JP2023143968A - Mask for arrangement - Google Patents

Mask for arrangement Download PDF

Info

Publication number
JP2023143968A
JP2023143968A JP2023126113A JP2023126113A JP2023143968A JP 2023143968 A JP2023143968 A JP 2023143968A JP 2023126113 A JP2023126113 A JP 2023126113A JP 2023126113 A JP2023126113 A JP 2023126113A JP 2023143968 A JP2023143968 A JP 2023143968A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mask
protrusion
coating layer
workpiece
mask body
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2023126113A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
良弘 小林
Yoshihiro Kobayashi
裕仁 田丸
Hirohito Tamaru
貴士 中島
Takashi Nakajima
樹一郎 石川
Kiichiro Ishikawa
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Maxell Ltd
Original Assignee
Maxell Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=55352866&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JP2023143968(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Maxell Ltd filed Critical Maxell Ltd
Publication of JP2023143968A publication Critical patent/JP2023143968A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11Manufacturing methods

Landscapes

  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)

Abstract

To provide a mask for arrangement that can prevent poor mounting of solder balls.SOLUTION: A mask for arrangement in which solder balls 2 are placed at a predetermined position on a workpiece 3 by placing the solder balls 2 into a through holes 12 corresponding to a predetermined arrangement pattern includes a mask body 10 in which the through hole 12 is formed. At least the squeegee surface of the mask body 10 is provided with a coating layer made of fluororesin, silicone resin, emulsion, resist, or acrylic resin.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、例えば半田バンプを形成するのに用いられる、配列用マスクに関する。 The present invention relates to an array mask used, for example, to form solder bumps.

半田バンプの形成方法としては、ウエハ・フレキシブル基板・リジッド基板などのワーク上の電極にフラックスを塗布する印刷工程と、フラックス上に半田ボールを配列する配列工程と、半田ボールを加熱・溶解する加熱工程を経てバンプを形成している。そして、前述の配列工程において、ワーク上に半田ボールを配列する方式としては、マスクを用いた振込方式がある。振込方式では、ワークの電極の配列パターンに対応して半田ボールが挿通可能な位置決め用の通孔を有する配列用マスク(以下、適宜に単に「マスク」と称す)を用いて、半田ボールをワークの電極上に搭載させている。具体的には、通孔と電極とが一致するようにワークに対しマスクを位置合わせしたうえで、マスクの上に供給された半田ボールをスキージやブラシ等で掃引して、各通孔に一つずつ半田ボールを投入する。そして、フラックスに半田ボールを固着させることにより、ワーク上の所定位置に半田ボールを仮止め的に搭載させている。 Solder bump formation methods include a printing process in which flux is applied to electrodes on a workpiece such as a wafer, flexible board, or rigid board, an arrangement process in which solder balls are arranged on the flux, and a heating process in which the solder balls are heated and melted. Bumps are formed through a process. In the above-mentioned arranging process, there is a transfer method using a mask as a method for arranging the solder balls on the workpiece. In the transfer method, solder balls are placed on the workpiece using an array mask (hereinafter simply referred to as a "mask") that has positioning holes through which the solder balls can be inserted in accordance with the electrode array pattern of the workpiece. It is mounted on the electrode. Specifically, after aligning the mask with respect to the workpiece so that the through holes and electrodes match, the solder balls supplied onto the mask are swept with a squeegee or brush, and applied to each through hole. Insert solder balls one by one. By fixing the solder ball to the flux, the solder ball is temporarily mounted at a predetermined position on the workpiece.

係るマスクとしては特許文献1に開示されたものがある。特許文献1に記載のマスクは、通孔を有するマスク本体の下面に多数本の支持用の突起部を設けており、突起部の突出寸法は同一寸法に設定されている。これにより、ワーク上にマスクを設置した際に、全ての支持用の突起部の下端がワークの上面に当接され、通孔を有するマスク本体とワークとの対向間隙が確保されるようになっている。 Such a mask is disclosed in Patent Document 1. The mask described in Patent Document 1 is provided with a large number of supporting protrusions on the lower surface of a mask main body having a through hole, and the protruding dimensions of the protrusions are set to be the same. As a result, when the mask is installed on the workpiece, the lower ends of all the supporting protrusions come into contact with the top surface of the workpiece, ensuring a gap between the mask body, which has a through hole, and the workpiece. ing.

特開2006-287215号公報JP2006-287215A

しかしながら、近年では電子機器の小型化に伴い、バンプの微小化が進んできている。つまり、バンプの微小化に伴って、マスクにおける通孔間隔寸法やパターン領域間隔寸法が狭くなり、通孔間やパターン領域間(パターン領域外周)に配される突起部自身の外形寸法も小さくなる傾向にあるため、マスクとワークとの対向間隔が狭まり、ワークの電極上に配されたフラックスがマスクに付着しやすくなる。マスクの表面にフラックスが付着してしまうと、半田ボールの搭載不良が生じやすくなってしまう。本発明の目的は、半田ボールの搭載不良を防止できる配列用マスクを提供することにある。 However, in recent years, as electronic devices have become smaller, bumps have become smaller. In other words, as bumps become smaller, the through-hole spacing and pattern area spacing in the mask become narrower, and the external dimensions of the protrusions themselves arranged between the through-holes and pattern areas (at the outer periphery of the pattern area) also become smaller. As a result, the distance between the mask and the workpiece is narrowed, and the flux placed on the electrodes of the workpiece tends to adhere to the mask. If flux adheres to the surface of the mask, solder ball mounting problems are likely to occur. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an array mask that can prevent solder ball mounting defects.

本発明は、所定の配列パターンに対応した通孔12内に半田ボール2を振り込むことで、ワーク3上の所定位置に半田ボール2を搭載する配列用マスクであって、通孔12からなるパターン領域が多数形成されたマスク本体10と、マスク本体10のワーク3との対向面側に設けられた突起部15とを備え、少なくともマスク本体10下面に、コーティング層50が形成されていることを特徴とする。また、マスク本体10と突起部15とは別体で形成されている。また、コーティング層50は、マスク本体10下面及び突起部15表面を覆うように形成されている。このコーティング層50は、1μm以下の厚さで形成すると良い。 The present invention is an array mask that mounts solder balls 2 at predetermined positions on a workpiece 3 by depositing the solder balls 2 into the through holes 12 corresponding to a predetermined array pattern. The mask body 10 includes a mask body 10 in which a large number of regions are formed, and a protrusion 15 provided on the side of the mask body 10 facing the workpiece 3, and a coating layer 50 is formed at least on the lower surface of the mask body 10. Features. Further, the mask main body 10 and the protrusion 15 are formed separately. Further, the coating layer 50 is formed to cover the lower surface of the mask body 10 and the surface of the protrusion 15. This coating layer 50 is preferably formed with a thickness of 1 μm or less.

また本発明は、通孔12からなるパターン領域が多数形成されたマスク本体10と、マスク本体10のワーク3との対向面側に設けられた突起部15とを備え、少なくともマスク本体10下面に、コーティング層50が形成された配列用マスクの製造方法である。まず、母型40上に、レジスト体41aを有する一次パターンレジスト41を形成する。次に、レジスト体41aを用いて、母型40上に、一次電着層42を形成する。次に、一次電着層42上に、レジスト体44aを有する二次パターンレジスト44を形成する。次に、一次電着層42表面に、コーティング層50を形成する。このコーティング層50は、一次電着層42の二次パターンレジスト44を有する側の表面及び二次パターンレジスト44の表面に形成すると良い。 Further, the present invention includes a mask body 10 in which a large number of pattern areas each consisting of through holes 12 are formed, and a protrusion 15 provided on the side of the mask body 10 facing the work 3, so that at least the lower surface of the mask body 10 has a protrusion 15. , a method for manufacturing an array mask on which a coating layer 50 is formed. First, a primary pattern resist 41 having a resist body 41 a is formed on a matrix 40 . Next, a primary electrodeposition layer 42 is formed on the matrix 40 using the resist body 41a. Next, a secondary pattern resist 44 having a resist body 44a is formed on the primary electrodeposition layer 42. Next, a coating layer 50 is formed on the surface of the primary electrodeposition layer 42. This coating layer 50 is preferably formed on the surface of the primary electrodeposited layer 42 on the side having the secondary pattern resist 44 and on the surface of the secondary pattern resist 44.

本発明の配列用マスクによれば、マスク本体下面に、コーティング層が形成されているので、マスク本体下面にフラックスが付着したままの状態を防ぐことができる。また、マスク本体下面及び突起部表面を覆うようにコーティング層を形成することで、コーティング層が突起部の保護層としての機能を果たすことになり、突起部の脱落、変形、破損を防ぐことができる。 According to the array mask of the present invention, since the coating layer is formed on the lower surface of the mask body, it is possible to prevent flux from remaining attached to the lower surface of the mask body. In addition, by forming a coating layer to cover the lower surface of the mask body and the surface of the protrusions, the coating layer functions as a protective layer for the protrusions, preventing the protrusions from falling off, deforming, or being damaged. can.

