JP6476832B2 - Method for producing thin film made of aluminum compound - Google Patents

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Description

本発明は、原子層堆積法（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：略称：ＡＬＤ）により、アルミナ等のアルミニウム化合物よりなる薄膜を製造する製造方法に関する。   The present invention relates to a manufacturing method for manufacturing a thin film made of an aluminum compound such as alumina by an atomic layer deposition (abbreviation: ALD).

ＡＬＤ法では、基材の一面上に、たとえば三塩化アルミニウム（ＡｌＣｌ３）と水とを含むガスを原料ガスとして、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）薄膜等のアルミニウム化合物よりなる薄膜を形成する。このような薄膜はたとえば高絶縁性、高被覆性等の特性を有するものとされる。 In the ALD method, a thin film made of an aluminum compound such as an alumina (Al 2 O 3 ) thin film is formed on one surface of a base material using, for example, a gas containing aluminum trichloride (AlCl 3 ) and water as a source gas. Such a thin film has, for example, characteristics such as high insulation and high coverage.

このような薄膜は、たとえば有機ＥＬ素子における基材としての電極の一面上に選択的に形成されるものである。この場合、薄膜は、当該薄膜の形成部分では電極の被覆や絶縁等の役割を果たし、当該薄膜の非形成部分では当該電極における取り出し部、つまり電極における外部との接続部が構成される。   Such a thin film is selectively formed on one surface of an electrode as a base material in an organic EL element, for example. In this case, the thin film plays a role of covering and insulating the electrode at the thin film forming portion, and the extraction portion of the electrode, that is, the connection portion of the electrode with the outside is formed at the non-forming portion of the thin film.

このように、薄膜は、基材の一面上にパターニングされて形成されるが、このパターニング成膜としては、通常はマスクを用いた成膜が行われる。しかし、マスク成膜では、マスクの位置ずれ等によるパターン精度の低下や、マスクと基材との線膨張係数差等による基材の反りなどの不具合が発生するおそれがある。   As described above, the thin film is formed by patterning on one surface of the base material. As this patterning film formation, film formation using a mask is usually performed. However, in the mask film formation, there is a possibility that problems such as a decrease in pattern accuracy due to misalignment of the mask or the like, or a warp of the substrate due to a difference in linear expansion coefficient between the mask and the substrate, or the like may occur.

これに対して、従来では、マスク無しでＡＬＤによりアルミナ膜を選択的に形成するものとして、パターニングされた撥液性のＳＡＭ（自己組織化単分子層：Ｓｅｌｆ−Ａｓｓｅｍｂｌｅｄ Ｍｏｎｏｌａｙｅｒｓの略称）を用いて、ＳＡＭ上にはＡＬＤによるアルミナ膜が付かないようにしたものが提案されている（特許文献１参照）。   On the other hand, conventionally, a patterned liquid-repellent SAM (self-assembled monolayer: an abbreviation for Self-Assembled Monolayers) is used as an alumina film selectively formed by ALD without a mask. There has been proposed one in which an alumina film by ALD is not attached on the SAM (see Patent Document 1).

特表２０１３−５２００２８号公報Special Table 2013-520028

しかし、ＳＡＭは有機物であるため熱に弱く、ＡＬＤの場合でも、特に成膜温度が高温の場合には、ＳＡＭは不向きとなる可能性がある。   However, since SAM is an organic substance, it is vulnerable to heat, and even in the case of ALD, SAM may be unsuitable particularly when the film formation temperature is high.

本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、アルミニウム化合物よりなる薄膜をマスク無しでＡＬＤ法によって基材の一面上に選択的に形成するにあたって、高温成膜に適した薄膜の製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and a method of manufacturing a thin film suitable for high-temperature film formation when a thin film made of an aluminum compound is selectively formed on one surface of a substrate by an ALD method without a mask. The purpose is to provide.

