JP6450620B2 - 基板剥離装置および基板剥離方法 - Google Patents

基板剥離装置および基板剥離方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6450620B2
JP6450620B2 JP2015063895A JP2015063895A JP6450620B2 JP 6450620 B2 JP6450620 B2 JP 6450620B2 JP 2015063895 A JP2015063895 A JP 2015063895A JP 2015063895 A JP2015063895 A JP 2015063895A JP 6450620 B2 JP6450620 B2 JP 6450620B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
resin substrate
support
peeling
insertion portion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2015063895A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2016183016A (ja
Inventor
浩之 菊地
浩之 菊地
高瀬 真治
真治 高瀬
芳明 升
芳明 升
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Original Assignee
Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd filed Critical Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Priority to JP2015063895A priority Critical patent/JP6450620B2/ja
Priority to TW105107599A priority patent/TWI665148B/zh
Priority to CN201610149839.0A priority patent/CN106028650B/zh
Publication of JP2016183016A publication Critical patent/JP2016183016A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6450620B2 publication Critical patent/JP6450620B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1303Apparatus specially adapted to the manufacture of LCDs
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/007Manufacture or processing of a substrate for a printed circuit board supported by a temporary or sacrificial carrier
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Folding Of Thin Sheet-Like Materials, Special Discharging Devices, And Others (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Description

