KR20170106093A - Transparent electrode and fabrication method thereof - Google Patents

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KR20170106093A
KR20170106093A KR1020160029790A KR20160029790A KR20170106093A KR 20170106093 A KR20170106093 A KR 20170106093A KR 1020160029790 A KR1020160029790 A KR 1020160029790A KR 20160029790 A KR20160029790 A KR 20160029790A KR 20170106093 A KR20170106093 A KR 20170106093A
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최춘기
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최진식
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최영규
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한국전자통신연구원
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Abstract

Provided is a transparent electrode which has a graphene sandwich structure having flexibility. The transparent electrode comprises: a first graphene layer; a transparent conductive layer arranged on the first graphene layer; and a second graphene layer arranged on the transparent conductive layer. The first and second graphene layers include at least one of monolayer graphene and a multi-layer graphene. The transparent conductive layer includes a conductive nanowire network including a plurality of conductive nanowires. At least one point of one conductive nanowire can be electrically connected to other conductive nanowires.

Description

투명 전극 및 이의 제조 방법{TRANSPARENT ELECTRODE AND FABRICATION METHOD THEREOF}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a transparent electrode,

본 발명은 투명 전극 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a transparent electrode and a method of manufacturing the same.

전자 소자 및 디스플레이 장치의 투명 전극으로 ITO가 사용되고 있다. 상기 ITO를 포함하는 투명 전극(이하, 'ITO 투명 전극'이라 칭함)는 높은 전기전도도 및 우수한 광 투과도를 가지고 있다.ITO is used as a transparent electrode of electronic devices and display devices. The ITO-containing transparent electrode (hereinafter referred to as " ITO transparent electrode ") has high electrical conductivity and excellent light transmittance.

상기 ITO 투명 전극은 일반적으로 스퍼터링과 같은 증착 공정을 통하여 형성되므로, 상기 ITO 투명 전극의 제조 공정 비용은 일반적인 금속 전극의 제조 공정 비용에 비하여 크다. 따라서, 상기 ITO 투명 전극은 상기 전자 소자 및 상기 디스플레이 장치의 제조 단가 상승의 원인이 될 수 있다. Since the ITO transparent electrode is generally formed through a deposition process such as sputtering, the manufacturing process cost of the ITO transparent electrode is larger than the manufacturing process cost of a general metal electrode. Therefore, the ITO transparent electrode may cause a rise in manufacturing cost of the electronic device and the display device.

상기 ITO 투명 전극은 치밀한 박막 구조를 가진다. 상기 전자 소자 및 상기 디스플레이가 반복적으로 변형, 예를 들면, 휘어지거나 벤딩되면, 상기 ITO 투명 전극 내에 크랙이 발생할 수 있다. 따라서, 상기 ITO 투명 전극은 가요성 투명 전극으로 적합하지 않은 단점이 있다. The ITO transparent electrode has a dense thin film structure. When the electronic device and the display are repeatedly deformed, for example, bent or bent, a crack may occur in the ITO transparent electrode. Therefore, the ITO transparent electrode is not suitable as a flexible transparent electrode.

본 발명의 일 목적은 가요성을 가지는 그래핀 샌드위치 구조를 가지는 투명 전극을 제공하는 것이다. It is an object of the present invention to provide a transparent electrode having a flexible graphene sandwich structure.

또한, 본 발명의 다른 목적은 상기 투명 전극의 제조 방법을 제공하는 것이다. Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing the transparent electrode.

본 발명의 일 목적에 따른 투명 전극은 제1 그래핀층; 상기 제1 그래핀층 상에 배치된 투명 도전층; 및 상기 투명 도전층 상에 배치된 제2 그래핀층을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2 그래핀층은 단층 그래핀 및 다층 그래핀 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 투명 도전층은 복수의 도전성 나노와이어들을 포함하는 도전성 나노와이어 네트워크를 포함하며, 하나의 도전성 나노와이어의 적어도 일 지점은 다른 도전성 나노와이어와 전기적으로 연결될 수 있다. A transparent electrode according to one aspect of the present invention includes a first graphene layer; A transparent conductive layer disposed on the first graphene layer; And a second graphene layer disposed on the transparent conductive layer. The first and second graphene layers may comprise at least one of a single layer graphene and a multi-layer graphene. The transparent conductive layer includes a conductive nanowire network including a plurality of conductive nanowires, wherein at least one point of one conductive nanowire may be electrically connected to another conductive nanowire.

본 발명의 다른 목적에 따른 투명 전극의 제조 방법은 금속 촉매 상에 제1 그래핀층을 형성하는 단계; 상기 제1 그래핀층 상에 투명 도전층을 형성하는 단계; 상기 투명 도전층 상에 제2 그래핀층을 배치하는 단계; 및 상기 제1 그래핀층, 상기 투명 도전층 및 상기 제2 그래핀층의 접착성을 향상시키는 단계를 포함할 수 있다. According to another aspect of the present invention, there is provided a method of fabricating a transparent electrode, comprising: forming a first graphene layer on a metal catalyst; Forming a transparent conductive layer on the first graphene layer; Disposing a second graphene layer on the transparent conductive layer; And improving adhesion of the first graphene layer, the transparent conductive layer, and the second graphene layer.

상술한 바와 같은 투명 전극은 그래핀 샌드위치 구조를 가지므로, 상기 투명 전극은 가요성을 가질 수 있다. 또한, 상기 투명 전극은 별도로 제조된 후, 전자 소자의 기판 또는 디스플레이 장치의 기판에 전사된다. 따라서, 상기 투명 전극은 상기 전자 소자의 기판 또는 상기 디스플레이 장치의 기판의 종류에 영향을 받지 않고 자유로이 제조될 수 있다. Since the transparent electrode as described above has a graphene sandwich structure, the transparent electrode may have flexibility. In addition, the transparent electrode is manufactured separately and then transferred to a substrate of an electronic device or a substrate of a display device. Therefore, the transparent electrode can be freely manufactured without being affected by the substrate of the electronic element or the substrate of the display apparatus.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 전극을 설명하기 위한 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 투명 전극이 적용된 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 3은 도 1 및 도 2에 도시된 투명 전극의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 4 내지 도 9는 도 3에 도시된 투명 전극의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 사시도이다.
도 10은 금속 촉매 상에서 성장된 그래핀 상에 은 나노와이어가 분포된 상태를 촬영한 광학 사진이다.
도 11은 도 10의 그래핀 상에 은 나노와이어가 분포된 도전체의 라만 스펙트럼을 설명하기 위한 그래프이다.
1 is a perspective view illustrating a transparent electrode according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display device to which the transparent electrode shown in FIG. 1 is applied.
FIG. 3 is a flow chart for explaining a method of manufacturing the transparent electrode shown in FIGS. 1 and 2. FIG.
4 to 9 are process perspective views illustrating a method of manufacturing the transparent electrode shown in FIG.
10 is an optical photograph of a state in which silver nanowires are distributed on graphenes grown on a metal catalyst.
FIG. 11 is a graph for explaining Raman spectrum of a conductor in which silver nanowires are distributed on the graphene of FIG. 10; FIG.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. The present invention is capable of various modifications and various forms, and specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the text. It should be understood, however, that the invention is not intended to be limited to the particular forms disclosed, but includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention.

