JP6450096B2 - Optical device, semiconductor device, mounting structure of optical device, and manufacturing method of optical device - Google Patents
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Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 153
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 128
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 20
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 20
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 13
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 13
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 4
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 claims 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- -1 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
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Description
本発明は、光学装置と、光学装置の実装構造と、光学装置の製造方法と、に関する。 The present invention relates to an optical device, a mounting structure of the optical device, and a method for manufacturing the optical device.
図1には、従来の光学装置の底面図を示している。同図に示す光学装置9Aにおける基板911の表面には光学素子(図示されていない)が配置され、基板911の底面には、裏面電極922が形成されている。このような光学装置9Aの中には、接着剤によって、基板911の表面にリフレクタケース(図1では図示されていない)を接合するタイプの製品がある。基板にケースを接合するタイプの光学装置を製造する際、ケースが基板に対し方向Yに位置ずれしてしまうことがある。このような場合に、ケースを基準としてケースおよび基板911をダイシングするならば、固片化された光学装置9Aにおいて裏面電極912が所望の位置から方向Yにずれてしまう。裏面電極912の上記位置ずれは、光学装置9Aを回路基板に実装する際の光学装置9Aの実装ずれを招きかねない。なお光学装置に関連する技術は、たとえば特許文献1に開示されている。
FIG. 1 shows a bottom view of a conventional optical device. An optical element (not shown) is arranged on the surface of the
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、実装ずれが発生する不具合を回避できる光学装置を提供することをその主たる課題とする。 The present invention has been conceived under the circumstances described above, and it is a main object of the present invention to provide an optical device capable of avoiding the problem of mounting displacement.
本発明の第1の側面によると、互いに反対側を向く主面および裏面を有する基板と、前記基板に形成された配線部と、前記主面に配置された光学素子と、前記光学素子を収容している開口が形成され、前記基板に配置された枠部と、を備え、前記裏面は、各々が第1方向に沿って延びており、且つ、前記第1方向と前記基板の厚さ方向とに直交する第2方向に互いに離間する第1縁および第2縁を有し、前記配線部は、前記裏面に形成された第1裏面パッドおよび第2裏面パッドを含み、前記第1裏面パッドおよび前記第2裏面パッドは、前記第1方向に互いに離間しており、前記第1裏面パッドおよび前記第2裏面パッドは各々、前記第1縁から前記第2縁にわたって形成されている、光学装置が提供される。 According to the first aspect of the present invention, a substrate having a main surface and a back surface facing away from each other, a wiring portion formed on the substrate, an optical element disposed on the main surface, and the optical element are accommodated And a frame portion disposed on the substrate, the back surface extending along a first direction, and the first direction and the thickness direction of the substrate. A first edge and a second edge spaced apart from each other in a second direction orthogonal to the first back pad, wherein the wiring portion includes a first back pad and a second back pad formed on the back surface. And the second back surface pad is spaced from each other in the first direction, and the first back surface pad and the second back surface pad are each formed from the first edge to the second edge. Is provided.
好ましくは、前記第1裏面パッドは、第1帯状部を有し、前記第2裏面パッドは、第2帯状部を有し、前記第1帯状部および前記第2帯状部はいずれも、前記第2方向に沿って延びる形状である。 Preferably, the first back surface pad has a first belt portion, the second back surface pad has a second belt portion, and both the first belt portion and the second belt portion are the first belt portion. It is a shape extending along two directions.
好ましくは、前記第1帯状部および前記第2帯状部は、前記第1方向に互いに離間している。 Preferably, the first belt-like portion and the second belt-like portion are separated from each other in the first direction.
好ましくは、前記第1帯状部および前記第2帯状部は各々、前記第1縁から前記第2縁にわたって形成されている。 Preferably, each of the first belt-like portion and the second belt-like portion is formed from the first edge to the second edge.
好ましくは、前記裏面は、各々が第2方向に沿って延びており、且つ、前記第1方向に互いに離間する第1辺および第2辺を有し、前記第1帯状部は、前記第1辺および前記第2帯状部の間に位置しており、前記第1帯状部は、前記第1辺から離間しており、前記第2帯状部は、前記第2辺から離間している。 Preferably, each of the back surfaces has a first side and a second side that extend along the second direction and are spaced apart from each other in the first direction, and the first belt-like portion is the first side. Located between a side and the second strip, the first strip is spaced from the first side, and the second strip is spaced from the second side.
好ましくは、前記裏面のうち前記第1帯状部と前記第1辺に挟まれた領域、および、前記裏面のうち前記第2帯状部と前記第2辺に挟まれた領域は、前記配線部から露出している。 Preferably, a region sandwiched between the first belt-like portion and the first side in the back surface, and a region sandwiched between the second belt-like portion and the second side in the back surface are formed from the wiring portion. Exposed.
好ましくは、前記裏面には、前記第1辺から凹む第1切り欠きと、前記第2辺から凹む第2切り欠きと、が形成されており、前記第1裏面パッドは、前記第1切り欠きの縁に沿う部分を有しており、前記第2裏面パッドは、前記第2切り欠きの縁に沿う部分を有している。 Preferably, a first notch that is recessed from the first side and a second notch that is recessed from the second side are formed on the back surface, and the first back pad is formed of the first notch. The second back surface pad has a portion along the edge of the second notch.
好ましくは、前記第1裏面パッドは、前記第1帯状部から、前記第1切り欠きの縁に沿って延び出る一対の第1延出部を有し、前記一対の第1延出部は各々、前記第1辺まで至っており、前記第2裏面パッドは、前記第2帯状部から、前記第2切り欠きの縁に沿って延び出る一対の第2延出部を有し、前記一対の第2延出部は各々、前記第2辺まで至っている。 Preferably, the first back surface pad has a pair of first extending portions extending from the first belt-shaped portion along an edge of the first notch, and the pair of first extending portions is respectively The second back surface pad has a pair of second extending portions extending from the second belt-shaped portion along an edge of the second notch, and the pair of second extending pads. Each of the two extending portions reaches the second side.
好ましくは、第1切り欠きの縁および前記第2切り欠きの縁はいずれも、円弧状である。 Preferably, the edge of the first notch and the edge of the second notch are both arcuate.
好ましくは、前記第1方向に沿って延びる仮想直線は、前記第2方向における前記裏面の中心からずれた位置に位置しており、前記仮想直線は、前記第1切り欠きにおいて最も第2裏面パッド側に位置する部位と、前記第2切り欠きにおいて最も前記第1裏面パッド側に位置する部位と、を結ぶ直線である。 Preferably, the imaginary straight line extending along the first direction is located at a position shifted from the center of the back surface in the second direction, and the imaginary straight line is the second most back surface pad in the first cutout. A straight line connecting a portion located on the side and a portion located closest to the first back surface pad in the second cutout.
好ましくは、前記基板は、前記第2方向の一方を向く第1側面と、前記第1側面とは反対側を向く第2側面と、を有し、前記第1側面および前記第2側面はいずれも、平坦である。 Preferably, the substrate has a first side surface facing one side in the second direction and a second side surface facing the opposite side to the first side surface, and the first side surface and the second side surface are either Is also flat.
好ましくは、前記第1側面の全体および前記第2側面の全体はいずれも、前記配線部から露出している。 Preferably, the entire first side surface and the entire second side surface are both exposed from the wiring portion.
好ましくは、前記基板は、前記第1方向の一方を向く第1端面と、前記第1端面とは反対側を向く第2端面と、を有し、前記第1端面および前記第2端面はいずれも、平坦である。 Preferably, the substrate has a first end surface facing one of the first directions and a second end surface facing the opposite side of the first end surface, and the first end surface and the second end surface are either Is also flat.