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、基材（１０）の一面（１１）上に、少なくとも三塩化アルミニウムと水とを含むガスを原料ガスとして、原子層堆積法によりパターニングされたアルミニウム化合物よりなる薄膜（４０）を形成する薄膜の製造方法であって、
基材の一面のうち薄膜の形成部（１１ａ）以外の部位（１１ｂ）にアルミニウム膜（５０）を形成する工程と、
アルミニウム膜が形成された基材の一面に対して、原料ガスを用いて原子層堆積法による成膜を行うことにより、基材の一面のうちアルミニウム膜が形成されていない部分には薄膜が形成され、アルミニウム膜上の少なくとも一部には薄膜が形成されないようにする工程と、を備えることを特徴とする。 In order to achieve the above object, in the invention described in claim 1, patterning is performed by atomic layer deposition on one surface (11) of the base material (10) using a gas containing at least aluminum trichloride and water as a source gas. A thin film manufacturing method for forming a thin film (40) made of an aluminum compound, comprising:
Forming an aluminum film (50) on a portion (11b) other than the thin film forming portion (11a) of one surface of the substrate;
A thin film is formed on the surface of the base material where the aluminum film is not formed by performing film formation by atomic layer deposition on the surface of the base material on which the aluminum film is formed. And a step of preventing a thin film from being formed on at least a part of the aluminum film.

本発明は、本発明者が実験的に見出したもので、それによれば、基材の一面のうちアルミニウム膜が形成されていない部分には、原子層堆積法により薄膜が均一に形成され、アルミニウム膜上の全部もしくは一部には、薄膜が形成されないものとなる。そのため、基材の一面のうちアルミニウム膜上では、絶縁性等の薄膜特性が発揮されないものとなり、アルミニウム膜以外の部分では、特性が確保された薄膜が成膜される。また、この薄膜の成膜に対する選択性を発揮するアルミニウム膜は、金属であることから、上記したＳＡＭに比べて高温耐性に優れる。   The present invention has been found experimentally by the present inventor, and according to this, a thin film is uniformly formed by atomic layer deposition on a portion of one surface of the substrate where the aluminum film is not formed. A thin film is not formed on all or part of the film. For this reason, thin film characteristics such as insulating properties are not exhibited on the aluminum film of one surface of the base material, and a thin film with secured characteristics is formed on portions other than the aluminum film. Moreover, since the aluminum film which exhibits the selectivity with respect to the film formation of this thin film is a metal, it is excellent in high temperature tolerance compared with above-mentioned SAM.

よって、本発明によれば、アルミニウム化合物よりなる薄膜をマスク無しで基材の一面上に選択的に形成するにあたって、実質的な選択的成膜を可能としつつ、高温成膜に適した薄膜の製造方法を実現することができる。   Therefore, according to the present invention, when a thin film made of an aluminum compound is selectively formed on one surface of a base material without a mask, a thin film suitable for high-temperature film formation can be formed while enabling substantially selective film formation. A manufacturing method can be realized.

なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。   In addition, the code | symbol in the bracket | parenthesis of each means described in the claim and this column is an example which shows a corresponding relationship with the specific means as described in embodiment mentioned later.

（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、本発明の実施形態にかかるアルミニウム化合物よりなる薄膜の製造方法を工程順に示す概略断面図である。(A), (b), (c) is a schematic sectional drawing which shows the manufacturing method of the thin film which consists of an aluminum compound concerning embodiment of this invention in order of a process. 図１（ｃ）中の丸で囲んだＡ部の拡大図である。It is an enlarged view of the A section surrounded by the circle in FIG.

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各図相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following drawings, parts that are the same or equivalent to each other are given the same reference numerals in the drawings for the sake of simplicity.

本発明の実施形態にかかるアルミニウム化合物よりなる薄膜４０（以下、単に薄膜４０という）の製造方法について、図１、図２を参照して述べる。   A method for manufacturing a thin film 40 made of an aluminum compound according to an embodiment of the present invention (hereinafter simply referred to as the thin film 40) will be described with reference to FIGS.

