JP6465339B2 - 感光性接着剤組成物及び、それを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
近年、半導体装置の厚みを薄型化する要求がますます強くなっているが、半導体チップ自体の厚みを薄くすることは限界に近づきつつある。
また、感光性接着剤組成物の硬化温度は、半導体チップの熱による特性低下を避けるために170〜180℃に設定される場合があるが、このように硬化温度が低い場合に対応するために、感光性接着剤組成物の感度を高めると、保管時に架橋反応が進行してワニスの粘度が上昇し、塗布時の膜厚が増大するという課題があった。
本発明は以下の具体的態様を提供する。
<1>(A)成分:フェノール樹脂と、(B)成分:光により酸を生成する化合物と、(C)成分:熱架橋剤と、(D)成分:下記一般式(1)、(2)、及び(3)で表される構造単位のみからなるアクリル樹脂と、を含有する感光性接着剤組成物。
<2>上記(B)成分がo−キノンジアジド化合物を含む<1>に記載の感光性接着剤組成物。
<3>上記(C)成分が(A)成分と架橋する基を3つ以上有する熱架橋剤を含む<1>又は<2>に記載の感光性接着剤組成物。
<4><1>〜<3>のいずれかに記載の感光性接着剤組成物を半導体ウエハの回路面に塗布及び乾燥して感光性接着剤組成物膜を形成する工程と、上記感光性接着剤組成物膜の所定部分へ露光を行う工程と、上記露光後の上記感光性接着剤組成物膜を現像して上記所定部分を除去することによって接着パターンを形成する工程と、上記接着パターンを形成した半導体ウエハを加熱して残存溶媒を除去する工程と、エッチングにより上記感光性接着剤組成物膜の上記所定部分の絶縁膜を除去した後、アッシング処理を行う工程と、上記半導体ウエハを薄化し、半導体チップに個片化する工程と、個片化した半導体チップを上記感光性接着剤組成物膜の未露光部分の上に熱圧着して積層する工程と、上記接着パターンの加熱硬化を行う工程と、を備える半導体装置の製造方法。
本実施形態に係るバッファーコート機能を有する感光性接着剤組成物は、(A)フェノール樹脂と、(B)光により酸を生成する化合物と、(C)熱架橋剤と、(D)下記一般式(1)、(2)、及び(3)で表される構造単位を含むアクリル樹脂であって、該アクリル樹脂中に、アミノ基を有する構造単位を0〜3mol%含むアクリル樹脂とを含有する。
不乾性油としては、オリーブ油、あさがお種子油、カシュウ実油、さざんか油、つばき油、ひまし油、落花生油等が挙げられる。
半乾性油としては、コーン油、綿実油、ごま油等が挙げられる。
乾性油としては、桐油、亜麻仁油、大豆油、胡桃油、サフラワー油、ひまわり油、荏の油、芥子油等が挙げられる。また、これらの植物油を加工して得られる加工植物油を用いてもよい。
ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、ブタンテトラカルボン酸二無水物、シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物等の芳香族四塩基酸二無水物などが挙げられる。
これらの中でも、さらに良好な形状を有するパターン硬化膜を形成できるという観点から、多塩基酸無水物は二塩基酸無水物であることが好ましく、テトラヒドロ無水フタル酸、無水コハク酸、又はヘキサヒドロ無水フタル酸であることがより好ましい。
本実施形態の感光性接着剤組成物は、(B)光により酸を生成する化合物を含有する。
(B)成分は、感光性接着剤組成物中で感光剤として用いられる。このような(B)成分は、光照射を受けて酸を生成し、光照射した部分のアルカリ水溶液への可溶性を増大させる機能を有する。
本実施形態の感光性接着剤組成物は、熱架橋剤(C)を含有する。これにより、膜の脆さや膜の溶融を防ぐことができる。(C)熱架橋剤は、(A)成分と架橋する基を3つ以上含有する化合物が好ましく、それらの中でも、ヒドロキシメチルアミノ基を有する化合物、又はエポキシ基を有する化合物がより好ましい。