각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. Like reference numerals are used for like elements in describing each drawing. In the accompanying drawings, the dimensions of the structures are shown enlarged from the actual for the sake of clarity of the present invention. The terms first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as a second component, and similarly, the second component may also be referred to as a first component. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise.

본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "아래에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 아래에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.In the present application, the terms "comprises" or "having" and the like are used to specify that there is a feature, a number, a step, an operation, an element, a component or a combination thereof described in the specification, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof. Also, where a section such as a layer, a film, an area, a plate, or the like is referred to as being "on" another section, it includes not only the case where it is "directly on" another part but also the case where there is another part in between. On the contrary, where a section such as a layer, a film, an area, a plate, etc. is referred to as being "under" another section, this includes not only the case where the section is "directly underneath"

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명한다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 전극을 설명하기 위한 사시도이다. 1 is a perspective view illustrating a transparent electrode according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 투명 전극(TE)은 그래핀-도전성 나노와이어-그래핀 적층형 투명 전극일 수 있다. 이를 보다 상세히 설명하면, 상기 투명 전극(TE)은 제1 그래핀층(GL1), 상기 제1 그래핀층(GL1) 상에 배치되는 투명 도전층(TCL), 및 상기 투명 도전층(TCL) 상에 배치되는 제2 그래핀층(GL2)을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 1, the transparent electrode TE may be a graphene-conductive nanowire-graphene stacked transparent electrode. More specifically, the transparent electrode TE includes a first graphene layer GL1, a transparent conductive layer TCL disposed on the first graphene layer GL1, and a transparent conductive layer TCL on the transparent conductive layer TCL. And a second graphene layer (GL2) disposed thereon.

상기 투명 도전층(TCL)은 복수의 도전성 나노와이어들을 구비하는 도전성 나노와이어 네트워크를 포함할 수 있다. 여기서, 상기 도전성 나노와이어들은 은 나노와이어(AgNW, Ag nano-wire)들을 포함할 수 있다. 각 도전성 나노와이어의 적어도 일 지점은 타 도전성 나노와이어와 접촉할 수 있다. 따라서, 각 도전성 나노와이어는 타 도전성 나노와이어와 전기적으로 연결되어, 도전성 나노와이어 네트워크를 구성할 수 있다. The transparent conductive layer (TCL) may include a conductive nanowire network having a plurality of conductive nanowires. Here, the conductive nanowires may include silver nanowires (AgNW, Ag nano-wires). At least one point of each conductive nanowire may be in contact with another conductive nanowire. Thus, each conductive nanowire can be electrically connected to another conductive nanowire to form a conductive nanowire network.

상기 도전성 나노와어들의 직경은 10㎚ 내지 100㎚일 수 있으며, 상기 도전성 나노와이어들의 길이는 2㎛ 내지 100㎛일 수 있다. The diameter of the conductive nanowires may be 10 nm to 100 nm, and the length of the conductive nanowires may be 2 to 100 μm.

상기 제1 그래핀층(GL1) 및 상기 제2 그래핀층(GL2)은 상기 투명 도전층(TCL) 상하에 배치되어, 상기 투명 도전층(TCL)으로 수분 또는 산소가 침투하는 것을 방지할 수 있다. 즉, 상기 제1 그래핀층(GL1) 및 상기 제2 그래핀층(GL2)은 상기 투명 도전층(TCL)의 보호막으로, 상기 투명 도전층(TCL)의 상기 도전성 나노와이어들이 산화되는 것을 방지할 수 있다. The first and second graphene layers GL1 and GL2 may be disposed above and below the transparent conductive layer TCL to prevent moisture or oxygen from penetrating into the transparent conductive layer TCL. That is, the first and second graphene layers GL1 and GL2 are protective layers of the transparent conductive layer TCL to prevent the conductive nanowires of the transparent conductive layer TCL from being oxidized have.

상기 제1 그래핀층(GL1) 및 상기 제2 그래핀층(GL2)은 단층 그래핀 및 다층 그래핀 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. The first graphene layer GL1 and the second graphene layer GL2 may include at least one of a single-layer graphene and a multi-layer graphene.

상술한 바와 같이, 상기 투명 전극(TE)은 상기 제1 그래핀층(GL1), 상기 제2 그래핀층(GL2), 및 상기 제1 그래핀층(GL1)과 상기 제2 그래핀층(GL2) 사이에 배치된 투명 도전층(TCL)을 포함하는 그래핀 샌드위치 구조를 가질 수 있다. 여기서, 상기 제1 그래핀층(GL1) 및 상기 제2 그래핀층(GL2)은 가요성을 가질 수 있다. 또한, 상기 투명 도전층(TCL)은 도전성 나노와이어 네트워크, 예를 들면, 은 나노와이어 네트워크를 포함하므로, 상기 투명 도전층(TCL)도 가요성을 가질 수 있다. 따라서, 상기 투명 전극(TE)은 가요성을 가질 수 있다. As described above, the transparent electrode TE is formed between the first graphene layer GL1, the second graphene layer GL2, and the first graphene layer GL1 and the second graphene layer GL2 And may have a graphene sandwich structure including a disposed transparent conductive layer (TCL). Here, the first graphene layer GL1 and the second graphene layer GL2 may have flexibility. Also, since the transparent conductive layer (TCL) includes a conductive nanowire network, for example, a silver nanowire network, the transparent conductive layer (TCL) may also have flexibility. Therefore, the transparent electrode TE may have flexibility.

