JP2015185479A - Light emitting device - Google Patents

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JP2015185479A
JP2015185479A JP2014062721A JP2014062721A JP2015185479A JP 2015185479 A JP2015185479 A JP 2015185479A JP 2014062721 A JP2014062721 A JP 2014062721A JP 2014062721 A JP2014062721 A JP 2014062721A JP 2015185479 A JP2015185479 A JP 2015185479A
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真滋 中嶋
Shinji Nakajima
真滋 中嶋
幸二 藤田
Koji Fujita
幸二 藤田
雄司 齋藤
Yuji Saito
雄司 齋藤
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Tohoku Pioneer Corp
Pioneer Corp
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Tohoku Pioneer Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent cracks from being caused at an edge of a coating film when a light emitting element is coated with the coating film.SOLUTION: A light emitting device 10 includes a substrate 100, a light emitting element 102 and a coating film 140. The light emitting element 102 is formed on the substrate 100. The coating film 140 is formed over the substrate 100 and coats the light emitting element 102. The substrate 100 includes a region (non-coated region: opening 142) which is not coated with the coating film 140. A corner of an edge of the coating film 140 forms a curve at the boundary between the non-coated region and the coating film 140 when an internal angle of an intersection of extended two straight lines adjacent to each other is 90 degrees or less.

Description

本発明は、発光装置に関する。   The present invention relates to a light emitting device.

近年は、有機EL素子を光源として利用した発光装置の開発が進んでいる。有機EL素子は、発光層として有機層を用いているため、封止構造が必要である。一般的には、有機EL素子は、ガラスや金属などで形成された封止部材を用いて封止されている。そして、有機EL素子に接続する端子は、この封止部材の外部に配置されている。   In recent years, development of a light emitting device using an organic EL element as a light source has been advanced. Since an organic EL element uses an organic layer as a light emitting layer, a sealing structure is required. Generally, the organic EL element is sealed using a sealing member formed of glass or metal. And the terminal connected to an organic EL element is arrange | positioned outside this sealing member.

一方、特許文献1,2には、ALD(Atomic Layer Deposition)法を用いて封止膜を形成することにより、有機EL素子を封止することが記載されている。また、特許文献1には、上記した端子の上から封止膜を除去することにより、端子を封止膜から露出させることが記載されている。   On the other hand, Patent Documents 1 and 2 describe sealing an organic EL element by forming a sealing film using an ALD (Atomic Layer Deposition) method. Patent Document 1 describes that the terminal is exposed from the sealing film by removing the sealing film from above the terminal.

具体的には、特許文献1において、端子の上から封止膜を除去する方法として、封止膜を形成する前に端子をマスキングテープで被覆しておき、封止膜を形成した後にマスキングテープを除去する方法、及び端子上の封止膜に粘着テープを貼り付け、その後粘着テープを除去する方法が記載されている。また、特許文献1には、端子の上に予めシリコーン系のオイルを塗布しておくことにより、端子の上に封止膜が形成されないようにすることも記載されている。   Specifically, in Patent Document 1, as a method of removing the sealing film from above the terminal, the terminal is covered with a masking tape before the sealing film is formed, and the masking tape is formed after the sealing film is formed. And a method of attaching an adhesive tape to the sealing film on the terminal and then removing the adhesive tape. Patent Document 1 also describes that a sealing film is not formed on the terminal by applying silicone-based oil on the terminal in advance.

また特許文献2には、封止膜を形成する前に端子をポリイミドテープで被覆しておき、封止膜を形成した後にポリイミドテープを除去する方法が記載されている。   Patent Document 2 describes a method in which a terminal is covered with a polyimide tape before forming a sealing film, and the polyimide tape is removed after the sealing film is formed.

特開2002−151254号公報JP 2002-151254 A 特開2003−249354号公報JP 2003-249354 A

有機EL素子などの発光素子を膜で被覆することによって封止する場合、膜の縁から膜の内側に向けてクラックが進行することがある。このため。膜の縁にクラックが生じないようにする必要がある。   When sealing by covering a light emitting element such as an organic EL element with a film, a crack may progress from the edge of the film toward the inside of the film. For this reason. It is necessary to prevent cracks from occurring at the edges of the film.

本発明が解決しようとする課題としては、発光素子を被覆膜で覆った場合において、この被覆膜の縁にクラックが生じないようにすることが一例として挙げられる。   An example of a problem to be solved by the present invention is to prevent cracks from occurring at the edge of the coating film when the light emitting element is covered with the coating film.