本発明は、基板剥離装置および基板剥離方法に関する。
近年、電子デバイス用の基板として、ガラス基板に代わりフレキシブル性を有した樹脂基板の市場ニーズがある。このような樹脂基板を製造する製造装置としては、支持基板(支持体)に樹脂基板を形成した後、支持基板を樹脂基板から剥離する工程を含むものが知られている(例えば、特許文献1参照)。
特開2004−247721号公報
しかしながら、従来技術の製造装置では、樹脂基板を支持体から良好に剥離することができなかった。そこで、支持体から樹脂基板を良好に剥離できる新たな技術の提供が望まれている。
本発明は、このような課題に鑑みてなされたものであり、支持体から樹脂基板を良好に剥離できる基板剥離装置および基板剥離方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明の第1態様に係る基板剥離装置は、支持体上に形成された平面形状が矩形の樹脂基板を剥離する基板剥離装置において、前記樹脂基板の少なくとも1つの角部に配置され、前記樹脂基板の前記角部における前記支持体との界面に挿入可能な挿入部と、前記挿入部が前記界面に挿入された状態で、前記挿入部と前記支持体とを相対移動させる移動機構と、前記樹脂基板を保持し、前記挿入部により前記界面に形成されたスリットを基点として前記支持体から剥離する剥離機構と、を備え、前記挿入部は、前記樹脂基板の角部の四隅にそれぞれ配置されていることを特徴とする。
また、本発明の別の態様に係る基板剥離装置は、支持体上に形成された平面形状が矩形の樹脂基板を剥離する基板剥離装置において、前記樹脂基板の少なくとも1つの角部に配置され、前記樹脂基板の前記角部における前記支持体との界面に挿入可能な挿入部と、前記挿入部が前記界面に挿入された状態で、前記挿入部と前記支持体とを相対移動させる移動機構と、前記樹脂基板を保持し、前記挿入部により前記界面に形成されたスリットを基点として前記支持体から剥離する剥離機構と、を備え、前記挿入部は、前記樹脂基板の対角線上における一対の角部にそれぞれ配置されていることを特徴とする。
本態様に係る構成によれば、挿入部により界面に形成されたスリットを基点として支持体から樹脂基板を簡便かつ確実に剥離することができる。
また、上記基板剥離装置においては、前記挿入部は、刃物から構成されるのが好ましい。前記刃物は、平刃または丸刃から構成されるのが望ましい。
この構成によれば、スリットを簡便かつ確実に形成することができる。
また、上記基板剥離装置においては、前記挿入部は、前記樹脂基板の角部の四隅にそれぞれ配置されているのが好ましい。
この構成によれば、スリットを樹脂基板の四隅に形成することができる。よって、このスリットを基点として樹脂基板の剥離作業を簡便に行うことができる。
また、上記基板剥離装置においては、前記刃物は、前記樹脂基板の対角線上における一対の角部にそれぞれ配置されているのが好ましい。
この構成によれば、スリットを樹脂基板の一対の角部に形成することができる。よって、このスリットを基点として樹脂基板の剥離作業を簡便に行うことができる。
また、上記基板剥離装置においては、前記支持体の外周部に設けられ、前記支持体における前記樹脂基板が形成された面と同じ高さの面を有するとともに、前記挿入部の挿入動作をガイドするガイド部材をさらに備えるのが好ましい。
この構成によれば、平面視した状態において、支持体及び樹脂基板の大きさが略同じ場合であっても、ガイド部材に沿って挿入部の挿入動作がガイドされるので、スリットを良好に形成することができる。
また、上記基板剥離装置においては、前記移動機構は、前記挿入部を前記樹脂基板の外周に沿って移動させるのが好ましい。
この構成によれば、樹脂基板の外周に沿ってスリットを形成できる。よって、剥離動作を良好に行うことができる。
また、上記基板剥離装置においては、前記樹脂基板がポリイミド基板であるのが好ましい。
本発明によれば、電子デバイス用途として最適なポリイミド基板を支持体から良好に剥離することができる。
また、上記基板剥離装置においては、前記支持体として、前記樹脂基板が形成される面に予めシランカップリング剤からなる前処理層が設けられたガラス基板を用いるのが好ましい。
この構成によれば、前処理によって支持体表面のヒドロキシ基がシリル化されるので、例えば、樹脂基板がポリイミドから構成される場合、該樹脂基板が支持体表面と共有結合を形成することを抑制できる。また、シランカップリング剤に由来するシリル基が形成されるため、樹脂基板の剥離性を向上させることができる。
本発明の第2態様に係る基板剥離方法は、支持体上に形成された平面形状が矩形の樹脂基板を剥離する基板剥離方法において、前記樹脂基板の少なくとも1つの角部に配置された挿入部を、前記樹脂基板の前記角部における前記支持体との界面に挿入する挿入ステップと、前記挿入部が前記界面に挿入された状態で、前記挿入部と前記支持体とを相対移動させる移動ステップと、前記挿入部により前記界面に形成されたスリットを基点として、前記樹脂基板を前記支持体から剥離する剥離ステップと、を備え、前記挿入ステップにおいては、前記樹脂基板の四隅の角部に配置された前記挿入部を前記角部と前記樹脂基板との界面に挿入することを特徴とする。
また、本発明の別の態様に係る基板剥離方法は、支持体上に形成された平面形状が矩形の樹脂基板を剥離する基板剥離方法において、前記樹脂基板の少なくとも1つの角部に配置された挿入部を、前記樹脂基板の前記角部における前記支持体との界面に挿入する挿入ステップと、前記挿入部が前記界面に挿入された状態で、前記挿入部と前記支持体とを相対移動させる移動ステップと、前記挿入部により前記界面に形成されたスリットを基点として、前記樹脂基板を前記支持体から剥離する剥離ステップと、を備え、前記挿入ステップにおいては、前記樹脂基板の対角線上における一対の角部にそれぞれ配置された前記挿入部を前記角部と前記樹脂基板との界面に挿入することを特徴とする。
本態様に係る基板剥離方法によれば、挿入部により界面に形成されたスリットを基点として支持体から樹脂基板を簡便かつ確実に剥離することができる。
また、上記基板剥離方法においては、前記挿入部として、平刃または丸刃を用いるのが好ましい。
この構成によれば、スリットを簡便かつ確実に形成することができる。
また、上記基板剥離方法においては、前記挿入ステップにおいては、前記樹脂基板の四隅の角部に配置された前記挿入部を前記角部と前記樹脂基板との界面に挿入するのが好ましい。
この構成によれば、スリットを樹脂基板の四隅に形成することができる。よって、このスリットを基点として樹脂基板の剥離作業を簡便に行うことができる。
また、上記基板剥離方法においては、前記挿入ステップにおいては、前記樹脂基板の対角線上における一対の角部にそれぞれ配置された前記挿入部を前記角部と前記樹脂基板との界面に挿入するのが好ましい。
この構成によれば、スリットを樹脂基板の一対の角部に形成することができる。よって、このスリットを基点として樹脂基板の剥離作業を簡便に行うことができる。
また、上記基板剥離方法においては、前記挿入ステップにおいては、前記支持体の外周部に設けられ、前記支持体における前記樹脂基板が形成された面と同じ高さの面を有するガイド部材を用いて、前記挿入部の挿入動作をガイドさせるのが好ましい。
この構成によれば、平面視した状態において、支持体及び樹脂基板の大きさが略同じ場合であっても、ガイド部材に沿って挿入部の挿入動作がガイドされるので、スリットを良好に形成することができる。
また、上記基板剥離方法においては、前記移動ステップにおいては、前記挿入部が前記樹脂基板の外周に沿って移動するのが好ましい。
この構成によれば、樹脂基板の外周に沿ってスリットを形成できる。よって、剥離動作を良好に行うことができる。
また、上記基板剥離方法においては、前記樹脂基板がポリイミド基板であるのが好ましい。
本発明によれば、電子デバイス用途として最適なポリイミド基板を支持体から良好に剥離することができる。
また、上記基板剥離方法においては、前記支持体として、前記樹脂基板が形成される面に予めシランカップリング剤からなる前処理層が設けられたガラス基板を用いるのが好ましい。