또한, 상기 투명 전극(TE)은 상기 제1 그래핀층(GL1) 및 상기 제2 그래핀층(GL2)이 상기 도전성 나노와이어들이 산화되는 것을 방지하므로, 상기 투명 전극(TE)이 적용된 전자 소자 및 디스플레이 장치의 성능 저하가 방지될 수 있다. The transparent electrode TE prevents the conductive nanowires from being oxidized by the first graphene layer GL1 and the second graphene layer GL2, Degradation of the performance of the apparatus can be prevented.

하기에서는 도 2를 참조하여 상기 투명 전극(TE)이 적용된 유기 발광 표시 장치를 설명한다. Hereinafter, an organic light emitting display device to which the transparent electrode TE is applied will be described with reference to FIG.

도 2는 도 1에 도시된 투명 전극이 적용된 유기 발광 표시 장치를 설명하기 위한 단면도이다. FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating an organic light emitting display device to which the transparent electrode shown in FIG. 1 is applied.

도 1 및 도 2를 참조하면, 유기 발광 표시 장치는 제1 기판(BS), 상기 제1 기판(BS) 상에 배치되는 유기 발광 소자(OLED), 및 상기 유기 발광 소자(OLED) 상에 배치되는 제2 기판(ES)을 포함할 수 있다. 1 and 2, an OLED display includes a first substrate BS, an organic light emitting diode OLED disposed on the first substrate BS, and a second organic light emitting diode OLED disposed on the organic light emitting diode OLED. And a second substrate (ES).

상기 제1 기판(BS)은 복수의 화소 영역들을 포함하는 절연 기판(미도시), 및 상기 절연 기판 상의 각 화소 영역에 배치된 적어도 하나의 박막 트랜지스터(미도시)를 포함할 수 있다. The first substrate BS may include an insulating substrate (not shown) including a plurality of pixel regions, and at least one thin film transistor (not shown) disposed in each pixel region on the insulating substrate.

상기 절연 기판은 투명 절연 물질을 포함하여 광을 투과시킬 수 있다. 또한, 상기 절연 기판은 가요성 기판일 수 있다. 상기 가요성 기판은 고분자 유기물을 포함하는 필름 기판 및 플라스틱 기판을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 가요성 기판은 폴리에테르술폰(PES, polyethersulfone), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리에테르이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethylene naphthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET, polyethylene terephthalate), 폴리페닐렌 설파이드(PPS, polyphenylene sulfide), 폴리아릴레이트(PAR, polyarylate), 폴리이미드(PI, polyimide), 폴리카보네이트(PC, polycarbonate), 트리아세테이트 셀룰로오스(TAC, triacetate cellulose), 및 셀룰로오스아세테이트 프로피오네이트(CAP, cellulose acetate propionate) 중 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 가요성 기판은 유리 섬유 강화플라스틱(FRP, fiber glass reinforced plastic)을 포함할 수도 있다. The insulating substrate may include a transparent insulating material to transmit light. Further, the insulating substrate may be a flexible substrate. The flexible substrate may include a film substrate including a polymer organic substance and a plastic substrate. For example, the flexible substrate may be formed of a material selected from the group consisting of polyethersulfone (PES), polyacrylate, polyetherimide (PEI), polyethylene naphthalate (PEN), polyethylene terephthalate (PET) polyethylene terephthalate, polyphenylene sulfide (PPS), polyarylate (PAR), polyimide (PI), polycarbonate (PC), triacetate cellulose (TAC) And cellulose acetate propionate (CAP). In addition, the flexible substrate may include fiberglass reinforced plastic (FRP).

상기 절연 기판에 적용되는 물질은 상기 표시 장치의 제조 공정 시, 높은 처리 온도에 대해 저항성(또는 내열성)을 갖는 것이 바람직하다. The material to be applied to the insulating substrate preferably has resistance (or heat resistance) to a high processing temperature in the manufacturing process of the display device.

상기 박막 트랜지스터는 반도체층, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하며, 상기 드레인 전극은 상기 유기 발광 소자(OLED)와 접속할 수 있다. The thin film transistor includes a semiconductor layer, a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode, and the drain electrode may be connected to the organic light emitting diode OLED.

상기 반도체층은 상기 소스 전극에 접속되는 소스 영역, 상기 드레인 전극에 접속되는 드레인 영역, 및 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역 사이의 채널 영역을 포함할 수 있다. 상기 채널 영역의 일부는 상기 게이트 전극과 중첩될 수 있다. The semiconductor layer may include a source region connected to the source electrode, a drain region connected to the drain electrode, and a channel region between the source region and the drain region. A portion of the channel region may overlap the gate electrode.

상기 반도체층 및 상기 게이트 전극 사이에는 게이트 절연막이 배치되며, 상기 게이트 절연막은 상기 반도체층 및 상기 게이트 전극을 절연시킬 수 있다. A gate insulating film is disposed between the semiconductor layer and the gate electrode, and the gate insulating film can insulate the semiconductor layer and the gate electrode.

상기 유기 발광 소자(OLED)는 상기 제1 기판(BS) 상에 배치되는 제1 전극(100), 상기 제1 전극(100) 상에 배치되는 유기막(200), 및 상기 유기막(200) 상에 배치되는 제2 전극(300)을 포함할 수 있다. The organic light emitting device OLED includes a first electrode 100 disposed on the first substrate BS, an organic layer 200 disposed on the first electrode 100, And a second electrode 300 disposed on the second electrode 300.

상기 제1 전극(100) 및 상기 제2 전극(300) 중 하나는 애노드(anode) 전극일 수 있으며, 다른 하나는 캐소드(cathode) 전극일 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 전극(100)는 애노드 전극일 수 있으며, 상기 제2 전극(300)는 캐소드 전극일 수 있다. One of the first electrode 100 and the second electrode 300 may be an anode and the other may be a cathode electrode. For example, the first electrode 100 may be an anode electrode, and the second electrode 300 may be a cathode electrode.

