JP2015185479A - Light emitting device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、発光装置に関する。 The present invention relates to a light emitting device.
近年は、有機EL素子を光源として利用した発光装置の開発が進んでいる。有機EL素子は、発光層として有機層を用いているため、封止構造が必要である。一般的には、有機EL素子は、ガラスや金属などで形成された封止部材を用いて封止されている。そして、有機EL素子に接続する端子は、この封止部材の外部に配置されている。 In recent years, development of a light emitting device using an organic EL element as a light source has been advanced. Since an organic EL element uses an organic layer as a light emitting layer, a sealing structure is required. Generally, the organic EL element is sealed using a sealing member formed of glass or metal. And the terminal connected to an organic EL element is arrange | positioned outside this sealing member.
一方、特許文献1,2には、ALD(Atomic Layer Deposition)法を用いて封止膜を形成することにより、有機EL素子を封止することが記載されている。また、特許文献1には、上記した端子の上から封止膜を除去することにより、端子を封止膜から露出させることが記載されている。
On the other hand,
具体的には、特許文献1において、端子の上から封止膜を除去する方法として、封止膜を形成する前に端子をマスキングテープで被覆しておき、封止膜を形成した後にマスキングテープを除去する方法、及び端子上の封止膜に粘着テープを貼り付け、その後粘着テープを除去する方法が記載されている。また、特許文献1には、端子の上に予めシリコーン系のオイルを塗布しておくことにより、端子の上に封止膜が形成されないようにすることも記載されている。
Specifically, in
また特許文献2には、封止膜を形成する前に端子をポリイミドテープで被覆しておき、封止膜を形成した後にポリイミドテープを除去する方法が記載されている。 Patent Document 2 describes a method in which a terminal is covered with a polyimide tape before forming a sealing film, and the polyimide tape is removed after the sealing film is formed.
有機EL素子などの発光素子を膜で被覆することによって封止する場合、膜の縁から膜の内側に向けてクラックが進行することがある。このため。膜の縁にクラックが生じないようにする必要がある。 When sealing by covering a light emitting element such as an organic EL element with a film, a crack may progress from the edge of the film toward the inside of the film. For this reason. It is necessary to prevent cracks from occurring at the edges of the film.
本発明が解決しようとする課題としては、発光素子を被覆膜で覆った場合において、この被覆膜の縁にクラックが生じないようにすることが一例として挙げられる。 An example of a problem to be solved by the present invention is to prevent cracks from occurring at the edge of the coating film when the light emitting element is covered with the coating film.
請求項1に記載の発明は、基板と、
前記基板に形成された発光素子と、
前記基板に形成され、前記発光素子を被覆する被覆膜と、
を備え、
前記基板は、前記被覆膜によって覆われていない非被覆領域を有し、
前記非被覆領域と前記被覆膜の境界において、前記被覆膜の縁の角部は、隣り合う2つの直線の延長する交点の内角が90度以下のとき曲線になっている発光装置である。
The invention according to
A light emitting device formed on the substrate;
A coating film formed on the substrate and covering the light emitting element;
With
The substrate has an uncovered region not covered by the coating film;
In the boundary between the non-covering region and the coating film, the corner of the edge of the coating film is a light-emitting device that is curved when the inner angle of the intersection of two adjacent straight lines is 90 degrees or less. .
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In all the drawings, the same reference numerals are given to the same components, and the description will be omitted as appropriate.