本発明の配列用マスクとワークの全体構成を示す斜視図である。FIG. 1 is a perspective view showing the overall configuration of an array mask and a workpiece according to the present invention. 本発明の第1実施形態に係る配列用マスクの縦断側面図である。FIG. 2 is a longitudinal cross-sectional side view of the array mask according to the first embodiment of the present invention. 本発明の第1実施形態に係る配列用マスクの平面図である。FIG. 2 is a plan view of the array mask according to the first embodiment of the present invention. 本発明の第1実施形態に係る配列用マスクの別実施形態の縦断側面図である。FIG. 6 is a longitudinal sectional side view of another embodiment of the array mask according to the first embodiment of the present invention. 本発明の第1実施形態に係る配列用マスクの別実施形態の平面図である。FIG. 7 is a plan view of another embodiment of the array mask according to the first embodiment of the present invention. 本発明の第1実施形態に係る配列用マスクの別実施形態の縦断側面図である。FIG. 6 is a longitudinal sectional side view of another embodiment of the array mask according to the first embodiment of the present invention. 本発明の第1実施形態に係る配列用マスクの製造方法の説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram of a method for manufacturing an array mask according to the first embodiment of the present invention. 本発明の第1実施形態に係る配列用マスクの製造方法の説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram of a method for manufacturing an array mask according to the first embodiment of the present invention. 本発明の第2実施形態に係る配列用マスクの縦断側面図である。FIG. 7 is a vertical side view of an array mask according to a second embodiment of the present invention. 本発明の第2実施形態に係る配列用マスクの製造方法の説明図である。It is an explanatory view of the manufacturing method of the array mask concerning a 2nd embodiment of the present invention. 本発明の第2実施形態に係る配列用マスクの製造方法の説明図である。It is an explanatory view of the manufacturing method of the array mask concerning a 2nd embodiment of the present invention. 本発明の別実施形態に係る配列用マスクの部分拡大平面図である。FIG. 7 is a partially enlarged plan view of an array mask according to another embodiment of the present invention. 本発明の第2実施形態に係る配列用マスクの別実施形態の部分拡大縦断側面図である。It is a partially enlarged vertical cross-sectional side view of another embodiment of the array mask according to the second embodiment of the present invention. 本発明の第2実施形態に係る配列用マスクの別実施形態の製造方法の説明図である。It is an explanatory view of the manufacturing method of another embodiment of the array mask concerning a 2nd embodiment of the present invention.

(第1実施形態)
図1乃至図3に、本発明の第1実施形態に係る半田ボールの配列用マスクを示す。この配列用マスク(以下、単にマスクと記す)1は、半田バンプ形成における半田ボール2の配列工程において使用に供されるものである。図2において、符号3は、マスク1による半田ボール2の搭載対象となるワークを示す。このワーク3は、例えば、ガラスエポキシ基板のベース4に複数個の半導体チップ5を搭載し、ワイヤボンドで配線した後トランスファモールド封止してなるものであり、半導体チップ5を囲むように、ワーク3の上面には、入出力端子である電極6が所定のパターンで形成されている。なお、ワーク3は、バンプの形成後に個片に切断され、個々のLSIチップとされる。
(First embodiment)
1 to 3 show a mask for arranging solder balls according to a first embodiment of the present invention. This arranging mask (hereinafter simply referred to as mask) 1 is used in the step of arranging solder balls 2 in forming solder bumps. In FIG. 2, reference numeral 3 indicates a workpiece to which solder balls 2 are mounted using the mask 1. This work 3 is made by mounting a plurality of semiconductor chips 5 on a base 4 of, for example, a glass epoxy substrate, wiring them with wire bonds, and then sealing them by transfer molding. Electrodes 6, which are input/output terminals, are formed on the upper surface of 3 in a predetermined pattern. Note that after the bumps are formed, the workpiece 3 is cut into individual pieces to form individual LSI chips.

図1に示すように、マスク1は、ニッケルやニッケルコバルト等のニッケル合金、銅やその他の金属を素材として形成されたマスク本体10から成り、このマスク本体10にはこれを囲むように枠体11を装着することができる。マスク本体10の盤面中央部には、各半導体チップ5に対応して、半田ボール2を投入するための多数独立の通孔12からなるパターン領域が多数形成されている。図2に示すように、通孔12は、ワーク3上における各半導体チップ5の電極6の配列位置に対応した配列パターンに対応している。半田ボール2は、50μm以下の半径寸法を有するものであり、これに合わせて各通孔12は、当該ボール2の半径寸法よりも僅かに大きな内径寸法を有する平面視で円形状に形成されている。 As shown in FIG. 1, the mask 1 consists of a mask body 10 made of nickel, a nickel alloy such as nickel-cobalt, copper, or other metal. 11 can be installed. At the center of the mask body 10, a large number of pattern areas are formed corresponding to each semiconductor chip 5, each consisting of a large number of independent through holes 12 into which solder balls 2 are inserted. As shown in FIG. 2, the through holes 12 correspond to an arrangement pattern corresponding to the arrangement position of the electrodes 6 of each semiconductor chip 5 on the workpiece 3. The solder ball 2 has a radius of 50 μm or less, and in accordance with this, each through hole 12 is formed into a circular shape in plan view with an inner diameter slightly larger than the radius of the ball 2. There is.

枠体11は、アルミ、42アロイ、インバー材、SUS430等の材質からなる平板体であり、その盤面中央に、マスク本体10に対応する一つの四角形状の開口を備えており、本実施形態では、一枚のマスク本体10を一枚の枠体11で保持している。枠体11は、マスク本体10よりも肉厚の成形品であり、マスク本体10の外周縁と不離一体的に接合される。ここでは枠体11の厚み寸法は、例えば0.05~1.0mm程度とし、本実施形態においては0.5mmに設定した。また、マスク本体10の厚みは、好ましくは10μm以上とし、本実施形態では200μmに設定した。 The frame body 11 is a flat plate body made of materials such as aluminum, 42 alloy, Invar material, SUS430, etc., and is provided with one rectangular opening corresponding to the mask body 10 in the center of the board surface. , one mask body 10 is held by one frame 11. The frame 11 is a molded product that is thicker than the mask body 10, and is inseparably joined to the outer peripheral edge of the mask body 10. Here, the thickness of the frame 11 is, for example, about 0.05 to 1.0 mm, and in this embodiment, it is set to 0.5 mm. Further, the thickness of the mask body 10 is preferably 10 μm or more, and in this embodiment, it is set to 200 μm.

マスク本体10(マスク1)の下面側、すなわちワーク3との対向面側には、下方向に突出状の突起部15を設けることができる。詳しくは、図2及び図3に示すように、パターン領域間(パターン領域の外周)にこのパターン領域を囲むように突起部15(桟15a)を設けることができる。この突起部15(桟15a)は、図3のような連続的に設けたものでなくても良く、断片的に設けても良い。また、図4に示すように、パターン領域内の通孔12が形成されていない位置に突起部15(支柱15b)を設けることができる。また、隣り合うパターン領域間(パターン領域の外周)にパターン領域を囲むようにして設ける突起部15の形状としては、桟15aに限らず、図5に示すように、支柱15cであっても良い。係る突起部15を設けていれば、配列作業時において、ワーク3の上面に当接してマスク本体10とワーク3との対向間隙を確保できる。各々の突起部15(桟15a、支柱15b)においては、図2および図4に示すように、マスク本体10の下面から突起部15の先端に向かって先窄まるように形成されていることが好ましく、円錐台状を呈している。 A protrusion 15 projecting downward can be provided on the lower surface side of the mask body 10 (mask 1), that is, on the side facing the workpiece 3. Specifically, as shown in FIGS. 2 and 3, protrusions 15 (crosspieces 15a) can be provided between pattern regions (outer periphery of the pattern regions) so as to surround the pattern regions. The protrusion 15 (crosspiece 15a) does not have to be provided continuously as shown in FIG. 3, but may be provided piecemeal. Furthermore, as shown in FIG. 4, protrusions 15 (pillars 15b) can be provided at positions in the pattern area where through holes 12 are not formed. Further, the shape of the protrusion 15 provided between adjacent pattern areas (outer periphery of the pattern area) so as to surround the pattern area is not limited to the crosspiece 15a, but may be a support 15c as shown in FIG. If such a protrusion 15 is provided, it can come into contact with the upper surface of the workpiece 3 and secure a gap between the mask body 10 and the workpiece 3 during the arrangement operation. As shown in FIGS. 2 and 4, each protrusion 15 (crosspiece 15a, strut 15b) is formed to taper from the lower surface of the mask body 10 toward the tip of the protrusion 15. Preferably, it has a truncated conical shape.

突起部15の形状としては、この他に図6に示すように、突起部15の根元寸法がマスク本体10の下面に向かうにつれて大きくなる末拡がり形状(突起部15の根元から先端に向かうにつれて窄まっていく先窄まり形状)であって、側面が円弧状に形成されたものであっても良い。これにより、突起部15の特に根元部15”に応力が集中することにより生じる破損を防止できるとともに、マスク1をワーク3に載置した際に、仮に突起部15にフラックス17が付着したとしても、突起部15の側面が円弧となっていることにより、フラックス17の通孔12への回り込みを防止できるので、通孔12にフラックス17が付着することによる半田ボール2の搭載不良を招くおそれをなくすことができる。なお、突起部15の根元部15”の終端位置については、マスク本体10の下面の通孔12付近に位置していることが好ましく、マスク本体下面10aと通孔内面12aとの交点に位置する形態、マスク本体下面10a上の通孔12から間隙をとったところに位置する形態が考えられる。また、突起部15の側面は、凸状円弧でも凹状円弧でもどちらでも良く、凸状円弧とすれば強度の良いものになり、凹状円弧とすれば突起部15側面のどの位置においてもフラックス17が付着された電極6に近づく部分がない、つまり、フラックス17が付着された電極6から一定距離を保った状態となって良い。さらに、突起部15の先端部15’及び/又は根元部15”を円弧状に形成しても良く、これにより、突起部15にフラックス17が付着するおそれが可及的に減少する。 In addition, as shown in FIG. 6, the protrusion 15 may have a shape in which the root size of the protrusion 15 widens toward the lower surface of the mask body 10 (the protrusion 15 narrows from the root toward the tip). It may be a shape that tapers toward the end), and the side surface is formed in an arc shape. This makes it possible to prevent damage caused by stress concentration on the protrusion 15, particularly at the base 15'', and even if the flux 17 adheres to the protrusion 15 when the mask 1 is placed on the workpiece 3. Since the side surface of the protrusion 15 is arcuate, it is possible to prevent the flux 17 from entering the through hole 12, thereby preventing the flux 17 from adhering to the through hole 12, which may lead to poor mounting of the solder ball 2. The end position of the root portion 15'' of the protrusion 15 is preferably located near the through hole 12 on the lower surface of the mask body 10, so that the lower surface 10a of the mask body and the inner surface 12a of the through hole are located close to each other. Possible configurations include a configuration in which the mask is located at the intersection of , and a configuration in which the mask is located at a distance from the through hole 12 on the lower surface 10a of the mask main body. Further, the side surface of the protrusion 15 may be either a convex arc or a concave arc; a convex arc provides good strength, and a concave arc allows the flux 17 to be maintained at any position on the side surface of the protrusion 15. There may be no portion approaching the attached electrode 6, that is, the flux 17 may be kept at a certain distance from the attached electrode 6. Furthermore, the tip 15' and/or the base 15'' of the protrusion 15 may be formed in an arcuate shape, thereby reducing the possibility that the flux 17 will adhere to the protrusion 15 as much as possible.