請求項1に記載の発明は、基板と、
前記基板に形成された発光素子と、
前記基板に形成され、前記発光素子を被覆する被覆膜と、
を備え、
前記基板は、前記被覆膜によって覆われていない非被覆領域を有し、
前記非被覆領域と前記被覆膜の境界において、前記被覆膜の縁の角部は、隣り合う2つの直線の延長する交点の内角が90度以下のとき曲線になっている発光装置である。
The invention according to claim 1 is a substrate;
A light emitting device formed on the substrate;
A coating film formed on the substrate and covering the light emitting element;
With
The substrate has an uncovered region not covered by the coating film;
In the boundary between the non-covering region and the coating film, the corner of the edge of the coating film is a light-emitting device that is curved when the inner angle of the intersection of two adjacent straight lines is 90 degrees or less. .

実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the light-emitting device which concerns on embodiment. 発光装置の平面図である。It is a top view of a light-emitting device. 図2において被覆膜を実線で示した図である。It is the figure which showed the coating film in FIG. 2 with the continuous line. 基板に被覆膜を形成する方法を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating the method of forming a coating film in a board | substrate. 実施例1に係る発光装置の製造方法を説明するための平面図である。FIG. 6 is a plan view for explaining the method for manufacturing the light emitting device according to the first embodiment. 実施例2に係る発光装置の構成を示す平面図である。6 is a plan view illustrating a configuration of a light emitting device according to Example 2. FIG. 実施例3に係る発光装置の構成を示す平面図である。6 is a plan view showing a configuration of a light emitting device according to Example 3. FIG.

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In all the drawings, the same reference numerals are given to the same components, and the description will be omitted as appropriate.

図1は、実施形態に係る発光装置10の構成を示す断面図である。図2は図1に示した発光装置10の平面図である。図2において、被覆膜140は省略されている。図1は図2のA−A断面図である。図3は、図2において被覆膜140を実線で示した図である。   FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a light emitting device 10 according to the embodiment. FIG. 2 is a plan view of the light emitting device 10 shown in FIG. In FIG. 2, the coating film 140 is omitted. 1 is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. FIG. 3 is a diagram showing the coating film 140 in FIG. 2 by a solid line.

実施形態に係る発光装置10は、例えば照明装置やディスプレイであり、基板100、発光素子102、及び被覆膜140を備えている。発光素子102は基板100に形成されている。被覆膜140は基板100に形成されており、発光素子102を被覆している。基板100は、被覆膜140によって覆われていない領域(非被覆領域:例えば基板100のうち後述する開口142内に位置する部分及びスクライブライン12に位置する部分)を備えている。非被覆領域と被覆膜140の境界において、被覆膜140の縁の角部は、被覆膜140の縁において隣り合う2つの直線の延長する交点の内角が90度以下のとき曲線になっている。発光素子102は、例えば有機EL素子である。以下、詳細に説明する。   The light emitting device 10 according to the embodiment is, for example, a lighting device or a display, and includes a substrate 100, a light emitting element 102, and a coating film 140. The light emitting element 102 is formed on the substrate 100. The covering film 140 is formed on the substrate 100 and covers the light emitting element 102. The substrate 100 includes a region not covered by the coating film 140 (non-covering region: for example, a portion located in an opening 142 described later and a portion located in the scribe line 12 of the substrate 100). At the boundary between the non-covering region and the coating film 140, the corner of the edge of the coating film 140 becomes a curve when the inner angle of the extending intersection of two adjacent straight lines at the edge of the coating film 140 is 90 degrees or less. ing. The light emitting element 102 is, for example, an organic EL element. Details will be described below.

基板100は、たとえばガラス基板や樹脂基板などの透明基板である。基板100は、可撓性を有していてもよい。この場合、基板100の厚さは、例えば10μm以上1000μm以下である。この場合においても、基板100は無機材料及び有機材料のいずれで形成されていてもよい。基板100は、例えば矩形などの多角形である。なお、基板100が樹脂基板である場合、基板100のうち発光素子102が形成される面には、酸化シリコン膜などの無機材料膜が形成されている。これにより、基板100を水分等が透過して発光素子102に到達することを抑制できる。   The substrate 100 is a transparent substrate such as a glass substrate or a resin substrate. The substrate 100 may have flexibility. In this case, the thickness of the substrate 100 is, for example, not less than 10 μm and not more than 1000 μm. Also in this case, the substrate 100 may be formed of either an inorganic material or an organic material. The substrate 100 is, for example, a polygon such as a rectangle. Note that in the case where the substrate 100 is a resin substrate, an inorganic material film such as a silicon oxide film is formed on a surface of the substrate 100 where the light emitting element 102 is formed. Accordingly, moisture or the like can be prevented from passing through the substrate 100 and reaching the light emitting element 102.

