JP6497712B2 - 配向基板、配向膜基板の製造方法、スパッタリング装置及びマルチチャンバー装置 - Google Patents
配向基板、配向膜基板の製造方法、スパッタリング装置及びマルチチャンバー装置 Download PDFInfo
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Description
[1](100)の結晶面を有するSi基板と、
前記Si基板上にエピタキシャル成長により形成された(100)の配向膜と、
前記配向膜上にエピタキシャル成長により形成された下記式1を満たす格子定数dを有する物質を含む第1の導電膜と、
を具備することを特徴とする配向膜基板。
0.300nm≦d≦0.550nm ・・・式1
前記Si基板上にエピタキシャル成長により形成された(100)の配向膜と、
前記配向膜上にエピタキシャル成長により形成された磁性を有する第2の導電膜と、
前記第2の導電膜上にエピタキシャル成長により形成された下記式1を満たす格子定数dを有する物質を含む第1の導電膜と、
を具備することを特徴とする配向膜基板。
0.300nm≦d≦0.550nm ・・・式1
前記格子定数dを有する物質は金属を含むことを特徴とする配向膜基板。
前記格子定数dを有する物質は、Al、Al合金、Ni、Ni合金及びNi−Cu合金の少なくとも一つの金属または前記少なくとも一つの金属にAgを含有する金属であることを特徴とする配向膜基板。
前記第2の導電膜は金属を含むことを特徴とする配向膜基板。
前記第2の導電膜は、磁性を有する金属が40質量%以上含まれていることを特徴とする配向膜基板。
前記第2の導電膜は、Fe、Fe合金及びFe−Ni合金の群から選択された少なくとも一つの金属または前記少なくとも一つの金属にAgを含有する金属からなることを特徴とする配向膜基板。
前記第1の導電膜は電極であることを特徴とする配向膜基板。
前記第2の導電膜は電極であることを特徴とする配向膜基板。
前記配向膜及び前記第1の導電膜は500℃の耐熱性を有することを特徴とする配向膜基板。
前記配向膜、前記第1の導電膜及び前記第2の導電膜は500℃の耐熱性を有することを特徴とする配向膜基板。
前記配向膜は、ZrO2膜とY2O3膜を積層した積層膜またはYSZ膜であることを特徴とする配向膜基板。
前記配向膜と前記第1の導電膜との間に形成されたペロブスカイト構造物質を含む第1のバッファ層を有することを特徴とする配向膜基板。
前記配向膜と前記第2の導電膜との間に形成されたペロブスカイト構造物質を含む第1のバッファ層を有することを特徴とする配向膜基板。
前記第1の導電膜上に形成され、(100)に配向した誘電体膜を有することを特徴とする配向膜基板。
前記誘電体膜はPZT膜であることを特徴とする配向膜基板。
前記第1の導電膜と前記誘電体膜との間に形成されたペロブスカイト構造物質を含む第2のバッファ層を有することを特徴とする配向膜基板。
前記ペロブスカイト構造物質は、一般式ABO3で表され、Aは、Al、Y、Na、K、Rb、Cs、La、Sr、Cr、Ag、Ca、Pr、Nd、Biおよび周期表のランタン系列の元素からなる群から選択される少なくとも一つの元素を含んでなり、Bは、Al、Ga、In、Nb、Sn、Ti、Ru、Rh、Pd、Re、Os、IrPt、U、Co、Fe、Ni、Mn、Cr、Cu、Mg、V、Nb、Ta、MoおよびWからなる群から選択される少なくとも一つの元素を含んでなるペロブスカイト物質、または、酸化ビスマス層と、ペロブスカイト型構造ブロックとが交互に積層された構造を有するビスマス層状構造強誘電体結晶であり、前記ペロブスカイト型構造ブロックは、Li、Na、K、Ca、Sr、Ba、Y、Bi、Pbおよび希土類元素から選ばれる少なくとも1つの元素Lと、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、W、Mo、Mn、Fe、SiおよびGeから選ばれる少なくとも1つの元素Rと、酸素とによって構成されることを特徴とする配向膜基板。
前記Si基板上にエピタキシャル成長によりZrO2膜とY2O3膜を積層した積層膜またはYSZ膜を形成し、
前記積層膜またはYSZ膜上にエピタキシャル成長により下記式1を満たす格子定数dを有する物質を含む第1の導電膜を形成する配向膜基板の製造方法であり、
前記積層膜は(100)に配向しており、
前記YSZ膜は(100)に配向しており、
前記物質は、Al及びAl合金の少なくとも一つの金属または前記少なくとも一つの金属にAgを含有する金属であることを特徴とする配向膜基板の製造方法。