まず、図１（ａ）に示されるように、基材１０を用意する。ここでは、基材１０は、電気絶縁性のガラスや樹脂等よりなる基板２０と、基板２０の一面上に形成された電極膜３０とを備えたものとして構成されている。   First, as shown in FIG. 1A, a base material 10 is prepared. Here, the base material 10 is configured to include a substrate 20 made of electrically insulating glass or resin, and an electrode film 30 formed on one surface of the substrate 20.

限定するものではないが、この基材１０は、たとえば有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）ディスプレイの一部とされるものである。この場合、電極膜３０は、当該有機ＥＬ素子における下部電極に相当し、ＩＴＯ（インジウムチンオキサイド）やＣｒ（クロム）等の導電材料よりなる。そして、この電極膜３０の表面が、基材１０の一面１１として構成されている。   Although it does not limit, this base material 10 is used as a part of organic electroluminescence (EL) display, for example. In this case, the electrode film 30 corresponds to a lower electrode in the organic EL element, and is made of a conductive material such as ITO (indium tin oxide) or Cr (chromium). The surface of the electrode film 30 is configured as one surface 11 of the substrate 10.

電極膜３０の表面すなわち基材１０の一面１１において、図１（ｃ）に示される薄膜４０が形成されて薄膜４０で被覆される部位を、薄膜形成部１１ａとしている。この薄膜形成部１１ａは、たとえば有機ＥＬディスプレイにおける画素となる部分であり、この薄膜形成部１１ａの上に、たとえば有機ＥＬディスプレイにおける図示しない発光層や上部電極等が形成される。   On the surface of the electrode film 30, that is, the one surface 11 of the base material 10, a portion where the thin film 40 shown in FIG. 1C is formed and covered with the thin film 40 is defined as a thin film forming portion 11a. The thin film forming portion 11a is, for example, a portion that becomes a pixel in an organic EL display, and a light emitting layer, an upper electrode, or the like (not shown) in the organic EL display is formed on the thin film forming portion 11a.

一方、電極膜３０の表面すなわち基材１０の一面１１において、薄膜形成部１１ａ以外の部位は、薄膜４０が形成されない非形成部１１ｂである。この非形成部１１ｂは、たとえば有機ＥＬディスプレイにおける電極膜３０の取り出し部、すなわち外部との電気的接続部とされる。   On the other hand, on the surface of the electrode film 30, that is, the one surface 11 of the base material 10, the portion other than the thin film forming portion 11a is a non-formed portion 11b where the thin film 40 is not formed. The non-formed part 11b is, for example, an extraction part of the electrode film 30 in the organic EL display, that is, an electrical connection part with the outside.

このように、基材１０は、一面１１のうちの一部が薄膜４０で被覆される部分とされ、残部が薄膜４０で被覆されない部分とされたものとなっている。なお、薄膜４０による被覆とは、上記した絶縁性等の薄膜特性が確保された状態で被覆されることをいい、たとえば、薄膜４０が島状に形成されたにすぎない等の場合には、薄膜特性は確保されず、上記した被覆がなされているとは言えない。   Thus, the base material 10 is a part in which one part 11 is covered with the thin film 40, and the remaining part is a part not covered with the thin film 40. Note that the coating with the thin film 40 means that the thin film characteristics such as the above-described insulating properties are ensured. For example, in the case where the thin film 40 is merely formed in an island shape, The thin film characteristics are not ensured, and it cannot be said that the above-described coating is performed.

こうして、図１（ａ）に示される基材１０を用意した後、図１（ｂ）、（ｃ）に示されるように、基材１０の一面１１上に、三塩化アルミニウムと水とを含むガスを原料ガスとして、ＡＬＤ法により、パターニングされた薄膜４０を形成する。   After preparing the base material 10 shown in FIG. 1 (a) in this way, as shown in FIGS. 1 (b) and 1 (c), aluminum trichloride and water are included on one surface 11 of the base material 10. A patterned thin film 40 is formed by ALD using gas as a source gas.

