JP6473296B2 - 高周波回路及び発振器 - Google Patents

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Description

本発明は、高周波信号を処理する高周波回路、及び高周波回路により構成される発振器に関する。
マイクロ波帯やミリ波帯の高周波信号を発生するデバイスとして、ガンダイオードが知られている。例えば、特許文献1には、高い周波数において良好な特性を得るために、半導体素子の裏面にバンプを形成し、導電性接着剤等を用いて、ワイヤボンディングをすることなく、実装基板に半導体素子を直接実装することができるフリップチップ型の3端子のガンダイオードが開示されている。
図7は、3端子のフリップチップ型ガンダイオードを基板に実装するための高周波回路600を示す図である。高周波回路600は、基板1と、基板1に実装されたダイオード2から構成されている。基板1は、接地電極50と、マイクロストリップライン51と、レゾネータ52と、導体部53と、導体部54と、ビア61と、ビア62を有する。
ダイオード2は、アノードバンプ21と、カソードバンプ22と、アノードバンプ23とを有する。アノードバンプ21は導体部53に接続され、カソードバンプ22はマイクロストリップライン51に接続され、アノードバンプ23は導体部54に接続されている。
導体部53と接地電極50とはビア61により接続され、導体部54と接地電極50とはビア62により接続されている。すなわち、アノードバンプ21は、ビア61を介して接地電極50と接続され、アノードバンプ23は、ビア62を介して接地電極50と接続されている。
特開2007−173299号公報
従来の高周波回路600においては、ダイオード2のカソードバンプ22がマイクロストリップライン51に接続され、アノードバンプ21及びアノードバンプ23が、それぞれビア61及びビア62を介して、基板1の裏面の接地電極50に接続されていた。ところが、アノードバンプ21及びアノードバンプ23が、ビア61及びビア62を介して接地電極50に接続されると、ビア61及びビア62がスタブとして作用してしまい、発振周波数のばらつきの一因となっていた。また、基板1にビア61及びビア62を形成すると、コストが高くなるという問題もあった。
そこで、本発明はこれらの点に鑑みてなされたものであり、3端子のフリップチップ型ダイオードを用いた高周波回路の特性を改善することを目的とする。
本発明の第1の態様においては、スロットラインと、前記スロットラインと交差して設けられたダイオードと、を備える高周波回路であって、前記スロットラインは、第1ライン部と第2ライン部と、前記第1ライン部の端部と前記第2ライン部における前記第1ライン部の端部に近い端部とを結ぶ直線に対して突出した形状を有し、第1の端部が前記第1ライン部に接続され、第2の端部が前記第2ライン部に接続された突出部と、を有し、前記ダイオードは、第1アノード端子と、第2アノード端子と、前記第1アノード端子及び前記第2アノード端子の間のカソード端子とを有し、前記第1アノード端子及び前記第2アノード端子と、前記カソード端子とが、前記スロットラインに対して、それぞれ反対の領域に固定されている、高周波回路を提供する。前記突出部は、所定の曲率半径を有する曲線を含んで構成されていてもよい。
前記第1ライン部及び前記第2ライン部が、前記第1ライン部及び前記第2ライン部の方向に直交する方向において離れた位置に形成されていてもよい。この場合において、前記第1ライン部に接続された第1突出部と、前記第1突出部及び前記第2ライン部に接続された第2突出部と、を備え、前記第1突出部の内側に前記第1アノード端子が固定され、前記第2突出部の内側に前記カソード端子が固定されていてもよい。
また、上記の高周波回路は、前記第1ライン部に接続された第1突出部と前記第1突出部に接続された第2突出部と、前記第2突出部と前記第2ライン部とに接続された第3突出部と、を備え、前記第1突出部及び前記第3突出部は、前記第1ライン部及び前記第2ライン部に対して同じ側に突出しており、前記第2突出部は、前記第1ライン部及び前記第2ライン部に対して、前記第1突出部及び前記第3突出部と反対側に突出しており、前記第1アノード端子は、前記第1突出部の内側に固定され、前記カソード端子は、前記第2突出部の内側に固定され、前記第2アノード端子は、前記第3突出部の内側に固定されていてもよい。
本発明の第2の態様においては、基板と、前記基板に設けられた導体部と、前記導体部に形成されたループ状の前記スロットラインと、上記の複数の高周波回路と、前記スロットラインと交差する2つのマイクロストリップラインと、を備える発振器を提供する。
本発明によれば、3端子のフリップチップ型ダイオードを用いた高周波回路の特性を改善することができるという効果を奏する。
第1の実施形態に係る高周波回路の構成を示す図である。 図1に示した高周波回路の構成を含む発振器の構成を示す図である。 第2の実施形態に係る高周波回路の構成を示す図である。 第3の実施形態に係る高周波回路の構成を示す図である。 第4の実施形態に係る高周波回路の構成を示す図である。 第5の実施形態に係る高周波回路の構成を示す図である。 従来の高周波回路の構成を示す図である。
