JP2017216397A - アニール処理装置およびアニール処理方法 - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title abstract description 15
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 271
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 100
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 45
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 165
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 72
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 9
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 65
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 131
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 36
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 30
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 29
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 29
- 230000008569 process Effects 0.000 description 22
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 19
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 16
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 14
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 12
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 11
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 7
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 7
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 101001073212 Arabidopsis thaliana Peroxidase 33 Proteins 0.000 description 1
- 101001123325 Homo sapiens Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Proteins 0.000 description 1
- 102100028961 Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Human genes 0.000 description 1
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 210000002159 anterior chamber Anatomy 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- -1 boron ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000004320 controlled atmosphere Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 101150075118 sub1 gene Proteins 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
- H01L31/1864—Annealing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic System
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Abstract
【解決手段】本発明は、不純物ドープされた基板に熱処理を行うための内部空間を有する加熱室510、及び、前記加熱室の内部空間512と仕切弁517を介して連通するように配された前室520、を含む結晶系太陽電池用のアニール処理装置である。前記加熱室は、その内部空間に、前記基板の表面および裏面が露呈した状態となるように前記基板の外周部を保持するカセット501が複数枚、所定の距離をもって離間した状態で、多段に重ねてなるカセットラック503を載置するカセットベース502と、前記熱処理用のガス供給手段515とを備える。前記ガス供給手段は、前記基板どうしが離間する空間に向けて、該空間ごとに1つ以上のガス供給口515LP1〜515LPNを有する。