この構成によれば、前処理によって支持体表面のヒドロキシ基がシリル化されるので、例えば、樹脂基板がポリイミドから構成される場合、該樹脂基板が支持体表面と共有結合を形成することを抑制できる。また、シランカップリング剤に由来するシリル基が形成されるため、樹脂基板の剥離性を向上させることができる。
本発明によれば、支持体から樹脂基板を簡便かつ確実に剥離することができる。
樹脂基板の製造を示す工程図である。 前処理工程で生じる化学反応を示した図である。 処理膜における剥離性向上の効果を示した実験結果である。 第1実施形態に係る基板剥離装置の概略構成を示す図である。 基板剥離装置による基板剥離方法を示すフローチャートである。 基板剥離工程を示す図である。 第2実施形態に係る基板剥離装置の概略構成を示す図である。 第2実施形態に係る基板剥離工程を示す図である。 変形例に係る構成を示す図である。
以下、図面を参照しながら本発明の一実施形態について説明する。本実施形態では、電子デバイス用の基板として用いられる樹脂基板を製造する場合を例に挙げて説明する。なお、以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために、便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。
本実施形態の樹脂基板の製造方法は、支持基板上にシランカップリング剤を処理する前処理工程と、支持基板における前処理面に樹脂基板形成用の材料を塗布する塗布工程と、支持基板を加熱して支持基板上に樹脂基板を形成する焼成工程と、支持基板から樹脂基板を剥離する剥離工程と、を備えている。
(第一実施形態)
図1は本実施形態に係る樹脂基板の製造工程を示す図である。
はじめに、図1(a)に示すように、支持基板1の表面(少なくとも一方の面)1aにシランカップリング剤を処理する前処理を行う(前処理工程)。本実施形態において、支持基板1はガラスから構成されている。
前処理においては、処理液を支持基板(支持体)1の表面1aに塗布によって行われる。ここで、塗布とは、吹き付けを含むものである。
前処理の処理時間は、1〜60秒とするのが好ましい。なお、処理液を塗布に代えて、蒸着法により支持基板1にシランカップリング剤による処理を行っても良い。蒸着法による処理時間は、例えば、80℃〜120℃のオーブン内で1〜15分間行うのが好ましい。
本実施形態において、前処理に用いる処理液はシランカップリング剤(以後、「シリル化剤」ということがある)及び溶剤を含有するものである。以下、各成分について詳細に説明する。
(シリル化剤)
シリル化剤としては、特に限定されず、従来公知のあらゆるシリル化剤を用いることができる。具体的には、例えば下記式(1)〜(3)で表されるシリル化剤を用いることができる。本明細書において、アルキル基は炭素数1〜5であり、シクロアルキル基は炭素数5〜10であり、アルコキシ基は炭素数1〜5であり、ヘテロシクロアルキル基は炭素数5〜10である。
Figure 0006450620
(式(1)中、Rは水素原子、又は飽和若しくは不飽和アルキル基を示し、Rは飽和若しくは不飽和アルキル基、飽和若しくは不飽和シクロアルキル基、又は飽和若しくは不飽和ヘテロシクロアルキル基を示す。R及びRは互いに結合して窒素原子を有する飽和又は不飽和ヘテロシクロアルキル基を形成してもよい。)
Figure 0006450620
(式(2)中、Rは水素原子、メチル基、トリメチルシリル基、又はジメチルシリル基を示し、R,Rはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、又はビニル基を示す。)
Figure 0006450620
(式(3)中、XはO、CHR、CHOR、CR、又はNRを示し、R,Rはそれぞれ独立に水素原子、飽和若しくは不飽和アルキル基、飽和若しくは不飽和シクロアルキル基、トリアルキルシリル基、トリアルキルシロキシ基、アルコキシ基、フェニル基、フェネチル基、又はアセチル基を示し、R8は水素原子、アルキル基、又はトリアルキルシリル基を示す。)
上記式(1)で表されるシリル化剤としては、N,N−ジメチルアミノトリメチルシラン、N,N−ジエチルアミノトリメチルシラン、t−ブチルアミノトリメチルシラン、アリルアミノトリメチルシラン、トリメチルシリルアセタミド、トリメチルシリルピペリジン、トリメチルシリルイミダゾール、トリメチルシリルモルホリン、3−トリメチルシリル−2−オキサゾリジノン、トリメチルシリルピラゾール、トリメチルシリルピロリジン、2−トリメチルシリル−1,2,3−トリアゾール、1−トリメチルシリル−1,2,4−トリアゾール等が挙げられる。
また、上記式(2)で表されるシリル化剤としては、ヘキサメチルジシラザン、N−メチルヘキサメチルジシラザン、1,2−ジ−N−オクチルテトラメチルジシラザン、1,2−ジビニルテトラメチルジシラザン、ヘプタメチルジシラザン、ノナメチルトリシラザン、トリス(ジメチルシリル)アミン等が挙げられる。
また、上記式(3)で表されるシリル化剤としては、トリメチルシリルアセテート、トリメチルシリルプロピオネート、トリメチルシリルブチレート、トリメチルシリルオキシ−3−ペンテン−2−オン等が挙げられる。
シリル化剤の含有量は、表面処理液中、0.1〜50質量%が好ましく、0.5〜30質量%がより好ましく、1.0〜20質量%がさらに好ましい。上記範囲とすることにより、表面処理液の塗布性を確保した上でパターン表面の疎水性を十分に高めることができる。
(溶剤)
溶剤としては、シリル化剤を溶解でき、かつ、表面処理対象となる樹脂パターン又は被エッチングパターンに対するダメージの少ないものであれば、特に限定されずに従来公知の溶剤を使用することができる。
具体的には、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド類;ジメチルスルホン、ジエチルスルホン、ビス(2−ヒドロキシエチル)スルホン、テトラメチレンスルホン等のスルホン類;N,N−ジメチルホルムアミド、N−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルアセトアミド、N,N−ジエチルアセトアミド等のアミド類;N−メチル−2−ピロリドン、N−エチル−2−ピロリドン、N−プロピル−2−ピロリドン、N−ヒドロキシメチル−2−ピロリドン、N−ヒドロキシエチル−2−ピロリドン等のラクタム類;1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン、1,3−ジエチル−2−イミダゾリジノン、1,3−ジイソプロピル−2−イミダゾリジノン等のイミダゾリジノン類;ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、メチルエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル等のジアルキルエーテル類;ジメチルグリコール、ジメチルジグリコール、ジメチルトリグリコール、メチルエチルジグリコール、ジエチルグリコール等のジアルキルグリコールエーテル類;メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、2−ヘプタノン、3−ヘプタノン等のケトン類;p−メンタン、ジフェニルメンタン、リモネン、テルピネン、ボルナン、ノルボルナン、ピナン等のテルペン類;等が挙げられる。
上述の前処理により、図1(b)に示すように、支持基板1の表面1aにシランカップリング剤(シリル化剤)に由来する処理膜2が表面1aの全体に形成される。
ここで、前処理工程において処理膜2と支持基板1の表面1aとの間で生じる化学反応について説明する。図2は前処理工程において処理膜2と支持基板1の表面1aとの間で生じる化学反応を示した図である。以下の説明では、上記式(2)で表したシリル化剤(HMDS(ヘキサメチルジシラザン))を例に挙げて説明する。
