JP2020167228A - 結晶太陽電池の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
具体的にはドイツ国のFraunHofer研究所が、TOPConを用いて25.7%の変換効率を達成している(非特許文献1)。また、ドイツ国のISFH研究所が、BC(back contact:裏面電極)構造でTOPConを用いて26.1%の変換効率を達成している(非特許文献2)。
前記結晶基板として、単結晶又は多結晶シリコンからなる平板状の基体を用い、前記基体の裏面にSi酸化膜からなる第一層を形成するB1工程と、
前記第一層の全域を覆うようにi型のアモルファスSi膜からなる第二層を形成するB2工程と、前記第二層の全域を覆うようにキャップ膜からなる第三層を形成するB3工程と、前記第三層を介して前記第二層の表層部に対して、p型のイオンを注入し、p型の半導体領域を局所的に形成するB4工程と、前記第三層を介して前記第二層の表層部に対して、n型のイオンを注入し、前記p型の半導体領域と重ならない位置に、n型の半導体領域を局所的に形成するB5工程と、前記B5工程の後にアニール処理を行うB6工程と、を有することを特徴とする。
ゆえに、第一製法によれば、注入後に行われるアニール時の外方拡散の発生が抑制されるとともに、p領域とn領域の汚染防止を図ることができる。
ゆえに、第二製法によれば、注入後に行われるアニール時の外方拡散の発生が抑制されるとともに、p領域とn領域の汚染防止を図ることができる。
図1は、第一実施形態(第一製法)に係る結晶太陽電池の製造工程を示すフロー図である。図2A〜図2Gは、図1のフロー図に対応する工程を順に示す模式断面図である。
以下では、第一製法を用いて、TOPCon型結晶太陽電池を作製する方法について述べる。
なお、図2Aに示した基体の裏面11bは、平坦であるように示しているが、表面をなす受光面11aと同様に、微視的なスケールのテクスチャー形状を有するものとしても構わない。
p領域の局所的な面形状は、イオン注入する際に用いるマスクMA1の開口部MA1opの形状により決まる。p領域どうしの間隔は、マスクMA1における開口部MA1opどうしの間隔による。
n領域の局所的な面形状は、イオン注入する際に用いるマスクMA2の開口部MA2opの形状により決まる。n領域どうしの間隔は、マスクMA2における開口部MA2opどうしの間隔による。
図3は、第二実施形態(第二製法)に係る結晶太陽電池の製造工程を示すフロー図である。図4A〜図4Gは、図3のフロー図に対応する工程を順に示す模式断面図である。
以下では、第二製法を用いて、TOPCon型結晶太陽電池を作製する方法について述べる。
なお、図4Aに示した基体の裏面21bは、平坦であるように示しているが、表面をなす受光面21aと同様に、微視的なスケールのテクスチャー形状を有するものとしても構わない。
p領域の局所的な面形状は、イオン注入する際に用いるマスクMB1の開口部MB1opの形状により決まる。p領域どうしの間隔は、マスクMA1における開口部MB1opどうしの間隔による。
n領域の局所的な面形状は、イオン注入する際に用いるマスクMB2の開口部MB2opの形状により決まる。n領域どうしの間隔は、マスクMB2における開口部MB2opどうしの間隔による。
実験例1では、第一実施形態(第一製法)に基づき、図2Gに示す構成の試料1を作製した。基体11はn型のシリコン基板であり、基体11の受光面11aには、平均粗さが3〜5nmの範囲にあるテクスチャー形状を設けたものを用いた。
基体11の裏面11bの全域を覆うように、厚さが1〜2nmのSi酸化膜(SiOx)からなる第一層12を形成した。次に、第一層12の全域を覆うように、厚さが約100nmのi型のアモルファスSi膜からなる第二層13を形成した。
次に、第二層13の表層部に、B(ボロン)イオンを注入してp領域を、P(リン)イオンを注入してn領域を、各々形成した。p領域とn領域との間には、幅が100nmの離間部(離間領域)SP1を設けた。実験例1におけるBイオンの注入エネルギー(条件Low)は、5[keV]とした。
次いで、第二層13の全域を覆うように、Si酸化膜(SiOx)からなるキャップ膜(第三層)を形成した。
最後に、高温アニール処理(900[℃]、60[min])を行った。
実験例2では、第一実施形態(第一製法)に基づき、図2Gに示す構成の試料2を作製した。実験例2は、実験例1に対して、Bイオンの注入エネルギーのみ変更した。実験例2におけるBイオンの注入エネルギー(条件High)は、10[keV]とした。他の条件については、実験例2は実験例1と同一とした。