基板100の上には、絶縁層160が形成されている。絶縁層160は、開口162を有している。開口162の中には発光素子102が形成されている。言い換えると、発光素子102が形成されるべき領域を区画している。絶縁層160は、ポリイミドや酸化珪素、窒化珪素などの材料で形成されている。   An insulating layer 160 is formed on the substrate 100. The insulating layer 160 has an opening 162. A light emitting element 102 is formed in the opening 162. In other words, a region where the light emitting element 102 is to be formed is defined. The insulating layer 160 is formed of a material such as polyimide, silicon oxide, or silicon nitride.

発光素子102は、第1電極110と第2電極130の間に有機層120を挟んだ構成を有している。第1電極110及び第2電極130のうち少なくとも一方は透光性の電極になっている。また、残りの電極は、例えばAl、Mg、Au、Ag、Pt、Sn、Zn、及びInからなる第1群の中から選択される金属、又はこの第1群から選択される金属の合金からなる金属層によって形成されている。透光性の電極の材料は、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)やIZO(Indium Zinc Oxide)等の無機材料、またはポリチオフェン誘導体などの導電性高分子、又は銀もしくは炭素からなるナノワイヤを利用した網目状電極である。例えば、ボトムエミッション型の発光素子102であって、基板100の上に第1電極110、有機層120、及び第2電極130をこの順に積層した構成を有している場合、第1電極110は透光性の電極になっており、第2電極130は、Alなど光を反射する電極になっている。また、トップエミッション型の発光素子102であって、基板100の上に第1電極110、有機層120、及び第2電極130をこの順に積層した構成を有している場合、第1電極110はAlなど光を反射する電極になっており、第2電極130は透光性の電極になっている。また、両方の電極(第1電極110、第2電極130)を透光性の電極として、透光型の発光装置としても良い(デュアルエミッション型)。   The light emitting element 102 has a configuration in which the organic layer 120 is sandwiched between the first electrode 110 and the second electrode 130. At least one of the first electrode 110 and the second electrode 130 is a translucent electrode. The remaining electrodes are made of, for example, a metal selected from the first group consisting of Al, Mg, Au, Ag, Pt, Sn, Zn, and In, or an alloy of a metal selected from the first group. Formed by a metal layer. The material of the translucent electrode is, for example, an inorganic material such as ITO (Indium Tin Oxide) or IZO (Indium Zinc Oxide), a conductive polymer such as a polythiophene derivative, or a network using nanowires made of silver or carbon. Electrode. For example, in the case of the bottom emission type light emitting element 102, the first electrode 110, the organic layer 120, and the second electrode 130 are stacked on the substrate 100 in this order. It is a translucent electrode, and the second electrode 130 is an electrode that reflects light such as Al. Further, in the case of the top emission type light emitting element 102 having a configuration in which the first electrode 110, the organic layer 120, and the second electrode 130 are stacked in this order on the substrate 100, the first electrode 110 is It is an electrode that reflects light, such as Al, and the second electrode 130 is a translucent electrode. Alternatively, both electrodes (the first electrode 110 and the second electrode 130) may be translucent electrodes to form a translucent light emitting device (dual emission type).

有機層120は、例えば、正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層をこの順に積層させた構成を有している。正孔輸送層と第1電極110の間に正孔注入層が形成されていてもよい。また、電子輸送層と第2電極130の間に電子注入層が形成されていてもよい。有機層120の層は、塗布法によって形成されても蒸着法によって形成されてもよく、一部を塗布法、残りを蒸着法で形成しても良い。なお、有機層120は蒸着材料を用いて蒸着法で形成してもよく、また、有機層120は、塗布材料を用いて、インクジェット法、印刷法、スプレー法で形成されてもよい。   The organic layer 120 has a configuration in which, for example, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer are stacked in this order. A hole injection layer may be formed between the hole transport layer and the first electrode 110. In addition, an electron injection layer may be formed between the electron transport layer and the second electrode 130. The layer of the organic layer 120 may be formed by a coating method or a vapor deposition method, and a part thereof may be formed by a coating method and the rest may be formed by a vapor deposition method. The organic layer 120 may be formed by a vapor deposition method using a vapor deposition material, and the organic layer 120 may be formed by an ink jet method, a printing method, or a spray method using a coating material.