ガラスからなる支持基板1は、表面1aにOH基(ヒドロキシ基)が存在している。そのため、シランカップリング剤による前処理が行われると、HMDSが分解して2つの水酸基に結合し、アンモニア(NH)が発生する。これにより、支持基板1は表面1aにおけるOH基(ヒドロキシ基)がシリル化され、図2に示すようにシリル化剤に由来したシリル基を含む処理膜2が表面1aに形成される。したがって、支持基板1は、表面1aに処理膜2(シリル基)が形成されることでOH基(ヒドロキシ基)が存在しない状態またはほとんど存在しない状態となっている。
続いて、図1(c)に示すように、前処理工程による処理が施された処理面、すなわち処理膜2上に樹脂基板形成用の材料として、ポリアミック酸を含む溶液3aを塗布する。本実施形態では、処理膜2上に例えば、溶液3aをインクジェット法により選択的に形成するようにした。これにより、後述のように、平面視した状態において、支持基板1上の樹脂基板3が支持基板1よりもサイズが小さいものとすることが可能である。
以下、本実施形態に用いるポリアミック酸について説明する。
(ポリアミック酸)
本実施形態において、ポリイミドからなる樹脂基板の生成に使用されるポリアミック酸は特に限定されず、従来からポリイミド樹脂の前駆体として知られているポリアミック酸から適宜選択される。
好適なポリアミック酸としては、例えば、下式(4)で表される構成単位からなるポリアミック酸が挙げられる。
Figure 0006450620
(式(4)中、Rは4価の有機基であり、R10は2価の有機基であり、nは式(1)で表される構成単位の繰り返し数である。)
式(4)中、Rは4価の有機基であり、R10は2価の有機基であり、それらの炭素数は2〜50が好ましく、2〜30がより好ましい。R及びRは、それぞれ、脂肪族基であっても、芳香族基であっても、これらの構造を組合せた基であってもよい。R及びR10は、炭素原子、及び水素原子の他に、ハロゲン原子、酸素原子、及び硫黄原子を含んでいてもよい。R及びR10が酸素原子、窒素原子、又は硫黄原子を含む場合、酸素原子、窒素原子、又は硫黄原子は、含窒素複素環基、−CONH−、−NH−、−N=N−、−CH=N−、−COO−、−O−、−CO−、−SO−、−SO−、−S−、及び−S−S−から選択される基として、R及びR10に含まれてもよく、−O−、−CO−、−SO−、−SO−、−S−、及び−S−S−から選択される基として、R及びR10に含まれるのがより好ましい。
上記式(4)で表される構成単位からなるポリアミック酸を加熱することにより、下式(5)で表される構成単位からなるポリイミド樹脂が得られる。
Figure 0006450620
(式(5)中、R及びRは式(4)と同意であり、nは式(5)で表される構成単位の繰り返し数である。)
以下、ポリアミック酸の調製に用いられる、テトラカルボン酸二無水物成分、ジアミン成分、及びN,N,N’,N’−テトラメチルウレアと、ポリアミック酸の製造方法とについて説明する。
(テトラカルボン酸二無水物成分)
ポリアミック酸の合成原料となるテトラカルボン酸二無水物成分は、ジアミン成分と反応することによりポリアミック酸を形成可能なものであれば特に限定されない。テトラカルボン酸二無水物成分は、従来からポリアミック酸の合成原料として使用されているテトラカルボン酸二無水物から適宜選択することができる。テトラカルボン酸二無水物成分は、芳香族テトラカルボン酸二無水物であっても、脂肪族テトラカルボン酸二無水物であってもよいが、得られるポリイミド樹脂の耐熱性の点から、芳香族テトラカルボン酸二無水物が好ましい。テトラカルボン酸二無水物成分は、2種以上を組合せて用いてもよい。
芳香族テトラカルボン酸二無水物の好適な具体例としては、ピロメリット酸二無水物、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、4,4’−オキシジフタル酸無水物、及び3,3’,4,4’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物等が挙げられる。これらの中では、価格、入手容易性等から、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、及びピロメリット酸二無水物が好ましい。
(ジアミン成分)
ポリアミック酸の合成原料となるジアミン成分は、テトラカルボン酸二無水物成分と反応することによりポリアミック酸を形成可能なものであれば特に限定されない。ジアミン成分は、従来からポリアミック酸の合成原料として使用されているジアミンから適宜選択することができる。ジアミン成分は、芳香族ジアミンであっても、脂肪族ジアミンであってもよいが、得られるポリイミド樹脂の耐熱性の点から、芳香族ジアミンが好ましい。ジアミン成分は、2種以上を組合せて用いてもよい。
芳香族ジアミンの好適な具体例としては、p−フェニレンジアミン、m−フェニレンジアミン、2,4−ジアミノトルエン、4,4’−ジアミノビフェニル、4,4’−ジアミノ−2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ビフェニル、3,3’−ジアミノジフェニルスルフォン、4,4’−ジアミノジフェニルスルフォン、4,4’−ジアミノジフェニルスルフィド、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、3,4’−ジアミノジフェニルエーテル、3,3’−ジアミノジフェニルエーテル、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、4,4’−ビス(4−アミノフェノキシ)ビフェニル、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]スルフォン、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]スルフォン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、及び2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン等が挙げられる。これらの中では、価格、入手容易性等から、p−フェニレンジアミン、m−フェニレンジアミン、2,4−ジアミノトルエン、及び4,4’−ジアミノジフェニルエーテルが好ましい。
(N,N,N’,N’−テトラメチルウレア)
テトラカルボン酸二無水物成分と、ジアミン成分とは、N,N,N’,N’−テトラメチルウレアを溶媒として用いて合成される。N,N,N’,N’−テトラメチルウレアを溶媒として用いて合成されたポリアミック酸を加熱してポリイミド樹脂を生成させると、引張伸度及び耐熱性に優れるポリイミド樹脂を得やすい。
(ポリアミック酸の合成)
以上説明した、テトラカルボン酸二無水物成分と、ジアミン成分とを、N,N,N’,N’−テトラメチルウレアを溶媒として用いて反応させてポリアミック酸を合成する。ポリアミック酸を合成する際の、テトラカルボン酸二無水物成分及びジアミン成分の使用量は特に限定されないが、テトラカルボン酸二無水物成分1モルに対して、ジアミン成分を0.50〜1.50モル用いるのが好ましく、0.60〜1.30モル用いるのがより好ましく、0.70〜1.20モル用いるのが特に好ましい。
N,N,N’,N’−テトラメチルウレアの使用量は、本発明の目的を阻害しない範囲で特に限定されない。典型的には、N,N,N’,N’−テトラメチルウレアの使用量は、テトラカルボン酸二無水物成分の量とジアミン成分の量との合計100質量部に対して、100〜4000質量部が好ましく、150〜2000質量部がより好ましい。