本マスク1においては、突起部15の高さとマスク本体10の厚みとの比が2対1以上とするのが好ましく、上記マスク本体10の厚さが10~300μmの範囲内においてこれを満足することがより好ましい。また、突起部15は、アスペクト比(突起部15における高さと先端寸法との比)が大きいものが好ましく、本実施形態ではアスペクト比3としている。また、突起部15の根元寸法L2は、突起部15の先端寸法L1の1.0~1.5倍とするのが好ましく、本実施形態では1.2倍に設定している。さらに、突起部15の先端寸法L1と根元寸法L2と通孔12間の幅寸法L3との比が1対1.2対1.4以上であることが好ましい。さらに、パターン領域から突起部15(桟15a、支柱15c)の根元までの寸法L4は、0.01mm以上に設定することが好ましく、本実施形態では0.02mmとしている。係る条件により、フラックスの付着を可及的に防ぐことができる。この時、上述した突起部15の先端寸法L1と根元寸法L2との比の関係及びパターン領域から突起部15の根元までの寸法L4の関係を満足することにより、突起部15の破損防止及びフラックスの付着防止を両立させることができる。さらには、パターン領域から突起部15(桟15a、支柱15c)の先端中心までの寸法をL5とした時、L1とL2とL5との比が1対3対2.5以上とすることにより、上記両立効果を最大限に活かすことができる。 In the present mask 1, it is preferable that the ratio between the height of the protrusion 15 and the thickness of the mask body 10 is 2:1 or more, and this is satisfied when the thickness of the mask body 10 is in the range of 10 to 300 μm. It is more preferable. Further, the protrusion 15 preferably has a large aspect ratio (the ratio of the height of the protrusion 15 to the tip size), and in this embodiment, the aspect ratio is 3. The root dimension L2 of the protrusion 15 is preferably 1.0 to 1.5 times the tip dimension L1 of the protrusion 15, and is set to 1.2 times in this embodiment. Furthermore, it is preferable that the ratio of the tip dimension L1 of the protrusion 15, the root dimension L2, and the width dimension L3 between the through holes 12 is 1:1.2:1.4 or more. Furthermore, the dimension L4 from the pattern area to the base of the protrusion 15 (crosspiece 15a, support 15c) is preferably set to 0.01 mm or more, and in this embodiment is set to 0.02 mm. Under such conditions, adhesion of flux can be prevented as much as possible. At this time, by satisfying the relationship of the ratio between the tip dimension L1 and the base dimension L2 of the protrusion 15 and the relationship of the dimension L4 from the pattern area to the base of the protrusion 15, damage to the protrusion 15 can be prevented and flux It is possible to achieve both prevention of adhesion. Furthermore, when L5 is the dimension from the pattern area to the center of the tip of the protrusion 15 (crosspiece 15a, pillar 15c), by setting the ratio of L1, L2, and L5 to 1:3:2.5 or more, The above-mentioned coexistence effects can be utilized to the maximum.

ここでは、マスク本体10と突起部15が一体となったマスク1としているが、マスク本体10と突起部15とが別部材で一体的に形成されたものでも良い。これは、上記マスク1において、マスク本体10を磁性体で形成し、突起部15を非磁性体で形成すれば、磁石の磁力吸引によってワーク3にマスク1を固定する場合に、マスク1に対して磁力を均一に働かせることができるので、マスク1が不用意に撓むおそれがなく、ワークに良好に密着させることができ、電極6に対する通孔12の位置合わせ精度を向上することができる。また、マスク1を取り外す際には、ワーク3と突起部15が直接磁力結合しないので、版離れを良好にすることができる。係るマスク1は、例えば、マスク本体10を磁性体金属(ニッケル、鉄等)によって形成し、突起部15を非磁性体金属(銅、アルミなど)によって形成することで得られる。 Here, the mask 1 is constructed such that the mask body 10 and the protrusions 15 are integrated, but the mask main body 10 and the protrusions 15 may be integrally formed as separate members. In the above-mentioned mask 1, if the mask body 10 is formed of a magnetic material and the projection part 15 is formed of a non-magnetic material, when the mask 1 is fixed to the workpiece 3 by the magnetic attraction of the magnet, the mask 1 can be fixed. Since the magnetic force can be applied uniformly, there is no risk that the mask 1 will be inadvertently bent, and the mask 1 can be brought into close contact with the workpiece, and the alignment accuracy of the through hole 12 with respect to the electrode 6 can be improved. Further, when the mask 1 is removed, the workpiece 3 and the protrusion 15 are not directly magnetically coupled, so that separation of the plates can be improved. Such a mask 1 can be obtained, for example, by forming the mask body 10 from a magnetic metal (nickel, iron, etc.) and forming the protrusion 15 from a non-magnetic metal (copper, aluminum, etc.).

また、突起部15を非磁性体で形成するものにおいては、上記金属に限らず、樹脂やレジストによって形成したものでも良い。これにより、上記効果に加え、当該樹脂の弾力性に由来するクッション作用が発揮され、突起部15がワーク3に当接した際に、ワーク3が損傷するおそれが少なくなる。なお、係る効果を顕著に奏するためには、マスク1において、突起部15だけでなく、ワーク3と当接する部分の全てを樹脂で形成することが好ましい。また、突起部15を樹脂で形成する場合、電鋳法でマスク本体10を形成する時に使用するレジストと同じものを使用すれば、生産効率良く形成できる。 Further, in the case where the protruding portion 15 is formed of a non-magnetic material, it is not limited to the above-mentioned metal, but may be formed of resin or resist. As a result, in addition to the above-mentioned effects, a cushioning effect derived from the elasticity of the resin is exerted, and when the projection 15 comes into contact with the workpiece 3, there is less risk of damage to the workpiece 3. In addition, in order to exhibit such an effect significantly, in the mask 1, it is preferable that not only the protruding portion 15 but also the entire portion that comes into contact with the workpiece 3 is formed of resin. Furthermore, when the projections 15 are formed of resin, they can be formed with high production efficiency by using the same resist as that used when forming the mask body 10 by electroforming.

また、本マスク1においては、図2、図4、図6に示すように、マスク本体10下面や通孔12内面にコーティング層50を設けている。コーティング層50としては、撥水性を有するものが好ましく、その材質としては、フッ素樹脂、シリコン樹脂、乳剤、レジスト(液状)などがある。係るコーティング層50を設けることにより、マスク本体10下面や通孔12内面にフラックスが付着してもフラックスを弾くことができ、マスク本体10下面や通孔12内面にフラックスが付着したままの状態を防止できる。なお、該コーティング層50は、マスク本体10上面に形成しても良いし、パターン領域間であって、突起部15(桟15a、支柱15c)間におけるマスク本体10下面においては形成しなくて良い。要は、フラックスが付着すると半田ボールの搭載不良が生じやすい部分に形成するのが望ましく、マスク1をワーク上に載置した際に、電極6上に塗布されたフラックス17と対面するマスク本体10及び突起部15の表面に形成することが望ましい。 Furthermore, in the present mask 1, a coating layer 50 is provided on the lower surface of the mask body 10 and the inner surface of the through hole 12, as shown in FIGS. 2, 4, and 6. The coating layer 50 is preferably water repellent, and examples of the material include fluororesin, silicone resin, emulsion, and resist (liquid). By providing such a coating layer 50, even if flux adheres to the lower surface of the mask body 10 or the inner surface of the through hole 12, the flux can be repelled, and the state in which flux remains attached to the lower surface of the mask body 10 or the inner surface of the through hole 12 can be prevented. It can be prevented. The coating layer 50 may be formed on the upper surface of the mask body 10, or may not be formed on the lower surface of the mask body 10 between the pattern areas and between the projections 15 (crosspieces 15a, pillars 15c). . In short, it is desirable to form the solder ball in the part where the solder ball mounting failure is likely to occur if the flux adheres. It is desirable to form this on the surface of the protrusion 15.

なお、各図面は、実際のマスク1の様子を示したものではなく、それを模式的に示している。また、各図面における通孔12の開口寸法やマスク本体10等の厚み寸法等は、図面作成の便宜上、そのような寸法に示したものである。また、図3、図5において、符号15で図示しているのは、突起部15の下端面(先端面)であり、突起部15の根元は図示していない。また、図3、図5においては、コーティング層50は図示していない。 Note that each drawing does not show the actual state of the mask 1, but only schematically shows it. Further, the opening dimensions of the through holes 12, the thickness dimensions of the mask body 10, etc. in each drawing are shown as such dimensions for convenience in drawing the drawings. Moreover, in FIGS. 3 and 5, the reference numeral 15 indicates the lower end surface (tip surface) of the protrusion 15, and the root of the protrusion 15 is not illustrated. Further, in FIGS. 3 and 5, the coating layer 50 is not shown.

係るマスク1を用いた半田ボール2の配列作業は、以下のような手順で行われる。なお、この配列作業は、専用の配列装置(特許文献1の図1、図5等を参照)によって行われる。まず、ワーク3の電極6上にフラックス17(図2参照)を印刷塗布する。次に、通孔12と電極6が一致するように、ワーク3上にマスク1を位置合わせしたうえで、マスク1を固定する。かかる位置合わせ作業は、実際には枠体11とワーク3との外周縁を位置合わせすることで行われる。位置合わせ作業が終了すると、該固定状態において、突起部15の下端面がワーク3の表面に当接することで、マスク本体10は、図2、図4、図6に示すようなワーク3との対向間隙が確保された離間姿勢に姿勢保持される。この時、ワーク3の下方に磁石を配置して、この磁石の磁力作用によって、マスク1をワーク3側に吸着させることもできる。 The operation of arranging the solder balls 2 using the mask 1 is performed in the following procedure. Note that this arrangement work is performed by a dedicated arrangement device (see FIG. 1, FIG. 5, etc. of Patent Document 1). First, a flux 17 (see FIG. 2) is applied by printing onto the electrode 6 of the workpiece 3. Next, the mask 1 is positioned on the workpiece 3 so that the through hole 12 and the electrode 6 are aligned, and then the mask 1 is fixed. This positioning work is actually performed by aligning the outer peripheral edges of the frame 11 and the workpiece 3. When the alignment work is completed, the lower end surface of the protrusion 15 comes into contact with the surface of the workpiece 3 in the fixed state, so that the mask body 10 is aligned with the workpiece 3 as shown in FIGS. 2, 4, and 6. The posture is maintained in a separated posture with a facing gap secured. At this time, it is also possible to arrange a magnet below the workpiece 3 and attract the mask 1 to the workpiece 3 side by the magnetic force of this magnet.