好ましくは、前記第1端面の全体および前記第2端面の全体はいずれも、前記配線部から露出している。 Preferably, the entire first end surface and the entire second end surface are both exposed from the wiring portion.
好ましくは、前記基板には、前記第1端面から凹む第1凹部と、前記第2端面から凹む第2凹部と、が形成されている。 Preferably, the substrate is formed with a first recess recessed from the first end surface and a second recess recessed from the second end surface.
好ましくは、前記配線部は、主面電極と、第1連絡電極と、第2連絡電極と、を含み、前記主面電極は、前記主面に形成され、前記主面電極には、前記光学素子が配置されており、前記第1連絡電極は、前記主面電極および前記第1裏面パッドを導通させており、前記第2連絡電極は、前記主面電極および前記第2裏面パッドを導通させている。 Preferably, the wiring portion includes a main surface electrode, a first connection electrode, and a second connection electrode, and the main surface electrode is formed on the main surface, and the main surface electrode includes the optical surface. An element is disposed, the first connection electrode electrically connects the main surface electrode and the first back surface pad, and the second communication electrode electrically connects the main surface electrode and the second back surface pad. ing.
好ましくは、前記第1連絡電極は、前記第1凹部の内面に形成されており、前記第2連絡電極は、前記第2凹部の内面に形成されている。 Preferably, the first connecting electrode is formed on the inner surface of the first recess, and the second connecting electrode is formed on the inner surface of the second recess.
好ましくは、前記光学素子にボンディングされたワイヤを更に備え、前記主面電極は、前記光学素子がボンディングされたダイボンディング部と、前記ワイヤがボンディングされたワイヤボンディング部と、を有する。 Preferably, a wire bonded to the optical element is further provided, and the main surface electrode includes a die bonding part to which the optical element is bonded and a wire bonding part to which the wire is bonded.
好ましくは、前記光学素子および前記配線部の間に介在する素子接合層を更に備える。 Preferably, an element bonding layer interposed between the optical element and the wiring portion is further provided.
好ましくは、前記素子接合層は、導電性の材料よりなる。 Preferably, the element bonding layer is made of a conductive material.
好ましくは、前記枠部は、前記光学素子を包囲する内周面を有する。 Preferably, the frame portion has an inner peripheral surface surrounding the optical element.
好ましくは、前記内周面は、前記基板の厚さ方向において前記基板から離間するほど前記厚さ方向視において前記光学素子から遠ざかるように、前記基板の厚さ方向に対し傾斜している。 Preferably, the inner peripheral surface is inclined with respect to the thickness direction of the substrate so as to be farther from the optical element in the thickness direction view as the distance from the substrate increases in the thickness direction of the substrate.
好ましくは、前記枠部は、前記基板の厚さ方向のうち前記裏面から前記主面に向かう方向を向く頂面を有し、前記頂面は、枠状を呈する。 Preferably, the frame portion has a top surface facing a direction from the back surface to the main surface in a thickness direction of the substrate, and the top surface has a frame shape.
好ましくは、前記頂面は、前記第2方向において互いに離間し、前記第1方向に沿って延びる第1面および第2面を有し、前記光学素子は、前記厚さ方向視において、前記第1面および前記第2面の間に配置されており、前記第2方向における前記第1面の寸法は、前記第2方向における前記第2面の寸法と同一である。 Preferably, the top surface has a first surface and a second surface that are spaced apart from each other in the second direction and extend along the first direction, and the optical element has the first surface in the thickness direction view. It is arrange | positioned between 1 surface and the said 2nd surface, and the dimension of the said 1st surface in the said 2nd direction is the same as the dimension of the said 2nd surface in the said 2nd direction.
好ましくは、前記枠部は、前記第1側面と面一である第1外側面と、前記第2側面と面一である第2外側面と、を有し、前記第1外側面および前記第2外側面は平坦である。 Preferably, the frame portion includes a first outer surface that is flush with the first side surface, and a second outer surface that is flush with the second side surface, the first outer surface and the first side surface. 2 The outer surface is flat.
好ましくは、前記枠部は、前記第1端面と面一である第3外側面と、前記第2端面と面一である第4外側面と、を有し、前記第3外側面および前記第4外側面は平坦である。 Preferably, the frame portion includes a third outer surface that is flush with the first end surface, and a fourth outer surface that is flush with the second end surface, and the third outer surface and the first outer surface. 4 The outer surface is flat.
好ましくは、前記枠部は、前記基板に対向する底面を有する。 Preferably, the frame portion has a bottom surface facing the substrate.
好ましくは、前記枠部および前記基板の間に介在し、前記枠部を前記基板に接合する枠部接合層を更に備える。 Preferably, the apparatus further includes a frame bonding layer that is interposed between the frame and the substrate and bonds the frame to the substrate.
好ましくは、前記枠部接合層は、絶縁性の材料よりなる。 Preferably, the frame bonding layer is made of an insulating material.
好ましくは、前記光学素子を覆う透光樹脂部を更に備える。 Preferably, a translucent resin portion that covers the optical element is further provided.
本発明の第2の側面によると、本発明の第1の側面によって提供される光学装置と、回路基板と、前記第1裏面パッドおよび前記回路基板の間、および、前記第2裏面パッドおよび前記回路基板の間に介在するハンダ層と、を備える、光学装置の実装構造が提供される。 According to a second aspect of the present invention, an optical device provided by the first aspect of the present invention, a circuit board, between the first back pad and the circuit board, and the second back pad and the There is provided a mounting structure of an optical device including a solder layer interposed between circuit boards.
本発明の第3の側面によると、基板を用意する工程と、前記基板の裏面に、第1裏面導電層および第2裏面導電層を形成する工程と、前記基板の主面に、複数の開口が形成された枠部を配置する工程と、前記基板の主面に、複数の光学素子を配置する工程と、前記基板および前記枠部を切断し、固片化する工程と、を備え、前記第1裏面導電層および前記第2裏面導電層は、第1方向に互いに離間し、且つ、前記第1方向と前記基板の厚さ方向とに直交する第2方向に沿って延びており、前記固片化する工程においては、ダイシングブレードによって、前記第1方向に沿って、前記第1裏面導電層の一部および前記第2裏面導電層の一部を切断する、光学装置の製造方法が提供される。 According to the third aspect of the present invention, a step of preparing a substrate, a step of forming a first back surface conductive layer and a second back surface conductive layer on the back surface of the substrate, and a plurality of openings on the main surface of the substrate A step of disposing a frame portion formed with, a step of disposing a plurality of optical elements on the main surface of the substrate, and a step of cutting and solidifying the substrate and the frame portion, The first back surface conductive layer and the second back surface conductive layer are separated from each other in a first direction and extend along a second direction perpendicular to the first direction and the thickness direction of the substrate, In the solidifying step, a method for manufacturing an optical device is provided in which a part of the first back surface conductive layer and a part of the second back surface conductive layer are cut along the first direction by a dicing blade. Is done.
好ましくは、前記配置する工程においては、接着剤によって、前記基板の主面に前記枠部を接合する。 Preferably, in the step of arranging, the frame portion is bonded to the main surface of the substrate with an adhesive.
好ましくは、前記基板には、前記第2方向に沿って複数の貫通孔が形成されている。 Preferably, a plurality of through holes are formed in the substrate along the second direction.
好ましくは、前記固片化する工程においては、前記複数の貫通孔のうち互いに前記第2方向において隣接する2つの貫通孔の間の前記基板における箇所を、前記ダイシングブレードによって切断する。 Preferably, in the solidifying step, a portion of the substrate between two through holes adjacent to each other in the second direction among the plurality of through holes is cut by the dicing blade.