0.300nm≦d≦0.550nm ・・・式1
前記Si基板上にエピタキシャル成長によりZrO2膜とY2O3膜を積層した積層膜またはYSZ膜を形成し、
前記配向膜またはYSZ膜上にエピタキシャル成長により磁性を有する第2の導電膜を形成し、
前記第2の導電膜上にエピタキシャル成長により下記式1を満たす格子定数dを有する物質を含む第1の導電膜を形成する配向膜基板の製造方法であり、
前記積層膜は(100)に配向しており、
前記YSZ膜は(100)に配向しており、
前記第2の導電膜は、Fe、Fe合金及びFe−Ni合金の群から選択された少なくとも一つの金属または前記少なくとも一つの金属にAgを含有する金属からなり、
前記格子定数dを有する物質は、Al及びAl合金の少なくとも一つの金属または前記少なくとも一つの金属にAgを含有する金属であることを特徴とする配向膜基板の製造方法。
0.300nm≦d≦0.550nm ・・・式1
前記第2の導電膜は、磁性を有する金属が40質量%以上含まれていることを特徴とする配向膜基板の製造方法。
前記積層膜またはYSZ膜を形成した後で且つ前記第1の導電膜を形成する前に、前記積層膜またはYSZ膜上にペロブスカイト構造物質を含む第1のバッファ層を形成することを特徴とする配向膜基板の製造方法。
前記第2の導電膜を形成した後で且つ前記第1の導電膜を形成する前に、前記第2の導電膜上にペロブスカイト構造物質を含む第1のバッファ層を形成することを特徴とする配向膜基板の製造方法。
前記第1の導電膜を形成した後に、前記第1の導電膜上に(100)に配向した誘電体膜を形成することを特徴とする配向膜基板の製造方法。
前記誘電体膜はPZT膜であることを特徴とする配向膜基板の製造方法。
前記第1の導電膜を形成した後で且つ前記誘電体膜を形成する前に、前記第1の導電膜上にペロブスカイト構造物質を含む第2のバッファ層を形成することを特徴とする配向膜基板の製造方法。
前記ペロブスカイト構造物質は、一般式ABO3で表され、Aは、Al、Y、Na、K、Rb、Cs、La、Sr、Cr、Ag、Ca、Pr、Nd、Biおよび周期表のランタン系列の元素からなる群から選択される少なくとも一つの元素を含んでなり、Bは、Al、Ga、In、Nb、Sn、Ti、Ru、Rh、Pd、Re、Os、IrPt、U、Co、Fe、Ni、Mn、Cr、Cu、Mg、V、Nb、Ta、MoおよびWからなる群から選択される少なくとも一つの元素を含んでなるペロブスカイト物質、または、酸化ビスマス層と、ペロブスカイト型構造ブロックとが交互に積層された構造を有するビスマス層状構造強誘電体結晶であり、前記ペロブスカイト型構造ブロックは、Li、Na、K、Ca、Sr、Ba、Y、Bi、Pbおよび希土類元素から選ばれる少なくとも1つの元素Lと、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、W、Mo、Mn、Fe、SiおよびGeから選ばれる少なくとも1つの元素Rと、酸素とによって構成されることを特徴とする配向膜基板の製造方法。
前記搬送室内に配置された、Si基板を搬送する搬送機構と、
前記搬送室に第4のゲートバルブを介して接続された第4のチャンバーと、
前記第1のチャンバー内で(100)の結晶面を有する前記Si基板上にYSZ膜を成膜する第1のスパッタリング装置と、
前記第4のチャンバー内で前記YSZ膜上に下記式1を満たす格子定数dを有する物質を含む第1の導電膜を成膜する第4のスパッタリング装置と、
を具備し、
前記第1のスパッタリング装置は、
第1のチャンバーと、
前記第1のチャンバー内に配置された、前記Si基板を保持する保持機構と、
前記保持機構に保持され、前記Si基板の下面にランプ光を照射して前記基板を800℃以上に加熱するランプヒーターと、
前記第1のチャンバー内に配置され、前記保持機構に保持された前記Si基板の上面と対向するYとZrを含有するスパッタリングターゲットと、
前記スパッタリングターゲットに電気的に接続されたスパッタ電極と、
前記スパッタ電極に電気的に接続された第1の電源と、
前記保持機構に保持された前記基板と前記スパッタリングターゲットとの間に配置されたグリッド電極と、
前記グリッド電極に設けられた複数の貫通孔と、
前記グリッド電極に電気的に接続された第2の電源と、
前記保持機構に保持された前記基板と前記グリッド電極との間の第1の空間から真空排気する排気機構と、
前記第2の空間に不活性ガスを導入し、前記第1の空間に酸素ガスを導入するガス導入機構と、
を具備し、
前記グリッド電極によって前記第1のチャンバーは、前記第1の空間と、前記グリッド電極と前記スパッタリングターゲットとの間の第2の空間に二分割されていることを特徴とするマルチチャンバー装置。