또한, 상기 제1 전극(100) 및 상기 제2 전극(300) 중 적어도 하나는 투과형 전극일 수 있다. 예를 들면, 상기 유기 발광 소자(OLED)가 배면 발광형 유기 발광 소자인 경우, 상기 제1 전극(100)이 투과형 전극이며, 상기 제2 전극(300)이 반사형 전극일 수 있다. 상기 유기 발광 소자(OLED)가 전면 발광형 유기 발광 소자인 경우, 상기 제1 전극(100)이 반사형 전극이며, 상기 제2 전극(300)이 투과형 전극일 수 있다. 상기 유기 발광 소자(OLED)가 양면 발광형 유기 발광 소자인 경우, 상기 제1 전극(100) 및 상기 제2 전극(300) 모두 투과형 전극일 수 있다. 본 실시예에서는 상기 유기 발광 소자(OLED)가 배면 발광형 유기 발광 소자이며, 상기 제1 전극(100)이 애노드 전극이고, 상기 제2 전극(300)이 캐소드 전극인 경우를 예로서 설명한다. At least one of the first electrode 100 and the second electrode 300 may be a transmissive electrode. For example, when the organic light emitting diode OLED is a back emission organic light emitting diode, the first electrode 100 may be a transmissive electrode, and the second electrode 300 may be a reflective electrode. When the organic light emitting diode OLED is a front emission type organic light emitting diode, the first electrode 100 may be a reflective electrode and the second electrode 300 may be a transmissive electrode. When the organic light emitting diode OLED is a double-sided light emitting organic light emitting diode, both the first electrode 100 and the second electrode 300 may be a transmissive electrode. In this embodiment, the organic light emitting device OLED is a back light emitting organic light emitting device, the first electrode 100 is an anode electrode, and the second electrode 300 is a cathode electrode.

상기 제1 전극(100)은 상기 제1 기판(BS) 상에 배치되고, 상기 드레인 전극에 접속될 수 있다. 또한, 상기 제1 전극(100)은 도 1에 도시된 투명 전극(TE)일 수 있다. 즉, 상기 제1 전극(100)은 제1 그래핀층(GL1), 상기 제1 그래핀층(GL1) 상에 배치되고, 도전성 나노와이어 네트워크를 포함하는 투명 도전층(TCL), 및 상기 투명 도전층(TCL) 상에 배치되는 제2 그래핀층(GL2)을 포함할 수 있다. 상기 제1 그래핀층(GL1) 및 상기 제2 그래핀층(GL2) 중 하나는 상기 드레인 전극에 접속될 수 있다. The first electrode 100 may be disposed on the first substrate BS and may be connected to the drain electrode. In addition, the first electrode 100 may be the transparent electrode TE shown in FIG. That is, the first electrode 100 includes a first graphene layer GL1, a transparent conductive layer TCL disposed on the first graphene layer GL1 and including a conductive nanowire network, And a second graphene layer (GL2) disposed on the second semiconductor layer (TCL). One of the first graphene layer GL1 and the second graphene layer GL2 may be connected to the drain electrode.

상기 유기막(200)은 상기 제1 전극(100)의 노출된 표면 상에 배치될 수 있다. 상기 유기막(200)은 적어도 발광층(emitting layer, EML)을 포함하는 다층 박막 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 유기막(200)은 정공을 주입하는 정공 주입층(hole injection layer, HIL), 정공의 수송성이 우수하고 상기 발광층에서 결합하지 못한 전자의 이동을 억제하여 정공과 전자의 재결합 기회를 증가시키기 위한 정공 수송층(hole transport layer, HTL), 주입된 전자와 정공의 재결합에 의하여 광을 발하는 상기 발광층, 상기 발광층에서 결합하지 못한 정공의 이동을 억제하기 위한 정공 억제층(hole blocking layer, HBL), 전자를 상기 발광층으로 원활히 수송하기 위한 전자 수송층(electron transport layer, ETL), 및 전자를 주입하는 전자 주입층(electron injection layer, EIL)을 구비할 수 있다. The organic layer 200 may be disposed on the exposed surface of the first electrode 100. The organic layer 200 may have a multi-layered structure including at least an emission layer (EML). For example, the organic layer 200 may include a hole injection layer (HIL) for injecting holes, a hole injection layer (HIL) for injecting holes, an electron transport layer A hole transport layer (HTL) for increasing the hole transport layer (HTL), a light emitting layer for emitting light by recombination of injected electrons and holes, a hole blocking layer for suppressing movement of holes not coupled in the light emitting layer, HBL), an electron transport layer (ETL) for smoothly transporting electrons to the light emitting layer, and an electron injection layer (EIL) for injecting electrons.

상기 발광층에서 생성되는 광의 색상은 적색(red), 녹색(grean), 청색(blue) 및 백색(white) 중 하나일 수 있으나, 본 실시예에서 이를 한정하는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 유기막(200)의 상기 발광층에서 생성되는 광의 색상은 마젠타(magenta), 시안(cyan), 옐로(yellow) 중 하나일 수 있다. The color of light generated in the light emitting layer may be one of red, green, blue, and white, but the present invention is not limited thereto. For example, the color of light generated in the light emitting layer of the organic layer 200 may be one of magenta, cyan, and yellow.

상기 제2 전극(300)은 광을 반사시킬 수 있는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 전극(300)은 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 및 이들의 합금 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. The second electrode 300 may include a material capable of reflecting light. For example, the second electrode 300 may be formed of a metal such as molybdenum (Mo), tungsten (W), silver (Ag), magnesium (Mg), aluminum (Al), platinum (Pt), palladium ), At least one of nickel (Ni), neodymium (Nd), iridium (Ir), chromium (Cr), lithium (Li), calcium (Ca) and alloys thereof.

상기 제2 기판(ES)은 상기 유기 발광 소자를 외부 환경과 격리시키며, 실런트와 같은 봉지재를 통하여 상기 제1 기판(BS)과 합착될 수 있다. 상기 제2 기판(ES)은 상기 절연 기판과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 기판(ES)은 가요성 기판일 수 있다. 한편, 상기 유기 발광 소자가 투명 절연막 등으로 봉지된 경우, 상기 제2 기판(ES)은 생략될 수 있다. The second substrate ES isolates the organic light emitting device from the external environment and may be attached to the first substrate BS through a sealing material such as a sealant. The second substrate ES may include the same material as the insulating substrate. For example, the second substrate ES may be a flexible substrate. On the other hand, when the organic light emitting device is sealed with a transparent insulating film or the like, the second substrate ES may be omitted.