具体的には、ヘキサキス(メトキシメチル)メラミン、ヘキサキス(ブトキシメチル)メラミン、テトラキス(メトキシメチル)グリコールウリル、テトラキス(ブトキシメチル)グリコールウリル、テトラキス(メトキシメチル)尿素が好ましい。
ポリアルキレン系エポキシ架橋剤等の2官能の架橋剤は、熱圧着性をより向上させる観点から、(A)成分100質量部に対して5〜20質量部が好ましく、10〜20質量部がより好ましい。
本実施形態の感光性接着剤組成物は、熱圧着性の観点から、微粒子等のように膜中に分散させるよりも、他の樹脂と十分に相溶することが好ましいため、(D)下記一般式(1)、(2)、及び(3)で表される構造単位を含むアクリル樹脂であって、該アクリル樹脂中に、アミノ基を有する構造単位を0〜3mol%含むアクリル樹脂を含有する。
これらの中でも、(A)成分との相溶性、破断伸びをより向上する観点から、(メタ)アクリル酸ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸ヒドロキシペンチル、(メタ)アクリル酸ヒドロキシヘキシル、(メタ)アクリル酸ヒドロキシヘプチル、(メタ)アクリル酸ヒドロキシオクチル、(メタ)アクリル酸ヒドロキシノニル、(メタ)アクリル酸ヒドロキシデシル、(メタ)アクリル酸ヒドロキシウンデシル、又は(メタ)アクリル酸ヒドロキシドデシルを用いることが好ましい。
本発明の感光性接着剤組成物は必要に応じ、シラン化合物、溶剤、エラストマー、溶解促進剤、溶解阻害剤、界面活性剤又はレベリング剤等のその他の成分を含有することができる。
本発明の感光性接着剤組成物は、基板との密着性を向上させる観点から、(E)成分として、シラン化合物を含んでいてもよい。そのようなシラン化合物としては、従来公知のものを特に制限無く用いることができるが、(A)成分や(C)成分と反応し、接着性や硬化物の破断伸びが向上する点で、ウレイドプロピルトリエトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、尿素プロピルトリエトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、又は3−グリシドキシプロピルトリエトキシシランが好ましい。
本発明の感光性接着剤組成物は、基板上への塗布性、及び均一な厚さの樹脂膜を形成できるという観点から、(F)溶剤を含有していてもよい。溶剤の具体例としては、γ−ブチロラクトン、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、酢酸ベンジル、n−ブチルアセテート、エトキシエチルプロピオナート、3−メチルメトキシプロピオナート、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホリルアミド、テトラメチレンスルホン、ジエチルケトン、ジイソブチルケトン、メチルアミルケトン、シクロヘキサノン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、又はジプロピレングリコールモノメチルエーテルが挙げられる。
(F)成分を含有させる場合の含有量は、特に限定されないが、感光性接着剤組成物中の溶剤の割合が20〜90質量%となるように調整されることが好ましい。
次に、上述した感光性接着剤組成物を用いて半導体装置を製造する方法について説明する。
図1に示した半導体装置120は、半導体装置用の支持部材(半導体素子搭載用支持部材)13に個片化した半導体チップ2を、接着部材30を介して積層し、この半導体チップ2にさらに半導体チップ2を本発明の感光性接着剤組成物からなる感光性接着剤組成物膜5を介して積層することを繰り返し、感光性接着剤組成物膜5の硬化を行うことで、複数の半導体チップが積層された多層構造としている。そして、半導体チップ2の開口部51に露出したボンディングパッド17と半導体装置用の支持部材(半導体素子搭載用支持部材)13の外部接続端子16とをワイヤ14を介して電気的に接続する。その後封止材15にて半導体チップ2を封止して半導体装置120を得ることができる。