ここで、まず、図１（ｂ）に示される工程では、基材１０の一面１１のうち薄膜形成部１１ａ以外の部位である非形成部１１ｂに、アルミニウム膜５０を形成する（アルミニウム膜形成工程）。このアルミニウム膜５０は、たとえばスパッタリングや蒸着、めっき等の成膜法やフォトリソグラフにより、パターニングされて形成される。なお、当然ながら、このアルミニウム膜５０は導電性であるため、電極膜３０の特性に影響しない。   Here, first, in the process shown in FIG. 1B, the aluminum film 50 is formed on the non-formed part 11b, which is a part other than the thin film forming part 11a, of the one surface 11 of the substrate 10 (aluminum film forming process). ). The aluminum film 50 is formed by patterning, for example, by a film forming method such as sputtering, vapor deposition, plating, or photolithography. Needless to say, the aluminum film 50 is conductive and does not affect the characteristics of the electrode film 30.

その後、図１（ｃ）に示される工程では、アルミニウム膜５０が形成された基材１０の一面１１に対して、上記原料ガスを用いてＡＬＤ法による成膜を行う（薄膜成膜工程）。これにより、基材１０の一面１１のうちアルミニウム膜５０が形成されていない部分、すなわち、薄膜形成部１１ａには薄膜４０が形成される。   Thereafter, in the process shown in FIG. 1C, film formation by the ALD method is performed on the one surface 11 of the base material 10 on which the aluminum film 50 is formed using the source gas (thin film formation process). Thereby, the thin film 40 is formed in the part in which the aluminum film 50 is not formed in the one surface 11 of the base material 10, that is, the thin film forming part 11a.

一方、基材１０の一面１１のうち非形成部１１ｂでは、アルミニウム膜５０上の全部もしくは一部に薄膜４０が形成されないことになる。つまり、非形成部１１ｂでは、アルミニウム膜５０上にて、薄膜４０が存在しない、または、薄膜４０が島状に形成されたものになる。島状の薄膜４０は、不完全な薄膜特性しか示さないものであるから、アルミニウム膜５０上には実質的に薄膜４０が形成されていないといえる。   On the other hand, the thin film 40 is not formed on the whole or part of the aluminum film 50 in the non-formation part 11 b of the one surface 11 of the base material 10. That is, in the non-formation part 11b, the thin film 40 does not exist on the aluminum film 50, or the thin film 40 is formed in an island shape. Since the island-like thin film 40 exhibits only incomplete thin film characteristics, it can be said that the thin film 40 is not substantially formed on the aluminum film 50.

ここで、ＡＬＤ法による成膜は、通常の方法と同様のものである。具体的には、三塩化アルミニウムと水とを含む原料ガスを反応容器に導入する工程と、窒素ガス等を反応容器に導入してパージする工程とを繰り返すことにより、所望膜厚の薄膜４０を形成するものである。典型的には、薄膜４０は、アルミナよりなる薄膜４０とされる。なお、このＡＬＤ法における成膜温度は２００℃以上とした。   Here, the film formation by the ALD method is the same as the normal method. Specifically, the thin film 40 having a desired film thickness is obtained by repeating a step of introducing a source gas containing aluminum trichloride and water into the reaction vessel and a step of introducing nitrogen gas or the like into the reaction vessel and purging. To form. Typically, the thin film 40 is a thin film 40 made of alumina. The film forming temperature in this ALD method was 200 ° C. or higher.

このような基材１０の一面１１における薄膜４０の形成状態は、顕微鏡観察等により確認できるものである。それによれば、２００℃以上の成膜温度で、アルミニウム膜５０上の全部に薄膜４０が形成されないか、もしくは、アルミニウム膜５０上の一部に薄膜４０が形成されることを確認した。ここで、薄膜４０の膜厚としては、特に限定するものではないが、数十ｎｍ以上にできる。より具体的には、数十ｎｍ〜数百ｎｍ程度の膜厚とすることができる。   The formation state of the thin film 40 on the one surface 11 of the substrate 10 can be confirmed by microscopic observation or the like. According to this, it was confirmed that the thin film 40 was not formed on the entire surface of the aluminum film 50 or the thin film 40 was formed on a part of the aluminum film 50 at a film forming temperature of 200 ° C. or higher. Here, the thickness of the thin film 40 is not particularly limited, but can be several tens of nm or more. More specifically, the film thickness can be about several tens nm to several hundreds nm.

