JPH07147236A - 有機金属化学気相成長法 - Google Patents
有機金属化学気相成長法Info
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- JPH07147236A JPH07147236A JP29551193A JP29551193A JPH07147236A JP H07147236 A JPH07147236 A JP H07147236A JP 29551193 A JP29551193 A JP 29551193A JP 29551193 A JP29551193 A JP 29551193A JP H07147236 A JPH07147236 A JP H07147236A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＭＯＣＶＤ法において、均一な膜厚、膜質を
保ちながら歪みを内在した結晶膜の気相成長を可能にす
る。 【構成】 サセプタ７上の半導体基板６と之に対向する
反応管壁との距離ｈを制御して半導体基板６上に歪みを
内在した結晶膜を気相成長する。
保ちながら歪みを内在した結晶膜の気相成長を可能にす
る。 【構成】 サセプタ７上の半導体基板６と之に対向する
反応管壁との距離ｈを制御して半導体基板６上に歪みを
内在した結晶膜を気相成長する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、有機金属化学気相成長
法（以下ＭＯＣＶＤ法という）、特に歪みを内在した結
晶膜の気相成長を可能にしたＭＯＣＶＤ法に関する。
法（以下ＭＯＣＶＤ法という）、特に歪みを内在した結
晶膜の気相成長を可能にしたＭＯＣＶＤ法に関する。
【０００２】
【従来の技術】化合物半導体からなる半導体レーザ等の
半導体デバイスでは、その製造にあって、各結晶膜の形
成にＭＯＣＶＤ法が用いられる。通常、ＭＯＣＶＤ法に
おいては、気相成長膜の膜厚、膜質の均一性を確保する
ために、反応管内の反応領域におけるガス流の流れ、温
度の分布等を考慮して、即ち、ガス流を乱さず、温度分
布を均一にして結晶成長が行われる。
半導体デバイスでは、その製造にあって、各結晶膜の形
成にＭＯＣＶＤ法が用いられる。通常、ＭＯＣＶＤ法に
おいては、気相成長膜の膜厚、膜質の均一性を確保する
ために、反応管内の反応領域におけるガス流の流れ、温
度の分布等を考慮して、即ち、ガス流を乱さず、温度分
布を均一にして結晶成長が行われる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、歪み
を積極的に内在させた半導体デバイスが開発されてい
る。例えばＡｌＧａＡｓ系、ＡｌＧａＩｎＰ系、ＩｎＧ
ａＡｓ（Ｐ）系の半導体レーザにおいて、そのクラッド
層中に歪層を設けることによって、より高出力、低閾値
で長寿命の半導体レーザが得られている。通常、歪みを
有する結晶膜を気相成長させるには、異種原子を混合す
る方法が考えられている。
を積極的に内在させた半導体デバイスが開発されてい
る。例えばＡｌＧａＡｓ系、ＡｌＧａＩｎＰ系、ＩｎＧ
ａＡｓ（Ｐ）系の半導体レーザにおいて、そのクラッド
層中に歪層を設けることによって、より高出力、低閾値
で長寿命の半導体レーザが得られている。通常、歪みを
有する結晶膜を気相成長させるには、異種原子を混合す
る方法が考えられている。
【０００４】本発明は、ガス流の流れを積極的に乱しな
がらも均一且つ良好な膜質をもち、歪みを内在した結晶
膜を気相成長させることができるＭＯＣＶＤ法を提供す
るものである。
がらも均一且つ良好な膜質をもち、歪みを内在した結晶
膜を気相成長させることができるＭＯＣＶＤ法を提供す
るものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、有機金属化合
物を用いて結晶膜を気相成長させる有機金属化学気相成
長法において、反応管２内に配した基板６とこの基板６