[(A)成分]
A1:クレゾールノボラック樹脂(クレゾール/ホルムアルデヒドノボラック樹脂、m−クレゾール/p−クレゾール(モル比)=60/40、ポリスチレン換算重量平均分子量=13000、旭有機材工業株式会社製、商品名「EP4020G」)を準備した。
A2:下記合成例1に記載の方法で準備した。
フェノール100質量部、亜麻仁油43質量部及びトリフロオロメタンスルホン酸0.1質量部を混合し、120℃で2時間撹拌し、植物油変性フェノール誘導体(a)を得た。次いで、植物油変性フェノール誘導体(a)130g、パラホルムアルデヒド16.3g及びシュウ酸1.0gを混合し、90℃で3時間撹拌した。次いで、120℃に昇温して減圧下で3時間撹拌した後、反応液に無水コハク酸29g及びトリエチルアミン0.3gを加え、大気圧下、100℃で1時間撹拌した。反応液を室温(25℃、以下同様)まで冷却し、反応生成物である炭素数4〜100の不飽和炭化水素基を有する化合物で変性されたフェノール樹脂(以下、A2という。)を得た(酸価120mgKOH/g)。このA2のGPC法の標準ポリスチレン換算により求めた重量平均分子量は約25,000であった。
B1:1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1−[4−{1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル}フェニル]エタンの1−ナフトキノン−2−ジアジド−5−スルホン酸エステル(エステル化率約90%、AZエレクトロニックマテリアルズ社製、商品名「TPPA528」)
C1:グリシジルアミン型エポキシ架橋剤(株式会社ADEKA製、商品名「EP−3950s」)
C2:ビスフェノールA型エポキシ樹脂(株式会社プリンテック製、商品名「VG−3101」)
C3:脂肪族ポリグリシジルエーテル型エポキシ樹脂(新日鉄住金化学株式会社製、商品名「ZX−1542」)
C4:1,6−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル(阪本薬品工業株式会社製、商品名「SR−16HL」)
C5:ヘキサキス(メトキシメチル)メラミン(株式会社三和ケミカル製、商品名「MW−30HM」)
(D)成分として、下記合成例2に記載の方法でアクリル樹脂(D1〜D4)を準備した。
合成例2:アクリル樹脂D1の合成
攪拌機、窒素導入管及び温度計を備えた100mlの三口フラスコに、乳酸エチル25gを秤取し、室温にて約200回転/分(rpm)の攪拌回転数で攪拌しながら、窒素ガスを400ml/分の流量で30分間流し、溶存酸素を除去した。その後、別途にアクリル酸ブチル(BA)16.8g、ヒドロキシブチルアクリレート(HBA)1.1g、アクリル酸(AA)4.4gの重合性単量体を秤取し、アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)0.08gを溶解させて三口フラスコに1ml/min.の速度で滴下した。同温度を4時間保持して重合反応を行い、アクリル樹脂D1を得た。この際の重合率は98%であった。また、このD1のGPC法の標準ポリスチレン換算により求めた重量平均分子量(Mw)を表1に示した。同様にして表1の配合でD2〜D4を合成した。
HBA:ヒドロキシブチルアクリレート
AA:アクリル酸
FA−711MM:1,2,2,6,6−ペンタメチルピペリジン−4−イルメタクリレート(日立化成株式会社製)
測定装置:検出器 株式会社日立製作所製L−3300 RI
ポンプ:株式会社日立製作所製L−6000
測定条件:カラム 東ソー株式会社製 (商品名「GMHXL−L」) ×2本
溶媒:THF
流速:1.0ml/min
測定する試料0.5mgに対して溶媒1mlの溶液を用いて測定した。
(E)成分として、E1のシラン化合物を準備した。