図1は、実施形態に係る発光装置10の構成を示す断面図である。図2は図1に示した発光装置10の平面図である。図2において、被覆膜140は省略されている。図1は図2のA−A断面図である。図3は、図2において被覆膜140を実線で示した図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a
実施形態に係る発光装置10は、例えば照明装置やディスプレイであり、基板100、発光素子102、及び被覆膜140を備えている。発光素子102は基板100に形成されている。被覆膜140は基板100に形成されており、発光素子102を被覆している。基板100は、被覆膜140によって覆われていない領域(非被覆領域:例えば基板100のうち後述する開口142内に位置する部分及びスクライブライン12に位置する部分)を備えている。非被覆領域と被覆膜140の境界において、被覆膜140の縁の角部は、被覆膜140の縁において隣り合う2つの直線の延長する交点の内角が90度以下のとき曲線になっている。発光素子102は、例えば有機EL素子である。以下、詳細に説明する。
The
基板100は、たとえばガラス基板や樹脂基板などの透明基板である。基板100は、可撓性を有していてもよい。この場合、基板100の厚さは、例えば10μm以上1000μm以下である。この場合においても、基板100は無機材料及び有機材料のいずれで形成されていてもよい。基板100は、例えば矩形などの多角形である。なお、基板100が樹脂基板である場合、基板100のうち発光素子102が形成される面には、酸化シリコン膜などの無機材料膜が形成されている。これにより、基板100を水分等が透過して発光素子102に到達することを抑制できる。
The
基板100の上には、絶縁層160が形成されている。絶縁層160は、開口162を有している。開口162の中には発光素子102が形成されている。言い換えると、発光素子102が形成されるべき領域を区画している。絶縁層160は、ポリイミドや酸化珪素、窒化珪素などの材料で形成されている。
An
発光素子102は、第1電極110と第2電極130の間に有機層120を挟んだ構成を有している。第1電極110及び第2電極130のうち少なくとも一方は透光性の電極になっている。また、残りの電極は、例えばAl、Mg、Au、Ag、Pt、Sn、Zn、及びInからなる第1群の中から選択される金属、又はこの第1群から選択される金属の合金からなる金属層によって形成されている。透光性の電極の材料は、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)やIZO(Indium Zinc Oxide)等の無機材料、またはポリチオフェン誘導体などの導電性高分子、又は銀もしくは炭素からなるナノワイヤを利用した網目状電極である。例えば、ボトムエミッション型の発光素子102であって、基板100の上に第1電極110、有機層120、及び第2電極130をこの順に積層した構成を有している場合、第1電極110は透光性の電極になっており、第2電極130は、Alなど光を反射する電極になっている。また、トップエミッション型の発光素子102であって、基板100の上に第1電極110、有機層120、及び第2電極130をこの順に積層した構成を有している場合、第1電極110はAlなど光を反射する電極になっており、第2電極130は透光性の電極になっている。また、両方の電極(第1電極110、第2電極130)を透光性の電極として、透光型の発光装置としても良い(デュアルエミッション型)。
The
有機層120は、例えば、正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層をこの順に積層させた構成を有している。正孔輸送層と第1電極110の間に正孔注入層が形成されていてもよい。また、電子輸送層と第2電極130の間に電子注入層が形成されていてもよい。有機層120の層は、塗布法によって形成されても蒸着法によって形成されてもよく、一部を塗布法、残りを蒸着法で形成しても良い。なお、有機層120は蒸着材料を用いて蒸着法で形成してもよく、また、有機層120は、塗布材料を用いて、インクジェット法、印刷法、スプレー法で形成されてもよい。
The
基板100のうち発光素子102が形成されている面には、端子112,132が形成されている。端子112は第1電極110と電気的に接続しており、端子132は第2電極130と電気的に接続している。詳細には、第1電極110の一部の上には、有機層120が形成されておらず、端子112となっている。また端子132は、第1電極110と同一の層を有している。本図に示す例では、端子112は配線116を介して第1電極110に接続しており、端子132は配線136を介して第2電極130に接続している。配線116,136は、いずれも第1電極110と同一の層を有している。端子112,132は、異方性導電膜、リード端子やボンディングワイヤなどの導通部材を介して、回路基板に接続している。この回路基板には、制御回路が形成されている。