に対向する反応管壁との距離ｈを制御して、基板６上に
歪みを内在させた結晶膜を気相成長させることを特徴と
する。
物を用いて結晶膜を気相成長させる有機金属化学気相成
長法において、反応管２内に配した基板６とこの基板６
に対向する反応管壁との距離ｈを制御して、基板６上に
歪みを内在させた結晶膜を気相成長させることを特徴と
する。
【０００６】
【作用】本発明においては、基板６と之に対向する反応
管壁との距離ｈを制御することにより、基板６上の反応
領域におけるガス流を積極的に乱しながらも、均一且つ
良好な膜質をもって、気相成長膜中に歪みを導入するこ
とができる。
管壁との距離ｈを制御することにより、基板６上の反応
領域におけるガス流を積極的に乱しながらも、均一且つ
良好な膜質をもって、気相成長膜中に歪みを導入するこ
とができる。
【０００７】
【実施例】先ず、本発明の理解を容易にするために、Ｍ
ＯＣＶＤ装置におけるガス流の層流、乱流、対流、入口
効果について説明する。
ＯＣＶＤ装置におけるガス流の層流、乱流、対流、入口
効果について説明する。
【０００８】層流と乱流の度合を示すＲｅ（レイノルズ
数）は、数１で定義される。
数）は、数１で定義される。
【０００９】
【数１】Ｒｅ＝Ｕρｈ／μ Ｕ：流速 ρ：気体密度 ｈ：高さ（反応管壁とサセプタ上の基板と間の距離） μ：粘度
【００１０】そして、Ｒｅが２３００を越えると乱流が
起きる。
起きる。
【００１１】次に、対流の存在を示すＲａ（レイリー
数）は、数２で定義される。
数）は、数２で定義される。
【００１２】
【数２】Ｒａ＝αｇρ2 ｈ3 ΔＴ／μｋ α：ガスの熱膨張係数 ｇ：重力加速度 ｋ：熱伝導率
【００１３】そして、Ｒａ≧１．７０７で熱対流が存在
する。このＲａの定義では、ｈは３乗に比例するのでｈ
の微妙な変化が大きく熱対流の存否にかかわってくる。
する。このＲａの定義では、ｈは３乗に比例するのでｈ
の微妙な変化が大きく熱対流の存否にかかわってくる。
【００１４】一方、反応管内のサセプタが完全に平行な
とき、ガスの流れ方向に沿って成長膜の厚さが変化する
入口効果（ｅｎｔｒａｎｃｅ ｅｆｆｅｃｔ）と呼ばれ
る現象がある。このガスの流れの分布が一定となるまで
の端部から距離ｄ1 （図１参照）はｄ1 ＝０．０４ｈＲ
ｅといわれている（Ｇｉｌｌｉｎｇ Ｊ．ｄｅ Ｐｈｙ
ｓ．Ｃ５−２３５，１９８２参照）。同様に温度に関し
ては、ｄ2 ＝０．２８ｈＲｅ（同文献参照）といわれて
おり、距離ｄ1 に比して約７倍の距離が一定になるまで
必要である。
とき、ガスの流れ方向に沿って成長膜の厚さが変化する
入口効果（ｅｎｔｒａｎｃｅ ｅｆｆｅｃｔ）と呼ばれ
る現象がある。このガスの流れの分布が一定となるまで
の端部から距離ｄ1 （図１参照）はｄ1 ＝０．０４ｈＲ
ｅといわれている（Ｇｉｌｌｉｎｇ Ｊ．ｄｅ Ｐｈｙ
ｓ．Ｃ５−２３５，１９８２参照）。同様に温度に関し
ては、ｄ2 ＝０．２８ｈＲｅ（同文献参照）といわれて
おり、距離ｄ1 に比して約７倍の距離が一定になるまで
必要である。
【００１５】乱流の影響としては、層流の場合に比し
て、成長する膜の厚さ、キャリア濃度（ドーピング濃
度）、移動度等が不均一になり、この結果、素子の特性
も不均一になる。例えばレーザダイオードでは、閾値電
流（動作電流）、閾値電圧（動作電圧）、発振波長、ノ
イズ、寿命等、トランジスタでは耐圧、利得、高周波特
性等の特性の不均一が生ずる。
て、成長する膜の厚さ、キャリア濃度（ドーピング濃
度）、移動度等が不均一になり、この結果、素子の特性
も不均一になる。例えばレーザダイオードでは、閾値電
流（動作電流）、閾値電圧（動作電圧）、発振波長、ノ
イズ、寿命等、トランジスタでは耐圧、利得、高周波特
性等の特性の不均一が生ずる。
【００１６】対流の影響としては、その結果、乱流が生
じて上記と同様な不均一が生じ、素子に対しても特性の
不均一が生じる。又、成長温度の不均一のために、特性
が場所によって変わることも考えられる。
じて上記と同様な不均一が生じ、素子に対しても特性の