こうして、本実施形態によれば、基材１０の一面１１のうちアルミニウム膜５０が形成されていない部分には、薄膜４０が均一に形成され、アルミニウム膜５０上の全部もしくは一部には、薄膜４０が形成されないものとなる。つまり、アルミニウム膜５０上には実質的に薄膜４０が形成されないものとされる。   Thus, according to the present embodiment, the thin film 40 is uniformly formed on the portion of the one surface 11 of the substrate 10 where the aluminum film 50 is not formed, and the thin film 40 is formed on all or part of the aluminum film 50. 40 is not formed. That is, the thin film 40 is not substantially formed on the aluminum film 50.

そのため、本実施形態では、基材１０の一面１１のうちアルミニウム膜５０上では、絶縁性等の薄膜特性が発揮されないものとなり、アルミニウム膜５０以外の部分では、特性が確保された薄膜４０が成膜されることになる。   Therefore, in the present embodiment, thin film characteristics such as insulating properties are not exhibited on the aluminum film 50 of the one surface 11 of the base material 10, and the thin film 40 with secured characteristics is formed at portions other than the aluminum film 50. Will be filmed.

ここで、図２に示される構成では、アルミニウム膜５０上において島状の薄膜４０の上に、さらにＣｒまたはＡｌ等よりなる上部電極１００を形成した例を示している。この場合、島状の薄膜４０では、絶縁性が発揮されないため、上部電極１００と電極膜３０とは導通することが確認された。   Here, the configuration shown in FIG. 2 shows an example in which the upper electrode 100 made of Cr or Al is further formed on the island-like thin film 40 on the aluminum film 50. In this case, since the island-shaped thin film 40 does not exhibit insulation, it was confirmed that the upper electrode 100 and the electrode film 30 are electrically connected.

また、この薄膜４０の成膜に対する選択性を発揮するアルミニウム膜５０は金属であるため、上記した有機物よりなるＳＡＭに比べて高温耐性に優れるものである。そのため、本実施形態におけるＡＬＤ法の成膜温度を２００℃以上としても、問題無く、薄膜４０を選択的に形成することができる。   Moreover, since the aluminum film 50 which exhibits the selectivity with respect to the film formation of this thin film 40 is a metal, it is excellent in high temperature tolerance compared with SAM which consists of organic substance mentioned above. Therefore, even if the film formation temperature of the ALD method in this embodiment is 200 ° C. or higher, the thin film 40 can be selectively formed without any problem.

よって、本実施形態によれば、アルミナ等のアルミニウム化合物よりなる薄膜４０をマスク無しで基材１０の一面１１上に選択的に形成するにあたって、実質的な選択的成膜を可能としつつ、高温成膜に適した薄膜４０の製造方法を実現することができる。   Therefore, according to the present embodiment, when the thin film 40 made of an aluminum compound such as alumina is selectively formed on the one surface 11 of the base material 10 without a mask, the film can be formed at a high temperature while enabling a substantially selective film formation. A method of manufacturing the thin film 40 suitable for film formation can be realized.

なお、本実施形態の製造方法は、実験的に確認されたものであるが、アルミニウム膜５０上では実質的に薄膜４０が形成されないことのメカニズムは、次のようなものであると推定される。   In addition, although the manufacturing method of this embodiment was confirmed experimentally, it is estimated that the mechanism that the thin film 40 is not substantially formed on the aluminum film 50 is as follows. .

本製造方法では、上述のように、アルミニウム膜５０が選択形成された基材１０の一面１１上に、三塩化アルミニウムと水とを含むガスを原料ガスとして、ＡＬＤ法による成膜を行う。このとき、基材１０の一面１１およびアルミニウム膜５０は、三塩化アルミニウムと水とを含むガス雰囲気に暴露される。   In this manufacturing method, as described above, film formation by ALD is performed on one surface 11 of the substrate 10 on which the aluminum film 50 is selectively formed, using a gas containing aluminum trichloride and water as a source gas. At this time, the one surface 11 of the base material 10 and the aluminum film 50 are exposed to a gas atmosphere containing aluminum trichloride and water.