E1:3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(信越化学工業株式会社製、商品名「KBM−403」)
(実施例1〜7及び比較例1及び2)
表2に示した配合量の(A)〜(E)成分(単位:質量部)、溶剤として乳酸エチル120質量部を配合し、これを3μm孔のPTFE(ポリテトラフルオロエチレン)フィルターを用いて加圧ろ過し、実施例1〜7及び比較例1及び2の感光性接着剤組成物を調製した。
調製直後の感光性接着剤組成物の溶液をシリコン基板上にスピンコートして、120℃で3分間加熱し、膜厚を測定した。その後、感光性接着剤組成物の溶液を23℃で保管し、1週間後に再びシリコン基板上にスピンコートして、120℃で3分間加熱し、膜厚を測定した。得られた保管前後の膜厚から膜厚の増加率を算出した。表2では、膜厚の増加率が3%未満であるものを「○」、3%以上のものを「×」として評価した。
感光性接着剤組成物の溶液をシリコン基板上にスピンコートして、120℃で3分間加熱し、膜厚約12〜14μmの樹脂膜を形成した。次いで、i線ステッパー(キャノン株式会社製、商品名「FPA−3000i」)を用いて、マスクを介してi線(365nm)での縮小投影露光を行った。露光後、水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)の2.38質量%水溶液を用いて現像を行い、残膜厚が初期膜厚の80〜95%程度となるように現像を行った。その後、水でリンスし、パターン形成に必要な最小露光量及び開口している最小の正方形ホールパターンの大きさを求めた。最小露光量を感度として、開口している最小の正方形ホールパターンの大きさを解像度として評価した。感度、解像度は、その値が小さいほど良好なことを示す。
感光性接着剤組成物の溶液をシリコン基板上にスピンコートして、120℃で3分間加熱し、膜厚約12〜14μmの樹脂膜を形成した。次いで、i線ステッパー(キャノン株式会社製、商品名「FPA−3000i」)を用いて、マスクを介してi線(365nm)での縮小投影露光を行った。露光後、水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)の2.38質量%水溶液を用いて現像を行い、水でリンスして、パターンを形成した。その後、ドライエッチング装置(Applied Materials社(AMAT)製、商品名「e−Max」)を用いてエッチングを行い(使用ガス:CF4/O2=90/10sccm、Press:8Pa、Power:500W、Temp:15℃、Time:400sec.)、SEM(走査型電子顕微鏡)を用いて感光性接着剤組成物の表面状態を確認した。表2では、エッチング後に塗布膜表面に凹凸が生じるものを「×」、生じないものを「○」として評価した。
感光性接着剤組成物の溶液をシリコン基板上にスピンコートして、120℃で3分間加熱し、膜厚約12〜14μmの樹脂膜を形成した後、ホットプレート上で150℃、10分加熱を行い、感光性接着剤組成物膜付シリコンウエハを得た。感光性接着剤組成物膜付シリコンウエハへ、シリコンウエハの接着剤組成物膜とは反対側の面に、室温でダイシングテープ(厚み80μm)をラミネートし、ダイシングサンプルを作製した。その後、フルオートダイサー(株式会社ディスコ製、商品名「DFD−6361」)を用いて、感光性接着剤組成物膜、シリコンウエハ及びダイシングテープを積層した上記ダイシングサンプルを切断した。切断は、ブレード1枚で加工を完了するシングルカット方式、ブレードに株式会社ディスコ製、商品名「ダイシングブレードNBC−ZH104F−SE 27HEDD」を用い、ブレード回転数45000min−1、切断速度20mm/sの条件にて行った。切断時のブレードハイトは、ダイシングテープを10μm残す設定とした。半導体ウエハを切断するサイズは3.0mm×3.0mmとした。次に、熱圧着機(日立化成株式会社製)を用いて、縦10mm×横10mm×厚さ400μmのシリコンチップ上に、ダイシングした感光性接着剤組成物膜付シリコンウエハの接着剤組成物膜がシリコンチップ側に来るように積層し、150℃、1s、5Nの条件で圧着を行った。その後、せん断接着力測定器(Dage社製、商品名「DAGE−4000」)で室温のせん断接着力測定を一つのサンプルに対して10回行い、その内0.8MPa以上の値を示したものの数を表2に示した。