상술한 바와 같이, 상기 투명 전극(TE)은 상기 제1 그래핀층(GL1), 상기 투명 도전층(TCL) 및 상기 제2 그래핀층(GL2)은 모두 가요성을 가질 수 있다. 따라서, 상기 투명 전극(TE)은 가요성을 가질 수 있다. As described above, the transparent electrode TE may have flexibility both in the first graphene layer GL1, the transparent conductive layer TCL, and the second graphene layer GL2. Therefore, the transparent electrode TE may have flexibility.

상기 유기 발광 표시 장치가 반복적으로 휘거나 벤딩되더라도, 상기 투명 전극(TE)이 가요성을 가지므로, 상기 투명 전극(TE) 내부에 크랙이 발생하는 것을 방지할 수 있다. Even if the organic light emitting display device is bent or bent repeatedly, the transparent electrode TE has flexibility, so that cracks can be prevented from being generated in the transparent electrode TE.

하기에서는 도 3 내지 도 9를 참조하여, 상기 투명 전극(TE)의 제조 방법을 설명한다. Hereinafter, a method of manufacturing the transparent electrode TE will be described with reference to FIGS.

도 3은 도 1 및 도 2에 도시된 투명 전극의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이며, 도 4 내지 도 9는 도 3에 도시된 투명 전극의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 사시도이며, 도 10은 금속 촉매 상에서 성장된 그래핀 상에 은 나노와이어가 분포된 상태를 촬영한 광학 사진이며, 도 11은 도 10의 그래핀 상에 은 나노와이어가 분포된 도전체의 라만 스펙트럼을 설명하기 위한 그래프이다. FIG. 3 is a flow chart for explaining the method of manufacturing the transparent electrode shown in FIGS. 1 and 2, FIGS. 4 to 9 are process perspective views for explaining the method of manufacturing the transparent electrode shown in FIG. 3, FIG. 11 is a graph for explaining Raman spectrum of a conductor in which silver nanowires are distributed on the graphene of FIG. 10; FIG. 11 is a graph illustrating the distribution of silver nanowires on the graphenes grown on a metal catalyst .

도 3 내지 도 도 11을 참조하면, 투명 전극의 제조 방법은 금속 촉매 상에 제1 그래핀층을 형성하는 단계(S1), 상기 제1 그래핀층 상에 투명 도전층을 형성하는 단계(S2), 상기 투명 도전층 상에 제2 그래핀층을 배치하여 제1 그래핀층, 투명 도전층 및 제2 그래핀층을 포함하는 투명 전극을 형성하는 단계(S3), 상기 제1 그래핀층, 상기 투명 도전층 및 상기 제2 그래핀층의 접착성을 향상시키는 단계(S4), 및 금속 촉매를 제거하는 단계(S5)를 포함할 수 있다. 3 to 11, a method of fabricating a transparent electrode includes forming a first graphene layer on a metal catalyst (S1), forming a transparent conductive layer on the first graphene layer (S2) Forming a transparent electrode including a first graphene layer, a transparent conductive layer, and a second graphene layer by disposing a second graphene layer on the transparent conductive layer; Improving the adhesion of the second graphene layer (S4), and removing the metal catalyst (S5).

상기 금속 촉매 상에 제1 그래핀층을 형성하는 단계(S1)에서는, 그래핀을 성장시킬 수 있는 금속 촉매(MC) 상에 제1 그래핀층(GL1)이 형성될 수 있다. In the step (S1) of forming the first graphene layer on the metal catalyst, the first graphene layer (GL1) may be formed on the metal catalyst (MC) capable of growing graphene.

도 4에 도시된 바와 같이, 상기 금속 촉매(MC)는 베이스 기판(MC1) 및 상기 베이스 기판(MC1) 상에 형성된 금속 촉매층(MC2)을 포함할 수 있다. 상기 베이스 기판(MC1)은 실리콘(Si)을 포함하는 기판일 수 있다. 상기 금속 촉매층(MC2)은 구리(Cu) 및 니켈(Ni) 중 하나를 포함할 수 있다. As shown in FIG. 4, the metal catalyst MC may include a base substrate MC1 and a metal catalyst layer MC2 formed on the base substrate MC1. The base substrate MC1 may be a substrate including silicon (Si). The metal catalyst layer MC2 may include one of copper (Cu) and nickel (Ni).

상기 금속 촉매(MC)는 화학 기상 증착(CVD)을 수행할 수 있는 공정 챔버에 투입되며, 상기 제1 그래핀층(GL1)은 상기 금속 촉매층(MC2) 상에서 성장하여 형성될 수 있다. 여기서, 상기 공정 챔버는 석영 튜브(quartz tube)이며, 상기 공정 챔버 내부의 온도는 약 800℃ 내지 1200℃일 수 있다. 상기 공정 챔버에 공급되는 공정 가스는 수소(H2) 및 메탄(CH4)의 혼합 가스일 수 있다. 또한, 상기 금속 촉매(MC)는 석영 플레이트 상에 안착된 상태로 상기 공정 챔버에 투입될 수 있다. The metal catalyst MC may be introduced into a process chamber capable of performing chemical vapor deposition (CVD), and the first graphene layer GL1 may be grown on the metal catalyst layer MC2. Here, the process chamber is a quartz tube, and the temperature inside the process chamber may be about 800 ° C to 1200 ° C. The process gas supplied to the process chamber may be a mixed gas of hydrogen (H2) and methane (CH4). Further, the metal catalyst (MC) may be put into the process chamber while being placed on a quartz plate.

상기 금속 촉매(MC)가 상기 공정 챔버로 투입되면, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 금속 촉매층(MC2) 상에 제1 그래핀층(GL1)이 형성된다. 상기 제1 그래핀층(GL1)은 단층 그래핀(single-layer graphene) 및 다층 그래핀(muti-layer graphene) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. When the metal catalyst MC is injected into the process chamber, a first graphene layer GL1 is formed on the metal catalyst layer MC2 as shown in FIG. The first graphene layer GL1 may include at least one of a single-layer graphene and a muti-layer graphene.