その結果、図5および図6に示すように、実験例2により作製した試料2では、アニール後のp領域の表面近傍(表面〜深さ20nm付近)におけるボロン濃度は、3E+20〜1E+20[atoms/cm3]の範囲内であり、深さ方向においてボロン濃度が安定したプロファイルであった(図5に実線で示すプロファイル)。試料2におけるアニール後のシート抵抗は、55[Ω/□]程度であり、試料1に比べて更に10%ほど低いこと確認された。
実験例3では、実験例1の試料1から、第二層23の全域を覆うキャップ膜からなる第三層26を省略した構成の試料3を作製した。他の条件については、実験例3は実験例1と同一とした。すなわち、実験例3では、キャップ膜を設けず、Bイオンの注入エネルギー(条件Low)は、5[keV]とした。
その結果、図5および図6に示すように、実験例3により作製した試料3では、アニール後のp領域の表面近傍(表面〜深さ20nm付近)におけるボロン濃度は、2E+19〜3E+19[atoms/cm3]の範囲内であり、深さ方向においてボロン濃度が一時的に増加するプロファイルであった(図5に二点鎖線で示すプロファイル)。試料3におけるアニール後のシート抵抗は、113[Ω/□]程度であり、試料1に比べてシート抵抗がほぼ倍増していることが確認された。
実験例4では、実験例2の試料2から、第二層23の全域を覆うキャップ膜からなる第三層26を省略した構成の試料4を作製した。他の条件については、実験例4は実験例2と同一とした。すなわち、実験例4では、キャップ膜を設けず、Bイオンの注入エネルギー(条件High)は、10[keV]とした。
その結果、図5および図6に示すように、実験例4により作製した試料4では、アニール後のp領域の表面近傍(表面〜深さ20nm付近)におけるボロン濃度は、5E+19〜6.5E+19[atoms/cm3]の範囲内であり、深さ方向においてボロン濃度が一時的に増加するプロファイルであった(図5に一点鎖線で示すプロファイル)。試料4におけるアニール後のシート抵抗は、105[Ω/□]程度であり、試料2に比べてシート抵抗がほぼ倍増していることが確認された。
図10は、従来の結晶太陽電池の製造工程を示すフロー図である。図11A〜図11Gは、図10のフロー図に対応する工程を順に示す模式断面図である。
以下では、上述した本発明に係る第一製法および第二製法と比較するために、TOPCon−BC(Back contact)型結晶太陽電池を作製する従来の方法について述べる。
なお、図11Aに示した基体50の裏面51bは、平坦であるように示しているが、表面をなす受光面51aと同様に、微視的なスケールのテクスチャー形状を有するものとしても構わない。
p領域の局所的な面形状は、イオン注入する際に用いるマスクMZ1の開口部MZ1opの形状により決まる。p領域どうしの間隔は、マスクMZ1における開口部MZ1opどうしの間隔による。
n領域の局所的な面形状は、イオン注入する際に用いるマスクMZ2の開口部MZ2opの形状により決まる。n領域どうしの間隔は、マスクMZ2における開口部MZ2opどうしの間隔による。
図7は、本発明を実施するにあたり、アモルファスSi膜などの形成に用いる成膜装置の一例を示す模式断面図である。この成膜装置は、CVD法を用いて薄膜を形成する製造装置(以下では、CVD装置とも呼ぶ)700である。
上述した実施形態等において図10のCVD装置700を用いる場合は、各プロセス室を順に通過することにより、Si酸化膜からなる第一層12や、i型のアモルファスSi膜からなる第二層13を、基体の裏面側に作製する。なお、キャップ膜からなる第三層16も同様に、図10のCVD装置700で作製することができる。
図10において、基体101(たとえば図2Aの基体10に相当)が位置Cを通過する際に第一層を、基体101が位置Eを通過する際に第二層を、基体101が位置Fを通過する際に第三層を、それぞれ形成する。
図8は、本発明を実施するにあたり、イオン注入を行うために用いるイオン注入装置の一例を示す模式断面図である。このイオン注入装置1200は、上述したp領域やn領域を形成するために用いる。
イオン注入装置1200は、真空槽1201と、永久磁石1205、RF導入コイル1206、RF導入窓(石英)1212を用いたICP放電によるプラズマ発生手段と、真空排気手段(不図示)とを備えている。