0.300nm≦d≦0.550nm ・・・式1
前記搬送室に第3のゲートバルブを介して接続された第3のチャンバーと、
前記第3のチャンバー内で前記YSZ膜上に磁性を有する第2の導電膜を成膜する第3のスパッタリング装置と、
を具備することを特徴とするマルチチャンバー装置。
前記搬送室内に配置された、Si基板を搬送する搬送機構と、
前記搬送室に第2のゲートバルブを介して接続された第2のチャンバーと、
前記搬送室に第4のゲートバルブを介して接続された第4のチャンバーと、
前記第1のチャンバー内で(100)の結晶面を有する前記Si基板上にZrO2膜を成膜する第1のスパッタリング装置と、
前記第2のチャンバー内で前記ZrO2膜上にY2O3膜を成膜する第2のスパッタリング装置と、
前記第4のチャンバー内で前記Y2O3膜上に下記式1を満たす格子定数dを有する物質を含む第1の導電膜を成膜する第4のスパッタリング装置と、
を具備し、
前記第1のスパッタリング装置及び前記第2のスパッタリング装置は、それぞれ、
第1のチャンバーと、
前記第1のチャンバー内に配置された、前記Si基板を保持する保持機構と、
前記保持機構に保持され、前記Si基板の下面にランプ光を照射して前記基板を800℃以上に加熱するランプヒーターと、
前記第1のチャンバー内に配置され、前記保持機構に保持された前記Si基板の上面と対向するスパッタリングターゲットと、
前記スパッタリングターゲットに電気的に接続されたスパッタ電極と、
前記スパッタ電極に電気的に接続された第1の電源と、
前記保持機構に保持された前記基板と前記スパッタリングターゲットとの間に配置されたグリッド電極と、
前記グリッド電極に設けられた複数の貫通孔と、
前記グリッド電極に電気的に接続された第2の電源と、
前記保持機構に保持された前記基板と前記グリッド電極との間の第1の空間から真空排気する排気機構と、
前記第2の空間に不活性ガスを導入し、前記第1の空間に酸素ガスを導入するガス導入機構と、
を具備し、
前記グリッド電極によって前記第1のチャンバーは、前記第1の空間と、前記グリッド電極と前記スパッタリングターゲットとの間の第2の空間に二分割されており、
前記第1のスパッタリング装置のスパッタリングターゲットは、Zrからなり、
前記第2のスパッタリング装置のスパッタリングターゲットは、Yからなることを特徴とするマルチチャンバー装置。
0.300nm≦d≦0.550nm ・・・式1
前記搬送室に第3のゲートバルブを介して接続された第3のチャンバーと、
前記第3のチャンバー内で前記Y2O3膜上に磁性を有する第2の導電膜を成膜する第3のスパッタリング装置と、
を具備することを特徴とするマルチチャンバー装置。
前記搬送室に第5のゲートバルブを介して接続された第5のチャンバーと、
前記第5のチャンバー内で誘電体膜を成膜する第5のスパッタリング装置と、
を具備することを特徴とするマルチチャンバー装置。
前記搬送室に第6のゲートバルブを介して接続された第6のチャンバーと、
前記第6のチャンバーを有する誘電体膜成膜装置と、
を具備し、
前記誘電体膜成膜装置は、ゾルゲル溶液をスピンコートにより塗布して誘電体膜を製膜する装置であることを特徴とするマルチチャンバー装置。
≪製造装置≫
図1は、本発明の一態様に係るマルチチャンバー装置を模式的に示す平面図である。
マルチチャンバー装置は、ロードロック室1と、搬送室2と、搬送ロボット3と、YSZスパッタ室4と、磁性を持つ物質のスパッタ室5と、特定の格子定数を持つ物質のスパッタ室6と、PZTスパッタ室7とを有している。
0.300nm≦d≦0.550nm ・・・式1
図1に示すマルチチャンバー装置が有する図2の第1のスパッタリング装置を、ボート型蒸着装置、EB型蒸着装置またはRF型イオンプレーティング装置に代えて実施してもよい。つまり、図1に示すマルチチャンバー装置がボート型蒸着装置、EB型蒸着装置またはRF型イオンプレーティング装置を有するように変更しても良い。
EB型蒸着装置は成膜チャンバー41を有しており、成膜チャンバー41の下部には蒸着源43が配置されている。成膜チャンバー41の上部には基板ホルダー44が配置されており、この基板ホルダー44は蒸着源43と対向するように配置されている。蒸着源43は、YとZrを含有する蒸着材料、Zrを含有する蒸着材料、またはYを含有する蒸発材料を収容したルツボ及び電子銃(EBgun)42を有している。ルツボには冷却機構(図示せず)が取り付けられている。蒸着源43は、電子銃42からの電子ビームを蒸発材料に照射して加熱し、蒸発材料を蒸発させるものである。