【選択図】図5
Description
イオン注入法においては、不純物として注入したいイオンを質量分離して選択することが可能である。また、イオンに加速エネルギーを与えることにより、シリコン基板の必要な領域に対して深い領域までイオンを制御性よく注入することが可能である。
また、不純物イオンがシリコン基板内部に導入されている場合でも、導入深さが浅い場合、シリコン基板の表層のイオンが加熱によりエネルギーを得て、シリコン基板から脱離する場合もあり、この離脱したイオンも、他のシリコン基板の表面を汚染する要因となっている。
本発明の請求項2に記載のアニール処理装置は、請求項1において、前記ガス供給手段のガス供給口は、その開口部の形状が前記基板の表面および裏面に対して平行をなす方向に長軸を有する楕円形状、またはスリット状であることを特徴とする。
本発明の請求項3に記載のアニール処理装置は、請求項1又は2において、前記ガス供給手段は、ガス流量を調整する手段を1つ以上備えることを特徴とする。
本発明の請求項5に記載のアニール処理方法は、請求項4において、前記ガス供給口は、前記基板どうしが離間する空間において、レイノルズ数が3000以下となるように、前記アニールガスを流すことを特徴とする。
つまり、本発明によれば、基板どうしが離間する空間内に向けて、所望のガスの流れる方向や流速などを、各空間ごとに制御しながら、基板の両面(表面および裏面)を熱処理することが可能となる。ここで、「各空間ごとに制御」とは、たとえば、加熱室の内部空間に、50枚の基板が重ねて配され、かつ、基板どうしが離間する空間を有する場合、50枚の基板の重なり方向において、一方の端部近傍に位置する空間と、中央部近傍に位置する空間と、他方の端部近傍に位置する空間とに対して、個別に条件設定されたガスの流し方を採用することを意味する。
したがって、本発明は、不純物ドープされた基板から熱処理によって離脱したイオンが、対向配置された基板に及ぼす影響を抑制することが可能な、結晶系太陽電池用のアニール処理装置の提供に貢献する。
ゆえに、この発明(アニール処理方法)は、基板の両面(表面および裏面)に不純物を注入して、両面同時にアニール処理する場合に限定されるものではなく、片面のみ処理する場合(たとえば、バックコンタクト(BC)型太陽電池のように基板の片面のみにp型、n型両方の不純物領域を設ける場合や、片面ずつ「不純物ドープ→アニール処理」を繰り返して行う場合)にも適用でき、かつ有効である。すなわち、基板の片面のみを処理する場合であっても、表裏両面が露出するように基板を保持する場合に、未処理面の汚染を低減できる手法として、本発明は効果を奏する。
したがって、本発明は、不純物ドープされた基板から熱処理によって離脱したイオンが、対向配置された基板に及ぼす影響を抑制することが可能な、結晶系太陽電池用のアニール処理方法をもたらす。
図1は、本発明に係るアニール処理装置およびアニール処理方法を用いて作製された、結晶系太陽電池100の一実施形態を示す模式断面図である。
図1において、結晶系太陽電池100E(100)を構成する基体101は、光電変換機能を発現する第一導電型(たとえばn型半導体)の結晶系シリコンからなる。基体101の裏面(図1では下面)101bには、p型イオンがドープされた領域(A:p+ 部位とも呼ぶ)102が複数、所望のパターンにて局在して(互いに離間して)配されている。基体101の表面(図1では上面)101aには、n型イオンがドープされた領域(B:n+ 部位とも呼ぶ)103が複数、所望のパターンにて局在して(互いに離間して)配されている。図1において、基体101の表面101aに向けた(下向きの)矢印は、光入射方向を表わしている。
なお、本実施形態では、n+部位とp+部位を形成するために非質量分離型のイオン注入法を用いるが、基体101に不純物原子をイオンの状態で導入するものであれば、手法は非質量分離型のイオン注入法には限らず、質量分離型のイオン注入法などでも不純物導入が可能である。ただし、以下の説明では、不純物導入法の代表例として非質量分離型のイオン注入法を用いて詳述する。
第一実施形態に係る結晶系太陽電池100Eを製造するための各工程について、図2〜図4を用い、特に図3において、符号αとした各工程[Si基板の前処理→イオン注入にて部位(A)形成→イオン注入にて部位(B)形成→アニール処理]について詳述する。
なお、符号αとした各工程の後段にあたる、符号βとした各工程[電極膜形成→パターニング(フォトリソ)→絶縁膜形成]については、電極膜形成に好適な成膜装置の例示に留める。
上記金属膜の形成には、たとえば、図8に示すインターバック式のスパッタリング装置800を用いて行う。
次いで、所望のパターニング処理を施すことにより、p+ 部位(A)102およびn+ 部位(B)103を個々に覆うように、局在してなる電極が得られる。
