JP6499059B2 - 半導体装置の製造方法および化学機械研磨用スラリ - Google Patents
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Description
MA/MB≦0.05 ・・・式(1)となるスラリを使用し、前記第2研磨工程では、
0.07≦MA/MB<300 ・・・式(2)となるスラリを使用する。前記第2研磨工程で使用される前記スラリ中の(A)成分の含有量は300ppm未満であり、かつ(B)成分の含有量は100ppm以下である。
(a)被研磨膜の準備
まず、研磨対象を準備する。
研磨対象となる金属膜が設けられた基板の一例を図1の略示断面図に示す。図1に示す研磨対象は、例えばシリコンウェーハWの素子形成面にシリコン酸化膜40を成膜して配線用のトレンチまたはビアホールを形成し、バリアメタルをスパッタリングなどにより成膜してバリアメタル膜42とした後に、上記トレンチまたはホールが埋め込まれるように全面に金属膜、例えばタングステン膜44を成膜することにより準備可能である。タングステン膜44は、トレンチまたはホール内のタングステン膜44aと、タングステン膜44a上およびシリコン酸化膜40上のタングステン膜44bとを含む。なお、タングステン膜44b上には酸化タングステン(WOx)膜46が形成される。
次に、スラリSL(図2参照)を準備する。本実施形態では、タングステンのバルク膜44bを研磨する第1研磨工程と、タングステン膜44a、バリアメタル膜42およびシリコン酸化膜42を同時に研磨する第2研磨工程との両方に亘って、同一材料を含むスラリを用いる。ただし、後述するように、含有する材料間の組成比率を第1研磨工程と第2研磨工程とで変更する。
MA/MB≦0.05 ・・・式(1)
となるスラリSLを使用し、この一方、第2研磨工程では
0.07≦MA/MB<300 ・・・式(2)
となるスラリSLを使用する。
次いで、CMP装置を準備する。前述した通り、本実施形態では、同一材料で構成されるスラリSLを用いるので、途中で組成比率を変更できさえすれば、単一のCMP装置を用いて第1研磨工程から第2研磨工程まで連続して実施することが可能である。このようなCMP装置の一例を図2の略示斜視図に示す。
図1に示す研磨対象を例に挙げて本実施形態による半導体装置の製造方法をより具体的に説明する。
まず、酸化タングステン(WOx)膜46が研磨パッド12に対向するように上下反転してシリコンウェーハWをトップリング20(図2参照)に保持させる。
次いで、仕上げ工程となる第2研磨工程に移行する。ここでは、式(1)の関係を満たすスラリSLの供給を止め、式(2)の関係を満たすスラリSLを研磨パッド12上へ供給することにより、タングステン膜44aとシリコン酸化膜40とを同じ選択比で除去し、これにより、図3Cに示すように、配線溝やビアホール内のみにタングステン膜を残し、所望の配線高さを実現しつつ被研磨面の平坦性を確保する。
第1研磨工程と第2研磨工程とでスラリSLの材料組成比率を変更する理由、および、各数値範囲の根拠について図4乃至図13を参照しながら説明する。
本実施形態では、実施形態1のスラリSLを用いて研磨を実行することに加え、研磨の際の研磨パッド12として発泡ポリウレタンパッドを使用する。
Claims (3)
- (A)カチオン性水溶性重合体と(B)硝酸鉄と(C)砥粒とを含有するスラリを用い、絶縁膜と前記絶縁膜内に設けられた溝または孔を埋め込む第1タングステン膜とを備える被研磨膜を化学機械研磨する工程を備え、
前記化学機械研磨工程は、前記第1タングステン膜を研磨する第1研磨工程と、第1研磨工程後に実施され、前記第1タングステン膜と前記絶縁膜をともに研磨する第2研磨工程を有し、
(A)成分の含有量をMA[質量ppm]、(B)成分の含有量をMB[質量ppm]とすると、
前記第1研磨工程では、
MA/MB≦0.05 ・・・式(1)となるスラリを使用し、
前記第2研磨工程では、
0.07≦MA/MB<300 ・・・式(2)となるスラリを使用し、
前記第2研磨工程で使用される前記スラリ中の(A)成分の含有量は300ppm未満であり、かつ(B)成分の含有量は100ppm以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第2研磨工程で使用される前記スラリ中の(A)成分の含有量は70ppm以上であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1研磨工程で使用される前記スラリ中の(B)成分の含有量は60000ppm以上であることを特徴とする請求項1または2記載の半導体装置の製造方法。
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