基板100のうち発光素子102が形成されている面には、端子112,132が形成されている。端子112は第1電極110と電気的に接続しており、端子132は第2電極130と電気的に接続している。詳細には、第1電極110の一部の上には、有機層120が形成されておらず、端子112となっている。また端子132は、第1電極110と同一の層を有している。本図に示す例では、端子112は配線116を介して第1電極110に接続しており、端子132は配線136を介して第2電極130に接続している。配線116,136は、いずれも第1電極110と同一の層を有している。端子112,132は、異方性導電膜、リード端子やボンディングワイヤなどの導通部材を介して、回路基板に接続している。この回路基板には、制御回路が形成されている。   Terminals 112 and 132 are formed on the surface of the substrate 100 where the light emitting element 102 is formed. The terminal 112 is electrically connected to the first electrode 110, and the terminal 132 is electrically connected to the second electrode 130. Specifically, the organic layer 120 is not formed on a part of the first electrode 110 and serves as the terminal 112. The terminal 132 has the same layer as the first electrode 110. In the example shown in this figure, the terminal 112 is connected to the first electrode 110 via the wiring 116, and the terminal 132 is connected to the second electrode 130 via the wiring 136. Each of the wirings 116 and 136 has the same layer as the first electrode 110. The terminals 112 and 132 are connected to the circuit board through conductive members such as anisotropic conductive films, lead terminals, and bonding wires. A control circuit is formed on the circuit board.

本図に示す例において、端子112は、第1電極110の層の上に第2層114を積層した構成を有している。また端子132は、第1電極110と同一の層の上に第2層134を積層した構成を有している。第2層114,134は、第1電極110を形成している材料よりも低抵抗な材料、例えば金属によって形成されている。第2層114,134は、例えばMo、Al、及びMoをこの順に積層した構成を有している。なお、MoやAlには、他の金属が添加されていても良い。なお、配線116,136の少なくとも一部の上にも、第2層114,134が形成されていても良い。   In the example shown in this figure, the terminal 112 has a configuration in which a second layer 114 is laminated on the layer of the first electrode 110. The terminal 132 has a configuration in which a second layer 134 is stacked on the same layer as the first electrode 110. The second layers 114 and 134 are made of a material having a lower resistance than the material forming the first electrode 110, for example, a metal. The second layers 114 and 134 have a configuration in which, for example, Mo, Al, and Mo are stacked in this order. In addition, other metals may be added to Mo and Al. Note that the second layers 114 and 134 may also be formed on at least a part of the wirings 116 and 136.

被覆膜140は、成膜法、例えばALD法又はCVD法を用いて形成されている。ALD法で形成されている場合、被覆膜140は、例えば酸化アルミニウムなどの酸化金属膜によって形成されており、その膜厚は、例えば10nm以上200nm以下、好ましくは、50nm以上100nm以下である。CVD法で形成されている場合、被覆膜140は、酸化シリコン膜などの無機絶縁膜によって形成されており、その膜厚は、例えば0.1μm以上10μm以下である。被覆膜140が設けられることにより、発光素子102は水分等から保護される。被覆膜140は、スパッタリング法で形成されても良い。この場合、被覆膜140は、SiO又はSiNなど絶縁膜によって形成される。その場合、膜厚は10nm以上1000nm以下である。なお、被覆膜140が無機膜によって形成されており、かつ基板100のうち被覆膜140が形成される面が無機材料で形成されている場合、被覆膜140と基板100の接合による封止性能が向上する。 The covering film 140 is formed using a film forming method such as an ALD method or a CVD method. In the case of being formed by the ALD method, the coating film 140 is formed of a metal oxide film such as aluminum oxide, and the film thickness thereof is, for example, 10 nm to 200 nm, preferably 50 nm to 100 nm. When formed by the CVD method, the coating film 140 is formed of an inorganic insulating film such as a silicon oxide film, and the film thickness thereof is, for example, not less than 0.1 μm and not more than 10 μm. By providing the coating film 140, the light emitting element 102 is protected from moisture and the like. The covering film 140 may be formed by a sputtering method. In this case, the covering film 140 is formed of an insulating film such as SiO 2 or SiN. In that case, the film thickness is 10 nm or more and 1000 nm or less. Note that when the coating film 140 is formed of an inorganic film and the surface of the substrate 100 on which the coating film 140 is formed is formed of an inorganic material, sealing is performed by bonding the coating film 140 and the substrate 100. The stopping performance is improved.