以上では、電極膜形成工程として、スパッタリング装置を用いた金属膜の成膜を説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。金属膜の成膜に代えて、印刷法により、電極をパターニングしつつ形成しても良い。
まず、結晶系シリコンからなる基板101に対して、例えば水酸化カリウム(KOH)や水酸化ナトリウム(NaOH)をエッチャントとして用いたウェットエッチング処理を行う。そして、処理後の基板101に残存する有機物および金属汚染物を、フッ硝酸を用いて除去する。これにより、図2(a)に示すように、テクスチャーを有する形状に基板101の表面101aおよび基板101の裏面101bを加工する[Si基板の前処理工程(第一工程):図3]。
図14は、従来のアニール処理装置(ガス導入が一点)の模式図であり、図14(a)は側方から見た断面図、図14(b)は図14(a)においてガス供給手段近傍の拡大断面図である。
図14のアニール処理装置1300は、加熱室1310と前室1320から構成されており、加熱室1310の内部空間1312と前室1320の内部空間1322は、仕切弁1317によって遮断可能とされている。加熱室1310は、内部空間1312にアニールガスを供給するガス供給手段1315を備えている。
加熱室1310の内部空間1312を大気開放した状態で仕切弁1317を開けて、この状態にあるカセットベース1302を、前室1320の内部空間1322から加熱室1310の内部空間1312へ、不図示の移動手段により上昇させる(上向き矢印)。その後、仕切弁1317を閉じ、排気手段(P)1314を用いて、加熱室1310の内部空間1312を減圧雰囲気とする。なお、加熱室1310の内部空間1312を減圧雰囲気とはせず、そのまま後述のアニールガスを導入し、大気圧アニールを行ってもよい。
このように、アニールガスに水素を添加することで、第二、第三工程において基板101の最表面に形成されるダングリングボンドを修復することが可能となる。
基板温度を所定の温度以下とした後、上記ガスの導入を停止し、加熱室1310の内部空間1312を大気開放した状態として仕切弁1317を開ける。その後、カセットベース1302を、加熱室1310の内部空間1312から前室1320の内部空間1322へ、不図示の移動手段により下降させる(下向き矢印)。
図5は、本発明に係るアニール処理装置(ガスの流れが層流)の模式図であり、図5(a)は上方から見た断面図、図5(b)は側方から見た断面図、図5(c)は図5(b)においてガス供給手段近傍の拡大断面図である。
前室520の内部空間522において、表裏が露呈した状態となるように基板の外周部を保持したカセット501を複数枚、多段に重ねてなるカセットラック503を、カセットベース502上に配置可能とされている。
図6において、符号Aはカセット501に保持された一方の基板(Sub1)の上面と他方の基板(Sub2)の基板間距離であり、符号Bが各基板の板厚である。符号Cはカセット501に保持された基板の端部と、ガス供給手段515の延設された部位515Lとの距離である。部位515Lには、ガス供給手段の開口部515LP(符号Dは開口部の(基板間方向の)口径)が配され、2枚の基板間の空間に向けて、アニールガスGを供給する。符号Eは部位515Lの内径を表わす(図6においては、部位515Lの肉厚は省略)。矢印Xは、基板間の中心位置(一点鎖線)の方向を表わしている。
開口部515LPの開口形状に依存せず、開口部515LPの中心位置どうしの離間距離は、基板間距離Aと同じ距離となるように設定され、通常は所望の一定距離とされる。
図7(a)に示すように、開口形状を円形状とした場合には、アニールガスGの放出方向が、矢印Xの方向を中心として円形(等角的)に、基板間の空間に向けてアニールガスGを進行させることができる。
図7(b)に示すように、開口形状を楕円形状とした場合には、アニールガスGの放出方向が、矢印Xの方向を中心として楕円形状(円形の場合に比べて基板面と平行をなすように)に、基板間の空間に向けてアニールガスGを進行させることができる。
本例は、「ガス導入を多点かつ層流とし、片面に不純物注入した場合」である。図5のアニール処理装置500を用い、図6および図7の配置としてアニール処理を行った。
すなわち、ガス供給手段515は、図5(c)に示すように、加熱室510の内部空間512において、カセット501の重なる方向(基板の重なる方向)に、各カセット501の端部と所定の距離で平行を保ちながら延設された部位515Lを備えている。この部位515Lには、2つの基板どうしが離間する空間に向けて、該空間に1つのガス供給口が配されている。これにより、2つの基板どうしが離間する空間に、アニールガスが「層流」として流れる状態とした。
たとえば、配管内を流れる流体において、「層流」とは、その名の通り流れの各層が整然と並んで一糸乱れずに流れている状態であり、「乱流」とは、前には流れているもののミクロ的にみると各流体微粒子が前後左右に好き勝手に流れている状態である、と定義される。なお、「層流」については、後段(実施例3)において詳細に検討する。
実施例1においては、アニールガスとして窒素ガスに酸素ガスを添加したものを5SLMの流量で加熱室に導入した。また、アニール処理の温度は1000℃、アニール処理にかける時間は3時間とした。