図4(A)は、本発明の一態様に係る配向膜基板を示す断面図である。この配向膜基板は、図1に示すマルチチャンバー装置と図2及び図3に示す第1のスパッタリング装置を用いて作製される。
0.300nm≦d≦0.550nm ・・・式1
また、上記の少なくとも一つの金属にAgを含有する金属は、例えばNi−Ag混合金属、Ni−Fe−Ag合金などを含む。
図4(B)は、図4(A)に示す配向膜基板の変形例1であり、図4(A)と同一部分には同一符号を付し、同一部分の説明は省略する。
図5(A)は、図4(A)に示す配向膜基板の変形例2であり、図4(A)と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
図5(B)は、図4(B)に示す配向膜基板の変形例3であり、図4(B)と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
≪製造装置≫
図8は、本発明の一態様に係るマルチチャンバー装置を模式的に示す平面図であり、図1と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
図4(A)に示す配向膜基板と異なる点についてのみ説明する。
図4(B)に示す配向膜基板と異なる点についてのみ説明する。
図5(A)に示す配向膜基板と異なる点についてのみ説明する。
図5(B)に示す配向膜基板と異なる点についてのみ説明する。
≪製造装置≫
図9は、本発明の一態様に係るマルチチャンバー装置を模式的に示す平面図であり、図1と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
図10(A)は、本発明の一態様に係る配向膜基板を示す断面図であり、図4(A)の配向膜基板と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。図10(A)の配向膜基板は、図9に示すマルチチャンバー装置を用いて作製される。
図10(B)は、図10(A)に示す配向膜基板の変形例1であり、図4(B)と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
図11(A)は、図10(A)に示す配向膜基板の変形例2であり、図10(A)と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
図11(B)は、図10(B)に示す配向膜基板の変形例3であり、図10(B)と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
表面に約0.3μmの酸化シリコン絶縁膜が形成されたSiウエハを基板とした。この基板上に、RFスパッタリング方法により、Ti膜を15nm成膜した。
表面に約0.3μmの酸化シリコン絶縁膜が形成されたSiウエハを基板とした。この基板上に、RFスパッタリング方法により、Ti膜を15nm成膜し、次いでPt下部電極を150nm成膜した。
2 搬送室
3 搬送ロボット
4 YSZスパッタ室
5 磁性を持つ物質のスパッタ室5
6 特定の格子定数を持つ物質のスパッタ室6
7 PZTスパッタ室
8 ゾルゲルスピンコート式PZT製膜装置(誘電体膜成膜装置)
10 グリッド電源(第2の電源)
11 フィラメント
12 フィラメント電源(第3の電源)
13 放電ガス導入機構
14 反応ガス導入機構
15 集光型反射部材(集光リフレクター)
17,18 ランプ光がSiウエハの下面の外側に漏れる量
21 第1のチャンバー(プロセスチャンバー)
22 保持機構
23 Siウエハ(Si基板)
24 ランプヒーター
25 スパッタ電極
26 スパッタリングターゲット
27 ロータリーマグネット
28 スパッタ電源(第1の電源)
29 グリッド電極
29a 貫通孔
31 YSZ膜
31a ZrO2膜
31b Y2O3膜
32 磁性を有する第2の導電膜
33 PZT膜
34 ペロブスカイト構造物質を含む第1のバッファ層
35 ペロブスカイト構造物質を含む第2のバッファ層
36 格子定数dを有する物質を含む第1の導電膜
51 ゲートバルブ
52 第1の空間
53 第2の空間
54 バルブ
Claims (17)
- (100)の結晶面を有するSi基板を用意し、
前記Si基板上にエピタキシャル成長によりTiO 2 膜を形成し、
前記TiO 2 膜上にエピタキシャル成長によりNi膜を形成する配向膜基板の製造方法であることを特徴とする配向膜基板の製造方法。 - (100)の結晶面を有するSi基板を用意し、