好ましくは、前記固片化する工程の前において、前記基板の前記主面のうち、前記2つの貫通孔に挟まれた領域が露出している。 Preferably, before the solidifying step, a region sandwiched between the two through holes is exposed on the main surface of the substrate.
好ましくは、前記固片化する工程においては、前記複数の貫通孔のうち互いに前記第2方向において隣接する2つの貫通孔の間にて、前記2つの貫通孔の中点から前記第2方向にずれた前記基板における箇所を、前記ダイシングブレードによって切断する。 Preferably, in the step of solidifying, between the two through holes adjacent to each other in the second direction among the plurality of through holes, from the midpoint of the two through holes to the second direction. The location on the substrate that has shifted is cut by the dicing blade.
好ましくは、前記固片化する工程においては、前記枠部を基準として、前記基板および前記枠部を切断する。 Preferably, in the step of solidifying, the substrate and the frame portion are cut based on the frame portion.
好ましくは、前記基板の主面に、主面導電層を形成する工程を更に備え、前記複数の光学素子を配置する工程においては、前記主面導電層に前記複数の光学素子を配置する。 Preferably, the method further includes a step of forming a main surface conductive layer on the main surface of the substrate, and in the step of disposing the plurality of optical elements, the plurality of optical elements are disposed on the main surface conductive layer.
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。 Other features and advantages of the present invention will become more apparent from the detailed description given below with reference to the accompanying drawings.
以下、本発明の実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be specifically described with reference to the drawings.
<第1実施形態>
図2〜図17を用いて、本発明の第1実施形態について説明する。
<First Embodiment>
A first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
図2は、本発明の第1実施形態にかかる光学装置の正面図である。図3は、図2に示した光学装置の平面図である。図4は、図3のIV−IV線に沿う断面図である。図5は、図2に示した光学装置の底面図である。 FIG. 2 is a front view of the optical device according to the first embodiment of the present invention. FIG. 3 is a plan view of the optical device shown in FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line IV-IV in FIG. FIG. 5 is a bottom view of the optical device shown in FIG.
これらの図に示す光学装置A1は、基材1と、光学素子4と、枠部6と、素子接合層71と、枠部接合層73と、透光樹脂部77と、ワイヤ78と、を備える。
The optical device A1 shown in these drawings includes a
図2〜図5に示すように、基材1は、基板11と、配線部12と、を含む。
As shown in FIGS. 2 to 5, the
基板11は光学素子4を配置するためのものである。本実施形態では、基板11は矩形状である。基板11は、絶縁性の材料よりなる。このような絶縁性の材料としては、たとえば、絶縁性の樹脂が挙げられる。このような絶縁性の樹脂としては、たとえば、ガラスエポキシ樹脂が挙げられる。なお、本実施形態では、図5等に示すように、第1方向Xおよび第2方向Yが規定されている。第2方向Yは、第1方向Xと基板11の厚さ方向Zとに直交する。
The
基板11は、主面111と、裏面112と、第1側面113と、第2側面114と、第1端面115と、第2端面116と、を有する。本実施形態では、主面111と、裏面112と、第1側面113と、第2側面114と、第1端面115と、第2端面116と、はいずれも平坦である。
The
主面111および裏面112は、互いに反対側を向く。具体的には、主面111は、基板11の厚さ方向Zのうちの一方(方向Z1)を向く。裏面112は、基板11の厚さ方向Zのうちの他方(方向Z2)を向く。
The
図5に示すように、裏面112は、第1縁112Aと、第2縁112Bと、第1辺112Cと、第2辺112Dと、を有する。
As shown in FIG. 5, the
第1縁112Aおよび第2縁112Bは、各々が第1方向Xに沿って延びており、且つ、第2方向Yに互いに離間している。第1辺112Cおよび第2辺112Dは、各々が第2方向Yに沿って延びており、且つ、第1方向Xに互いに離間している。裏面112には、第1切り欠き112Gと、第2切り欠き112Hとが形成されている。第1切り欠き112Gは、第1辺112Cから凹んでいる。第2切り欠き112Hは、第2辺112Dから凹んでいる。第1切り欠き112Gの縁および第2切り欠き112Hの縁はいずれも、円弧状である。
The
第1側面113は、第2方向Yの一方を向く。第2側面114は、第1側面113とは反対側を向く。第1端面115は、第1方向Xの一方を向く。第2端面116は、第1端面115とは反対側を向く。
The
基板11には、第1凹部11Gと第2凹部11Hとが形成されている。第1凹部11Gは、第1端面115から凹んでいる。第2凹部11Hは、第2端面116から凹んでいる。第1凹部11Gの方向Z2側の縁は、第1切り欠き112Gの縁を構成している。第2凹部11Hの方向Z2側の縁は、第2切り欠き112Hの縁を構成している。厚さ方向Zに直交する平面による第1凹部11Gの断面形状、および、厚さ方向Zに直交する平面による第2凹部11Hの断面形状はいずれも、円弧状である。
The
図5に示すように、光学装置A1では、第1方向Xに沿って延びる仮想直線L1が、第2方向Yにおける裏面112の中心C1に重なっている。仮想直線L1は、第1切り欠き112Gにおいて最も第2裏面パッド122D(後述)側に位置する部位と、第2切り欠き112Hにおいて最も第1裏面パッド122A(後述)側に位置する部位と、を結ぶ直線である。なお、本実施形態とは異なり、図6に示す光学装置A1’のように、第1方向Xに沿って延びる仮想直線L1が、第2方向Yにおける裏面112の中心からずれた位置に位置する場合もある。
As shown in FIG. 5, in the optical device A1, the virtual straight line L1 extending along the first direction X overlaps the center C1 of the
図4、図5等に示す配線部12は基板11に形成されている。配線部12は光学素子4へ給電する機能を果たす。配線部12は、厚さ方向Z視において所定のパターン形状となっている。配線部12のパターン形状は適宜変更可能である。配線部12はめっきにより形成される。配線部12は、たとえば、Ni層およびAu層が積層された構造となっている。配線部12は、第1側面113と第2側面114と第1端面115と第2端面116とには形成されていない。すなわち。第1側面113、第2側面114、第1端面115、および第2端面116は各々、全体にわたって、配線部12から露出している。
The
配線部12は、主面電極121と、裏面電極122と、第1連絡電極12Gと、第2連絡電極12Hと、を含む。
The
主面電極121は主面111に形成されている。主面電極121には光学素子4が配置されている。主面電極121は、ダイボンディング部121Aとワイヤボンディング部121Bとを有する。ダイボンディング部121Aには光学素子4がボンディングされている。ワイヤボンディング部121Bにはワイヤ78がボンディングされている。
裏面電極122は裏面112に形成されている。裏面電極122は、第1裏面パッド122Aと第2裏面パッド122Dとを有する。第1裏面パッド122Aおよび第2裏面パッド122Dは、第1方向Xに互いに離間している。第1裏面パッド122Aおよび第2裏面パッド122Dは各々、第1縁112Aから第2縁112Bにわたって形成されている。