(A1)試料1、2[ボロン(B)が注入された場合]においては、対向面のシート抵抗の均一性(Uniformity)が、アニール処理後(13.5%および9.9%)となり、アニール処理前(14.8%および17.5%)よりも劣化していない。
(A2)試料3、4[リン(P)が注入された場合]においても、上記A1と同様である。すなわち、対向面のシート抵抗の均一性(Uniformity)が、アニール処理後(7.8%および9.0%)となり、アニール処理前(13.9%および11.3%)よりも劣化していない。
本例は、「一点ガス導入とし、片面に不純物注入した場合」である。図14(a)のアニール処理装置1300を用い、図14(b)の配置としてアニール処理を行った。
すなわち、図14(a)のアニール処理装置1300においては、ガス供給手段1315からアニールガス1315Aが放出される位置は、下部1点のみとした。すなわち、加熱室1310の内部空間1312において、最も下方に位置する基板1301S1(1301)より、さらに下方空間にアニールガス1315Aを放出するように、ガス供給手段1315の開口部が配置されている。
比較例1においては、実施例1と同様、アニールガスとして窒素ガスに酸素ガスを添加したものを5SLMの流量で加熱室に導入した。また、アニール処理の温度は1000℃、アニール処理にかける時間は3時間とした。
(B1)試料5、6[ボロン(B)が注入された場合]においては、対向面のシート抵抗の均一性(Uniformity)が、アニール処理後(40.4%および35.1%)となり、アニール処理前(5.0%および5.7%)よりも劣化している。
(B2)試料7、8[リン(P)が注入された場合]においても、上記B1と同様である。すなわち、対向面のシート抵抗の均一性(Uniformity)が、アニール処理後(48.9%および50.2%)となり、アニール処理前(8.8%および5.6%)よりも劣化している。
本例は、「ガス導入を多点かつ層流とし、両面に不純物注入した場合」である。実施例1と同様に、図5のアニール処理装置500を用い、図6および図7の配置としてアニール処理を行った。
すなわち、ガス供給手段515は、図5(c)に示すように、加熱室510の内部空間512において、カセット501の重なる方向(基板の重なる方向)に、各カセット501の端部と所定の距離で平行を保ちながら延設された部位515Lを備えている。この部位515Lには、2つの基板どうしが離間する空間に向けて、該空間に1つのガス供給口が配されている。これにより、2つの基板どうしが離間する空間に、アニールガスが「層流」として流れる状態とした。
図11(b)では、上面および下面の処理条件、シート抵抗値、および、基板の面内におけるシート抵抗値の均一性(Uniformity)の、アニール処理後の値を示す。
実施例2においては、アニールガスとして窒素ガスに酸素ガスを添加したものを5SLMの流量で加熱室に導入した。また、アニール処理の温度は1000℃、アニール処理にかける時間は3時間とした。
(C1)両面同時処理した場合、注入基板の上面[ボロン(B)注入面]においても、注入基板の下面[リン(P)注入面]においても、Uniformityの値は、5.6%および8.2%であり、10%を下回る良好な値が得られた。
本例では、実施例1の基板配置において、さらに注入基板の下方に未注入基板を重ねて配置したものであり、同一基板(注入基板)における上面(表面:ボロン(B)注入面)側が、下面(裏面:未注入面)に及ぼす影響について評価した。
また、実施例1および実施例2と同様に、図5のアニール処理装置500を用い、図6および図7の配置としてアニール処理を行った。
本例は、図13(a)に示すように、特定の基板の上面と下面に着目して評価した結果であり、注入基板(n型)の上下に、未注入基板が配置された場合である。注入基板の上面にはボロン(B)が注入されており(注入に用いたイオンはBF3+ )、注入基板の下面は未注入面である場合である。つまり、実施例3は、同一基板における裏面への汚染について検討したものである。
実施例3においては、アニールガスとして窒素ガスに酸素ガスを添加したものを、流量が5SLMと10SLMの2つの条件で加熱室に導入した。図13(b)において、試料11はアニールガスの流量が5SLMであるもの、試料12はアールガスの流量が10SLMであるものである。また、アニール処理の温度は1000℃、アニール処理にかける時間は3時間とした。
そして、図5および図6に示されるガス供給手段の各構造における寸法、および基板との位置関係等が、上述の値であった場合、2つの基板どうしが離間する空間を流れるアニールガスのレイノルズ数は、アニールガスの流量が5SLMである場合(試料11)はRe=2027、アニールガスの流量が10SLMである場合(試料12)はRe=4053と計算される。このとき、加熱室の内部空間は大気圧であるとする。
(E1)図13(b)において、ガス流量が5SLMから10SLMに増えると、アニール処理後のUniformityが急増する(試料11で17.8%、試料12で75.3%)ことが分かる。