被覆膜140は、基板100の縁には形成されていない。言い換えると、被覆膜140の外縁は、基板100の縁よりも基板100の内側に位置している。基板100のうち基板100の縁と被覆膜140の外縁の間に位置する領域が、第2の非被覆領域になっている。この第2の非被覆領域は、基板100の各辺に沿って延在している。そして、第2の非被覆領域と被覆膜140の境界も、基板100の各辺に沿って延在しており、かつ、基板100の角部に対応する部分は、隣り合う2つの直線(例えば基板100の互いに交わる2つの辺のそれぞれに対応する部分)の延長する交点の内角が90度以下のとき曲線(例えば円弧)になっている。   The coating film 140 is not formed on the edge of the substrate 100. In other words, the outer edge of the coating film 140 is located inside the substrate 100 with respect to the edge of the substrate 100. A region located between the edge of the substrate 100 and the outer edge of the coating film 140 in the substrate 100 is a second non-covering region. This second uncovered region extends along each side of the substrate 100. The boundary between the second non-covering region and the coating film 140 also extends along each side of the substrate 100, and the portion corresponding to the corner of the substrate 100 is formed by two adjacent straight lines ( For example, a curved line (for example, a circular arc) is formed when an internal angle of an extending intersection point of a portion corresponding to each of two sides of the substrate 100 that intersect each other is 90 degrees or less.

上記した端子112,132は、基板100の縁の近くに形成されている。そして、被覆膜140は、端子112,132と重なる位置に開口142を有している。基板100のうち開口142と重なる領域が、第1の非被覆領域になっている。開口142は角部を有しているが、この角部は隣り合う2つの直線の延長する交点の内角が90度以下のとき曲線になっている。本図に示す例では、角部は曲線(例えば円弧)になっている。   The terminals 112 and 132 described above are formed near the edge of the substrate 100. The coating film 140 has an opening 142 at a position overlapping the terminals 112 and 132. A region of the substrate 100 that overlaps with the opening 142 is a first uncovered region. The opening 142 has a corner portion, and the corner portion is curved when the inner angle at the intersection of two adjacent straight lines extending is 90 degrees or less. In the example shown in the figure, the corner is a curve (for example, an arc).

なお、上記した2つの非被覆領域は、被覆膜140を除去することにより形成されている。被覆膜140を部分的に除去する方法としては、例えばリフトオフ法を用いることができる。この場合、リフトオフ層200を部分的に塗布する際に、リフトオフ層200の平面形状を上記した非被覆領域の形状にすれば、非被覆領域の平面形状を上記した形状にすることができる。リフトオフ層200は、例えばスクリーン印刷法で形成されても良いし、塗布手段を動かすことにより所望の形状を描くよう塗布されても良い。   The two uncovered regions described above are formed by removing the coating film 140. As a method of partially removing the coating film 140, for example, a lift-off method can be used. In this case, when the lift-off layer 200 is partially applied, if the planar shape of the lift-off layer 200 is the above-described shape of the non-covered region, the planar shape of the non-covered region can be the above-described shape. The lift-off layer 200 may be formed by, for example, a screen printing method, or may be applied so as to draw a desired shape by moving an application unit.

なお、被覆膜140を形成するときにメタルマスクで非被覆領域となるべき領域を覆うことにより、非被覆領域が形成されても良い。   Note that when the coating film 140 is formed, the non-covered region may be formed by covering the region that should be the non-covered region with a metal mask.

次に、発光装置10の製造方法について説明する。まず、基板100上に第1電極110及び端子112,132を形成する。第1電極110及び端子112,132は、例えば蒸着法又はスパッタリング法を用いて形成される。次いで、第1電極110と端子132の間に絶縁層160を形成する。次いで、第1電極110上に有機層120を形成する。   Next, a method for manufacturing the light emitting device 10 will be described. First, the first electrode 110 and the terminals 112 and 132 are formed on the substrate 100. The first electrode 110 and the terminals 112 and 132 are formed using, for example, a vapor deposition method or a sputtering method. Next, the insulating layer 160 is formed between the first electrode 110 and the terminal 132. Next, the organic layer 120 is formed on the first electrode 110.

次いで、第2電極130を形成し、さらに被覆膜140を形成する。第2電極130は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成され、被覆膜140は、例えばALD法又はCVD法を用いて形成される。   Next, the second electrode 130 is formed, and the coating film 140 is further formed. The second electrode 130 is formed using, for example, a sputtering method or a vapor deposition method, and the coating film 140 is formed using, for example, an ALD method or a CVD method.