また、ポリアミック酸を合成する際には、溶媒として、N,N,N’,N’−テトラメチルウレアのみを用いるのが最も好ましい。しかし、本発明の目的を阻害しない範囲で、N,N,N’,N’−テトラメチルウレアと共に、N,N,N’,N’−テトラメチルウレアの他の溶媒を用いることができる。N,N,N’,N’−テトラメチルウレアの他の溶媒は、従来からポリアミック酸の合成に用いられている溶媒から適宜選択することができる。N,N,N’,N’−テトラメチルウレアの他の溶媒の好適な例としては、例えば、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、ヘキサメチルホスホルアミド、及び1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン等が挙げられる。N,N,N’,N’−テトラメチルウレアと共に、N,N,N’,N’−テトラメチルウレアの他の溶媒を用いる場合、他の溶媒の使用量は、ポリアミック酸の合成に用いる溶媒の全質量に対して20質量%以下が好ましく、10質量%以下がより好ましく、5質量%以下が特に好ましい。
テトラカルボン酸二無水物成分と、ジアミン成分とを反応させる際の温度は、反応が良好に進行する限り特に限定されない。典型的には、テトラカルボン酸二無水物成分と、ジアミン成分との反応温度は、−5〜150℃が好ましく、0〜120℃がより好ましく、0〜70℃が特に好ましい。また、テトラカルボン酸二無水物成分と、ジアミン成分とを反応させる時間は、反応温度によっても異なるが、典型的には、1〜50時間が好ましく、2〜40時間がより好ましく、5〜30時間が特に好ましい。
以上説明した方法により、ポリアミック酸溶液が得られる。なお、ポリイミドパウダーを含む溶液を用いてポリイミドを形成しても良い。
続いて、図1(d)に示すように、溶液3aが塗布された支持基板1を加熱して焼成することで支持基板1にポリイミドからなる樹脂基板3が形成された積層体10を形成する(焼成工程)。
焼成工程では、例えば、支持基板1を120℃〜350℃、好ましくは150℃〜350℃に加熱する。このような温度範囲で加熱することで、生成されるポリイミド(樹脂基板3)の熱劣化や熱分解を抑制することで良質なものを製造することができる。また、ポリアミック酸の加熱を高温で行なう場合、多量のエネルギーの消費や、高温での処理設備の経時劣化が促進される場合があるため、ポリアミック酸の加熱を低めの温度で行なうことも好ましい。具体的には、ポリアミック酸を加熱する温度の上限を、250℃以下とするのが好ましく、220℃以下とするのがより好ましく、200℃以下とするのが特に好ましい。
本実施形態において、支持基板1の表面1aと樹脂基板3との間には処理膜2が存在している。表面1aには処理膜2によるシリル基が形成されており、OH基(ヒドロキシ基)が存在しないまたはほとんど存在しないため、樹脂基板3を構成するポリイミドと共有結合を作ることが抑制される。また、シリル基が形成されることでポリイミドと処理膜2との密着性が低下し、樹脂基板3の剥離性が向上する。
図3は処理膜2における剥離性向上の効果を示した実験結果である。図3において、横軸は樹脂基板を支持基板上に形成してから経過した時間(経過日数)を示し、縦軸はポリイミド(樹脂基板)と支持基板との密着強度(単位:g)を示したものである。また、図3には、比較としてシランカップリング剤による処理を行わなかった支持基板を用いた場合を「未処理」として示し、シランカップリング剤による処理を行った支持基板を用いた場合を「処理済1」、「処理済2」とした。なお、「処理済1」および「処理済2」は、処理に用いたシランカップリング剤が異なっており、「処理済1」ではシランカップリング剤OAP(東京応化工業株式会社製)、「処理済2」ではシランカップリング剤OSRA(東京応化工業株式会社製)を用いた。
図3に示すように、シランカップリング剤による処理を行った場合(処理済1、2)又は行わない場合(未処理)のいずれにおいても、樹脂基板を支持基板上に形成してから経過すると密着強度が低下していく。経過日数が3日を超えると、密着強度はシランカップリング剤による処理を行った場合と行わない場合とで大きな差が無くなる。この原因は、時間の経過に伴って樹脂基板を構成するポリイミドが水分を吸着したことで支持基板の界面における密着強度が低下したことによる。
通常、樹脂基板を形成した直後に支持基板からの剥離が行われる。そのため、経過時間が短い場合において、密着強度を低下させることが重要である。
図3からは、シランカップリング剤による処理を行った場合(処理済1、2)、経過時間が短い、すなわち、ポリイミドの水分吸着が生じていなくても、低い密着力で樹脂基板を支持基板から剥離されることが確認できた。
続いて、樹脂基板3の上面に用途に応じた電子デバイス(不図示)を積層する。例えば、樹脂基板3上にTFT素子を形成し、さらに表示素子を積層又は貼り合せることで液晶ディスプレイ、有機ELディスプレイ、電子ペーパーなどの表示デバイス、特にはフレキシブル表示デバイスを形成することが可能である。
不図示の電子デバイスを形成した後、図1(e)に示すように、支持基板1から樹脂基板3を剥離する(剥離工程)。支持基板1から樹脂基板3を剥離する際、本実施形態の基板剥離装置を使用することで樹脂基板3を支持基板1から良好に剥離可能である。
図4は、本実施形態の基板剥離装置100の概略構成を示す図である。
図4に示すように、基板剥離装置100は、挿入部20と、移動機構21と、剥離機構22と、を備えている。
挿入部20は、樹脂基板3の少なくとも1つの角部に配置され、樹脂基板3の角部における支持基板1との界面に挿入されるものである。本実施形態では、挿入部20は、第1挿入部30と、第2挿入部31と、第3挿入部32と、第4挿入部33と、を含む。
第1挿入部30、第2挿入部31、第3挿入部32および第4挿入部33は、平面形状が矩形状の樹脂基板3の4つの角部3A,3B,3C,3Dにそれぞれ対応して配置される。
これら第1挿入部30、第2挿入部31、第3挿入部32および第4挿入部33は、同一の構成を有している。本実施形態において、第1挿入部30は、刃物30Aと、押し出し部30Bと、を備えている。第2挿入部31は、刃物31Aと、押し出し部31Bと、を備えている。第3挿入部32は、刃物32Aと、押し出し部32Bと、を備えている。第4挿入部33は、刃物33Aと、押し出し部33Bと、を備えている。
刃物30A、31A、32A、33Aとしては、平刃または丸刃のいずれを用いるのが好ましい。本実施形態では、刃物30A、31A、32A、33Aとして、例えば、カッター刃から構成される平刃を用いた。
押し出し部30B、31B、32B、33Bは、例えば、アクチュエーター等から構成され、刃物30A、31A、32A、33Aをそれぞれ所定方向に押し出すことで支持基板1と樹脂基板3との界面に挿入可能である。
移動機構21は、挿入部20(各刃物30A、31A、32A、33A)が樹脂基板3と支持基板1との界面に挿入された状態で、該挿入部20と支持基板1とを相対移動させるものである。移動機構21は、例えば、アクチュエーター等の駆動装置から構成されている。移動機構21は、第1挿入部30、第2挿入部31、第3挿入部32および第4挿入部33をそれぞれ独立して樹脂基板3の外周に沿って移動可能であり、これにより、樹脂基板3および支持基板1の界面にはスリットが形成される。
本実施形態では、第1挿入部30、第2挿入部31、第3挿入部32および第4挿入部33がそれぞれ樹脂基板3の外周に沿って独立して移動することで、樹脂基板3および支持基板1の界面には該樹脂基板3の外周を枠状に囲むようにスリットが形成される。
剥離機構22は、樹脂基板3を保持し、第1挿入部30および第2挿入部31により界面に形成されたスリットを基点として支持基板1から樹脂基板3を剥離する。
剥離機構22は、樹脂基板3を保持する保持部40を有する。保持部40における樹脂基板3の保持方法は特に限定されず、例えば、樹脂基板3を吸着して保持する吸着保持方式や、樹脂基板3を接着して保持する接着方式や、樹脂基板3のスリット部分を直接把持する把持方式や、スリット部分をローラー部材に巻き付ける巻付方式等を採用することができる。
ここで、基板剥離装置100による基板剥離方法について図5に示すフローチャートに基づいて説明する。
本実施形態の基板剥離方法は、挿入ステップS1と、移動ステップS2と、剥離ステップS3と、を備えている。