<第1の実施形態>
図1は、第1の実施形態に係る高周波回路100の構成を示す図である。図1(a)は、高周波回路100の平面透視図である。図1(b)は、高周波回路100のA−A線断面図である。図1(c)は、高周波回路100の等価回路図である。
高周波回路100は、基板1と、基板1に実装されたダイオード2とを備える。基板1は、表面に導体が設けられている。基板1に設けられた導体の一部がエッチング等により除去されることで、スロットライン30が形成され、導体は、導体部11及び導体部12に分割されている。
ダイオード2は、3端子のガンダイオードである。ダイオード2は、アノードバンプ21と、カソードバンプ22と、アノードバンプ23とを有する。図1(c)に示すように、ダイオード2は、複数のダイオードを有しており、第1のダイオード及び第2のダイオードのアノード端子がアノードバンプ21及びアノードバンプ23に接続され、第1のダイオード及び第2のダイオードのカソード端子がカソードバンプ22に接続されている。
スロットライン30は、ライン部31、ライン部32及び突出部33から構成される。図1において、ライン部31及びライン部32は、直線状に形成されている。ライン部31及びライン部32の形状は、直線状に限るものではなく、任意の形状であってよい。例えば、ライン部31及びライン部32は、円周の一部であってもよい。
突出部33は、ライン部31の右側の端部とライン部32におけるライン部31の右側の端部に近い左側の端部とを結ぶ直線に対して突出した形状を有する。突出部33は、一端がライン部31に接続され、他端がライン部32に接続されている。具体的には、突出部33は、ライン部31の右端とライン部32の左端との間に形成されており、ライン部31及びライン部32を結ぶ直線に対して、アノードバンプ21、カソードバンプ22及びアノードバンプ23が実装されている側に突出している。より具体的には、突出部33は、ライン部31の右端から、ライン部31と直交する方向に延伸した第1部分と、ライン部32の左端から、ライン部32と直交する方向に延伸した第2部分と、第1部分と第2部分とを結ぶ、ライン部31及びライン部32と平行な第3部分とから構成されている。
突出部33を構成するスロットラインの幅は、アノードバンプ21とカソードバンプ22との間の距離、及びカソードバンプ22とアノードバンプ23との間の距離よりも小さい。また、突出部33の第1部分及び第2部分の長さは、アノードバンプ21、カソードバンプ22及びアノードバンプ23における、ライン部31と直交する方向の幅よりも大きい。
ダイオード2は、アノードバンプ21、カソードバンプ22及びアノードバンプ23を結ぶ直線が、ライン部31及びライン部32の方向と平行になる向きに実装されている。ダイオード2は、アノードバンプ21及びアノードバンプ23と、カソードバンプ22とが、スロットライン30に対して、それぞれ反対の領域に固定されている。すなわち、カソードバンプ22は、突出部33により囲まれた領域において導体部12に接続されており、アノードバンプ21及びアノードバンプ23は、導体部11に接続されている。
上記の構成を有することで、導体部12を接地した状態で導体部11に所定のバイアス電圧を印加すると、ダイオード2は発振を開始する。
図2は、図1に示した高周波回路100の構成を含む発振器1000の構成を示す図である。図2(a)は、発振器1000の平面図であり、図2(b)は、A−A線断面図である。
発振器1000には、円形のスロットライン30が形成されており、導体部11と導体部12とに分割されている。スロットライン30における対向する2箇所には、突出部33が形成されている。突出部33が形成された位置に、ダイオード2が実装されている。
スロットライン30の周長は、発振器1000の発振周波数における波長にほぼ等しい長さである。突出部33の長さは、スロットライン30の周長の10分の1以下であることが好ましい。導体部11にバイアス電圧を印加すると、複数のダイオード2が発振を開始し、発振信号がマイクロストリップライン41及びマイクロストリップライン42から出力される。
以上のとおり、本実施形態に係る高周波回路100は、スロットライン30に突出部33が形成されており、ライン部31及びライン部32と、突出部33とが、スロットライン30に対して、それぞれ反対の領域に固定されている。このような構成により、ビアホールを用いることなく、3端子型のガンダイオードをスロットラインに実装できるので、発振器の特性を向上させるとともに、コストを低減させることが可能になる。
<第2の実施形態>
図3は、第2の実施形態に係る高周波回路200の構成を示す図である。高周波回路200は、第1の実施形態に係る高周波回路100における突出部33の代わりに、突出部34が設けられている点で高周波回路100と異なり、他の点で同じである。以下、第1の実施形態と異なる点について説明する。