不均一が生じる。又、成長温度の不均一のために、特性
が場所によって変わることも考えられる。
【００１７】入口効果も又、膜質の不均一及びデバイス
特性の不均一を生ずる。
特性の不均一を生ずる。
【００１８】従来は、上述した数１、数２、入口効果の
理論をふまえて、ガスの流れ、温度分布を考慮して結晶
成長が行われおり、積極的にガス流が乱れた状態での条
件を用いることはない。
理論をふまえて、ガスの流れ、温度分布を考慮して結晶
成長が行われおり、積極的にガス流が乱れた状態での条
件を用いることはない。
【００１９】之に対し、本発明は、サセプタ上の基板と
之に対向する反応管壁面との距離ｈを変えることによっ
て、反応ガス流を乱しながらも、膜質及び素子の特性の
不均一性を生じさせないで、歪みを内在した結晶膜を気
相成長させる方法である。
之に対向する反応管壁面との距離ｈを変えることによっ
て、反応ガス流を乱しながらも、膜質及び素子の特性の
不均一性を生じさせないで、歪みを内在した結晶膜を気
相成長させる方法である。
【００２０】以下、図面を参照して本発明によるＭＯＣ
ＶＤ法の実施例を説明する。
ＶＤ法の実施例を説明する。
【００２１】図１は、本発明に適用される横型のＭＯＣ
ＶＤ装置１の一例を示す。同図において、２は横型反応
管を示し、一端にガス供給口３が、他端にガス排気口４
が設けられ、キャリアガス、原料ガス等の供給ガス５が
反応管２内を一端から他端に向かって流れる。反応管２
内には気相成長すべき化合物半導体基板６を保持するカ
ーボンサセプタ７が配置される。
ＶＤ装置１の一例を示す。同図において、２は横型反応
管を示し、一端にガス供給口３が、他端にガス排気口４
が設けられ、キャリアガス、原料ガス等の供給ガス５が
反応管２内を一端から他端に向かって流れる。反応管２
内には気相成長すべき化合物半導体基板６を保持するカ
ーボンサセプタ７が配置される。
【００２２】サセプタ７は垂直方向に上下移動可能に、
且つ支軸８を中心に回転可能に配される。従って、この
サセプタ７を手動又は自動的（例えば電磁力等を用い
る）に上下動させることにより、サセプタ７上の基板６
と反応管２の天井壁面との距離ｈが任意に制御される。
且つ支軸８を中心に回転可能に配される。従って、この
サセプタ７を手動又は自動的（例えば電磁力等を用い
る）に上下動させることにより、サセプタ７上の基板６
と反応管２の天井壁面との距離ｈが任意に制御される。
【００２３】かかる横型ＭＯＣＶＤ装置１を用い、距離
ｈ（即ち反応領域の高さ）を変化させて、ＧａＡｓ基板
６上に（Ａｌ）ＧａＡｓ膜を気相成長させる。条件とし
ては、１ｍ／ｓｅｃのキャリアガスＨ2 を流した状態に
て、サセプタ７の直径を５５ｍｍ、サセプタ７の回転数
を４ｒｐｍとして、高周波加熱したサセプタ上のＧａＡ
ｓ基板６上に成長温度８００℃で（Ａｌ）ＧａＡｓ膜を
気相成長させた。
ｈ（即ち反応領域の高さ）を変化させて、ＧａＡｓ基板
６上に（Ａｌ）ＧａＡｓ膜を気相成長させる。条件とし
ては、１ｍ／ｓｅｃのキャリアガスＨ2 を流した状態に
て、サセプタ７の直径を５５ｍｍ、サセプタ７の回転数
を４ｒｐｍとして、高周波加熱したサセプタ上のＧａＡ
ｓ基板６上に成長温度８００℃で（Ａｌ）ＧａＡｓ膜を
気相成長させた。
【００２４】〔比較例〕距離ｈを２１ｍｍに設定して気
相成長する。距離ｈ＝２１ｍｍでは膜厚、膜質が均一か
つ良好な（Ａｌ）ＧａＡｓ膜が気相成長した。この距離
ｈ＝２１ｍｍは、歪みを生じさせないで膜厚、膜質の均
一性を確保する条件である。
相成長する。距離ｈ＝２１ｍｍでは膜厚、膜質が均一か
つ良好な（Ａｌ）ＧａＡｓ膜が気相成長した。この距離
ｈ＝２１ｍｍは、歪みを生じさせないで膜厚、膜質の均
一性を確保する条件である。
【００２５】〔実施例〕距離ｈを１９ｍｍに設定して気
相成長する。距離ｈ＝１９ｍｍでは、本来、格子整合し
ているＧａＡｓ−（Ａｌ）ＧａＡｓ系にもかかわらず、
ＧａＡｓ基板６上に気相成長した（Ａｌ）ＧａＡｓ膜に