前記Si基板上にエピタキシャル成長によりYSZ膜を形成し、
前記YSZ膜上にエピタキシャル成長によりNi−Fe合金膜を形成する配向膜基板の製造方法であり、
前記YSZ膜は(100)に配向していることを特徴とする配向膜基板の製造方法。 - (100)の結晶面を有するSi基板を用意し、
前記Si基板上にエピタキシャル成長によりTiO 2 膜を形成し、
前記TiO 2 膜上にエピタキシャル成長により磁性を有する第2の導電膜を形成し、
前記第2の導電膜上にエピタキシャル成長によりNi膜を形成する配向膜基板の製造方法であり、
前記第2の導電膜は、Fe、Fe合金及びFe−Ni合金の群から選択された少なくとも一つの金属または前記少なくとも一つの金属にAgを含有する金属からなることを特徴とする配向膜基板の製造方法。 - 請求項3において、
前記第2の導電膜は、磁性を有する金属が40質量%以上含まれていることを特徴とする配向膜基板の製造方法。 - 請求項1において、
前記TiO 2 膜を形成した後で且つ前記Ni膜を形成する前に、前記TiO 2 膜上にペロブスカイト構造物質を含む第1のバッファ層を形成することを特徴とする配向膜基板の製造方法。 - 請求項2において、
前記YSZ膜を形成した後で且つ前記Ni−Fe合金膜を形成する前に、前記YSZ膜上にペロブスカイト構造物質を含む第1のバッファ層を形成することを特徴とする配向膜基板の製造方法。 - 請求項3または4において、
前記第2の導電膜を形成した後で且つ前記Ni膜を形成する前に、前記第2の導電膜上にペロブスカイト構造物質を含む第1のバッファ層を形成することを特徴とする配向膜基板の製造方法。 - 請求項1、3乃至5、7のいずれか一項において、
前記Ni膜を形成した後に、前記Ni膜上に(100)に配向した誘電体膜を接して形成することを特徴とする配向膜基板の製造方法。 - 請求項2または6において、
前記Ni−Fe合金膜を形成した後に、前記Ni−Fe合金膜上に(100)に配向した誘電体膜を接して形成することを特徴とする配向膜基板の製造方法。 - 請求項8または9において、
前記誘電体膜はPZT膜であることを特徴とする配向膜基板の製造方法。 - 請求項5乃至7のいずれか一項において、
前記ペロブスカイト構造物質は、一般式ABO3で表され、Aは、Al、Y、Na、K、Rb、Cs、La、Sr、Cr、Ag、Ca、Pr、Nd、Biおよび周期表のランタン系列の元素からなる群から選択される少なくとも一つの元素を含んでなり、Bは、Al、Ga、In、Nb、Sn、Ti、Ru、Rh、Pd、Re、Os、IrPt、U、Co、Fe、Ni、Mn、Cr、Cu、Mg、V、Nb、Ta、MoおよびWからなる群から選択される少なくとも一つの元素を含んでなるペロブスカイト物質、または、酸化ビスマス層と、ペロブスカイト型構造ブロックとが交互に積層された構造を有するビスマス層状構造強誘電体結晶であり、前記ペロブスカイト型構造ブロックは、Li、Na、K、Ca、Sr、Ba、Y、Bi、Pbおよび希土類元素から選ばれる少なくとも1つの元素Lと、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、W、Mo、Mn、Fe、SiおよびGeから選ばれる少なくとも1つの元素Rと、酸素とによって構成されることを特徴とする配向膜基板の製造方法。 - 第1のチャンバーに第1のゲートバルブを介して接続された搬送室と、
前記搬送室内に配置された、Si基板を搬送する搬送機構と、
前記搬送室に第4のゲートバルブを介して接続された第4のチャンバーと、
前記第1のチャンバー内で(100)の結晶面を有する前記Si基板上にTiO 2 膜を成膜する第1のスパッタリング装置と、
前記第4のチャンバー内で前記TiO 2 膜上にNi膜を成膜する第4のスパッタリング装置と、
を具備し、
前記第1のスパッタリング装置は、
第1のチャンバーと、
前記第1のチャンバー内に配置された、前記Si基板を保持する保持機構と、
前記保持機構に保持され、前記Si基板の下面にランプ光を照射して前記基板を800℃以上に加熱するランプヒーターと、
前記第1のチャンバー内に配置され、前記保持機構に保持された前記Si基板の上面と対向するTiO 2 を含有するスパッタリングターゲットと、
前記スパッタリングターゲットに電気的に接続されたスパッタ電極と、
前記スパッタ電極に電気的に接続された第1の電源と、
前記保持機構に保持された前記基板と前記スパッタリングターゲットとの間に配置されたグリッド電極と、
前記グリッド電極に設けられた複数の貫通孔と、
前記グリッド電極に電気的に接続された第2の電源と、