The
第1裏面パッド122Aは第1帯状部122Bおよび一対の第1延出部122Cを有する。
The first
第1帯状部122Bは第2方向Yに沿って延びる形状である。第1帯状部122Bは、第1縁112Aから第2縁112Bにわたって形成されている。第1帯状部122Bは、第1辺112Cから離間している。裏面112のうち第1帯状部122Bと第1辺112Cに挟まれた領域R11は、配線部12から露出している。
The
一対の第1延出部122Cは、第1帯状部122Bから、第1切り欠き112Gの縁に沿って延び出ている。一対の第1延出部122Cは各々、第1辺112Cまで至っている。このようにして、第1裏面パッド122Aは、第1切り欠き112Gの縁に沿う部分を有している。
The pair of first extending
第2裏面パッド122Dは第2帯状部122Eおよび一対の第2延出部122Fを有する。
The second
第2帯状部122Eは第2方向Yに沿って延びる形状である。第2帯状部122Eおよび第1帯状部122Bは、第1方向Xに互いに離間している。第2帯状部122Eおよび第1辺112Cの間に、第1帯状部122Bが位置している。第2帯状部122Eは、第1縁112Aから第2縁112Bにわたって形成されている。第2帯状部122Eは、第2辺112Dから離間している。裏面112のうち第2帯状部122Eと第2辺112Dに挟まれた領域R12は、配線部12から露出している。
The
一対の第2延出部122Fは、第2帯状部122Eから、第2切り欠き112Hの縁に沿って延び出ている。一対の第2延出部122Fは各々、第2辺112Dまで至っている。このようにして、第2裏面パッド122Dは、第2切り欠き112Hの縁に沿う部分を有している。
The pair of second extending
第1連絡電極12Gは、主面電極121および第1裏面パッド122Aを導通させている。本実施形態では、第1連絡電極12Gは、第1凹部11Gの内面に形成されている。第2連絡電極12Hは、主面電極121および第2裏面パッド122Dを導通させている。本実施形態では、第2連絡電極12Hは、第2凹部11Hの内面に形成されている。
The
図3、図4に示す光学素子4は主面111に配置されており、具体的には配線部12(主面電極121におけるダイボンディング部121A)に配置されている。光学素子4は、発光素子あるいは受光素子である。本実施形態では光学素子4は発光素子であり、たとえばベアチップLEDである。ベアチップLEDは、n型半導体層と、活性層と、p型半導体層と、を有する。上記n型半導体層は上記活性層に積層されている。上記活性層は上記p型半導体層に積層されている。活性層は、n型半導体層とp型半導体層との間に位置する。n型半導体層、活性層、およびp型半導体層は、たとえば、GaNよりなる。ベアチップLEDは2つの電極パッド(図示略)を有する。
The
図4に示すワイヤ78は、光学素子4および配線部12(具体的には主面電極121におけるワイヤボンディング部121B)のいずれにも直接接している。これにより、光学素子4と配線部12とが導通している。
4 is in direct contact with both the
図2〜図5によく表れているように、枠部6は基材1に配置されている。具体的には、各枠部6は、枠部接合層73を介して基板11に接合されている。本実施形態では、枠部6と基板11との間には、配線部12と枠部接合層73とが介在している。図3に示すように、枠部6は、厚さ方向Z視において、光学素子4を囲んでいる。枠部6は枠部接合層73に直接接している。枠部6は透光樹脂部77に直接接している。本実施形態において枠部6は、光学素子4からの光をより多く方向Z1へと進行させる機能(リフレクタとしての機能)も果たす。
As shown in FIGS. 2 to 5, the
枠部6はたとえば白色樹脂よりなる。枠部6を構成する白色樹脂としては、たとえば、液晶ポリマまたはポリブチレンテレフタレートが挙げられる。枠部6を構成する材料としては他に、熱可塑性の樹脂であって、酸化チタンが混入されたナイロン系の樹脂であってもよい。本実施形態にて枠部6は金型成型によって形成される。このような金型成型としては、たとえばインジェクションモールド法が挙げられる。
The
枠部6には開口が形成されている。枠部6の開口には、光学素子4が収容されている。本実施形態においては、開口には、光学素子4が1つ収容されている。本実施形態とは異なり、開口に収容されている光学素子4の数は、1ではなく、2以上であってもよい。本実施形態とは異なり、枠部6に光学素子4を各々が囲む複数の開口が形成されていてもよい。
An opening is formed in the
枠部6は、内周面61と、頂面63と、底面67と、第1外側面651と、第2外側面652と、第3外側面653と、第4外側面654と、を有する。
The
図3、図4に示すように、内周面61は、枠部6における開口を規定している。内周面61は、光学素子4を包囲している。本実施形態において内周面61は、基板11の厚さ方向Zにおいて基板11から離間するほど厚さ方向Z視において光学素子4から遠ざかるように、基板11の厚さ方向Zに対し傾斜している。本実施形態とは異なり、内周面61は、厚さ方向Zに沿って直立していてもよい。
As shown in FIGS. 3 and 4, the inner
頂面63は、基板11の厚さ方向Zのうち裏面112から主面111に向かう方向を向く。本実施形態では頂面63は平坦である。頂面63は、枠状を呈する。頂面63は第1面631および第2面632を有する。第1面631および第2面632は、第2方向Yにおいて互いに離間し、第1方向Xに沿って延びている。厚さ方向Z視において、第1面631および第2面632の間に光学素子4が配置されている。第2方向Yにおける第1面631の寸法は、第2方向Yにおける第2面632の寸法と同一である。なお、図6に示した光学装置A1’においても、第2方向Yにおける第1面631の寸法は、第2方向Yにおける第2面632の寸法と同一である。
The
第1外側面651、第2外側面652、第3外側面653、および第4外側面654は厚さ方向Z視において、枠部6の外方を向いている。第1外側面651は第1側面113と面一である。第2外側面652は第2側面114と面一である。第3外側面653は第1端面115と面一である。第4外側面654は第2端面116と面一である。第1外側面651、第2外側面652、第3外側面653、および第4外側面654はいずれも平坦である。
The first outer surface 651, the second
底面67は、基材1に対向している面である。底面67は枠状を呈しており、平坦である。
The
本実施形態とは異なり、枠部6は、リフレクタとしての機能を発揮する必要はなく、透光性の材料よりなっていてもよい。
Unlike this embodiment, the
図4に示す素子接合層71は光学素子4および配線部12を接合している。素子接合層71は、光学素子4および配線部12の間に介在している。素子接合層71は、光学素子4および配線部12のいずれにも直接接している。本実施形態では、素子接合層71は導電性材料よりなる。素子接合層71を構成する導電性材料としては、ハンダもしくはAgが挙げられる。本実施形態とは異なり、素子接合層71は絶縁性材料よりなっていてもよい。
The
図4に示すように、透光樹脂部77は光学素子4を覆っている。透光樹脂部77は、枠部6の開口に充填されている。これにより、枠部6の内周面61と透光樹脂部77とは直接接している。透光樹脂部77は、光学素子4から放たれた光を透過させる。本実施形態では、透光樹脂部77は、透明な樹脂よりなり、このような透明な樹脂としては、たとえば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、もしくは、ポリビニル系樹脂が挙げられる。透光樹脂部77に蛍光体が混入されていてもよい。本実施形態とは異なり、光学装置A1が透光樹脂部77を備えていなくてもよい。
As shown in FIG. 4, the
図2、図4に示すように、枠部接合層73は、枠部6および基板11の間に介在し、枠部6を基板11に接合している。枠部接合層73は、絶縁性の材料よりなる。本実施形態では枠部接合層73は接着剤(後述)に由来する。このような接着剤はたとえばエポキシ系の接着剤が挙げられる。
As illustrated in FIGS. 2 and 4, the
図2に示すように、光学装置A1は、回路基板801と、ハンダ層802とともに、光学装置の実装構造B1を構成している。ハンダ層802は、第1裏面パッド122Aおよび回路基板801の間、および、第2裏面パッド122Dおよび回路基板801の間に介在している。このようにして、光学装置A1が回路基板801に実装されている。
As shown in FIG. 2, the optical device A1 constitutes a mounting structure B1 of the optical device together with a
次に、光学装置A1の製造方法について説明する。上記と同一または類似の構成については、理解の便宜上、上記と同一の符号を付すこととする。 Next, a method for manufacturing the optical device A1 will be described. The same or similar configurations as those described above are denoted by the same reference numerals as described above for convenience of understanding.