歪みが生じた。このときの（Ａｌ）ＧａＡｓ膜は、結晶
性について、フォトルミネッセンスの発光強度や移動度
の測定結果から距離ｈ＝２１ｍｍで得られた結晶膜と同
等であり、成長膜の膜厚及びキャリア濃度の均一性も距
離ｈ＝２１ｍｍの結晶膜と同等であった。
相成長する。距離ｈ＝１９ｍｍでは、本来、格子整合し
ているＧａＡｓ−（Ａｌ）ＧａＡｓ系にもかかわらず、
ＧａＡｓ基板６上に気相成長した（Ａｌ）ＧａＡｓ膜に
歪みが生じた。このときの（Ａｌ）ＧａＡｓ膜は、結晶
性について、フォトルミネッセンスの発光強度や移動度
の測定結果から距離ｈ＝２１ｍｍで得られた結晶膜と同
等であり、成長膜の膜厚及びキャリア濃度の均一性も距
離ｈ＝２１ｍｍの結晶膜と同等であった。
【００２６】ここで、成長膜の歪みは、数３で示す原子
間距離ａのずれの比で表わすことができる。
間距離ａのずれの比で表わすことができる。
【００２７】
【数３】
【００２８】但し、成長膜はある膜厚まで成長すると、
ミスフィット転位が起こり、歪みが緩和される。この膜
厚を臨界膜厚と呼ぶ。従って、本発明で扱う歪みとは、
ミスフィット転位が起こる以前のいわゆる臨界膜厚以下
のときの状態を指す。
ミスフィット転位が起こり、歪みが緩和される。この膜
厚を臨界膜厚と呼ぶ。従って、本発明で扱う歪みとは、
ミスフィット転位が起こる以前のいわゆる臨界膜厚以下
のときの状態を指す。
【００２９】そして、上述のＭＯＣＶＤ装置１におい
て、その距離ｈを変えたときの、Δａ／ａの値が図２の
ような傾向で変化するを認めた。これによれば、ｈ＝２
１ｍｍではΔａ／ａが１×１０-4以下となり、歪みは生
じていない。ｈ＝１９ｍｍではΔａ／ａが１×１０-3程
度となり、歪みが内在する。距離ｈが１３ｍｍ以下では
膜厚が不均一になる。
て、その距離ｈを変えたときの、Δａ／ａの値が図２の
ような傾向で変化するを認めた。これによれば、ｈ＝２
１ｍｍではΔａ／ａが１×１０-4以下となり、歪みは生
じていない。ｈ＝１９ｍｍではΔａ／ａが１×１０-3程
度となり、歪みが内在する。距離ｈが１３ｍｍ以下では
膜厚が不均一になる。
【００３０】これらの事から、距離ｈを小さくし、即ち
気相反応の起こる反応領域を狭くし、または距離ｈを大
きくし反応領域を広くする等、デバイスに応じて適切な
ｈに設定することによって、均一な成長膜厚を保ちなが
ら、格子整合している系にもかかわらず、成長膜中に歪
みを導入することが可能になる。
気相反応の起こる反応領域を狭くし、または距離ｈを大
きくし反応領域を広くする等、デバイスに応じて適切な
ｈに設定することによって、均一な成長膜厚を保ちなが
ら、格子整合している系にもかかわらず、成長膜中に歪
みを導入することが可能になる。
【００３１】距離ｈを０．１ｍｍ以下の精度で適正化す
ると、歪みは内在しているがミスフィット転位は走らな
い条件に設定できる。この成長条件にて結晶成長を行う
と、長寿命、低動作電流という利点が得られている歪み
を含んだ構造の半導体レーザ等の半導体デバイスを作製
することができる。
ると、歪みは内在しているがミスフィット転位は走らな
い条件に設定できる。この成長条件にて結晶成長を行う
と、長寿命、低動作電流という利点が得られている歪み
を含んだ構造の半導体レーザ等の半導体デバイスを作製
することができる。
【００３２】サセプタ７の回転数は２ｒｐｍ〜１５ｒｐ
ｍの範囲にすることができる。サセプタ７の回転数を変
えることによっても、歪みを導入することが可能であ
る。従って、距離ｈとサセプタ回転数を制御して歪みを
内在させるようにしてもよい。
ｍの範囲にすることができる。サセプタ７の回転数を変
えることによっても、歪みを導入することが可能であ
る。従って、距離ｈとサセプタ回転数を制御して歪みを
内在させるようにしてもよい。
【００３３】図３は、本発明に適用されるＭＯＣＶＤ装
置の他の例を示す。このＭＯＣＶＤ装置１１は、縦型反
応管１２を有し、この反応管１２内に上下移動可能で且
つ支軸８を中心に回転可能なサセプタ７が配置されて成