突出部34は、所定の曲率半径を有する曲線を含んで構成されている。具体的には、図3に示す突出部34は、ライン部31の端部とライン部32の端部とを結ぶ線分の長さを直径とする半円状に形成されている。突出部34は、例えば、直径がカソードバンプ22の直径よりも大きい円の一部と同じ形状である。ライン部31の一端に突出部34の一端が接続され、突出部34の他端にライン部32の一端が接続されている。
図1に示した突出部33は、複数の直線により構成されていたため、電界が特定の位置に集中する傾向があるのに対して、図3に示す突出部34は、曲線を含んで構成されていることにより、電界が特定の位置に集中しない。したがって、電界の不連続性を低減することができる。その結果、図2に示した発振器1000に高周波回路200を適用すると、高周波数帯においても、集中定数を有するデバイスとしてダイオード2を扱うことができる。
<第3の実施形態>
図4は、第3の実施形態に係る高周波回路300の構成を示す図である。高周波回路300は、第1の実施形態における突出部33、第2の実施形態における突出部34の代わりに、半円状の突出部35、突出部36及び突出部37が形成されている点で異なり、他の点で同じである。
高周波回路300においては、ライン部31の一端に突出部35の一端が接続されており、突出部35の他端に突出部36の一端が接続されており、突出部36の他端に突出部37の一端が接続されており、突出部37の他端にライン部32の一端が接続されている。すなわち、突出部36は、ライン部31及びライン部32の間において、突出部35と突出部37とに接続されている。
突出部35及び突出部37は、ライン部31及びライン部32を結ぶ直線に対して同じ側に突出している。突出部36は、ライン部31及びライン部32を結ぶ直線に対して、突出部35及び突出部37と反対側に突出している。
アノードバンプ21は、突出部35の内側に固定され、カソードバンプ22は、突出部36の内側に固定され、アノードバンプ23は、突出部37の内側に固定されている。その結果、アノードバンプ21及びアノードバンプ23は、導体部11に接続されており、カソードバンプ22は、導体部12に接続されている。
このように、高周波回路300は、アノードバンプ21、カソードバンプ22及びアノードバンプ23が、半円状の突出部35、突出部36及び突出部37に囲まれている。したがって、第2の実施形態に係る高周波回路200よりも、さらに電界の集中及び不連続性を低減することができる。
<第4の実施形態>
図5は、第4の実施形態に係る高周波回路400の構成を示す図である。高周波回路400は、ライン部31及びライン部32が、ライン部31及びライン部32の方向に直交する方向において離れた位置に形成されている点で、上記の各実施形態と異なる。
スロットライン30は、ライン部31とライン部32との間に、互いに逆向きに突出した突出部38及び突出部39を有する。ライン部31の一端に突出部38の一端が接続されており、突出部38の他端に突出部39の一端が接続されており、突出部39の一端にライン部32の一端が接続されている。突出部38及び突出部39は半円状であり、アノードバンプ21は、突出部38の内側に固定されており、カソードバンプ22は、突出部39の内側に固定されている。
このように、高周波回路400においては、直線状のライン部31とライン部32との間に、2個の半円状のスロットラインが形成されているので、スロットラインにエッジが存在しない。したがって、第3の実施形態に係る高周波回路300よりも、さらに電界の集中及び不連続性を低減することができる。
<第5の実施形態>
図6は、第5の実施形態に係る高周波回路500の構成を示す図である。高周波回路500においては、互いに平行に形成されたライン部31及びライン部32の間に突出部40が形成されている。ライン部31、ライン部32及び突出部40に囲まれた領域に、カソードバンプ22が固定されている。ライン部31、ライン部32及び突出部40に対して、カソードバンプ22が固定された領域と反対の領域に、アノードバンプ21及びアノードバンプ23が固定されている。
高周波回路500においても、第4の実施形態に係る高周波回路400と同様に、スロットラインにエッジが存在しないので、電界の集中及び不連続性を低減することができる。また、高周波回路500においては、平行に形成されたライン部31及びライン部32の端部に突出部40が形成されている。したがって、ライン部31及びライン部32により延伸されたループ状のスロットラインの端部にダイオード2を設けることが可能になる。
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更又は改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。そのような変更又は改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
例えば、上記の実施形態に係る高周波回路が用いられる例として、図2に示した発振器1000のみを示したが、上記の実施形態に係る高周波回路は、発振器1000以外の多様な発振器に適用することができる。