そうすると、このガス雰囲気では、三塩化アルミニウムと水とにより塩酸が発生しており、この塩酸がアルミニウム膜５０を腐食させる。そのため、腐食したアルミニウム膜５０の表面には、薄膜４０が付着しにくくなり、これによって、アルミニウム膜５０上の少なくとも一部には薄膜４０が形成されないことになると考えられる。   Then, in this gas atmosphere, hydrochloric acid is generated by aluminum trichloride and water, and this hydrochloric acid corrodes the aluminum film 50. Therefore, it is considered that the thin film 40 hardly adheres to the surface of the corroded aluminum film 50, and thus the thin film 40 is not formed on at least a part of the aluminum film 50.

これが、推定メカニズムである。そして、このようなメカニズムに基づけば、薄膜４０の原料ガスを、少なくとも三塩化アルミニウムと水とを含むガスとすることは、アルミニウム膜５０の腐食のために、有効であると言える。   This is an estimation mechanism. Based on such a mechanism, it can be said that it is effective for the corrosion of the aluminum film 50 to use the raw material gas of the thin film 40 as a gas containing at least aluminum trichloride and water.

また、本実施形態では、薄膜４０の選択性を決めるアルミニウム膜５０は、最終的に基材１０の一面１１に残された構成となる。しかし、本実施形態では、基材１０の一面１１におけるアルミニウム膜５０の下地は、導電性の電極膜３０であり、アルミニウム膜５０は電極膜３０とともに電極を構成するものとなる。このように、アルミニウム膜５０の下地が電極や配線等の導電性のものであれば、アルミニウム膜５０の特性を下地に組み合わせて活かすことも可能である。   In the present embodiment, the aluminum film 50 that determines the selectivity of the thin film 40 is finally left on the one surface 11 of the substrate 10. However, in this embodiment, the base of the aluminum film 50 on the one surface 11 of the substrate 10 is the conductive electrode film 30, and the aluminum film 50 constitutes an electrode together with the electrode film 30. As described above, if the base of the aluminum film 50 is conductive such as an electrode or a wiring, the characteristics of the aluminum film 50 can be combined with the base and utilized.

（他の実施形態）
なお、基材１０は、一面１１のうちの一部が薄膜４０で被覆される部分とされ、残部が薄膜４０で被覆されない部分とされたものとなっていればよく、上記図１に示したような基板２０と電極膜３０とよりなる構成に限定されるものではない。たとえば、セラミック基板や半導体基板、あるいは、金属基板そのものが、基材１０であってもよいし、これら基板上に複数の構成要素が積層されたもの等が、基材１０であってもよい。 (Other embodiments)
In addition, the base material 10 should just be the part by which one part of the one surface 11 was coat | covered with the thin film 40, and the remainder was made into the part which is not coat | covered with the thin film 40, and was shown in the said FIG. It is not limited to the structure which consists of such a board | substrate 20 and the electrode film 30. FIG. For example, the substrate 10 may be a ceramic substrate, a semiconductor substrate, or a metal substrate itself, or may be a substrate in which a plurality of components are laminated on these substrates.

また、薄膜４０としては、三塩化アルミニウムと水とを含むガスを原料ガスとして、ＡＬＤ法により成膜されるアルミニウム化合物よりなる薄膜であればよく、アルミナよりなる薄膜に限定されるものではない。そして、この原料ガスとしては、三塩化アルミニウムおよび水のみよりなるガスでもよいし、これら両者以外の材料を含むガスであってもよいものである。   The thin film 40 may be a thin film made of an aluminum compound formed by an ALD method using a gas containing aluminum trichloride and water as a source gas, and is not limited to a thin film made of alumina. And as this source gas, the gas which consists only of aluminum trichloride and water may be sufficient, and the gas containing materials other than these may be sufficient.