図7は、本発明の第1実施形態にかかる光学装置の製造方法の一工程を示す底面図である。図8は、図7のVIII−VIII線に沿う断面図である。図9は、図7のIX−IX線に沿う断面図である。 FIG. 7 is a bottom view showing one step of the method of manufacturing the optical device according to the first embodiment of the present invention. 8 is a cross-sectional view taken along line VIII-VIII in FIG. 9 is a cross-sectional view taken along line IX-IX in FIG.
まず、図7〜図9に示す基板11を用意する。基板11には、第2方向Yに沿って複数の貫通孔1Tが形成されている。
First, the
次に、基板11に配線部12を形成する。配線部12の形成はめっきにより行うとよい。配線部12の形成工程により、基板11の主面111には、主面導電層120が形成される。基板11の裏面112には、裏面導電層123が形成される。裏面導電層123は、第1裏面導電層123Aおよび第2裏面導電層123Dを有する。第1裏面導電層123Aおよび第2裏面導電層123Dは、第1方向Xに互いに離間し、且つ、第1方向Xと基板11の厚さ方向Zとに直交する第2方向Yに沿って延びている。また図示は省略するが、貫通孔1Tの内面には連絡電極が形成される。当該連絡電極は、上述の第1連絡電極12Gあるいは第2連絡電極12Hとなる。
Next, the
次に、図10、図11に示すように、基板11の主面111に、枠部6を配置する。具体的には、接着剤によって、基板11の主面111に枠部6を接合する。次に、基板11の主面111に、複数の光学素子4を配置する。具体的には、素子接合層71を介して、主面導電層120に複数の光学素子4を配置する。次に、光学素子4および主面導電層120にワイヤ78を接合する。なお、光学素子4を基板11に配置する工程の後に、枠部6を基板11に配置してもよい。
Next, as shown in FIGS. 10 and 11, the
次に、図12、図13に示すように、光学素子4を覆う透光樹脂部77を形成する。
Next, as shown in FIGS. 12 and 13, a
図14は、図12、図13に続く一工程を示す底面図である。図15は、図14のXV−XV線に沿う断面図である。図16は、図14のXVI−XVI線に沿う断面図である。 FIG. 14 is a bottom view showing a step subsequent to FIGS. 15 is a cross-sectional view taken along line XV-XV in FIG. 16 is a cross-sectional view taken along line XVI-XVI in FIG.
次に、図14〜図16に示すように、基板11および枠部6を切断し、固片化する。図14〜図16では、ダイシングブレード881による第1方向Xに沿った切断領域Dc1と、ダイシングブレード881による第2方向Yに沿った切断領域Dc2と、をハッチングにより示している。
Next, as shown in FIGS. 14-16, the board |
固片化する工程においては、枠部6を基準として、基板11および枠部6を切断する。これにより、上述のように、第2方向Yにおける第1面631の寸法が、第2方向Yにおける第2面632の寸法と同一となる。また、基板11および枠部6の切断においては、複数の貫通孔1Tのうち互いに第2方向Yにおいて隣接する2つの貫通孔1Tの間の基板11における箇所を、ダイシングブレード881によって切断する。これにより、ダイシングブレード881によって、第1方向Xに沿って、基板11および枠部6に加え、第1裏面導電層123Aの一部および第2裏面導電層123Dの一部が切断され、第1裏面パッド122Aと第2裏面パッド122Dが形成される。第1方向Xに沿う切断により、基板11における第1側面113と第2側面114とが形成され、枠部6における第1外側面651と第2外側面652とが形成される。同様に、第2方向Yに沿って、ダイシングブレード881によって、基板11および枠部6を切断する。第2方向Yに沿う切断により、基板11における第1端面115と第2端面116とが形成され、枠部6における第3外側面653と第4外側面654とが形成される。
In the solidifying step, the
図14に示すように、固片化する工程においては、複数の貫通孔1Tのうち互いに第2方向Yにおいて隣接する2つの貫通孔1Tの間にて、2つの貫通孔1Tの中点P1の位置する箇所を、ダイシングブレード881によって切断することが好ましい。しかしながら、図17に示すように、固片化する工程においては、複数の貫通孔1Tのうち互いに第2方向Yにおいて隣接する2つの貫通孔1Tの間にて、2つの貫通孔1Tの中点P1から第2方向Yにずれた基板11における箇所を、ダイシングブレード881によって切断することもある。この場合には、上述のように、第1方向Xに沿って延びる仮想直線L1が、第2方向Yにおける裏面112の中心からずれた位置に位置し、図6に示した光学装置A1’が製造される。
As shown in FIG. 14, in the step of solidifying, between the two through
次に、本実施形態の作用効果について説明する。 Next, the effect of this embodiment is demonstrated.
光学装置A1の製造方法においては、第1裏面導電層123Aおよび第2裏面導電層123Dは、第1方向Xに互いに離間し、且つ、第1方向Xと基板11の厚さ方向Zとに直交する第2方向Yに沿って延びている。固片化する工程においては、ダイシングブレード881によって、第1方向Xに沿って、第1裏面導電層123Aの一部および第2裏面導電層123Dの一部を切断する。このような製造方法を経ることにより、光学装置A1では、第1裏面パッド122Aおよび第2裏面パッド122Dが各々、第1縁112Aから第2縁112Bにわたって形成されることとなる。このような構成によると、第1方向Xに沿ったダイシングブレード881による切断領域Dc1が、第2方向Yに位置ずれしたとしても、第1裏面パッド122Aおよび第2裏面パッド122Dの第2方向Yにおける寸法を大きく確保することができる。これにより、光学装置A1を回路基板801へ実装する際の実装ずれが発生する不具合を回避できる。
In the manufacturing method of the optical device A1, the first back surface
本実施形態のように、枠部6を基板11に接合するタイプの製品の場合、枠部6の位置が基板11に対してずれてしまうことがある。このような場合に、本実施形態のように枠部6を基準として基板11および枠部6を切断すると、図17に示したように第1方向Xに沿ったダイシングブレード881による切断領域Dc1が、第2方向Yに位置ずれすることがある。上述のように、切断領域Dc1が第2方向Yに位置ずれした場合であっても、第1裏面パッド122Aおよび第2裏面パッド122Dの第2方向Yにおける寸法を大きく確保することができるから、光学装置A1を回路基板801へ実装する際の実装ずれが発生する不具合を回避できる。また、本実施形態のように枠部6を基準として基板11および枠部6を切断すると、枠部6が所望の形状以外の形状となる不都合(たとえば、内周面61の一部がダイシングブレード881に除去されてしまうこと)を回避できる。たとえば枠部6がリフレクタとして機能する場合には、光反射面として機能する内周面61が除去されることにより生じうる光学装置A1の輝度低下や光漏れを、防止できる。このように、本実施形態によると不良品の発生を回避できる。以上より、本実施形態によると、実装ずれが発生する不具合を回避でき、また、不良品の発生も回避できる。
In the case of a product in which the
また、図10、図11に示した状態において、通常、光学素子4は、枠部6に対しては正確に配置されている。よって、本実施形態のように枠部6を基準として基板11および枠部6を切断できると、光学装置A1における光学素子4の位置が、所望の位置からずれてしまうことを防止できる。よって、光学装置A1の光学特性を所望の特性とすることができる。光学素子4が発光素子である場合には、光学装置A1が所望の強度の光を発することができる。光学素子4が受光素子である場合には、光学装置A1が十分な量の光を受光することができる。
In the state shown in FIGS. 10 and 11, the
基板11および枠部6の切断においては、複数の貫通孔1Tのうち互いに第2方向Yにおいて隣接する2つの貫通孔1Tの間の基板11における箇所は、強度が弱く、ダイシングブレード881によって切断しにくい。本実施形態においては、固片化する工程の前において、基板11の裏面112のうち、2つの貫通孔1Tに挟まれた領域R1が裏面導電層123から露出している。このような構成によると、裏面導電層123のうちダイシングブレード881によって切断(除去)すべき領域を小さくすることが可能となる。よって、ダイシングブレード881による切断工程を、より好適に行うことができる。
In cutting the
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。 The present invention is not limited to the embodiment described above. The specific configuration of each part of the present invention can be changed in various ways.