る。反応管１２は、上部中央にガス供給口１３を有し、
側部にガス排出口１４を有すると共に、サセプタ７上の
気相成長すべき化合物半導体基板６と対向する天井壁面
を傾斜した形状にして構成される。供給ガス５は、上部
中央のガス供給口１３より傾斜する天井壁面と基板６間
を通り、ガス排出口１４より排出されるような流れとな
る。このＭＯＣＶＤ装置１１を用いた場合にも、基板６
と天井壁面との間の平均距離ｈを制御することによっ
て、格子整合しているにもかかわらず、均一かつ良好な
膜厚、膜質をもって歪みを内在した結晶膜を気相成長す
ることができる。
置の他の例を示す。このＭＯＣＶＤ装置１１は、縦型反
応管１２を有し、この反応管１２内に上下移動可能で且
つ支軸８を中心に回転可能なサセプタ７が配置されて成
る。反応管１２は、上部中央にガス供給口１３を有し、
側部にガス排出口１４を有すると共に、サセプタ７上の
気相成長すべき化合物半導体基板６と対向する天井壁面
を傾斜した形状にして構成される。供給ガス５は、上部
中央のガス供給口１３より傾斜する天井壁面と基板６間
を通り、ガス排出口１４より排出されるような流れとな
る。このＭＯＣＶＤ装置１１を用いた場合にも、基板６
と天井壁面との間の平均距離ｈを制御することによっ
て、格子整合しているにもかかわらず、均一かつ良好な
膜厚、膜質をもって歪みを内在した結晶膜を気相成長す
ることができる。
【００３４】尚、本例は、ＡｌＧａＡｓ系だけでなく、
ＡｌＧａＩｎＰ，ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）系、Ｚｎ（Ｃｄ，
Ｍｎ，Ｍｇ），Ｓｅ（Ｓ，Ｔｅ）系などのII−VI族化合
物半導体の結晶膜の成長にも応用可能である。
ＡｌＧａＩｎＰ，ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）系、Ｚｎ（Ｃｄ，
Ｍｎ，Ｍｇ），Ｓｅ（Ｓ，Ｔｅ）系などのII−VI族化合
物半導体の結晶膜の成長にも応用可能である。
【００３５】上述したように、本実施例によれば、距離
ｈを制御し、或は距離ｈとサセプタ回転数を制御し、積
極的にガス流が乱れた状態での条件を用いることによっ
て、均一な膜厚、膜質を保ちつつ且つ格子整合している
系にもかかわらず、歪みを内在させた結晶膜を気相成長
することができる。従って、このＭＯＣＶＤ法を用いれ
ば歪み層を有した低閾値且つ長寿命の半導体レーザ（例
えばλ＝９８０ｎｍのＩｎＧａＡｓ系半導体レーザ、Ａ
ｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ等）を容易に作製すること
ができる。
ｈを制御し、或は距離ｈとサセプタ回転数を制御し、積
極的にガス流が乱れた状態での条件を用いることによっ
て、均一な膜厚、膜質を保ちつつ且つ格子整合している
系にもかかわらず、歪みを内在させた結晶膜を気相成長
することができる。従って、このＭＯＣＶＤ法を用いれ
ば歪み層を有した低閾値且つ長寿命の半導体レーザ（例
えばλ＝９８０ｎｍのＩｎＧａＡｓ系半導体レーザ、Ａ
ｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ等）を容易に作製すること
ができる。
【００３６】
【発明の効果】本発明によれば、反応領域におけるサセ
プタ上の基板と反応管壁の距離ｈの適正値により、ガス
流の流れを乱しながらも、均一かつ良好な膜厚、膜質を
保持した状態で歪みを内在した結晶膜を気相成長するこ
とができる。従って、積極的に歪みを内在した半導体デ
バイスを容易に作製することができる。
プタ上の基板と反応管壁の距離ｈの適正値により、ガス
流の流れを乱しながらも、均一かつ良好な膜厚、膜質を
保持した状態で歪みを内在した結晶膜を気相成長するこ
とができる。従って、積極的に歪みを内在した半導体デ
バイスを容易に作製することができる。
【図１】本発明のＭＯＣＶＤ法の実施に適用できるＭＯ
ＣＶＤ装置の一例を示す構成図である。
ＣＶＤ装置の一例を示す構成図である。