挿入ステップS1において、挿入部20は、樹脂基板3の角部3A,3Bにおける支持基板1との界面に挿入される。具体的に、第1挿入部30、第2挿入部31、第3挿入部32および第4挿入部33は、各押し出し部30B、31B、32B、33Bにより、刃物30A、31B、32B、33Bを角部3A,3Bから徐々に押し込むことで、界面Kに挿入する。
本実施形態において、図4に示したように、第1挿入部30は、例えば、平刃から構成された刃物30Aの刃面が角部3Aに対し、略45度の角度をなすように配置されている。
本実施形態において、押し出し部30Bは、刃物30Aを刃面の直交方向に押し出し、角部3Aの界面Kに挿入させる。
また、第2挿入部31においても、図4に示したように、平刃から構成された刃物31Aの刃面が角部3Bに対し、略45度の角度をなすように配置されている。押し出し部31Bは、刃物31Aを刃面の直交方向に押し出し、角部3Bの界面に挿入させる。
また、第3挿入部32においても、図4に示したように、平刃から構成された刃物32Aの刃面が角部3Cに対し、略45度の角度をなすように配置されている。押し出し部32Bは、刃物32Aを刃面の直交方向に押し出し、角部3Cの界面に挿入させる。
また、第4挿入部33においても、図4に示したように、平刃から構成された刃物33Aの刃面が角部3Dに対し、略45度の角度をなすように配置されている。押し出し部33Bは、刃物33Aを刃面の直交方向に押し出し、角部3Dの界面に挿入させる。
本実施形態では、樹脂基板3を支持基板1よりも小さく形成している。そのため、刃物30A、31A、32A、33Aが支持基板1の表面に摺接した状態となる。よって、支持基板1は、刃物30A、31A、32A、33Aが樹脂基板3の界面に挿入する挿入動作をガイドすることができる。
移動ステップS2において、移動機構21は、図6に示すように、界面に挿入された刃物30A、31A、32A、33Aを樹脂基板3の外周に沿って独立して移動させる。刃物30A、31A、32A、33Aは、支持基板1の表面に摺接した状態で移動することでスリットSを良好に形成できる。
本実施形態では、各角部3A、3B、3C、3Dにおいて刃物の挿入方向や挿入量の制御を精度良く行うことで、樹脂基板3の外周を囲むようにスリットSを均一に形成することが可能である。
スリットSを形成した後、剥離ステップS3を実行する。
剥離ステップS3において、剥離機構22は、保持部40における樹脂基板3のスリットSが形成された部分(スリット形成部分)を保持する。本実施形態において、保持部40は、スリット形成部分を吸着保持する。
剥離機構22は、挿入部20により界面Kに形成されたスリットSを基点とし、樹脂基板3を支持基板1から徐々に剥離する。
本実施形態によれば、支持基板1の表面1aに処理膜2が形成されるため、上述のようにポリイミドと処理膜2との密着性が低下している。そのため、上記スリットSを起点として、電子デバイスが形成された樹脂基板3を支持基板1から簡便且つ確実に剥離することができる。
よって、剥離時に樹脂基板3にダメージを与えることなく、支持基板1から容易に剥離することができる。
(第二実施形態)
続いて、本発明の第二実施形態について説明する。
本実施形態と第一実施形態との違いは挿入部の設置数である。そのため、以下では、第一実施形態と共通の構成および部材については同じ符号を付し、その詳細な説明については省略するものとする。
図7は、本実施形態の基板剥離装置200の概略構成を示す図である。
図7に示すように、基板剥離装置200は、挿入部120と、移動機構121と、剥離機構22と、回転機構123と、を備えている。
本実施形態の挿入部120は、図7に示すように、矩形状の樹脂基板3の対角線上における一対の角部3A,3Cにそれぞれ配置された第1挿入部130および第3挿入部132を含んでいる。
第1挿入部130および第3挿入部132は、同一の構成を有している。本実施形態において、第1挿入部130は、刃物130Aと、押し出し部130Bと、を備えている。第3挿入部132は、刃物132Aと、押し出し部132Bと、を備えている。
移動機構121は、第1挿入部130および第3挿入部132が樹脂基板3と支持基板1との界面に挿入された状態で、図7中の左右方向(X方向)に沿って第1挿入部130および第3挿入部132を移動させる。
回転機構123は、図6の紙面貫通方向に設定され、支持基板1の中心を通る回転軸O周りに該支持基板1を回転させる。
続いて、本実施形態の基板剥離装置200による基板剥離方法について図8を参照にしつつ説明する。
まず、挿入部120は、樹脂基板3の角部3A,3Cにおける支持基板1との界面に挿入される。図8(a)に示すように、第1挿入部130は、刃物130Aを角部3Aから徐々に押し込んで界面に挿入する。一方、第3挿入部132は、刃物132Aを角部3Cから徐々に押し込んで界面に挿入する。
移動機構121は、刃物130Aを角部3B側(図8(a)に示す+X側)に移動させるとともに、刃物132Aを角部3D側(図8(a)に示す−X側)に移動させる。これにより、樹脂基板3の外周に沿って2つのスリットSを形成することができる。
続いて、移動機構121は、図8(b)に示すように、刃物130Aおよび132Aを初期位置まで戻す。その後、回転機構123は、回転軸Oを基準に、支持基板1を反時計回りに90度回転させる。これにより、第1挿入部130が樹脂基板3の角部3Bに対向し、第3挿入部132が樹脂基板3の角部3Dに対向した状態となる。
続いて、図8(c)に示すように、第1挿入部130は、刃物130Aを角部3Bの界面Kに徐々に押し込む。一方、第3挿入部132は、刃物132Aを角部3Dの界面Kに徐々に押し込む。
続いて、移動機構121は、刃物130Aを角部3C側(図8(c)に示す+X側)に移動させるとともに、刃物132Aを角部3A側(図8(c)に示す−X側)に移動させる。これにより、樹脂基板3の外周に沿って2つのスリットSを形成することができる。
以上のようにして、樹脂基板3の外周を囲む4つのスリットSを形成することができる。
スリットSを形成した後、剥離機構22は、保持部40における樹脂基板3のスリットSが形成された部分(スリット形成部分)を保持する。剥離機構22は、挿入部120により界面Kに形成されたスリットSを基点とし、樹脂基板3を支持基板1から徐々に剥離する。
以上、本発明の一実施形態について説明したが、上記内容に限定されることはなく、発明の主旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。例えば、上記実施形態では、支持基板1の表面1aの全面に処理膜2を形成する場合を例に挙げたが、本発明はこれに限定されない。
なお、上記実施形態では、支持基板1よりも樹脂基板3のサイズを小さく形成することで、支持基板1の表面を挿入部20,120のガイドとして利用する場合を例に挙げたが、本発明はこれに限定されない。
例えば、図9(a)に示すように、支持基板1の外周部に配置したガイド部材80を利用しても良い。ガイド部材80は、支持基板1における樹脂基板3が形成された面(表面1a)と同じ高さのガイド面80aを有している。
このようなガイド部材80を利用すれば、平面視した状態において、支持基板1及び樹脂基板3の大きさが略同じ場合であっても、図9(b)に示すように、ガイド部材80のガイド面80aに沿って挿入部20,120の挿入動作がガイドされるので、界面にスリットSを良好に形成することができる。
なお、本実施形態では、樹脂基板3に対する挿入部120の挿入位置を変更するために、回転機構123を用いて支持基板1を回転させる場合を例に挙げたが、本発明はこれに限定されない。例えば、回転機構123により挿入部120自体を90度回転させつつ、移動機構121による挿入部120の移動方向を90度変更することで支持基板1を回転させることなくスリットSを形成しても良い。
1…支持基板(支持体)、2…処理膜、3…樹脂基板、3A,3B,3C,3D…角部、20…挿入部、21…移動機構、22…剥離機構、30A,31A,32A,33A,34A…刃物、80…ガイド部材、80a…ガイド面、100,200…基板剥離装置、123…回転機構、S…スリット。