1 基材
11 基板
111 主面
112 裏面
112A 第1縁
112B 第2縁
112C 第1辺
112D 第2辺
112G 第1切り欠き
112H 第2切り欠き
113 第1側面
114 第2側面
115 第1端面
116 第2端面
11G 第1凹部
11H 第2凹部
12 配線部
120 主面導電層
121 主面電極
121A ダイボンディング部
121B ワイヤボンディング部
122 裏面電極
122A 第1裏面パッド
122B 第1帯状部
122C 第1延出部
122D 第2裏面パッド
122E 第2帯状部
122F 第2延出部
123 裏面導電層
123A 第1裏面導電層
123D 第2裏面導電層
12G 第1連絡電極
12H 第2連絡電極
1T 貫通孔
4 光学素子
6 枠部
61 内周面
63 頂面
631 第1面
632 第2面
651 第1外側面
652 第2外側面
653 第3外側面
654 第4外側面
67 底面
71 素子接合層
73 枠部接合層
77 透光樹脂部
78 ワイヤ
801 回路基板
802 ハンダ層
881 ダイシングブレード
A1,A1’ 光学装置
B1 光学装置の実装構造
C1 中心
Dc1,Dc2 切断領域
L1 仮想直線
P1 中点
R1,R11,R12 領域
X 第1方向
Y 第2方向
Z 厚さ方向
Z1,Z2 方向
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Base material 11 Board | substrate 111 Main surface 112 Back surface 112A 1st edge 112B 2nd edge 112C 1st edge 112D 2nd edge 112G 1st notch 112H 2nd notch 113 1st side surface 114 2nd side surface 115 1st end surface 116 1st 2 end face 11G 1st recessed part 11H 2nd recessed part 12 Wiring part 120 Main surface conductive layer 121 Main surface electrode 121A Die bonding part 121B Wire bonding part 122 Back surface electrode 122A 1st back surface pad 122B 1st strip | belt-shaped part 122C 1st extension part 122D 2nd back surface pad 122E 2nd strip | belt-shaped part 122F 2nd extension part 123 Back surface conductive layer 123A 1st back surface conductive layer 123D 2nd back surface conductive layer 12G 1st connection electrode 12H 2nd connection electrode 1T Through-hole 4 Optical element 6 Frame part 61 Inner peripheral surface 63 Top surface 631 First surface 632 Second surface 651 First outer surface 652 Second outer surface 65 Third outer surface 654 Fourth outer surface 67 Bottom surface 71 Element bonding layer 73 Frame portion bonding layer 77 Translucent resin portion 78 Wire 801 Circuit board 802 Solder layer 881 Dicing blades A1, A1 ′ Optical device B1 Optical device mounting structure C1 Center Dc1, Dc2 Cutting area L1 Virtual straight line P1 Middle points R1, R11, R12 Area X First direction Y Second direction Z Thickness direction Z1, Z2 direction
Claims (45)
前記基板に形成された配線部と、
前記主面に配置された光学素子と、
前記光学素子を収容している開口が形成され、前記基板に配置された枠部と、を備え、
前記裏面は、各々が第1方向に沿って延びており、且つ、前記第1方向と前記基板の厚さ方向とに直交する第2方向に互いに離間する第1縁および第2縁を有し、
前記配線部は、前記裏面に形成された第1裏面パッドおよび第2裏面パッドを含み、
前記第1裏面パッドおよび前記第2裏面パッドは、前記第1方向に互いに離間しており、
前記第1裏面パッドおよび前記第2裏面パッドは各々、前記第1縁から前記第2縁にわたって形成されており、
前記裏面は、各々が前記第2方向に沿って延びており、且つ、前記第1方向に互いに離間する第1辺および第2辺を有し、
前記第1裏面パッドは、前記基板の厚さ方向視において、前記第1縁側から前記第2縁側に向かって、前記第1縁のうち前記第1辺から離間した箇所から延びる縁を有し、
前記基板の前記裏面は、前記第1裏面パッドおよび前記第2裏面パッドから露出している露出部位を有し、前記露出部位の一部は、前記基板の厚さ方向視において、前記第1辺と前記第1縁と前記第1裏面パッドの前記縁と、によって規定されており、
前記裏面には、前記第1辺から凹む第1切り欠きと、前記第2辺から凹む第2切り欠きと、が形成されており、
前記第1裏面パッドは、前記第1切り欠きの縁に沿う部分を有しており、
前記第2裏面パッドは、前記第2切り欠きの縁に沿う部分を有しており、
前記第1裏面パッドは、第1帯状部を有し、前記第2裏面パッドは、第2帯状部を有し、
前記第1帯状部および前記第2帯状部はいずれも、前記第2方向に沿って延びる形状であり、
前記第1帯状部は、前記第1辺および前記第2帯状部の間に位置しており、
前記第1帯状部は、前記第1辺から離間しており、前記第2帯状部は、前記第2辺から離間している、光学装置。 A substrate having a main surface and a back surface facing away from each other;
A wiring portion formed on the substrate;
An optical element disposed on the main surface;
An opening accommodating the optical element is formed, and a frame portion disposed on the substrate,
The back surface has a first edge and a second edge, each extending along a first direction and spaced apart from each other in a second direction perpendicular to the first direction and the thickness direction of the substrate. ,
The wiring portion includes a first back pad and a second back pad formed on the back surface,
The first back pad and the second back pad are spaced apart from each other in the first direction;
The first back pad and the second back pad are each formed from the first edge to the second edge,
The back surface has a first side and a second side, each extending along the second direction, and spaced apart from each other in the first direction;
The first back pad has an edge extending from a position away from the first side of the first edge from the first edge side toward the second edge side in the thickness direction view of the substrate;
The back surface of the substrate has an exposed portion exposed from the first back surface pad and the second back surface pad, and a part of the exposed portion is the first side in the thickness direction of the substrate. And the first edge and the edge of the first back pad,
A first notch that is recessed from the first side and a second notch that is recessed from the second side are formed on the back surface,
The first back pad has a portion along an edge of the first notch,
The second back pad has a portion along the edge of the second notch ,
The first back pad has a first strip, the second back pad has a second strip,
Each of the first belt-like portion and the second belt-like portion has a shape extending along the second direction,
The first belt-like portion is located between the first side and the second belt-like portion,
The optical device, wherein the first belt-like portion is separated from the first side, and the second belt-like portion is separated from the second side .
前記第2裏面パッドは、前記第2帯状部から、前記第2切り欠きの縁に沿って延び出る一対の第2延出部を有し、前記一対の第2延出部は各々、前記第2辺まで至っている、請求項1に記載の光学装置。 The first back pad has a pair of first extending portions extending from the first belt-shaped portion along an edge of the first notch, and each of the pair of first extending portions is the first To one side,
The second back surface pad has a pair of second extending portions extending from the second belt-shaped portion along an edge of the second notch, and each of the pair of second extending portions is the first The optical device according to claim 1 , wherein the optical device reaches two sides.