次に、マスク1上に多数個の半田ボール2を供給し、スキージブラシを用いてマスク1上で半田ボール2を分散させて、通孔12内に一つずつ半田ボール2を投入する。これにて、電極6上に半田ボール2がフラックス17によって仮止め状に粘着保持される。かかるスキージブラシを用いた半田ボール2の投入作業において、スキージブラシ圧がマスク1に大きくかかったとしても突起部15によってマスク1が撓むことを防止でき、投入作業を作業効率良くスムーズに進めることができる。 Next, a large number of solder balls 2 are supplied onto the mask 1, the solder balls 2 are dispersed on the mask 1 using a squeegee brush, and the solder balls 2 are introduced into the through holes 12 one by one. In this way, the solder ball 2 is temporarily adhesively held on the electrode 6 by the flux 17. In the operation of inserting solder balls 2 using such a squeegee brush, even if a large squeegee brush pressure is applied to the mask 1, the mask 1 can be prevented from being bent by the protrusion 15, and the operation of inserting the solder balls 2 can be carried out efficiently and smoothly. Can be done.

以上のように、本実施形態に係るマスク1によれば、マスク本体10とワーク3との対向間隙を形成する突起部15を備えているので、突起部15によってワーク3との対向間隙を確実に確保でき、通孔12内への半田ボール2の投入作業を効率的に漏れなく進めることが可能となる。 As described above, since the mask 1 according to the present embodiment includes the protrusion 15 that forms the opposing gap between the mask body 10 and the workpiece 3, the protrusion 15 ensures that the opposing gap with the workpiece 3 is maintained. This makes it possible to efficiently and thoroughly insert the solder balls 2 into the through holes 12.

マスク本体10の外周縁に補強用の枠体11を設けることができ、マスク本体10をそれ自体に内方に収縮する方向の応力が作用するようなテンションを加えた状態で形成すれば、周囲温度の変化に伴うマスク本体10の膨張分を、当該収縮方向へのテンションで吸収できる。これにて、ワーク3に対するマスク本体10の位置ズレの発生を防ぐことができる。また、マスク本体10の全体に均一なテンションを与えることができるので、ワーク3に対して半田ボール2を位置精度良く搭載させることができる。 A reinforcing frame 11 can be provided on the outer periphery of the mask body 10, and if the mask body 10 is formed under tension such that stress in the direction of inward contraction is applied to itself, the surroundings The expansion of the mask body 10 due to temperature changes can be absorbed by the tension in the contraction direction. This can prevent misalignment of the mask body 10 with respect to the workpiece 3. Moreover, since uniform tension can be applied to the entire mask body 10, the solder balls 2 can be mounted on the workpiece 3 with high positional accuracy.

次に、係る構成の配列用マスク1の製造方法を図7及び図8に示す。まず、例えば、導電性を有するステンレス製や真ちゅう鋼製の母型30の表面にフォトレジスト層31を形成する。このフォトレジスト層31は、ネガタイプの感光性ドライフォトレジストを、所定の高さに合わせて一枚ないし数枚ラミネートして熱圧着により形成した。ついで、図7(a)に示すごとく、フォトレジスト層31の上に、突起部15に対応する透光孔32aを有するパターンフィルム(ガラスマスク)32を密着させたのち、紫外光ランプ33で紫外線光を照射して露光を行い、現像、乾燥の各処理を行って、未露光部分を溶解除去することにより、図7(b)に示すように、先窄まり状の突起部15に対応するレジスト体34aを有する一次パターンレジスト34を母型30上に形成した。この時、紫外線が透過しにくいフォトレジストを用いたり、露光量を弱めたりして、レジスト体34aにテーパを付けることが好ましい。続いて、上記母型30を所定の条件に建浴した電鋳槽に入れ、図7(c)に示すごとく、先のレジスト体34aの高さの範囲内で、母型30のレジスト体34aで覆われていない表面にニッケルや銅等の電着金属を電鋳して、一次電鋳層35を形成した。ここでは、母型30の略全面にわたって、一次電鋳層35を形成した(第一の電鋳工程)。次に、図7(d)に示すごとく、一次パターンレジスト34を除去する。ここで、一次電鋳層35の表面に研磨処理を施しておくと良い。 Next, a method for manufacturing the array mask 1 having such a configuration is shown in FIGS. 7 and 8. First, a photoresist layer 31 is formed on the surface of a matrix 30 made of conductive stainless steel or brass steel, for example. This photoresist layer 31 was formed by laminating one or several negative-type photosensitive dry photoresists to a predetermined height and bonding them by thermocompression. Next, as shown in FIG. 7(a), a pattern film (glass mask) 32 having transparent holes 32a corresponding to the projections 15 is tightly attached onto the photoresist layer 31, and then exposed to ultraviolet light using an ultraviolet lamp 33. By performing exposure by irradiating light, performing development and drying processes, and dissolving and removing the unexposed portion, the tapered protrusion 15 is formed as shown in FIG. 7(b). A primary pattern resist 34 having a resist body 34a was formed on the matrix 30. At this time, it is preferable to taper the resist body 34a by using a photoresist through which ultraviolet rays do not easily pass or by weakening the amount of exposure. Next, the mother mold 30 is placed in an electroforming bath prepared under predetermined conditions, and as shown in FIG. A primary electroformed layer 35 was formed by electroforming an electrodeposited metal such as nickel or copper on the surface not covered with the . Here, the primary electroforming layer 35 was formed over substantially the entire surface of the mother mold 30 (first electroforming step). Next, as shown in FIG. 7(d), the primary pattern resist 34 is removed. Here, it is preferable to perform a polishing treatment on the surface of the primary electroformed layer 35.

次いで、図8(a)に示すごとく、一次電鋳層35および母型30の表面の全体に、フォトレジスト層36を形成したうえで、当該フォトレジスト層36の表面に、前記通孔12に対応する透光孔37aを有するパターンフィルム(ガラスマスク)37を密着させたのち、紫外光ランプ33で紫外線光を照射して露光を行い、現像、乾燥の各処理を行って、未露光部分を溶解除去することにより、図8(b)に示すように、マスク本体10に対応するレジスト体38aを有する二次パターンレジスト38を一次電鋳層35の表面に形成した。続いて、所定の条件に建浴した電鋳槽に入れ、図8(c)に示すごとく、先のレジスト体38aの高さの範囲内で、母型30及びのレジスト体38aで覆われていない一次電鋳層35の表面にニッケルや銅等の電着金属を電鋳して、二次電鋳層39を形成した(第二の電鋳工程)。次に、二次パターンレジスト38を溶解除去し、母型30及び一次電鋳層35から二次電鋳層39を剥離する。最後に、マスク本体10下面に対応する二次電鋳層39の母型面側及び通孔12内面に対応する二次電鋳層39の二次パターンレジスト38との対向面にコーティング層50を形成することで、図8(e)および図2に示すようなマスク1を得た。 Next, as shown in FIG. 8(a), a photoresist layer 36 is formed on the entire surface of the primary electroformed layer 35 and the matrix 30, and then the through holes 12 are formed on the surface of the photoresist layer 36. After a pattern film (glass mask) 37 having corresponding transparent holes 37a is closely attached, exposure is performed by irradiating ultraviolet light with an ultraviolet light lamp 33, and the unexposed portions are subjected to development and drying processes. By dissolving and removing, a secondary pattern resist 38 having a resist body 38a corresponding to the mask body 10 was formed on the surface of the primary electroformed layer 35, as shown in FIG. 8(b). Subsequently, it is placed in an electroforming bath prepared under predetermined conditions, and as shown in FIG. A secondary electroformed layer 39 was formed by electroforming an electrodeposited metal such as nickel or copper on the surface of the primary electroformed layer 35 (second electroforming step). Next, the secondary pattern resist 38 is dissolved and removed, and the secondary electroformed layer 39 is peeled off from the matrix 30 and the primary electroformed layer 35. Finally, a coating layer 50 is applied to the matrix surface side of the secondary electroformed layer 39 corresponding to the lower surface of the mask body 10 and to the surface facing the secondary pattern resist 38 of the secondary electroformed layer 39 corresponding to the inner surface of the through hole 12. By forming the mask 1 as shown in FIG. 8(e) and FIG. 2 was obtained.

こうして得られたマスク1に枠体11を装着すれば、図1に示すような配列用マスク1が得られる。マスク1(二次電鋳層39)は、それ自体に内方に収縮する方向の応力が作用するようなテンションを加えた状態で、枠体11に保持することが可能である。かかる応力の付与は、例えば、枠体11とマスク1との熱膨張係数の差を利用して、高温環境下でマスク1の外周縁に枠体11の装着作業を行い、常温時ではマスク1を内方側に収縮させることで実現できる。 By attaching the frame 11 to the mask 1 thus obtained, an array mask 1 as shown in FIG. 1 is obtained. The mask 1 (secondary electroformed layer 39) can be held in the frame 11 under tension such that stress in the direction of inward contraction is applied to the mask 1 (secondary electroformed layer 39). To apply such stress, for example, the frame 11 is attached to the outer periphery of the mask 1 in a high temperature environment by utilizing the difference in thermal expansion coefficient between the frame 11 and the mask 1, and the mask 1 is attached at room temperature. This can be achieved by contracting inward.

