JP6489442B2 - シリコンウェーハ中の重金属不純物固溶限界濃度測定方法 - Google Patents
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Description
Ceq=C0 eqexp(-Q/kT) … (1)
ここで、Ceqは固溶度、kはボルツマン定数、Tは絶対温度、C0 eqとQは定数である。
したがって、各元素の固溶度が既知であるというためには、式(1)中の2つの定数であるC0 eqとQを決定すればよい。
式(2)はFickの第2法則であり、式(3)は、表面、つまり、x=0における境界条件である。
図1において、シリコンウェーハ10は、第一シリコン単結晶層12と、前記第一シリコン単結晶層12上に形成された酸化膜層14と、前記酸化膜14上に形成され、測定対象とされる第二シリコン単結晶層16とからなる3層構造とされている。
CZ法により、直径8インチ、方位<100>、p型、抵抗率が10Ωcm、初期酸素濃度14ppmaの結晶棒を、引き上げ速度0.4mm/分で引き上げた。この結晶棒を加工してウェーハとし、そのウェーハ表面に1×1012atoms/cm2のFeを塗布した後、700℃/8時間の拡散熱処理を施してから、室温まで冷却した。このウェーハを1×1cmの小片に切り出し、その小片中のFe濃度をICP-MSで質量分析したところ、約6×1011atoms/cm3と測定され、非特許文献1に示されている Ceq(atoms/cm3)=4.3×1022exp(-2.1/kT)から見積もられた700℃におけるFeの固溶度文献値と一致し、正確に固溶度値を測定することができた。しかし、この従来の手法では、熱処理に8時間もの長時間を費やしており、効率的な手法とは言えない。
CZ法により、直径8インチ、方位<100>、p型、抵抗率が10Ωcm、初期酸素濃度14ppmaの結晶棒を、引き上げ速度0.4mm/分で引き上げた。この結晶棒を加工してウェーハとし、そのウェーハ表面に1×1012 atoms/cm2のFeを塗布した後、700℃/1分の拡散熱処理を施してから、室温まで冷却した。このウェーハを20×7mmの小片に切り出し、その小片中のFe濃度をICP-MSで質量分析したところ、この手法の検出下限値である5×1010 atoms/cm3以下となった。この手法では、表層近傍付近までしか拡散できていないため、Fe濃度を求めることはできなかった。
CZ法により、直径8インチ、方位<100>、p型、抵抗率が10Ωcm、初期酸素濃度14ppmaの結晶棒を、引き上げ速度0.4mm/分で引き上げた。この結晶棒を加工してウェーハとし、そのウェーハ表面に1×1012 atoms/cm2のFeを塗布した後、700℃/1分の拡散熱処理を施してから、室温まで冷却した。このウェーハの表層50μmをHF+HNO3混合液でエッチオフし、その溶液に含まれるFe濃度をICP-MSで質量分析したところ、ウェーハ表層50μm範囲の平均Fe濃度は4×1011 atoms/cm3と測定された。この値は、非特許文献1に示されている Ceq(atoms/cm3)=4.3×1022exp(-2.1/kT)から見積もられた700℃におけるFeの固溶度文献値である6×1011 atoms/cm3の2/3に過ぎず、固溶度を正確に測定できたとは言えない。
第一シリコン単結晶層と、前記第一シリコン単結晶層上に形成された酸化膜層と、前記酸化膜上に形成され、測定対象とされる第二シリコン単結晶層とからなる3層構造とされたシリコンウェーハとして、シリコン単結晶によるSOI層/BOX酸化膜/シリコン単結晶基板という3層構造を持つSOIウェーハにおいて、各層厚がそれぞれ、10μm/150nm/725μmであるSOIウェーハを準備した。そのウェーハ表面に1×1012 atoms/cm2のFeを塗布した後、700℃/1分の拡散熱処理を施してから、室温まで冷却した。このウェーハの表面側SOI層10μmをHF+HNO3混合液でエッチオフし、その溶液に含まれるFe濃度をICP-MSで質量分析したところ、SOI層10μmの平均Fe濃度は約6×1011 atoms/cm3と測定され、非特許文献1に示されている Ceq(atoms/cm3)=4.3×1022exp(-2.1/kT)から見積もられた700℃におけるFeの固溶度文献値と一致した。この結果は、この手法で正確に固溶度が測定できることを示すが、比較例1に示す従来手法で必要とされた8時間の熱処理が1分に短縮されており、効率的な固溶度測定法と言える。
Claims (2)
- 電子デバイス形成用基板であるシリコンウェーハ中の重金属不純物の固溶限界濃度を測定する方法であり、
第一シリコン単結晶層と、前記第一シリコン単結晶層上に形成された酸化膜層と、前記酸化膜上に形成され、測定対象とされ且つ厚みが1μm〜100μm程度であり前記第一シリコン単結晶層よりも薄い第二シリコン単結晶層とからなる3層構造とされたシリコンウェーハに対して、
その表面である前記第二シリコン単結晶層側から前記第二シリコン単結晶層に飽和するまで測定対象元素を拡散する工程と、
前記拡散工程の後、前記第二シリコン単結晶層中の前記測定対象元素の濃度を測定することにより固溶限界濃度を決定する工程と、を含む
シリコンウェーハ中の重金属不純物固溶限界濃度測定方法。 - 第一シリコン単結晶層と、前記第一シリコン単結晶層上に形成された酸化膜層と、前記酸化膜上に形成され、測定対象とされる第二シリコン単結晶層とからなる3層構造とされたシリコンウェーハとしてSOIウェーハを用いる、請求項1記載のシリコンウェーハ中の重金属不純物固溶限界濃度測定方法。
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