質量を測定したシリコン基板上に感光性接着剤組成物の溶液をスピンコートして120℃で3分間加熱し、膜厚約12〜14μmの感光性接着剤組成物膜を形成した。その後イナートガスオーブン(光洋サーモシステム株式会社製、商品名「INH−9SD−S」)に投入し、175℃で4時間窒素下で加熱した。続いて質量を測定し、硬化膜の質量を算出した。質量を計測後、85℃、85%RHの恒温恒湿槽(エスペック株式会社製、商品名「LHL−113」)に投入し、24時間静置した。その後再び質量を測定し、吸湿量、吸湿率を算出した。
感光性接着剤組成物の溶液をシリコン基板上にスピンコートして、120℃で3分間加熱し、膜厚約12〜14μmの樹脂膜を形成した後、ホットプレート上で150℃、10分間加熱を行い、感光性接着剤組成物膜を得た。感光性接着剤組成物膜付シリコンウエハへシリコンウエハの接着剤組成物膜とは反対側の面に、室温でダイシングテープ(厚み80μm)をラミネートし、ダイシングサンプルを作製した。その後、フルオートダイサー(株式会社ディスコ製、商品名「DFD−6361」)を用いて、接着剤組成物膜、シリコンウエハ及びダイシングテープを積層した上記ダイシングサンプルを切断した。切断は、ブレード1枚で加工を完了するシングルカット方式、ブレードに株式会社ディスコ製、商品名「ダイシングブレードNBC−ZH104F−SE 27HEDD」を用い、ブレード回転数45000min−1、切断速度20mm/sの条件にて行った。切断時のブレードハイトは、ダイシングテープを10μm残す設定とした。半導体ウエハを切断するサイズは3.0mm×3.0mmとした。その後熱圧着機(日立化成株式会社製)を用いて、縦10mm×横10mm×厚さ400μmのシリコンチップ上に、ダイシングした感光性接着剤組成物膜付シリコンウエハの接着剤組成物膜がシリコンチップ側に来るように積層し、120℃、1s、5Nの条件で圧着を行った。その後、180℃、90s、36Nで加圧し、175℃で4時間硬化した。硬化が終了したチップを85℃、85%RHの恒温恒湿槽(エスペック株式会社製、商品名「LHL−113」)に投入し、24時間静置した。その後、せん断接着力測定器(Dage社製、商品名「DAGE−4000」)で260℃でのせん断接着力測定を一つのサンプルに対して10回行い、その内1.5MPa以上の値を示したものの数を表2に示した。
Claims (4)
- 前記(B)成分が、o−キノンジアジド化合物を含む請求項1に記載の感光性接着剤組成物。
- 前記(C)成分が、(A)成分と架橋する基を3つ以上有する熱架橋剤を含む請求項1又は2に記載の感光性接着剤組成物。
- 請求項1〜3のいずれか一項に記載の感光性接着剤組成物を半導体ウエハの回路面に塗布及び乾燥して感光性接着剤組成物膜を形成する工程と、
前記感光性接着剤組成物膜の所定部分へ露光を行う工程と、
前記露光後の前記感光性接着剤組成物膜を現像して前記所定部分を除去することによって接着パターンを形成する工程と、
前記接着パターンを形成した半導体ウエハを加熱して残存溶媒を除去する工程と、
エッチングにより前記感光性接着剤組成物膜の前記所定部分の絶縁膜を除去した後、アッシング処理を行う工程と、
前記半導体ウエハを薄化し、半導体チップに個片化する工程と、
個片化した半導体チップを前記感光性接着剤組成物膜の未露光部分の上に熱圧着して積層する工程と、
前記接着パターンの加熱硬化を行う工程と、を備える半導体装置の製造方法。
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