図4は、基板100に被覆膜140を形成する方法を説明するための断面図である。上記したように被覆膜140は、端子112,132を覆っていない。また基板100のうち縁の近くも、被覆膜140で覆われていない。このようにするためには、例えば、被覆膜140を形成する前に、基板100のうち端子112,132が形成されている領域及び縁の近くの領域を、リフトオフ層200で覆う。リフトオフ層200は、例えば有機材料で形成されている。リフトオフ層200のガラス転移温度又は相転移温度(例えば融点)は、被覆膜140のガラス転移温度又は相転移温度(例えば融点)よりも低い。なお、リフトオフ層200を構成する材料の線膨張係数は、被覆膜140を構成する材料の線膨張係数よりも大きいのが好ましい。   FIG. 4 is a cross-sectional view for explaining a method of forming the coating film 140 on the substrate 100. As described above, the coating film 140 does not cover the terminals 112 and 132. Further, the vicinity of the edge of the substrate 100 is not covered with the coating film 140. In order to do this, for example, before forming the coating film 140, the region where the terminals 112 and 132 are formed and the region near the edge of the substrate 100 are covered with the lift-off layer 200. The lift-off layer 200 is made of, for example, an organic material. The glass transition temperature or phase transition temperature (for example, melting point) of the lift-off layer 200 is lower than the glass transition temperature or phase transition temperature (for example, melting point) of the coating film 140. The linear expansion coefficient of the material forming the lift-off layer 200 is preferably larger than the linear expansion coefficient of the material forming the coating film 140.

そして、被覆膜140を形成したのち、基板100を加熱及び冷却する。この際、被覆膜140のうちリフトオフ層200の上方に位置する部分にはクラックが発生する。そして、端子112,端子132の近傍を、リフトオフ層200を溶解する溶液で洗浄すると、被覆膜140に生じたクラックを介してこの溶液がリフトオフ層200に接触し、リフトオフ層200が除去される。この際、被覆層140のうちリフトオフ層200の上方に位置していた部分が除去される。   Then, after forming the coating film 140, the substrate 100 is heated and cooled. At this time, a crack is generated in a portion of the coating film 140 located above the lift-off layer 200. When the vicinity of the terminal 112 and the terminal 132 is washed with a solution that dissolves the lift-off layer 200, the solution comes into contact with the lift-off layer 200 through a crack generated in the coating film 140, and the lift-off layer 200 is removed. . At this time, the portion of the coating layer 140 that was located above the lift-off layer 200 is removed.

被覆膜140の端部の角部には、クラックが発生することがある。このクラックは、例えば端子112,132に導通部材を接続するときに、基板100に応力が加わることによって発生する。またこのクラックは、被覆膜140をリフトオフする際に発生することもある。被覆膜140の端部にクラックが発生すると、このクラックは発光素子102に向けて進行する。これに対して本実施形態では、被覆膜140の端部の角部は、隣り合う2つの直線の延長する交点の内角が90度以下のとき曲線になっている。従って、この角部に応力が集中して被覆膜140にクラックが入ることを抑制できる。特に、隣り合う2つの直線の延長する交点の内角が90度以下のときに、鋭角になりクラックが生じやすいため、本実施形態の効果は大きくなる。   Cracks may occur at the corners of the end of the coating film 140. This crack is generated, for example, when stress is applied to the substrate 100 when a conductive member is connected to the terminals 112 and 132. Further, the crack may occur when the coating film 140 is lifted off. When a crack occurs at the end of the coating film 140, the crack progresses toward the light emitting element 102. On the other hand, in the present embodiment, the corner portion of the end portion of the coating film 140 is a curve when the inner angle at the intersection of two adjacent straight lines extending is 90 degrees or less. Therefore, it is possible to suppress the stress from concentrating on the corner and cracking the coating film 140. In particular, when the internal angle of the intersection of two adjacent straight lines extends is 90 degrees or less, an acute angle is formed and a crack is likely to occur, so the effect of the present embodiment is increased.

(実施例1)
本実施例に係る発光装置10は、製造方法を除いて、実施形態に係る発光装置10と同様の構成である。
Example 1
The light emitting device 10 according to the present example has the same configuration as the light emitting device 10 according to the embodiment, except for the manufacturing method.

図5は、本実施例に係る発光装置10の製造方法を説明するための平面図である。本実施例において、複数の発光装置10は、基板100が互いに繋がった状態で同時に形成される。そして、被覆膜140が形成された後に、ダイシングブレード等を用いて、複数の発光装置10を互いに切り離す。ここで、スクライブライン12に被覆膜140が形成されていると、発光装置10を互いに切り離す際に、被覆膜140に大きなクラックが生じる可能性がある。このため、被覆膜140は、全周にわたってスクライブライン12から離れて形成されている。具体的には、被覆膜140を形成する前に、リフトオフ層200を、スクライブライン12及びその近くに塗布する。   FIG. 5 is a plan view for explaining the method for manufacturing the light emitting device 10 according to the present embodiment. In this embodiment, the plurality of light emitting devices 10 are simultaneously formed with the substrates 100 being connected to each other. Then, after the coating film 140 is formed, the plurality of light emitting devices 10 are separated from each other using a dicing blade or the like. Here, when the coating film 140 is formed on the scribe line 12, a large crack may occur in the coating film 140 when the light emitting devices 10 are separated from each other. For this reason, the coating film 140 is formed away from the scribe line 12 over the entire circumference. Specifically, before the coating film 140 is formed, the lift-off layer 200 is applied to the scribe line 12 and the vicinity thereof.

