

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2023126113A Division JP2023143968A (en) 2014-07-07 2023-08-02 Mask for arrangement

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2022126740A true JP2022126740A (en) 2022-08-30
JP7326541B2 JP7326541B2 (en) 2023-08-15

Family

ID=55352866

Family Applications (7)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015036180A Active JP6508975B2 (en) 2014-07-07 2015-02-26 Array mask and method of manufacturing the same
JP2017238871A Active JP6526169B2 (en) 2014-07-07 2017-12-13 Array mask and method of manufacturing the same
JP2018181130A Active JP6647360B2 (en) 2014-07-07 2018-09-27 Array mask
JP2020003485A Active JP7022159B2 (en) 2014-07-07 2020-01-14 Alignment mask
JP2021072331A Active JP7091519B2 (en) 2014-07-07 2021-04-22 Array mask
JP2022096577A Active JP7326541B2 (en) 2014-07-07 2022-06-15 array mask
JP2023126113A Pending JP2023143968A (en) 2014-07-07 2023-08-02 Mask for arrangement

Family Applications Before (5)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015036180A Active JP6508975B2 (en) 2014-07-07 2015-02-26 Array mask and method of manufacturing the same
JP2017238871A Active JP6526169B2 (en) 2014-07-07 2017-12-13 Array mask and method of manufacturing the same
JP2018181130A Active JP6647360B2 (en) 2014-07-07 2018-09-27 Array mask
JP2020003485A Active JP7022159B2 (en) 2014-07-07 2020-01-14 Alignment mask
JP2021072331A Active JP7091519B2 (en) 2014-07-07 2021-04-22 Array mask

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2023126113A Pending JP2023143968A (en) 2014-07-07 2023-08-02 Mask for arrangement

Country Status (2)

Country Link
JP (7) JP6508975B2 (en)
TW (2) TW201602715A (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101699722B1 (en) * 2016-04-15 2017-01-25 정병식 A method of repair SBA TOOL
JP6139764B1 (en) * 2016-09-12 2017-05-31 株式会社ボンマーク Ball array mask and manufacturing method thereof
JP2019206088A (en) * 2018-05-28 2019-12-05 株式会社ボンマーク Mask for alignment of ball and manufacturing method therefor

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05235003A (en) * 1992-02-26 1993-09-10 Fujitsu Ltd Solder bump forming method and mask used therein
JP2007103817A (en) * 2005-10-07 2007-04-19 Citizen Watch Co Ltd Solder ball array mask and method of manufacturing semiconductor device using same
JP2008004775A (en) * 2006-06-22 2008-01-10 Athlete Fa Kk Ball mounting device and its control method
JP2008177264A (en) * 2007-01-17 2008-07-31 Hitachi Metals Ltd Ball transfer mask and ball mounting device using the same
JP2014107282A (en) * 2012-11-22 2014-06-09 Hitachi Maxell Ltd Mask for arrangement

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3453615B2 (en) * 2000-04-14 2003-10-06 光陽化学工業株式会社 Positive photoresist composition
JP2004009340A (en) * 2002-06-04 2004-01-15 T & K:Kk Metal mask and its producing process
TWI389205B (en) * 2005-03-04 2013-03-11 Sanmina Sci Corp Partitioning a via structure using plating resist
JP4221728B2 (en) * 2005-03-11 2009-02-12 日立金属株式会社 Conductive ball arrangement mask and conductive ball arrangement apparatus using the same
JP5046719B2 (en) * 2007-04-12 2012-10-10 日立マクセル株式会社 Mask for array and manufacturing method thereof
JP2009182068A (en) * 2008-01-30 2009-08-13 Kyushu Hitachi Maxell Ltd Mask for array and method of manufacturing the same
JP2009241301A (en) * 2008-03-28 2009-10-22 Mitsubishi Paper Mills Ltd Mask for screen printing
JP5642473B2 (en) * 2010-09-22 2014-12-17 セイコーインスツル株式会社 BGA semiconductor package and manufacturing method thereof
JP2012156325A (en) * 2011-01-26 2012-08-16 Ngk Spark Plug Co Ltd Manufacturing method of multilayer wiring board and mask for paste printing
JP5670250B2 (en) * 2011-04-18 2015-02-18 イビデン株式会社 LED substrate, light emitting module, device having light emitting module, method for manufacturing LED substrate, method for manufacturing light emitting module, and method for manufacturing device having light emitting module
JP5840446B2 (en) * 2011-10-11 2016-01-06 メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングMerck Patent GmbH Resist pattern surface treatment method and resist pattern forming method using the same
JP2013229577A (en) * 2012-03-26 2013-11-07 Hitachi Maxell Ltd Mask for arrangement
JP2014024239A (en) * 2012-07-26 2014-02-06 Canon Inc Recording head and method for manufacturing the same

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05235003A (en) * 1992-02-26 1993-09-10 Fujitsu Ltd Solder bump forming method and mask used therein
JP2007103817A (en) * 2005-10-07 2007-04-19 Citizen Watch Co Ltd Solder ball array mask and method of manufacturing semiconductor device using same
JP2008004775A (en) * 2006-06-22 2008-01-10 Athlete Fa Kk Ball mounting device and its control method
JP2008177264A (en) * 2007-01-17 2008-07-31 Hitachi Metals Ltd Ball transfer mask and ball mounting device using the same
JP2014107282A (en) * 2012-11-22 2014-06-09 Hitachi Maxell Ltd Mask for arrangement

Also Published As

Publication number Publication date
JP2020074428A (en) 2020-05-14
JP7022159B2 (en) 2022-02-17
JP6647360B2 (en) 2020-02-14
TW201606891A (en) 2016-02-16
JP2016027607A (en) 2016-02-18
TW201602715A (en) 2016-01-16
JP2023143968A (en) 2023-10-06
JP2019004181A (en) 2019-01-10
JP7326541B2 (en) 2023-08-15
TWI559418B (en) 2016-11-21
JP7091519B2 (en) 2022-06-27
JP6526169B2 (en) 2019-06-05
JP2021114623A (en) 2021-08-05
JP2018041984A (en) 2018-03-15
JP6508975B2 (en) 2019-05-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7326541B2 (en) array mask
JP4664146B2 (en) Conductive ball array mask and manufacturing method thereof
JP6150500B2 (en) Mask for array
JP2009182068A (en) Mask for array and method of manufacturing the same
JP5046719B2 (en) Mask for array and manufacturing method thereof
JP3869851B2 (en) Conductive ball array mask and manufacturing method thereof
JP6202575B2 (en) Mask for array
JP6277239B2 (en) Mask for array
JP6381322B2 (en) Mask for array
JP6758108B2 (en) Mask for arranging conductive pillars and its manufacturing method
JP5905756B2 (en) Alignment mask and solder bump forming method
JP4798631B2 (en) Solder ball arrangement mask and manufacturing method thereof
JP5156118B2 (en) Mask for array
JP5190880B2 (en) Solder ball arrangement mask and manufacturing method thereof
JP2018170529A (en) Mask for arrangement
TWI582873B (en) A masking method for manufacturing the same, and a method of manufacturing the solder bump
JP6963769B2 (en) Metal mask and its manufacturing method
JP7212127B2 (en) array mask
JP2020027831A (en) Alignment mask
JP2021009940A (en) Mask for arrangement

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220615

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230418

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20230419

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230616

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230703

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230802

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7326541

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150