前記仮想直線は、前記第1切り欠きにおいて最も第2裏面パッド側に位置する部位と、前記第2切り欠きにおいて最も前記第1裏面パッド側に位置する部位と、を結ぶ直線である、請求項1ないし請求項6のいずれかに記載の光学装置。 The virtual straight line extending along the first direction is located at a position shifted from the center of the back surface in the second direction,
The imaginary straight line is a straight line connecting a portion located closest to the second back surface pad in the first cutout and a portion located closest to the first back surface pad in the second cutout. 1 or an optical device according to any one of claims 6.
前記第1側面および前記第2側面はいずれも、平坦である、請求項1に記載の光学装置。 The substrate has a first side surface facing one side in the second direction and a second side surface facing the opposite side to the first side surface,
The optical device according to claim 1, wherein both the first side surface and the second side surface are flat.
前記第1端面および前記第2端面はいずれも、平坦である、請求項8または請求項9に記載の光学装置。 The substrate has a first end surface facing one of the first directions, and a second end surface facing the opposite side of the first end surface;
The optical device according to claim 8 or 9 , wherein both the first end surface and the second end surface are flat.
前記第1切り欠きの縁は、前記第1凹部の一部により構成されており、
前記第2切り欠きの縁は、前記第2凹部の一部により構成されている、請求項10または請求項11に記載の光学装置。 A first recess that is recessed from the first end surface and a second recess that is recessed from the second end surface are formed on the substrate ,
The edge of the first notch is constituted by a part of the first recess,
The second notch edge is constituted by a portion of the second recess, the optical device according to claim 1 0 or claim 1 1.
前記主面電極は、前記主面に形成され、前記主面電極には、前記光学素子が配置されており、
前記第1連絡電極は、前記主面電極および前記第1裏面パッドを導通させており、
前記第2連絡電極は、前記主面電極および前記第2裏面パッドを導通させている、請求項12に記載の光学装置。 The wiring portion includes a main surface electrode, a first connection electrode, and a second connection electrode,
The main surface electrode is formed on the main surface, and the optical element is disposed on the main surface electrode,
The first connection electrode is electrically connected to the main surface electrode and the first back surface pad,
The second contact electrode, said that by conducting a main surface electrode and the second back surface pad, the optical device according to claim 1 2.
前記第2連絡電極は、前記第2凹部の内面に形成されている、請求項13に記載の光学装置。 The first connection electrode is formed on the inner surface of the first recess,
The second contact electrode is formed on the inner surface of the second recess, the optical device according to claim 1 3.
前記主面電極は、前記光学素子がボンディングされたダイボンディング部と、前記ワイヤがボンディングされたワイヤボンディング部と、を有する、請求項13または請求項14に記載の光学装置。 Further comprising a wire bonded to the optical element;
The main surface electrodes, said has a die bonding portion of the optical element is bonded, and the wire bonding portion to which the wire is bonded, the optical apparatus of claim 1 3 or claim 1 4.
前記光学素子は、前記厚さ方向視において、前記第1面および前記第2面の間に配置されており、
前記第2方向における前記第1面の寸法は、前記第2方向における前記第2面の寸法と同一である、請求項20に記載の光学装置。 The top surface has a first surface and a second surface that are spaced apart from each other in the second direction and extend along the first direction;
The optical element is disposed between the first surface and the second surface in the thickness direction view,
The dimensions of the first surface in the second direction, wherein the same as the dimension of the second surface in the second direction, the optical device according to claim 2 0.
回路基板と、
前記第1裏面パッドおよび前記回路基板の間、および、前記第2裏面パッドおよび前記回路基板の間に介在するハンダ層と、を備える、光学装置の実装構造。 An optical device according to any one of claims 1 to 2 7,
A circuit board;
A mounting structure for an optical device, comprising: a solder layer interposed between the first back pad and the circuit board; and a solder layer interposed between the second back pad and the circuit board.
前記光学装置は、
互いに反対側を向く主面および裏面を有する基板と、
前記基板に形成された配線部と、
前記主面に配置された光学素子と、
前記光学素子を収容している開口が形成され、前記基板に配置された枠部と、を備え、
前記裏面は、各々が第1方向に沿って延びており、且つ、前記第1方向と前記基板の厚さ方向とに直交する第2方向に互いに離間する第1縁および第2縁を有し、
前記配線部は、前記裏面に形成された第1裏面パッドおよび第2裏面パッドを含み、
前記第1裏面パッドおよび前記第2裏面パッドは、前記第1方向に互いに離間しており、
前記第1裏面パッドおよび前記第2裏面パッドは各々、前記第1縁から前記第2縁にわたって形成されており、
前記裏面は、各々が前記第2方向に沿って延びており、且つ、前記第1方向に互いに離間する第1辺および第2辺を有し、
前記第1裏面パッドは、前記基板の厚さ方向視において、前記第1縁側から前記第2縁側に向かって、前記第1縁のうち前記第1辺から離間した箇所から延びる縁を有し、
前記基板の前記裏面は、前記第1裏面パッドおよび前記第2裏面パッドから露出している露出部位を有し、前記露出部位の一部は、前記基板の厚さ方向視において、前記第1辺と前記第1縁と前記第1裏面パッドの前記縁と、によって規定されており、
基板を用意する工程と、
前記基板の裏面に、第1裏面導電層および第2裏面導電層を形成する工程と、
前記基板の主面に、複数の開口が形成された枠部を配置する工程と、
前記基板の主面に、複数の光学素子を配置する工程と、
前記基板および前記枠部を切断し、固片化する工程と、を備え、
前記第1裏面導電層および前記第2裏面導電層は、第1方向に互いに離間し、且つ、前記第1方向と前記基板の厚さ方向とに直交する第2方向に沿って延びており、
前記固片化する工程においては、ダイシングブレードによって、前記第1方向に沿って、前記第1裏面導電層の一部および前記第2裏面導電層の一部を切断する、光学装置の製造方法。 An optical device manufacturing method comprising:
The optical device comprises:
A substrate having a main surface and a back surface facing away from each other;
A wiring portion formed on the substrate;
An optical element disposed on the main surface;
An opening accommodating the optical element is formed, and a frame portion disposed on the substrate,
The back surface has a first edge and a second edge, each extending along a first direction and spaced apart from each other in a second direction perpendicular to the first direction and the thickness direction of the substrate. ,
The wiring portion includes a first back pad and a second back pad formed on the back surface,
The first back pad and the second back pad are spaced apart from each other in the first direction;
The first back pad and the second back pad are each formed from the first edge to the second edge,
The back surface has a first side and a second side, each extending along the second direction, and spaced apart from each other in the first direction;
The first back pad has an edge extending from a position away from the first side of the first edge from the first edge side toward the second edge side in the thickness direction view of the substrate;
The back surface of the substrate has an exposed portion exposed from the first back surface pad and the second back surface pad, and a part of the exposed portion is the first side in the thickness direction of the substrate. And the first edge and the edge of the first back pad,
Preparing a substrate;
Forming a first back surface conductive layer and a second back surface conductive layer on the back surface of the substrate;
A step of disposing a frame portion having a plurality of openings formed on the main surface of the substrate;
Arranging a plurality of optical elements on the main surface of the substrate;
Cutting and solidifying the substrate and the frame part,
The first back surface conductive layer and the second back surface conductive layer are spaced apart from each other in a first direction and extend along a second direction orthogonal to the first direction and the thickness direction of the substrate,
In the solidifying step, a part of the first back surface conductive layer and a part of the second back surface conductive layer are cut along the first direction by a dicing blade.