本図に示す例において、端子112は、第1電極110の層の上に第2層114を積層した構成を有している。また端子132は、第1電極110と同一の層の上に第2層134を積層した構成を有している。第2層114,134は、第1電極110を形成している材料よりも低抵抗な材料、例えば金属によって形成されている。第2層114,134は、例えばMo、Al、及びMoをこの順に積層した構成を有している。なお、MoやAlには、他の金属が添加されていても良い。なお、配線116,136の少なくとも一部の上にも、第2層114,134が形成されていても良い。
In the example shown in this figure, the terminal 112 has a configuration in which a
被覆膜140は、成膜法、例えばALD法又はCVD法を用いて形成されている。ALD法で形成されている場合、被覆膜140は、例えば酸化アルミニウムなどの酸化金属膜によって形成されており、その膜厚は、例えば10nm以上200nm以下、好ましくは、50nm以上100nm以下である。CVD法で形成されている場合、被覆膜140は、酸化シリコン膜などの無機絶縁膜によって形成されており、その膜厚は、例えば0.1μm以上10μm以下である。被覆膜140が設けられることにより、発光素子102は水分等から保護される。被覆膜140は、スパッタリング法で形成されても良い。この場合、被覆膜140は、SiO2又はSiNなど絶縁膜によって形成される。その場合、膜厚は10nm以上1000nm以下である。なお、被覆膜140が無機膜によって形成されており、かつ基板100のうち被覆膜140が形成される面が無機材料で形成されている場合、被覆膜140と基板100の接合による封止性能が向上する。
The
被覆膜140は、基板100の縁には形成されていない。言い換えると、被覆膜140の外縁は、基板100の縁よりも基板100の内側に位置している。基板100のうち基板100の縁と被覆膜140の外縁の間に位置する領域が、第2の非被覆領域になっている。この第2の非被覆領域は、基板100の各辺に沿って延在している。そして、第2の非被覆領域と被覆膜140の境界も、基板100の各辺に沿って延在しており、かつ、基板100の角部に対応する部分は、隣り合う2つの直線(例えば基板100の互いに交わる2つの辺のそれぞれに対応する部分)の延長する交点の内角が90度以下のとき曲線(例えば円弧)になっている。
The
上記した端子112,132は、基板100の縁の近くに形成されている。そして、被覆膜140は、端子112,132と重なる位置に開口142を有している。基板100のうち開口142と重なる領域が、第1の非被覆領域になっている。開口142は角部を有しているが、この角部は隣り合う2つの直線の延長する交点の内角が90度以下のとき曲線になっている。本図に示す例では、角部は曲線(例えば円弧)になっている。
The
なお、上記した2つの非被覆領域は、被覆膜140を除去することにより形成されている。被覆膜140を部分的に除去する方法としては、例えばリフトオフ法を用いることができる。この場合、リフトオフ層200を部分的に塗布する際に、リフトオフ層200の平面形状を上記した非被覆領域の形状にすれば、非被覆領域の平面形状を上記した形状にすることができる。リフトオフ層200は、例えばスクリーン印刷法で形成されても良いし、塗布手段を動かすことにより所望の形状を描くよう塗布されても良い。
The two uncovered regions described above are formed by removing the
なお、被覆膜140を形成するときにメタルマスクで非被覆領域となるべき領域を覆うことにより、非被覆領域が形成されても良い。
Note that when the
次に、発光装置10の製造方法について説明する。まず、基板100上に第1電極110及び端子112,132を形成する。第1電極110及び端子112,132は、例えば蒸着法又はスパッタリング法を用いて形成される。次いで、第1電極110と端子132の間に絶縁層160を形成する。次いで、第1電極110上に有機層120を形成する。
Next, a method for manufacturing the
次いで、第2電極130を形成し、さらに被覆膜140を形成する。第2電極130は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成され、被覆膜140は、例えばALD法又はCVD法を用いて形成される。
Next, the
図4は、基板100に被覆膜140を形成する方法を説明するための断面図である。上記したように被覆膜140は、端子112,132を覆っていない。また基板100のうち縁の近くも、被覆膜140で覆われていない。このようにするためには、例えば、被覆膜140を形成する前に、基板100のうち端子112,132が形成されている領域及び縁の近くの領域を、リフトオフ層200で覆う。リフトオフ層200は、例えば有機材料で形成されている。リフトオフ層200のガラス転移温度又は相転移温度(例えば融点)は、被覆膜140のガラス転移温度又は相転移温度(例えば融点)よりも低い。なお、リフトオフ層200を構成する材料の線膨張係数は、被覆膜140を構成する材料の線膨張係数よりも大きいのが好ましい。
FIG. 4 is a cross-sectional view for explaining a method of forming the