以上のようなマスク1の製造方法によれば、電鋳法を用いて高精度に配列用マスクを作製することができるので、半田ボール2を位置精度良くワーク3上に搭載させることができる。また、突起部15を有するマスク1を一回の電鋳(第二の電鋳工程)により、マスク本体10と突起部15とを不離一体に形成するようにすれば、マスク本体10と突起部15とを別体で形成したものに比べて、該突起部15の破損などの不都合が生じるおそれが少なく、信頼性に優れたマスク1を高精度に得ることができる点でも優れている。また、突起部15をマスク本体10の下面に近づくにつれて大きくなるよう先窄まり状に形成すれば、突起部15の特に根元に応力が集中することが回避されるため、突起部15の強度をしっかりと補強できつつ、突起部15をフラックス17が塗布された電極6から離間した状態で電極6間に当接できるので、電極6に塗布されたフラックス17がマスク本体10に付着することによる半田ボール2の搭載不良を防止することができる。この時、突起部15の先端部15’の寸法と根元部15”の寸法との比を1対3以上とすること、突起部15のアスペクト比を3以上とすることでより効果的となる。係る所望の寸法及びアスペクト比を有する突起部15の作製は、レジストパターン35の形状を調整することによって容易に得られる。 According to the method for manufacturing the mask 1 as described above, the arraying mask can be manufactured with high accuracy using electroforming, so the solder balls 2 can be mounted on the workpiece 3 with high positional accuracy. Furthermore, if the mask 1 having the protrusions 15 is formed inseparably into the mask body 10 and the protrusions 15 by one electroforming process (second electroforming process), the mask body 10 and the protrusions 15 is formed separately, there is less risk of problems such as breakage of the protrusion 15, and the mask 1 is superior in that it is possible to obtain a highly reliable mask 1 with high accuracy. Furthermore, if the protrusion 15 is formed in a tapered shape that becomes larger as it approaches the lower surface of the mask main body 10, stress concentration in particular at the root of the protrusion 15 can be avoided, thereby increasing the strength of the protrusion 15. While being firmly reinforced, the protrusions 15 can be brought into contact between the electrodes 6 while being separated from the electrodes 6 coated with flux 17, which prevents soldering caused by the flux 17 coated on the electrodes 6 adhering to the mask body 10. It is possible to prevent the ball 2 from being improperly mounted. At this time, it is more effective to set the ratio of the dimension of the tip 15' of the protrusion 15 to the dimension of the base 15'' to be 1:3 or more, and to make the aspect ratio of the protrusion 15 3 or more. Protrusions 15 having such desired dimensions and aspect ratio can be easily produced by adjusting the shape of resist pattern 35.

なお、係る構成のマスク1において、通孔12及び突起部15の形状はストレート状としてもテーパ状としても良い。ここで、通孔12や突起部15をテーパ状とする場合について具体的に説明すると、通孔12においては、マスク本体10のワーク3との対向面側に向かって先窄まり状のテーパを設けることで、半田ボール2を通孔12内に誘い込みやすくなり、マスク本体10のワーク3との対向面側に向かって先拡がり状のテーパを設けることで、マスク本体10のワーク3との対向面側における通孔12周縁にフラックスが付着されることを防止できる。また、突起部15においては、マスク本体10のワーク3との対向面側に向かって先窄まり状のテーパを設けることで、ワーク3上へのマスクの載置をしっかりとすることができ、マスク本体10のワーク3との対向面側に向かって先拡がり状のテーパを設けることで、ワーク3の電極6が狭ピッチに配列された場合であっても、突起部15の強度を確保しつつ、ワーク3上への突起部15の当接をしっかりと対応することができる。かかる形状は、フォトレジスト層31・36の感光度や露光条件を変更することによって容易に得られる。 In addition, in the mask 1 having such a configuration, the shapes of the through holes 12 and the projections 15 may be straight or tapered. Here, to specifically explain the case where the through hole 12 and the protrusion 15 are tapered, the through hole 12 is tapered toward the surface of the mask body 10 facing the workpiece 3. By providing this, it becomes easier to guide the solder ball 2 into the through hole 12, and by providing a tapered shape that widens toward the side of the mask body 10 facing the workpiece 3, the mask body 10 faces the workpiece 3. It is possible to prevent flux from adhering to the periphery of the through hole 12 on the surface side. Furthermore, by providing the protrusion 15 with a tapered shape toward the surface of the mask body 10 facing the workpiece 3, the mask can be securely placed on the workpiece 3. By providing a tapered shape toward the surface of the mask body 10 facing the workpiece 3, the strength of the projections 15 can be ensured even when the electrodes 6 of the workpiece 3 are arranged at a narrow pitch. At the same time, the projection 15 can be firmly brought into contact with the workpiece 3. Such a shape can be easily obtained by changing the photosensitivity and exposure conditions of the photoresist layers 31 and 36.

(第2実施形態)
次に、第2実施形態に係る配列用マスクについて説明する。本実施形態では、図9に示すように、コーティング層50がマスク本体10下面だけでなく、突起部15の表面にも形成されている。
(Second embodiment)
Next, an array mask according to the second embodiment will be described. In this embodiment, as shown in FIG. 9, the coating layer 50 is formed not only on the lower surface of the mask body 10 but also on the surface of the protrusion 15.

本実施形態の配列用マスクによれば、突起部15表面にもコーティング層50が形成されているので、突起部15に対してもフラックスの付着を防止できる。また、マスク本体10下面、通孔12内面、及び突起部15表面にコーティング層50を形成することで、仮に、通孔12内面にフラックスが付着したとしても、フラックスを弾き、マスク本体10下面及び突起部15表面を介してワーク上に流すことができる。また、フラックス17の通孔12への回り込みをより確実に防止できる。 According to the array mask of this embodiment, since the coating layer 50 is also formed on the surface of the protrusion 15, it is possible to prevent flux from adhering to the protrusion 15 as well. Furthermore, by forming the coating layer 50 on the lower surface of the mask body 10, the inner surface of the through hole 12, and the surface of the protrusion 15, even if flux adheres to the inner surface of the through hole 12, the flux is repelled and the lower surface of the mask body 10 and It can flow onto the workpiece via the surface of the protrusion 15. Further, it is possible to more reliably prevent the flux 17 from entering the through hole 12.

さらに、マスク本体10下面及び突起部15表面の全面を覆うようにコーティング層50を形成することで、例えば、マスク本体10と突起部15とを別部材で形成した場合、両者間の接合強度が弱く(これは、バンプの微細化に伴って通孔間隔寸法やパターン領域間隔寸法が狭くなり、通孔間やパターン領域間(パターン領域外周)に配される突起部15自身の外形寸法も小さくなる傾向にあるため、突起部15とマスク本体10との接合面積が小さくなることに起因する)、マスク1使用時に突起部15が不用意に脱落、変形、破損するおそれがあるが、係る構成により、コーティング層50が突起部15の保護層として機能することになるので、突起部15の脱落、変形、破損の防止にも寄与できる。なお、突起部15の脱落、変形、破損を防ぐことに特化したい場合は、マスク本体10の下面及び突起部15の表面に、スパッタや無電解めっきによって金属層(Ni、Cuなど)を形成することにより、コーティング層50を設けると良い。 Furthermore, by forming the coating layer 50 to cover the entire lower surface of the mask body 10 and the surface of the protrusion 15, for example, when the mask body 10 and the protrusion 15 are formed from separate members, the bonding strength between them can be increased. (This is because as the bumps become finer, the through-hole spacing and pattern area spacing become narrower, and the outer dimensions of the protrusions 15 themselves arranged between the through-holes and between pattern areas (the outer periphery of the pattern area) also become smaller. (This is due to a decrease in the bonding area between the protrusions 15 and the mask body 10), and there is a risk that the protrusions 15 may inadvertently fall off, deform, or be damaged when the mask 1 is used. As a result, the coating layer 50 functions as a protective layer for the protrusion 15, which can also contribute to preventing the protrusion 15 from falling off, deforming, or being damaged. Note that if you want to specifically prevent the protrusions 15 from falling off, deforming, or breaking, a metal layer (Ni, Cu, etc.) may be formed on the lower surface of the mask body 10 and the surface of the protrusions 15 by sputtering or electroless plating. It is preferable to provide the coating layer 50 by doing so.

図10及び図11に、本実施形態の配列用マスクの製造方法を示す。まず、図10(a)に示すごとく、母型40を用意する。母型40は導電性を有するものであれば何でも良く、本実施形態ではステンレスを用いた。次いで、母型40の表面にフォトレジスト層を形成し、周知の方法で露光、現像、乾燥の各処理を行って、未露光部分を溶解除去することにより、図10(b)に示すごとく、レジスト体41aを有する一次パターンレジスト41を母型40上に形成した。上記フォトレジスト層は、ネガタイプの感光性ドライフィルムレジストを、所定の高さに合わせて一枚ないし数枚ラミネートして形成した。次いで、上記母型40を所定の条件に建浴した電鋳槽に入れ、図10(c)に示すごとく、先のレジスト体41aの高さと同じ程度に、母型40のレジスト体41aで覆われていない表面に電着金属を電鋳して、一次電着層42を形成した。本実施形態では、Ni-Co電鋳により一次電着層42を形成した。なお、一次電着層42を形成した後に一次電着層42表面に対して、ベルト研摩などといった機械的研摩および/または電解研磨するのが好ましい。次いで、図10(d)に示すごとく、レジスト体41a(レジストパターン41)を溶解除去した。 10 and 11 show a method for manufacturing an array mask of this embodiment. First, as shown in FIG. 10(a), a matrix 40 is prepared. The matrix 40 may be made of any material as long as it has conductivity, and in this embodiment stainless steel is used. Next, a photoresist layer is formed on the surface of the mother mold 40, and the unexposed portions are dissolved and removed by performing exposure, development, and drying processes using well-known methods, as shown in FIG. 10(b). A primary pattern resist 41 having a resist body 41 a was formed on a matrix 40 . The photoresist layer was formed by laminating one or several negative-type photosensitive dry film resists to a predetermined height. Next, the matrix 40 is placed in an electroforming bath prepared under predetermined conditions, and is covered with the resist body 41a of the matrix 40 to the same height as the resist body 41a previously, as shown in FIG. 10(c). Electrodeposited metal was electroformed on the uncoated surface to form a primary electrodeposition layer 42. In this embodiment, the primary electrodeposited layer 42 was formed by Ni--Co electroforming. Note that, after forming the primary electrodeposition layer 42, it is preferable to perform mechanical polishing such as belt polishing and/or electrolytic polishing on the surface of the primary electrodeposition layer 42. Next, as shown in FIG. 10(d), the resist body 41a (resist pattern 41) was dissolved and removed.