このため、複数の発光装置10を互いに切り離す際に、被覆膜140にクラックが生じることを抑制できる。   For this reason, when the plurality of light emitting devices 10 are separated from each other, it is possible to prevent the coating film 140 from being cracked.

(実施例2)
図6は、実施例2に係る発光装置10の構成を示す平面図である。本実施例に係る発光装置10は、以下の点を除いて、実施形態に係る発光装置10と同様の構成である。なお、図6では、説明のため、第2電極130及び端子132の図示を省略している。
(Example 2)
FIG. 6 is a plan view illustrating the configuration of the light emitting device 10 according to the second embodiment. The light emitting device 10 according to this example has the same configuration as the light emitting device 10 according to the embodiment except for the following points. In FIG. 6, illustration of the second electrode 130 and the terminal 132 is omitted for the sake of explanation.

本実施例において、発光装置10は複数の発光素子102を有している。隣り合う発光素子102の間には、絶縁層160が形成されている。そして、複数の発光素子102のそれぞれに対して端子112が形成されている。複数の端子112は、互いに並んで、基板100の縁に配置されている。いずれの端子112も、被覆膜140の開口142の内側に位置している。   In this embodiment, the light emitting device 10 includes a plurality of light emitting elements 102. An insulating layer 160 is formed between the adjacent light emitting elements 102. A terminal 112 is formed for each of the plurality of light emitting elements 102. The plurality of terminals 112 are arranged on the edge of the substrate 100 side by side. All the terminals 112 are located inside the opening 142 of the coating film 140.

なお、端子132も、端子112と同様に開口142の内側に配置されている。端子132を内側に含む開口142と、端子112を内側に含む開口142は、同一の開口142であっても良いし、互いに異なる開口142であってもよい。   Note that the terminal 132 is also disposed inside the opening 142 in the same manner as the terminal 112. The opening 142 including the terminal 132 inside and the opening 142 including the terminal 112 inside may be the same opening 142 or may be different from each other.

本実施例によっても、被覆膜140の縁の角部でクラックが発生することを抑制できる。   Also according to the present embodiment, the occurrence of cracks at the corners of the edge of the coating film 140 can be suppressed.

(実施例3)
図7は、実施例3に係る発光装置10の構成を示す平面図であり、実施例2における図6に対応している。本実施例に係る発光装置10は、以下の点を除いて、実施例2に係る発光装置10と同様の構成である。
(Example 3)
FIG. 7 is a plan view illustrating a configuration of the light emitting device 10 according to the third embodiment, and corresponds to FIG. 6 in the second embodiment. The light emitting device 10 according to the present example has the same configuration as that of the light emitting device 10 according to Example 2 except for the following points.

本実施例において、発光装置10はディスプレイであり、マトリクス状に配置された複数の発光素子102を有している。   In this embodiment, the light emitting device 10 is a display and has a plurality of light emitting elements 102 arranged in a matrix.

詳細には、複数の第1電極110が互いに平行に延在しており、かつ、複数の第2電極130が、互いに平行かつ第1電極110と交わる方向(例えば直交する方向)に延在している。そして、第1電極110と第2電極130の交点のそれぞれに、発光素子102が形成されている。具体的には、絶縁層160は、複数の第1電極110の上に跨って形成されている。絶縁層160のうち、第1電極110と第2電極130の交点に位置する部分には開口が形成されている。そして、この開口内には、有機層120が設けられている。   Specifically, the plurality of first electrodes 110 extend in parallel to each other, and the plurality of second electrodes 130 extend in a direction parallel to each other and intersecting the first electrode 110 (for example, a direction orthogonal to each other). ing. A light emitting element 102 is formed at each intersection of the first electrode 110 and the second electrode 130. Specifically, the insulating layer 160 is formed over the plurality of first electrodes 110. An opening is formed in a portion of the insulating layer 160 located at the intersection of the first electrode 110 and the second electrode 130. An organic layer 120 is provided in the opening.