そして、被覆膜140を形成したのち、基板100を加熱及び冷却する。この際、被覆膜140のうちリフトオフ層200の上方に位置する部分にはクラックが発生する。そして、端子112,端子132の近傍を、リフトオフ層200を溶解する溶液で洗浄すると、被覆膜140に生じたクラックを介してこの溶液がリフトオフ層200に接触し、リフトオフ層200が除去される。この際、被覆層140のうちリフトオフ層200の上方に位置していた部分が除去される。
Then, after forming the
被覆膜140の端部の角部には、クラックが発生することがある。このクラックは、例えば端子112,132に導通部材を接続するときに、基板100に応力が加わることによって発生する。またこのクラックは、被覆膜140をリフトオフする際に発生することもある。被覆膜140の端部にクラックが発生すると、このクラックは発光素子102に向けて進行する。これに対して本実施形態では、被覆膜140の端部の角部は、隣り合う2つの直線の延長する交点の内角が90度以下のとき曲線になっている。従って、この角部に応力が集中して被覆膜140にクラックが入ることを抑制できる。特に、隣り合う2つの直線の延長する交点の内角が90度以下のときに、鋭角になりクラックが生じやすいため、本実施形態の効果は大きくなる。
Cracks may occur at the corners of the end of the
(実施例1)
本実施例に係る発光装置10は、製造方法を除いて、実施形態に係る発光装置10と同様の構成である。
Example 1
The
図5は、本実施例に係る発光装置10の製造方法を説明するための平面図である。本実施例において、複数の発光装置10は、基板100が互いに繋がった状態で同時に形成される。そして、被覆膜140が形成された後に、ダイシングブレード等を用いて、複数の発光装置10を互いに切り離す。ここで、スクライブライン12に被覆膜140が形成されていると、発光装置10を互いに切り離す際に、被覆膜140に大きなクラックが生じる可能性がある。このため、被覆膜140は、全周にわたってスクライブライン12から離れて形成されている。具体的には、被覆膜140を形成する前に、リフトオフ層200を、スクライブライン12及びその近くに塗布する。
FIG. 5 is a plan view for explaining the method for manufacturing the
このため、複数の発光装置10を互いに切り離す際に、被覆膜140にクラックが生じることを抑制できる。
For this reason, when the plurality of light emitting
(実施例2)
図6は、実施例2に係る発光装置10の構成を示す平面図である。本実施例に係る発光装置10は、以下の点を除いて、実施形態に係る発光装置10と同様の構成である。なお、図6では、説明のため、第2電極130及び端子132の図示を省略している。
(Example 2)
FIG. 6 is a plan view illustrating the configuration of the
本実施例において、発光装置10は複数の発光素子102を有している。隣り合う発光素子102の間には、絶縁層160が形成されている。そして、複数の発光素子102のそれぞれに対して端子112が形成されている。複数の端子112は、互いに並んで、基板100の縁に配置されている。いずれの端子112も、被覆膜140の開口142の内側に位置している。
In this embodiment, the
なお、端子132も、端子112と同様に開口142の内側に配置されている。端子132を内側に含む開口142と、端子112を内側に含む開口142は、同一の開口142であっても良いし、互いに異なる開口142であってもよい。
Note that the terminal 132 is also disposed inside the
本実施例によっても、被覆膜140の縁の角部でクラックが発生することを抑制できる。
Also according to the present embodiment, the occurrence of cracks at the corners of the edge of the
(実施例3)
図7は、実施例3に係る発光装置10の構成を示す平面図であり、実施例2における図6に対応している。本実施例に係る発光装置10は、以下の点を除いて、実施例2に係る発光装置10と同様の構成である。
(Example 3)
FIG. 7 is a plan view illustrating a configuration of the
本実施例において、発光装置10はディスプレイであり、マトリクス状に配置された複数の発光素子102を有している。
In this embodiment, the
詳細には、複数の第1電極110が互いに平行に延在しており、かつ、複数の第2電極130が、互いに平行かつ第1電極110と交わる方向(例えば直交する方向)に延在している。そして、第1電極110と第2電極130の交点のそれぞれに、発光素子102が形成されている。具体的には、絶縁層160は、複数の第1電極110の上に跨って形成されている。絶縁層160のうち、第1電極110と第2電極130の交点に位置する部分には開口が形成されている。そして、この開口内には、有機層120が設けられている。