상기 금속 촉매층(MC2)이 니켈을 포함하면, 상기 메탄(CH4)에 의해 공급되는 탄소 원자들 중 일부는 상기 금속 촉매층(MC2) 상에서 그래핀이 성장될 수 있다. 이와 동시에 상기 탄소 원자들 중 나머지는 상기 니켈의 격자 내부로 침투할 수 있다. 상기 니켈의 격자 내부로 침투한 상기 탄소 원자들은 상기 화학 기상 증착 공정에서 상기 니켈의 격자 외부, 예를 들면, 상기 금속 촉매층(MC2) 및 상기 그래핀 사이로 석출될 수 있다. 석출된 상기 탄소 원자들은 별도의 그래핀을 형성할 수 있다. 따라서, 니켈을 포함하는 상기 금속 촉매층(MC2) 상에 형성된 상기 제1 그래핀층(GL1)은 다층 그래핀(muti-layer graphene)을 포함할 수 있다. When the metal catalyst layer (MC2) comprises nickel, and some of the carbon atoms supplied by the methane (CH 4) may be growing graphene on the metal catalyst (MC2). While the remainder of the carbon atoms can penetrate into the lattice of the nickel. The carbon atoms penetrating into the lattice of the nickel may be precipitated outside the lattice of the nickel, for example, the metal catalyst layer (MC2) and the graphene in the chemical vapor deposition process. The precipitated carbon atoms may form separate graphenes. Accordingly, the first graphene layer GL1 formed on the metal catalyst layer MC2 including nickel may include a multi-layer graphene.

또한, 상기 금속 촉매층(MC2)이 구리를 포함하면, 상기 메탄(CH4)에 의해 공급되는 탄소 원자들은 상기 금속 촉매층(MC2) 상에서 그래핀을 형성할 수 있다. 그러나, 상기 탄소 원자들은 구리의 격자 내부로 침투할 수 없다. 따라서, 상기 화학 기상 증착 공정에서, 상기 금속 촉매층(MC2) 및 상기 그래핀 사이로 탄소 원자가 석출되지 않을 수 있다. 따라서, 구리를 포함하는 상기 금속 촉매층(MC2) 상에 형성된 상기 제1 그래핀층(GL1)은 단층 그래핀(single-layer graphene)일 수 있다. Further, when the metal catalyst layer (MC2) comprises copper, the carbon atoms supplied by the methane (CH 4) are able to form a yes pin on the metal catalyst (MC2). However, the carbon atoms can not penetrate into the lattice of copper. Therefore, in the chemical vapor deposition process, carbon atoms may not be precipitated between the metal catalyst layer MC2 and the graphene. Therefore, the first graphene layer GL1 formed on the metal catalyst layer MC2 including copper may be a single-layer graphene.

상기 제1 그래핀층 상에 투명 도전층을 형성하는 단계(S2)에서는, 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 제1 그래핀층(GL1) 상에 투명 도전층(TCL)이 형성될 수 있다. In step S2 of forming a transparent conductive layer on the first graphene layer, a transparent conductive layer TCL may be formed on the first graphene layer GL1 as shown in FIG.

상기 투명 도전층(TCL)은 상기 제1 그래핀층(GL1) 상에 복수의 도전성 나노와이어들을 도포하여 형성될 수 있다. 상기 도전성 나노와이어들은 도포하는 방법은 상기 도전성 나노와이어 분산 용액을 이용한드랍 캐스팅 코팅(drop casting coating), 에어 스프레이 코팅(air spray coating), 딥 코팅(dip coating), 스핀 코팅(spin coating) 및 스탬핑 코팅(stamping coating) 중 하나를 이용할 수 있다. 상기 도전성 나노와이어 분산 용액은 에탄올, 메탄올 및 이소프로판올 중 하나의 용액에 상기 도전성 나노와이어들이 분산된 용액이다. The transparent conductive layer TCL may be formed by applying a plurality of conductive nanowires on the first graphene layer GL1. The conductive nanowires may be applied by a drop casting coating, an air spray coating, a dip coating, a spin coating, and stamping using the conductive nanowire dispersion solution. One of stamping coatings may be used. The conductive nanowire dispersion solution is a solution in which the conductive nanowires are dispersed in a solution of one of ethanol, methanol and isopropanol.

도 6 및 도 10에 도시된 바와 같이, 상기 투명 도전층(TCL)은 상기 도전성 나노와이어들이 분산된 형상을 가질 수 있다. 여기서, 상기 도전성 나노와이어는 은 나노와이어(AgNW, Ag nano-wire)들을 포함할 수 있다. 또한, 각 도전성 나노와이어의 적어도 일 지점은 타 도전성 나노와이어와 접촉할 수 있다.As shown in FIGS. 6 and 10, the transparent conductive layer (TCL) may have a shape in which the conductive nanowires are dispersed. Here, the conductive nanowire may include silver nanowires (AgNW, Ag nano-wires). Also, at least one point of each conductive nanowire may be in contact with another conductive nanowire.

상기 제1 그래핀층(GL1), 및 상기 투명 도전층(TCL)을 포함하는 도전체는 도 11에 도시된 바와 같은 라만 스펙트럼을 가질 수 있다. 특히, 상기 도전체의 라만 스펙트럼에서, 약 1600 ㎝-1 및 2400㎝-1 각각에 피크가 확인되므로, 상기 도전체는 단층 그래핀을 포함함을 알 수 있다. The conductor including the first graphene layer GL1 and the transparent conductive layer TCL may have a Raman spectrum as shown in FIG. In particular, since in the Raman spectrum of the conductor, a peak is confirmed to about 1600 ㎝ -1 2400㎝ and -1, respectively, the conductor can be seen that it comprises a single layer of graphene.

상기 투명 도전층 상에 제2 그래핀층을 배치하여 제1 그래핀층, 투명 도전층 및 제2 그래핀층을 포함하는 투명 전극을 형성하는 단계(S3)에서는, 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 투명 도전층(TCL) 상에 제2 그래핀층(GL2)이 배치될 수 있다. In the step (S3) of forming a transparent electrode including a first graphene layer, a transparent conductive layer and a second graphene layer by disposing a second graphene layer on the transparent conductive layer, as shown in Fig. 7, A second graphene layer GL2 may be disposed on the conductive layer TCL.

상기 제2 그래핀층(GL2)은 상기 제1 그래핀층(GL1)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 그래핀층(GL2)은 단층 그래핀(single-layer graphene) 및 다층 그래핀(muti-layer graphene) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. The second graphene layer GL2 may include the same material as the first graphene layer GL1. For example, the second graphene layer GL2 may include at least one of a single-layer graphene and a muti-layer graphene.