【図２】本発明の説明に供する距離ｈと｜Δａ／ａ｜の
関係を示すグラフである。
関係を示すグラフである。
【図３】本発明のＭＯＣＶＤ法の実施に適用できるＭＯ
ＣＶＤ装置の他の例を示す構成図である。
ＣＶＤ装置の他の例を示す構成図である。
１，１１ ＭＯＣＶＤ装置 ２，１２ 反応管 ３，１３ ガス供給口 ４，１４ ガス排出口 ５ 供給ガス ６ 半導体基板 ７ サセプタ ８ 支軸
Claims (1)
- 【請求項１】 有機金属化合物を用いて結晶膜を気相成
長させる有機金属化学気相成長法において、反応管内に
配した基板と該基板に対向する反応管壁との距離を制御
して前記基板上に歪みを内在させた結晶膜を気相成長さ
せることを特徴とする有機金属化学気相成長法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29551193A JPH07147236A (ja) | 1993-11-25 | 1993-11-25 | 有機金属化学気相成長法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29551193A JPH07147236A (ja) | 1993-11-25 | 1993-11-25 | 有機金属化学気相成長法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07147236A true JPH07147236A (ja) | 1995-06-06 |
Family
ID=17821569
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29551193A Pending JPH07147236A (ja) | 1993-11-25 | 1993-11-25 | 有機金属化学気相成長法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07147236A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010053866A3 (en) * | 2008-11-07 | 2010-08-19 | Asm America, Inc. | Reaction chamber |
| JP2013251479A (ja) * | 2012-06-04 | 2013-12-12 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 気相成長装置 |
| JP2017216397A (ja) * | 2016-06-01 | 2017-12-07 | 株式会社アルバック | アニール処理装置およびアニール処理方法 |
-
1993
- 1993-11-25 JP JP29551193A patent/JPH07147236A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010053866A3 (en) * | 2008-11-07 | 2010-08-19 | Asm America, Inc. | Reaction chamber |
| KR20110088544A (ko) * | 2008-11-07 | 2011-08-03 | 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 | 반응 챔버 |
| JP2013251479A (ja) * | 2012-06-04 | 2013-12-12 | Taiyo Nippon Sanso Corp | 気相成長装置 |
| JP2017216397A (ja) * | 2016-06-01 | 2017-12-07 | 株式会社アルバック | アニール処理装置およびアニール処理方法 |
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