(E2)また、試料12のアニール処理後のシート抵抗値(335.0Ω/□)は、試料11のアニール処理後のシート抵抗値(1402.3Ω/□)と比べて小さい値となっている。これは、試料12の基板はn型Siであるところ、p型のボロンイオンが乱流により下面(裏面)へ回り込み、汚染が生じたためであると考えられる。
以上の結果より、アニール処理後のUniformityを良好な数値とするためには、ガス供給手段の各構造における寸法、および基板との位置関係等と、アニールガスのガス流量を適切な範囲に制御して、アニール処理を行うことが重要であることが判明した。
Claims (5)
- 不純物ドープされた基板に熱処理を行うための内部空間を有する加熱室、及び、前記加熱室の内部空間と仕切弁を介して連通するように配された前室、を含む結晶系太陽電池用のアニール処理装置であって、
前記加熱室は、その内部空間に、前記基板の表面および裏面が露呈した状態となるように前記基板の外周部を保持するカセットが複数枚、所定の距離をもって離間した状態で、多段に重ねてなるカセットラックを載置するカセットベースと、前記熱処理用のガス供給手段とを備え、
前記ガス供給手段は、前記基板どうしが離間する空間に向けて、該空間ごとに1つ以上のガス供給口を有することを特徴とするアニール処理装置。 - 前記ガス供給手段のガス供給口は、その開口部の形状が前記基板の表面および裏面に対して平行をなす方向に長軸を有する楕円形状、またはスリット状であることを特徴とする請求項1に記載のアニール処理装置。
- 前記ガス供給手段は、ガス流量を調整する手段を1つ以上備えることを特徴とする請求項1又は2に記載のアニール処理装置。
- 基板の表面と裏面の両方かまたはいずれか一方に不純物領域を形成するために、アニールガス雰囲気下において前記基板を熱処理を行う結晶系太陽電池用のアニール処理方法であって、
前記熱処理を行う空間内において、前記基板の表面および裏面が露呈した状態となるように、前記基板の外周部をカセットにより保持するとともに、前記カセットを複数枚、所定の距離をもって離間した状態となるように配置して、
前記基板どうしが離間する空間に向けて、該空間ごとに1つ以上のガス供給口を有するガス供給源から、前記不純物元素を含むガスを導入しながら熱処理を行うことを特徴とするアニール処理方法。 - 前記ガス供給口は、前記基板どうしが離間する空間において、レイノルズ数が3000以下となるように、前記アニールガスを流すことを特徴とする請求項4に記載のアニール処理方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016110154A JP2017216397A (ja) | 2016-06-01 | 2016-06-01 | アニール処理装置およびアニール処理方法 |
CN201710388817.4A CN107452832A (zh) | 2016-06-01 | 2017-05-27 | 退火处理装置以及退火处理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016110154A JP2017216397A (ja) | 2016-06-01 | 2016-06-01 | アニール処理装置およびアニール処理方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017216397A true JP2017216397A (ja) | 2017-12-07 |
Family
ID=60486975
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016110154A Pending JP2017216397A (ja) | 2016-06-01 | 2016-06-01 | アニール処理装置およびアニール処理方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2017216397A (ja) |
CN (1) | CN107452832A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2019110185A (ja) * | 2017-12-18 | 2019-07-04 | 株式会社アルバック | 太陽電池の製造方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2016
- 2016-06-01 JP JP2016110154A patent/JP2017216397A/ja active Pending
-
2017
- 2017-05-27 CN CN201710388817.4A patent/CN107452832A/zh active Pending
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Publication number | Publication date |
---|---|
CN107452832A (zh) | 2017-12-08 |
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|
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