次いで、図11(a)に示すごとく、一次電着層42の表面上に、ソルダーレジスト層43を形成した。このソルダーレジスト層43は、所定の高さに合わせて一枚ないし数枚ラミネートして形成した。次いで、露光、現像、乾燥の各処理を行って、未露光部分を溶解除去することにより、図11(b)に示すごとく、レジスト体44aを有する二次パターンレジスト44を一次電着層42上に一体的に形成した。なお、二次パターンレジスト44を形成した後にベーキングなどといった脱落防止処理を行うのが好ましい。これにより、レジスト体44aを有する二次パターンレジスト44と一次電着層42との密着がより強固なものにできる。次いで、図11(c)に示すごとく、母型40から一次電着層42およびその表面に形成された二次パターンレジスト44を剥離する。最後に、一次電着層42の二次パターンレジスト44を有する側の表面および二次パターンレジスト44の表面にコーティング層50を形成することによって、図11(d)及び図9に示す配列用マスク1を得ることができる。なお、コーティング層50は、母型40から一次電着層42および二次パターンレジスト44を剥離する前に形成しても良い。また、コーティング層50は、一次電着層42の二次パターンレジスト44を有する側の表面に限らず、一次電着層42の表面全面に形成しても良い。もちろん、通孔12内面にもコーティング層50を形成しても良い。 Next, as shown in FIG. 11(a), a solder resist layer 43 was formed on the surface of the primary electrodeposition layer 42. This solder resist layer 43 was formed by laminating one or several layers to a predetermined height. Next, by performing exposure, development, and drying treatments to dissolve and remove the unexposed portions, a secondary pattern resist 44 having a resist body 44a is formed on the primary electrodeposited layer 42, as shown in FIG. 11(b). integrally formed. Note that after forming the secondary pattern resist 44, it is preferable to perform a drop-off prevention process such as baking. Thereby, the adhesion between the secondary pattern resist 44 having the resist body 44a and the primary electrodeposited layer 42 can be made stronger. Next, as shown in FIG. 11(c), the primary electrodeposition layer 42 and the secondary pattern resist 44 formed on the surface thereof are peeled off from the matrix 40. Finally, by forming a coating layer 50 on the surface of the primary electrodeposited layer 42 on the side having the secondary pattern resist 44 and on the surface of the secondary pattern resist 44, the array mask shown in FIG. 11(d) and FIG. 1 can be obtained. Note that the coating layer 50 may be formed before the primary electrodeposition layer 42 and the secondary pattern resist 44 are peeled off from the matrix 40. Further, the coating layer 50 is not limited to the surface of the primary electrodeposition layer 42 on the side having the secondary pattern resist 44, but may be formed on the entire surface of the primary electrodeposition layer 42. Of course, the coating layer 50 may also be formed on the inner surface of the through hole 12.

次に、第2実施形態に係る配列用マスクの別実施形態について説明する。ここでは、図13(a)に示すように、突起部15が樹脂で形成されたものであって、係る突起部15の表面にコーティング層70が形成されており、コーティング層70の材質として、突起部15の材質とは異なる材質で形成されている。 Next, another embodiment of the array mask according to the second embodiment will be described. Here, as shown in FIG. 13(a), the protrusion 15 is made of resin, and a coating layer 70 is formed on the surface of the protrusion 15, and the material of the coating layer 70 is as follows: It is formed of a material different from that of the protrusion 15 .

上述のように、本マスクはワークの電極上に半田ボールを搭載するために用いられるものであるが、半田ボールの配列工程(振込搭載)時に、マスクに汚れなどが付着することがあるので、これを除去するために、必要に応じてマスクを洗浄する。マスクを洗浄する場合、溶剤を用いて行うため、この溶剤が突起部を構成する材質表面にベタツキが発生するなどの悪影響が生じる可能性があるが、突起部表面にコーティング層があるために、このような悪影響から防御している。 As mentioned above, this mask is used to mount solder balls onto the electrodes of the workpiece, but dirt may adhere to the mask during the solder ball arranging process (transfer mounting). To remove this, wash the mask as necessary. When cleaning a mask, a solvent is used, so there is a possibility that this solvent may cause negative effects such as stickiness on the surface of the material that makes up the protrusions, but since there is a coating layer on the surface of the protrusions, It protects against such negative effects.

そこで、本実施形態のマスクは、樹脂で形成した突起部15に対する悪影響を防御するために、突起部15の表面にコーティング層70を形成しており、コーティング層70が突起部15を構成する材質(樹脂)とは異なる材質で形成している。コーティング層70としては、上記材質に加え、例えば、アクリル系樹脂を主成分とする感光材で形成することも可能である。 Therefore, in the mask of this embodiment, a coating layer 70 is formed on the surface of the protrusion 15 in order to prevent adverse effects on the protrusion 15 formed of resin, and the coating layer 70 is made of the material that constitutes the protrusion 15. It is made of a material different from (resin). In addition to the above-mentioned materials, the coating layer 70 can also be formed of, for example, a photosensitive material whose main component is acrylic resin.

係る配列用マスクの製造方法は、母型の用意から一次電着層を形成してレジスト体を除去するまでは、前述の工程(図10参照)と同様である。次いで、一次電着層42の表面上に、ソルダーレジスト層を形成し、露光、現像、乾燥の各処理を行うことにより、図14(a)に示すごとく、レジスト体60aを有する二次パターンレジスト60を一次電着層42上に一体的に形成した。次いで、図14(b)に示すごとく、二次パターンレジスト60の表面にコーティング層70を形成する。コーティング層70は、アルカリ現像型の感光材であって、主な含有成分は、アクリル樹脂(55~65%)、硫酸バリウム(15~25%)、二酸化珪素(15~25%)である。最後に、母型40から一次電着層42を、その表面に形成された二次パターンレジスト60およびコーティング層70とともに剥離することによって、図14(c)及び図13に示す配列用マスク1を得ることができる。なお、コーティング層70は、一次電着層42の二次パターンレジスト60を有する側の表面にも形成しても良い。また、一次電着層42上に二次パターンレジスト60を形成後、母型40から剥離してからコーティング層70を形成しても良い。こうすることで、一次電着層42の二次パターンレジスト60を有する側の表面だけでなく、一次電着層42の表面全面にコーティング層70を容易に形成することができる。通孔12の内壁にもコーティング層70を形成しても良い。また、二次パターンレジスト60やコーティング層70を形成した後に、ベーキングなどといった脱落防止処理を行うのが好ましい。これにより、一次電着層42と二次パターンレジスト60、および二次パターンレジスト60とコーティング層70の密着がより強固なものにできる。係る脱落防止処理は、二次パターンレジスト60とコーティング層70を形成毎に行っても良いし、二次パターンレジスト60表面にコーティング層70を形成した後に併せて行っても良い。 The method for manufacturing such an array mask is the same as the above-described steps (see FIG. 10) from preparing the matrix to forming the primary electrodeposited layer and removing the resist body. Next, a solder resist layer is formed on the surface of the primary electrodeposited layer 42 and subjected to exposure, development, and drying processes to form a secondary pattern resist having a resist body 60a as shown in FIG. 14(a). 60 was integrally formed on the primary electrodeposition layer 42. Next, as shown in FIG. 14(b), a coating layer 70 is formed on the surface of the secondary pattern resist 60. The coating layer 70 is an alkali-developable photosensitive material, and the main components thereof are acrylic resin (55 to 65%), barium sulfate (15 to 25%), and silicon dioxide (15 to 25%). Finally, by peeling off the primary electrodeposition layer 42 from the matrix 40 together with the secondary pattern resist 60 and coating layer 70 formed on its surface, the arraying mask 1 shown in FIGS. 14(c) and 13 is obtained. Obtainable. Note that the coating layer 70 may also be formed on the surface of the primary electrodeposited layer 42 on the side where the secondary pattern resist 60 is provided. Alternatively, after forming the secondary pattern resist 60 on the primary electrodeposition layer 42 and peeling it off from the matrix 40, the coating layer 70 may be formed. By doing so, the coating layer 70 can be easily formed not only on the surface of the primary electrodeposition layer 42 on the side having the secondary pattern resist 60 but also on the entire surface of the primary electrodeposition layer 42 . The coating layer 70 may also be formed on the inner wall of the through hole 12. Further, after forming the secondary pattern resist 60 and the coating layer 70, it is preferable to perform a drop-off prevention process such as baking. Thereby, the adhesion between the primary electrodeposited layer 42 and the secondary pattern resist 60, and between the secondary pattern resist 60 and the coating layer 70 can be made stronger. Such drop-off prevention treatment may be performed each time the secondary pattern resist 60 and coating layer 70 are formed, or may be performed together after forming the coating layer 70 on the surface of the secondary pattern resist 60.

係る製造方法によって得られたマスク1は、洗浄(溶剤)に強いものとなり、突起部15にベタツキが発生することを可及的に防止できる。また、図13(b)に示すように、コーティング層70を突起部15の表面全面を覆うように形成すれば、突起部15の破損・欠落を防止できる。 The mask 1 obtained by such a manufacturing method is resistant to cleaning (solvent), and the occurrence of stickiness on the projections 15 can be prevented as much as possible. Further, as shown in FIG. 13(b), if the coating layer 70 is formed to cover the entire surface of the protrusion 15, breakage and chipping of the protrusion 15 can be prevented.

ここで、突起部15とコーティング層70は同じ樹脂同士なので、突起部15とコーティング層70との密着力は強固なものであるが、マスク本体10に突起部15を形成した後(突起部15の表面にコーティング層70を形成する前)に、突起部15を洗浄して突起部15の表面にあえてベタツキを発生させ、その表面にコーティング層70を形成することで、突起部15とコーティング層70との密着力をより強固なものにすることができる。 Here, since the projections 15 and the coating layer 70 are made of the same resin, the adhesion between the projections 15 and the coating layer 70 is strong, but after forming the projections 15 on the mask body 10 (the projections 15 (before forming the coating layer 70 on the surface of the protrusion 15), the protrusion 15 is cleaned to make the surface of the protrusion 15 sticky, and the coating layer 70 is formed on the surface of the protrusion 15. The adhesion with 70 can be made stronger.

