JP6479218B2 - 横型拡散炉および太陽電池セルの製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の実施の形態1にかかる横型拡散炉20の側面図である。図1においては、石英チューブ8の側面を透過して見える横型拡散炉20の部材について示している。図2は、本発明の実施の形態1にかかる横型拡散炉20における親ボート3の平面図である。図3は、本発明の実施の形態1にかかる横型拡散炉20において被処理基板が配置される子ボート1の斜視図である。図4は、本発明の実施の形態1にかかる横型拡散炉20における1つの子ボート1付近を拡大して示す側面図である。
2POCl3+(3/2)O2 → P2O5+3Cl2
P2O5+(5/2)Si → 2P+(5/2)SiO2
本実施の形態2では、実施の形態1と同様に、太陽電池セルの製造工程のうち、p型のシリコンウェハ2の表面へn型不純物層を形成するためにリンを拡散するリン拡散工程で使用する横型拡散炉について説明する。シリコンウェハ2に対するリン拡散の処理条件は、実施の形態1の場合と同条件であり、原料ガス13とキャリアガスとの総流量が30[slm]とされ、800℃で15分間、拡散処理が行われた後、875℃に昇温して更に15分処理が行われる。
実施の形態3では、太陽電池セルの製造方法について説明する。図19は、本発明の実施の形態3にかかる太陽電池セルの上面図である。図20は、本発明の実施の形態3にかかる太陽電池セルの、図19のXX−XX断面図である。上述した横型拡散炉20または横型拡散炉30を用いて不純物拡散を行うことで、たとえば図19および図20に示す太陽電池セルを形成することができる。図21および図22は、本発明の実施の形態3にかかる太陽電池セルの製造工程を示す断面図であり、不純物拡散工程において第2導電型半導体層としてのn型不純物拡散層42と、第1導電型半導体層としてのp型不純物拡散層であってテクスチャ構造を有するp型単結晶シリコンウェハ41とを形成する工程を示す説明図である。
Claims (8)
- 水平状態に配置され、一端側にプロセスガスの供給口が設けられ、他端側に前記プロセスガスの排気口が設けられた横長形状のプロセスチューブと、
前記プロセスチューブ内を加熱するヒータと、
被処理基板を立てた状態で保持する第1ボートと、
下部に複数の移動用車輪を有して移動可能とされ、前記第1ボートを載置して前記プロセスチューブ内に水平状態に載置される横長形状の第2ボートと、
前記第2ボートにおける前記移動用車輪の上部と、前記移動用車輪を連結している車輪軸の上部とを覆う第1遮蔽板と、
を備え、
前記移動用車輪は、前記第2ボートに載置された前記第1ボートに保持された前記被処理基板よりも下方に位置すること、
を特徴とする横型拡散炉。 - 前記被処理基板は、面内方向が前記プロセスガスの供給口から前記プロセスチューブ内に導入されるプロセスガスの導入方向と平行な方向または垂直な方向とされて前記プロセスチューブ内に配置されていること、
を特徴とする請求項1に記載の横型拡散炉。 - 前記プロセスガスが流通可能とされた供給孔が設けられ、前記第2ボートに載置された前記第1ボートの直下領域を覆った状態で配置された第2遮蔽板を備えること、
を特徴とする請求項1または2に記載の横型拡散炉。 - 前記供給孔の開口面積の割合は、20%以上50%以下であること、
を特徴とする請求項3に記載の横型拡散炉。 - 前記供給孔の開口面積の割合が、前記プロセスガスの供給口から離れるにつれて高くされていること、
を特徴とする請求項3に記載の横型拡散炉。 - 前記プロセスガスは、オキシ塩化リンおよびリン化水素の少なくとも1つを含むこと、
を特徴とする請求項1から5のいずれか1つに記載の横型拡散炉。 - 前記プロセスガスは、三塩化ホウ素、三臭化ホウ素およびジボランのうちの少なくとも1つを含むこと、
を特徴とする請求項1から5のいずれか1つに記載の横型拡散炉。 - 第1導電型の半導体ウェハに対して第2導電型の不純物を拡散させて前記半導体ウェハの表面に不純物拡散層を形成することにより前記半導体ウェハにpn接合を形成する不純物拡散層形成工程を含む太陽電池セルの製造方法であって、
前記不純物拡散層形成工程では、請求項1から7のいずれか1つに記載された横型拡散炉を用いて前記不純物拡散層を形成する不純物拡散処理を行うこと、
を特徴とする太陽電池セルの製造方法。
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