端子112は複数の第1電極110のそれぞれと電気的に接続されており、また、端子132は複数の第2電極130のそれぞれと電気的に接続されている。複数の端子112,132は、いずれも基板100の縁に沿って配置されている。本図に示す例では、複数の端子112,132は、いずれも基板100の同一の辺に沿って配置されており、かつ、同一の開口142の内側に配置されている。ただし、端子112と端子132は、基板100のうち互いに異なる辺に沿って配置されていてもよい。この場合、端子112と端子132は、互いに異なる開口142の内側に配置される。   The terminal 112 is electrically connected to each of the plurality of first electrodes 110, and the terminal 132 is electrically connected to each of the plurality of second electrodes 130. The plurality of terminals 112 and 132 are all disposed along the edge of the substrate 100. In the example shown in this drawing, the plurality of terminals 112 and 132 are all disposed along the same side of the substrate 100 and are disposed inside the same opening 142. However, the terminal 112 and the terminal 132 may be disposed along different sides of the substrate 100. In this case, the terminal 112 and the terminal 132 are disposed inside different openings 142.

また、絶縁層160の上には、隔壁が形成されていてもよい。この場合、隔壁は、複数の第2電極130の間に位置している。隔壁の断面は、上底が下底よりも長い台形となっている。隔壁の上面には、第2電極130と同様の材料からなる導電層が形成されている。隔壁は、第2電極130を蒸着法又はスパッタリング法で形成する際に、隣り合う第2電極130を互いに分離するために設けられている。このため、隔壁は、絶縁層160が形成された後、第2電極130が形成される前(好ましくは有機層120が形成される前)に形成される。   Further, a partition wall may be formed over the insulating layer 160. In this case, the partition is located between the plurality of second electrodes 130. The cross section of the partition wall has a trapezoid whose upper base is longer than the lower base. A conductive layer made of the same material as that of the second electrode 130 is formed on the upper surface of the partition wall. The partition is provided to separate the adjacent second electrodes 130 from each other when the second electrodes 130 are formed by vapor deposition or sputtering. Therefore, the partition wall is formed after the insulating layer 160 is formed and before the second electrode 130 is formed (preferably before the organic layer 120 is formed).

本実施例によっても、被覆膜140の縁の角部でクラックが発生することを抑制できる。   Also according to the present embodiment, the occurrence of cracks at the corners of the edge of the coating film 140 can be suppressed.

以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。   As mentioned above, although embodiment and the Example were described with reference to drawings, these are illustrations of this invention and can also employ | adopt various structures other than the above.

10 発光装置
12 スクライブライン(第2の非被覆領域)
100 基板
102 発光素子
112 端子
132 端子
140 被覆膜
142 開口(非被覆領域)
10 Light-emitting device 12 Scribe line (second uncovered region)
100 Substrate 102 Light-emitting element 112 Terminal 132 Terminal 140 Covering film 142 Opening (non-covering region)

Claims (5)

基板と、
前記基板に形成された発光素子と、
前記基板に形成され、前記発光素子を被覆する被覆膜と、
を備え、
前記基板は、前記被覆膜によって覆われていない非被覆領域を有し、
前記非被覆領域と前記被覆膜の境界において、前記被覆膜の縁の角部は、隣り合う2つの直線の延長する交点の内角が90度以下のとき曲線になっている発光装置。
A substrate,
A light emitting device formed on the substrate;
A coating film formed on the substrate and covering the light emitting element;
With
The substrate has an uncovered region not covered by the coating film;
The light-emitting device in which the corner of the edge of the coating film is a curve at the boundary between the non-covering region and the coating film when the inner angle of the intersection of two adjacent straight lines is 90 degrees or less.
請求項1に記載の発光装置において、
前記非被覆領域は、前記被覆膜に形成された開口であり、
さらに、前記開口内に位置していて前記発光素子と電気的に接続する端子を備える発光装置。
The light-emitting device according to claim 1.
The uncovered region is an opening formed in the coating film,
Furthermore, a light-emitting device provided with a terminal located in the opening and electrically connected to the light-emitting element.
請求項2に記載の発光装置において、
前記基板の縁に沿って形成された第2の前記非被覆領域を備える発光装置。
The light-emitting device according to claim 2.
A light emitting device comprising the second uncovered region formed along an edge of the substrate.
請求項3に記載の発光装置において、
前記基板は多角形であり、
前記第2の非被覆領域と前記被覆膜の境界は、前記基板の各辺に沿って延在しており、かつ前記基板の角部に対応する部分は曲線になっている発光装置。
The light emitting device according to claim 3.
The substrate is polygonal;
A boundary between the second non-covering region and the coating film extends along each side of the substrate, and a portion corresponding to a corner of the substrate is a curved light-emitting device.
請求項4に記載の発光装置において、
前記非被覆領域及び前記第2の非被覆領域は、前記被覆膜を除去することにより形成されている発光装置。
The light-emitting device according to claim 4.
The light emitting device in which the non-covering region and the second non-covering region are formed by removing the coating film.
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