また、図13(c)に示すように、コーティング層70を形成する材質のみで突起部15を形成することもできる。コーティング層70を形成する材質は、フラックスが付着しにくいものであり、具体的には、アクリル樹脂に硫酸バリウム及び/又は二酸化珪素が含有された樹脂混合物が挙げられる。この樹脂混合物は、耐溶剤性に優れている。これについて具体的に説明すると、係る樹脂混合物で幅寸法が0.2~3.0mm(0.2mm、0.4mm、0.6mm、0.8mm、1.0mm、2.0mm、3.0mmの計7製品)の突起部をニッケル-コバルト合金からなるマスク本体に設けた各マスクを、洗浄剤(化研テック株式会社製)に6~24時間(6時間、12時間、24時間の計3回)浸漬させたが、全てのマスクにおいて突起部の剥離がなかったことが確認できた。さらに、係る樹脂混合物は、マスク本体10との相性が良く、密着性が良いので、突起部15の幅寸法を狭くすることが可能である。なお、係る樹脂混合物は硬度があるので(JIS規格の引っかき硬度試験で5H~6H)、マスク本体の厚さが100μm以下において、突起部の幅寸法を5mmより大きくすると、マスクに反りが発生してしまう恐れがあるので、突起部の幅寸法は5mm以下とするのが好ましい。このように、コーティング層70は、フッ素樹脂、シリコン樹脂、アクリル樹脂などといった材質を主成分として形成されている。そして、係る材質を主成分として突起部15を構成することが可能である。 Furthermore, as shown in FIG. 13(c), the protrusion 15 can be formed only from the material that forms the coating layer 70. The material forming the coating layer 70 is one to which flux does not easily adhere, and specifically, a resin mixture containing barium sulfate and/or silicon dioxide in an acrylic resin can be mentioned. This resin mixture has excellent solvent resistance. To explain this specifically, such resin mixtures have widths of 0.2 to 3.0 mm (0.2 mm, 0.4 mm, 0.6 mm, 0.8 mm, 1.0 mm, 2.0 mm, 3.0 mm). Each mask, which has protrusions on the mask body made of nickel-cobalt alloy (7 products in total), was soaked in a cleaning agent (manufactured by Kaken Tech Co., Ltd.) for 6 to 24 hours (6 hours, 12 hours, 24 hours total). It was confirmed that there was no peeling of the protrusions in all the masks. Furthermore, since such a resin mixture has good compatibility with the mask body 10 and good adhesion, it is possible to reduce the width dimension of the protrusion 15. In addition, since such a resin mixture has hardness (5H to 6H in the JIS standard scratch hardness test), if the width of the protrusion is made larger than 5 mm when the thickness of the mask body is 100 μm or less, the mask will warp. Therefore, it is preferable that the width of the protrusion is 5 mm or less. In this way, the coating layer 70 is formed mainly of a material such as fluororesin, silicone resin, or acrylic resin. The protrusion 15 can be constructed using such a material as a main component.

上記突起部15を形成する樹脂混合物の主成分は、アクリル樹脂であるが、これに限らず、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリウレタン、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ABS樹脂、AS樹脂、PET樹脂、EVA樹脂、フッ素樹脂、ポリアミド、ポリアセタール、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリフェニレンスルファイド、ポリテトラフロロエチレン、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、非晶ポリアリレート、液晶ポリマー、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリアミドイミドなど(所謂、熱可塑性樹脂)が挙げられる。また、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、アルキド樹脂、ポリウレタンなど(所謂、熱硬化性樹脂)でも良い。 The main component of the resin mixture forming the protrusion 15 is acrylic resin, but is not limited to this, and is not limited to polyethylene, polypropylene, polystyrene, polyurethane, polyvinyl chloride, polyvinyl acetate, ABS resin, AS resin, PET resin, EVA resin, fluororesin, polyamide, polyacetal, polycarbonate, polyphenylene ether, polyester, polyolefin, polyphenylene sulfide, polytetrafluoroethylene, polysulfone, polyether sulfone, amorphous polyarylate, liquid crystal polymer, polyether ether ketone, polyimide, Examples include polyamideimide (so-called thermoplastic resin). Further, phenol resin, epoxy resin, melamine resin, urea resin, alkyd resin, polyurethane, etc. (so-called thermosetting resin) may be used.

上記各実施形態において、突起部15(支柱15b)と通孔12の配置は、突起部15(支柱15b)が一つの通孔12を囲むように配置しても良いし、一つの突起部15が通孔12に囲まれるように配置しても良い。一つの通孔12を囲むように突起部15を配置する場合、突起部15の形状は、支柱のように部分的に設けたものに限らず、無端枠状に設けたものでも良い。また、突起部15の形状は、桟15aや円柱に限らず、ひし形・六角形などといった多角形や楕円でも良い。さらに、これら形状においては、図12に示すように、細長形状及び/又は角が丸みを帯びたものが好ましい。このように、これら形状の長手方向・長径方向を一定方向に合わせることで、例えば、マスク1の裏面を洗浄する際に、洗浄手段(布やスポンジなど)が突起部15に引っかかることによる洗浄手段や突起部15が破損するおそれを可及的になくすことができるとともに、スムーズに洗浄することが可能となる。よって、突起部15全ての長手方向・長径方向を一方向に合わせることが望ましい。なお、細長形状とするのはあくまでも突起部15の下端面(先端面)においてであり、突起部15の根元部15bの面においては強度等の点で必ずしも細長形状とする必要はない。 In each of the above embodiments, the protrusion 15 (post 15b) and the through hole 12 may be arranged so that the protrusion 15 (post 15b) surrounds one through hole 12, or one protrusion 15 may be arranged so that it is surrounded by the through hole 12. When the protrusion 15 is arranged to surround one through hole 12, the shape of the protrusion 15 is not limited to a partial structure like a pillar, but may be an endless frame. Further, the shape of the projection 15 is not limited to the crosspiece 15a or a cylinder, but may be a polygon such as a rhombus or a hexagon, or an ellipse. Furthermore, among these shapes, as shown in FIG. 12, it is preferable to have an elongated shape and/or one with rounded corners. In this way, by aligning the longitudinal direction and major axis direction of these shapes in a certain direction, for example, when cleaning the back side of the mask 1, the cleaning means (cloth, sponge, etc.) can be caught on the protrusion 15. It is possible to eliminate as much as possible the risk of damage to the protrusions 15 and the protrusions 15, and it is also possible to clean them smoothly. Therefore, it is desirable that the longitudinal direction and major diameter direction of all the protrusions 15 are aligned in one direction. Note that the elongated shape is only provided at the lower end surface (tip surface) of the protrusion 15, and the surface of the root portion 15b of the protrusion 15 does not necessarily need to be elongated in terms of strength and the like.

また、上記各実施形態において、通孔12の内面とマスク本体10及び突起部15の表面とでコーティング層50・70の厚みを異ならせても良い。具体的には、通孔12の内面におけるコーティング層50の厚みをT1、マスク本体10及び突起部15の表面におけるコーティング層50の厚みをT2とした時(図9参照)、T1>T2とすれば、半田ボールの搭載不良を引き起こす通孔12内面へのフラックスの付着をより確実に防ぐことができる。また、コーティング層50を滑りやすい(摩擦が小さい)材質で形成すれば、T1の厚み分だけマスク本体10上面と通孔12内面との境目に滑りやすい領域として現れることになり、T1の厚さが厚ければ厚いほど、該領域が大きくなるので、半田ボール2をスキージブラシでかく時に、スキージブラシや半田ボール2を滑らかに移動させることができ、生産性や作業効率の向上が見込める。そして、T1<T2とすれば、マスク本体10下面に突起部15が別体形成された時に、突起部15の脱落、変形、破損をより確実に防ぐことができる。なお、このコーティング層50の形成方法としては、浸漬方式やスプレー方式など種々の方法があるが、コーティング層50を形成する際は、所望する形成個所以外の部分を保護シートで覆うと良い。また、コーティング層50を厚く形成したい時は、厚くしたい個所を局所的にスプレーしたり、マスク1の浸漬させる方向を異ならせたり(例えば、マスク本体10下面において厚くしたい場合は、マスク本体10下面と浸漬面とを平行にした状態で浸漬させると良く、通孔12内面において厚くしたい場合は、マスク本体10下面と浸漬面とを垂直にした状態で浸漬させると良い)することで実現できる。 Further, in each of the embodiments described above, the thicknesses of the coating layers 50 and 70 may be made different between the inner surface of the through hole 12 and the surfaces of the mask body 10 and the protruding portions 15. Specifically, when the thickness of the coating layer 50 on the inner surface of the through hole 12 is T1, and the thickness of the coating layer 50 on the surfaces of the mask body 10 and the projections 15 is T2 (see FIG. 9), T1>T2. For example, it is possible to more reliably prevent flux from adhering to the inner surface of the through hole 12, which would cause a solder ball mounting failure. Furthermore, if the coating layer 50 is formed of a material that is slippery (has low friction), a slippery area will appear at the boundary between the top surface of the mask body 10 and the inner surface of the through hole 12 by the thickness of T1, and the thickness of T1 The thicker the solder balls 2, the larger the area, so when brushing the solder balls 2 with a squeegee brush, the squeegee brush and the solder balls 2 can be moved smoothly, and productivity and work efficiency can be expected to improve. If T1<T2, when the protrusion 15 is formed separately on the lower surface of the mask main body 10, falling off, deformation, and damage of the protrusion 15 can be more reliably prevented. Note that there are various methods for forming the coating layer 50, such as a dipping method and a spray method, but when forming the coating layer 50, it is preferable to cover the portion other than the desired formation portion with a protective sheet. In addition, when you want to form the coating layer 50 thickly, you can spray it locally on the parts you want to thicken, or change the direction in which the mask 1 is immersed (for example, if you want to make it thick on the bottom surface of the mask body 10, It is best to immerse the mask in a state where the mask body 10 and the immersion surface are parallel to each other.If you want to make the inner surface of the through hole 12 thicker, it is best to immerse the mask body 10 in a state where the bottom surface of the mask body 10 and the immersion surface are perpendicular to each other.