1・・・基板、2・・・ダイオード、11・・・導体部、12・・・導体部、21・・・アノードバンプ、22・・・カソードバンプ、23・・・アノードバンプ、30・・・スロットライン、31・・・ライン部、32・・・ライン部、33・・・突出部、34・・・突出部、35・・・突出部、36・・・突出部、37・・・突出部、38・・・突出部、39・・・突出部、40・・・突出部、41・・・マイクロストリップライン、42・・・マイクロストリップライン、50・・・接地電極、51・・・マイクロストリップライン、52・・・レゾネータ、53・・・導体部、54・・・導体部、61・・・ビア、62・・・ビア、100・・・高周波回路、200・・・高周波回路、300・・・高周波回路、400・・・高周波回路、500・・・高周波回路、600・・・高周波回路、1000・・・発振器

Claims (2)

  1. 基板と、
    前記基板に設けられた導体部と、
    前記導体部に形成されたループの形状のスロットラインと、
    前記スロットラインの前記ループにおける対向する複数の位置において前記スロットラインと交差して設けられた第1ダイオード及び第2ダイオードとを備える高周波回路と、
    前記スロットラインと交差する2つのマイクロストリップラインと、
    を備え
    前記スロットラインは、
    第1ライン部と
    第2ライン部と、
    前記第1ライン部の第11端部と前記第2ライン部における前記第1ライン部の前記第11端部に近い第21端部とを結ぶ直線に対して突出する曲線形状の領域を有し、第1の端部が前記第1ライン部の前記第11端部に接続され、第2の端部が前記第2ライン部の前記第21端部に接続された第1突出部と、
    前記第1ライン部の第11端部と反対側の第12端部と前記第2ライン部における前記第21端部と反対側の第22端部とを結ぶ直線に対して突出する曲線形状の領域を有し、第1の端部が前記第1ライン部の前記第12端部に接続され、第2の端部が前記第2ライン部の前記第22端部に接続された第2突出部と、
    を有し、
    前記第1ダイオードは、第11アノード端子と、第12アノード端子と、前記第11アノード端子及び前記第12アノード端子の間の第1カソード端子であって、前記第1突出部の内側に設けられた第1カソード端子とを有し、
    前記第2ダイオードは、第21アノード端子と、第22アノード端子と、前記第21アノード端子及び前記第22アノード端子の間の第2カソード端子であって、前記第2突出部の内側に設けられた第2カソード端子とを有し、
    前記第11アノード端子及び前記第12アノード端子と、前記第1カソード端子とが、前記スロットラインに対して、それぞれ反対の領域に固定されており、かつ前記第21アノード端子及び前記第22アノード端子と、前記第2カソード端子とが、前記スロットラインに対して、それぞれ反対の領域に固定されている、
    発振器。
  2. 基板と、
    前記基板に設けられた導体部と、
    前記導体部に形成されたループの形状のスロットラインと、
    前記スロットラインの前記ループにおける対向する複数の位置において前記スロットラインと交差して設けられた第1ダイオード及び第2ダイオードとを備える高周波回路と、
    前記スロットラインと交差する2つのマイクロストリップラインと、
    を備え、
    前記スロットラインは、
    第1ライン部と
    第2ライン部と、
    前記第1ライン部の第11端部と前記第2ライン部における前記第1ライン部の前記第11端部に近い第21端部とを結ぶ直線に対して突出する曲線形状の領域を有し、第1の端部が前記第1ライン部の前記第11端部に接続され、第2の端部が前記第2ライン部の前記第21端部に接続された第1突出部と、
    前記第1ライン部の第11端部と反対側の第12端部と前記第2ライン部における前記第21端部と反対側の第22端部とを結ぶ直線に対して突出する曲線形状の領域を有し、第1の端部が前記第1ライン部の前記第12端部に接続され、第2の端部が前記第2ライン部の前記第22端部に接続された第2突出部と、
    を有し、
    前記第1ダイオードは、第11アノード端子と、第12アノード端子と、前記第11アノード端子及び前記第12アノード端子の間の第1カソード端子とを有し、
    前記第2ダイオードは、第21アノード端子と、第22アノード端子と、前記第21アノード端子及び前記第22アノード端子の間の第2カソード端子とを有し、
    前記第11アノード端子及び前記第12アノード端子と、前記第1カソード端子とが、前記スロットラインに対して、それぞれ反対の領域に固定されており、かつ前記第21アノード端子及び前記第22アノード端子と、前記第2カソード端子とが、前記スロットラインに対して、それぞれ反対の領域に固定されており、
    前記第1突出部は、前記第11アノード端子を囲む第11突出部と、前記第1カソード端子を囲む第12突出部と、前記第12アノード端子を囲む第13突出部と、を有し、
    前記第2突出部は、前記第21アノード端子を囲む第21突出部と、前記第2カソード端子を囲む第22突出部と、前記第22アノード端子を囲む第23突出部と、を有する、
    発振器。
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