前記保持機構に保持された前記基板と前記グリッド電極との間の第1の空間から真空排気する排気機構と、
前記第2の空間に不活性ガスを導入し、前記第1の空間に酸素ガスを導入するガス導入機構と、
を具備し、
前記グリッド電極によって前記第1のチャンバーは、前記第1の空間と、前記グリッド電極と前記スパッタリングターゲットとの間の第2の空間に二分割されていることを特徴とするマルチチャンバー装置。 - 第1のチャンバーに第1のゲートバルブを介して接続された搬送室と、
前記搬送室内に配置された、Si基板を搬送する搬送機構と、
前記搬送室に第4のゲートバルブを介して接続された第4のチャンバーと、
前記第1のチャンバー内で(100)の結晶面を有する前記Si基板上にYSZ膜を成膜する第1のスパッタリング装置と、
前記第4のチャンバー内で前記YSZ膜上にNi−Fe合金膜を成膜する第4のスパッタリング装置と、
を具備し、
前記第1のスパッタリング装置は、
第1のチャンバーと、
前記第1のチャンバー内に配置された、前記Si基板を保持する保持機構と、
前記保持機構に保持され、前記Si基板の下面にランプ光を照射して前記基板を800℃以上に加熱するランプヒーターと、
前記第1のチャンバー内に配置され、前記保持機構に保持された前記Si基板の上面と対向するYとZrを含有するスパッタリングターゲットと、
前記スパッタリングターゲットに電気的に接続されたスパッタ電極と、
前記スパッタ電極に電気的に接続された第1の電源と、
前記保持機構に保持された前記基板と前記スパッタリングターゲットとの間に配置されたグリッド電極と、
前記グリッド電極に設けられた複数の貫通孔と、
前記グリッド電極に電気的に接続された第2の電源と、
前記保持機構に保持された前記基板と前記グリッド電極との間の第1の空間から真空排気する排気機構と、
前記第2の空間に不活性ガスを導入し、前記第1の空間に酸素ガスを導入するガス導入機構と、
を具備し、
前記グリッド電極によって前記第1のチャンバーは、前記第1の空間と、前記グリッド電極と前記スパッタリングターゲットとの間の第2の空間に二分割されていることを特徴とするマルチチャンバー装置。 - 請求項12において、
前記搬送室に第3のゲートバルブを介して接続された第3のチャンバーと、
前記第3のチャンバー内で前記TiO 2 膜上に磁性を有する第2の導電膜を成膜する第3のスパッタリング装置と、
を具備することを特徴とするマルチチャンバー装置。 - 請求項13において、
前記搬送室に第3のゲートバルブを介して接続された第3のチャンバーと、
前記第3のチャンバー内で前記YSZ膜上に磁性を有する第2の導電膜を成膜する第3のスパッタリング装置と、
を具備することを特徴とするマルチチャンバー装置。 - 請求項12乃至15のいずれか一項において、
前記搬送室に第5のゲートバルブを介して接続された第5のチャンバーと、
前記第5のチャンバー内で誘電体膜を成膜する第5のスパッタリング装置と、
を具備することを特徴とするマルチチャンバー装置。 - 請求項12乃至15のいずれか一項において、
前記搬送室に第6のゲートバルブを介して接続された第6のチャンバーと、
前記第6のチャンバーを有する誘電体膜成膜装置と、
を具備し、
前記誘電体膜成膜装置は、ゾルゲル溶液をスピンコートにより塗布して誘電体膜を製膜する装置であることを特徴とするマルチチャンバー装置。
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R371 | Transfer withdrawn |
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S303 | Written request for registration of pledge or change of pledge |
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S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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R371 | Transfer withdrawn |
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S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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