상기 제2 그래핀층(GL2)이 상기 투명 도전층(TCL) 상에 배치되면, 상기 제1 그래핀층(GL1), 상기 투명 도전층(TCL) 및 상기 제2 그래핀층(GL2)을 포함하는 투명 전극(TE)이 제조될 수 있다. 즉, 상기 투명 전극(TE)은 상기 제1 그래핀층(GL1), 상기 제2 그래핀층(GL2), 및 상기 제1 그래핀층(GL1)과 상기 제2 그래핀층(GL2) 사이에 배치된 투명 도전층(TCL)을 포함하는 그래핀 샌드위치 구조를 가질 수 있다. When the second graphene layer GL2 is disposed on the transparent conductive layer TCL, a transparent layer including the first graphene layer GL1, the transparent conductive layer TCL, and the second graphene layer GL2, An electrode TE can be manufactured. That is, the transparent electrode TE is formed of the first graphene layer GL1, the second graphene layer GL2, and a transparent layer disposed between the first graphene layer GL1 and the second graphene layer GL2 And may have a graphene sandwich structure including a conductive layer (TCL).

상기 제1 그래핀층(GL1) 및 상기 제2 그래핀층(GL2)이 상기 투명 도전층(TCL)의 상부 및 하부에 배치되므로, 상기 제1 그래핀층(GL1) 및 상기 제2 그래핀층(GL2)은 상기 투명 도전층(TCL)을 보호할 수 있다. 따라서, 상기 투명 도전층(TCL)의 상기 도전성 나노와이어는 수분 및 산소에 의한 산화가 방지될 수 있다. The first graphene layer GL1 and the second graphene layer GL2 are disposed above and below the transparent conductive layer TCL so that the first graphene layer GL1 and the second graphene layer GL2, Can protect the transparent conductive layer (TCL). Therefore, the conductive nanowires of the transparent conductive layer (TCL) can be prevented from being oxidized by moisture and oxygen.

또한, 상기 제1 그래핀층(GL1), 상기 투명 도전층(TCL) 및 상기 제2 그래핀층(GL2)이 가요성을 가지므로, 상기 투명 전극(TE)도 가요성을 가질 수 있다. In addition, since the first graphene layer GL1, the transparent conductive layer TCL, and the second graphene layer GL2 are flexible, the transparent electrode TE can also be flexible.

상기 제1 그래핀층, 상기 투명 도전층 및 상기 제2 그래핀층의 접착성을 향상시키는 단계(S4)에서는, 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 투명 전극(TE)을 가열하여 상기 제1 그래핀층(GL1), 상기 투명 도전층(TCL), 및 상기 제2 그래핀층(GL2) 사이의 접합력이 향상될 수 있다. In the step S4 of improving the adhesion between the first graphene layer, the transparent conductive layer and the second graphene layer, the transparent electrode TE is heated to form the first graphene layer, The bonding strength between the transparent conductive layer GL1, the transparent conductive layer TCL, and the second graphene layer GL2 can be improved.

상기 투명 전극(TE)의 가열은 핫 플레이트 또는 오븐에서 약 100℃ 내지 150℃의 온도로 진행될 수 있다. The heating of the transparent electrode TE may be carried out at a temperature of about 100 DEG C to 150 DEG C in a hot plate or an oven.

상기 제1 그래핀층(GL1) 및 상기 제2 그래핀층(GL2)의 열전도도는 상기 도전성 나노와이어들의 열전도도보다 낮다. 따라서, 상기 투명 전극(TE)이 가열되면, 열이 대기 중으로 유출되기 보다는 상기 도전성 나노와이어들로 열이 집중될 수 있다. 상기 도전성 나노와이어들로 열이 집중되면, 각 도전성 나노와이어의 일부가 용융될 수 있다. 상기 도전성 나노와이어가 용융되고 냉각되는 과정에서, 상기 도전성 나노와이어들은 접촉하는 나노와이어들과 접합된다. 서로 접촉하는 도전성 나노와이어들이 접합되면, 도전성 나노와이어 네트워크가 형성될 수 있다. The thermal conductivity of the first graphene layer GL1 and the second graphene layer GL2 is lower than the thermal conductivity of the conductive nanowires. Therefore, when the transparent electrode TE is heated, the heat can be concentrated on the conductive nanowires rather than the heat is released to the atmosphere. When the heat is concentrated by the conductive nanowires, a part of each conductive nanowire can be melted. During the melting and cooling of the conductive nanowires, the conductive nanowires are bonded to the contacting nanowires. When the conductive nanowires contacting each other are bonded, a conductive nanowire network can be formed.

또한, 상기 투명 전극(TE)이 가열되고 냉각되는 과정에서 상기 도전성 나노와이어 네트워크 및 상기 그래핀층들(110, 130) 사이의 접합력도 향상될 수 있다. In addition, the bonding strength between the conductive nanowire network and the graphene layers 110 and 130 may be improved during the heating and cooling of the transparent electrode TE.

상기 금속 촉매를 제거하는 단계(S5)에서는, 도 9에 도시된 바와 같이, 상기 투명 전극(TE) 하부의 금속 촉매(MC)가 제거될 수 있다. 상기 금속 촉매(MC)의 제거는 에천트를 이용하여 상기 금속 촉매층(MC2)을 식각하여, 상기 투명 전극(TE) 및 상기 금속 촉매(MC)를 분리하고, 상기 금속 촉매(MC)를 제거하는 것이다. In the step S5 of removing the metal catalyst, the metal catalyst MC under the transparent electrode TE may be removed as shown in FIG. The metal catalyst MC is removed by etching the metal catalyst layer MC2 using an etchant to separate the transparent electrode TE and the metal catalyst MC and to remove the metal catalyst MC will be.

상기 에천트는 염화제이철(FeCl3) 또는 과황산 암모늄(ammonium persulfate, (NH4)2S2O8)을 포함할 수 있다. The etchant may comprise ferric chloride (FeCl 3 ) or ammonium persulfate ((NH 4 ) 2 S 2 O 8 ).