Claims (15)

  1. 支持体上に形成された平面形状が矩形の樹脂基板を剥離する基板剥離装置において、
    前記樹脂基板の少なくとも1つの角部に配置され、前記樹脂基板の前記角部における前記支持体との界面に挿入可能な挿入部と、
    前記挿入部が前記界面に挿入された状態で、前記挿入部と前記支持体とを相対移動させる移動機構と、
    前記樹脂基板を保持し、前記挿入部により前記界面に形成されたスリットを基点として前記支持体から剥離する剥離機構と、を備え
    前記挿入部は、前記樹脂基板の角部の四隅にそれぞれ配置されている
    基板剥離装置。
  2. 支持体上に形成された平面形状が矩形の樹脂基板を剥離する基板剥離装置において、
    前記樹脂基板の少なくとも1つの角部に配置され、前記樹脂基板の前記角部における前記支持体との界面に挿入可能な挿入部と、
    前記挿入部が前記界面に挿入された状態で、前記挿入部と前記支持体とを相対移動させる移動機構と、
    前記樹脂基板を保持し、前記挿入部により前記界面に形成されたスリットを基点として前記支持体から剥離する剥離機構と、を備え、
    前記挿入部は、前記樹脂基板の対角線上における一対の角部にそれぞれ配置されている
    基板剥離装置。
  3. 前記挿入部は、刃物から構成される
    請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板剥離装置。
  4. 前記刃物は、平刃または丸刃から構成される
    請求項に記載の基板剥離装置。
  5. 前記支持体の外周部に設けられ、前記支持体における前記樹脂基板が形成された面と同じ高さの面を有するとともに、前記挿入部の挿入動作をガイドするガイド部材をさらに備える
    請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板剥離装置。
  6. 前記移動機構は、前記挿入部を前記樹脂基板の外周に沿って移動させる
    請求項1〜のいずれか一項に記載の基板剥離装置。
  7. 前記樹脂基板がポリイミド基板である
    請求項1〜のいずれか一項に記載の基板剥離装置。
  8. 前記支持体として、前記樹脂基板が形成される面に予めシランカップリング剤からなる前処理層が設けられたガラス基板を用いる
    請求項1〜のいずれか一項に記載の基板剥離装置。
  9. 支持体上に形成された平面形状が矩形の樹脂基板を剥離する基板剥離方法において、
    前記樹脂基板の少なくとも1つの角部に配置された挿入部を、前記樹脂基板の前記角部における前記支持体との界面に挿入する挿入ステップと、
    前記挿入部が前記界面に挿入された状態で、前記挿入部と前記支持体とを相対移動させる移動ステップと、
    前記挿入部により前記界面に形成されたスリットを基点として、前記樹脂基板を前記支持体から剥離する剥離ステップと、を備え
    前記挿入ステップにおいては、前記樹脂基板の四隅の角部に配置された前記挿入部を前記角部と前記樹脂基板との界面に挿入する
    基板剥離方法。
  10. 支持体上に形成された平面形状が矩形の樹脂基板を剥離する基板剥離方法において、
    前記樹脂基板の少なくとも1つの角部に配置された挿入部を、前記樹脂基板の前記角部における前記支持体との界面に挿入する挿入ステップと、
    前記挿入部が前記界面に挿入された状態で、前記挿入部と前記支持体とを相対移動させる移動ステップと、
    前記挿入部により前記界面に形成されたスリットを基点として、前記樹脂基板を前記支持体から剥離する剥離ステップと、を備え、
    前記挿入ステップにおいては、前記樹脂基板の対角線上における一対の角部にそれぞれ配置された前記挿入部を前記角部と前記樹脂基板との界面に挿入する
    基板剥離方法。
  11. 前記挿入部として、平刃または丸刃を用いる
    請求項9または10に記載の基板剥離方法。
  12. 前記挿入ステップにおいては、前記支持体の外周部に設けられ、前記支持体における前記樹脂基板が形成された面と同じ高さの面を有するガイド部材を用いて、前記挿入部の挿入動作をガイドさせる
    請求項9〜11のいずれか一項に記載の基板剥離方法。
  13. 前記移動ステップにおいては、前記挿入部が前記樹脂基板の外周に沿って移動する
    請求項〜1のいずれか一項に記載の基板剥離方法。
  14. 前記樹脂基板がポリイミド基板である
    請求項〜1のいずれか一項に記載の基板剥離方法。
  15. 前記支持体として、前記樹脂基板が形成される面に予めシランカップリング剤からなる前処理層が設けられたガラス基板を用いる
    請求項〜1のいずれか一項に記載の基板剥離方法。
JP2015063895A 2015-03-26 2015-03-26 基板剥離装置および基板剥離方法 Active JP6450620B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015063895A JP6450620B2 (ja) 2015-03-26 2015-03-26 基板剥離装置および基板剥離方法
TW105107599A TWI665148B (zh) 2015-03-26 2016-03-11 基板剝離裝置及基板剝離方法
CN201610149839.0A CN106028650B (zh) 2015-03-26 2016-03-16 衬底剥离装置及衬底剥离方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015063895A JP6450620B2 (ja) 2015-03-26 2015-03-26 基板剥離装置および基板剥離方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2016183016A JP2016183016A (ja) 2016-10-20
JP6450620B2 true JP6450620B2 (ja) 2019-01-09