Specifically, the plurality of
端子112は複数の第1電極110のそれぞれと電気的に接続されており、また、端子132は複数の第2電極130のそれぞれと電気的に接続されている。複数の端子112,132は、いずれも基板100の縁に沿って配置されている。本図に示す例では、複数の端子112,132は、いずれも基板100の同一の辺に沿って配置されており、かつ、同一の開口142の内側に配置されている。ただし、端子112と端子132は、基板100のうち互いに異なる辺に沿って配置されていてもよい。この場合、端子112と端子132は、互いに異なる開口142の内側に配置される。
The terminal 112 is electrically connected to each of the plurality of
また、絶縁層160の上には、隔壁が形成されていてもよい。この場合、隔壁は、複数の第2電極130の間に位置している。隔壁の断面は、上底が下底よりも長い台形となっている。隔壁の上面には、第2電極130と同様の材料からなる導電層が形成されている。隔壁は、第2電極130を蒸着法又はスパッタリング法で形成する際に、隣り合う第2電極130を互いに分離するために設けられている。このため、隔壁は、絶縁層160が形成された後、第2電極130が形成される前(好ましくは有機層120が形成される前)に形成される。
Further, a partition wall may be formed over the insulating
本実施例によっても、被覆膜140の縁の角部でクラックが発生することを抑制できる。
Also according to the present embodiment, the occurrence of cracks at the corners of the edge of the
以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。 As mentioned above, although embodiment and the Example were described with reference to drawings, these are illustrations of this invention and can also employ | adopt various structures other than the above.
10 発光装置
12 スクライブライン(第2の非被覆領域)
100 基板
102 発光素子
112 端子
132 端子
140 被覆膜
142 開口(非被覆領域)
10 Light-emitting
100
Claims (5)
前記基板に形成された発光素子と、
前記基板に形成され、前記発光素子を被覆する被覆膜と、
を備え、
前記基板は、前記被覆膜によって覆われていない非被覆領域を有し、
前記非被覆領域と前記被覆膜の境界において、前記被覆膜の縁の角部は、隣り合う2つの直線の延長する交点の内角が90度以下のとき曲線になっている発光装置。 A substrate,
A light emitting device formed on the substrate;
A coating film formed on the substrate and covering the light emitting element;
With
The substrate has an uncovered region not covered by the coating film;
The light-emitting device in which the corner of the edge of the coating film is a curve at the boundary between the non-covering region and the coating film when the inner angle of the intersection of two adjacent straight lines is 90 degrees or less.
前記非被覆領域は、前記被覆膜に形成された開口であり、
さらに、前記開口内に位置していて前記発光素子と電気的に接続する端子を備える発光装置。 The light-emitting device according to claim 1.
The uncovered region is an opening formed in the coating film,
Furthermore, a light-emitting device provided with a terminal located in the opening and electrically connected to the light-emitting element.
前記基板の縁に沿って形成された第2の前記非被覆領域を備える発光装置。 The light-emitting device according to claim 2.