염화제이철을 포함하는 상기 에천트는 구리와 하기의 화학식 1 및 2에 따른 화학 반응을 통하여 구리를 제거할 수 있다. The etchant containing ferric chloride can remove copper through a chemical reaction according to the following formulas (1) and (2).

Figure pat00001
Figure pat00001

Figure pat00002
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상기 화학식 1과 같이, 염화제이철은 구리와 반응하여, 염화제일철(FeCl2) 및 염화제일구리(CuCl)를 형성할 수 있다. 또한, 염화제이철은 염화제일구리와 반응하여 염화제일철 및 염화제이구리(CuCl2)를 형성할 수 있다. 즉, 두 개의 염화제이철은 하나의 구리와 반응하여 최종적으로 두 개의 염화제일철 및 하나의 염화제이구리를 생성할 수 있다. 따라서, 염화제이철을 포함하는 에천트는 구리를 제거할 수 있다. As shown in Formula 1, ferric chloride may react with copper to form ferrous chloride (FeCl 2 ) and cuprous chloride (CuCl). In addition, ferric chloride can react with cuprous chloride to form ferrous chloride and cupric chloride (CuCl 2 ). That is, two ferric chloride reacts with one copper to ultimately produce two ferrous chloride and one copper chloride. Thus, the etchant containing ferric chloride can remove copper.

또한, 상기 과황산 암모늄은 강한 산화제로, 니켈을 산화시킬 수 있다. 따라서, 상기 과황산 암모늄을 포함하는 에천트는 니켈을 제거할 수 있다. Further, the ammonium persulfate is a strong oxidizing agent and can oxidize nickel. Therefore, the etchant containing ammonium persulfate can remove nickel.

상기 금속 촉매(MC)를 제거한 후, 상기 투명 전극(TE)은 도 2에 도시된 제1 기판(BS) 상으로 전사될 수 있다. 상기 투명 전극(TE)의 전사는 습식 전사 방법 또는 건식 전사 방법을 통하여 상기 제1 기판(BS)으로 전사될 수 있다. After the metal catalyst MC is removed, the transparent electrode TE may be transferred onto the first substrate BS shown in FIG. The transfer of the transparent electrode TE may be transferred to the first substrate BS through a wet transfer method or a dry transfer method.

상기 습식 전사 방법은 DI 워터(DI-water)에 부유된 상태의 상기 투명 전극(TE)을 상기 제1 기판(BS)으로 전사하는 방법일 수 있다. The wet transfer method may be a method of transferring the transparent electrode TE suspended in the DI water to the first substrate BS.

상기 건식 전사 방법은 하기와 같이 수행될 수 있다. The dry transfer method may be carried out as follows.

우선, 상기 투명 전극(TE)을 PDMS(polydimethylsiloxane) 기판에 부착시킨다. 그런 다음, 상기 투명 전극(TE)이 상기 제1 기판(BS)에 마주하도록 배치한다. 상기 투명 전극(TE)이 상기 제1 기판(BS)에 마주한 상태에서, 상기 PDMS 기판을 약 80℃의 온도로 가열하고, 상기 PDMS 기판에 압력을 가하면, 상기 투명 전극(TE)이 상기 제1 기판(BS)으로 전사될 수 있다. 또한, 상기 PDMS 기판은 상기 투명 전극(TE) 분리될 수 있다. First, the transparent electrode TE is attached to a PDMS (polydimethylsiloxane) substrate. Then, the transparent electrode TE is arranged to face the first substrate BS. When the PDMS substrate is heated to a temperature of about 80 캜 and pressure is applied to the PDMS substrate with the transparent electrode TE facing the first substrate BS, And transferred to the substrate (BS). In addition, the PDMS substrate may be separated from the transparent electrode TE.

상술한 바와 같이, 상기 투명 전극(TE)을 형성하고, 상기 제1 기판(BS) 상으로 전사하므로,상기 제1 기판(BS)의 종류 및 형태와 상관없이, 상기 투명 전극(TE)은 상기 제1 기판(BS) 상으로 전사될 수 있다. The transparent electrode TE is formed and transferred onto the first substrate BS so that the transparent electrode TE can be formed on the first substrate BS regardless of the type and the shape of the first substrate BS, May be transferred onto the first substrate (BS).

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하고 설명하는 것이다. 또한, 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 전술한 바와 같이 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있으며, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한, 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다. The foregoing description is intended to illustrate and describe the present invention. It is to be understood that both the foregoing general description and the following detailed description are exemplary and explanatory only and are not restrictive of the invention, It is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the invention. Accordingly, the foregoing description of the invention is not intended to limit the invention to the precise embodiments disclosed. In addition, the appended claims should be construed to include other embodiments.

TE: 투명 전극 GL1: 제1 그래핀층
TCL: 투명 도전층 GL2: 제2 그래핀층
100: 제1 전극 200: 유기막
300: 제2 전극 BS: 제1 기판
ES: 제2 기판 OLED: 유기 발광 소자
MC: 금속 촉매 MC1: 베이스 기판
MC2: 금속 촉매층
TE: transparent electrode GL1: first graphene layer
TCL: transparent conductive layer GL2: second graphene layer
100: first electrode 200: organic film
300: second electrode BS: first substrate
ES: Second substrate OLED: Organic light emitting element
MC: Metal catalyst MC1: Base substrate
MC2: metal catalyst layer

Claims (1)

제1 그래핀층;
상기 제1 그래핀층 상에 배치된 투명 도전층; 및
상기 투명 도전층 상에 배치된 제2 그래핀층을 포함하며,
상기 제1 그래핀층 및 제2 그래핀층은 단층 그래핀 및 다층 그래핀 중 적어도 하나를 포함하고,
상기 투명 도전층은 복수의 도전성 나노와이어들을 포함하는 도전성 나노와이어 네트워크를 포함하며, 하나의 도전성 나노와이어의 적어도 일 지점은 다른 도전성 나노와이어와 전기적으로 연결된 투명 전극.
A first graphene layer;
A transparent conductive layer disposed on the first graphene layer; And
And a second graphene layer disposed on the transparent conductive layer,
Wherein the first graphene layer and the second graphene layer comprise at least one of a single layer graphene and a multilayer graphene,
Wherein the transparent conductive layer comprises a conductive nanowire network comprising a plurality of conductive nanowires, wherein at least one point of one conductive nanowire is electrically connected to another conductive nanowire.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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