Family

ID=57082830

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015063895A Active JP6450620B2 (ja) 2015-03-26 2015-03-26 基板剥離装置および基板剥離方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP6450620B2 (ja)
CN (1) CN106028650B (ja)
TW (1) TWI665148B (ja)

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004079773A (ja) * 2002-08-19 2004-03-11 Taiyo Yuden Co Ltd 多層プリント配線板及びその製造方法
JP2004247721A (ja) * 2003-01-23 2004-09-02 Toray Ind Inc 電子回路基板の製造方法および製造装置
JP4626139B2 (ja) * 2003-10-09 2011-02-02 東レ株式会社 回路基板の製造方法
JP2008197131A (ja) * 2007-02-08 2008-08-28 Sharp Corp 偏光板の剥離装置及び剥離方法
JP2010076875A (ja) * 2008-09-25 2010-04-08 Fujifilm Corp フイルム剥離装置及び方法
JP5360073B2 (ja) * 2009-02-06 2013-12-04 旭硝子株式会社 電子デバイスの製造方法およびこれに用いる剥離装置
JP5807554B2 (ja) * 2012-01-19 2015-11-10 旭硝子株式会社 剥離装置、及び電子デバイスの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN106028650A (zh) 2016-10-12
TWI665148B (zh) 2019-07-11
TW201702167A (zh) 2017-01-16
CN106028650B (zh) 2020-07-07
JP2016183016A (ja) 2016-10-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104769021B (zh) 柔性器件用基板、柔性器件及其制造方法、层积体及其制造方法、以及树脂组合物
JP6732871B2 (ja) 樹脂組成物、ポリイミド樹脂膜、及びその製造方法
US9278488B2 (en) Polyamic acid polymer composite and preparation method thereof
CN107429057A (zh) 聚酰亚胺前体树脂组合物
JP4807630B2 (ja) 表面活性が向上したポリイミドフィルム
EP2128193A1 (en) Porous polyimide
TW200921882A (en) Fiexible wiring board for tape carrier package
WO2016043180A1 (ja) 積層体およびフレキシブルデバイスの製造方法
WO2012053548A1 (ja) 樹脂組成物、積層体およびその製造方法、構造体およびその製造方法、ならびに電子デバイスの製造方法
US20180042125A1 (en) Flexible substrate assembly and its application for fabricating flexible printed circuits
JP6412727B2 (ja) 樹脂基板の製造方法および表示デバイスの製造方法
US9023440B2 (en) Liquid crystal alignment film, method for preparing same and liquid crystal display device comprising same
CN111417605B (zh) 向玻璃基板的涂覆用溶液
JP7030418B2 (ja) ポリイミド樹脂積層体及びその製造方法
JP6450620B2 (ja) 基板剥離装置および基板剥離方法
JP5551753B2 (ja) ポリシロキサングラフト化ポリイミド樹脂組成物及びその応用
WO2001097578A1 (fr) Procede de preparation de substrat destine a un tableau de connexions imprime souple et substrat destine a un tableau de connexions imprime souple
TW201238761A (en) Method for manufacturing carrier for transporting substrate and carrier for transporting substrate
JP2008056897A (ja) ポリアミド酸組成物およびその応用
JP6611325B2 (ja) 積層体の製造方法、及び、その利用
JP7183377B1 (ja) ポリイミド系樹脂
TW201246430A (en) Carrier for transporting substrate
CN109476951A (zh) 剥离层形成用组合物和剥离层
KR940010571B1 (ko) 가요성 동장기판
TWI724033B (zh) 改質聚醯亞胺、黏著劑組成物、附有樹脂之銅箔、覆銅積層板、印刷線路板及多層基板

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20171212

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20180906

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180911

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20181010

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20181011

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20181113

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20181210

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6450620

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150