前記複数の光学素子を配置する工程においては、前記主面導電層に前記複数の光学素子を配置する、請求項29ないし請求項35のいずれかに記載の光学装置の製造方法。 A step of forming a main surface conductive layer on the main surface of the substrate;
Wherein in the plurality of placing the optical element, placing said plurality of optical elements to the main surface conductive layer, the manufacturing method of the optical device according to any one of claims 29 to claim 35.
前記基板の前記第1面上から前記第2面上まで連続的に形成された第1導電部と、
前記第1導電部と離間して形成され、且つ、前記基板の前記第1面上から前記第2面上まで連続的に形成された第2導電部と、
前記基板の前記第1面上の前記第1導電部上に配置された半導体素子と、を有し、
前記第1方向視において、前記第2面は、互いに平行な第1辺及び第2辺と、前記第1辺に交差する方向に延び且つ互いに平行な第3辺及び第4辺とを有し、
前記第2面上の前記第1導電部は、前記第3辺から離間し且つ前記第1辺から前記第2辺まで連続的に形成された第1部分と、前記第1辺及び前記第2辺から離間し且つ前記第3辺から前記第1部分まで湾曲して連続的に形成された第2部分とを有し、
前記第2面上の前記第2導電部は、前記第4辺から離間し且つ前記第1辺から前記第2辺まで連続的に形成された第3部分と、前記第1辺及び前記第2辺から離間し且つ前記第3辺から前記第3部分まで湾曲して連続的に形成された第4部分とを有し、
前記第2面には、前記第3辺から凹む第1切り欠きと、前記第4辺から凹む第2切り欠きと、が形成されており、
前記第1導電部の前記第2部分は、前記第1切り欠きの縁に沿う部分を有しており、
前記第2導電部の前記第4部分は、前記第2切り欠きの縁に沿う部分を有している、半導体装置。 A substrate having a first surface facing one side of the first direction and a second surface facing the other side of the first direction;
A first conductive portion formed continuously from the first surface of the substrate to the second surface;
A second conductive portion formed separately from the first conductive portion and continuously formed from the first surface of the substrate to the second surface;
A semiconductor element disposed on the first conductive portion on the first surface of the substrate;
In the first direction view, the second surface has a first side and a second side that are parallel to each other, and a third side and a fourth side that extend in a direction intersecting the first side and are parallel to each other. ,
The first conductive portion on the second surface is spaced apart from the third side and continuously formed from the first side to the second side, and the first side and the second side. A second part formed continuously from the side and curved from the third side to the first part,
The second conductive portion on the second surface includes a third portion that is spaced apart from the fourth side and is continuously formed from the first side to the second side, the first side, and the second side. have a fourth portion which is continuously formed curved from spaced and the third side from the side to the third portion,
The second surface is formed with a first notch that is recessed from the third side and a second notch that is recessed from the fourth side,
The second portion of the first conductive portion has a portion along an edge of the first notch,
It said fourth portion of said second conductive portion, that has a portion along the second cut-out edges, the semiconductor device.
前記第2導電部には、前記ワイヤがボンディングされている、請求項37に記載の半導体装置。 Further comprising a wire bonded to the semiconductor element,
38. The semiconductor device according to claim 37 , wherein the wire is bonded to the second conductive portion.
前記第3面は、前記第1辺を含み、前記第4面は、前記第2辺を含む、請求項37に記載の半導体装置。 The substrate has a third surface and a fourth surface, and the third surface and the fourth surface connect the first surface and the second surface, respectively.
It said third surface includes a first side, said fourth surface comprises a second side, the semiconductor device according to claim 3 7.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014125453A JP6450096B2 (en) | 2014-06-18 | 2014-06-18 | Optical device, semiconductor device, mounting structure of optical device, and manufacturing method of optical device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014125453A JP6450096B2 (en) | 2014-06-18 | 2014-06-18 | Optical device, semiconductor device, mounting structure of optical device, and manufacturing method of optical device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016004946A JP2016004946A (en) | 2016-01-12 |
JP6450096B2 true JP6450096B2 (en) | 2019-01-09 |
Family
ID=55224006
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014125453A Active JP6450096B2 (en) | 2014-06-18 | 2014-06-18 | Optical device, semiconductor device, mounting structure of optical device, and manufacturing method of optical device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6450096B2 (en) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019009301A (en) * | 2017-06-26 | 2019-01-17 | 京セラ株式会社 | Substrate for optical sensor and optical sensor module |
JP7296201B2 (en) * | 2017-12-18 | 2023-06-22 | ローム株式会社 | semiconductor light emitting device |
US10763414B2 (en) * | 2017-12-18 | 2020-09-01 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device |
WO2019160062A1 (en) * | 2018-02-16 | 2019-08-22 | 京セラ株式会社 | Multipiece element storage package, and multipiece optical semiconductor device |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58201347A (en) * | 1982-05-20 | 1983-11-24 | Unie Kurisutaru Kk | Leadless chip parts and preparation thereof |
JPH0416462Y2 (en) * | 1985-06-21 | 1992-04-13 | ||
JP3311914B2 (en) * | 1995-12-27 | 2002-08-05 | 株式会社シチズン電子 | Chip type light emitting diode |
JP3900613B2 (en) * | 1997-08-28 | 2007-04-04 | シチズン電子株式会社 | Surface mount type chip component and manufacturing method thereof |
JP3553405B2 (en) * | 1999-03-03 | 2004-08-11 | ローム株式会社 | Chip type electronic components |
JP3795248B2 (en) * | 1999-03-19 | 2006-07-12 | ローム株式会社 | Chip type light emitting device |
JP2001177159A (en) * | 1999-12-16 | 2001-06-29 | Matsushita Electronics Industry Corp | Semiconductor device |
JP2002223001A (en) * | 2001-01-26 | 2002-08-09 | Nichia Chem Ind Ltd | Photoelectric device |
JP2002368277A (en) * | 2001-06-05 | 2002-12-20 | Rohm Co Ltd | Chip semiconductor light-emitting device |
US6583447B2 (en) * | 2001-08-27 | 2003-06-24 | Harvatek Corp. | Multiple LED chip package |
JP4357311B2 (en) * | 2004-02-04 | 2009-11-04 | シチズン電子株式会社 | Light emitting diode chip |
JP4935105B2 (en) * | 2006-02-17 | 2012-05-23 | パナソニック株式会社 | Light emitting device |
JP5340583B2 (en) * | 2007-11-26 | 2013-11-13 | スタンレー電気株式会社 | Semiconductor light emitting device |
JP5596410B2 (en) * | 2010-05-18 | 2014-09-24 | スタンレー電気株式会社 | Semiconductor light emitting device |
JP5656247B2 (en) * | 2010-10-05 | 2015-01-21 | シチズン電子株式会社 | Semiconductor light emitting device and built-in structure of semiconductor light emitting device |
JP2012186450A (en) * | 2011-02-16 | 2012-09-27 | Rohm Co Ltd | Led module |
JP2013153004A (en) * | 2012-01-24 | 2013-08-08 | Toshiba Corp | Television receiver and electronic apparatus |
JP2013254820A (en) * | 2012-06-06 | 2013-12-19 | Stanley Electric Co Ltd | Substrate for mounting light-emitting element and light-emitting device |
-
2014
- 2014-06-18 JP JP2014125453A patent/JP6450096B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016004946A (en) | 2016-01-12 |
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Legal Events
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|
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