1 マスク
2 半田ボール
3 ワーク
6 電極
10 マスク本体
12 通孔
15 突起部
15a 桟
15b 支柱
15c 支柱
15’ 先端部
15” 根元部
30、40 母型
31、36、43 フォトレジスト層(ソルダーレジスト層)
34、41 一次パターンレジスト
34a、41a レジスト体
35、42 一次電着層
38、44、60 二次パターンレジスト
38a、44a レジスト体
39 二次電着層
50、70 コーティング層
1 Mask 2 Solder ball 3 Work 6 Electrode 10 Mask body 12 Through hole 15 Protrusion 15a Crosspiece 15b Support 15c Support 15' Tip 15" Root 30, 40 Matrix 31, 36, 43 Photoresist layer (solder resist layer)
34, 41 Primary pattern resist 34a, 41a Resist body 35, 42 Primary electrodeposition layer 38, 44, 60 Secondary pattern resist 38a, 44a Resist body 39 Secondary electrodeposition layer 50, 70 Coating layer

Claims (3)

所定の配列パターンに対応した通孔(12)内に半田ボール(2)を振り込むことで、ワーク(3)上の所定位置に前記半田ボール(2)を搭載する配列用マスクであって、
前記通孔(12)が形成されたマスク本体(10)を備え、
少なくとも前記マスク本体(10)のスキージ面に、フッ素樹脂、シリコン樹脂、乳剤、レジスト、或いはアクリル樹脂で形成されたコーティング層が設けられていることを特徴とする配列用マスク。
An arraying mask in which the solder balls (2) are placed at predetermined positions on a workpiece (3) by transferring the solder balls (2) into through holes (12) corresponding to a predetermined array pattern,
comprising a mask body (10) in which the through hole (12) is formed;
An arraying mask characterized in that a coating layer made of fluororesin, silicone resin, emulsion, resist, or acrylic resin is provided on at least the squeegee surface of the mask body (10).
前記マスク本体(10)の前記ワーク(3)との対向面に、フラックスの付着を防止できるコーティング層が設けられていることを特徴とする請求項1に記載の配列用マスク。 The arraying mask according to claim 1, characterized in that a coating layer capable of preventing flux from adhering is provided on a surface of the mask body (10) facing the workpiece (3). 前記マスク本体(10)の前記ワーク(3)との対向面に、フラックスの付着を防止できるコーティング層が設けられ、当該コーティング層がフッ素樹脂、シリコン樹脂、乳剤、レジスト、或いはアクリル樹脂で形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の配列用マスク。 A coating layer capable of preventing flux from adhering is provided on the surface of the mask body (10) facing the workpiece (3), and the coating layer is formed of fluororesin, silicone resin, emulsion, resist, or acrylic resin. The arraying mask according to claim 1 or 2, characterized in that:
JP2023126113A 2014-07-07 2023-08-02 Mask for arrangement Pending JP2023143968A (en)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014139804 2014-07-07
JP2014139804 2014-07-07
JP2020003485A JP7022159B2 (en) 2014-07-07 2020-01-14 Alignment mask
JP2021072331A JP7091519B2 (en) 2014-07-07 2021-04-22 Array mask
JP2022096577A JP7326541B2 (en) 2014-07-07 2022-06-15 array mask

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022096577A Division JP7326541B2 (en) 2014-07-07 2022-06-15 array mask

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2023143968A true JP2023143968A (en) 2023-10-06

Family

ID=55352866

Family Applications (7)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015036180A Active JP6508975B2 (en) 2014-07-07 2015-02-26 Array mask and method of manufacturing the same
JP2017238871A Active JP6526169B2 (en) 2014-07-07 2017-12-13 Array mask and method of manufacturing the same
JP2018181130A Active JP6647360B2 (en) 2014-07-07 2018-09-27 Array mask
JP2020003485A Active JP7022159B2 (en) 2014-07-07 2020-01-14 Alignment mask
JP2021072331A Active JP7091519B2 (en) 2014-07-07 2021-04-22 Array mask
JP2022096577A Active JP7326541B2 (en) 2014-07-07 2022-06-15 array mask
JP2023126113A Pending JP2023143968A (en) 2014-07-07 2023-08-02 Mask for arrangement

Family Applications Before (6)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015036180A Active JP6508975B2 (en) 2014-07-07 2015-02-26 Array mask and method of manufacturing the same
JP2017238871A Active JP6526169B2 (en) 2014-07-07 2017-12-13 Array mask and method of manufacturing the same
JP2018181130A Active JP6647360B2 (en) 2014-07-07 2018-09-27 Array mask
JP2020003485A Active JP7022159B2 (en) 2014-07-07 2020-01-14 Alignment mask
JP2021072331A Active JP7091519B2 (en) 2014-07-07 2021-04-22 Array mask
JP2022096577A Active JP7326541B2 (en) 2014-07-07 2022-06-15 array mask

Country Status (2)

Country Link
JP (7) JP6508975B2 (en)
TW (2) TW201602715A (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101699722B1 (en) * 2016-04-15 2017-01-25 정병식 A method of repair SBA TOOL
JP6139764B1 (en) * 2016-09-12 2017-05-31 株式会社ボンマーク Ball array mask and manufacturing method thereof
JP2019206088A (en) * 2018-05-28 2019-12-05 株式会社ボンマーク Mask for alignment of ball and manufacturing method therefor

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05235003A (en) * 1992-02-26 1993-09-10 Fujitsu Ltd Solder bump forming method and mask used therein
JP3453615B2 (en) * 2000-04-14 2003-10-06 光陽化学工業株式会社 Positive photoresist composition
JP2004009340A (en) * 2002-06-04 2004-01-15 T & K:Kk Metal mask and its producing process
TWI389205B (en) * 2005-03-04 2013-03-11 Sanmina Sci Corp Partitioning a via structure using plating resist
JP4221728B2 (en) * 2005-03-11 2009-02-12 日立金属株式会社 Conductive ball arrangement mask and conductive ball arrangement apparatus using the same
JP2007103817A (en) * 2005-10-07 2007-04-19 Citizen Watch Co Ltd Solder ball array mask and method of manufacturing semiconductor device using same
JP2008004775A (en) * 2006-06-22 2008-01-10 Athlete Fa Kk Ball mounting device and its control method
JP2008177264A (en) * 2007-01-17 2008-07-31 Hitachi Metals Ltd Ball transfer mask and ball mounting device using the same
JP5046719B2 (en) * 2007-04-12 2012-10-10 日立マクセル株式会社 Mask for array and manufacturing method thereof
JP2009182068A (en) * 2008-01-30 2009-08-13 Kyushu Hitachi Maxell Ltd Mask for array and method of manufacturing the same
JP2009241301A (en) * 2008-03-28 2009-10-22 Mitsubishi Paper Mills Ltd Mask for screen printing
JP5642473B2 (en) * 2010-09-22 2014-12-17 セイコーインスツル株式会社 BGA semiconductor package and manufacturing method thereof
JP2012156325A (en) * 2011-01-26 2012-08-16 Ngk Spark Plug Co Ltd Manufacturing method of multilayer wiring board and mask for paste printing
JP5670250B2 (en) * 2011-04-18 2015-02-18 イビデン株式会社 LED substrate, light emitting module, device having light emitting module, method for manufacturing LED substrate, method for manufacturing light emitting module, and method for manufacturing device having light emitting module
JP5840446B2 (en) * 2011-10-11 2016-01-06 メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングMerck Patent GmbH Resist pattern surface treatment method and resist pattern forming method using the same
JP2013229577A (en) * 2012-03-26 2013-11-07 Hitachi Maxell Ltd Mask for arrangement
JP2014024239A (en) * 2012-07-26 2014-02-06 Canon Inc Recording head and method for manufacturing the same
JP6150500B2 (en) * 2012-11-22 2017-06-21 日立マクセル株式会社 Mask for array

Also Published As

Publication number Publication date
JP2018041984A (en) 2018-03-15
JP2021114623A (en) 2021-08-05
JP2020074428A (en) 2020-05-14
JP7326541B2 (en) 2023-08-15
TW201606891A (en) 2016-02-16
JP2022126740A (en) 2022-08-30
JP7022159B2 (en) 2022-02-17
JP2016027607A (en) 2016-02-18
JP6508975B2 (en) 2019-05-08
TW201602715A (en) 2016-01-16
JP7091519B2 (en) 2022-06-27
JP6647360B2 (en) 2020-02-14
JP6526169B2 (en) 2019-06-05
JP2019004181A (en) 2019-01-10
TWI559418B (en) 2016-11-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7091519B2 (en) Array mask
JP4664146B2 (en) Conductive ball array mask and manufacturing method thereof
JP2009182068A (en) Mask for array and method of manufacturing the same
JP6150500B2 (en) Mask for array
JP5046719B2 (en) Mask for array and manufacturing method thereof
JP6681165B2 (en) Substrate for semiconductor device, method for manufacturing substrate for semiconductor device, and semiconductor device
JP6277239B2 (en) Mask for array
JP2014197694A (en) Mask for arrangement
JP6381322B2 (en) Mask for array
JP6758108B2 (en) Mask for arranging conductive pillars and its manufacturing method
JP4798631B2 (en) Solder ball arrangement mask and manufacturing method thereof
JP5905756B2 (en) Alignment mask and solder bump forming method
JP5156118B2 (en) Mask for array
JP6282466B2 (en) Metal mask for screen printing and manufacturing method thereof
JP2018170529A (en) Mask for arrangement
TWI582873B (en) A masking method for manufacturing the same, and a method of manufacturing the solder bump
JP2018065396A (en) Metal mask for screen printing
JP6456229B2 (en) Solder ball suction mask and method of manufacturing the same
JP6963769B2 (en) Metal mask and its manufacturing method
JP6553229B2 (en) Metal mask for screen printing
JP2019022997A (en) Metal mask for screen process printing
JP2018099897A (en) Metal mask for screen printing

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20230802