また、上記実施形態では、主として有機ＥＬディスプレイの例を述べたが、本発明の適用分野についても、有機ＥＬディスプレイに限定されるものではないことはもちろんである。   In the above embodiment, an example of an organic EL display is mainly described. However, the application field of the present invention is not limited to the organic EL display.

また、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。また、上記各実施形態は、互いに無関係なものではなく、組み合わせが明らかに不可な場合を除き、適宜組み合わせが可能であり、また、上記各実施形態は、上記の図示例に限定されるものではない。また、上記各実施形態において、実施形態を構成する要素は、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。また、上記各実施形態において、実施形態の構成要素の個数、数値、量、範囲等の数値が言及されている場合、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではない。また、上記各実施形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に特定の形状、位置関係等に限定される場合等を除き、その形状、位置関係等に限定されるものではない。   Further, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be appropriately changed within the scope described in the claims. The above embodiments are not irrelevant to each other, and can be combined as appropriate unless the combination is clearly impossible, and the above embodiments are not limited to the illustrated examples. Absent. In each of the above-described embodiments, it is needless to say that elements constituting the embodiment are not necessarily essential unless explicitly stated as essential and clearly considered essential in principle. Yes. Further, in each of the above embodiments, when numerical values such as the number, numerical value, quantity, range, etc. of the constituent elements of the embodiment are mentioned, it is clearly limited to a specific number when clearly indicated as essential and in principle. The number is not limited to the specific number except for the case. Further, in each of the above embodiments, when referring to the shape, positional relationship, etc. of the component, etc., the shape, unless otherwise specified and in principle limited to a specific shape, positional relationship, etc. It is not limited to the positional relationship or the like.

１０ 基材
１１ 基材の一面
１１ａ 基材の一面のうちの薄膜形成部
１１ｂ 基材の一面のうちの非形成部
２０ 基板
３０ 電極膜
４０ 薄膜
５０ アルミニウム膜 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Base material 11 One side of base material 11a Thin film formation part of one side of base material 11b Non-formation part of one side of base material 20 Substrate 30 Electrode film 40 Thin film 50 Aluminum film

Claims (3)

基材（１０）の一面（１１）上に、少なくとも三塩化アルミニウムと水とを含むガスを原料ガスとして、原子層堆積法によりパターニングされたアルミニウム化合物よりなる薄膜（４０）を形成する薄膜の製造方法であって、
前記基材の一面のうち前記薄膜の形成部（１１ａ）以外の部位（１１ｂ）にアルミニウム膜（５０）を形成する工程と、
前記アルミニウム膜が形成された前記基材の一面に対して、前記原料ガスを用いて原子層堆積法による成膜を行うことにより、前記基材の一面のうち前記アルミニウム膜が形成されていない部分には前記薄膜が形成され、前記アルミニウム膜上の少なくとも一部には前記薄膜が形成されないようにする工程と、を備えることを特徴とするアルミニウム化合物よりなる薄膜の製造方法。 Production of a thin film on a surface (11) of a base material (10) to form a thin film (40) made of an aluminum compound patterned by an atomic layer deposition method using a gas containing at least aluminum trichloride and water as a source gas A method,
Forming an aluminum film (50) on a portion (11b) other than the thin film forming portion (11a) of one surface of the substrate;
A portion of the one surface of the base material on which the aluminum film is not formed by performing film formation by atomic layer deposition using the source gas on the one surface of the base material on which the aluminum film is formed. And a step of preventing the thin film from being formed on at least a part of the aluminum film. 前記原子層堆積法による成膜温度は２００℃以上であることを特徴とする請求項１に記載のアルミニウム化合物よりなる薄膜の製造方法。   The method for producing a thin film made of an aluminum compound according to claim 1, wherein a film formation temperature by the atomic layer deposition method is 200 ° C. or higher. 前記薄膜は、アルミナよりなる薄膜であることを特徴とする請求項１または２に記載のアルミニウム化合物よりなる薄膜の製造方法。   The method for producing a thin film made of an aluminum compound according to claim 1, wherein the thin film is a thin film made of alumina.
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