A light emitting device comprising the second uncovered region formed along an edge of the substrate.
前記基板は多角形であり、
前記第2の非被覆領域と前記被覆膜の境界は、前記基板の各辺に沿って延在しており、かつ前記基板の角部に対応する部分は曲線になっている発光装置。 The light emitting device according to claim 3.
The substrate is polygonal;
A boundary between the second non-covering region and the coating film extends along each side of the substrate, and a portion corresponding to a corner of the substrate is a curved light-emitting device.
前記非被覆領域及び前記第2の非被覆領域は、前記被覆膜を除去することにより形成されている発光装置。 The light-emitting device according to claim 4.
The light emitting device in which the non-covering region and the second non-covering region are formed by removing the coating film.
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106373981A (en) * | 2016-08-29 | 2017-02-01 | 上海天马微电子有限公司 | Flexible display panel and manufacturing method therefor |
JP6375015B1 (en) * | 2017-04-25 | 2018-08-15 | 住友化学株式会社 | Method for manufacturing organic electronic device |
WO2019186823A1 (en) * | 2018-03-28 | 2019-10-03 | シャープ株式会社 | Display device |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003024354A (en) * | 2001-07-11 | 2003-01-28 | Nabco Ltd | Adapter device for artificial leg |
JP2004039542A (en) * | 2002-07-05 | 2004-02-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light emitting device and its manufacturing method |
JP2008218306A (en) * | 2007-03-07 | 2008-09-18 | Pioneer Electronic Corp | Optical device |
JP2011128481A (en) * | 2009-12-21 | 2011-06-30 | Seiko Epson Corp | Electrooptical device, method of manufacturing the same, and electronic equipment |
JP2011192660A (en) * | 2004-10-22 | 2011-09-29 | Seiko Epson Corp | Organic electroluminescent device and electronic device |
JP2012014859A (en) * | 2010-06-29 | 2012-01-19 | Tdk Micro Device Corp | Organic el display device |
JP2014089803A (en) * | 2012-10-29 | 2014-05-15 | Seiko Epson Corp | Method for manufacturing organic el device, organic el device, and electronic equipment |
-
2014
- 2014-03-25 JP JP2014062721A patent/JP2015185479A/en active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003024354A (en) * | 2001-07-11 | 2003-01-28 | Nabco Ltd | Adapter device for artificial leg |
JP2004039542A (en) * | 2002-07-05 | 2004-02-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light emitting device and its manufacturing method |
JP2011192660A (en) * | 2004-10-22 | 2011-09-29 | Seiko Epson Corp | Organic electroluminescent device and electronic device |
JP2008218306A (en) * | 2007-03-07 | 2008-09-18 | Pioneer Electronic Corp | Optical device |
JP2011128481A (en) * | 2009-12-21 | 2011-06-30 | Seiko Epson Corp | Electrooptical device, method of manufacturing the same, and electronic equipment |
JP2012014859A (en) * | 2010-06-29 | 2012-01-19 | Tdk Micro Device Corp | Organic el display device |
JP2014089803A (en) * | 2012-10-29 | 2014-05-15 | Seiko Epson Corp | Method for manufacturing organic el device, organic el device, and electronic equipment |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106373981A (en) * | 2016-08-29 | 2017-02-01 | 上海天马微电子有限公司 | Flexible display panel and manufacturing method therefor |
CN106373981B (en) * | 2016-08-29 | 2024-04-16 | 上海天马微电子有限公司 | Flexible display panel and manufacturing method thereof |
JP6375015B1 (en) * | 2017-04-25 | 2018-08-15 | 住友化学株式会社 | Method for manufacturing organic electronic device |
JP2018185927A (en) * | 2017-04-25 | 2018-11-22 | 住友化学株式会社 | Manufacturing method for organic electronic device |
WO2019186823A1 (en) * | 2018-03-28 | 2019-10-03 | シャープ株式会社 | Display device |
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