さらに、非質量分離型イオン注入では、イオンを分離する機構が不要であるため、装置構造としてフットプリントが小さくなるというメリットもある。
このように、プロセスガスに水素を添加したり、非質量分離型イオン注入を選択したりすることによって、n型イオン、p型イオンと同時にアモルファスSi層に注入された水素は、アモルファスSi層の深さ方向において濃度分布を持つことになる。
図9は、本発明を実施するにあたり、アニール処理を行うために用いるアニール処理装置の一例を示す模式断面図である。このアニール処理装置は、上述したp領域やn領域を熱処理するために用いる。
図9のアニール装置1300は、加熱室1310と前室1320から構成されており、加熱室1310の内部空間1312と前室1320の内部空間1322は、仕切弁1314によって遮断可能とされている。
加熱室1310の内部空間1312を大気開放した状態で仕切弁1314を開けて、この状態にあるカセットベース1302を、前室1320の内部空間1322から加熱室1310の内部空間1312へ、不図示の移動手段により上昇させる(上向き矢印)。 その後、仕切弁1314を閉じ、排気手段(P)1315を用いて、加熱室1310の内部空間1312を減圧雰囲気とする。なお、加熱室1310の内部空間1312を減圧雰囲気とはせず、そのまま後述のアニールガスを導入し、大気圧アニールを行ってもよい。
基板温度を所定の温度以下とした後、上記ガスの導入を停止し、加熱室1310の内部空間1312を大気開口した状態として仕切弁1314を開ける。その後、カセットベース1302を、加熱室1310の内部空間1312から前室1320の内部空間1322へ、不図示の移動手段により下降させる(下向き矢印)。
Claims (4)
- 光を受光する受光面と該受光面と対向する裏面との間で光電変換機能を発現する結晶基板を具備する結晶太陽電池の製造方法であって、
前記結晶基板として、単結晶又は多結晶シリコンからなる平板状の基体を用い、前記基体の裏面にSi酸化膜からなる第一層を形成するA1工程と、
前記第一層の全域を覆うようにi型のアモルファスSi膜からなる第二層を形成するA2工程と、
前記第二層の表層部に対して、p型のイオンを注入し、p型の半導体領域を局所的に形成するA3工程と、
前記第二層の表層部に対して、n型のイオンを注入し、前記p型の半導体領域と重ならない位置に、n型の半導体領域を局所的に形成するA4工程と、
前記第二層の全域を覆うようにキャップ膜からなる第三層を形成するA5工程と、
前記A5工程の後にアニール処理を行うA6工程と、
を有することを特徴とする結晶太陽電池の製造方法。 - 前記A3工程はp型のイオンを注入する開口部を有するマスクMA1を、前記A4工程はn型のイオンを注入する開口部を有するマスクMA2を各々用い、
前記p型の半導体領域と前記n型の半導体領域との間に、所定の離間領域が形成されるように、前記マスクMA1の開口部に対する前記マスクMA2の開口部の位置を制御する、
ことを特徴とする請求項1に記載の結晶太陽電池の製造方法。 - 光を受光する受光面と該受光面と対向する裏面との間で光電変換機能を発現する結晶基板を具備する結晶太陽電池の製造方法であって、
前記結晶基板として、単結晶又は多結晶シリコンからなる平板状の基体を用い、前記基体の裏面にSi酸化膜からなる第一層を形成するB1工程と、
前記第一層の全域を覆うようにi型のアモルファスSi膜からなる第二層を形成するB2工程と、
前記第二層の全域を覆うようにキャップ膜からなる第三層を形成するB3工程と、
前記第三層を介して前記第二層の表層部に対して、p型のイオンを注入し、p型の半導体領域を局所的に形成するB4工程と、
前記第三層を介して前記第二層の表層部に対して、n型のイオンを注入し、前記p型の半導体領域と重ならない位置に、n型の半導体領域を局所的に形成するB5工程と、
前記B5工程の後にアニール処理を行うB6工程と、
を有することを特徴とする結晶太陽電池の製造方法。 - 前記B4工程はp型のイオンを注入する開口部を有するマスクMB1を、前記B5工程はn型のイオンを注入する開口部を有するマスクMB2を各々用い、
前記p型の半導体領域と前記n型の半導体領域との間に、所定の離間領域が形成されるように、前記マスクMB1の開口部に対する前記マスクMB2の開口部の位置を制御する、
ことを特徴とする請求項3に記載の結晶太陽電池の製造方法。
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